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a)
b)
Una vez que ya sabemos cuales la energa de cada fotn que produce un par electrn hueco, si la potencia que incide es 1w=1J/s, esto nos indica que cada segundo, llega energa equivalente a un Joule, entonces tenemos 3.17x1018fotones/s; como cada fotn genera un par electrn hueco, si Volumen=(1)(0.1)=0.1cm3 entonces g=3.17x1018/0.1; g=3.17x1019pares e-h/cm3s. b) Sabemos que ( )
Asumiendo que la movilidad de los huecos es invariante en el espacio y derivando respecto a x la ecuacin anterior: Sustituyendo en la ecuacin 6.18
6.3.-
. El
tiempo de portadores minoritarios es de . (a) Cual es tiempo de vida de los portadores mayoritarios? (b) determinar la razn de generacin de electrones y huecos en este material. (c) Determine la razn de recombinacin en equilibrio trmico de electrones y huecos en este material? Sol. Tenemos que y
Como se trata de un semiconductor tipo n, entonces Si adems suponemos que hay bajo nivel de inyeccin ( ( ) los huecos minoritarios ocurre con un tiempo constante
) entonces el decaimiento de ( )
Por lo cual la constante de proporcionalidad es; Si ahora suponemos que el semiconductor esta a temperatura ambiente (T=300K) sabemos que , y entonces a) el tiempo de vida de los portadores mayoritarios ser:
b) y c) en el equilibrio, la velocidad de generacin de electrones y huecos es igual a la velocidad de recombinacin de los electrones y de los huecos:
6.6.-
Considere un flujo de huecos unidimensional como se muestra en la figura 6.4. Si la razn de generacin de huecos en este diferencial de volumen es y razn de recombinacin es , cual debera ser el gradiente en la densidad de corriente de partculas, para mantener la concentracin en estado estacionario.
Solucin: Tenemos que de la ecuacin 6.18 conocida como la ecuacin de continuidad para huecos. ( ) entonces
En donde el flujo esta dado en #e/cm2-s. Para el caso estacionario sabemos que tenemos:
Si
b) Entonces c)
x=0
Derive la expresin para el exceso de portadores minoritarios concentracin de portadores como una funcin de x.
)
( )
, y no
hay generacin de portadores dado que no hay condicin para que lo hagan, entonces la ecuacin nos queda de la forma.
( ) (
Dn y nos queda:
que est
definido como la longitud de difusin de portadores minoritarios electrones. Entonces nos queda como
( )
( )
Podemos evaluar condiciones de frontera Para sustituimos en la ecuacin y observamos que el primer termino se ( ) y para que esto suceda
sustituimos en la ecuacin y observamos que el segundo termino ( ) y para que esto suceda
6.24.-Suponga que un semiconductor tipo p esta en equilibrio trmico para t<0 y tiene un tiempo
de vida de portadores minoritario infinito. Tambin asuma que el semiconductor es iluminado uniformemente, resultando una razn de generacin, ( ), que esta dado por: () () Donde es una cte. Encuentre el exceso de portadores minoritarios en funcin del tiempo.
Solucin. El exceso de portadores tanto de huecos como electrones no se mueve independientemente uno de otro, pero se difunden y arrastran con el mismo coeficiente de difusin y movilidad este fenmeno se llama transporte ambipolar. Al ser un material tipo p los portadores minoritarios son electrones entonces de la ecuacin ambipolar de transporte para semiconductor tipo p ( ) ( ) ( ) (
(
)
) ( )
Como el semiconductor esta siendo iluminado uniformemente esto implica la condicin de la razn generacin uniforme y un semiconductor homogneo es decir as que la ecuacin 6.55 nos queda ( ) ademas
( )
Tenemos que
)(
entonces
) (
; ahora, comparando con la relacin de Einstein, es claro que los resultados son consistentes con lo
esperado tericamente.
Adems
)(
(a) determinar la
posicin del nivel de fermi con respecto al nivel intrnseco. (b) el exceso de portadores son generados tal que la concentracin de portadores en exceso es 10% la concentracin la concentracin de portadores minoritarios en equilibrio trmico. Determine los cuasi niveles de fermi con respecto al nivel intrnseco (c) dibuje el nivel de Fermi y los cuasi niveles de fermi con respecto al nivel intrnseco. Solucin. (a)Tenemos un semic. Tipo p entonces ( ) ( )
(b) como la concentracin de portadores en exceso es 10% la concentracin la concentracin de portadores minoritarios en equilibrio trmico. ( )
Entonces ( ) ( ) ( )
( )y
) ; entonces
)=
* *
( (
) )+
condiciones del problema * ( )+ (0.01) ; as que ; entonces concluir que hay baja inyeccin, ya que de baja inyeccin, que para este caso es b) Tenemos que ; entonces masas ; as tenemos ( = ) ; ( ; .
) y sabemos que
primera ecuacin: = ( );
( )
) ( )
tambin . Suponemos baja ), (b) Calcule para un semiconductor que es (a) tipo n ( ), y (c) tipo p ( ).
Reduciendo trminos por las ecuaciones 6.103 y 6.104. nos queda. ( ( Si y (( ( Si )( ) ) ( entonces ) ) ) ( ( ) ) ( ( ) ) ) ) (
y si despreciamos( Entonces
Tambin si
) (
(b) Intrnseco (
entonces ) ( )
analizaremos el caso en el que el semiconductor est en el estado estacionario, la ecuacin ambipolar se reduce a
Sabemos que la velocidad de recombinacin en la superficie se relaciona con el gradiente de concentracin en la superficie, tal que
[ ( )]
) ; en x=0 tenemos
entonces
); as que
Como
) ( )* ( )+ )+ ( )];
* Entonces, sii) s=0 , iii) s=, ) ) ) ( )=0. [ ( ( )= ; ii) s=0, )] . ; ii) s=2000, [
( )=0.833x