Fotodiodos y Fototransistores

Fotodiodo
El fotodiodo consiste en esencia de una unin de material "P" y material "N" polarizada inversamente, se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una caracterstica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente elctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina).

 La corriente elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de fuga. Fotocorriente: es un flujo de corriente que ocurre cuando la luz de longitud de onda apropiada es dirigida hacia la unin, se crean pares hueco-electrn que se desplazan a travs de la unin debido al campo generado en la regin deprimida. El fotodiodo se comporta bsicamente como un generador de corriente constante hasta que se alcanza la tensin de avalancha.

 el fotodiodo se comporta como un diodo normal. Si est fabricado en silicio, la tensin que cae en el dispositivo ser aproximadamente de 0,7V. El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generacin luminosa de portadores. Esto es debido a que los portadores, provenientes del dopado (portadores mayoritarios) son mucho ms numerosos que los portadores de generacin luminosa. La totalidad de los detectores de luz comunes consisten en una unin a fotodiodo y un amplificador.

 Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el sentido de la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendra efecto sobre l y se comportara como un diodo semiconductor normal.

Uso de fotodiodos:
A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo. Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del Cd transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados. Usados en fibra ptica.

FABRICANTES
NANOIDENT Technologies AG Infineon Agilent Technologies PerkinElmer SILONEX VISHAY Silicon Sensor GmbH

Investigacin
La investigacin a nivel mundial en este campo se centra (en torno a 2005) especialmente en el desarrollo de clulas solares econmicas, miniaturizacin y mejora de los sensores CCD y CMOS , as como de fotodiodos ms rpidos y sensibles para su uso en telecomunicaciones con fibra ptica . Desde 2005 existen tambin semiconductores orgnicos. La empresa NANOIDENT Technologies fue la primera en el mundo en desarrollar un fotodetector orgnico, basado en fotodiodos orgnicos.

Fototransistores:
Los fototransistores no son muy diferentes de un transistor normal, estn compuestos por el mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas: colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera diferencia evidente es en su cpsula, que posee una ventana o es totalmente transparente, para dejar que la luz ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca el efecto fotoelctrico.

 puede trabajar de 2 maneras diferentes: - Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn) - Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin). Se pueden utilizar las dos en forma simultnea, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con la patita de la base sin conectar. (IB = 0) La corriente de base total es igual a corriente de base (modo comn) + corriente de base (por iluminacin): IBT = IB + IP Si se desea aumentar la sensibilidad del transistor, debido a la baja iluminacin, se puede incrementar la corriente de base (IB), con ayuda de polarizacin externa

 Las corrientes tpicas del fototransistor para una tensin inversa de 10V, son del orden de 1nA a temperatura ambiente y aumentan en un factor de 2 para cada 10C de aumento de temperatura. Las especificaciones del fototransistor garantizan normalmente unos lmites de corriente en la oscuridad mucho ms altos, por ejemplo 50 a 100 nA, debido a las limitaciones del equipo automtico de prueba.

Funcionamiento:
- Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la base del mismo, generando huecos y con ello una corriente de base que hace que el transistor entre en la regin activa, y se presente una corriente de colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso, reemplazan la corriente de base que normalmente se aplica elctricamente. Es por este motivo que a menudo la patilla correspondiente a la base est ausente del transistor. La caractersticas ms sobresaliente de un fototransistor es que permite detectar luz y amplificar mediante el uso de un slo dispositivo (Ib = 0). - La sensibilidad de un fototransistor es superior a la de un fotodiodo, ya que la pequea corriente fotogenerada es multiplicada por la ganancia del transistor

CONSTRUCCION DE LOS se construyen con silicio o germanio. FOTOTRANSISTORES

Existen tanto fototransistores NPN como PNP Debido a que la radiacin es la que dispara la base del transistor, y no una corriente aplicada elctricamente, usualmente la patilla correspondiente a la base no se incluye en el transistor.

El mtodo de construccin es el de difusin.

Este consiste en que se utiliza silicio o germanio, as como gases, impurezas o dopantes. Por medio de la difusin, los gases dopantes penetran la superficie slida del silicio. Sobre una superficie sobre la cual ya ha ocurrido la difusin, se pueden realizar difusiones posteriores, creando capas de dopantes en el material. La parte exterior del fototransistor est hecha de un material llamado epoxy, que es una resina que permite el ingreso de radiacin hacia la base del transistor.

FABRICANTES
Epigap Optoelektronik GmbH, 12555 Berlin. [Alemania] Hamamatsu Photonics, 541-0052 Osaka. [Japn]

Aplicaciones:
*. Alarmas de presencia y ausencia de Luz *. Cmaras fotogrficas para regular la membrana del objetivo automticamente. *. Para conductores y receptores de fibra optica *. Para hacer circuito optoaisladores . *. Montaje de circuitos optoacopldores

Bibliografa:
http://sensorfototransistorofotodiodo.blogspo t.mx/2008/03/el-fotodiodo-el-fotodiodo-separece.html http://es.wikipedia.org/wiki/Fotodiodo http://www.profesormolina.com.ar/electronic a/componentes/optoelect/optot.htm http://materias.fi.uba.ar/6625/Clases/Disposit ivos_Optoelectronicos.pdf