Universidad Latina

Prof.: Juan Carlos Portuguez

Laboratorio de Electrnica 1


Experimento 5: El transistor FET
Objetivos

1. Visualizar las caractersticas de los transistores de efecto de campo FET y comparar un
amplificador que use este transistor con su equivalente bipolar.
2. Medir y graficar las curvas caractersticas de drenador para un transistor FET.
3. Medir V
GS(OFF)
e I
DSS
para un JFET.
4. Construir una fuente de corriente JFET para mantener constante la iluminacin en un LED.

Equipos

Osciloscopio
Fuente de Poder Variable
Multmetro Digital
Protoboard

Dispositivos

Resistencias: 100O (1), 10kO (1).
LED (1).
Transistor 2N5951 canal n JFET (1).

Fundamento Terico

El transistor BJT utiliza la corriente de base para controlar la corriente de colector. En tanto
que el transistor FET es un dispositivo controlado por voltaje que usa un campo electrosttico
para controlar la corriente que fluye. El FET comienza con una capa dopada de silicio llamada
canal. En uno de los extremos del canal existe un terminal llamado fuente (Source) y en el otro
extremo del canal un terminal llamado drenaje (Drain). La corriente que fluye a travs del
canal es controlada por el voltaje aplicado a un tercer terminal llamado puerta (Gate). Los FET
estn clasificados como dispositivo de puerta de juntura (JFET) o dispositivo de puerta aislada
(MOSFET). En el caso de los JFET la puerta es de un material opuesto al del canal formando un
diodo PN entre ellos dos. La aplicacin de una polarizacin inversa en esa juntura baja la
conductividad del canal, reduciendo la corriente de fuente (Source) a drenaje (Drain). El diodo
de la puerta (Gate), nunca esta polarizado en forma directa y por lo tanto nunca fluye corriente
a travs de l. Los JFET estn diseados en dos formas Canal N y Canal P. El canal N se
distingue entre los grficos por una flecha entrando en el punto de conexin de la puerta
(Gate) mientras que el canal P tiene una flecha saliendo como se muestra en la figura 1.







a. Canal N JFET b. Canal P JFET
Figura 1

La curva caracterstica del drenaje (Drain) para un JFET muestra grandes diferencias respecto
con el BJT. En adicin a que el JFET es un dispositivo controlado por voltaje, el JFET es
normalmente activo. En otras palabras un voltaje inverso debe ser aplicado a la junta PN
puerta (Gate) a fuente (Source) para cerrar el canal. Cuando la puerta (Gate) es corto-
circuitada a la fuente (Source) se obtiene la mxima corriente de drenaje (Drain) a fuente
(Source). Cuando la puerta es corto-circuitada a la fuente se obtiene la mxima corriente de
Drain a la fuente disponible. Esta corriente es llamada I
DSS
para Drain y fuente cortocircuitada
(Drain Source current with Gate Shorted) El JFET posee una regin en su curva caracterstica
donde la corriente de Drain es proporcional al voltaje de Drain fuente, dicha regin es llamada
la regin Ohmmica. Para dicha regin se obtiene un parmetro denominado
transconductancia, el cual es utilizado para obtener la ganancia. La transconductancia puede
ser encontrada dividiendo un pequeo cambio en la corriente de salida por un pequeo
cambio en el voltaje de entrada, para lo cual tenemos:

GS
D
m
V
I
g
A
A
=
1. El estudiante debe conocer los aspectos bsicos de los siguientes temas

- Modelo del transistor FET
- Curvas caractersticas del transistor FET
- Aplicaciones del transistor FET

2. El estudiante debe revisar las especificaciones tcnicas del transistor 2N5951.

Procedimiento

1. Construya el circuito mostrado en la figura 2. Verifique que la fuente este apagada, conecte
al circuito y comience con V
GG
y V
DD
a cero voltios. Conecte un voltmetro entre el Drain y
Source del transistor. Mantenga V
GG
a cero voltios y lentamente incremente V
DD
hasta que
V
DS
sea 1.0V (V
DS
es el voltaje entre el Drain y Source del transistor).

Figura 2

2. Con V
DS
en 1.0V mida el voltaje a travs de R
2
. Note que la corriente mxima en R
2
es la
corriente de Drain, ingrese dicho dato en la tabla 1.

3. Sin modificar V
GG,
incremente lentamente V
DD
de manera que V
DS
sea 2.0V. Entonces tome
los datos necesarios para completar la tabla 1. Calcule I
D
aplicando la ley de Ohm y
complete la tabla.

4. Repita el paso anterior para cada uno de los valores mostrados en la tabla 1.

5. Ajuste V
GG
a -0.5V. Aplique este voltaje entre la puerta y Source ya que casi no hay
corriente en la puerta dentro del JFET y casi no hay voltaje a travs de R
1.
Ajuste V
DD
de
manera que V
DS
sea 1.0V. Mida V
R2
y calcule I
D.
Complete la tabla 1.

6. Sin modificar el valor de V
GG
ajuste V
DD
de manera que V
DS
alcance cada uno de los valores
relacionados en la tabla 1. Calcule la I
D
para cada uno de los valores.

7. Siguiendo este procedimiento llene la tabla de datos para V
GG
igual a -1.0V y 1.5V y
repita el paso anterior.

8. Utilizando los datos obtenidos en la tabla 1, grafique las tres curvas caractersticas de Drain
(V
DS
vs I
D
) usando los valores de la V
G
.

Tabla 1

V
DS
(medido)
Voltaje de Puerta =
0V
Voltaje de Puerta =
-0.5V
Voltaje de Puerta =
-1.0V
Voltaje de Puerta =
-1.5V
V
R2
(Medido)
I
D
(Calculado)
V
R2
(Medido)
I
D
(Calculado)
V
R2
(Medido)
I
D
(Calculado)
V
R2
(Medido)
I
D
(Calculado)
1.0V
2.0V
3.0V
4.0V
6.0V
8.0V

9. Determine VGS(OFF) e IDSS para el circuito de la figura 2 . Use VDD=12V.Lleve V
GG
hasta
que VR
2
=0 y entonces mida el VGS (OFF). Conecte el ampermetro entre Gate y Source y
mida la corriente I
DSS
en R
2
. Tome los datos y escrbalos en la tabla 2.

Tabla 2
Parmetros medidos JFET

V
GS(OFF) =
I
DSS =


10. Construya el circuito mostrado en la figura 3, Observe el voltaje de Drain mientras va
incrementando el voltaje V
DD
de 0V a 15V. Note que el voltaje de Drain comienza donde la
corriente es constante. Compare el valor de la mxima corriente obtenida en el paso 3 con
la lectura del ampermetro. Explique.

Figura 3