SBS (Silicon Bilateral Switch).

Se llama SBS (Silicon Bilateral Switch) a una clase de tiristor bidireccional. Est formado por dos SUS conectados en antiparalelo. A diferencia de otros tiristores, el SBS, desde un punto de vista tecnolgico, no es una versin mejorada del diodo npnp, sino que es un circuito integrado que incorpora diodos Zener conectados a la puerta, transistores y resistencias. Esto le da la ventaja de poder aparear estrechamente los componentes, consiguiendo una asimetra en la tensin de disparo inferior a medio voltio. Aunque funciona como un dispositivo de dos puertas, se ha incorporado un electrodo de puerta para una mayor flexibilidad en el uso del dispositivo.
Circuito equivalente de un SBS

Caracterstica V-I de un SBS. La puerta est desconectada.

El SCS

(sillicon controlled switch).

La figura 8.1 muestra la estructura, smbolo y curva caracterstica de un SCS. En ella se observa que mantiene la estructura de un tiristor convencional, al que se ha aadido una puerta adicional conectada a P2. Su funcionamiento es muy similar al de un tiristor convencional, pero con las siguientes diferencias:

Permite su disparo mediante un impulso de corrienete negativa (saliente) en el terminal de puerta G2. Permite su bloqueo (apagado) mediante un impulso de corriente de puerta positiva (entrante) en G2. En lo referente a la sensibilidad de disparo, sta es mucho mayor en la puerta de ctodo (G1) que en la de nodo (G2). As, el disparo por la puerta de ctodo requiere una corriente del orden de 2 mA, en tanto que la de nodo necesita 2 mA. El disparo por la puerta de nodo se produce por un fenmeno simtrico al disparo por la puerta de ctodo, en la que los papeles de electrones y huecos se han intercambiado. As, el disparo por G1 inyecta huecos y el diaparo por G2 inyecta electrones.

El bloqueo por impulso positivo en G2 se basa en la polarizacin inversa a que queda sometida la unin P1N1, que deja automticamente de conducir. Tambin es posible el bloqueo por impulso negativo en G1, pero se necesita una resistencia exterior que limite la intensidad de nodo a un valor adecuado. La intensidad de nodo mxima es estos semiconductores no suele pasar de 1 A.

Figura 8.1. Estructura, smbolo y curva caraterstica de un SCS.

GTO (Tiristor de apagado de puerta).

Un Tiristor GTO o simplemente es un dispositivo de electrnica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G). El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las terminales puerta (G) y ctodo (C o K), la corriente en la puerta (ig), crece. Cuando la corriente en la puerta (G) alcanza su mximo valor, IGR, la corriente de nodo comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de cada de la corriente de nodo (IA) es abrupta, tpicamente menor a 1 us. Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola. La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en la puerta (IGR) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en la puerta de 250 A para el apagado.

PUT (Programmmable Uniunion Transistor).

El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que, a diferencia del transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas. El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: ctodo K, nodo A, puerta G. A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros de conduccin del PUT son controlados por la terminal G Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente entre A y K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequea. Este transistor se polariza de la siguiente manera: Del grfico, se ve que cuando IG = 0, VG = VBB * [ RB2 / (RB1 + RB2) ] = n x VBB donde: n = RB2 / (RB1 + RB2) La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el exterior y pueden modificarse. Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT.

LASCR (Tiristor activado por luz).

Los fototiristores son como los fototransistores o FET muy similares a sus correspondientes convencionales, excepto en la adicin de una ventana o lente para enfocar la luz en un rea apropiada. Tienen tres terminales, y por tanto, el umbral del disparo ptico puede controlarse electrnicamente. La ventaja principal del fototiristor es que es un excelente conmutador, con una capacidad de gobernar potencias muy superiores a otros foto detectores. Con refrigeracin apropiada, algunos fototiristores pueden trabajar a unos cientos de voltios con un ampere.

Figura 43. SCR activado por luz. Seccin, smbolo y construccin La Figura 43 muestra un corte de un foto-SCR tpico. Con polarizacin apropiada los fotones entrantes crean pares electrn-hueco en la vecindad de la segunda unin y estos portadores libres son atrados a travs de las uniones produciendo una corriente nodo-ctodo. Aun cierto nivel de radiacin, la ganancia neta de corriente del dispositivo excede a la unidad y la corriente nodo-ctodo slo viene limitada por la impedancia exterior. En este punto, el SCR ha cambiado de ser un conmutador prcticamente abierto a uno casi en cortocircuito.

La figura 47 muestra dos circuitos para manejar SCRs de potencia controlados por luz con LASCR. El circuito de la figura 47 (a) es un rel normalmente abierto y l (b) normalmente cerrado

IGBT (El transistor bipolar de puerta aislada).

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habian sido viables hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en mquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin, domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.

Smbolo ms extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E).

Circuito equivalente de un IGBT.