Proyecto de Fsica II: Alarma controlada por luz

ALARMA CONTROLADA POR LUZ OBJETIVO:

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Nuestro objetivo es la construccin de una alarma con rel para activar una sirena de variadas potencias. El uso del rel permite conectar sirenas de mayor potencia y/o focos. En el presente experimento se usar un pequeo parlante como indicador de activacin. FUNDAMENTO TERICO: En este caso empleamos un timer 555 como temporizador. El foto resistor (LDR) reduce su resistencia cuando est iluminado y la aumenta cuando est a oscuras. De esto nos valemos para hacer que el timer d un pulso en su salida. A su vez, el timer har operar el transistor como interruptor haciendo que acte el rel y encienda el parlante. LDR: Es una resistencia que vara su valor dependiendo de la cantidad de luz que la ilumina. Los valores de una fotorresistencia cuando est totalmente iluminado y cuando est totalmente a oscuras, cambia. Puede medir de 50 ohmios a 1000 ohmios (1K ) en iluminacin total y puede ser de 50K (50,000 Ohms) a varios mega ohmios cuando est a oscuras. El LDR es fabricado con materiales de estructura cristalina, y utiliza sus propiedades fotoconductoras. Los cristales utilizados ms comunes son: sulfuro de cadmio y seleniuro de cadmio. El valor de la fotorresistencia (en Ohmios) no vara de forma instantnea cuando se pasa de luz a oscuridad o al contrario, y el tiempo que se toma en este proceso no siempre es igual si se pasa de oscuro a iluminado o si se pasa de iluminado a oscuro. Esto hace que el LDR no se pueda utilizar en muchas aplicaciones especialmente aquellas que necesitan de mucha exactitud en cuanto a tiempo, para cambiar de estado (oscuridad a iluminacin o iluminacin a oscuridad) y a exactitud de valores de la fotorresistencia al estar en los mismos estados anteriores. Su tiempo de respuesta tpico es de aproximadamente 0.1 segundos.

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TRANSISTORES: El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los artefactos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc. Tipos de transistor Transistor de punta de contacto Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido. Transistor de unin bipolar El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor esta mucho ms contaminado que el colector).

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El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin. Transistor de unin unipolar Tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. Transistor de efecto de campo El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

El transistor como amplificador El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. Pero la gracia del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: I C = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales de seal, vara entre 100 y 300.

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CONDENSADORES ELECTROLTICOS: Dentro de la gran variedad de tecnologas de fabricacin de condensadores, los electrolticos son los de mayor capacidad, debido a que se recurre a reducir la separacin entre las placas, a aumentar el rea enfrentada de las mismas y a la utilizacin de un dielctrico de elevada constante dielctrica. Los condensadores electrolticos deben su nombre a que el material dielctrico que contienen es un cido llamado electrolito y que se aplica en estado lquido. La fabricacin de un condensador electroltico comienza enrollando dos lminas de aluminio separadas por un papel absorbente humedecido con cido electroltico. Luego se hace circular una corriente elctrica entre las placas para provocar una reaccin qumica que producir una capa de xido sobre el aluminio, siendo este xido de electrolito el verdadero dielctrico del condensador. Para que pueda ser conectado en un circuito electrnico, el condensador llevar sus terminales de conexin remachados o soldados con soldadura de punto. Por ltimo, todo el conjunto se insertar en una carcasa metlica que le dar rigidez mecnica y se sellar hermticamente, en general, con un tapn de goma, que evitar que el cido se evapore en forma precoz. Permiten obtener capacidades elevadas en espacios reducidos. Actualmente existen dos tipos: los de aluminio, y los de tntalo. El fundamento es el mismo: se trata de depositar mediante electrolisis una fina capa aislante. Los condensadores electrolticos deben conectarse respetando su polaridad, que viene indicada en sus terminales, pues de lo contrario se destruira.

CONDENSADORES CERMICOS: Los materiales cermicos son buenos aislantes trmicos y elctricos. El proceso de fabricacin consiste bsicamente en la metalizacin de las dos caras del material cermico. Se fabrican de 1pF a 1nF (grupo I) y de 1pF a 470nF (grupo II) con tensiones comprendidas entre 3 y 10000v. Su identificacin se realiza mediante cdigo alfanumrico. Se utilizan en circuitos que necesitan alta estabilidad y bajas prdidas en altas frecuencias.

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DIODOS RECTIFICADORES: Su construccin est basada en la unin PN siendo su principal aplicacin como rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan elevadas temperaturas (hasta 200C en la unin), siendo su resistencia muy baja y la corriente en tensin inversa muy pequea. Gracias a esto se pueden construir diodos de pequeas dimensiones para potencias relativamente grandes, desbancando as a los diodos termoinicos desde hace tiempo. Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes de alimentacin como en televisin, aparatos de rayos X y microscopios electrnicos, donde deben rectificar tensiones altsimas. En fuentes de alimentacin se utilizan los diodos formando configuracin en puente (con cuatro diodos en sistemas monofsicos), o utilizando los puentes integrados que a tal efecto se fabrican y que simplifican en gran medida el proceso de diseo de una placa de circuito impreso. Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia que tengan que disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de plstico. Por encima de este valor el encapsulado es metlico y en potencias ms elevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto una rosca para fijar este a un radiador y as ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas altas corrientes. Igual le pasa a los puentes de diodos integrados.

REL:

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El Rel se activa o desactiva (dependiendo de la conexin) cuando el electroimn (que forma parte del Rel) es energizado (le ponemos un voltaje para que funcione). Esta operacin causa que exista conexin o no, entre dos o ms terminales del dispositivo (el Rel). Esta conexin se logra con la atraccin o repulsin de un pequeo brazo, llamado armadura, por el electroimn. Este pequeo brazo conecta o desconecta los terminales antes mencionados. Funcionamiento del Rel: Si el electroimn est activo jala el brazo (armadura) y conecta los puntos C y D. Si el electroimn se desactiva, conecta los puntos D y E. De esta manera se puede conectar algo, cuando el electroimn est activo, y otra cosa conectada, cuando est inactivo. Es importante saber cual es la resistencia del bobinado del electroimn (lo que est entre los terminales A y B) que activa el rel y con cuanto voltaje este se activa. Este voltaje y esta resistencia nos informan que magnitud debe de tener la seal que activar el rel y cuanta corriente se debe suministrar a ste. La corriente se obtiene con ayuda de la Ley de Ohm: I = V / R. donde: - I es la corriente necesaria para activar el rel - V es el voltaje para activar el rel - R es la resistencia del bobinado del rel Ventajas del Rel: - El Rel permite el control de un dispositivo a distancia. No se necesita estar junto al dispositivo para hacerlo funcionar. - El Rel es activado con poca corriente, sin embargo puede activar grandes mquinas

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CIRCUITO INTEGRADO 555: El circuito integrado 555 es un circuito integrado de bajo costo y de grandes prestaciones. Inicialmente fue desarrollado por la firma Signetics. En la actualidad es construido por muchos otros fabricantes. Entre sus aplicaciones principales cabe destacar las de multivibrador astable (dos estados metaestables) y monoestable (un estado estable y otro metaestable), detector de impulsos, etctera. Funcionamiento del Circuito Integrado 555 El temporizador 555 se puede conectar para que funcione de diferentes maneras, entre los ms importantes estn: como multivibrador astable y como multivibrador monoestable.

Multivibrador astable Esquema de la aplicacin de multivibrador astable del 555. Este tipo de funcionamiento se caracteriza por una salida con forma de onda cuadrada (o rectangular) continua de ancho predefinido por el diseador del circuito. El esquema de conexin es el que se muestra. La seal de salida tiene un nivel alto por un tiempo t1 y un nivel bajo por un tiempo t2. La duracin de estos tiempos dependen de los valores de R1, R2 y C1, segn las frmulas siguientes: (en segundos) y (en segundos) La frecuencia con que la seal de salida oscila est dada por la frmula:

el perodo es simplemente: Tambin decir que si lo que queremos es un generador con frecuencia variable, debemos variar la capacidad de condensador, ya que si el cambio lo hacemos

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mediante las resistencias R1 y/o R2, tambin cambia el ciclo de trabajo o ancho de pulso (D) de la seal de salida segn la siguiente expresin:

Hay que recordar que el perodo es el tiempo que dura la seal hasta que sta se vuelve a repetir (Tb - Ta). Si se requiere una seal cuadrada donde el ciclo de trabajo D sea del 50%, es decir que el tiempo t1 sea igual al tiempo t2, es necesario aadir un diodo en paralelo con R1 segn se muestra en la figura. Ya que, segn las frmulas, para hacer t1 = t2 sera necesario que R1 fuera cero, lo cual en la prctica no funcionara. Multivibrador monoestable Esquema de la aplicacin de multivibrador monoestable del 555. En este caso el circuito entrega a su salida un solo pulso de un ancho establecido por el diseador. El esquema de conexin es el que se muestra. La frmula para calcular el tiempo de duracin (tiempo en el que la salida est en nivel alto) es: (en segundos). (en segundos). Ntese que es necesario que la seal de disparo, en la terminal #2 del 555, sea de nivel bajo y de muy corta duracin para iniciar la seal de salida.

DISEO:

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T = 1.1 RC R: Variable segn la precisin que se quiera

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MATERIALES: 1 Resistor de 1K, 0.5W. 02 Resistores de 10K, 0.5W. 01 Resistor de 150K, 0.5W. 01 Condensador cermico 0.1F, 50 V. 01 Condensador Electroltico de 100F, 16 V. 01 Diodo 1N4148. 01 Foto resistor. 01 Timer NE555. 01 Transistor 2N222. Protoboard. 01 Rel SPDT de 12V, 5. LEDs. 01 Fuente de 12 Vdc. Cables. Multmetro.

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PROCEDIMIENTO: Primero ensamblamos nuestro diseo del circuito que vamos a implementar. Revisamos que todos los dispositivos y dems materiales se encuentren en buen estado utilizando los instrumentos de medicin. Luego de haber revisado todos nuestros materiales comenzamos armando nuestro temporizador compuesto por el timer monoestable, ya que el pulso va a ser dado por como cambie la resistencia del foto resistor (iluminado o a oscuras). Luego utilizando el rel procedemos a armar la secuencia que comienza por el transistor el cual funciona como un interruptor que activa el rel. Una vez armado nuestro circuito revisamos que todas las conexiones se encuentren correctamente puestas antes de encender nuestra fuente DC. Al encender nuestra fuente nos damos cuenta de que el circuito no sufre ningn cambio hasta que ponemos a oscuras el foto resistor, el cual hace que se active el transistor y a su vez el rel, el cual activa el parlante.

CONCLUSIONES: Hemos utilizado nuestros conocimientos en Fsica II para realizar las diferentes mediciones de nuestros materiales, as como tambin el uso del multmetro y la regulacin de los voltajes El tiempo que demora en activarse nuestra alarma depende de la resistencia R que se utilice en nuestro diseo ya que a mayor resistencia este aparato demorar mas en encender y podramos decir que sera ms preciso, ya que si pusiramos una resistencia muy baja, nuestra alarma se encendera con cualquier pequea seal de oscuridad lo cual no sera lo adecuado.

BIBLIOGRAFA: [1] Introduccin a la Ingeniera Electrnica y Mecatrnica, UTP [2] Diseo Electrnico, C-J Savant [3] http://www. Wikipedia.com [4] http://www.datasheetcatalog.net [5] http://www.unicrom.com

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