UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA Escuelas de Ciencias Bsicas, Tecnologa e Ingeniera CAD para Electrnica

ACTIVIDAD 6 TRABAJO COLABORATIVO 1 UNIDAD1: Conceptos, diseo y simulacin de circuitos electrnicos

Presentado por: CARLOS JAVIER GARCIA CODIGO: 93.293.308 LUIS EDUARDO ARMESTO CODIGO: 91421481 JHON JAIRO GARCIA CODIGO: 94.331.689 SERGIO DAVID MARTINEZ ZARATE - CODIGO: 91.540.351

Grupo: 302526_14

Director - Tutor Curso: Nelson Humberto Zambrano

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA - UNAD ESCUELA CIENCIAS BSICAS TECNOLOGA E INGENIERA (ECBTI) CEAD Santa Marta, Ibagu, Barrancabermeja. Abril 17 de 2013

INTRODUCCIN Este trabajo est basado en la simulacin de un circuito amplificador divisor de tensin con derivacin a BJT, el objetivo principal es analizar el comportamiento del transistor y determinar su ganancia tanto en tensin y corriente, no obstante con este planteamiento podremos visualizar su campo de aplicacin y aplicaremos los conocimientos adquiridos con la lectura y asesoras recibidas en el programa. Primero se realizar la simulacin del circuito, el cual se determin en conjunto con los integrantes del grupo, usando el software Circuit Maker. El transistor usado ser el 2N2222 (TO-92) bipolar NPN de baja potencia.

1. MARCO TEORICO
TRANSISTOR 2N2222 Tambin identificado como PN2222, es un transistor de silicio, bipolar NPN y de baja potencia de uso general. Sirve tanto para aplicaciones de amplificacin como de conmutacin. Puede amplificar pequeas corrientes a tensiones pequeas o medias; por lo tanto, slo puede tratar potencias bajas (no mayores de medio Watts). Puede trabajar a frecuencias medianamente altas. Por todas esas razones, es un transistor de uso general, frecuentemente utilizados en aplicaciones de radio por los constructores aficionados. Sus principales caractersticas son:

Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo) Corriente de colector constante 800mA (Ic) Potencia total disipada 500mW(Pd) Ganancia o hfe 35 mnima Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft) Encapsulado de metal TO-18 Estructura NPN Su complementario PNP es el Transistor 2N2907

Curva Caracterstica del Transistor 2N2222

VOLTAJE BASE-EMISOR VS CORRIENTE COLECTOR

REGIN DE TRABAJO Se denominar punto de trabajo, a aquel par de valores IC, VCE de la recta de carga, que el transistor tiene en unas condiciones de trabajo determinadas por el circuito en el que se encuentra.

Para determinar este punto de trabajo, de manera grfica, tomamos la recta de carga en la grfica IC, VCE de las curvas de salida que da el fabricante, y en el punto de interseccin de esta recta con la curva caracterstica dada por la I B generada segn el circuito de polarizacin del transistor, ser el punto de trabajo.

Segn la posicin del punto de trabajo en la recta de carga, se establecen las tres zonas de funcionamiento del transistor, con unas caractersticas diferenciadas. Para nuestro caso segn el circuito dado, este transistor trabajara en la zona activa o lineal Zona activa: Es una amplia regin de trabajo comprendida entre corte y saturacin, con unos valores intermedios tanto de IC como de VCE. MONTAJE EN PROTOBOARD DE AMPLIFICADOR BJT CON TRANSISTOR 2N2222

2. PROCEDIMIENTO
1. Se realiza el montaje de un circuito amplificador divisor de tensin con derivacin a bjt (transistor el 2N2222) usando el software simulador Circuit Maker 2000.

2. Se determina el valor de ganancia de tensin y corriente del amplificador montado para una seal x a frecuencia f, cuyos resultados obtenidos en la simulacin fueron: Ganancia voltaje= Vs/Ve = 2,01/0,007202= 279,09 Ganancia intensidad= Is/Ie = 2,01/7,596= 26,46

3. Se toma una seal de frecuencia aplicada a la del amplificador, luego se modifica 10 veces por debajo de dicha seal, se grafica tanto la seal de entrada como la de salida al amplificador, por ltimo se calculan las ganancias de tensin y corriente, tabulando los datos. La seal de Referencia es de 30KHz. La simulacin evidenci lo siguiente:

Frecuencia en la Entrada del Circuito (Generador de Seales)

Frecuencia de salida del transistor

Esta seal se modifica 10 veces por debajo de su valor, su valor mnimo fue de 30Hz evidenciado en la siguiente simulacin.

Frecuencia de entrada en la base del transistor

Frecuencia de salida del transistor

Frecuencia
30 Hz 100 Hz 500 Hz 1 KHz 8 KHz 10 KHz 15 KHz 20 KHz 25 KHz 30 KHz

IB (nA)
0,9077 3 6,576 7,165 7,539 7,553 7,574 7,584 7,591 7,595

IC (nA)
24,02 73,64 174,1 189,6 199,6 199,9 200,5 200,8 200,9 201

26,46 26,47 26,47 26,46 28,51 26,61 26,47 26,47 26,78 26,8

Esta tabla se desarrolla a partir de la siguiente ecuacin caracterstica de los transistores: = IC/IB , Dnde: = Ganancia del transistor IC = Corriente del colector. IB = Corriente de base Graficamos los datos obtenidos y calculados.

4. Ahora se modifica la frecuencia 10 valores por encima a 30KHz y se realiza el procedimiento anterior. Se evidencia de la siguiente manera: |Frecuencia mxima de prueba de 1000 KHz o 1MHz

Frecuencia de entrada en la base del transistor

Frecuencia de salida del transistor

Frecuencia
30 KHz 50 KHz 80 KHz 120 KHz 200 KHz 300 KHz 400 KHz 500 KHz 600 KHz 700 KHz 1000 KHz

IB (nA)
7,595 7,605 7,611 7,613 7,616 7,618 7,619 7,619 7,619 7,619 7,619

IC (nA)
201 201,3 201,5 201,5 201,6 201,7 201,7 201,7 201,7 201,7 201,7

26,8 26,46 26,47 26,47 26,47 26,47 26,47 26,47 26,47 26,47 26,47

50

100

150

200

250

0 30 Hz 100 Hz 500 Hz 1 KHz 8 KHz 10 KHz 15 KHz 20 KHz 25 KHz 30 KHz 50 KHz 80 KHz 120 KHz 200 KHz 300 KHz 400 KHz 500 KHz 600 KHz 700 KHz 1000 KHz IC (nA) IB (nA)

Unificando ambas curvas obtenemos:

5. Con base en los datos anteriores en la simulacin se halla el valor de frecuencia donde se obtiene la mayor amplitud de tensin en la seal de salida.

Frecuencia Vb (mV)
30 Hz 100 Hz 500 Hz 1 KHz 8 KHz 10 KHz 15 KHz 20 KHz 25 KHz 0,01043 0,01011 0,008051 0,007524 0,007231 0,007224 0,007214 0,007208 0,007205

Vc (mV)
0,24 0,736 1,741 1,896 1,996 1,999 2,005 2,008 2,009

30 KHz
50 KHz 80 KHz 120 KHz 200 KHz 300 KHz 400 KHz 500 KHz 600 KHz 700 KHz 1000 KHz

0,007202
0,007199 0,007196 0,007194 0,007193 0,007192 0,007193 0,007192 0,007192 0,007192 0,007192

2,01
2,013 2,015 2,015 2,016 2,016 2,017 2,017 2,017 2,017 2,017

El mximo volar de la amplitud de voltaje en la salida de denota a partir de los 400KHz (2,017 mV) 6. Se toma la frecuencia 1000KHz (2,017mV), determinada en el punto anterior, Como referencia, se modifica el el valor del condensador de derivacin 5 veces y observamos su comportamiento.

Frecuencia de entrada en la base del transistor

Frecuencia de salida del transistor (Condensador de Derivacin de 10F)

Frecuencia de salida del transistor (Condensador de Derivacin de 30F)

Frecuencia de salida del transistor (Condensador de Derivacin de 60F)

Frecuencia de salida del transistor (Condensador de Derivacin de 80F)

Frecuencia de salida del transistor (Condensador de Derivacin de 100F)

CONCLUSIONES

Se logr la interaccin con el programa de simulacin de circuitos electrnicos Circuit Maker utilizando el transistor 2N2222 como amplificador BJT y otros elementos necesarios para ver cmo se polariza y el funcionamiento del amplificador con divisor de tensin, verificando y comprobando los lmites de amplificacin de una pequea seal alterna. Con el aumento de la frecuencia, se observa un aumento de ganancia, esto debido a que se disminuye la impedancia en RE y C1; en RE se ve la disminucin ya que el valor de la reactancia capacitiva es menor con el aumento de dicha Frecuencia. Este taller ms que analizar el comportamiento del transistor, permiti ejercitarnos y conocer cada icono del programa simulador Circuit Maker 2000, lo cual es el objetivo primordial del programa de CAD para Electrnica, conocer y manejar las nuevas herramientas que permitan mejorar nuestros diseos en ingeniera electrnica.