DEFECTOS EN LA RED CRISTALINA

DOCENTE ALEJANDRO MONROY VERGARA

ESTRUCTURA DE LOS SLIDOS

TIPOS DE SLIDOS
Slidos cristalinos
Los tomos, iones o molculas se empaquetan en un arreglo ordenado
Slidos covalentes ( diamante, cristales de cuarzo), slidos metlicos, slidos inicos.

Slidos amorfos
No presentan estructuras ordenadas
Vidrio y hule

SLIDOS CRISTALINOS
Estructura de los slidos cristalinos
Celda unitaria
Es la unidad estructural de un slido cristalino. Mnima unidad que da toda la informacin acerca de la estructura de un cristal

SLIDOS CRISTALINOS
Estructura de los slidos cristalinos Celda unitaria

SLIDOS CRISTALINOS
La estructura del slido cristalino se representa mediante la repeticin de la celda unidad en las tres direcciones del espacio

Celda unidad

Translacin eje y

Translacin eje X

Translacin eje Z

SLIDOS CRISTALINOS
Tipos de celdas unitarias

Sistemas cbico tetragonal ortorrmbico monoclnico triclnico hexagonal rombodrico

a=b=c a=bc abc abc abc a = b c a=b=c

= = =90 = = =90 = = =90 = =90 90 90 = =90 =120 == 90

SLIDOS CRISTALINOS
Empaquetamientos de esferas
Las esferas se empacan de forma distinta. Cada arreglo distinto presenta un nmero de coordinacin
Empaquetamiento no compacto
Celda unitaria Celda unitaria Celda cbica simple Celda cbica centrada en el cuerpo

Empaquetamiento compacto
Celda unitaria Celda unitaria Celda cbica centrada en las caras (ABC) Celda hexagonal compacta (ABA)

SLIDOS CRISTALINOS
Celda cbica simple (sc) Ejemplos : -Po, Hg

SLIDOS CRISTALINOS
Celda cbica simple (sc)

N de coordinacin:6 tomos por celda: 8 vrtices*1/8 =1 Relacin entre la longitud de arista y el radio del tomo: 2r = a Eficacia del empaquetamiento: 52%

r a

Vocupado Vcelda

(4 3 ) r 3
a
3

(4 3 ) r 3
(2r )
3

= 0 .52

SLIDOS CRISTALINOS
Celda cbica centrada en el cuerpo (bcc) Ejemplos: Fe, Cr, Mo, W, Ta, Ba

SLIDOS CRISTALINOS
Celda cbica centrada en el cuerpo (bcc)
N de coordinacin:8 tomos por celda: 8 aristas*1/8 + 1centro =2 Relacin entre la longitud de arista y el radio del tomo:

r=

3a 4

Eficacia del empaquetamiento: 68%

b a

Vocupado Vcelda

3 2(4 3 )r 3 2(4 3 )r 3 = = = = 0.68 3 3 4 r 8 a ) ( 3

b2=a2+a2 c2=a2+b2=3a2 c= 4r =(3a2)1/2

SLIDOS CRISTALINOS
Celda cbica centrada en las caras (fcc) (Empaquetamiento compacto ABC)

SLIDOS CRISTALINOS
Celda cbica centrada en las caras (fcc) Ejemplos: NaCl

SLIDOS CRISTALINOS
Celda cbica centrada en las caras (fcc)
N de coordinacin:12 tomos por celda: 8 aristas*1/8 + 6caras*1/2=4 Relacin entre la longitud de arista y el

4r

radio del tomo: (4r)2=a2+a2 Eficacia del empaquetamiento: 74%

Vocupado

Vcelda

4 (4 3 )r 3 a
3

( 4 3 )r 3 =
4r 21 / 2

= 0.74

SLIDOS CRISTALINOS
Celda hexagonal compacta (hc) (Empaquetamiento compacto ABA)

SLIDOS CRISTALINOS
Celda hexagonal compacta (hc) Ejemplos: Be, Mg, Zn, Cd, Ti

SLIDOS CRISTALINOS
Celda hexagonal compacta (hc)

N de coordinacin:12 tomos por celda: 2

Para el hexgono (3celdas): 12 vrticesx1/6 +2 carasx1/2 +3centro=6tomos Eficacia del empaquetamiento: 74%

Parmetros: a = ancho del hexgono c= altura; distancia entre dos planos

SLIDOS CRISTALINOS
Tipos de cristales
Cristales inicos
Caractersticas
La cohesin se debe a enlaces inicos (50-100 kJ/mol) Formados por especies cargadas Aniones y cationes de distinto tamao

Propiedades
Duros y quebradizos Puntos de fusin altos En estado lquido y fundido son buenos conductores de la electricidad

Ejemplos
NaCl, Al2O3, BaCl2, sales y silicatos

SLIDOS CRISTALINOS
Tipos de cristales
Cristales covalentes
Caractersticas
La cohesin cristalina se debe nicamente a enlaces covalentes (100-1000 kJ/mol)

Propiedades
Duros e incompresibles Malos conductores elctricos y del calor

Ejemplos
2 altropos de carbn (Cgrafito y Cdiamante, cuarzo (SiO2)

Tipos de cristales Cristales covalentes

SLIDOS CRISTALINOS

2 altropos de carbn Cgrafito y Cdiamante

SLIDOS CRISTALINOS
Tipos de cristales
Cristales moleculares
Caractersticas
Formados por molculas Unidos por fuerzas de Vas der Waals (1 kJ/mol) o enlaces por puentes de H

Propiedades
Blandos, compresibles y deformables Puntos de fusin bajos Malos conductores del calor y electricidad

Ejemplos
SO2, I2, H2O(s)

SLIDOS CRISTALINOS
Tipos de cristales
Cristales metlicos
Caractersticas
Cada punto reticular est formado por un tomo de un metal Los electrones se encuentran deslocalizados en todo el cristal

Propiedades
Resistentes debido a la deslocalizacin Debido a la movilidad de los electrones, buenos conductores de la electricidad

Ejemplos
Ca, Na, Li

SLIDOS AMORFOS
Los tomos o molculas que lo forman no se encuentran en posiciones fijas del cristal y por tanto, carecen de una distribucin tridimensional regular
Vidrio
Producto de fusin de materiales inorgnicos que se han enfriado a un estado slidos sin cristalizar Sus principales componentes son
SiO2, NaO2 y B2O3 fundidos

El color del vidrio es debido a la presencia de iones metlicos

Fe2O3, CuO UO2 CoO, CuO Au y Cu color verde color amarillo color azul color rojo

SLIDOS

SLIDOS
INTRODUCCIN
Estado de la materia que se caracteriza, a diferencia de los lquidos y gases por tener una dureza. Cuando un lquido se enfra, las molculas se mueven ms lentamente hasta que alcanzan un punto donde ya no hay movimiento y las molculas se agrupan en disposicin definida. En este punto el lquido pasa a slido.

PROPIEDADES GENERALES -Volumen y forma independiente del recipiente que lo contiene. -Son rgidos. -Se difunden con lentitud. -Prcticamente incomprensibles. -Altas densidades. -Altos puntos de fusin y ebullicin. -La mayora cristaliza, presentando formas geomtricas definidas.

CLASIFICACIN SLIDO CRISTALINO

Presenta un ordenamiento geomtrico regular. Sus propiedades son funcin de la direccin. Se llaman sustancias anisotrpicas porque sus propiedades varan con la direccin. Presentan puntos de fusin definidos.Ejemplo: hielo, NaCl.

SLIDO AMORFO
No presenta un ordenamiento geomtrico regular. Se le considera como un estado intermedio entre los lquidos y cristales. Sus propiedades no son funcin de la direccin. Se llaman sustancias istropas porque sus propiedades fsicas son las mismas en todas las direcciones. No presentan puntos de fusin definidos. Ejemplo: goma, algunos plsticos y el vidrio.

Ejemplos: Formas de la Slice

a) SiO2 cristalino Cuarzo

b) SiO2 amorfo Vidrio

SLIDOS CRISTALINOS -ESTRUCTURA CRISTALINA Localizacin completa de todas las partculas del cristal en el espacio. -RED CRISTALINA Patrn tridimensional repetitivo o peridico de partculas que forman el cristal. Se podra decir que es un arreglo tridimensional de celdas unitarias.

Celda unidad

Translacin eje Y

Translacin eje X

Translacin eje Z

-CELDA UNITARIA O ELEMENTAL Parte ms pequea que permite reproducir toda la red por traslacin. El tamao y la forma de la celda unitaria estn representados por las distancias a, b y c y por los tres ngulos entre pares de lados que se designan por , y .

-PARMETRO DE RED (CONSTANTE RETICULAR) Son las longitudes de los lados de las celdas unitarias.

CS

CBC (CCuC)

CFC (CCaC)

SISTEMAS CRISTALINOS Existen siete clases de celdas unitarias que se denominan sistemas cristalinos. REDES CRISTALINAS Puede haber 14 modos de ordenar la partcula en el espacio que se llaman las 14 redes de Bravais.

SISTEMA CRISTALINO Cbico Tetragonal Ortorrmbico Hexagonal Trigonal Rombodrica) Monoclnico Triclnico

EJES a=b=c a=bc abca a=bc (o a = b = c abca abca

NGULOS ENTRE EJES = = = 90 90 = = = 90 90 = = = 90 90 = = 90 90; = 120 120 = = 90 90 = = 90 90 ; 90 90 (Todos distintos de 90 90) )

NMERO DE TOMOS EN UNA CELDA UNITARIA UBICACIN DEL CONTRIBUYE A LA TOMO CELDA UNITARIA Vrtice o esquina 1/8 de tomo Arista Centro de la cara Centro de la celda 1/4 de tomo 1/2 de tomo 1 tomo

NMERO DE COORDINACIN Es el nmero de partculas que estn en contacto con una determinada partcula en el cristal.

CS

CFC

CBC

HCP

FACTOR DE ACOMODAMIENTO (F.A) Fraccin de espacio ocupado por los tomos en la celda.
VOLUMEN .DE.LAS .ESFERAS.DENTRO.DE.LA.CELDA F . A. = VOLUMEN .DE.LA.CELDA

% Volumen ocupado = Eficiencia de empaquetamiento = F.A. x 100 % Espacio libre = (1- F.A.) x 100

DENSIDAD A partir de las caractersticas de la red, puede obtenerse la densidad terica mediante la siguiente expresin:

m = V
m N 0 tomos.x.masa.atmica = = V VCELDA .x.N A

ESTRUCTURAS CRISTALINAS COMUNES Son los empaquetamientos compactos.

EMPAQUETAMI ENTO N DE PARTCULAS POR CELDA UNITARIA 1 x 8 =1 8 1x8+1x6=4 8 2 1x8+1=2 8 PARME TRO DE RED a= 2 r NMERO F.A. DE COORDINA CIN 6 0,52

CBICO SIMPLE CBICO DE CARA CENTRADA CBICO DE CUERPO CENTRADO HEXAGONAL COMPACTO

a = 2 2 r

12

0,74

a = 43 r 3

0,68

1 x 12 + 1 x 2 + 3 = 6 a = 2 r 6 2 c2 = 8 a2 3

12

0,74

CBICA SIMPLE (CS) Ejemplo: -Po, Hg

N de coordinacin:6 tomos por celda: 8 vrtices*1/8 =1 Relacin entre la longitud de arista y el radio del tomo: 2r = a Eficacia del empaquetamiento: 52%
r a

Vocupado Vcelda

(4 3)r 3 (4 3)r 3 = = = = 0.52

a3 (2r)3 6

CBICA DE CARA CENTRADA (CFC)

Ejemplos: NaCl, Cu, Au, Al, Ag

N de coordinacin:12 tomos por celda: 8 aristas*1/8 + 6caras*1/2=4 Relacin entre la longitud de arista y el
4r

radio del tomo: (4r)2=a2+a2 Eficacia del empaquetamiento: 74%

Vocupado
a

Vcelda

4 (4 3 )r 3 a
3

( 4 3 )r 3 =
4r 21 / 2

= 0.74

CBICA DE CUERPO CENTRADO(CBC)

Ejemplos: Fe, Cr, Mo, W, Ta, Ba

N de coordinacin:8 tomos por celda: 8 aristas*1/8 + 1centro =2

Relacin entre la longitud de arista y el radio del tomo:

3a r= 4
b
Eficacia del empaquetamiento: 68%

Vocupado 2(4 3)r 3 2(4 3)r 3 3 = = = = 0.68 3 3 4 r Vcelda 8 a ( ) 3

b2=a2+a2 c2=a2+b2=3a2 c= 4r =(3a2)1/2

HEXAGONAL COMPACTA (HC)

Ejemplos: Be, Mg, Zn, Cd, Ti

POLIMORFISMO Fenmeno por el cual las sustancias pueden cristalizar en ms de una forma geomtrica, dependiendo de la temperatura y la presin. Ejemplo: Al2O3 como alumina- y alumina-. Alotropa: polimorfismo en elementos puros. Ejemplo: el diamante, el buckminsterfullereno y el grafito son constitudos por atmos de carbono organizados en diferentes estructuras cristalinas.

Los polimorfos se representan como , , , ... en el orden de temperatura creciente. Ejemplo: Para el Fierro -Fe (600C) -Fe(1100C) cubica centrada cubica centrada en el cuerpo en las caras

ISOMORFISMO Fenmeno por el cual las sustancias pueden cristalizar en la misma forma geomtrica. El CaCO3 y MgCO3 ambos cristalizan en empaquetamiento hexagonal.

CaCO3 (CALCITA)

MgCO3 (MAGNESITA)

DIFRACCIN DE RAYOS X POR CRISTALES Guillermo Bragg y su hijo Laurencio (fsicos ingleses), indicaron que se podra considerar que los rayos x son reflejados por los distintos planos que forman el cristal. Para comprender cmo se genera un patrn de difraccin, considrese la dispersin de rayos X producida por tomos en dos planos paralelos.

La diferencia del camino de los rayos x para los dos planos ser igual a: xy + yz = 2xy = 2d Sen

As resulta que la ecuacin de BRAGG, formulada en 1913, es la siguiente: n = 2d Sen Si n=1 n=2 . . . reflexin de primer orden reflexin de segundo orden

DISPOSITIVO PARA OBTENER UN PATRN DE DIFRACCIN DE RAYOS X DE UN CRISTAL

Pantalla Cristal

Haz de rayos X

Placa fotogrfica

Tubo de rayos X

TIPOS DE SLIDOS CRISTALINOS

TIPO DE CRISTAL UNIDADES EN LOS PUNTOS RETICULARES FUERZA (S) QUE MANTIENEN LAS UNIDADES JUNTAS PROPIEDADES GENERALES INICO

Iones positivos negativos Atraccin electrosttica

NaCl

Duros, quebradizos, altos puntos de fusin, malos conductores del calor y la electricidad electricidad. . NaCl, NaCl , LiF LiF, , MgO

EJEMPLO

TIPO DE CRISTAL UNIDADES EN LOS PUNTOS RETICULARES FUERZA (S) QUE MANTIENEN LAS UNIDADES JUNTAS PROPIEDADES GENERALES

COVALENTE O C: MACROMOLECUMACROMOLECU LARES tomos

Grafito

Unin covalente
Diamante

Duros, altos puntos de fusin, malos conductores del calor y la electricidad. electricidad . C(diamante,grafito C(diamante,grafito), ), SiO2(cuarzo)

EJEMPLO

TIPO DE CRISTAL UNIDADES EN LOS PUNTOS RETICULARES FUERZA (S) QUE MANTIENEN LAS UNIDADES JUNTAS PROPIEDADES GENERALES

MOLECULAR Molculas o tomos Fuerzas de dispersin, fuerzas dipolo dipolo- dipolo, enlaces de hidrgeno Suaves, bajos puntos de fusin, malos conductores del calor y de la electricidad electricidad. .

Agua H2O

EJEMPLO

Ar, CO2, I2, H2O, C12 H22O11 (sacarosa)

TIPO DE CRISTAL UNIDADES EN LOS PUNTOS RETICULARES FUERZA (S) QUE MANTIENEN LAS UNIDADES JUNTAS PROPIEDADES GENERALES

METLICO tomos Enlace metlico

-Fe

Suaves o duros, de bajos o altos puntos de fusin, buenos conductores del calor y de la electricidad. electricidad . Todos los elementos metlicos por ejem ejem. . Hg, Fe, Cu. Cu.

EJEMPLO

ALEACIN Debido a la naturaleza del cristal metlico, es posible introducir otros elementos con relativa facilidad para producir sustancias llamadas aleaciones. Una aleacin se define mejor como una sustancia que contiene una mezcla de elementos y tiene propiedades metlicas.

Las aleaciones metlicas estn formadas por un agregado cristalino de dos o ms metales o de metales con metaloides. Las aleaciones se obtienen fundiendo los diversos metales en un mismo crisol y dejando luego solidificar la solucin lquida formando una estructura granular cristalina apreciable a simple vista o con el microscopio ptico.

TIPOS COMUNES DE ALEACIONES ALEACIN DE SUSTITUCIN

Parte de los tomos metlicos originales son sustituidos por otros tomos de tamao similar. Ejm. Zn-Cu y Ni-Cu Aproximadamente la tercera parte de los tomos del niquel son sustituidos por tomos de cobre (Ni-Cu).

Sustitucional pequeo

Sustitucional grande

ALEACIN INTERSTICIAL
Se forma cuando algunos intersticios (huecos) entre los tomos metlicos con empaquetamientos cercanos son ocupados por tomos mucho ms pequeos. Ejm. El acero Contiene tomos de carbono en los huecos de un cristal de hierro.

La presencia de tomos intersticiales cambia las propiedades del metal original. Muchos tipos de acero contienen otros elementos adems de hierro y carbono; se llaman ALEACIONES DE ACERO y se consideran como aleaciones mixtas de tipo intersticial (carbono) y de sustitucin (otros metales).

Fe

Estructura granular del acero

DEFECTOS CRISTALINOS La cristalizacin nunca es perfecta. Como en cualquier proceso natural se producen imperfecciones en el crecimiento. Estas imperfecciones reciben el nombre de defectos cristalinos. Son las responsables de variaciones en el color o la forma de los cristales.

DEFECTOS DE PUNTO Se presentan en un cristal formado por un solo tipo de tomos o molculas. -Vacancias: Se producen por la ausencia en la red de un elemento. Las vacancias, al igual que otros defectos, pueden desplazarse libremente a lo largo de la red.

-tomos intersticiales: Inclusin en la red de un tomo fuera de las posiciones reticulares. Con frecuencia este defecto se presenta unido a una vacancia, pues la formacin de una vacante favorece la aparicin de un tomo intersticial.

-Sustituciones:

Entrada en la red de un tomo diferente, pero de similar radio inico que el que la compone.

-Dislocaciones: Aparicin de nuevas filas de

elementos cuando en el plano anterior no existan.

En los slidos inicos se dan ciertos casos especiales de estos defectos de punto. -Defecto FRENKEL Es una imperfeccin combinada Vacancia Defecto intersticial. Ocurre cuando un in salta de un punto normal dentro de la red a un sitio intersticial dejando entonces una vacancia.

catin intersticial

vacante catinica

Se da en: - AgCl (Ag+ intersticial) - CaF2 (F- intersticial)

-Defecto SCHOTTKY
Es un par de vacancias en un material con enlaces inicos. Para mantener la neutralidad, deben perderse de la red tanto un catin como un anin.

-Centros F de color Un centro F es un electrn (e-) atrapado en una vacante aninica.

e-

DEFECTOS DE LINEA (DISLOCACIONES) -Dislocacin de arista. Hay un plano parcial adicional de tomos.

-Dislocacin de tornillo. Parte de un conjunto de planos de la red se ha desplazado una o ms unidades de red en relacin con los planos vecinas.

DEFECTOS DE PLANO

Los slidos suelen tener estructura microcristalina, la interfaz entre dos microcristales con orientaciones diferentes es un ejemplo de defecto de superficie o de plano.

SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante, dependiendo de la temperatura del ambiente en que se encuentre. Los semiconductores son usualmente materiales cuyos intervalos de banda de energa son menores de 2 eV. Tienen resistividad variable, pueden variar entre 10-5 y 107 m. Pueden ser cristalinos o amorfos. Su composicin: -Elementales, intrnsecos o puros (silicio, germanio). -Compuestos, extrnsecos, o impuros.

Ejemplos: Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si) Compuestos IV: SiC y SiGe Compuestos III-V: Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y InSb Ternarios: GaAsP, AlGaAs Cuaternarios: InGaAsP Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y CdTe

Tabla peridica donde se indica los elementos semiconductores y los elementos que forman compuestos semiconductores (columnas III/V y II/VI)

Segn las caractersticas principales de los materiales, un clasificacin puede ser:

Conductores (.cm) n (cm-3) 10-5 1020 Aislantes 1010 102 Semiconductores 101 1010

Para romper uno de los enlaces covalentes hay que aplicar una energa de 0,7 eV (Si) 1,1 eV (Ge) > Energa de ionizacin.
COBRE: MICA: SILICIO: GERMANIO:
Enlaces covalentes

= 10-6-cm = 1012-cm = 50x103-cm = 50 -cm

Para que la conduccin de la electricidad sea posible, es necesario que haya electrones que no estn ligados a un enlace determinado (banda de valencia), sino que sean capaces de desplazarse por el cristal (banda de conduccin). La separacin entre la banda de valencia y la de conduccin se llama banda prohibida, porque en ella no puede haber portadores de corriente (la diferencia de energa entre ambas bandas es el gap de energa semiconductor, Eg). El nmero de electrones libres de un semiconductor depende de los siguientes factores: calor, luz, campos elctricos y magnticos.

El ms importante de los materiales electrnicos es el silicio puro, al que se puede modificar para cambiar sus caractersticas elctricas. Con estos materiales se han podido crear, fabricar los circuitos integrados que han revolucionado la industria electrnica y de ordenadores. De un tiempo a esta parte se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn de todos ellos es que son tetravalente, teniendo el silicio una configuracin externa de 3s2 3p2.

SILICIO

Despus del oxgeno, el silicio es el elemento ms abundante en la corteza terrestre en: arena, cuarzo, granito, arcilla, etc.

-Fabricacin de componentes electrnicos. - Construccin de ladrillos, vidrios y otros materiales. -Silicona para implantes mdicos.

El Silicio Silicio: :
Ms utilizado utilizado. . Material gris quebradizo, con estructura cbica de diamante diamante. . Banda de energa es de 1.1 eV eV. . Ventaja: Ventaja : opera a mayores temperaturas. temperaturas . Estructura atmica atmica: : red cristalina cristalina. . Enlaces entre tomos: tomos : covalentes. covalentes . Electrones de valencia valencia: :4

El Germanio Germanio: :
No muy usado usado. . Material gris quebradizo, con estructura cbica de diamante diamante. . Banda de energa es de 0.67 eV eV. . Opera a temperaturas no mayores de 80C 80C. . Estructura atmica atmica: : red cristalina Enlaces entre tomos: tomos : covalentes Electrones de valencia valencia: :4

ESTRUCTURA DE UN SEMICONDUCTOR
Los semiconductores son elementos que tienen en su ltimo orbital entre 2 y 6 electrones de valencia. Los semiconductores estn formados por arreglos ordenados cristalinos de tomos en los cuales los vecinos ms cercanos estn unidos por enlaces covalentes.

NIVELES ENERGTICOS Mientras ms distante se encuentre el electrn del ncleo, mayor es el estado de energa, y cualquier electrn que haya dejado a su tomo, tiene un estado de energa mayor que cualquier electrn en la estructura atmica.
Energa
Banda de conduccin

Banda prohibida

Banda de valencia

1 eV = 1,6 x 10-19 J Eg = 1,1 eV (Si) Eg = 0,67 eV (Ge) Eg = 1,41 eV (GaAs)

Energa
Banda de conduccin

Electrones libres para establecer la conduccin

Energa
Banda de conduccin

Energa
Banda de conduccin Las bandas se traslapan

Eg > 5 eV Electrones de valencia unidos a la estructura atmica

Eg Banda prohibida Banda de valencia

Banda de valencia

Banda prohibida Banda de valencia

Aislante

Semiconductor

Conductor

BANDAS DE ENERGA

Son los niveles de un tomo los cuales pueden estar influenciados por energa externa o energa interna, en el tomo con estructura cristalina ordenada estn: la banda de conduccin, la banda de valencia.

BANDAS DE SEMICONDUTOR

ENERGA

DE

UN

A simple vista sera imposible que un semiconductor permitiera el movimiento de electrones a travs de sus bandas de energa. Sin embargo esta situacin solo se presentara cerca de los 0 K (cero absoluto).

Electrones exitados trmicamente

A temperaturas ms altas algunos de los electrones de la banda de valencia rompen sus enlaces y saltan espontneamente hacia la banda de conduccin

Huecos formados por los electrones

TIPOS DE SEMICONDUCTORES
Intrnsecos Con propiedades semiconductoras, por su composicin natural Extrnsecos Son semiconductores intrnsecos, a los que se aaden impurezas (en un proceso llamado dopado), para mejorar sus propiedades. Tipo N El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de electrones portadores en el material (los electrones son portadores de carga negativa). Tipo P El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos (los huecos son portadores de carga positiva).

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
Tienen estructura cristalina. Existen el mismo nmero de portadores positivos (huecos que quedan en la banda de valencia) que negativos (electrones que estn en la banda de conduccin). Es un semiconductor puro (sin impurezas, sin dopado). Su conductividad es debida a los electrones y a los huecos.

n : concentracin electrones p : concentracin de huecos

n = p = ni (concentracin intrnseca)

Electrones libres y zona de conduccin (conductor)

En equilibrio (aislante)

Ge: ni = 21013 portadores/cm3 Si: ni = 1010 portadores/cm3 AsGa: ni = 2106 portadores/cm3 (a temperatura ambiente)

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
Se introducen en el material mediante un proceso de dopado impurezas donadoras (tipo n, tomos del grupo V) o aceptoras (tipo p, tomos del grupo III).

Aparecen las corrientes de difusin. Las partculas tienden a dispersarse desde regiones de alta concentracin a regiones de baja.

Ocurre cuando no es homognea la distribucin de portadores en la pastilla semiconductora.

Proceso conocido como dopaje del cristal de silicio:

TIPO P: Portadores mayoritarios huecos (+)

TIPO N: Portadores mayoritarios electrones (-)

MATERIALES MODERNOS POLMEROS Son materiales orgnicos, livianos, dbiles y con un bajo punto de fusin. Termoplsticos - Polietileno, PVC, Nylon - Poliestireno expandido Termoestables - Bakelita, epxicos, polyester, silicona Elastomricos - Goma, neopreno, silicona

MATERIALES CERMICOS Vidrio: producto inorgnico que se ha enfriado a una condicin cristalina (SiO2). Cermicas: slidos inorgnicos policristalinos. (Al2O3, SiO2, Si3N4, SiC)

CRISTALES LQUIDOS
Un cristal es precisamente lo opuesto a un lquido. Y sin embargo existen sustancias reales, los cristales lquidos, que exhiben la dualidad slido-lquido, es decir, que, simultneamente, poseen propiedades de los lquidos, fluidez y viscosidad, y propiedades pticas que se parecen de modo asombroso a las de los cristales como, por ejemplo, poder reflejar colores diferentes dependiendo del ngulo bajo el cual se les observe.

SUPERCONDUCTIVIDAD Por superconductividad entendemos una propiedad de determinados materiales que por debajo de una temperatura crtica no ofrecen resistencia a la corriente elctrica. En estas condiciones son capaces de transportar la energa elctrica sin perdidas... o generar campos magnticos inmensos.

MATERIALES COMPUESTOS

KEVLAR

FIBRA DE VIDRIO FIBRA DE CARBONO

SELECCIN DE MATERIALES -Bsqueda de informacin: Propiedades (dureza, ductilidad, flexibilidad, limites de resistencia, peso, costo). -Matriz de comparacin y seleccin: Se asignan ponderaciones a cada propiedad segn la aplicacin. -Seleccin: Se selecciona el material disponible que cumpla con el mayor nmero de requerimientos