Informe 6 Dispo

ESCUELA POLITECNICA NACIONAL FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA
1
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
INFORME PRCTICA No.6

Tema: Polarizacin de transistores bipolares de juntura (TBJ)

Objetivo: Analizar e implementar los principales circuitos de polarizacin para
Transistores bipolares de juntura.

Marco terico
El Transistor Bipolar de Juntura TBJ

El Transistor Bipolar de Juntura, abreviado como TBJ, es un dispositivo electrnico
semiconductor, construido a partir de 3 regiones dopadas y 2 junturas PN. Este
dispositivo consta de 3 terminales: Emisor (E), Base (B) y Colector (C). La
caracterstica principal de este dispositivo es que tiene la propiedad de controlar una
corriente en la puerta de salida mediante una corriente en la puerta de entrada.
Los TBJ poseen dos zonas semiconductoras, que pueden ser de tipo P N, y entre
ambas una zona muy delgada que puede ser del tipo P N respectivamente.

ste conjunto formar dos uniones PN: entre el emisor y la base, y una entre la base y
el colector. Si las dos zonas exteriores son del tipo N y la interior tipo P, el transistor
ser del tipo NPN. Si las dos zonas exteriores son del tipo P y la interior es del tipo N, el
transistor ser del tipo PNP.
Figura 1: Transistor tipo NPN Figura 2: Transistor tipo PNP
El estudio y anlisis de los transistores se realiza mediante el empleo de las "curvas
caractersticas" del mismo, con las cuales se puede caracterizar completamente el
comportamiento o funcionamiento elctrico del transistor, siendo sta expresada en
relaciones grficas de las corrientes I
B
, I
C
e I
E
, en funcin de las tensiones externas y
para las distintas configuraciones: Emisor Comn (EC), Base Comn (BC) y Colector
Comn (CC).

Figura 3: Configuraciones del Transistor Bipolar de Juntura

Equipo utilizado


2
1 fuente DC
1 protoboard
1 multimetro
Resistencias de: 100k, 2.2k, 1.5k, 1.2k, 10k, 3.3k,
3 transistores 2N3904 / 2N3096
Cables para el protoboard

Procedimiento

1) Se arm los circuitos de la figura 4, 5 y 6 en el protoboard .Con transistor
2N3904 y 2N3906

Figura 4 Figura 5

Figura 6

2) Se tomo las medidas de voltajes y corrientes de polarizacin necesarias para
realizar el clculo de errores.
Cuestionario

3
1. Presentar en un cuadro todos los valores medidos en la prctica,
comprelos con los valores tericos y calcule los respectivos errores,
justifique los mismos.

2n3904
Polarizacin estabilizada por emisor

VB VE VC VBE VBC VCE
Valor
Terico
5.41V 4.68V 4.83V 0.73V 0.58V 0.2V
Valor
Experimental
5.54V 4.88V 5.1V 0.64 0.56V 0.11
%Error 2.4% 4.27% 5.59% 12.32% 3.45% 45%

I
B
I
E
I
C
Valor
Terico
49.65 A 4.625 mA 4.625 mA
Valor
Experimental
90.1 A 4.88 mA 4.36 mA
%Error 81.4% 5.5% 5.7%

Polarizacin dos Fuentes DC

Valor
Terico
5.79V 5.09V 8.7V 0.7V 2.91V 3.61V
Valor
Experimental
7.02V 6.36V 6.93V 0.68V 0.12V 0.53V
%Error 21.24% 24.9% 20.3% 2.86% 95.8% 85.3%

I
B
I
E
I
C
Valor
Terico
42.04A 4.24mA 4.2 mA
Valor
Experimental
26.9 A 5.31 mA 5.16 mA
%Error 36% 25.2% 22.85%

Polarizacin divisor voltaje

Valor
Terico
2.66 V 1.96 V 8.59 0.7 V 5.93 6.63
Valor
Experimental
2.79 V 2.17 V 8.01 V 0.69 V 5.24 V 5.91 V
%Error 4.88% 10.71% 6.75% 1.43% 11.64% 10.86%

I
B
I
E
I
C
Valor 19.45 A 1.96 mA 1.94 mA

4
Terico
Valor
Experimental
21.48 A 2.17 mA 2.4 mA
%Error 10.4 % 10.71% 23.7%

2n3906
Polarizacin estabilizada por emisor

Valor
Terico
-5.41V -4.68V -4.83V -0.73V -0.58V -0.2V
Valor
Experimental
-5.42V -4.72V -4.85V -0.67 -0.67V -0.08
%Error 0.18 % 0.85% 0.41% 8.21% 15.5% 60%

I
B
I
E
I
C
Valor
Terico
-49.65 A -4.625 mA -4.625 mA
Valor
Experimental
-90.3 A -4.92 mA -8.01 mA
%Error 81.8 % 6.37% 42.2%

Polarizacin dos Fuentes DC

Valor
Terico
-5.79V -5.09V -8.7V -0.7V -2.91V -3.61V
Valor
Experimental
-6.97V -6.32V -6.98V -0.69V -0.45V -0.65V
%Error 20.37% 24.1% 19.7% 1.43% 84.5% 81%

I
B
I
E
I
C
Valor
Terico
-42.04A -4.24mA -4.2 mA
Valor
Experimental
-27.5 A -5.27 mA -5.12 mA
%Error 34.5% 24.2% 21.9%

Polarizacin divisor voltaje


5
Valor
Terico
-2.66 V -1.96 V -8.59 -0.7 V -5.93 -6.63
Valor
Experimental
-3.29 V -2.24 V -8.4 V -0.69 V -7.51 V -8.14 V
%Error 23.68% 14.28% 2.21% 1.43% 26.6% 22.7%

I
B
I
E
I
C
Valor
Terico
-19.45 A -1.96 mA -1.94 mA
Valor
Experimental
-22.47 A -2.27 mA -2.36 mA
%Error 15.5% 15.8% 21.6%

Anlisis de errores
Los errores calculados al trabajar con un transistor de 2N3904 y 2N3906 son
significativos dando errores mayores del 30%, los errores van desde 0.18 % hasta el
95%.

En el circuito de la figura 4 podemos decir que el transistor se encuentra saturado por lo
cual tenemos una corriente de emisor mxima y un voltaje V
CE
casi nulo.

En general para los tres circuitos se puede observar que los errores presentan un
porcentaje alto, esto es debido a que el anlisis terico se lo realiz con =100, ya que
en el mbito real este valor vara de acuerdo a su fabricacin, dependiendo de la
temperatura en la que se trabaja. De igual forma los errores son presentes por causas
del observador, equivocacin y confusin en la toma de los valores. Los errores ms
notables se encuentran en los voltajes entre salidas del transistor.

2. Indicar las diferentes configuraciones de polarizacin de TBJs. Por cada
una presente un esquemtico, ecuaciones de recta de carga, y sealar las
ventajas y desventajas de cada una.

Polarizacin del BJT.

Modos de polarizar un transistor bipolar.

o Polarizacin fija o de base
o Polarizacin por retroalimentacin del emisor.
o Polarizacin por retroalimentacin del colector.
o Polarizacin por divisor de tensin.

Se analizaran cada una de las tcnicas de polarizacin antes mencionadas con la
intencin de que se utilice la ms adecuada para alguna aplicacin en particular, las
cuales puedan ser, el transistor como interruptor, transistor como fuente de corriente,
estabilidad del punto de operacin en un amplificador, etc.

CIRCUITOS DE POLARI ZACI ON. RECTA DE CARGA


6
Punto de trabajo o de reposo (Q) de un transistor es el punto de la recta de carga que
determina el valor de la tensin de colector emisor y de las corrientes de colector y
base.

Consiste en situar el punto de trabajo en la regin caracterstica donde responde con
mayor linealidad, de manera que cualquier cambio en la entrada tenga una respuesta
proporcional a la salida. Se sita en un determinado lugar en la recta de carga.
El comportamiento del transistor puede verse afectado por la temperatura (modifica la
corriente inversa en la unin pn polarizada inversamente). El valor de no se mantiene
constante, pues puede no coincidir entre transistores del mismo tipo, adems de
modificarse segn el punto de trabajo (margen dado por los fabricantes).

Los circuitos de polarizacin insensibilizan al transistor frente a variaciones de .
La polarizacin con doble fuente no se suele utilizar por ser caro y complicado de
utilizar.

Como el transistor es considerado una fuente de corriente dependiente de la corriente de
base, podemos deducir que la malla de base es la que polariza al transistor para obtener
ciertas caractersticas de corriente y voltaje en la malla de salida, que es donde se
obtiene la amplificacin.

POLARI ZACI N FI J A.

Anlisis en la malla de base:
CC B B BE
V R i v = +

CC BE
B
B
V v
i
R
=
Recta de polarizacin.

Esta ecuacin representa una recta que en
interseccin nos proporciona la corriente de base y la
tensin base-emisor de operacin.

Como la variable a controlar es la corriente de colector y esta a su vez depende de la corriente de
base

7
CC BE
c
B
V v
i
R
|

=

De esta ecuacin puede notarse que la corriente de colector variara para el mismo diseo debido
a la gran variacin de
|
para un transistor, an tratndose del mismo tipo.

Anlisis en la malla de colector:
CC C C CE
V R i v = +

CC CE
C
C
V v
i
R
=

A esta ecuacin se le conoce como recta de carga en C.D. y sobre la que se encuentra el punto
de operacin.

0
C
CE CC
i
Corte
v V
=

Con dos puntos conocidos dicha recta puede
trazarse, estos puntos son:

El punto de operacin depende de los
parmetros que intervienen en la malla de
base.

Ventajas Desventajas
- Fcil de construir
- Pocos componentes
- Polarizacin utilizada como interruptor
- Resistencia de colector dependiente de
- Polarizacin sensible a cambios de

POLARI ZACI N POR RETROALI MENTACION DEL EMI SOR.

0
CE
CC
C
C
v
Saturacin V
i
R
=

8
Este tipo de polarizacin proporciona mayor estabilidad del punto de operacin que la
polarizacin fija. El efecto de la retroalimentacin radica en el hecho de que si por alguna razn
(incremento en | por ejemplo)
C
I incrementa, entonces el voltaje en
E
R aumenta, lo que a su
vez produce decremento en la tensin de
B
R . Si el voltaje de
B
R disminuye entonces
B
I
disminuye lo cual obliga a que
C
I se decremento. Se concluye que el incremento original de
C
I
queda parcialmente balanceado.

El razonamiento anterior parece bueno, pero como se demostrar en los anlisis respectivos, el
circuito no trabaja adecuadamente para valores prcticos de resistencia.

Anlisis de malla de colector:

CC CE
C
C E
V v
i
R R
=
+
Ecuacin de la
recta de carga.

0
0
C
CE CC
CE
CC
C
C E
Corte
v V
v
Saturacin V
i
R R
=

1
CC B B BE E E
E
B
V R i v R i
i
i
|
= + +
=
+

1
B
CC E E BE
R
V i R v
|
| |
= + +
|
+
\ .

1
CC BE
E
B
E
V v
i
R
R
|
=
+
+

E C
i i ~ Adems >>1

CC BE
C
B
E
V v
i
R
R
|
=
+
( )
CC C C CE E E
E C
CC C C E CE
V R i v R i
i i
V i R R v
= + +
~
~ + +

9

C
i Depende una vez mas de | .
Para que
C
i sea casi independiente de | :

para que
CC BE
C
E
V v
i
R
~

Si esta desigualdad se cumple entonces el transistor se satura pues
CC BE CC
Csat
E C E
V v V
I
R R R
| |
> =
|
+
\ .

Por ejemplo si
B
R tuviera igual a
C
R | entonces
CC BE
C
C E
V v
I
R R
=
+

El valor de
C
i se aproxima al valor de la
C
I de saturacin, por lo que puede concluirse
lo siguiente:

Si
B
R se hace un poco menor que
C
R | , entonces el transistor se satura.
- Impedancia de entrada media
- Realimentacin negativa
- Ms complejo de calcular
- Mayor nmero de componentes

POLARI ZACI ON POR RETROALI MENTACION DEL COLECTOR.

B
R
C
R

Este circuito trabaja de la siguiente manera:

Si | aumenta, entonces aumenta, provocando que
CE
v disminuya, esto a su vez
produce un decremento en la tensin de
B
R .

C
i

10
Como el voltaje de
B
R disminuye, la corriente de base se hace ms pequea que le calor
inicial, esto compensa el incremento en la corriente de colector.

Una propiedad interesante de este tipo de polarizacin es que el transistor nunca se
satura aun cuando
B
R sea igual a cero. A medida que
B
R va disminuyendo el punto de
operacin Q se desplaza hacia saturacin, pero sin llegar a ella, ya que
CE
v nunca puede
ser menor a 0.7V. La base y el colector es un mismo punto cuando y el
transistor funciona en este caso como un diodo.


CC E E B B BE
V R i R i v = + +
1
B
CC E C BE
R
V i R v
|
| |
= + +
|
+
\ .

1
CC BE
E
B
C
V v
i
R
R
|
=
+
+

Como
E C
i i ~ y 1 |
CC BE
C
B
C
V v
i
R
R
|
~
+

CC C E CE
V R i v = +

CC CE
E
C
V v
i
R
=

CC CE
C
C
V v
i
R
~ Recta de carga

Puede notarse que
CC
Csat
C
V
I
R
=

y que cuando 0
B
R =
max
CC BE
C
C
V v
I
R
=
como
max C Csat
I I <
en transistor nunca se satura.

0
B
R =

11
- Buena impedancia de entrada
- Realimentacin negativa
- No destaca

POLARIZACION POR DIVISION DE TENSION.

Este tipo de polarizacin es la ms ampliamente utilizada en circuitos lineales, por este
motivo algunas veces se le conoce como polarizacin universal.

Las resistencias
1
R
y
2
R
forman un divisor de tensin del voltaje
CC
V
La funcin de
esta red es facilitar la polarizacin necesaria para que la unin base-emisor este en la
regin apropiada.

Este tipo de polarizacin es mejor que las anteriores, pues proporciona mayor
estabilidad del punto de operacin con respecto de cambios en
|
.

En la terminal de base existen dos mallas por lo que se empleara el teorema de Thvenin para
simplificar a una sola malla, como se ve en la siguiente figura:

12

donde

y
1
1 2
BB CC
R
V V
R R
=
+

Al aplicar LVK en la malla de base:
BB B B BE E E
V R i v R i = + +

1
E
B
i
i
|
=
+

1
B
BB E E BE
R
V i R v
|
| |
= + +
|
+
\ .

1
BB BE
E
B
E
V v
i
R
R
|
=
+
+

Como
C E
i i ~
y >>1 entonces:
BB BE
C
B
E
V v
i
R
R
|
=
+

A temperatura ambiente
C
i
depende nicamente de
|
. Si queremos que
C
i
sea casi
independiente de
|
es necesario que

para que
BB BE
C
E
V v
i
R
~

por ejemplo si
(100)
B
E
R
R
|
=
o lo que es lo mismo
1
100
B E
R R | =
resulta que

(1.01)
BB BE
C
E
V v
i
R
=

lo cual se aproxima a la corriente deseada
BB BE
C
E
V v
i
R
=

13

El precio que se paga por tener esta estabilidad es tener valores de
B
R
demasiado bajos ya que
1
100
B E
R R | =
. Valores bajos de
B
R
son inconvenientes cuando el circuito de polarizacin forma
parte de mi amplificador como se ver ms adelante.

Por el momento bastara con que
1
10
B E
R R | =
haciendo con esto que la corriente de colector sea
(1.1)
BB BE
C
E
V v
i
R
=

Esto asegura que el transistor queda bien polarizado, con una corriente de emisor constante y
que el punto de operacin no cambiara de manera significativa si se sustituye el transistor por
otro con una
|
distinta.

LVK

CC C C CE E E
V R i v R i = + + -

como
C E
i i ~
y >>1

CC CE
C
C E
V v
i
R R
=
+

La corriente de colector en saturacin es
CC
Csat
C E
V
I
R R
=
+
y puede notarse que si
0
B
R =
entonces
BB BE
C
E
V v
I
R
=

14

este valor de corriente nunca satura al transistor.

Conclusiones

Los diferentes circuitos de polarizacin permiten que el transistor se encuentre trabajando
en una zona especfica de su curva caracterstica. Dependiendo de la aplicacin que se
quiera dar al transistor, la zona lineal o activa es empleada en aplicaciones de
amplificacin, y la regin de saturacin y de corte es la ms utilizada porque en corte y
saturacin se puede utilizar para tecnologa digital.

Para analizar tericamente a un transistor se debe conocer en qu regin se encuentra, en
el circuito de la figura 4 se observ que la corriente del colector ya no es el factor beta
por la corriente de base porque el circuito se encontraba en la regin de saturacin.

La juntura base-emisor al ser polarizada directamente se comporta como un diodo en su
primera aproximacin, ya que el voltaje en los terminales de esta juntura bordea los 0.7
[V], que constituye la aproximacin al voltaje umbral en un diodo de silicio
convencional.

Conocimos las distintas formas que hay para polarizar un transistor
correctamente as como las diferentes partes que conforman los transistores como son:
base emisor y colector.

Aprendimos el funcionamiento de los transistores 2N3904 y 2N3906, as como su
correcto empleo en los circuitos propuestos.

Apreciamos que al utilizar un transistor 2N3906 nos daban voltajes similares a los
obtenidos con el transistor 2N3904 pero con signo diferente.

Al trabajar con dos tipos de transistores podemos darnos cuenta que al transistor NPN se le
debe aplicar un voltaje positivo en su base y al PNP un voltaje negativo, siendo esto necesario
para que opere el transistor. Esto se debe a la polaridad de sus electrodos

La polarizacin se realiza por diferentes mtodos, pero de la prctica realizada podemos
concluir que el mejor tipo de polarizacin, el que mejor asegura la estabilizacin es el de
divisor de voltaje.

La polarizacin con dos fuentes de voltaje DC, es la menos estable ya que con
variaciones de los parmetros de el error se incrementa sobrepasando los porcentajes
aceptables de errores.

Aplicaciones

15

Los transistores se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc.
Para comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. Tambin
se pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de
Proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando
interruptores pticos (opto-switch), que detectan la interrupcin del haz de luz por un objeto.

Existen en dos versiones: de transmisin y de reflexin. Teniendo las mismas caractersticas de
un transistor normal, es posible regular su corriente de colector por medio de la corriente de base.
Y tambin, dentro de sus caractersticas de elemento optoelectrnico, el fototransistor conduce
ms o menos corriente de colector cuando incide ms o menos luz sobre sus junturas. Los dos
modos de regulacin de la corriente de colector se pueden utilizar en forma simultnea. Si bien
es comn que la conexin de base de los fototransistores no se utilice, e incluso que no se la
conecte o ni siquiera venga de fbrica, a veces se aplica a ella una corriente que estabiliza el
funcionamiento del transistor dentro de cierta gama deseada, o lo hace un poco ms sensible
cuando se debe detectar una luz muy dbil. Esta corriente de estabilizacin (llamada bias, en
ingls) cumple con las mismas reglas de cualquier transistor, es decir, tendr una relacin de
amplificacin determinada por la ganancia tpica de corriente, o hfe. A esta corriente prefijada se
le suman las variaciones producidas por los cambios en la luz que incide sobre el fototransistor.
Los fototransistores, al igual que los fotodiodos, tienen un tiempo de respuesta muy corto, es
decir que pueden responder a variaciones muy rpidas en la luz. Debido a que existe un factor de
amplificacin de por medio, el fototransistor entrega variaciones mucho mayores de corriente
elctrica en respuesta a las variaciones en la intensidad de la luz

Bibliografa

o http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/el%20transistor.pdf
o http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
o http://www.google.com.ec/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=8&ved=0CEo
QFjAH&url=http%3A%2F%2Finiciativapopular.udg.mx%2Fmuralmta%2Fmrojas%2Fc
ursos%2Felect%2Fapuntesdefinitivos%2FUNIDAD1%2Fpolarizacion%2520BJT.doc&ei
=bP-
JUKqdBJHo8wSypYCwDQ&usg=AFQjCNHsPFwEVIrDd2W220NXhtiPw1UkUg&sig
2=A8XlD69AxA5wdBM2hfEpsA
o http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pagina_tbj/pag_tbj.htm
o Ing. Carlos Novillo, Dispositivos Electrnicos, Ecuador ,2005, capitulo 3

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