Captulo 4: El proceso de ruptura de gases.

4.1 Caractersticas esenciales del fenmeno. En un sentido general, la ruptura elctrica es el proceso de transformacin de un material no conductor en conductor, mediante la aplicacin de un campo elctrico lo suficientemente intenso. Esto ocurre en un tiempo que vara entre 10-9 y varios segundos, pero el rango usual es 10-8-10-4 s. La ionizacin puede alcanzar valores apreciables (de acuerdo con las condiciones del experimento), por lo que normalmente la ruptura va acompaada de un flash de luz visible. Si el campo elctrico es aplicado por un cierto tiempo, el breakown da inicio a una descarga que dura el tiempo que hay E. El elemento primario del proceso de ruptura es la avalancha electrnica, que se desarrolla en un gas bajo la aplicacin de un campo intenso. La avalancha comienza cuando algunos electrones "semilla" (inyectados artificialmente o producidos por rayos csmicos o radiacin UV) ganan suficiente energa del campo para ionizar. El proceso de multiplicacin electrnica es geomtrico. La ruptura es un proceso de umbral. Esto significa que la ruptura se establece slo si el campo excede un valor caracterstico que depende de las condiciones del gas, debido a la fuerte dependencia de la tasa de ionizacin atmica por impacto electrnico con la intensidad del campo, y adems por el hecho de que la multiplicacin electrnica va acompaada por mecanismos que obstaculizan el desarrollo de la avalancha. Estos mecanismos pueden ser prdidas de energa de los electrones (colisiones elsticas, excitacin de tomos y molculas) o prdidas de electrones (difusin, attachment). El destino de una avalancha es decidido en sus primeras etapas, cuando el nmero de electrones e iones es tan pequeo que sus encuentros tienen baja probabilidad. A estas bajas densidades, los mecanismos de remocin dominantes son los lineales con ne (difusin a las paredes, attachment), mientras que la recombinacin (proporcional a ne2) no es efectiva. En cambio, si el proceso se desarrolla, la recombinacin se hace ms intensa y termina por poner un lmite a la ionizacin alcanzada. El umbral de ruptura est determinado por la relacin entre creacin y remocin de electrones slo si E es mantenido por un tiempo suficiente. Si se aplica un pulso muy corto, el campo debe ser lo suficientemente intenso como para que un cierto nmero de electrones puedan "nacer" durante el pulso, incluso si no hubiera prdidas. Este es el caso del llamado breakdown ptico, producido por la focalizacin de pulsos lser muy intensos durante tiempos del orden de la decena de ns. El flash visible aparece slo cuando se han creado 1013 electrones en la regin focal. 4.2 Ruptura de descargas autosostenidas en un campo constante. 4.2.1 Corriente no autosostenida en un gap de descarga. Considrese lo que sucede en un gap plano si el voltaje V entre los electrodos se eleva gradualmente (el campo E = V/d se supone homogneo, siendo d la separacin entre electrodos). Los electrones aparecen ocasionalmente, y el campo los transporta hacia el nodo. A medida que E sube, la fraccin de electrones perdidos por

difusin o attachment disminuye, por lo que al incrementarse V sube la corriente i (ver Fig. 4.1).

Figura 4.1 Sin embargo, este proceso alcanza saturacin (isat) cuando todas las prdidas de electrones han sido prcticamente suprimidas, y la corriente cesa de depender de V. El valor de isat est determinado por la velocidad de generacin de carga en el gap (rayos csmicos, UV o alguna fuente artificial). A voltajes un poco mayores, comienza la ionizacin por impacto electrnico, con lo que la corriente debida a las fuentes externas comienza a amplificarse. Supongamos, por ejemplo, que el ctodo es irradiado con radiacin UV, generndose una fotocorriente io en el ctodo (supondremos que no hay mecanismos de remocin). Al llegar al nodo, i = io exp(d), donde es el coeficiente de ionizacin de Towsend. En estado estacionario, la corriente en el ctodo tambin ser i (la suma de io ms la corriente inica io [exp(d) - 1]). Si contina subiendo V, aparecen procesos secundarios, es decir la creacin de electrones por partculas que aparecieron por el proceso primario de ionizacin por impacto electrnico. Estos procesos secundarios afectan la amplificacin de forma importante si producen emisin electrnica del ctodo: esto es as pues un nuevo electrn nacido en el ctodo cubre todo el camino de ctodo a nodo, y es mucho ms efectivo para producir ionizacin que un electrn nacido, por ejemplo, a mitad de camino. Cada uno de los [exp(d) - 1] iones generados por cada electrn, emiten electrones del ctodo (donde es el coeficiente de emisin secundaria), y entonces esta emisin secundaria debe agregarse a la original . Por lo tanto, la parte electrnica en el ctodo ser: i1 = io + i1 [exp(d) - 1] , y la corriente en el nodo ser: i = i1 exp(d) = {io exp(d)}/{1 - [exp(d) - 1]} (4.1)

La (4.1) fue obtenida por Towsend en 1902 para explicar el proceso de ignicin de una descarga autosostenida. Esto ocurre cuando el denominador de (4.1) 0, para io 0. Experimentalmente, esto se logra elevando el voltaje entre electrodos. Si V > Vt (ver Fig. 4.1), es tal que [exp(d) - 1] > 1, el denominador de la ltima frmula es negativo, y la expresin no tiene sentido. Esto significa que la corriente no puede ser estacionaria a este voltaje. La condicin de transicin es: = 1, d = ln(1/ + 1) (4.2)

que representa una corriente estacionaria autosostenida en un campo homogneo Et = Vt/d, donde el voltaje de umbral Vt se determina de (4.2). Formalmente, para V = Vt, i = 0/0 0 para io = 0, lo que significa que la corriente fluye en ausencia de una fuente externa de electrones. Los procesos en el gap aseguran la reproduccin de los electrones removidos por el campo sin ayuda exterior: un electrn emitido por el ctodo produce [exp(d) - 1] iones, los que al chocar con el ctodo producen cada uno electrones, y en definitiva cada electrn primario es reemplazado por = 1 electrn secundario. La transicin de la descarga no autosostenida a autosostenida puede interpretarse como el onset del breakdown. Vt es el voltaje de breakdown, definido por (4.2) en trminos de d, y (E). 4.2.2 Tiempo de formacin del breakdown. Estrictamente, la condicin = 1 no asegura que la descarga sea autosostenida, porque si V = Vt slo se reproducen los electrones primitivos, es decir no se generan nuevos. Debe haber un cierto sobrevoltaje V = V - Vt > 0 para que > 1.As, si partimos de un electrn, habr despus del primer ciclo, 2 despus del segundo, y as siguiendo hasta que el crecimiento de la corriente sea frenado por recombinacin o por la resistencia hmica () del circuito externo. En este ltimo caso a medida que i crece, aumenta el voltaje i, y entonces decrece el voltaje entre los electrodos. Cuando V = Vt, i cesa de crecer y la descarga autosostenida se hace estacionaria. Este mecanismo de ruptura es conocido como breakdown Towsend, para distinguirlo del mecanismo de "sparking", que se estudiar ms adelante. Veamos ahora la ley de crecimiento si el sobrevoltaje es constante. Ntese que la mayora de los iones son creados cerca del nodo, en donde la multiplicacin resulta en el mximo nmero de electrones. Sea el tiempo requerido para llevar un in del nodo al ctodo. Entonces la emisin electrnica al tiempo t es causada por iones creados por electrones emitidos del ctodo al tiempo t - (estamos suponiendo que el tiempo de trnsito del electrn al nodo es despreciable). La corriente electrnica desde el ctodo ser: i1(t) io + i1(t - ) io + [i1(t) - di1/dt] e integrando con la condicin i1(0) = io, se obtiene: i(t) = i1(t) exp(d) = io exp(d) {(/ - 1) exp[( - 1/)t/] - 1/ - 1} (4.3)

es decir, la corriente crece exponencialmente con t, y ms rpido cuanto ms alto es el sobrevoltaje y - 1. En la prctica, basta un pequeo sobrevoltaje para que sea apreciablemente mayor que la unidad. Debe tenerse presente que el tiempo real para que el breakdown se desarrolle est compuesto de dos partes: el recin discutido, y el tiempo hasta que el primer electrn "semilla" aparezca (a menos que haya una fuente artificial muy intensa).

Otro punto importante a notar es que, debido a que este proceso se desarrolla por avalanchas, y la difusin transversal hace que la descarga tienda a distribuirse en forma difusa en todo el volumen del gap. 4.2.3 Potencial de ignicin. Es simplemente un nombre equivalente para Vt. Dado que Vt y Et dependen del gas, del material del ctodo, de p y de d, pueden obtenerse expresiones ms explcitas usando la (3.5). En este caso (4.2) se transforma en: Vt = B(pd) /[C + ln(pd)] ; Et/p = B /[C + ln(pd)] en donde C = ln[A/ln(1/ + 1)] Ntese la ley de similaridad: Vt y Et/p dependen slo de (pd). El clculo de Vt a travs de (4.4), usando valores experimentales para A y B, da un buen acuerdo con los experimentos. Las curvas Vt y Et/p vs. (pd) se llaman curvas de Pashen. (ver Fig.4.2a y 4.2b). (4.4)

Figura 4.2a

Figura 4.2b Las curvas presentan un mnimo: (pd)min = (2.72/A) ln(1/ + 1) , (Et/p)min = B , (Vt)min = (2.72B/A) ln(1/ + 1) (4.5) el valor de Et/p en el mnimo ocurre cuando la capacidad de ionizacin de los electrones /E = A/2.72B es mxima. Por ejemplo, en aire A = 15, B = 365. Para = 10-2, se obtiene C = 1.18, (pd)min = 0.83, (Et/p)min = 365 V/cmtorr, (Vt)min = 300 V. Para valores grandes de pd (rama derecha de la curva de Pashen), Et/p decrece lentamente (logartmicamente) con pd. Correspondientemente, Vt crece casi proporcionalmente con pd. Esto es debido a que a presiones altas (o gaps largos) un electrn puede producir numerosas colisiones ionizantes a E/p no tan altos. En este caso, depende fuertemente de E/p, y la condicin de amplificacin (4.2) fija el valor de E/p bastante rgidamente. En la rama izquierda de la curva, las posibilidades de colisin son muy limitadas, y para conseguir la amplificacin necesaria se requiere /p grande, es decir E grande. Aqu Vt crece muy rpidamente al disminuir pd. 4.2.4 Campos de ruptura en aire y otros gases electronegativos a pd grandes. Si el gap no es demasiado largo, el mecanismo de multiplicacin por avalancha es predominante a presin atmosfrica. En aire a temperatura ambiente y para gaps planos ocurre para d < 5 cm (pd < 4000 torrcm). A estos altos pd, se obtienen valores de Vt ms o menos definidos. En la Fig. 4.3a se da el campo de ruptura en aire como funcin de d, para p = 1 Atm.

Figura 4.3a Los valores obtenidos estn relacionados con la posibilidad de multiplicacin electrnica con attachment de electrones. El coeficiente de attachment a (anlogo a ) vara fuertemente con E/p, pero ms lentamente que . En la Fig. 4.3b se muestran las

frecuencias de ionizacin y attachment en aire como funciones de E/N. Las curvas se intersectan para E/p = 41 V/cmtorr.

Figura 4.3b Si se usa un coeficiente de ionizacin efectivo eff = - a , la ecuacin de avalancha es: dne/dx = eff ne (4.6)

A bajas presiones, >> a, y los efectos de la "electronegatividad" no se manifiestan. A continuacin se dan valores de campos de ruptura para varios gases a alta presin. Gas He Ne Ar H2 N2 O2 Aire CSF8 CCl4 SF6 CCl2F2 4.2.5 Ruptura en vaco. Si pd < 10-3 torrcm, un electrn cruza el gap sin colisiones, lo que no significa que un vacuum gap sea un aislante. Si el gap es delgado, el campo elctrico es grande, y puede causar emisin por campo (el E es amplificado en las proximidades de protrusiones microscpicas). En gaps anchos, el breakdown puede ocurrir incluso para Et/p (kV/cmAtm) 10 1.4 2.7 20 35 30 32 150 180 89 76 Et/p (V/cmtorr) 13 1.9 3.6 26 46 40 42 200 230 117 100

valores de E insuficientes para eyectar electrones del material. El proceso puede desarrollarse como sigue: un electrn espurio es acelerado en el campo, y eyecta un in del nodo (o emite un fotn de frenado). El in (o fotn) eyectan un electrn del ctodo, etc. Este proceso de multiplicacin ocurre sin gas residual. Tambin puede ocurrir que los electrones sean "sputereados" por las partculas aceleradas por el campo, y entonces la cmara se va llenando con vapor metlico.