1

s
u
b
s
t
r
a
t
p
n
+
n
+
zone du canal
W
L
Source ( S )
Grille ( G )
Drain ( D )
Le MOSFET
I Introduction.
1 - Structure, vue 3D du MOS canal N (NMOS) :
MOSFET : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
G
D
S
i
D
v
DS
v
GS
W largeur du canal [m]
L longueur du canal [m]
length
width
2
substrat de type p ( body / bulk )
n
+
n
+
p
+
Metal ( Poly Si )
Oxide ( SiO
2
)
Semiconductor
Source ( S ) Grille ( G ) Drain ( D ) Body ( B )
Mtal
"canal"
L
G
D
S
i
D
v
DS
v
GS
G
D
S
B G
D
S
B
pour v
SB
= 0 pour v
SB
0
I Introduction
3
I Introduction
Composants discrets : lectronique de puissance
commutation ,amplification
Technologie caractrise par L
min
de grille
MOS :
peu frquent
3 pattes
Electronique intgre : composant "roi " de la micro-lectronique
Intel Intanium quadri-curs : 45 nm, 2 milliards de transistors
4 pattes, choix W et L
outils de conception informatiss : CAO
4
G
D
S
i
D
v
DS
v
GS
I Introduction
2 Caractristiques courant tension du NMOS (pour v
SB
= 0).
La tension applique entre la grille et la source, v
GS
,
permet de contrler le courant circulant entre le
drain et la source, i
D
.
i.e. source de courant commande par une tension
Les aspects thoriques de ltablissement de la caractristique i
D
v
DS
en
fonction des diffrents rgimes de polarisation du transistor appartiennent
la physique des S.-C., ils sont traits trs succinctement dans ce cours.
V
contrle
contrle command
V G I =
G= transconductance [A/V]
i
G
=0
Le courant de grille sera considr nul : i
G
0
5
I Introduction
a. Caractristique i
D
- v
DS
i
D
(mA)
v
DS
(V)
v
GS
V
tn
0
0,5
1
1,5
1 2 3 4
Pour v
GS
0 : Transistor bloqu
0 =
D
i
Pour v
GS
V
tn
: Inversion faible
0
D
i
Cutoff
V
tn
: tension de seuil du NMOS (qqs 100aines mV)
6
I Introduction
Fonctionnement v
G
= 0
n
+
n
+
p
+
V
S
= 0 V
G
= 0
Drain ( D )
V
B
= 0
p
Le substrat (body) est toujours connect au potentiel le plus lectrongatif
(la masse).
On considre le cas ou la source est galement la masse.
Quelque soit le potentiel de v
D
aucun courant ne peut circuler entre le drain
et la source (jonctions PN tte-bche).
v
D
pour v
G
= 0 i
D
est nul
7
I Introduction
Cration du canal
n
+
n
+
p
+
V
S
= 0
V
G
> 0
V
B
= 0
p
V
D
= 0
ZCE
canal type N
v
G
> 0 repousse les trous libres de la zone de canal vers le substrat.
v
G
> 0 attire finalement les e
-
libres contenus dans la drain et la source (n
+
) dans
la zone du canal.
Quand ils sont en nombre suffisant (au-del dun certain seuil pour v
G
= v
GS
> V
tn
,
V
tn
est la tension de seuil du NMOS) on considre quune rgion N a t cre.
Dsormais si une tension est applique entre le drain et la source un courant de
-
va circuler dans le canal N (do le terme canal et le nom du transistor).
8
I Introduction
Courant traversant le transistor pour v
DS
petit.
n
+
n
+
p
+
V
G
> 0
V
B
= 0
p
V
D
= V
DS
> 0
V
S
= 0
i
D
Un courant i
D
circule entre le drain et la source.
Son amplitude dpend de la quantit de
-
dans le canal et donc de v
GS
i
D
est proportionnel :
v
GS
V
tn
et v
DS
( )
DS tn GS n D
v V v
L
W
k i =
'
cf. ci-aprs pour plus de dtails
L
9
I Introduction
Courant traversant le transistor pour un accroissement de v
DS
.
n
+
n
+
p
+
V
G
> 0
V
B
= 0
p
V
D
= V
DS
> 0
V
S
= 0
i
D
Lpaisseur du canal dpend de la diffrence de potentiel entre la grille et le
substrat :
au niveau de la source : v
GS
,
au niveau du drain: v
GS
v
DS
; du fait du potentiel appliqu entre drain et
source, la chute de tension v
DS
tant rpartie sur toute la longueur du canal.
v
GS
v
GS
- v
DS
le canal a une forme penche, sa rsistance augmente avec v
DS
10
i
D
(mA)
v
DS
(V)
v
DS
= v
GS
- V
tn
v
GS
V
tn
v
GS
= V
tn
+ 0,5
v
GS
= V
tn
+ 2
v
GS
= V
tn
+ 1,5
v
GS
= V
tn
+ 1
v
GS
= V
tn
+ 0,7
triode
0
0,5
1
1,5
1 2 3 4
I Introduction
a. Caractristique i
D
- v
DS
Pour v
GS
V
tn
et v
DS
v
GS
V
tn
: Rgime triode
( )
(

=
2
2
'
DS
DS tn GS n D
v
v V v
L
W
k i
k
n
=
n
C
ox
facteur de gain NMOS [A/V
2
]

n
mobilit des e
-
[cm
2
/Vs]
C
ox
=
ox
/ t
ox
capacit surfacique de grille
t
ox
paisseur doxyde de grille [nm]
[F/cm
2
]

ox
permittivit SiO
2
[F/m]
11
i
D
(mA)
v
DS
(mV)
v
GS
= V
tn
+ 0,5
v
GS
= V
tn
+ 2
v
GS
= V
tn
+ 1,5
v
GS
= V
tn
+ 1
v
GS
= V
tn
+ 0,7
0
200
0,3
I Introduction
a. Caractristique i
D
- v
DS
pour v
DS
2(v
GS
- V
tn
)
( )
DS tn GS n D
v V v
L
W
k i =
'
Zone linaire du rgime triode
<<
( )
tn GS n
D
DS
DS
V v
L
W
k
i
v
r = =
'
1
12
I Introduction
Pincement du canal.
n
+
n
+
p
+
V
G
> 0
V
B
= 0
p
V
D
= V
DS
> 0
V
S
= 0
i
D
Plus prcisment la largeur du canal dpend de la tension applique sur la grille en
excs par rapport la tension de seuil V
tn
.
Laugmentation de v
DS
a pour effet de diminuer cette tension en excs au
voisinage du drain, jusquau point o pour v
DS
= v
GS
V
tn
elle sannule. Le canal a
alors une paisseur nulle, on dit quil est pinc.
Le transistor est satur, le courant i
D
reste constant malgr toute augmentation
ultrieure de v
DS
.
13
i
D
(mA)
v
DS
(V)
v
DS
= v
GS
- V
tn
v
GS
V
tn
v
GS
= V
tn
+ 0,5
v
GS
= V
tn
+ 2
v
GS
= V
tn
+ 1,5
v
GS
= V
tn
+ 1
v
GS
= V
tn
+ 0,7
triode satur
0
0,5
1
1,5
1 2 3 4
I Introduction
a. Caractristique i
D
- v
DS Pour v
GS
V
tn
et v
DS
v
GS
V
tn
: Rgime satur
( )
2
'
2
1
tn GS n D
V v
L
W
k i =
r
o
=
14
i
D
(mA)
v
GS
(V)
0
0,5
1
1,5
1 2 3
V
tn
v
DS
= cte
v
DS
v
GS
- V
tn
I Introduction
b. Caractristique i
D
- v
GS Pour v
GS
V
tn
et v
DS
v
GS
V
tn
: Rgime satur
( )
2
'
2
1
tn GS n D
V v
L
W
k i =
V
tn
: tension de seuil du NMOS (qqs 100aines mV)
Equation quadratique
v
OV
= v
GS
V
tn
tension d overdrive
effective
2
'
2
1
OV n D
v
L
W
k i =
15
Body (p)
n
+
n
+
Source ( S ) Grille ( G ) Drain ( D )
L
Body (p)
n
+
n
+
Source ( S ) Grille ( G ) Drain ( D )
L
Body (p)
n
+
n
+
Source ( S ) Grille ( G )
L
L - L L
Drain ( D )
I Introduction
3 Modulation de la longueur du canal.
Rgime triode : v
GS
V
tn
et v
DS
v
GS
V
tn
Rgime satur : v
GS
V
tn
et v
DS
= v
GS
V
tn
Pincement du canal la limite de saturation
Rgime satur : v
GS
V
tn
et v
DS
> v
GS
V
tn
Canal pinc, modulation de sa longueur
L L - L
Avec L qd v
DS
do i
D
avec v
DS
r
o
finie
16
i
D
(mA)
v
DS
(V)
v
DS
= v
GS
- V
tn
v
GS
V
tn
v
GS
= V
tn
+ 0,5
v
GS
= V
tn
+ 2
v
GS
= V
tn
+ 1,5
v
GS
= V
tn
+ 1
v
GS
= V
tn
+ 0,7
triode satur
00
0,5
1
1,5
1 2 3 4
I Introduction
3 Modulation de la longueur du canal.
r
o
finie = 1 / pente
r
o
= v
DS
/ i
D
17
i
D
(mA)
v
DS
(V)
v
GS
= V
tn
+ 0,5
v
GS
= V
tn
+ 2
v
GS
= V
tn
+ 1,5
v
GS
= V
tn
+ 1
v
GS
= V
tn
+ 0,7
0
-V
A
= -1/
( ) ( )
DS tn GS n D
v V v
L
W
k i + = 1 .
2
1
2
'
I Introduction
3 Modulation de la longueur du canal.
modlisation de leffet de modulation de L
= 1 / V
A
coefficient de modulation de la longueur de canal [V
-1
]
V
A
tension dEarly (analogie) [V]
proportionnelle L
Rsistance de sortie : r
o
D
A
D
cte v
D
DS
o
I
V
I i
v
r
GS
= =
(

=
=

1
18
substrat de type p ( body / bulk )
n
+
n
+
p
+
S G D B (gnd)
NMOS
p
+
p
+
D G S
PMOS
n
+
B (Vdd)
n well (puits)
I Introduction
4 Transistor MOS canal P.
G
S
D
i
D
v
SD
v
SG
G
D
S
B
19
I Introduction
4 Transistor MOS canal P.
G
S
D
i
D
v
SD
v
SG
Caractristiques i
D
- v
SD
et i
D
- v
SG
Reprendre les conditions et quations du NMOS en
remplaant v
GS
par v
SG
, v
DS
par v
SD
, V
tn
par V
tp
, et
k
n
par k
p
Le courant i
D
est pris sortant par le drain du PMOS (entrant pour le NMOS).
k
p
facteur de gain du PMOS [A/V
2
]

p

n
/ 2 3
!
V
tp
tension de seuil du PMOS (V
tp
< 0) [V]
20
t
ox
(nm)
C
ox
(fF/m
2
)
.C
ox
(A/V
2
)
V
t0
(V)
V
DD
(V)
NMOS
175
0,46
3,3
PMOS
58
-0,6
0,35 m
7,5

NMOS
267
0,43
2,5
PMOS
93
-0,62
0,25 m
6
5,8
NMOS
387
0,48
1,8
PMOS
86
-0,45
0,18 m
4
8,6
NMOS

0,42
1,2 0,8
PMOS

-0,36
65 nm
1,2

I Introduction
Exemples de technologies.
Cheveu = 50 100 m
21
I Introduction
5 Effet de substrat.
Le substrat p est gnralement connect
au potentiel le plus lectrongatif (gnd).
body p
n
+
n
+
p
+
V
S
V
G
V
D
B
gnd
Pour v
SB
la profondeur du canal est
rduite, pour compenser la diminution de i
D
correspondante : v
GS

Modlisation :
( )
f SB f t t
v V V 2 2 .
0
+ + =
V
t0
tension de seuil pour v
SB
= 0 [V]
2
f
potentiel dinversion de surface (0,60,7 V) [V]
facteur deffet de substrat ( 0,4 V
1/2
) [V
1/2
]
Variation de v
SB
variation de i
D
body 2
me
grille
22
I Introduction
6 Effets de la temprature.
V
t
- 2mV/C i
D
augmente avec T
k dk/dT < 0 i
D
diminue avec T
effet prpondrant
i
D
diminue avec T
7 Qualit de la modlisation.
Equations prcdentes = modlisation au 1
er
ordre, c.--d. plutt inexacte
Adapt un calcul manuel pour un rsultat approch 10-20% prs, ensuite
recours aux logiciels de simulation lectrique (spice).
Hors cadre de ce cours :
- conduction en inversion faible (subthreshold),
- effets lis aux longueurs de canal submicroniques.
23
Le MOSFET
II Le transistor MOS en amplification.
1 Utilisation en amplification.
R
D
V
DD
v
GS
i
D
v
D
a. Construction graphique.
i
D
(mA)
v
DS
(V)
v
GS
= V
DD
v
GS
V
DD
Droite de
charge
v
GS
V
tn
i
D
= (V
DD
v
D
) / R
D
1
re
qualit amplificateur ?
v
D
= V
DD
R
D
i
D
24
i
D
(mA)
v
DS
(V)
0
v
D
(V)
v
GS
(V)
V
DD
V
DD
triode satur off
V
DD
v
GS
= V
DD
v
GS
V
tn
II Le transistor MOS en amplification
a. Construction graphique.
v
D
= f(v
GS
)
25
II Le transistor MOS en amplification
a. Construction graphique.
v
D
(V)
v
GS
(V)
V
DD
V
DD
triode satur off
26
II Le transistor MOS en amplification
a. Construction graphique.
v
D
(V)
v
GS
(V)
V
DD
V
DD
triode satur off
t
v
gs
27
II Le transistor MOS en amplification
a. Construction graphique.
v
D
(V)
v
GS
(V)
V
DD
V
DD
triode satur off
t
v
d
t
v
gs
28
II Le transistor MOS en amplification
a. Construction graphique.
v
D
(V)
v
GS
(V)
V
DD
V
DD
triode satur off
t
v
d
t
v
gs
En rgime satur v
D
- v
GS
droite
Amplification linaire
gain = pente
29
II Le transistor MOS en amplification
b. Mise en quations.
R
D
V
DD
v
GS
i
D
v
D
V
GS
v
gs
v
GS
= V
GS
+ v
gs
composante
continue
composante
variable
t (s)
v
GS
V
GS
v
gs
Amplification : polarisation en rgime satur (linarit)
30
II Le transistor MOS en amplification
b. Mise en quations.
pour v
gs
2v
OV
< << << << <
( ) ( )
gs tn GS n tn GS n D
v V V
L
W
k V V
L
W
k i + =
'
2
'
2
1
I
D
courant de
polarisation
i
d
composante
variable
d D D D DD D
i R I R V v =
V
D
v
d
(=0)
31
II Le transistor MOS en amplification
b. Mise en quations.
pour v
gs
2v
OV
, en considrant le rgime variable (petits signaux)
< << << << <
transconductance :
( ) [ ] V A V V
L
W
k
gs
v
d
i
g
tn GS n m
/
'
= =
D n OV D m
I L W k V I g . . 2 / 2
'
= =
dpend des grandeurs
continues (DC)
c.--d. de la polarisation
gain en tension p.s. :
[ ] V V R g v v A
D m gs d v
/ / = =
32
II Le transistor MOS en amplification
2 Sparation des rgimes continu et variable (DC et AC).
R
D
V
DD
i
D
v
D
V
GS
v
gs
v
GS
V
GS
v
gs
G
D
S
i
G
= 0
R
D
V
DD
i
D
i
d
v
D
=

V
D
+

v
d
I
D
33
II Le transistor MOS en amplification
Par application du thorme de superposition (condition dapplication ?)
V
GS
G
D
S
I
D
I
G
= 0
R
D
I
D
V
D
G
D
S
i
d
i
g
= 0
R
D
i
d
v
d
v
gs
V
DD
+
rgime DC rgime AC
gs
v g
d
i
m
=
( )
2
'
2
1
tn GS n D
V V
L
W
k I =
34
II Le transistor MOS en amplification
3 Modle quivalent petits signaux du MOS.
Validit :
- polarisation en rgime satur,
- v
gs
petit devant 2V
ov
,
- basses frquences.
G
v
gs
D
S
g
m
.v
gs
r
0
i
d
G
v
gs
D
S
g
m
.v
gs
i
d
i
g
= 0 i
g
= 0
prise en compte de la modulation
de longueur du canal
( )
tn GS n m
V V
L
W
k g =
'
D n OV D m
I L W k V I g . . 2 / 2
'
= =
D A o
I V r / =
Le choix du point de polarisation fixe les
valeurs des paramtres du modle p.s.
35
II Le transistor MOS en amplification
3 Modle quivalent petits signaux du MOS.
Interprtation graphique de la notion de transconductance :
i
D
(mA)
v
GS
(V)
0
0,5
1
1,5
1 2 3
V
tn
pt de
polarisation
cte v
GS
D
m
DS
v
i
pente g
=
|
|

\
|

= =
linarisation de la caractristique
autour du point de polarisation
36
II Le transistor MOS en amplification
3 Modle quivalent petits signaux du MOS.
Interprtation graphique de la notion de transconductance :
i
D
(mA)
v
GS
(V)
0
0,5
1
1,5
1 2 3
V
tn
pt de
polarisation
cte v
GS
D
m
DS
v
i
pente g
=
|
|

\
|

= =
t
v
gs
linarisation de la caractristique
autour du point de polarisation
37
II Le transistor MOS en amplification
3 Modle quivalent petits signaux du MOS.
Interprtation graphique de la notion de transconductance :
i
D
(mA)
v
GS
(V)
0
0,5
1
1,5
1 2 3
V
tn
pt de
polarisation
cte v
GS
D
m
DS
v
i
pente g
=
|
|

\
|

= =
t
v
gs
t
i
d
linarisation de la caractristique
autour du point de polarisation
38
II Le transistor MOS en amplification
3 Modle quivalent petits signaux du MOS.
Intgration de leffet de substrat dans le modle (cf. T21) :
G
v
gs
D
S
g
m
.v
gs
r
0
i
d
i
g
= 0
g
mb
.v
bs
B
v
bs
body 2
me
grille
g
mb
= .g
m
tq = 0,1 0,3
39
Exercice 3.3 (TD3 p10)
R
D
V
DD
R
G
R
L
v
S
C
l
C
l
v
E
R
D
V
DD
R
G
= 10 M
R
D
= 10 k
R
L
= 10 k
V
DD
= 15 V
C
L
trs grand
V
tn
= 1,5 V
k
n
(W/L) = 0,35 mA/V
2
V
A
= 50 V
Z
in
= ? A
v
= ? V
Emax
= ?
40
Le MOSFET
III Polarisation, tude DC.
1 Importance du choix du point de polarisation.
choix du rgime de fonctionnement du transistor
rglage des paramtres p.s. (amplification / saturation)
de lexcursion en sortie (amplification / saturation)
i
D
(mA)
v
DS
(V) V
DD
Pol
1
Pol
2
41
2 Polarisation de composants discrets.
III - Polarisation, tude DC
a. Fixer V
GS
.
Les valeurs de V
t
, C
ox
, et W/L varient fortement dun composant lautre
(y compris pour des composants de mme rfrence).
!
i
D
(mA)
v
GS
(V)
0
0,5
1
1,5
1 2 3
MOS 1
MOS 2
V
GS
I
D1
I
D2
Polarisation de mauvaise qualit
42
b. Fixer V
G
et ajouter une rsistance de source.
III - Polarisation, tude DC
R
S
I
D
V
G
V
GS
i
D
(mA)
v
GS
(V)
0
0,5
1,5
1 2 3
MOS 1
MOS 2
V
G
I
D1
I
D2
V
G
V
GS
= R
S
I
D
I
D
= V
G
/R
S
V
GS
/R
S
R
S
: apport dune contre-raction ngative
stabilisation de I
D
I
D
43
Schmas de polarisation :
III - Polarisation, tude DC
R
D
R
S
V
DD
R
G1
R
G2
V
DD
V
DD
R
D
- V
SS
R
S
R
G
I
D
I
D
V
G
V
G
Alimentation simple Alimentation double
44
c. Rsistance de contre-raction grille-drain.
III - Polarisation, tude DC
R
D
V
DD
R
G
I
D
V
GS
45
Exercice 2.1 (TD2 p6)
V
DD
= 3,3 V
R
D
V
SS
= -3,3 V
R
S
I
D
D
V
DD
= 3,3 V V
tn
= 0,46 V k
n
= 175 A/V
2
NMOS :
Dimensionner le circuit ci-contre afin d'obtenir une
polarisation du transistor telle que I
D
= 100 A et
V
D
= 1 V.
A quelle rgime de fonctionnement correspond
cette polarisation ?
On considre que la modulation de la longueur du
canal est ngligeable ( = 0) et on prend W=40m et
L=1m.
46
Exercice 2.2 (TD2 p6)
V
DD
= 3,3 V V
tn
= 0,46 V k
n
= 175 A/V
2
NMOS :
Donner le potentiel de chacun des nuds et le
courant circulant dans chacune des branches de
ce circuit.
On prend R
G1
= R
G2
= 5 M, R
D
= R
S
= 10 k,
W = 30 m, L = 1 m et = 0.
Expliquer le choix des valeurs de R
G1
et R
G2
.
R
D
R
S
V
DD
= 3,3 V
R
G1
R
G2
47
Exercice 2.5 (TD2 p7)
V
DD
= 3,3 V V
tn
= 0,46 V k
n
= 175 A/V
2
NMOS :
R
D
V
DD
= 3,3 V
Dimensionner ce circuit de faon avoir V
D
= 0,1 V.
On prend W = 6 m et L = 1 m.
Que vaut r
DS
, la rsistance drain source ce point de
polarisation ?
48
3 Polarisation par source de courant.
a. principe.
III - Polarisation, tude DC
V
DD
R
D
- V
SS
R
G
I
D
V
G
I
D
49
b. Source/Miroir de courant.
III - Polarisation, tude DC
I
0
I
REF
V
GS
Mn1 Mn2
V
0
R
V
DD
I
0
V
0
Mn1 et Mn2 en rgime satur :
R
V V
I I
GS DD
REF D

= =
1
( )
( )
1
2
. 2 0
/
/
L W
L W
I I I
REF D
= =
Miroir pour I
o
= I
REF
0
50
b. Source/Miroir de courant.
III - Polarisation, tude DC
Source de courant idale :
Source de courant MOS :
0 r
o2
finie
Saturation Mn2
I
0
V
0
0
I
REF
I
0
V
0
0
I
REF
V
GS
V
OV
V
DD
pente 1/r
o2
I
0
V
0
r
o2
Modle p.s. :
51
Exercice 4.1 (TD4 p11)
V
DD
= 3,3 V V
tn
= 0,46 V k
n
= 175 A/V
2
NMOS :
I
0
I
REF
V
GS
Mn1 Mn2
V
0
R
V
DD
Proposer un design permettant de raliser un miroir
de courant tel que I
0
= 100 A et V
0min
= 0,3 V (on
prendra arbitrairement L = 2 m).
52
I
0
I
REF
V
DD
Mn1 Mn2
V
0
Mn4 Mn3
b. Source/Miroir de courant.
III - Polarisation, tude DC
Augmentation de la rsistance de sortie : source cascode.
R
out
= g
m
r
o2
r
o3
V
o
2V
GS
- V
tn
V
GS
rduction de
la dynamique
53
b. Source/Miroir de courant.
III - Polarisation, tude DC
Mp2
Mp1
I
p2
R
P
V
DD
I
REF
Mp3
Mn1 Mn2
-V
SS
V
DD
I
n2
Distribution des courants de polarisation dans un circuit intgr :
54
Le MOSFET
IV Etages amplificateurs lmentaires.
1 Introduction - tage amplificateur.
Besoins : Acquisition de grandeurs physiques:
temprature, pression, humidit
Capteur :
lment actif ou passif dont les caractristiques varient avec la
grandeur physique
Variation faibles avec peu dnergie
V,mV, A,mA, ,m
Ncessit : Amplification
55
IV Etages amplificateurs lmentaires
Critres de qualit-choix des amplificateurs :
Linarit - distorsion :
- Le signal ne doit pas tre dform.
Bande passante :
- Lamplification doit tre constante sur tout le spectre du signal amplifi.
Forme de lalimentation disponible :
- Simple ou double.
Rendement :
- = puissance utile / puissance consomme.
56
VE
CHARGE
VS
Av est linaire :
vs(0)=ve(0)
vs()=A
v
.ve()
La ralit est bien diffrente !!!
IV Etages amplificateurs lmentaires
Amplification (en tension) :
v
e
v
s
A
v=
Vs/ Ve
A
v
57
BAT1
U1
AMPV
Vdd
U1
AMPV
+V
-V
V1
VSINE
Simple Double
IV Etages amplificateurs lmentaires
Alimentations
apporte lnergie au systme.
permet la polarisation.
58
v
e
v
s
A
v
= Vs/ Ve
VE
CHARGE
VS
VCC
VCC
e s
A1
AMPLI
saturation
saturation
Non-linarit
Non-linarit
Dcalage
(offset)
Les choses se compliquent, Vs peut
tre :
- Dforme (non linarit)
- Ecrte (saturation)
- Possder une composante
continue (offset)
IV Etages amplificateurs lmentaires
Amplificateur rel : dfauts
59
v
E
v
s
A
v=
Vs/ Ve
saturation
saturation
Non-linarit
Non-linarit
Dcalage
(offset)
v
s
(t) se dplace autour du point de
repos, gnralement VCC/2
v
E
= V
E POL
+ v
e
v
S
= V
CC
/2 + v
s
VE
CHARGE
VS
VCC
e s
A1
AMPLI
VEPOL
v
CC
V
CC
/2
V
E POL
v
e
IV Etages amplificateurs lmentaires
Cas dun amplificateur mono tension :
60
V
V
e
s
log 20
log 1 2
1 2 = Bp
-3dB
IV Etages amplificateurs lmentaires
Bande passante :
trace dans le diagramme de Bode.
1, 2 pulsations de coupure -3dB
61
Fonction: amplifier la puissance du signal
- tout amplificateur est alimente par une source denergie externe (ici: V
CC
et (ou) V
EE
)
La sortie agit comme une source de tension v
s
caractrise par son impdance de sortie Z
s
Lentre de lamplificateur est caractrise par son impdance dentre
e
e
e
i
v
Z =
Z
s
= rsistance de Thvenin quivalent au circuit vu par R
L
IV Etages amplificateurs lmentaires
Modle dun amplificateur :
+V
CC
-V
EE
R
L
v
g
R
g
source
amplificateur
charge
v
L
i
e
i
l Z
e
Z
s v
s
v
e
62
Gain en tension :
Comme Z
s
0 le gain en tension dpend de la charge
e
s
R
e
L
v
v
v
v
v
A
L
= =
=
Gain en circuit ouvert :
Dfinitions
Gain sur charge :
v
s L
L
e
L
vL
A
Z R
R
v
v
A
+
= =
Comme Z
e
, A
vc
diffre de A
vL
vL
e g
e
g
L
vc
A
Z R
Z
v
v
A
+
= =
Gain composite:
(tient compte de la
rsistance de sortie de la
source)
Gain en courant :
L
e vL
e
L
i
R
Z A
i
i
A = =
Gain en puissance :
i v
e g
L L
p
A A
i v
i v
A
c
= =
Expression du gain en dB :
Tension : 20 log|Av|
Courant : 20 log|Ai|
Puissance : 10 log|Ap|
IV Etages amplificateurs lmentaires
+V
CC
-V
EE
R
L
v
g
R
g
source
amplificateur
charge
v
L
i
e
i
l Z
e
Z
s
v
s
v
e
63
Impdance dentre :
e
e
e
i
v
Z =
IV Etages amplificateurs lmentaires
+V
CC
-V
EE
R
L
v
g
R
g
source
amplificateur
charge
v
L
i
e
i
l Z
e
Z
s
v
s
v
e
Impdance de sortie :
0 =
=
g
v
x
x
s
i
v
Z
+V
CC
-V
EE
v
g
=0
R
g
source
v
x
i
e
i
x
Z
e
Z
s
v
s
v
e
64
Lamplificateur idal :
Gains indpendants de lamplitude et de la frquence (forme) du signal dentre
Impdance dentre leve peu de perturbation sur la source
Impdance de sortie faible peu dinfluence de la charge
La ralit...
Domaine de linarit : distorsion du signal pour des amplitudes trop leves
Nonlinarit des caractristiques lectriques des composants
la tension de sortie ne peut dpasser les tensions dalimentation
Bande passante limite : le gain est fonction de la frquence du signal
capacits internes des composants
condensateurs de liaison
Impdances dentre (sortie) dpendent de la frquence
IV Etages amplificateurs lmentaires
65
IV Etages amplificateurs lmentaires
f (MHz)
f
systme
non linaire
f (MHz)
f 2f 3f
H2
H3

DC
fondamental
fondamental
Distorsion harmonique :
Taux de distorsion harmonique (Total Harmonic Distorsion) :
l fondamenta eff
s harmonique eff k
k
k
k
V
V
a
a
a
a
THD
,
,
1
2
2
2
1
2
2
= = =

avec a
1
: valeur efficace du fondamental
a
k
: valeur efficace de lharmonique de rang k
66
Un amplificateur idal :
Ne consommerait aucune nergie en entre : rsistance
dentre quelque soit la frquence.
Pourrait produire une puissance infinie: rsistance de sortie
nulle quelque soit la frquence.
ON NE SAIT PAS FABRIQUER CELA
IV Etages amplificateurs lmentaires
Dfauts sur les impdances :
67
v A e v
v
e
v
s
Re
Rs
v G e m
v
e Rs
i
s
Re
i R e m
ie
v
s
Re
Rs
i A e i
i
e
Rs
i
s
Re
0 =

s
i
e
s
v
v
v
A
0 =

s
v
e
s
i
i
i
A
0 =

s
v
e
s
m
v
i
G
0 =

s
i
e
s
m
i
v
R
tension courant
transconductance transrsistance
i
v
e
e
e R

0 =

v
R
e
i
v
s
s
s
IV Etages amplificateurs lmentaires
Modles rels des amplificateurs :
e
i
68
Objectif
Coupler plusieurs tages pour amliorer les proprits du circuit...
Exemple : Amplificateur avec
- gain en tension lev
- faible distorsion
- bonne stabilit (thermique, dispersion)
- impdance dentre leve
- impdance de sortie faible
Solution possible :
stabilit et faible distorsion ampli stabilis
gain lev plusieurs tages en cascades
Z
e
leve tage forte impdance dentre
Z
s
faible tage faible impdance de sortie
Difficults du couplage :
Polarisation de chaque tage
Gain sur charge : chaque tage charge ltage prcdent
Rponse en frquence de lensemble (cf. couplage capacitif)
IV Etages amplificateurs lmentaires
Couplage entre tages association de plusieurs types damplificateurs :
69
Ladaptation dimpdance doit tre vu sous deux aspects :
- Associer des circuits
- Transmettre une puissance maximal
-On cherche optimiser Rg et RL
En entre : on cherche ve=vg, cette condition sera dautant
plus satisfaite que Rg sera petite devant Re
En sortie : On souhaite transmettre le maximum de
puissance la charge (un haut parleur par exemple), une
approche intuitive amne penser que RL doit tre la plus
petite possible (IL max)
g e
e
g e
R R
R
V V
+
=
IV Etages amplificateurs lmentaires
Couplage et adaptation dimpdance :
70
RS
RL
VS
L
L
R
V
P
2
=
S L
L
s L
R R
R
V V
+
=
2
2
) (
.
s L
L S
R R
R V
P
+
=
3
2
) (
.
L S
L s
S
L
R R
R R
V
dR
dP
+

=
P dans RL est max
pour RL=RS
En vert : P/PMax=f(RL/RS)
En rouge : le rendement P
RL
/P
VS
IV Etages amplificateurs lmentaires
Adaptation dimpdance en puissance :
RL/RS
71
Exercice
Un capteur dlivre un signal de tension efficace V
eff
= 10mV et possde une impdance interne r
g
= 500.
Ce signal est destin attaquer un haut-parleur (HP) dimpdance 10.
1. Quelle est la puissance fournie au HP par le capteur quand ils sont directement connects ?
10 1 10
6
Type II
5 k 50 10
6
Type I
Impdance de sortie
r
0
Amplification en tension
A
v
Impdance dentre
r
i
2. Quelle tension efficace faut-il fournir en entre de chacun des deux amplificateurs pour
dlivrer une puissance de 10W au HP ?
3. On dispose de plusieurs amplificateurs de type I et II. Quel montage permet de dlivrer une
puissance de 10 W au HP partir du capteur ?
Le tableau suivant donne les caractristiques de 2 types damplificateurs disponibles :
72
IV Etages amplificateurs lmentaires
2 Amplificateur source commune.
a. Discret.
R
S
V
DD
R
G1
R
G2
v
g
R
g
R
L
R
D
V
DD
C
dec
C
l1
C
l2
C
l1
, C
l2
: capacits de liaison (qqs 10
aines
F)
C
dec
: capacit de dcouplage (qqs 10
aines
F)
v
e
v
l
i
e
i
l
gnrateur
charge
Amplificateur source commune
Rle, comportement ?
73
IV Etages amplificateurs lmentaires
Schma quivalent petits signaux :
G
v
gs
S
g
m
.v
gs
r
0
i
d
D
i
g
= 0
R
L
R
G
1
/
/
R
G
2
v
g
R
g
i
e
v
e
v
l
i
l
Impdance dentre :
Z
e
= v
e
/ i
e
= R
G1
//R
G2
Gain en circuit ouvert :
0 ) // (
0
< = =
=
D m
R
e
l
v
R r g
v
v
A
L
Impdance de sortie :
Z
s
= r
0
//R
D
Gain en charge :
) // // (
0 L D m
e
l
vL
R R r g
v
v
A = =
Gain composite :
) // // (
) // (
//
0
2 1
2 1
L D m
g G G
G G
g
l
vc
R R r g
R R R
R R
v
v
A
+
= =
R
D
Z
s
Z
e
74
IV Etages amplificateurs lmentaires
Amplificateur source commune avec rsistance de source non dcouple :
R
S2
V
DD
R
G1
R
G2
v
g
R
g
R
L
R
D
V
DD
C
dec
C
l1
C
l2
v
e
v
l
i
e
i
l
gnrateur
charge
Amplificateur source commune
avec rsistance de source
R
S
75
IV Etages amplificateurs lmentaires
G
v
gs
g
m
.v
gs
i
d
D
i
g
= 0
R
L
R
D
R
G
1
/
/
R
G
2
v
g
R
g
i
e
v
e
v
l
i
l
1/g
m
S
R
S
Amplificateur source commune avec rsistance de source :
Utilisation modle en T
r
0
nglige
S m
D m
v
R g
R g
A
+

=
1
R
S
: rsistance de dgnrescence diminution du gain et amlioration de la linarit
76
IV Etages amplificateurs lmentaires
b. A charge active (intgr).
V
DD
Mn1
Mp2
Mp1
V
SG
v
e
v
s
v
2
i
Mn1 v
e
v
s
i
I
V
DD
I
REF
2 Amplificateur source commune.
En technologie intgre (microlectronique) : difficult intgr des rsistances leves
A
v
= -g
m1
.(r
01
//r
02
) (daprs R
D
= r
02
)
r
02
leve
77
Exercice 5.1 (TD5 p15)
V
DD
= 3,3 V V
tn
= 0,46 V k
n
= 175 A/V
2
NMOS :
Mn1
Mp2
Mp1
V
SG
v
e
v
s
v
2
i
V
DD
I
REF
Dessiner le schma quivalent petits signaux de
ce montage et calculer le gain en tension
correspondant en fonction de g
m1
, r
01
et r
02
.
En supposant que Mn1 et Mp2 aient la mme
tension d'Early VA, exprimer Av en fonction de
V
A
, (W/L)
Mn1
et de I
REF
.
Dimensionner le montage source commune afin
d'obtenir un gain en tension de 40 dB. On
impose une mme longueur de grille L = 2 m
pour tous les transistor, cette longueur
correspondant ( trs approximativement ) une
tension d'Early V
A
de l'ordre de 20 V pour les
PMOS et NMOS, une intensit I
REF
= 20 A et
une plage de fonctionnement symtrique pour
v
S
.
V
tp
= -0,6 V k
p
= 58 A/V
2
78
3 Rponse en frquence.
Modle p.s. HF simplifi (S et B directement relis, C
db
nglig) :
IV Etages amplificateurs lmentaires
a. Capacits internes.
effet capacitif de la grille
pour une analyse manuelle
4 capacits ajouter au modle p.s. : C
gs
, C
gd
, C
db
, C
sb
G
v
gs
D
S
g
m
.v
gs
r
0
i
d
C
gd
C
gs
capacits lies aux jonctions PN substrat-source et substrat-drain
(polarises en inverse)
C
gd
qqs fF
C
gs
qqs 10
aines
fF
79
b. Rponse en frquence de lamplificateur source commune.
IV Etages amplificateurs lmentaires
R
S
V
DD
R
G1
R
G2
v
g
R
g
R
L
R
D
V
DD
C
dec
C
l1
C
l2
v
e
v
l
i
e
i
l
gnrateur
charge
Amplificateur source commune
Cg
d
- capacits internes chute du gain aux HF (i.e. coupure haute)
C
gd
"court-circuite" le transistor
- capacits de dcouplage et de liaison chute du gain aux BF (i.e. coupure basse)
80
b. Rponse en frquence de lamplificateur source commune.
IV Etages amplificateurs lmentaires
Av (dB)
f (Hz)
3 dB
f
H
f
b
frquence de coupure haute :
) // // ))].( // // ( 1 ( [ 2
1
2 1 0 G G g L D m gd gs
H
R R R R R r g C C
f
+ +
=

frquence de coupure basse :

dec
m
b
C
g
f
. 2
=
81
Le MOSFET
V Interrupteur MOS.
v
D
(V)
v
GS
(V)
V
DD
V
DD
triode satur off
0
i
D
(mA)
v
DS
(V)
V
DD
v
GS
=V
DD
droite de
charge
v
GS
=0
R
D
V
DD
v
GS
i
D
v
D
- v
GS
= 0 v
D
= V
DD
- v
GS
= V
DD
v
D
0
inverseur NMOS
MOS bloqu
MOS passant (triode)
1 Introduction.
MOS bloqu
MOS passant
MOS bloqu
MOS passant
82
V Interrupteur MOS
2 Inverseur logique CMOS (complementary MOS).
NMOS
v
E
V
DD
v
S
PMOS
NMOS bloqu (v
GS
=0)
PMOS passant (v
SG
=V
DD
)
NMOS
PMOS
NMOS
v
E
= 0
V
DD
v
S
= V
DD
PMOS
v
E
= 0 :
83
V Interrupteur MOS
2 Inverseur logique CMOS (complementary MOS).
NMOS
v
E
V
DD
v
S
PMOS
NMOS passant (v
GS
=V
DD
)
PMOS bloqu (v
SG
=0)
NMOS
PMOS
NMOS
v
E
= V
DD
V
DD
v
S
= 0
PMOS
v
E
= V
DD
:
84
V Interrupteur MOS
2 Inverseur logique CMOS (complementary MOS).
Puissance consomme.
NMOS
V
DD
PMOS
NMOS
PMOS
C
L
v
S
i
i
DP
i
DN
v
E
En statique :
i
DP
= i
DP
= i = 0
pas de puissance consomme
En dynamique :
au moment du passage des MOS
de ltat passant ltat bloqu
et inversement ils sont
traverss par le courant de
charge-dcharge de C
L
Dissipation de puissance par
effet Joule (dans les MOS)
2
.
DD L D
V C f P
Dissipation de puissance (dynamique) dans les circuits numriques :
85
V Interrupteur MOS
3 Exemple - allumage dune diode lectroluminescente.
RD
VCC
5v
Q1(G) Q1(G)
D1(K)
D1
LED-RED
3
2
1
Q1
VN2222LL
D
1
(
A
)
Analyser qualitativement les graphes
ID=28mA , VF=2v
calculer RD