10.

LASERE CU SEMICONDUCTORARE
10.1. Funcionarea diodelor laser
10.1.1. Dioda laser homojonciune Radiaia laser poate fi produs i n urma recombinrii electronilor i golurilor ntr-o jonciune semiconductoare p-n (diod laser) dac ctigul depete pierderile [10.1]. Diodele laser constituie unicul sistem laser n care emisia stimulat a radiaiei electromagnetice poate fi modulat n amplitudine direct, prin modularea energiei de pompaj. Astfel, prin modularea temporal a densitii de curent electric de injecie, se realizeaz modularea temporal simultan a intensitii radiante a undei laser, ceea ce permite transmiterea informaiei pe cale optic, cu ajutorul unui fascicul laser modulat pe baza unui procedeu care nu este foarte complicat. ntr-un cristal semiconductor, nivelurile energetice posibile ale electronilor n cristal sunt distribuite n banda de valen i n banda de conducie, benzi energetice separate printr-o band interzis de pn la 3 eV. Pentru creterea artificial a conductivitii electrice la temperatura camerei, semiconductorul poate fi dopat cu impuriti donoare de electroni, iar cristalul semiconductor are electronii ca purttori de sarcin majoritari, sau cu impuriti acceptoare de electroni, iar semiconductorul are golurile (absenele electronilor) ca purttori majoritari. Considerm cazul unui dopaj peste o anumit limit a concentraiei de impuriti, att donoare ct i acceptoare, astfel nct, att n banda de valen ct i n banda de conducie, electronii nu pot avea energii dect pn la anumite valori, denumite cvasiniveluri Fermi, WFC n banda de conducie i respectiv, WFV n banda de valen. Acesta este cazul unui aa-numit semiconductor extrinsec degenerat [10.1]-[10.7]. Cele mai importante caracteristici ale diodelor laser sunt determinate de dimensiunile foarte mici (civa m ) ale acestor dispozitive precum i de posibilitatea modulrii radiaiei prin varierea curentului. Pentru a descrie funcionarea unei diode laser homojonciune se consider jonciunea p-n avnd grosimea zonei active d prezentat n fig. 10. 1. n zona activ de lime d , numit i distana de confinare (de aproximativ 1 m) se produce un numr suficient de mare de electroni i respectiv goluri pentru ca dispozitivul s aib un ctig pozitiv. Dimensiunea zonei active este mai mic dect cea corespunztoare modului cmpului ( D > d ) . n cazul unei diode laser ctigul la prag se poate exprima n funcie de curentul prin diod. Valoarea de prag a curentului electric pentru inversia de populaie ntr-o diod laser rezult dintr-un sistem de dou ecuaii asociate, i respectiv: condiia de prag la un parcurs complet al radiaiei n cavitate i, relaia dintre amplificarea optic i densitatea curentului electric de pompaj. Conform condiiei de prag, intensitatea I 0 a radiaiei electromagnetice rezultate prin emisia stimulat trebuie s rmn neschimbat dup un parcurs complet al cavitii laser:

Lasere cu semiconductoare

211

I 0 R1R2 exp 2g p L exp{ 2 L[ a + (1 ) r ]} = I 0

(10.1)

unde R1 i R2 sunt reflectanele feelor polizate ale celor dou capete ale ghidului de und semiconductor, este factorul de restrngere spaial a undei electromagnetice n zona activ, g p reprezint amplificarea optic n unitatea de volum a zonei active (ctigul), la pragul de oscilaie laser, L este lungimea cavitii rezonante laser, a este coeficientul intern de pierderi optice n zona activ, iar r este coeficientul de pierderi optice n zonele de restrngere spaial a radiaiei.

Fig. 10. 1. Dioda laser homojonciune.

Ecuaia (10.1) poate fi rescris sub forma:

g p = a + (1 ) r +

Factorul de restrngere spaial optic are un rol determinant n proiectarea structurii oricrui laser cu mediu activ semiconductor. Acest parametru caracterizeaz suprapunerea spaial dintre unda de emisie stimulat ghidat optic i regiunea cu inversie de populaie, conform formulei:

1 1 ln . 2L R1R2

(10.2)

+d / 2 2 d / 2 E ( z ) dz + 2 E ( z ) dz

(10.3)

n care: d este lrgimea gropii cuantice (dimensiunea gropii pe direcia z de cretere a straturilor semiconductoare), iar E ( z ) este modulul intensitii cmpului electric al undei. Considernd c densitatea de goluri n regiunea activ este mare, deci densitatea de electroni pe nivelul fundamental este suficient de mic pentru ca absorbia unui foton s poat fi neglijat, ctigul poate fi scris sub forma:

212

OPTIC INTEGRAT

g ( )

unde N 2 reprezint densitatea de electroni injectai n regiunea activ din banda de conducie a semiconductorului de tip n , iar A este rata emisiei spontane corespunztoare recombinrii radiative. n centrul liniei laser, ctigul se poate exprima sub forma:

2 A N 2 S ( ) 8n2

(10.4)

g ( 0 )

2 AN 2 . 82 n20

(10.5)

n scrierea relaiei (10.4) s-a presupus c tranziia laser are un profil de tip Lorentz i lrgimea 0 . Ctigul la prag este dat de relaia:

gt =

1 ln R1 R2 2l

(10.6)

n care: l este lungimea mediului activ, R1 , R2 sunt reflectivitile oglinzilor, iar reprezint pierderile pe unitatea de lungime datorit altor efecte dect reflexiile pe oglinzile cavitii. Din condiia la prag g ( 0 ) = gt se obine valoarea la prag pentru densitatea de populaie de pe nivelul excitat sub forma:

0 (N 2 )t = 8 n 2 A

2 2

1 ln R1R2 . 2l

(10.7)

n general, la construcia diodelor laser nu se folosesc oglinzi pentru a obine efectul de reacie (feedback) ntruct indicele de refracie al materialului n este suficient de mare pentru a determina fenomenul de reflexie total la interfaa semiconductor-aer. innd seama de formulele lui Fresnel n cazul incidenei normale, se poate calcula coeficientul de reflexie sub forma:

(n 1)2 . R (n + 1)2

(10.8)

Aproximnd indicele de refracie al aerului cu unitatea i innd seama c n cazul GaAs n 3,6 din relaia (10.12) se obine pentru coeficientul de reflexie al
2

oglinzilor valoarea R (2,6 / 4,6 ) 0,32 . Poliznd dou fee opuse ale diodei i lsndu-le pe celelalte dou rugoase (astfel nct reflectivitile acestora s fie mici) oscilaia laser este favorizat de-a lungul axei care unete feele polizate (fig. 10. 2). Densitatea de populaie a nivelului excitat se poate exprima cu ajutorul densitii de curent prin diod J . innd seama c pe unitatea de volum rata cu care electronii sunt injectai n regiunea activ este J / ed i c acetia sunt absorbii datorit proceselor radiative i neradiative cu rata total Re , n stare staionar se poate scrie J / ed = Re / N 2 sau J = edRe / N 2 . Condiia de prag (10.10) poate fi scris cu ajutorul densitii de curent la prag sub forma:

Lasere cu semiconductoare

213

Jt =

82 n20 1 (ed ) Re ln R1R2 . 2 A 2l

(10.9)

Fig. 10. 2. Reprezentare schematic a structurii mediului activ al diodei laser cu dubl heterostructur de tip GaAlInP/GaInP/GaAlInP; cavitatea rezonant laser este format din feele cristalului semiconductor perpendiculare pe planul jonciunii.

Relaia (10.13) nu ine seama de faptul c volumul modului este mai mare dect volumul regiunii active de lime d . Cu ct densitatea purttorilor de sarcin n regiunea activ este mai mare cu att indicele de refracie este mai mare obinndu-se o mai bun confinare a radiaiei n regiunea activ. Acest efect de ghidare a radiaiei este destul de slab i deci radiaia are un volum corespunztor unui mod a crui lime este D > d . Astfel, coeficientul de ctig efectiv este mai mic dect cel dat de relaia (10.6) cu un factor d / D , iar densitatea de curent corespunztoare pragului este mai mare dect cea dat de relaia (10.9), devenind:

Jt =

82 n20 1 (eD ) Re ln R1R2 . 2 A 2l

o

(10.10)

n cazul diodei laser cu GaAs pentru radiaia avnd 8400 A indicele de refracie este n 3.6, iar 0 1013 Hz. Raportul A / Re se mai numete i eficien cuantic i reprezint fraciunea din numrul de electroni injectai care sufer fenomenul de recombinare radiativ i este apropiat de unitate. Considernd c n cazul diodei laser cu GaAs D =2 m, l =500 m i

=10 cm -1 , se obine:

J t 500 A/cm2 .

(10.11)

n cazul unei jonciuni avnd aria lw = 500 250 m 2 curentul de prag este J t lw 1 A .

214

OPTIC INTEGRAT

Considernd eficiena cuantic intern i a diodei laser ca fiind probabilitatea ca un purttor de sarcin electric injectat n zona activ s se recombine radiativ, puterea radiant Pe a undei electromagnetice rezultate din emisia stimulat se exprim prin:

Pe = i

I Ip e

(10.12)

unde I este intensitatea curentului de injecie, I p este intensitatea curentului de prag pentru oscilaia laser, e este sarcina electric elementar, iar este frecvena unghiular a radiaiei emise. O parte din Pe se disipeaz n cristalul semiconductor, iar restul constituie puterea radiant laser, P efectiv emis de dioda laser n exterior, prin feele cristaline de reflectane R1 i, respectiv, R2 , ce constituie rezonatorul laser. Dac se noteaz cu coeficientul de absorbie total n cristalul semiconductor al diodei laser (ce include a i r ), puterea radiant a fasciculului laser se scrie sub forma:

e unde s-a considerat R1 = R2 = R .

P = i

I Ip

(1/L) ln(1/R ) + (1/L ) ln (1/R )

(10.13)

10.1.2. Dioda laser cu dubl heterostructur O mbuntire a performanelor diodelor laser s-a realizat prin fabricarea de medii active din material semiconductor cu dubl heterostructur. Heterostructura reprezint o jonciune ntre dou cristale semiconductoare cu compoziie chimic diferit i cu dopaje de tip diferit. Dubla heterostructur este o structur format din trei straturi de material semiconductor, cele de la extremiti avnd formul chimic i conductivitate electric (dopaj) diferite fa de cel din mijloc, care conine regiunea cu jonciunea activ, de exemplu GaAlInP/GaInP/ GaAlInP (fig. 10. 2). De asemenea, indicele de refracie al materialului central este mai mare dect al straturilor laterale, ceea ce mijlocete ghidarea radiaiei rezultate din emisia stimulat, prin zona activ a diodei. Cele dou caracteristici eseniale ale unei duble heterostructuri semiconductoare, ca mediu activ laser, sunt: - a) posibilitatea ghidrii undelor electromagnetice prin zona activ cu indice de refracie mai mare, - b) posibilitatea realizrii inversiei de populaie cu un curent electric de pompaj cu intensitate redus. Aceste proprieti fac ca o configuraie cu dubl heterostructur (fig. 10. 3) s prezinte o mai mare eficien a generrii emisiei stimulate, fa de dioda laser cu material omogen n zona activ. Materialele semiconductoare cel mai des utilizate pentru fabricarea diodelor laser cu dubl heterostructur sunt combinaii de tipurile A IIIBV sau A IV BVI .

Lasere cu semiconductoare

215

O configuraie practic pentru obinerea inversiei de populaie ntr-un mediu activ semiconductor este aceea a unei diode cu jonciune p-n n care regiunile p i n sunt obinute prin doparea pn la degenerare a aceluiai cristal semiconductor. Cvasinivelul Fermi al materialului de tip p se afl n banda de valen, iar acela al materialului de tip n n banda de conducie. n absena unei diferene de potenial electric la bornele diodei, cele dou cvasinivelurile Fermi coincid (condiia de echilibru termodinamic).

Fig. 10. 3. Structura de benzi a unei duble heterostructuri; a) la echilibru, b) la prag.

La aplicarea unei diferene de potenial V , acestea se separ printr-un interval energetic eV (unde e este sarcina electric elementar). n zona de sarcin spaial a jonciunii se produce o inversie de populaie ntre electroni i goluri. Acest fenomen face posibil amplificarea radiaiei prin emisie stimulat, la recombinarea radiativ dintre un electron i un gol. Indicele de refracie al majoritii materialelor semiconductoare, pentru lungimile de und ale emisiei acestora, este suficient de mare astfel nct, la interfaa semiconductor/aer, coeficientul de reflexie pentru radiaia emis s aib valori ridicate pentru a determina formarea unei caviti Fabry-Prot pe feele cristalului perpendiculare pe direcia emisiei. n multe tipuri de diode laser de mic putere, nu este necesar nici lefuirea nici depunerea de straturi reflectoare pe capetele mediului activ, ntruct clivajul cristalului dup planuri atomice determin fee cu suprafee foarte netede. Acestui tip de configuraie de cavitate rezonant laser i se aplic teoria general a rezonatoarelor. 10.1.3. Diode laser cu gropi cuantice n figura 10. 2 regiunea activ de GaInP mrginit de fiecare parte de GaAlInP n cazul unei duble heterojonciuni acioneaz ca o capcan de electroni i goluri. Dac grosimea regiunii active este micorat pn la o valoare

d < 200 A , electronii i golurile confinate manifest efecte cuantice, energiile

cuantificate i funciile de und ale acestora fiind determinate n mod special de distana de confinare, d , laserele astfel obinute numindu-se lasere cu gropi

216

OPTIC INTEGRAT

cuantice (Quantum Well-QW). Aceleai efecte se manifest i n cazul structurii de tip Al x Ga 1 x As/GaAs/ Al x Ga 1 x As cu x ~ 0,3 (fig. 10. 4).

Fig. 10. 4. Reprezentarea schematic a laserului de tip Al x Ga 1 x As/GaAs/Al x Ga 1 x As.

Groapa cuantic ntr-o astfel de structur corespunde unui strat foarte subire de semiconductor ~ 100 A cu o band interzis Wg1 situat ntre dou regiuni semiconductoare avnd banda interzis Wg 2 > Wg1 . Regiunea cu band interzis Wg1 se comport ca o groap cuantic de potenial att pentru electroni ct i pentru goluri, dac diferena ntre benzile de conducie i de valen este convenabil mprit ntre cele dou materiale, iar densitatea de stri permise devine o funcie treapt n locul celei de tip parabolic ca n cazul materialului masiv, acesta fiind un efect cuantic de dimensiune. Dependena de distan a indicelui de refracie i a cmpului optic pentru structura amintit anterior este prezentat n figura 10. 5. (fig. 10. 4) caracterizat de funcia de energie potenial V (r ) poate fi descris cu v ajutorul unei funcii de tip anvelop (r ) , (normat pe volumul cristalului) care verific ecuaia Schrdinger [10.7]: Micarea electronilor cu masa m* = me n banda de conducie, BC

h2 2 r r r r (r ) + V (r )(r ) = W(r ) . 2me

(10.14)

Considernd c electronii se mic dup axa z , (dup axele x i y r acetia rmnnd liberi) i c V (r ) = V ( z ) soluia ecuaiei (10.14) este de forma: r r (r ) = exp i k x + k y Z ( z ) , nk (10.15) x y n

[(

)]

n care: n reprezint numrul cuantic, iar k = k x , k y . Pentru a calcula funcia

Z n ( z ) se nlocuiete soluia (10.15) n ecuaia (10.14)

Lasere cu semiconductoare

217

h 2 d 2 Zn (z ) h 2k 2 Zn (z ) ( ) ( ) + = V z Z z W n m 2me dz 2 2 e

(10.16)

2 2 + ky . n care: k = k x

Fig. 10. 5. Profilul indicelui de refracie i al cmpului optic n cazul structurii de tip Al x Ga 1 x As/GaAs/Al x Ga 1 x As.

Funcia Z n ( z ) este normat pe lungimea cristalului, Lz n direcia z . Considernd un potenial de forma:

z (0, L ) 0, pentru V (z ) = , pentru z = 0, z = L,

2 Lz nz sin L L

(10.17)

(dei n cazurile reale lrgimea benzii interzise este de ordinul eV, aceast aproximaie fiind grosolan) din ecuaia (10.26) se obin funciile proprii

Zn (z ) =
i valorile proprii

(10.18)
2

Wne

(k )

= Wne

unde n este un numr ntreg pozitiv. Confinarea n interiorul gropii cuantice determin apariia unei benzi energetice cu structura dat de relaia (10.19), unde numrului n exist o dependen parabolic a valorii proprii Wne (k ) de k , (curbele de dispersie), cu un minim n Wne (fig. 10. 6). Valoarea proprie a energiei electronic n . n figura 10. 7 sunt prezentate i Z1 ( z ) i W1e . Densitatea de stri permise n cazul unui semiconductor cu gropi cuantice devine o funcie de tip treapt n loc s fie de tip parabolic ca n materialul masiv (fig. 10. 6).

h 2k 2 h 2 n h 2 k 2 + = + 2me 2me L 2me

(10.19)

Wne ia valori discrete, acestea fiind determinate de V ( z ) . Pentru fiecare valoare a

Wne (k )

i funcia proprie asociat determin o sub-band energetic

218

OPTIC INTEGRAT

Modelul teoretic prezentat anterior n cazul electronilor poate fi aplicat i golurilor din banda de valen, BV (fig. 10. 4) cu masa m g , energia golurilor

Wng (k ) (msurat de la marginea benzii de conducie n jos) fiind de forma

(10.19) unde Wn se nlocuiete cu
e

Wng

h 2 n = Wg + , 2 mg L

(10.20)

Wg reprezentnd energia interzis a gropii cuantice. n figura 10. 4 Wg corespunde valorii Wg1 . Funciile de tip anvelop pentru goluri sunt identice cu
cele corespunztoare electronilor i determin mpreun cu valorile proprii ale energiei o sub-band energetic a golurilor n .

Fig. 10. 6. Curbele de dispersie corespunztoare primelor trei sub-benzi electronice n cazul gropii cuantice din figura 10. 4.

n cazul cnd limea gropii cuantice, L este foarte mare valorile

n L

formeaz un spectru cvasicontinuu, iar relaiile (10.18) i (10.19) corespund micrii unor electroni liberi.

Fig. 10. 7. Reprezentarea densitii de stri a sub-benzii electronice n funcie de energie n cazul gropii cuantice din figura 10. 4, curba a) i n cazul materialului masiv, curba b).

Lasere cu semiconductoare

219

n cazul unui laser cu gropi cuantice condiia de prag pentru emisia laser este dat de relaia:

g = +
n care:

1 ln R1R2 , 2l

(10.21)

4 2 L2 nr nr 2

(10.22)

este factorul de restrngere spaial optic, ( nr fiind indicele mediu de refracie corespunztor zonei active, nr diferena indicilor de refracie corespunztori regiunilor ghidului), l este lungimea mediului activ, R1 , R2 sunt reflectivitile oglinzilor cavitii, iar 10 cm -1 100 cm -1 reprezint pierderile pe unitatea de lungime datorit altor efecte dect reflexiile pe oglinzile cavitii. n figura 10. 8 este prezentat structura unei diode laser cu gropi cuantice de tip InGaAs/GaAs/AlGaAs, (regiunea activ fiind In 0, 2 Ga 0,8 As), care emite radiaia fundamental cu lungimea de und = 0,96 m i armonica a doua cu = 0,48 m [10.7].

Fig. 10. 8. Reprezentarea schematic a laserului cu gropi cuantice de tip InGaAs/GaAs/AlGaAs.

n general, lungimile de und de emisie sunt: = 1,2 m 1,6 m pentru structura de tip InGaAsP i = 0,65 m 0,9 m pentru cea de tip AlGaAs. Pe baza efectului cuantic de dimensiune n cazul heterostructurilor cu confinare separat (Separate Confinement Heterostructure-SCH) este posibil selectarea lungimii de und de emisie prin ajustarea grosimii zonei active. n ultimii ani au fost fabricate structuri de tip pictur cuantic (Quantum Dot-QD) n materiale dielectrice izolatoare care conin materiale semiconductoare sau metalice cu dimensiunile 2,5 25 nm .

220

OPTIC INTEGRAT

n cazul acestor structuri (de exemplu CdS, CdSe etc.) structura benzii energetice a materialului din pictur este relevant n structura sa electronic, iar electronii sunt confinai dup toate cele trei direcii. Spectrul de absorbie este format dintr-o serie de linii largi. Considernd o pictur de forma unui cub cu latura L mrginit de bariere de potenial de nlime infinit, iar pictura i materialul izolator care o nconjoar au volumul V p , strile unui electron pot fi descrise cu ajutorul unei funcii de tip anvelop monoelectronice de forma:

nx ly mz 2 sin sin nlm (r ) = V p sin L L L L

crora le corespund valorile proprii ale energiei
2 2 2 h n + l + m e Wnlm = , 2me L unde n, l , m sunt ntregi pozitivi. 2

(10.23)

(10.24)

n cazul golurilor funciile de tip anvelop sunt cele date n relaia (10.23), iar energiile corespunztoare sunt:
g Wnlm 2 2 2 h n + l + m = Wg + . 2m g L 2

(10.25)

n picturile cuantice metalice exist numai stri electronice. 10.1.4. Diode laser cu gropi cuantice multiple n cazul unei structuri cu un numr mare de gropi cuantice (Multiple Quantum Well-MQW) fiecare groap contribuie la creterea ctigului obinndu-se astfel unul maxim dorit. Dimensiunile gropilor cuantice sunt de civa zeci de A (fig. 10. 9).
o

Fig. 10. 9. Reprezentarea schematic a laserului cu gropi cuantice multiple de tip (Al x Ga 1 x ) 0,5 In 0,5 P avnd = 0,626 m .

Raportul dintre ctigurile unui laser cu N gropi cuantice, g N i respectiv unul cu o singur groap cuantic, g estre dat de relaia:

Lasere cu semiconductoare

221

n n N f c , f v , gN N N = (10.26) g f c (, n ) f v (, n ) I n care: n = reprezint densitatea purttorilor n laserul cu o singur groap eL cuantic, I este intensitatea curentului, e este sarcina electronului, L limea gropii i este timpul de via al electronilor.
Puterea la ieire a diodelor laser cu gropi cuantice multiple este limitat de degradarea catastrofic a oglinzilor ca urmare a absorbiei luminii pe feele structurii. Un interes deosebit l prezint structurile care emit n domeniul lungimilor de und = 0,9 m 1,6 m ntruct acestea sunt utilizate n comunicaiile prin fibr optic, fibrele avnd pierderi mici i dispersii bune n domeniul amintit. 10.1.5. Lasere cu semiconductoare cu emisie vertical Performanele heterostructurilor pompate electric sunt limitate de pierderile optice i de nclzirea dispozitivului, aceasta rezultnd n urma trecerii curentului prin dispozitiv. O alternativ la obinerea efectului laser prin injecia de curent o reprezint pompajul optic. Prin utilizarea pompajului optic al purttorilor direct n regiunea activ se reduce nclzirea dispozitivului i crete temperatura de operare. Pe baza celor prezentate anterior s-au fabricat lasere cu semiconductoare cu emisie vertical (Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers-VCSEL). Pompajul optic al unui laser cu semiconductoare cu emisie vertical poate fi realizat i cu ajutorul unei diode cu arie de emisie mare care opereaz la lungimea de und 980 nm, lungimea de und a emisiei laser fiind de 1,55 m (fig. 10. 10).

Fig. 10. 10. Structura unui laser cu semiconductoare cu emisie vertical.

Regiunea activ a laserului cu semiconductoare cu emisie vertical este format din 6 diode laser cu gropi cuantice multiple de tip InGaAsP/InGaAsP. Radiaia de pompaj provenit de la dioda laser este focalizat pe regiunea activ cu ajutorul unei lentile. ntre lentil i zona activ exist un substrat de GaAs i 31 de

222

OPTIC INTEGRAT

substraturi GaAs cu reflectoare Bragg distribuite. La ieirea din zona activ sunt dispuse 22 de substraturi GaAs cu reflectoare Bragg distribuite. Zona activ i zonele adiacente sunt fuzionate. Laserul cu semiconductori cu emisie vertical prezentat poate fi cuplat direct cu o fibr optic. n cazul regimului de lucru monomodal la temperatura camerei puterea maxim a laserului la ieire este de 195 mW, la ieirea din fibra optic de 1,95 mW, iar la temperatura de 125 o C puterea maxim a laserului la ieire este de 75 mW, aceste valori fiind de patru ori mai mari dect n cazul cnd laserul este pompat electric. Cavitatea semiconductoare cu emisie vertical poate funciona i ca amplificator utiliznd o cavitate format din dou reflectoare Bragg distribuite nedopate de tip GaAs/Al 0,99 Ga 0,01 As fuzionate cu o zon activ format din trei straturi de GaAs.

10.2. Mecanisme de realizare a inversiei de populaie n laserele cu semiconductoare

ntr-un cristal semiconductor, niveluri energetice posibile ale electronilor n cristal sunt distribuite n banda de valen (BV) i n banda de conducie (BC), benzi energetice separate printr-o band interzis de pn la ~3 eV (fig. 10. 11).

Fig. 10. 11. Benzile energetice pentru jonciunea p-n polarizat direct.

10.2.1. Excitarea prin injecie Probabilitile de ocupare a nivelurilor energetice W ale electronilor n banda de conducie i banda de valen sunt caracterizte prin funciile de distribuie Fermi-Dirac, particularizate pentru fiecare band energetic n parte:

fc =

1 , W WFc exp +1 kT

(10.27)

n banda de conducie i

Lasere cu semiconductoare

223

1 , (10.28) W WFv exp +1 kT n banda de valen, unde T este temperatura termodinamic a cristalului semiconductor, iar k este constanta Boltzmann. Utilizarea jonciunilor p n pentru crearea inversiei de populaie n urma fv =
excitrii prin injecie constituie metoda cea mai rspndit pentru fabricarea diodelor laser. Dac jonciunea este polarizat direct, electronii sunt injectai n zona de tip p a dispozitivului, iar golurile n zona de tip n, crendu-se un exces de purttori peste valoarea de echilibru, care determin inversia de populaie necesar emisiei stimulate. Absorbia de radiaie electromagnetic (fig. 10. 12) ntr-un astfel de semiconductor are loc la tranziia unui electron de la un nivel energetic W1 din banda de valen la un nivel W2 din banda de conducie, sub influena radiaiei; probabilitatea unei astfel de tranziii este, n virtutea principiului de excluziune Pauli, proporional cu produsul f v (W1 )[1 f v (W2 )] dintre probabiltatea de a avea un electron pe nivelul iniial W1 i probabilitatea de a avea o lips de electron pe nivelul final W2 . n mod analog, emisia stimulat de radiaie electromagnetic (fig. 10. 12) poate avea loc, pentru respectarea legii conservrii energiei, la o tranziie invers a electronului ntre aceleai dou niveluri, sau, altfel spus, la recombinarea electronului cu golul, cu probabilitatea f c (W1 )[1 f v (W2 )] .

Fig. 10. 12. Procesele de absorbie i emisie stimulat n cazul unui semiconductor cu band interzis direct.

n cazul modelului prezentat anterior mprtierile purttorilor n interiorul benzilor implicate au loc mai rapid n comparaie cu procesele de recombinare band-band, strile din interiorul benzilor putnd fi considerate la echilibru.

224

OPTIC INTEGRAT

Condiia de obinere a regimului de emisie stimulat ntr-un semiconductor degenerat, la interaciunea cu radiaia electromagnetic, este ca probabilitatea de producere a unei emisii la tranziia ntre nivelurile energetice din banda de conducie i, respectiv banda de valen, s fie mai mare dect probabilitatea de absorbie ntre aceleai dou niveluri: f c [1 f v ] f v [1 f c ], (10.29) adic: (10.30) fc f v ceea ce nseamn realizarea unei inversii de populaie ntre electronii din banda de conducie i golurile din banda de valen. Conform realaiilor (10.27), (10.28) i (10.30), inversia de populaie ntre nivelurile considerate ale materialului semiconductor se realizeaz n cazul cnd:

W WFc W WFv exp 2 (10.31) exp 1 . kT kT ntruct h = W2 W1 este expresia cuantei de energie electromagnetic
emis prin aceast tranziie (unde este frecvena radiaiei), atunci condiia (10.30) se poate scrie sub forma: W = WFc WFv h . (10.32)

10.3. Diode emitoare de lumin

n telecomunicaiile optice ca surse mai sunt folosite i diodele emitoare de lumin (Light Emitting Diodes-LED). Radiaia provenit de la o astfel de diod este incoerent i este emis ntr-un domeniu larg att al lungimilor de und (800 nm 1550 nm) ct i al unghiurilor. n cazul unei diode p n homojonciune cea mai mare parte a radiaiei rezultate n urma procesului de recombinare este generat n interiorul unui volum din semiconductor avnd dimensiunea liniar proporional cu lungimea de difuzie n timp ce n cazul unei heterostructuri duble radiaia este generat n interiorul stratului activ. Radiaia este emis n ambele cazuri n toate direciile. Eficiena cuantic este determinat de raportul dintre numrul de fotoni emii de materialul semiconductor i numrul de purttori care trec prin jonciune. Cu aproximaie destul de bun se poate considera c puterea emis de LED este proporional cu curentul prin diod dei exist o tendin de saturaie la puteri mari odat cu creterea temperaturii. Rata de modulaie este limitat la aproximativ 100 MHz. O diod emitoare de lumin este astfel fabricat nct la o anumit valoare de prag a curentului mecanismul de generare a luminii se modific. La valori mici ale curenilor radiaia luminoas este produs n urma emisiilor spontane. n apropierea pragului radiaia luminoas emis este dominat de emisia stimulat. Ca urmare a acestui fapt radiaia emis devine mai direcional, mai coerent i spectrul su se prezint sub forma unei sau unor linii foarte nguste. Att valoarea de prag a curentului ct i spectrul sunt foarte sensibile la variaiile de temperatur i se pot modifica n funcie de condiiile mediului

Lasere cu semiconductoare

225

nconjurtor sau n timpul operrii n impulsuri sau la valori mari ale puterii emise. Printre avantajele pe care le prezint aceste dispozitive se numr aria emisiv mai mic dect a diodelor laser precum i o frecven de modulaie utilizabil mai mare. Pentru fabricarea diodelor LED se utilizeaz semiconductoare de tip GaAsP sau GaP dopate cu N sau ZnO (fig. 10. 13).

Fig. 10. 13. Schema unei diode LED.

Dei puterea unei diode LED de tipul celor prezentate crete cu 50% la creterea temperaturii de la 90 o C la 100 o C temperatura jonciunii se menine la 60 o C 70 o C. Cu ajutorul diodelor LED se poate cupla o radiaie luminoas cu puterea de civa W ntr-o fibr optic avnd diametrul de 50 m i o apertur numeric de 0,17. Pentru a transforma diodele emitoare de lumin n lasere trebuie ca inversia de populaie s ating valoarea de prag, iar pe fee s fie adugate oglinzi.

10.4. Fabricarea dispozitivelor cu heterojonciuni

Exist mai multe tehnici de fabricare a dispozitivelor cu heterojonciuni: epitaxia n faz lichid, epitaxia n faz gazoas, epitaxia prin jet molecular, depunerea chimic a vaporilor organo-metalici etc. Epitaxia n faz lichid (Liquid Phase Epitaxy-LPE)) este tehnica cea mai de utilizat i pe baza acesteia au fost realizate primele lasere cu dubl heterostructur. n cazul acestei metode materialul care urmeaz a fi depus este introdus ntr-o cuv (de grafit) cu solvent (de exemplu Ga pentru GaAs/GaAlAs) i apoi ntr-un cuptor la o temperatur corespunztoare echilibrului lichid-solid al soluiei ~ 850o C . Scznd lent i controlat temperatura ~ 0,2o C / min prin deplasarea cuvei pe substrat se depune (cristalizeaz) un strat din materialul solventului a crui grosime variaz ntre civa m i civa zeci, funcie de variaia temperaturii i timpul n care se desfoar operaia. Introducnd succesiv substratul n mai multe soluii se poate realiza o structur de tip sandvici a pturilor corespunztoare heterojonciunii (fig. 10. 14). Dei aceast metod este relativ simpl este destul de dificil controlul asupra reproductibilitii n cazul cnd se depun mai multe straturi pe plci epitaxiale cu dimensiuni mai mari de civa cm 2 . De asemenea, automatizarea acestor procese este destul de greu de realizat.

226

OPTIC INTEGRAT

n cazul epitaxiei n faz gazoas (Vapor Phase Epitaxy-VPE) straturile epitaxiale sunt depuse pe substrat n urma reaciei cu vapori de halogenuri sau hidruri. Aceast metod este utilizat n cazul unor structuri avnd suprafeele de civa zeci de cm 2 . Dei este des utilizat pentru producerea structurilor de tip GaAsP, GaAs, a tranzistoarelor cu efect de cmp, aceast metod nu poate fi extins la fabricarea GaAlAs, a heterostructurilor de tip GaAlAs/GaAs i a celor abrupte pentru c n regiunea activ compoziia gazelor nu poate fi schimbat brusc.

Fig. 10. 14. Reprezentarea schematic a epitaxiei n faz lichid.

Epitaxia prin jet molecular (Molecular Beam Epitaxy-MBE) se aplic mai ales compuilor de tipul A III BV (de exemplu, n cazul fabricrii laserului cu GaAl/As/GaAs) i const n evaporarea separat a elementelor n ultravid n vederea obinerii compoziiei cerute pentru strat. Prin utilizarea acestei metode se pot obine straturi foarte subiri avnd grosimi pn la civa zeci de A . n cazul depunerii chimice a vaporilor organo-metalici (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition-MOCVD) se utilizeaz vapori organometalici de tipul: trietil de galiu, Ga (C 2 H 5 )3 , dietil de zinc Zn(C 2 H 5 )2 pentru depunerea elementelor din grupa III i a dopanilor acestora precum i vapori organometalici de tipul hidrurilor, AsH3 , PH 3 , H 2S pentru depunerea elementelor din grupa a V-a i a dopanilor acestora. Cu ajutorul acestei metode pot fi obinute straturi subiri pentru majoritatea compuilor de tipul A III BV . n camera de reacie la presiunea atmosferic sau mai mic cu 10% substratul plasat pe un suport de grafit acoperit cu carbur de calciu este meninut la temperatura de 500 o C prin nclzire cu ajutorul unei bobine de inducie de radiofrecven (fig. 10. 15). Pentru depunerea compuilor amintii se utilizeaz un curent de hidrogen, rata de depunere fiind de 2 m/h 5 m/h . Cu ajutorul acestei metode se pot depune straturi de material foarte pur avnd grosimea de 20 nm sau mai mic.
o

Lasere cu semiconductoare

227

10.5. Modularea semiconductoare

direct

prin

curent

laserelor

cu

Una dintre cele mai importante aplicaii ale laserelor cu semiconductori este ca surs optic n telecomunicaiile optice. Modularea semnalului laser cu vitez mare n vederea obinerii unor rate de informaii ridicate este de mare importan tehnologic i se poate realiza prin variaia curentului de alimentare care produce variaia puterii emise aproape instantaneu. Astfel, fasciculul de ieire poate fi modulat n amplitudine pn la frecvene de ordinul sutelor de MHz.

Fig. 10. 15. Reprezentarea schematic a metodei de depunere chimic a vaporilor organometalici.

10.5.1. Lasere cu semiconductoare cu gropi cuantice multimodale i monomodale Laserele cu semiconductoare oscileaz n cele mai multe cazuri multimodal (fig. 10. 16 a) pentru c odat cu creterea curentului de injecie (pompajului) electronii, (care n mod natural fiind descrii de statistica Fermi-Dirac nu pot ocupa mai mult dect o stare proprie) ncep s ocupe i strile adiionale determinnd lrgirea spectrului radiaiei de recombinare (fig. 10. 16 b) i posibilitatea oscilaiei multimodale. Mecanismele care determin variaia ctigului unui mod n prezena altora sunt depopularea selectiv a nivelurilor energetice i oscilaia populaiilor [10.2], [10.4].

a)

b)

Fig. 10. 16. Reprezentarea oscilaiei : a) multimodale i b) a spectrului radiaiei de recombinare pentru diferite valori ale curentului de injecie, I .

228

OPTIC INTEGRAT

n figura 10. 17 este prezentat spectrul multimodal al emisiei laser corespunztor heterostructurii cu gropi cuantice de tip InGaAs/GaAs/AlGaAs pentru opt valori ale curentului de injecie, cel corespunztor pragului fiind ~16 mA. n cazul unei caviti de lungime L care conine un mediu activ cu indicele de refracie n distana dintre dou moduri adiacente, poate fi calculat difereniind relaia L = m

, din care rezult: 2n

dm 2 L 2 L dn , = 2 + d d astfel c n cazul cnd m este foarte mare 2 . = dn 2nL 1 n d

(10.33)

(10.34)

Fig. 10. 17. Spectrul de emisie al heterostructurii de tip InGaAs/InGaAsP pentru opt valori ale curentului de injecie, curentul corespunztor pragului ~16 mA.

n stare staionar se poate calcula intensitatea modului sub forma:

gm Im =

2Qm

(N m - 1) , 2Qm m

(10.35)

Lasere cu semiconductoare

229

n care:

Nm =

2 g mQm

(10.36)

reprezint excitaia relativ. n telecomunicaiile optice este necesar ca numrul de moduri s fie limitat, adesea la un mod. Operarea monomodal stabil se poate face utiliznd: caviti cuplate, reacia selectiv a frecvenei, injecia blocat i geometria controlat a cavitii. Cuplajul cavitilor se poate realiza n mai multe feluri: cavitate cuplat tiat, cavitate cu oglind extern, cavitate cuplat cu an i prin interferen n etalon integrat. Selecia lungimii de und ntr-un laser cu cavitate cuplat se poate face pe lng controlul asupra curentului i temperaturii prin: reea extern, reflector Bragg distribuit i reacie distribuit.