1.0.

- INTRODUCCIN
De las innumerables propiedades fsicas y qumicas que podemos encontrar en cualquier elemento de la naturaleza, como electrnicos que somos, la nica que nos interesa es la facilidad para permitir el paso de electrones a travs de ellos, esto es, lo que se conoce con el nombre de corriente elctrica. Un material que permita fcilmente este paso se dice que tiene buena conductividad. En la naturaleza existen tres tipos de materiales segn sea su comportamiento frente al paso de la corriente elctrica: Conductores, aislantes y semiconductores. En un conductor, el paso de electrones de un lado a otro se produce libremente sin ningn tipo de impedimento. Algo as como el agua fluyendo libremente por un tubera. Por el contrario, en un aislante es dificilsimo el movimiento de los electrones impidiendo, por tanto, el paso de la corriente, como si a nuestra tubera le pusiramos un tapn en la entrada. Por ltimo, el semiconductor es el caso intermedio, donde es posible el paso de electrones pero no tan fcilmente como en los conductores, ya que necesitan un ayuda extra, sera como una tubera con un rejilla de goma que pudisemos cerrar o abrir segn las necesidades. Este ltimo tipo es el que nos ocupa pues es el material con el que se fabrican los dispositivos electrnicos. Para poder entender cmo es posible que la corriente pueda circular libremente por un material y con reticencias por otro, nos vamos a adentrar en el mundo microscpico. Todo material est compuesto de partculas increblemente pequeas llamadas tomos. Un tomo, a su vez, consta principalmente de un ncleo y unos electrones. Cuando se juntan tomos iguales, es decir, con el mismo nmero de electrones, obtenemos lo que se conoce como elemento. As, por ejemplo, el cobre es el resultado de juntar tomos que tienen 29 electrones entre s. Ahora bien, la forma de unir estos tomos es lo que tcnicamente se conoce con el nombre de enlace y es lo que va a determinar las caractersticas fsicas y qumicas de dicho elemento. A efectos elctricos, lo que nos interesa exclusivamente de un elemento es la facilidad de ste para permitir el paso de corriente elctrica, denominndose conductividad. Esta facilidad viene determinada por lo que se conoce como electrones de valencia. Esto no es ms que el nmero de electrones pertenecientes al tomo que tendran la oportunidad de circular junto con la corriente elctrica por la tubera, sea en un conductor o un semiconductor. En los materiales aislantes es muy difcil separar a un electrn de valencia de su tomo. Los semiconductores ms importantes, utilizados actualmente, son el Germanio (Ge) y el Silicio (Si), ambos tienen cuatro electrones de valencia.

En la foto puede verse el esquema de un tomo de Silicio con 14 electrones, 4 de ellos en su ltima rbita (valencia).

2.0 FUNCIONAMIENTO DE LOS SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son materiales moderadamente estables, es decir, si nada les perturba no conducen la corriente. Ahora bien, basta que les molestemos un poco para que esos electrones de valencia, que tiene cada tomo, salten y se vayan a la aventura formando un corriente elctrica. Hay dos formas de molestar a los electrones de los tomos: La primera es calentndolos. Un aumento de temperatura hace que los electrones tengan ms energa y se pongan nerviosos. Alguien podra pensar que los electrones son como granos de maz en una sartn y segn se van calentando empiezan a saltar salindose del recipiente. Al igual que las palomitas, nuestros electrones saltan y se van del tomo al que estaban unidos para empezar a circular junto con otros electrones creando la corriente. La segunda es aadiendo un extrao, lo cual se conoce con el nombre de dopaje. La tcnica del dopaje consiste simplemente en alterar la estructura interna de un semiconductor, aadiendo dentro de l una pequesima cantidad de tomos de otro elemento bastante similar al original. Al dopar un elemento ocurre como si a un montn de harina le aadimos un pellizquito de levadura lo removemos bien y lo metemos al horno, a simple vista parece que no hemos hecho nada pero los efectos fsicos son bien visibles. Al dopar un semiconductor se produce un gran aumento de su permisividad al paso de la corriente.

2.1. Qu ocurre al calentar un elemento? Los electrones de valencia se van de su sitio y dejan un hueco. Los electrones son la parte del tomo que tiene carga negativa y al marcharse uno de ellos se produce una

falta de esta carga; esto es lo mismo que decir que se produce un exceso de carga positiva en un tomo que hasta ahora era neutro (igual nmero de cargas positivas que negativas). Este exceso de carga positiva lleva a nuestro pobre tomo a buscar desesperadamente un electrn para equilibrarse y quedarse de nuevo neutro y tranquilo. Pero ) qu ocurre una vez que lo ha encontrado?, pues que ese electrn no se lo ha encontrado por ah perdido sino que a su vez lo ha robado de otro tomo y ha dejado otro hueco y, por tanto, volvemos a empezar. De nuevo tenemos a un hueco buscando un electrn. Este vaivn de electrones y huecos es lo que llamamos corriente elctrica.

3.0. TIPO N Y TIPO P

Cuando al dopar introducimos tomos con tres electrones de valencia en un elemento de tomos con cuatro estamos formando un semiconductor tipo P, viniendo su nombre del exceso de carga aparentemente positiva (porque los tomos siguen siendo neutros, debido a que tienen igual nmero de electrones que de protones) que tienen estos elementos. Estos tomos "extraos" que hemos aadido se recombinan con el resto pero nos queda un hueco libre que produce atraccin sobre los electrones que circulan por nuestro elemento. Tambin se produce una circulacin de estos huecos colaborando en la corriente. Sin embargo, si los tomos aadidos tienen cinco electrones en su ltima capa el semiconductor sedenomina de tipo N, por ser potencialmente ms negativo que uno sin dopar. En este tipo de materiales tenemos un quinto electrn que no se recombina con los dems y que, por tanto, est libre y vaga por el elemento produciendo corriente. Para hacerse una idea de las cantidades que entran en juego en esto del dopaje se podra decir que se introduce un tomo extrao por cada doscientos millones de tomos del semiconductor. Hasta ahora hemos descrito la corriente elctrica como el paso de electrones de un lado a otro pero ha llegado el momento de aumentar este concepto. Como hemos visto la aparicin de un hueco produce el movimiento de un electrn hacia l dejando de nuevo un hueco al que ir otro electrn. Este movimiento puede verse desde dos puntos de vista. El primero es el del electrn movindose de derecha a izquierda, el segundo sera el del hueco desplazndose de izquierda a derecha. Pues bien, no es correcto ni uno ni otro, sino los dos a la vez. Hay que pensar que tan importante es un movimiento como el otro, y que la corriente elctrica hemos de concebirla como la suma de los dos. Como

veremos, en unos casos ser ms importante, cuantitativamente hablando, la corriente creada por el movimiento de los electrones y, sin embargo, en otros lo ser la creada por los huecos. Se ha adoptado por convenio que la corriente elctrica lleva el sentido de los huecos, es decir, cuando seguimos el sentido de los electrones la corriente es negativa y positiva en caso contrario. Debemos dividir a los semiconductores en dos grupos: intrnsecos y extrnsecos. Los semiconductores extrnsecos son aquellos a los que se les ha dopado de alguna forma, produciendo as un semiconductor tipo P o del tipo N. Y los intrnsecos son los que no han sufrido ninguna clase de dopaje Puesto que el paso de electrones a travs de cualquier material siempre produce calor nos va a ser imposible separar los efectos producidos por el dopaje y el aumento de temperatura en un semiconductor; as que ambos efectos se suman y la circulacin de electrones y huecos va a ser mayor. 3.1. Portadores mayoritarios y minoritarios No est completa nuestra explicacin sin comentar brevemente lo que se conoce con el nombre de portadores mayoritarios y minoritarios. Cuando existe corriente dentro de un material hemos visto que es debida a electrones movindose hacia un lado y a huecos desplazndose en sentido contrario. Pero las cantidades de unos y otros no tienen por qu ser iguales ni parecidas, esto depende del material por el que circule la corriente. Llamamos portadores mayoritarios a quien contribuya al paso de la corriente en mayor medida y, obviamente, los minoritarios sern aquellos que lo hagan en menor medida. Si tenemos un material tipo N por el que circula corriente, los portadores mayoritarios sern los electrones que le sobran por el dopaje junto con los electrones que saltan debido al calor y los portadores minoritarios sern los huecos producidos al marcharse los electrones de su sitio. Por el contrario, en un semiconductor tipo P los portadores mayoritarios sern los huecos que tiene en exceso por el dopaje ms los huecos que se producen por efecto del calor, mientras que los portadores minoritarios sern los electrones que han saltado de su sitio. 3.2. Unin P-N Llegados a este punto, cualquiera con un poco de curiosidad se habr hecho la siguiente pregunta: Qu ocurrira si se juntase un trozo de material tipo P con un trozo de material tipo N? Pues bien, esta pregunta ya se la hizo alguien hace unos cuantos aos y dio origen a lo que hoy da se conoce como unin P-N. De nuevo, como electrnicos que somos, solamente nos interesa algo muy concreto de esta unin, lo cual no es otra cosa que su comportamiento de cara al paso de corriente elctrica.

Supongamos, primeramente, que hemos unido por las buenas un trozo de material tipo P con uno tipo N; Qu ocurre?, pues que los electrones que le sobran al material tipo N se acomodan en los huecos que le sobran al material tipo P. Pero, ojo!, no todos los de un bando se pasan al otro, solamente lo hacen los que estn medianamente cerca de la frontera que los separa. A esto se le llama recombinacin Y Por qu solo unos pocos? Pues porque el hecho de que se vayan los electrones con los huecos es debido a la atraccin mutua que existe entre ellos ya que poseen cargas opuestas; sin embargo, una vez que se han pasado cierta cantidad de electrones al otro bando comienza a haber una concentracin de electrones mayor de lo normal, lo que provoca que estos empiecen a repelerse entre ellos. Por tanto, se llega a un equilibrio al haberse ido los suficientes electrones para apaciguar la atraccin hueco-electrn inicial pero no tantos como para llegar a repelerse entre ellos. Una vez alcanzado este equilibrio se dice que se ha creado una barrera de potencial. Una barrera de potencial es simplemente una oposicin a que sigan pasando los electrones y huecos de un lado a otro. Esta situacin permanecer inalterable mientras no hagamos nada externo para modificarla, es decir, compensar el efecto de esa barrera de potencial con otro potencial aportado por nosotros, por ejemplo, conectndolo a una batera. 3.3 Polarizacin directa e inversa Existen dos formas de conectar una batera a una unin P-N. Primero conectar el borne positivo de la batera con el material tipo P y el borne negativo con el material tipo N y la otra conectar el borne positivo con el material tipo N y el borne negativo con el tipo P. A la primera de ellas se la denomina polarizacin directa y a la segunda polarizacin inversa. Veamos qu ocurre en cada una de ellas. Al polarizar directamente una unin P-N el polo negativo de la batera est inyectando electrones al material N, mientras que el polo positivo recibe electrones del lado P crendose as una corriente elctrica. Con esta batera hemos conseguido vencer el obstculo que se haba creado debido a la barrera de potencial existente entre ambos materiales. De nuevo los electrones y los huecos pueden pasar libremente a travs de la frontera.

Sin embargo, al polarizar inversamente una unin P-N no se crea una corriente en sentido opuesto sino que, curiosamente, no hay corriente alguna. Esto es por que los huecos libres del tipo P se recombinan con los electrones que proceden del polo negativo de la batera, y los electrones libres del tipo N son absorbidos por sta, alejndose tanto huecos como electrones de la unin, en vez de vencer nuestra barrera de potencial sta se ha hecho ms grande y no existe corriente; aunque, para ser exactos, s existe una corriente y esta es la producida por los portadores minoritarios, pero es demasiado pequea e inapreciable.

4.0. EL DIODO
Todo dispositivo semiconductor est formado bsicamente por uniones P-N. Los transistores (BJT), FET, MOSFET, etc., son combinaciones de estas uniones. Incluso una unin P-N es por s sola un dispositivo electrnico ampliamente conocido: el diodo.

Para empezar, vamos a hablar del diodo ideal, es decir, un diodo cuyo comportamiento sera el deseado pero que no es posible alcanzarlo en la realidad. Este tipo de diodos solamente permiten el paso de corriente en un sentido, oponindose en el sentido contrario. Esta caracterstica tiene un gran inters en la conmutacin ya que de ella se deriva una propiedad ON-OFF (abierto-cerrado), como veremos ms adelante.

La diferencia entre un diodo real y un diodo ideal est en que el primero va a permitir la corriente en un sentido pero no libremente sino que ofrece una pequea resistencia y adems, al polarizarse inversamente, no corta la corriente de una manera tajante sino que, como hemos visto en la unin P-N, hay una pequea corriente en sentido contrario. Si la diferencia de potencial existente entre los extremos del diodo fuese lo suficientemente grande, esta corriente inversa ahora s empezara a aumentar de manera considerable. Nos encontramos en la regin de funcionamiento llamada zener, la cual es tremendamente destructivo para el diodo. Sin embargo, ciertos diodos estn fabricados especialmente para funcionar en esta regin y son conocidos como diodos zener.

A) Esta es la grfica que representa a un diodo ideal. B)Smbolo con el que se representa al diodo dentro de un circuito.

5.0. TIPOS BSICOS DE DIODOS.

Diodos rectificadores Diodos de tratamiento de seal (RF) Diodos de capacidad variable (varicap) Diodos Zener Fotodiodos Diodos luminiscentes (LED) Una vez esquematizado el panorama "diodl" vamos a adentrarnos un poco ms en cada uno de los tipos existentes:

5.1 Diodos rectificadores.

Un diodo estndar (rectificador) responde a un esquema interno como este:(A) Terminales, (B) Soporte metlico, (C) Semiconductor, (D) Punta de contacto.

Los diodos que todo aficionado al mundillo electrnico conoce en primer lugar son los de tipo rectificador sencillo. Quizs esto se deba a lo intuitivo de la comprensin de la funcin rectificadora. Como ya se ha visto anteriormente, una de las principales caractersticas prcticas de los diodos es facilitar el paso de la corriente continua en un nico sentido (polarizacin directa). Parece lgico comprender de un plumazo que si hacemos circular a travs de un diodo una Correiente Alterna esta slo lo har en la mitad de los semiciclos, aquellos que polaricen directamente el diodo, por lo que a la salida del mismo obtendremos una seal de tipo pulsatoria pero continua (si entendemos por tensin o seal continua aquella que no vara su polaridad). 5.2. Diodos de tratamiento de seal (RF). Los diodos de tratamiento de seal requieren algo ms de calidad de fabricacin que los tpicos rectificadores. Estos diodos estn destinados a formar parte de etapas moduladoras, demoduladoras, mezcla y limitacin de seales. etc. Uno de los puntos ms crticos en el diodo, a la hora de trabajar con media y alta frecuencia, se centra en la capacidad de unin, la cual se debe a que en la zona de la unin PN se forman dos capas de carga de sentido opuesto que conforman una capacidad real. En los diodos de RF (Radio-frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea reducida a su mnima expresin, lo cual ayudar a que el diodo conserve todas sus "habilidades" rectificadoras, incluso cuando tenga que trabajar en altas frecuencias. Entre los diodos ms preparados para bregar con las altas frecuencias destaca el diodo denominado Schottky. Este diodo fue desarrollado a principio de los setenta por la firma Hewletty deriva de los diodos de punta de contacto y de los de unin PN de los que han heredado el procedimiento de fabricacin.

El diodo Schottky est constituido as: (1) Resorte a presin. (2) Contacto de oro. (3) Silicio. (4) Molibdeno vaporizado. (5) Soldadura.

5.3. Diodos de capacidad variable (varicap). La capacidad formada en extremos de la unin PN puede resultar de suma utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual est situado el diodo.

El diodo varicap sustituye con gran xito a los obsoletos condensadores variables.

Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor hmico, lo que conforma un condensador de elevadas prdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda comportar como un condensador con muy bajas prdidas. Si aumentamos la tensin de polarizacin inversa las capas de carga del diodo se espacian lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminucin de la capacidad del hipottico condensador (similar al efecto producido al distanciar las placas de un condensador estndar). Por esta razn podemos concluir que los diodos de capacidad variable (conocidos ms popularmente como Varicaps varan su capacidad interna al ser alterado el valor de la tensin que los polariza de forma inversa.

La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a complejos sistemas mecnicos de condensador variable en etapas de sintona en todo tipo de equipos de emisin y recepcin. Por poner un ejemplo, cuando actuamos en la sintona de un viejo receptor de radio estamos variando (mecnicamente) el eje del condensador variable que incorpora ste en su etapa de sintona; pero si, por el contrario, actuamos sobre la ruedecilla o, ms comnmente, sobre el botn (pulsador) de sintona de nuestro moderno receptor de TV color lo que estamos haciendo es variar la tensin de polarizacin inversa de un diodo varicap contenido en el mdulo sintonizador del equipo 5.4. Diodo zener Al estudiar los diodos se hace hincapi en la diferencia existente en la grfica tipo con respecto a lo que es corriente directa e inversa. Si polarizamos inversamente un diodo estndar y aumentamos la tensin llega un momento en que se origina un fuerte paso de corriente que lleva el diodo a su destruccin. Este punto viene dado por la tensin de ruptura del diodo. Pero podemos conseguir controlar este fenmeno y aprovecharnos de l, de forma que no se origine necesariamente la destruccin del diodo. Todo lo que tenemos que hacer es que este fenmeno se d dentro de unos mrgenes controlables.

El diodo zener se comporta como diodo normal hasta que su polarizacin inversa alcanza el valor a que ha sido tarado de fbrica.

El diodo zener es capaz de trabajar en la regin en la que se da el efecto del mismo nombre cuando las condiciones de polarizacin as lo determinen y volver a comportarse como un diodo estndar una vez que la polarizacin retorne a su zona de trabajo habitual. Resumiendo, el diodo zener se comportar como un diodo normal, salvo que alcance la tensin zener para la que ha sido tarado en fbrica, momento en que dejar pasar a travs de l una cantidad ingente de corriente. Este efecto se produce en todo tipo de circuitos reguladores, limitadores y recortadores de tensin. La aplicacin zener, sobre todo a fuentes de alimentacin, ser tratada con profusin algo ms adelante. 5.5. Fotodiodos. Un hecho que tambin se ha utilizado en provecho de la moderna tcnica electrnica es la influencia de la energa luminosa en la ruptura de los enlaces de electrones situados en el seno constitutivo de un diodo.

Los fotodiodos responden de diferente forma en funcin de la luz que reciben.

Los fotodiodos son diodos es los cuales se ha optimizado el proceso de componentes y forma de fabricacin de modo que la influencia luminosa sobre su conduccin sea la mxima posible. Esto se logra, por ejemplo, con fotodiodos de silicio en el mbito de la luz incandescente y con fotodiodos de germanio en zonas de influencia de luz infrarrojo.

5.6. Diodos luminiscentes (LED). Este tipo de diodos se ha popularizado ltimamente y ya puede encontrarse casi en cualquier equipo electrnico que se tilde de moderno. Las formas y, no tanto, los colores se han diversificado a pasos agigantados. La operativo de un diodo LED se basa en la recombinacin de portadores mayoritarios en la capa de barrera cuando se polariza una unin PN en sentido directo. En cada recombinacin de un electrn con un hueco se libera cierta energa. Esta energa, en el caso de determinados semiconductores, se irradia en forma de luz; en otros se hace en forma trmica. Dichas radiaciones son bsicamente monocromticas. Mediante un adecuado dopado del material semiconductor se puede afectar la energa de radiacin del diodo, El nombre de LED se debe a su abreviatura inglesa (Light Emmiting Diode). Adems de los diodos LED existen otros diodos con diferente emisin, en concreto infrarrojo, y que responden a la denominacin IRED (Infrared Emmiting Diode). 5.7. Encapsulados y nomenclatura Existen, claro est, serias divergencias a nivel mundial en cuanto a la nomenclatura que ha de utilizarse a la hora de identificar los diferentes tipos de diodos existentes. Fabricantes europeos, americanos y japoneses no parecen ponerse de acuerdo. Aunque, ciertamente, lo que s existe es un buen nmero de recopilaciones de ablas de equivalencias en el argot tcnico que intentan identificar tipos europeos, americanos y japoneses de la mejor manera posible. Ante cualquier duda no tendremos ms remedio que utilizar estas tablas si no queremos emplear un componente errneo como sustituto de uno averiado. No son perfectas pero intentan paliar el desaguisado normativo.

Las ilustraciones adjuntas intentan mostrar parte de la normativa europea al respecto. Baste mencionar tan solo que los americanos suelen identificar sus semiconductores con denominaciones que comienzan casi siempre con 1N o 2N correspondiendo, respectivamente, a diodos y transistores.

La nomenclatura utilizada por los diodos zner se ajusta a la tabla aqu presentada.

OTRO ARTCULO
Principios Bsicos Materiales Semiconductores

Definicin De Semiconductor Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura, pudiendo comportarse como conductores o como aislantes. Resulta que se desean variaciones de la conductividad no con la temperatura sino controlables elctricamente por el hombre. Para conseguir esto, se introducen tomos de otros elementos en el semiconductor. Estos tomos se llaman impurezas y tras su introduccin, el material semiconductor presenta una conductividad controlable elctricamente. Existen dos tipos de impurezas, las P y las N, que cambian la conductividad del silicio y determinan el tipo de cristal a fabricar. Por tanto, como hay dos tipos de impurezas habr dos tipos fundamentales de cristales, cristales de impurezas P y cristales de impurezas tipo N.

El material semiconductor ms utilizado es el Silicio (Si), pero hay otros semiconductores como el Germanio (Ge) que tambin son usados en la fabricacin de circuitos. El silicio est presente de manera natural en la arena por lo que se encuentra con abundancia en la naturaleza. Adems, el Si presenta propiedades mecnicas y elctricas buenas. Su purificacin es relativamente sencilla (llegndose a Si puro del 99,99999%) y el Si se presta fcilmente a ser oxidado, formndose SiO2 y constituyendo un aislante que se utiliza en todos los transistores de la tecnologa CMOS.

Cristal De Silicio Puro Se denomina semiconductor puro aqul en que los tomos que lo constituyen son todos del mismo tipo, es decir no tiene ninguna clase de impureza.

La disposicin esquemtica de los tomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en la figura, Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de los ncleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos. La fuerza que mantiene unidos a los tomos entre s es el resultado del hecho de que los electrones de conduccin de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro tomos vecinos.

A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura en la cual no se observa ningn electrn ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta como un aislante.

Conduccion Del Cristal De Silicio Puro

A la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los tomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa esta situacin. La ausencia del electrn que perteneca a la unin de dos tomos de silicio se representa por un crculo, Cuando un electrn puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al ncleo y por tanto abandona su posicin, aparece un hueco, y le resulta relativamente fcil al electrn del tomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco. Este electrn que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posicin inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrn, con una trayectoria de sentido opuesto a la de ste.

Cristal Tipo N. Conduccin Es el que est impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios". Al aplicar una tensin al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los

huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco.

Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batera. El nmero de electrones libres se llama n (electrones libres/m3).

Cristal Tipo P. Conduccin Es el que est impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el nmero de huecos supera el nmero de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los

huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo.

En el circuito hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito. Hay tantos huecos como impurezas de valencia 3 y sigue habiendo huecos de generacin trmica (muy pocos). El nmero de huecos se llama p (huecos/m3).

Unin Pn. Barrera De Potencial. Diodo Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo tomos del grupo III en la red cristalina La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V. En ambos casos se tienen tambin portadores de signo contrario, aunque en una concentracin varios rdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios). En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos elctricos internos

El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:

Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrmonos en la regin de la zona P cercana a la unin:

El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era nula. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa.

El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P Zona P: Semiconductora, con una resistencia Rp Zona N: Semiconductora, con una resistencia Rn Zona de agotamiento: No es conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien entre los extremos acta una barrera de potencial.

Diferentes smbolos de los diodos

Polarizacin Directa Unin Pn

El bloque PN en principio no permite el establecimiento de una corriente elctrica entre sus terminales puesto que la zona de agotamiento no es conductora. Sin embargo, si se aplica una tensin positiva en el nodo, se generar un campo elctrico que "empujar" los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento de la zona de agotamiento. Sin embargo, mientras sta exista no ser posible la conduccin.

Si la tensin aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de agotamiento y el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente

Electrones y huecos se dirigen a la unin. En la unin se recombinan.

En resumen, polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensin positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas mviles la zona de agotamiento. La tensin aplicada se emplea en:

Vencer la barrera de potencial. Mover los portadores de carga

Polarizacin Inversa Unin Pn. Corriente De Fuga Condicin de Polarizacin Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos. El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente Id del diodo ser cero. Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no cambiar, ya que para ellos la unin esta polarizada en directo, creando por lo tanto la corriente Is denominada corriente de saturacin inversa o corriente de fuga.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en la regin Zener se denomina Voltaje Pico Inverso.

Efecto Zener. Diodo Zener Los diodos zener o diodos de avalancha, se diferencian de los dems diodos semiconductores por el comportamiento de la caracterstica inversa, que presenta una regin en la cul la tensin es casi independiente de la corriente por el diodo. Esto lo hace muy til en las aplicaciones en que se requiere una referencia de voltaje. La tensin zener de cualquier diodo est controlada por la cantidad de dopado aplicada en el proceso de fabricacin. Los normales varan entre 2 y 200 V con capacidades de disipacin de potencia de hasta 100 W. En la mayora de las aplicaciones el diodo trabaja en la regin inversa. Una aplicacin tpica es en la regulacin de voltaje.
Funcionamiento:

Referencia: No. 4, p. 46. Si la tensin de entrada aumenta, el diodo tiende a mantener una tensin constante entre los terminales de la carga, de modo que la cada de tensin en ri aumenta. El incremento resultante de Ii circula a travs del diodo, mientras que la corriente a travs de la carga se mantiene constante. Ahora supongamos que la tensin de entrada permanece constante, pero que la resistencia de carga disminuye. Esto requiere un incremento de la corriente por la carga. Esta corriente no puede proceder de la fuente ya que la cada en ri y la corriente suministrada, no cambiarn mientras el diodo trabaje dentro de su zona de regulacin. La corriente de carga adicional ser debida a la disminucin de la corriente a travs del zener. En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensin continua (tensin de codo). En la zona de ruptura, entre la tensin de codo y la tensin zener (Vz nom) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la zona de ruptura se puede considerar como un generador de tensin de valor Vf= -Vz. El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensin trabajando en la zona de ruptura. Podemos distinguir: 1. Vz nom, Vz: Tensin nominal del zener (tensin en cuyo entorno trabaja adecuadamente el zener). 2. Iz min: Mnima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de ruptura (Vz min). 3. Iz max: Mxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la cual el dispositivo se destruye (Vz max). 4. Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente. Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz max. Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante): Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una

corriente inversa mayor o igual a Iz min. La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz max. La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar en el circuito.

Curva caracterstica de un diodo zener con Vz= 56v

Efecto Avalancha

Justo en el lmite antes de llegar a Ruptura, la pila va acelerando a los electrones. Y estos electrones pueden chocar con la red cristalina, con los enlaces covalentes. Choca el electrn y rebota, pero a VRuptura la velocidad es muy grande y por ello la Ec es tan grande que al chocar cede energa al electrn ligado y lo convierte en libre. El electrn incidente sale con menos velocidad que antes

del choque. O sea, de un electrn libre obtenemos dos electrones libres. Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrn de un enlace covalente, ceden su energa... y se repite el proceso y se crea una Multiplicacin por Avalancha. Y ahora IR ha aumentado muchsimo, tenemos una corriente negativa y muy grande (-100 mA). Con esta intensidad el diodo se estropea porque no est preparado para trabajar a esa IR.

OTRO ARTCULO

SEMICONDUCTORES Los dispositivos de estado slido son elementos pequeos pero verstiles que pueden ejecutar una gran variedad de funciones de control en los equipos electrnicos. Al igual que otros dispositivos electrnicos, son capaces de controlar casi instantneamente el movimiento de cargas elctricas. Se los utiliza como rectificadores, detectores, amplificadores, osciladores, conmutadores, mezcladores, moduladores, etc. Su peso y tamao son reducidos, son de construccin slida y muy resistentes mecnicamente lo que los hace libres de microfonismos y se los puede fabricar de manera que sean inmunes a severas condiciones ambientales. Materiales semiconductores Los dispositivos de estado slido hacen uso de la circulacin de corriente en un cuerpo slido. En general todos los materiales pueden clasificarse en tres categoras principales: conductores, semiconductores y aisladores. Como su nombre lo indica, un material "semiconductor" tiene menor conductividad que un "conductor" pero mayor conductividad que un "aislador". Hasta hace algunos aos el material ms utilizado en la fabricacin de semiconductores era el Germanio, luego fu reemplazado por el Silicio, material que sigue siendo utilizado actualmente. De cualquier manera en muchos circuitos todava son utilizados diodos de germanio. Resistividad La aptitud de un material para conducir corriente (conductividad), es directamente proporcional al nmero de electrones libres del material. Se denomina electrones libres a aquellos que se encuentran en la rbita ms externa del tomo y que estn unidos dbilmente al ncleo del mismo, por no estar completa la cantidad de electrones correspondientes a dicha rbita. Los buenos conductores tales como la plata, el cobre y el aluminio, tienen gran cantidad de electrones libres. Su resistividad es del orden de unas pocas millonsimas de ohm-cm3.

Los aisladores tales como el vidrio, el caucho y la mica, que tienen muy pocos electrones unidos dbilmente al ncleo, tienen resistividades que alcanzan millones de ohm-cm3. El germanio puro tiene una resistividad de 60 ohms-cm3, mientras la resistividad del silicio puro es considerablemente mayor, del orden de los 60.000 ohm-cm3. A estos materiales, cuando son utilizados para fabricar semiconductores, se le agregan impurezas para reducir su resistividad hasta un orden de aproximadamente 2 ohm-cm3 a temperatura ambiente. Esta resistividad disminuye rpidamente a medida que aumenta la temperatura en el cuerpo del semiconductor. Estructura atmica

Fig.1 - Atomo de Aluminio - Electrones (Cargas negativas): Cantidad Total = 13 (Cantidad en 1 Capa = 2, Cantidad en 2 Capa = 8, Cantidad en 3 Capa = 3 ) Nmero Atmico = 13 - Ncleo formado por: Protones (Cargas positivas): Cantidad = 13 Neutrones (Carga elctrica neutra): Cantidad =14 Peso atmico = 27 La teora electrnica explica que los tomos de todos los elementos estn constituidos de forma similar a la del aluminio: un ncleo formado por protones y neutrones y girando alrededor de l, distribuidos en capas y cada uno en su rbita, (esta de forma elptica), un nmero de electrones igual al nmero de protones. Por ser la carga elctrica de los ELECTRONES NEGATIVA y la de los PROTONES POSITIVA y adems contar el tomo con la misma cantidad de cada uno de ellos, estas cargas se compensan entre s dando como resultado un estado de carga elctrica neutra en el tomo. Por estar la materia formada por tomos, tambin es neutra en su estado normal, es decir est equilibrada elctricamente. Electrones Libres

Si fuera posible observar un grupo de tomos que conforman una molcula de aluminio, se vera que los electrones situados en la capa ms externa (cantidad = 3) y que estn dbilmente ligados al ncleo, no permanecen constantemente en el mismo tomo, sino que errticamente algunos de ellos saltan de tomo a tomo, por esta razn se los denomina Electrones Libres. La razn de la dbil ligazn de estos electrones con el ncleo se debe a que la tercer capa a la que pertenecen no se encuentra completa, es decir tiene un dficit de electrones. Esta es una caracterstica propia de los materiales coductores.

Se ha representado un tomo de carbono, en el tenemos la primer capa (rbita) completa, 2 electrones. La segunda capa (rbita) cuenta con 4 electrones solamente, para que el tomo fuera estable y no contara con electrones libres (dbil ligazn con el ncleo), esta capa debera tener 8 electrones. En la figura en la que se ha representado un tomo de cobre, en el tenemos la primer capa (rbita) completa, 2 electrones. La segunda capa (rbita) tambin est completa, 8 electrones. La tercer capa (rbita) se encuentra completa, 18 electrones. La cuarta capa (rbita) es la incompleta, esta capa podra tener un mximo de 32 electrones, pero para que el tomo fuera estable solo se necesitaran 8 electrones. Anteriormente en el documento se vio que los tomos de todos los elementos estn constituidos por un ncleo (formado por protones y neutrones) y una cantidad de electrones igual a la de los protones, dispuestos en capas u rbitas. Cada capa puede contener una mxima cantidad de electrones, este mximo nmero de electrones puede determinarse utilizando el siguiente clculo: Mxima cantidad de electrones por capa = 2n2 Siendo n el nmero de capa, contando a partir del ncleo, para la que se desea conocer la mxima cantidad de electrones que puede contener. CAPA DESIGNACION CANTIDAD MAX. ELECTRONES 1 K 2X12=2 2 L 2X22=8

3 4 5 6 7

M 2X32=18 N 2X42=32 O 2X52=50 P Desconocida Q Desconocida

Como se ha descrito, los electrones en un tomo se sitan en sucesivas capas a partir del ncleo: No puede formarse una nueva capa hasta que la anterior no haya completado la cantidad de electrones que le corresponde. Un tomo es estable, o sea que no se combina qumica ni elctricamente con otros tomos cuando su capa exterior se encuentra completa. Los electrones de la capa exterior son los que pueden combinarse qumica o elctricamente con los electrones de otros tomos, estos electrones son denominados ELECTRONES de VALENCIA. Cuando la capa exterior de un tomo contiene 8 electrones, el tomo se mantiene muy estable y no presenta tendencia a perder ni ganar ningn electrn. Por esta razn ningn tomo contiene ms de 8 electrones en su capa exterior. Por ejemplo, la capa N (cuarta capa) puede contener un mximo de 32 electrones, pero si esta capa constituye la capa exterior del tomo en cuestin no contendr ms que 8 electrones. Ejemplos tpicos son algunos gases denominados nobles: Argn - N Atmico: 10 Kriptn - N Atmico: 36 Nen - N Atmico: 36 1 Capa - 2 electrones 1 Capa - 2 electrones 1 Capa - 2 electrones 2 Capa - 8 electrones 2 Capa - 8 electrones 2 Capa - 8 electrones 3 Capa - 8 electrones 3 Capa - 18 electrones 4 Capa - 8 electrones En los gases descritos, as como tambin lo son el Radn y el Xenn, sus tomos por su estabilidad no tienden a combinarse con ningn otro elemento y ni siquiera entre s para formar molculas. Formacin de una molcula de un mismo elemento

Al compartir un electrn de su capa exterior dos tomos de Fluor forman una molcula de Fluor (F2). Como se puede apreciar en la figura, el tomo de Fluor contiene 7 electrones en su capa ms externa. Al no contener 8 electrones el tomo no es estable, sino que es qumicamente Activo, por lo tanto pretender permanentemente ganar un electrn para completar su capa ms externa. Si puede combinarse con algn otro elemento que este dispuesto a perder un electrn de su capa externa lo har, de lo contrario puede combinarse con otro tomo de su propia especie para formar la molcula de Fluor. En el caso citado anteriormente los dos tomos de Fluor simplemente estn compartiendo sus electrones. Esta condicin se mantendr mientras no se presente la oportunidad de que ambos tomos puedan adquirir el electrn que les falta, en este caso la molcula de Fluor se dividir en dos tomos y cada uno tomar del otro elemento un electrn que ya no tendr que compartir con sus pares. Formacin de la molcula de un compuesto

En la figura anterior se muestra como se combinan los tomos de dos elementos diferentes para formar una molcula de un compuesto, permitiendo comprender la mayor parte de las reacciones qumicas. El N 1 es un tomo de Sodio, en el centro se muestra el ncleo con 11 cargas positivas (11 protones) que equilibran sus 11 cargas negativas (11 electrones). Observemos como estn dispuestos estos electrones en las 3 capas del tomo: 2 en la primer capa (capa completa), 8 en la segunda capa (capa completa), 1 en la tercer capa (capa incompleta, deberan ser 8 por ser la capa externa). Al estar este undcimo electrn solo en la capa externa, el tomo de Sodio estar muy dispuesto a perderlo. El N 2 es un tomo de Fluor, este muestra 9 cargas positivas en su ncleo (9 protones) que equilibran sus 9 cargas negativas (9 electrones). Observemos como estn dispuestos estos electrones en las 2 capas del tomo: 2 en la primer capa (capa completa), 7 en la segunda capa (capa incompleta, deberan ser 8 por ser la capa externa). Al faltarle un electrn para completar esta ltima capa, el tomo de Fluor est muy dispuesto para ganar un electrn y completarla. Es evidente que si se colocan juntos un tomo de Sodio y uno de Fluor, el electrn libre de la capa externa del tomo de Sodio saltar a ocupar el lugar libre de la ltima capa del tomo de Fluor, dando como resultado esta combinacin un elemento compuesto denominado "Fluoruro de Sodio". Veamos ahora que los tomos de ambos elementos, N 3 y N 4, han quedado con una conformacin muy similar, la gran diferencia es que se han convertido en iones, ion positivo de Sodio (anin) e ion negativo de Fluor (catin).

En ambos ya las cargas positivas del ncleo no compensan las cargas negativas de los electrones, en el tomo de Sodio tenemos 11 cargas positivas en el ncleo y 10 electrones orbitndolo, el tomo ya no es neutro elctricamente, presenta una "carga positiva". En el tomo de Fluor tenemos 9 cargas positivas en el ncleo y 10 electrones orbitndolo, el tomo ya no es neutro elctricamente, presenta una "carga negativa". Las partculas de cargas distintas se atraen mutuamente y eso explica por qu se mantienen juntos los dos iones de Sodio y Fluor formando una molcula de Fluoruro de Sodio.

Estructura del Silicio y del Germanio El tomo de Silicio (Si) contiene 14 electrones dispuestos de la siguiente forma: 2 electrones en la primer capa (capa completa) 8 electrones en la segunda capa (capa completa) 4 electrones en la tercer capa o externa (capa incompleta). El tomo de Germanio (Ge) contiene 32 electrones dispuestos de la siguiente forma: 2 electrones en la primer capa (capa completa) 8 electrones en la segunda capa (capa completa) 18 electrones en la tercer capa (capa completa) 4 electrones en la cuarta capa o externa (capa incompleta). El Germanio y el Silicio tienen cuatro electrones en su capa exterior, por lo tanto un tomo de estos elementos puede combinarse con otros cuatro tomos iguales compartiendo un par de electrones con cada uno de ellos, completando as los 8 electrones de la capa exterior y adquiriendo as una configuracin estable. Los tomos de Silicio o de Germanio, ligados entre s de esta forma, conforman una red de cubos denominados "cristales elementales" que comparten los cuatro electrones de los vrtices comunes, dando lugar a la formacin del cristal de Silicio o de Germanio.

La estructura tal como se observa en la figura no tiene electrones dbilmente unidos al ncleo, por lo tanto el elemento conforma un mal conductor. Para poder separar las ligaduras covalentes y proveer as electrones libres para la conduccin de corriente elctrica, seria necesario aplicar altas temperaturas o campos elctricos intensos al material. Otra manera de alterar la estructura cristalina y obtener as electrones libres, consiste en agregar pequeas cantidades de otros elementos que tengan una estructura atmica diferente. Mediante el agregado de cantidades muy pequeas de otros elementos, llamados "Impurezas", es posible modificar y controlar las propiedades elctricas bsicas de los materiales semiconductores. La relacin entre "Impurezas" y material semiconductor es del orden de una parte en diez millones. Cuando se agrega al material semiconductor el elemento de "impureza", lo tomos de este elemento se incorporan a la estructura reticular del semiconductor pasando a formar parte de la misma. Si el tomo de impureza contiene un electrn ms de valencia en su capa exterior (5 electrones) que el tomo del semiconductor (4 electrones), este electrn adicional no podr formar una ligadura covalente debido a que no encontrar un electrn de valencia libre adyacente (Figura siguiente). El electrn excedente es atrado dbilmente por el ncleo del tomo y solo requiere una ligera excitacin para separarse, en consecuencia la presencia de tales electrones excedentes hacen al material mejor conductor, es decir su resistencia a la circulacin de corriente elctrica disminuye.

Los elementos de impureza ms utilizados que se agregan a los cristales de silicio para proveer los electrones excedentes incluyen al Fsforo (P), el Arsnico (As) y el Antimonio (Sb). Cuando se agregan al silicio estos elementos, el material resultante es denominado "Tipo N" debido a que los electrones libres excedentes tienen carga negativa. Debe hacerse notar, sin embargo, que la carga negativa de estos electrones se equilibra con una carga positiva equivalente situada en el ncleo de los tomos de impureza, por lo tanto el material sigue siendo neutro elctricamente. Se produce un efecto diferente cuando en la estructura cristalina del silicio se introduce impurezas cuyos tomos tienen un electrn de valencia menos en su capa exterior (3 electrones) que el tomo de silicio (4 electrones). Aunque todos los electrones de valencia del tomo de impureza forman ligaduras covalentes con los electrones de los tomos vecinos del semiconductor, una de las ligaduras de la estructura cristalina no puede completarse debido a que al tomo de impureza le falta un electrn de valencia en su capa externa con respecto a los que poseen los tomos del semiconductor. Como consecuencia de ello aparece en la estructura reticular del cristal un vaco denominado "Laguna" (figura siguiente).

Al quedar conformada as la estructura reticular del cristal, cualquier electrn de las ligaduras covalentes adyacentes puede entonces absorber suficiente energa como para romper su ligadura y moverse a travs de la red para llenar la laguna. Al igual que en el caso de los electrones excedentes, la presencia de lagunas dentro de la estructura, favorece la circulacin de electrones en el material del semiconductor, en consecuencia la conductividad aumenta y la resistividad disminuye. Se considera que el lugar vaco o laguna en la estructura cristalina tiene una carga elctrica positiva, porque representa la falta de un electrn. Sin embargo en este caso tambin la carga neta del cristal permanece invariable o sea neutra. El material semiconductor que contiene lagunas o cargas positivas es denominado material "Tipo P". Los materiales tipo P se forman agregando al silicio elementos como el Boro (B), Galio (Ga), Indio (In), Aluminio (Al). "Aunque existe poca diferencia en la composicin qumica de los materiales Tipo N y Tipo P, las diferencias en las caractersticas elctricas de los dos tipos de elementos son sustanciales y resultan muy importantes en el funcionamiento de los dispositivos semiconductores". Uniones P - N Cuando se unen dos pastillas de materiales semiconductores, una Tipo N y otra Tipo P, tal como se muestra en la Figura Siguiente, se produce un fenmeno singular pero muy importante en la zona en la que se ponen en contacto los dos materiales, denominada "Unin P-N".

Cuando se forma una unin P-N, algunos de los electrones libres del material Tipo N se difunden a travs de la unin hacia el material Tipo P, combinndose con las lagunas de este material. Estos electrones al abandonar el material N dejan huecos o lagunas en l, de modo que si observamos en la figura: "B", se podra interpretar que los electrones se mueven del material N al P y las lagunas del P al N. La energa trmica es la que produce esta llamada "Corriente de Difusin". Como resultado del proceso de difusin, se produce una Diferencia de Potencial a travs de la Regin de Carga Espacial. Esta diferencia de potencial puede representarse, tal como se muestra en la Fig. 10, como una batera imaginaria conectada a travs de la juntura P-N.

El smbolo de batera se utiliza simplemente para ilustrar los efectos elctricos internos de la juntura. Esta diferencia de potencial forma una barrera denominada "Barrera de Energa" la cual impide que se sigan difundiendo electrones a travs de juntura. En efecto, los electrones del material Tipo N que tienden a seguir difundindose a travs de la juntura son repelidos por la carga negativa inducida en el material Tipo P, mientras que las lagunas del material Tipo P son repelidas por la carga positiva inducida en el material Tipo N. Esta diferencia de potencial o barrera de energa impide por lo tanto una interaccin total entre los dos tipos de materiales, preservando as las diferencias en sus caractersticas. Circulacin de corriente a travs de una unin P-N Cuando se conecta una batera a una juntura P-N, la intensidad de corriente que circular por la juntura ser dependiente del nivel de tensin aplicada y de la polaridad con que se conecte la batera a la unin.

En el circuito elctrico representado en la figura "A" el Terminal Positivo de la batera externa ha sido conectado al Semiconductor N y el Terminal Negativo al Semiconductor P. Con esta disposicin de polarizacin de la unin P-N, los electrones libres del material semiconductor Tipo N son atrados por el Electrodo Positivo de la batera, alejndose de la unin. Al mismo tiempo, las lagunas del material semiconductor Tipo P son atradas por el Electrodo Negativo de la batera, alejndose tambin de la juntura. Como resultado de las condiciones descriptas en el prrafo anterior, la regin de carga espacial en la juntura se ensancha y la diferencia de potencial que representa llega casi al nivel de la tensin de la batera externa. La circulacin de corriente a travs de la unin es extremadamente pequea, si se produce. "Una unin P-N, alimentada por una fuente de Corriente Continua de esta manera, se dice que est Polarizada Inversamente". En el circuito elctrico representado en la figura "B", se han invertido las conexiones de la batera externa, estando ahora su Electrodo Positivo conectado al semiconductor Tipo P y su Electrodo Negativo al semiconductor Tipo N. Con esta disposicin de polarizacin de la unin P-N, los electrones del material Tipo P cercanos al Electrodo Positivo de la batera rompen sus ligaduras covalentes y entran a la batera, creando en el material nuevas lagunas. Al mismo tiempo los electrones libres del material Tipo N son repelidos por el Electrodo Negativo de la batera movindose hacia la juntura, al desplazarse van creando nuevos espacios o lagunas que son ocupados por nuevos electrones que ingresan al material desde el Electrodo Negativo de la batera. Toda esta accin da como resultado un estrechamiento de la carga espacial de modo que los electrones comienzan a difundirse rpidamente a travs de la juntura dirigindose hacia el electrodo positivo de la batera, al combinarse con las lagunas del material P. Esta circulacin electrnica continuar mientras se mantenga conectada la fuente de alimentacin externa. "Una unin P-N alimentada por una batera externa tal como se muestra en la figura "B", se dice que est Polarizada Directamente".

En esta figura se ha representado una curva generalizada para una Juntura P-N de la tensin de polarizacin de la juntura Vs. la intensidad de corriente circulante por la misma, observe que se han contemplado los casos de polarizacin directa e inversa. En la regin de polarizacin directa (cuadrante superior derecho), se puede ver que la intensidad de corriente circulante por la juntura, aumenta inicialmente lentamente a medida que aumenta la tensin aplicada a la juntura, es decir, partiendo desde tensin cero y prcticamente hasta llegar a los 500 mV a 600 mV, cada variacin de 100 mV producen un aumento en la intensidad de corriente de unos pocos mA, cruzando el umbral de la Barrera de Energa o de Potencial que impone la juntura (alrededor de 600mV), la intensidad de corriente aumenta rpidamente de modo que para variaciones de la tensin de polarizacin de unos pocos mV la intensidad de corriente aumenta en forma importante. En la regin de polarizacin inversa (cuadrante inferior izquierdo), observe que para variaciones de varios volts de la tensin aplicada la intensidad de corriente sufre escasas variaciones y est dentro del orden de los microAmpar (mA). El nivel de dicha tensin podr ser siendo aumentada (dependiendo del diodo utilizado) hasta un cierto nivel, despus del cual se producir un efecto de avalancha en la unin que producir un brusco aumento de la intensidad de corriente inversa que si no es limitada producir la destruccin instantnea de la unin. Dicho nivel de tensin es denominado Tensin de Zener. Diodos El dispositivo de estado slido ms simple es el Diodo, el cual se representa por el smbolo mostrado en la siguiente figura.

La estructura bsica del Diodo es una juntura P-N, similar a la descrita anteriormente. El material tipo N es denominado Ctodo del Diodo y es simbolizado por la letra K. El material tipo P es denominado Anodo del Diodo y es simbolizado por la letra P. El sentido de la flecha utilizada para simbolizar el nodo del diodo, representa el sentido de circulacin de Corriente Convencional a travs del diodo. El sentido de circulacin de corriente electrnica a travs del diodo (sentido de circulacin real de la corriente elctrica) es contrario a la flecha, es decir, de "Ctodo" a "Anodo" (negativo a positivo).