RESISTOR LDR

AUTORES BAZANTE, Sergio Gustavo DE ALMEIDA, Gonzalo Antonio KELM, Marcelo Javier

RESUMEN Los LDR son resistores variables que dependen de la luz incidente sobre ellos para variar su resistencia. El valor de resistencia es inversamente proporcional a la luz incidente. Se basan en el efecto fotoelctrico y se fabrican con semiconductores encapsulados. Se utilizan en control de iluminacin principalmente.

DESARROLLO Definicin y funcionamiento Los resistores LDR (Light Dependent Resistor) son componentes resistivos no lineales cuyo valor hmico depende de la luz que incide sobre l. Son semiconductores detectores de luz sin unin pn. Tambin es conocido como: foto resistor, fotorresistencia, fotoconductor, clula fotoelctrica.

Figura 1. LDR real

Figura 2. Smbolo del LDR

Su funcionamiento se basa en el efecto fotoelctrico. El LDR est hecho de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio (CdS). Los semiconductores tienen la caracterstica de disminuir su resistencia al aumentar la iluminacin a la que estn sometidos. Conforme la intensidad de iluminacin aplicada aumente, el estado de energa de los electrones y los tomos superficiales tambin aumenta, con lo cual el nmero de portadores libres se eleva, conduciendo electricidad y produciendo la correspondiente cada en la resistencia. La relacin entre el valor de resistencia y la iluminacin se puede expresar mediante la siguiente expresin: = Donde R es la resistencia en ohmios, L es la iluminacin en lux, A y son constantes que dependen del tipo material con que se construye. Los valores tpicos varan entre 1 M, o ms, en la oscuridad y 100 con luz brillante.

Figura 3. Curva caracterstica del LDR

Los LDR pueden requerir de unos pocos milisegundos o ms para responder completamente al cambio de intensidad de luz. Pero estas pueden requerir varios minutos para retornar a su resistencia normal de oscuridad cuando la luz se retira (efecto memoria). Fabricacin y aspecto fsico El material del que estn fabricados ms comnmente es el sulfuro de cadmio (CdS), utilizado como elemento sensible a las radiaciones visibles. El sulfuro de plomo (PbS) se emplea en las LDR que trabajan en el margen de las radiaciones infrarrojas. Estos materiales se colocan en encapsulados de vidrio o resina. En la mayora, el semiconductor sensible a la luz es recubierto entre los electrodos interpaginados para incrementar la superficie expuesta; puede ser utilizada, o no, una ventana de vidrio o plstico. En la figura 4 podemos ver internamente la pista semiconductora, que est diseada como un zigzag para que la longitud sea mayor y sea posible detectar ms luz.

Figura 4. Pista semiconductora

Principales caractersticas en los data sheets. Disipacin mxima de potencia (en mW). Tensin de pico mxima (en V). Resistencia en la oscuridad (valor mnimo dado en M). Resistencia a un valor dado de luz y a una determinada temperatura (lux/K). Margen de respuesta espectral: espectro lumnico al que es sensible el LDR (en nm). Tiempo de respuesta. Velocidad de variacin: este dato mide la velocidad a la que es capaz de responder a un cambio lumnico de un nivel de 1000 lux a la oscuridad (en K/s).

Aplicaciones Se emplean en iluminacin, apagado y encendido de alumbrado (interruptores crepusculares), en alarmas, en cmaras fotogrficas, en medidores de luz. Los de gama infrarroja se utilizan en control de mquinas y deteccin de objetos. Prctica Para mostrar el funcionamiento del LDR, armamos el siguiente circuito:

Cuando el LDR este expuesto a la luz, su resistencia ser mnima, por lo cual casi toda la corriente pasara por l. De esta manera el LED estar apagado. Cuando el LDR este privado de luz, su resistencia ser mxima, por lo cual casi toda la corriente pasara por el LED. De esta manera el LED estar encendido.

REFERENCIAS PRCTICA CON SISTEMAS ELECTRONICOS, I. Sahuquillo P. Lascorz. ABC DE LA ELECTRONICA, Steren. http://es.wikipedia.org/wiki/Fotorresistencia