Difusin

5-1
INTRODUCCIN A LA
INGENIERA DE
MATERIALES
Dr. Hernn Alvarado
Difusin Atmica en Slidos
La difusin es el mecanismo por el cual la
materia se transporta a travs de la materia.
Ejemplos:
Movimiento de partculas de smoke en aire:
Muy rpido.
Movimiento de tinta en agua :
Relativamente lento.
Reacciones en estado slido : Movimiento
muy restringido debido al enlazamiento.
5-2
Mecanismo de Difusin Sustitucional o por Vacantes
Los tomos difunden en los slidos s:
Las vacantes u otros defectos
cristalinos estn presentes
Hay suficiente energa de activacin

Los tomos se mueven en las vacantes
presentes.
Ms vacantes son creadas a temperaturas
ms altas.
La velocidad de difusin es ms alta a
temperaturas altas.
5-3
Difusin Sustitucional
Ejemplo: S el tomo A
tiene suficiente energa de
activacin, se mueve hasta
la vacante autodifusin.






A medida que el punto de fusin se incrementa, la
energa de activacin tambin se incrementa.

Energa de
activacin de
autodifusin
Energa de
activacin
para formar
una vacante
Energa de
activacin
para mover
una vacante
= +
Figura 4.35
5-4
Mecanismo de Difusin Intersticial
Los tomos se mueven de
un sitio intersticial a otro.
Los tomos que se mueven
tienen que ser mucho ms
pequeos que los tomos
de la matriz.
Ejemplo:
El Carbono se difunde
intersticialmente en el
hierro (BCC) y en el
hierro (FCC).

tomos intersticiales
tomos de
la matriz
Figura 4.37
5-5
Difusin en Estado Estacionario
No hay cambio en la concentracin de tomos de soluto en
planos diferentes en un sistema, en un periodo de tiempo.
No ocurre reaccin qumica. Slo flujo neto de tomos.
C
1
C
2
Flujo neto de tomos
por unidad de rea
por unidad de tiempo
= J
Flujo de tomos de soluto
tomos que
se difunden
rea
unitaria
Concentracin
de tomos que
se difunden
Distancia x
Figura 4.38
5-6
1ra Ley de Fick
El flujo o corriente de tomos est dado por





Es decir, para condiciones de difusin en estado
estacionario, el flujo neto de tomos por difusin atmica
es igual al coeficiente de difusin D por el gradiente de
difusin dc/dx .

Ejemplo: La difusividad del hierro FCC a 500
o
C es 5 x
10
-15
m
2
/s y a 1000
o
C es 3 x 10
-11
m
2
/s
dx
dc
D J =
J = Flujo neto de tomos.
D = Coeficiente de difusin, Difusi-
vidad Capacidad de difusin.

dx
dc
= Gradiente de concentracin.
5-7
Difusividad
La difusividad depende de:
Tipo de difusin : Si la difusin es intersticial o
sustiticional.
Temperatura: A medida que la temperatura se
incrementa la difusividad se incrementa.
Tipo de estructura cristalina: El cristal BCC
tiene un FEA ms bajo que FCC y por lo tanto
tiene una mayor difusividad.
Tipo de imperfeccin cristalina: Estructuras ms
abiertas (lmites de grano) incrementan la difusin.
La concentracin de especies que se difusnden:
Concentraciones de tomos de soluto que se
difunden ms altas afectarn la difusividad.

5-8
Difusin en Estado No Estacionario
La concentracin de tomos de soluto en cualquier
punto en el metal cambia con el tiempo en este caso.
Segunda Ley de Fick:- La velocidad del cambio de
composicin es igual a la Difusividad multiplicado por
la velocidad del cambio del gradiente de concentracin.
|
|
.
|

\
|
=
dx
dc
D
dx
d
dt
dC
x x
Plano 1
Plano 2
Cambio de concentracin de tomos de soluto
con cambio en el tiempo en diferentes planos
5-9
Segunda Ley de Fick Solucin



C
s
= Concentracin superficial del
elemento del gas que difunde
en la superficie.
C
0
= Concentracin inicial uniforme
del elemento en el slido.
C
x
= Concentracin del elemento a
la distancia x de la superficie en
el tiempo t.
x = Distancia desde la superficie.
D = Difusividad del soluto.
t = Tiempo.
erf = Funcin error
Distancia x
C
0
C
x
C
s
Tiempo = t
2
Tiempo = t
1
Tiempo = t
0
x
|
|
.
|

\
|
=

Dt
x
erf
C C
C C
s
x s
2
0
Figura 4.39
5-10
Aplicaciones Industriales de la Difusin Endurecimiento Superficial
Los componentes que deslizan y rotan
necesitan tener superficies duras.
Estas piezas son usualmente maquinadas
con acero de bajo carbono puesto que son
fciles de maquinar.
Su superficie es luego endurecida por
carburizacin.
Las piezas de acero son puestas a
temperatura elevada (927
0
C) en una
atmsfera de gas de hidrocarburo (CH
4
).
El carbono difunde en la superficie del
hierro y llena los espacios intersticiales para
hacerlo ms duro.
5-11
Carburizacin o Cementacin
Pieza de acero
de bajo carbono
tomos de carbono
que se difunden
C %
Figura 4.43 b
Gradientes de carbono
en metales carburizados
(Segn Metals handbook, vol.2: Heat Treating, 8
th
ed, American Society of Metals, 1964, p.100)
5-12
Difusin de Impurezas en Obleas de Silicio
Se difunden impurezas en obleas de silicio para
cambiar sus caractersticas de conductividad elctrica.
Se usa en la produccin de circuitos integrados.
La oblea de silicio se expone al vapor de impureza a
1100
0
C en un horno tubular de cuarzo.
La concentracin de
impureza en cualquier
punto depende de la
profundidad y el
tiempo de exposicin.

Figura 4.44
(Segn W.R. Runyan, Silicon Semiconductor Technology, McGraw-Hill, 1965.)
5-13
Efecto de la Temperatura en la Difusin
La dependencia de la velocidad de difusin con la
temperatura est dado por


RT
Q
D D
RT
Q
D D
e D D
RT
Q
303 . 2
log log
ln ln
0 10 10
0
0
=
=
=



D = Difusividad , m
2
/s
D
0
= Constante de proporcionalidad, m
2
/s
Q = Energa de activacin de especies que
se difunden, J/mol
R = Constante molar de los gases
= 8.314 J/mol.K = 1.987 Cal/mol.K
T = Temperatura, (K)
5-14
Y = b + m X
Efecto de la Temperatura sobre la Difusin-Ejemplo
Si las difusividades se conocen para dos temperaturas,
Q y D
0
pueden determinarse resolviendo dos ecuaciones.

Ejemplo:-
La difusividad de tomos de plata en plata es 1 x 10
-17
a
500
0
C y 7 x 10
-13
a 1000
0
C.
Por tanto,

mol KJ Q
R
Q
T T R
Q
RT Q
RT Q
D
D
/ 183
773
1
1273
1
exp
10 1
10 7
1 1
exp
) / exp(
) / exp(
17
13
1 2 1
2
500
1000
=
|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
=

|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|

Resolviendo para la energa de activacin Q

5-15
Datos de Difusividades para algunos Metales

Soluto Solvente D
0
(m
2
/s)
Q KJ/mol
Carbono Fe FCC 2 x 10
-5
142
Carbono Fe BCC 22 x 10
-5
122
Cobre Aluminio 1.5 x 10
-
5
126
Cobre Cobre 2 x 10
-5
197
Carbono Titanio
HCP
51 x 10
-5
182
Figura 4.47
(Segn L.H. Van Vlack. Elements of Materials Science and Engineering. 5
th
ed., Addison-Wesley, 1985. P.137.)
5-16
Grficas de Arrhenius mostrando datos de la
difusividad para algunos sistemas metlicos.