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Trata-se da verso corrigida da dissertao.

A verso original se encontra disponvel na EESC/USP


que aloja o Programa de Ps-Graduao de Engenharia Eltrica.



Dissertao de Mestrado apresentada Escola
de Engenharia de So Carlos, da Universidade
de So Paulo, como requisito para obteno do
Ttulo de Mestre em Cincias, Programa de
Engenharia Eltrica.

rea de Concentrao: Sistemas Dinmicos.
Nilton Eufrzio Martinho Moambique
Aplicao de Algoritmos de Busca do
Ponto de Mxima Potncia e
controladores lineares e/ou Fuzzy
para a regulao da tenso terminal
de Painis Fotovoltaicos
Nilton Eufrzio Martinho Moambique
Orientador: Prof. Dr. Ricardo Quadros Machado
So Carlos
2012




AUTORIZO A REPRODUO E DIVULGAO TOTAL OU PARCIAL DESTE TRABALHO, POR
QUALQUER MEIO CONVENCIONAL OU ELETRNICO, PARA FINS DE ESTUDO E PESQUISA,
DESDE QUE CITADA A FONTE.

Ficha catalogrfica preparada pela Seo de Atendimento ao Usurio do Servio de Biblioteca
EESC/USP









Moambique, Nilton Eufrzio Martinho
M688a Aplicao de algoritmos de busca do ponto de mxima potncia e controladores
lineares e/ou Fuzzy para a regulao da tenso terminal de painis fotovoltaicos / Nilton Eufrzio
Martinho Moambique ; orientador Ricardo Quadros Machado. So Carlos, 2012.


Dissertao (Mestrado - Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica e rea
de Concentrao em Sistemas Dinmicos)-- Escola de Engenharia de So Carlos da Universidade
de So Paulo, 2012.


1. Painel fotovoltaico. 2. MPPT. 3. Controlador Fuzzy. 4. Eletrnica de potncia. I.
Ttulo.











Agradecimentos
A DEUS, Pai Todo Poderoso, pelo dom da vida e por tudo aquilo que ela
representa.
minha dedicada esposa Dina e a nossa amada filha Tchaya pelo amor,
carinho e pacincia, sobretudo nos momentos de desnimo e pelas palavras de apoio e
perseverana, cruciais para a concluso deste trabalho. Vocs so as minhas fontes de
inspirao e o meu porto seguro.
Aos meus queridos pais, Pedro e Margarida, e aos meus queridos irmos, Miro,
Tnia, Anderson e Marcos, pelas crticas, conselhos e ensinamentos incondicionais.
Aos meus queridos sobrinhos Pedro e Sara, agradeo por me motivarem a dar sempre
o melhor de mim.
Aos meus compatriotas africanos, em particular em So Carlos, obrigado pelas
razes, cultura e momentos de alegria.
Aos meus colegas e amigos do laboratrio (LAFAPE e LAC), pelas discusses,
esclarecimentos, aprendizados e momentos de descontrao. Em especial, agradeo
ao Amilcar, Cssio, Fernando, Gian, Giovani, Guido, Renan e Rodolfo por me apoiarem
nas mais diversas situaes durante o mestrado.
Aos professores e companheiros de graduao da UNESP/Guaratinguta,
Engenharia Eltrica 2005, instituio na qual tive o privilgio em adquirir toda a base
de conhecimento acadmico.
Aos professores e funcionrios da USP/EESC pelas contribuies neste tempo
que passei por aqui. Em especial, aos funcionrios, tcnico de laboratrio, Rui Bertho,
s secretrias da Ps-Graduao Jussara e Marisa, Roseli Ribeiro, e ao senhor Jos.
Ao professor Dr. Ricardo Machado pela confiana em mim depositada, pela
pacincia e amizade, por todo apoio e sempre alm do esperado. Obrigado meu
orientador, lhe devo todo o respeito e considerao.
professora Vilma de Oliveira, por toda a contribuio, crticas e ensinamentos,
que muito influenciaram neste trabalho e na minha formao pessoal.

Escola de Engenharia de So Carlos (USP) pelas instalaes e servios
oferecidos para desenvolvimento deste trabalho e a TOTAL E&P Angola por todo apoio
financeiro indispensvel para a minha manuteno.
Enfim, agradeo a todas as pessoas ou entidades, omitidas ou esquecidas que
acreditaram que este trabalho fosse possvel.



SUMRIO
Resumo ...................................................................................................................... 9
Abstract .................................................................................................................... 11
Lista de Figuras ....................................................................................................... 13
Lista de Tabelas ...................................................................................................... 19
Lista de Siglas e Abreviaturas ............................................................................... 21
Lista de Smbolos .................................................................................................... 23
1 Introduo ........................................................................................................ 27
1.1 Energias Alternativas ................................................................................ 27
1.2 Cenrio da Energia Fotovoltaica no Brasil e no Mundo ............................ 29
1.3 Estrutura Mnima para um Sistema Fotovoltaico ....................................... 31
1.4 Objetivos e Justificativa ............................................................................. 32
1.5 Organizao da Dissertao ..................................................................... 34
1.6 Publicaes ............................................................................................... 34
2 Reviso Bibliogrfica ...................................................................................... 37
2.1 Introduo ................................................................................................. 37
2.2 Fundamentos da Energia Solar ................................................................. 37
2.2.1 Radiao Solar .......................................................................................... 38
2.2.2 Efeito Fotovoltaico ..................................................................................... 40
2.2.3 Tipos de Clulas Fotovoltaicas ................................................................. 41
2.3 Modelo Matemtico da Clula Fotovoltaica ............................................... 42
2.3.1 Modelo Generalizado e Modelo Simplificado ............................................ 43
2.3.2 Mdulo Fotovoltaico .................................................................................. 44
2.4 Algoritmos de MPPT ................................................................................. 46
2.4.1 Algoritmos de MPPT Baseados em Modelo .............................................. 46
2.4.2 Algoritmos de MPPT Baseados em Treinamento ..................................... 47
2.4.3 Algoritmos de MPPT Heursticos............................................................... 47
2.4.3.1 Perturbao e Observao .......................................................... 48
2.4.3.2 Condutncia Incremental ............................................................. 48
2.5 Conversor CC-CC ..................................................................................... 50
2.6 Trabalhos Anteriores ................................................................................. 51
2.7 Consideraes Finais ................................................................................ 54
3 Modelagem do Sistema Fotovoltaico ............................................................ 55
3.1 Introduo ................................................................................................. 55
3.2 Desvantagens do Controle Direto ............................................................. 56
3.3 Varivel de Controle: Tenso .................................................................... 57
3.4 Especificao do Sistema Fotovoltaico ..................................................... 59
3.5 Modelagem Matemtica ............................................................................ 59
3.5.1 Linearizao do Painel Fotovoltaico .......................................................... 61

3.5.2 Linearizao do Sistema Fotovoltaico ...................................................... 62
3.5.3 Obteno da Funo de Transferncia de Pequenos Sinais por Equao de
Espao de Estados ................................................................................... 64
3.5.4 Modelo Circuital CA de Pequenos Sinais ................................................. 66
3.6 Efeito de Elementos Parasitas: Capacitivo e Indutivo ............................... 71
3.7 Consideraes Finais ............................................................................... 75
4 Controle do Sistema Fotovoltaico ................................................................. 77
4.1 Introduo ................................................................................................. 77
4.2 Controle 78
4.2.1 Controlador Fuzzy PD + PI ....................................................................... 81
4.3 Consideraes Finais ............................................................................... 87
5 Bancada Experimental e Anlise de Resultados ......................................... 89
5.1 Introduo ................................................................................................. 89
5.2 Descrio da Bancada Experimental ........................................................ 89
5.2.1 Consideraes Importantes ...................................................................... 94
5.3 Simulaes ............................................................................................... 96
5.3.1 Determinao das Condies Iniciais e do Tempo de Amostragem do MPPT
.................................................................................................... 96
5.3.2 Dinmica do Sistema ................................................................................ 98
5.3.3 Rpidas Mudanas nas Condies de Irradiao e Temperatura .......... 100
5.3.4 Perturbaes na Carga ........................................................................... 102
5.4 Resultados Experimentais ...................................................................... 104
5.5 Consideraes Finais ............................................................................. 118
6 Concluses e Trabalhos futuros ................................................................. 119
6.1 Concluses Gerais ................................................................................. 119
6.2 Contribuies do Trabalho ...................................................................... 119
6.3 Trabalhos Futuros ................................................................................... 120
Apndice A ............................................................................................................ 121
A.1 Curva Esttica do Processo com Conversor Elevador de Tenso e Fonte SAS
.................................................................................................. 121
Apndice B ............................................................................................................ 125
Referncias ........................................................................................................... 129


Resumo
MOCAMBIQUE, N. E. M. (2012). Aplicao de algoritmos de busca do ponto de mxima
potncia e controladores lineares e/ou Fuzzy para a regulao da tenso terminal de
painis fotovoltaicos. Dissertao (Mestrado) Escola de Engenharia de So Carlos,
Universidade de So Paulo, 2012.
Algoritmos de busca do ponto de mxima potncia (MPPT) so largamente utilizados
para se obter a potncia mxima fornecida em sistemas fotovoltaicos. Apesar de
existirem diversas tcnicas de MPPT, os mtodos heursticos de busca como o mtodo
da perturbao e observao (P&O) e o mtodo da Condutncia Incremental (InC) so
os mais usuais por serem simples e confiveis. Assim, proposto uma lei de controle
com realimentao da tenso de sada de um painel fotovoltaico (PV) de forma a
manter o mesmo operando prximo ao ponto de mxima potncia, possibilitando com
isso uma melhora do desempenho do algoritmo de P&O e InC inclusive quando o painel
PV submetido a rpidas mudanas na irradiao solar. Alm disso, devido s
caractersticas no lineares dos painis fotovoltaicos, a utilizao de tcnicas
inteligentes que empregam controladores fuzzy para o controle da tenso terminal do
PV, parece ser uma soluo vivel quando comparada aos controladores clssicos com
PI e PID, principalmente, porque tais estruturas de controle proporcionam uma lenta
resposta dinmica e problemas de estabilidade relacionados s oscilaes em torno do
ponto de mxima potncia, decorrente do funcionamento dos algoritmos P&O e InC.
Palavras Chave: Painel fotovoltaico, MPPT, Controlador Fuzzy, Eletrnica de
potncia.


Abstract
MOCAMBIQUE, N. E. M. (2012). Application of maximum power point tracking
algorithms and linear and/or nonlinear fuzzy logic control to regulate the voltage of
photovoltaic panels. Dissertation (Master's degree) Escola de Engenharia de So
Carlos, Universidade de So Paulo, 2012.
Maximum power point tracking (MPPT) techniques are widely used to achieve the
maximum output power of a photovoltaic (PV) system. Although there are many MPPT
techniques, the heuristic search methods such as perturb and observe (P&O) and
incremental conductance (InC) method are the most commonly used because they are
simple and reliable in the pursuit of maximum power point. A control law with feedback
of the output voltage of a photovoltaic (PV) panel is proposed, in order to maintain it
working nearby the maximum power point, enabling an improvement in the performance
of the algorithm for P&O and InC even when the PV array is subjected to rapid changes
in solar irradiance. Moreover, due to the nonlinear characteristics of the photovoltaic
panels, the technique that employ fuzzy logic control seems to be a viable option when
compared with conventional proportional and integral or proportional, integral and
derivative controllers, mainly because such control structures provide a slow dynamic
response and stability issues related to oscillations around the maximum power point
due to operation of P&O and InC algorithms.
Keywords: Photovoltaic Panel, MPPT, Fuzzy Controller, Power Electronics.


Lista de Figuras
Figura 1.2. Taxa mdia do crescimento anual da energia renovvel e da produo
de biocombustveis, 2005-2010. ....................................................................... 29
Figura 1.3. Evoluo da capacidade mundial anual de sistemas fotovoltaicos
desde 2000.. ..................................................................................................... 30
Figura 1.4. Cenrio da capacidade de sistemas fotovoltaicos instalados no mundo
at 2011.. .......................................................................................................... 30
Figura 2.1. Distribuio espectral da luz solar no espao.. ....................................... 38
Figura 2.3. Modelo generalizado de uma clula solar. .............................................. 43
Figura 2.4. Modelo simplificado. ................................................................................ 44
Figura 2.5. Curvas
I V
(a) e
P V
(b) de um mdulo KC130TM PV, para
diferentes nveis de irradiao e os pontos notveis de PMP (
MP
V
,
MP
I
) e
(
MP
V
, PMP)....................................................................................................... 45
Figura 2.6.
P I V
caractersticas do mdulo fotovoltaico KC130TM, para
diferentes nveis de irradiao e com os pontos notveis de PMP (
MP
V
,
MP
I
,
PMP). ................................................................................................................ 46
Figura 3.1. Diagrama do sistema fotovoltaico em estudo. ......................................... 56
Figura 3.2. Curvas normalizadas de P V e P I. .................................................... 58
Figura 3.3. Linearizao da curva i v nas proximidades do PMP do mdulo solar
KC130TM. ......................................................................................................... 61
Figura 3.4. Circuito linear equivalente no ponto de mxima potncia. ...................... 62
Figura 3.5. Diagrama esquemtico do conversor elevador de tenso. ..................... 63
Figura 3.6. Circuito geral do sistema fotovoltaico incluindo os efeitos parasitas dos
componentes. ................................................................................................... 63
Figura 3.7. Circuito de pequenos sinais equivalente para a malha do indutor. ......... 67
Figura 3.8. Circuito de pequenos sinais equivalente para o n do capacitor de
entrada. ............................................................................................................. 67
Figura 3.9. Circuito de pequenos sinais equivalente para o n do capacitor de
sada. ................................................................................................................ 67

Figura 3.10. Circuito linear equivalente de pequenos sinais do sistema fotovoltaico.68
Figura 3.11. Diagrama de Bode da funo de transferncia ( )
vd
G s . ......................... 70
Figura 3.12. Diagrama de Bode da funo de transferncia ( )
vi
G s . .......................... 70
Figura 3.13. Resposta ao degrau unitrio do modelo considerando tenso na sada
constante (em azul), modelo considerando carga constante (em verde) e o
modelo utilizado (em vermelho). ...................................................................... 71
Figura 3.14. Modelo cannico do circuito do conversor elevador de tenso
estudado considerando-se os efeitos parasitas do painel fotovoltaico. ............ 73
Figura 3.15. Diagrama de Bode de ( )
N
Z s e ( )
D
Z s . .............................................. 74
Figura 4.1. Conversor elevador de tenso com controle da tenso de entrada. ....... 78
Figura 4.2. Diagrama em blocos do conversor CC-CC controlado e com referncia
gerada pelo algoritmo MPPT. ........................................................................... 78
Figura 4.3. Resposta em frequncia em malha fechada com realimentao unitria
usando o controlador PI. .................................................................................. 79
Figura 4.4. Resposta em frequncia em malha fechada com realimentao unitria
da rejeio a uma perturbao indesejvel na entrada da planta. ................... 80
Figura 4.5. Resposta no domnio do tempo da tenso do painel foto voltaico
usando o controlador PI para uma referncia constante V
REF
=35 V (linha
pontilhada). Ts=1 s, ripple=2%. ...................................................................... 81
Figura 4.7. Esquemtico do controlador Fuzzy PD+PI do conversor CC CC. ....... 83
Figura 4.8. Funes de pertinncia das variveis de entrada e sada. ..................... 84
Figura 4.9. Superfcie de controle do sistema fuzzy. ................................................ 86
Figura 4.10. Resposta no domnio do tempo da tenso do painel fotovoltaico (linha
contnua) usando o controlador Fuzzy PD + PI para uma referncia de
V
REF
=35 V (linha pontilhada). Ts=1 s, ripple = 0,23 V. ................................... 86
Figura 4.11. Resposta no domnio do tempo da tenso do painel fotovoltaico (linha
contnua) usando apenas o controlador fuzzy PD para uma referncia de
V
REF
=35 V (linha pontilhada). Ts=1 s, ripple = 0,23 V. .................................. 87
Figura 5.1. Viso geral da bancada experimental: (1) Indutor e capacitor na
entrada do conversor. (2) Mdulo responsvel pelo condicionamento dos
sinais analgicos, processamento digital e drivers do chave. (3) Inversor


trifsico de IGBTs. (4) Carga resistiva. (5) Sinais disponveis para medio.
(6) Osciloscpio. ............................................................................................... 90
Figura 5.2. Painis fotovoltaicos instalados em suporte mvel. ................................ 90
Figura 5.3. Mdulo simulador de matriz solar. Fonte: figura extrada do
www.home.agilent.com. .................................................................................... 91
Figura 5.4. (2.1) placa de sensores e condicionamento de sinais analgicos; (2.2)
placa de processamento digital; (2.3) placa de acionamento dos drivers e
alimentao do sensor hall. .............................................................................. 93
Figura 5.5. Mdulo contendo as placas de condicionamento, processamento,
acionamento e sadas para medies. ............................................................. 93
Figura 5.6. Inversor trifsico de IGBTs e carga esttica resistiva. ............................ 94
Figura 5.7. Regio de operao do MPPT. ............................................................... 95
Figura 5.8. Agregao e defuzzificao. ................................................................... 96
Figura 5.9. Simulaes no domnio do tempo para
2
1000 = W m G e 298,15 = T K ,
com fixo = 1,0
(

passo V , 17
o
= T ms . (a) Curva de potncia (b) Curva de
tenso. .............................................................................................................. 99
Figura 5.10. Simulaes no domnio do tempo para
2
1000 = W m G e
298,15 = T K , com varivel = 5,0 1,0 0,5
(

passo V , 17
o
= T ms . (a) Curva de
potncia (b) Curva de tenso. ......................................................................... 100
Figura 5.11. Rpidas mudanas na irradiao no instante 0,4 s,
2
500 = W m G
(antes de 0,4 s) e
2
1000 = W m G (depois de 0,4s), 298,15 = T K , 17
o
= T ms :
(a) Curva de potncia (b) Curva de tenso. .................................................... 101
Figura 5.12. Rpidas mudanas na temperatura no instante 0,35 s, 25 = t C
(antes de 0,35 s) e 75 = t C (depois de 0,35 s),
2
1000 = W m G , 17
o
= T ms :
(a) Curva de potncia (b) Curva de tenso. .................................................... 101
Figura 5.13. Simulao do sistema fotovoltaico com fonte de tenso AC
( 40 =
AC
V Vpp ,

120 =
AC
f Hz ) em srie com o barramento CC ( 150 =
O
V V ),
para
2
1000 = W m G , 298,15 = T K , 17
o
= T ms : (a) Curva de potncia (b)
Curva de tenso. ............................................................................................. 103
Figura 5.14. Resposta ao degrau na entrada com controlador PI. Ch2: tenso da
fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (900 mA/div). ChM: potncia
gerada pela fonte (30 W/div). .......................................................................... 106

Figura 5.15. Resposta ao degrau na entrada com controlador fuzzy. Ch2: tenso
da fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (1 A/div). ChM: potncia
gerada pela fonte (30 W/div). ......................................................................... 106
Figura 5.16. Resposta ao degrau na entrada com controlador fuzzy PD + PI. Ch2:
tenso da fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (1 A/div). ChM:
potncia gerada pela fonte (30 W/div). ........................................................... 107
Figura 5.17. Algoritmo P&O com passo fixo de 0,5 V: sistema com controlador PI.
Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30 W/div).

17
o
= T ms . ...................................................................................................... 107
Figura 5.18. Algoritmo P&O com passo varivel [4,0 2,0 1,0 0,5 0,25] V: sistema
com controlador PI. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia gerada
pela fonte (30 W/div).

17
o
= T ms . ................................................................... 108
Figura 5.19. Algoritmo InC com passo fixo de 0,5 V: sistema com controlador PI.
Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30
W/div). 17
o
= T ms . ........................................................................................... 108
Figura 5.20. Algoritmo InC com passo varivel [4,0 2,0 1,0 0,5 0,25] V: sistema
com controlador PI. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia gerada
pela fonte (30 W/div).

17
o
= T ms . ................................................................... 109
Figura 5.21. Algoritmo P&O com passo fixo de 0,5 V: sistema com controlador
fuzzy PD + PI. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia gerada pela
fonte (30W/div).

17
o
= T ms . ............................................................................ 109
Figura 5.22. Algoritmo P&O com passo varivel [4,0 2,0 1,0 0,5 0,25] V: sistema
com controlador fuzzy PD+PI. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia
gerada pela fonte (30 W/div).

17
o
= T ms . ....................................................... 110
Figura 5.23. Algoritmo InC com passo fixo de 0,5 V: sistema com controlador fuzzy
PI+PD. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30
W/div). 17
o
= T ms . ........................................................................................... 110
Figura 5.24. Algoritmo InC com passo varivel [4,0 2,0 1,0 0,5 0,25] V: sistema
com controlador fuzzy PD+PI. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia
gerada pela fonte (30 W/div).

17
o
= T ms . ....................................................... 111
Figura 5.25.Cmera infravermelha Ti10 IR Fusion Technology da FLUKE. ........... 112
Figura 5.26. Distribuio trmica dos painis fotovoltaicos em dia parcialmente
nublado. (Vista 1). .......................................................................................... 113
Figura 5.27. Distribuio trmica dos painis fotovoltaicos em dia parcialmente
nublado. (Vista 2). .......................................................................................... 113


Figura 5.28. Distribuio trmica dos painis fotovoltaicos em dia com cu claro. . 114
Figura 5.29. Distribuio trmica dos painis fotovoltaicos com inclinaes
diferentes em um dia parcialmente nublado. .................................................. 114
Figura 5.30. Resposta ao degrau na entrada com controlador PI. Ch2: tenso da
fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (2 A/div). ChM: potncia
gerada pela fonte (30 W/div). .......................................................................... 115
Figura 5.31. Resposta ao degrau na entrada com controlador fuzzy. Ch2: tenso
da fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (2 A/div). ChM: potncia
gerada pela fonte (30 W/div). .......................................................................... 115
Figura 5.32. Resposta ao degrau na entrada com controlador fuzzy PD + PI. Ch2:
tenso da fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (2 A/div). ChM:
potncia gerada pela fonte (30 W/div). ........................................................... 116
Figura 5.33. Algoritmo P&O com passo fixo de 1,0 V: sistema com controlador PI.
Ch2: tenso da fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (2 A/div).
ChM: potncia gerada pela fonte (30 W/div).

17
o
= T ms . ................................ 116
Figura 5.34. Algoritmo P&O com passo fixo de 1,0 V: sistema com controlador
fuzzy PD + PI. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela
fonte (2 A/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30 W/div) 17
o
= T ms . ........ 117
Figura 5.35. Algoritmo InC com passo fixo de 1,0 V: sistema com controlador PI.
Ch2: tenso da fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (2 A/div).
ChM: potncia gerada pela fonte (30 W/div). 17
o
= T ms . ................................. 117
Figura 5.36. Algoritmo P&O com passo fixo de 1,0V: sistema com controlador
fuzzy PD + PI. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela
fonte (2 A/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30 W/div) 17
o
= T ms . ........ 118
Figura B.1. Teste com o simulador de matriz fotovoltaica, utilizando-se o
controlador fuzzy PD+PI e o algoritmo de P&O em regime. Ch2: tenso da
fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (900 mA/div). ChM: potncia
gerada pela fonte (30 W/div). .......................................................................... 126
Figura B.2. Teste com o simulador de matriz fotovoltaica, utilizando-se o
controlador fuzzy PD+PI e o algoritmo de InC em regime. Ch2: tenso da
fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (900 mA/div). ChM: potncia
gerada pela fonte (30 W/div). .......................................................................... 126
Figura B.3. Controle fuzzy PD testado com o simulador de fonte fotovoltaica nas
condies de (I): passo fixo e algoritmo de P&O. (II): passo varivel e
algoritmo de P&O. (III): passo fixo e algoritmo de InC. (IV): passo fixo e

algoritmo de InC. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia gerada pela
fonte (30 W/div). Escala de tempo de 160 ms/div. ......................................... 127


Lista de Tabelas
Tabela 2.1. Resumo das tecnologias fotovoltaicas comerciais.. ............................... 42
Tabela 2.2. Resumo dos trabalhos anteriores............................................................52

Tabela 3.1. Especificaes eltricas do mdulo KC130TM em STC. ....................... 60
Tabela 3.2. Parmetros do conversor elevador de tenso. ....................................... 60
Tabela 3.3. Parmetros do modelo ajustado do conjunto fotovoltaico formado por
dois mdulos KC130TM conectados srie em STC. ......................................... 61
Tabela 4.1. Ganho proporcional e integral do controlador linear. .............................. 79
Tabela 4.2 . Base de regras do sistema fuzzy........................................................... 85
Tabela A.1. Dados obtidos em experimento laboratorial para validao da fonte
SAS. ................................................................................................................ 122



Lista de Siglas e Abreviaturas
A/D Converso Analgico para Digital
AM Air Mass
CC Corrente Contnua
CA Corrente Alternada
DSP Digital Signal Processor
InC Condutncia Incremental
MPPT Maximum Power Point Tracking
PD Proporcional e Derivativo
PI Proporcional e Integral
PMP Ponto da Mxima Potncia
P&O Perturbao e Observao
PV Photovoltaic
PWM Pulse Width Modulation
RCC Ripple Current Control Algorithm
SAS Solar Array Simulator



Lista de Smbolos
a
Fator de idealidade do diodo.
AMx

Massa de ar.
C

Capacitncia de entrada do conversor
| |
F
.
I
C

Coeficiente de temperatura
| |
V C
.
V
C

Coeficiente de temperatura
| |
V C
.
O
C

Coeficiente de temperatura
| |
V C
.
d

Razo cclica instantnea.
PI
d

Sada do regulador proporcional e integral.
od

Sada do controlador fuzzy.
e

Erro da tenso fotovoltaica
| |
V
.
e A

Variao do erro de tenso fotovoltaica
| |
V
.
g

Tangente na mxima potncia
| |
I V
.
G

Irradiao fotovoltaica
2
(

W m
.
I
H

Ganho do sensor de corrente.
V
H

Ganho do sensor de tenso.
L
i

Corrente instantnea do indutor
| |
A
.
I

Corrente fotovoltaica
| |
A
.
L
I

Corrente mdia no indutor
| |
A
.
O
i

Corrente instantnea na sada
| |
A
.
O
I

Corrente de saturao reversa
| |
A
.
MP
I

Corrente da mxima potncia
| |
A
.

PV
I

Corrente induzida pela luz
| |
A
.
SC
I

Corrente de curto circuito
| |
A
.
k

Constante de Boltzmann
23
1.3806503 10

(

J K
.
L

Indutncia
| |
H
.
q

Ganho do controlador fuzzy.
e
n

Fator de normalizao do erro.
e
n
A

Fator de normalizao da variao do erro.
P
N

Nmero de clulas associadas em paralelo.
S
N

Nmero de clulas associadas em srie.
q

Carga elementar do eltron
19
1.60217646 10

(

C
.
P

Potncia
| |
W
.
MAX
P

Mxima potncia
2
(

W m
.
C
r

Resistncia srie do capacitor de entrada do conversor
| |
O
.
L
r

Resistncia srie do indutor
| |
O
.
ON
r

Resistncia de conduo da chave
| |
O
.
PV
r

Resistncia dinmica
| |
O
.
D
R

Resistncia parasita de conduo do diodo
| |
O
.
EQ
R

Resistncia fotovoltaica equivalente
| |
O
.
O
R

Carga nominal do conversor
| |
O
.
S
R

Resistncia srie equivalente do dispositivo fotovoltaico
| |
O
.
P
R

Resistncia paralela equivalente do dispositivo fotovoltaico
| |
O
.


T

Temperatura da juno p-n da clula
| |
K
.
S
T

Tempo do chaveamento
| |
s
.
v

Tenso fotovoltaica instantnea
| |
V
.
C
v

Tenso instantnea do capacitor de entrada
| |
V
.
O
C
v

Tenso instantnea do capacitor de sada
| |
V
.
V

Tenso fotovoltaica
| |
V
.
D
V

Tenso de conduo do diodo
| |
V
.
EQ
V

Tenso fotovoltaica equivalente
| |
V
.
MP
V

Tenso de mxima potncia
| |
V
.
O
V

Tenso de sada do conversor
| |
V
.
OC
V

Tenso de circuito aberto
| |
V
.
REF
V

Tenso de referncia
| |
V
.
T
V

Tenso trmica
| |
V
.



27
1 Introduo
1.1 Energias Alternativas
Pesquisas realizadas nas ltimas dcadas realam dois aspectos principais: por
um lado, a insustentabilidade das atuais fontes de energia nos diferentes domnios
ambiental, econmico e social e, por outro lado, a necessidade urgente de polticas e
aes globais que favoream as tecnologias de baixa emisso de carbono. Desse
modo, a energia tornou-se tema prioritrio nas polticas governamentais de todos os
pases desenvolvidos ou em vias de desenvolvimento. Como exemplo, recentemente,
variaes considerveis nos preos da energia mostraram a sua importncia para
qualquer atividade econmica e a vulnerabilidade da sociedade aos desequilbrios no
suprimento de combustveis (INTERNATIONAL ENERGY AGENCY, 2009). Vide Figura
1.1.











REN21
1



1
Renewable Global Status Report.
Renovveis 16%
Nuclear 2,8%
Combustveis Fsseis 81%
Biomassa tradicional 10%
Energia hidrulica 3,4%
Aquecimento de
gua por biomassa
/solar/geotrmica
1,5%
Biocombustveis 0,6%
Elica/solar/biomassa/geotrmica 0,7%
16%
Figura 1.1. Quota da energia renovvel no consumo final energtico mundial de 2009.
Fonte: REN21
1
, (RENEWABLE ENERGY POLICY NETWORK FOR THE 21ST CENTURY,
2011).
28
Alm disso, projees da International Energy Agency (2009) apontam o
crescimento populacional, as tendncias macroeconmicas, o preo da energia, o
desenvolvimento tecnolgico e as polticas governamentais, como os principais fatores
que impulsionam a demanda e oferta de energia. Segundo a mesma agncia, at 2030
a populao mundial crescer em mdia 1% ao ano, chegando a 8,2 bilhes de
pessoas e a maior parte desse crescimento ocorrer nas reas urbanas
(INTERNATIONAL ENERGY AGENCY, 2009). Nesse mesmo perodo, projetado um
aumento de 50% na proporo de pessoas acima dos 60 anos, o que afetar,
inevitavelmente, os nveis e o padro de uso da energia.
Assim, o status e a eficincia de diferentes tecnologias do setor da energia
desempenharo um fator chave na determinao da demanda energtica mundial, no
uso de combustvel, nas emisses de CO
2
e nas escolhas dos futuros investimentos.
Nesse sentido, tem-se privilegiado a migrao para gerao de energia sem a emisso
de CO
2
no somente de maneira eficiente, como tambm segura. Os acidentes
nucleares de 2011 em Fukushima no Japo reforam esta preocupao.
No grupo das fontes alternativas de energia esto abrigadas a energia elica,
solar, martima, geotrmica e biomassa (AGNCIA NACIONAL DE ENERGIA
ELTRICA, 2009). Dentre elas, as fontes de energia elica e solar apresentam-se como
as mais promissoras possuem um grande potencial, atraindo projetos conjuntos de
pesquisas e cada vez mais investimentos pblicos e privados.
Apesar da participao das fontes alternativas na matriz energtica mundial
serem, ainda, inexpressiva [...] a energia solar fotovoltaica a fonte alternativa que tem
recebido mais ateno (VILLALVA, 2010, p. 2), uma vez que possui a maior taxa de
crescimento quando comparada s restantes fontes alternativas (vide Figura
1.2).


29

Figura 1.2. Taxa mdia do crescimento anual da energia renovvel e da produo de
biocombustveis, 2005-2010. Fonte: (RENEWABLE ENERGY POLICY NETWORK FOR THE
21ST CENTURY, 2011).
1.2 Cenrio da Energia Fotovoltaica no Brasil e no Mundo
Segundo a International Energy Agency (2010), em 2010, o mercado de
sistemas fotovoltaicos apresentou um forte crescimento, com reduo massiva dos
custos e sinais da consolidao na indstria. Como exemplo, os preos por watt gerado
estiveram na faixa de 4 USD/W a 6 USD/W com tendncia a diminurem.
Em 2011, a European Photovoltaic Industry Association (2012) relata que o
mercado mundial de sistemas fotovoltaicos, manteve a sequncia de anos de forte
crescimento com aumento de mais de 70% de novas instalaes mesmo com a
crise financeira e econmica mundial (vide Figura 1.3). Com isso, a capacidade de
sistemas fotovoltaicos instalados no mundo atingiu, aproximadamente,
67, 4 GW
,
tornando-se a terceira mais importante fonte alternativa de energia logo depois da
hidrulica e da elica.
30

Figura 1.3. Evoluo da capacidade mundial anual de sistemas fotovoltaicos desde 2000.
Fonte: (EUROPEAN PHOTOVOLTAIC INDUSTRY ASSOCIATION, 2012).










Figura 1.4. Cenrio da capacidade de sistemas fotovoltaicos instalados no mundo at 2011.
Fonte: (EUROPEAN PHOTOVOLTAIC INDUSTRY ASSOCIATION, 2012).
A Figura 1.4 apresenta o cenrio mundial dos sistemas fotovoltaicos no final de
2011.
Por outro lado, em pases emergentes e economias em desenvolvimento
observou-se que programas de incentivo so subsidiados por agncias internas e/ou
estrangeiras. Em Angola, por exemplo, um programa com recursos oriundos do Reino
Unido obteve relativo sucesso na instalao de pequenas unidades de sistemas
37%
19%
7%
6%
6%
5%
4%
16%
Alemanha
Itlia
Japo
Espanha
Estados Unidos


31
fotovoltaicos em escolas, clnicas e centros comunitrios de vrias aldeias
(INTERNATIONAL ENERGY AGENCY, 2006).
O Brasil, por sua vez, privilegiado em termos de radiao solar (AGNCIA
NACIONAL DE ENERGIA ELTRICA, 2009), principalmente, a regio do nordeste
brasileiro que possui radiao (W/m
2
) equiparvel a do deserto do Saara onde se
situa uma das melhores regies do mundo neste quesito.
Apesar do alto potencial e de existirem polticas de incentivo, como o Programa
de Incentivo s Fontes Alternativas de Energia Eltrica (PROINFA
2
) e o Centro
Brasileiro para Desenvolvimento da Energia Solar Fotovoltaica (CB Solar
3
), a
participao da energia fotovoltaica na matriz energtica brasileira ainda
insignificante. Tradicionalmente, a maioria dos projetos voltada para eletrificao rural
e bombeamento de gua em pequenos agregados e vilas remotas ou isoladas da rede
eltrica convencional (INTERNATIONAL ENERGY AGENCY, 2010). Em 2010, o Brasil
totalizou meros 20 MW de capacidade instalada de sistemas fotovoltaicos
(INTERNATIONAL ENERGY AGENCY, 2010), dos quais apenas 1% est conectado
rede eltrica. Geograficamente, cerca de 70% da capacidade total instalada esto
localizados nas regies Norte, Nordeste e Centro-Oeste (JANUZZI; VARELLA; GOMES,
2009).

1.3 Estrutura Mnima para um Sistema Fotovoltaico
O sistema fotovoltaico composto pelos mdulos fotovoltaicos, conversores de
potncia, armazenadores de energia (baterias e supercapacitores) e todos os
acessrios de montagem e componentes de controle.
Um sistema fotovoltaico usa a irradiao solar para convert-la em energia
eltrica. A irradiao solar a quantidade total de energia solar armazenada em uma
rea por um perodo de tempo, sendo proporcional altitude e, durante o dia, possui

2
Programa do Ministrio das Minas e Energia, em vigor desde 2004.
3
Parceria da Pontifcia Universidade Catlica do Rio Grande do Sul (PUCRS) com o Ministrio da
Cincia e Tecnologia (MCT), o Estado do Rio Grande do Sul e a Companhia Estadual de Energia Eltrica
do Estado de Rio Grande do Sul (CEEE) (JANUZZI; VARELLA; GOMES, 2009).
32
variao senoidal em funo do tempo com amplitude e fase dependentes da estao
do ano (MUSSER, 2010).
Na base de qualquer sistema fotovoltaico esto as clulas fotovoltaicas que por
sua vez so conectadas em srie e em paralelo para formarem mdulos ou painis. A
International Energy Agency (2010) estabelece quatro principais aplicaes para
sistemas fotovoltaicos: sistemas fotovoltaicos domsticos isolados da rede (off-grid
domestic systems) fornecem energia para localidades isoladas que no esto
conectados ao sistema eltrico de distribuio. A energia gerada , normalmente,
usada para iluminao, refrigerao e para outras cargas de baixa potncia
(tipicamente em torno de
1 kW
) sendo a tecnologia mais apropriada para responder a
demanda energtica de comunidades remotas ou isoladas da rede.
Sistemas fotovoltaicos no domsticos e isolados da rede (off-grid non-
domestic systems) fornecem energia para aplicaes nas quais pequenas quantidades
de eletricidade tm um alto valor agregado, tais como sistemas de telecomunicao,
bombeamento de gua, refrigerao de vacinas e apoio navegao. O custo
comercial dos painis fotovoltaicos se torna competitivo quando comparado com o de
outras fontes de pequeno porte.
Sistemas fotovoltaicos distribudos e conectados rede (grid connected
distributed PV systems) fornecem energia para o usurio conectado rede ou
diretamente para a rede eltrica de distribuio. Com diferentes tamanhos, permitem
uma instalao diversificada como: nas paredes, fachadas e telhados de prdios
pblicos e comerciais ou sobre barreiras acsticas nas autoestradas.
Sistemas fotovoltaicos centralizados e conectados rede (grid connected
centralized systems) desempenham a funo de verdadeiras usinas de gerao, no
estando associadas a usurios particulares. Normalmente, so instalados no solo e
independentes de qualquer desenvolvimento nas proximidades.

1.4 Objetivos e J ustificativa
Com o objetivo de analisar, simular e implementar aplicaes fotovoltaicas,


33
necessrio um modelo fsico capaz de discriminar e quantificar a influncia de todos os
fatores significativos (KING; BOYSON; KRATOCHVIL, 2004). Embora o efeito eltrico,
trmico, espectro solar e tico devam estar inclusos no modelo, o mesmo deve ser
prtico e simples (VILLALVA, 2009) o suficiente para permitir tarefas rotineiras em
sistemas de potncia tais como anlise do fluxo de potncia, anlise harmnica, anlise
da sensibilidade, casamento de impedncia, dentre outros (ORTIZ-RIVERA; PENG,
2005).
Por outro lado, em aplicaes de eletrnica de potncia envolvendo
conversores, desejvel obter-se a maior quantidade de potncia fornecida pela fonte
fotovoltaica, por isso os conversores buscam, continuamente, o ponto de mxima
potncia (PMP) atravs de algoritmos de busca do ponto de mxima potncia (MPPT
maximum power point tracking). Existem vrios algoritmos de MPPT na literatura, por
exemplo, mtodos envolvendo lgica fuzzy, solues analticas e mtodo linear de
coordenadas reorientadas, foram propostas respectivamente por Syafaruddin,
Karatepe, e Hiyama (2008), Rodriguez e Amaratunga (2007) e Ortiz-Rivera e Peng
(2004), uma comparao entre 19 diferentes algoritmos de MPPT apresentada por
Esram e Chapman (2007). Apesar disso, o algoritmo da perturbao e observao
(P&O) o mais utilizado, por ser simples, barato e fcil de ser implementado. As
principais desvantagens deste mtodo que ao encontrar o PMP, em regime
permanente, o algoritmo oscila continuamente em torno do PMP, fazendo com que o
algoritmo se confunda quando ocorrem rpidas mudanas nas condies atmosfricas
(FEMIA et al., 2005).
Neste trabalho ser analisado, simulado e implementado um circuito
fotovoltaico, com conversor CC-CC no isolado do tipo boost (elevador de tenso),
operando no modo de conduo contnua. O algoritmo de busca ser utilizado para
estabelecer a tenso de referncia de um sistema de controle que regula a tenso
terminal dos painis, empregando controladores fuzzy proporcional derivativo associado
a um controlador proporcional-integral (Fuzzy PD+PI).
Assim, este trabalho tem como objetivo aumentar a eficincia na gerao
fotovoltaica, por meio da diminuio do tempo de resposta do sistema, aperfeioando o
desempenho do algoritmo de busca.
34

1.5 Organizao da Dissertao
A dissertao est organizada em cinco captulos principais. No Captulo 2 so
expostos os princpios fundamentais dos fenmenos envolvidos na gerao
fotovoltaica, estabelece-se o modelo fsico do painel fotovoltaico, descrevem-se os
algoritmos de busca e apresentam-se a motivao e relevncia do trabalho atual em
relao aos outros trabalhos encontrados na literatura.
O Capitulo 3 versa sobre a motivao e escolha do sistema de controle, a
modelagem e anlise matemtica do sistema fotovoltaico e, tambm, sobre os efeitos
de elementos parasitas na planta.
O Capitulo 4 descreve detalhadamente o projeto do sistema de controle
utilizado.
J no Capitulo 5 so apresentadas a bancada experimental e analisados os
resultados de simulao e experimentais obtidos.
Por fim, consideraes gerais, contribuies e sugestes de trabalhos futuros
so apresentados no Capitulo 6.

1.6 Publicaes
No decorrer do perodo de mestrado, foram publicados os seguintes artigos:
- MOCAMBIQUE, Nilton Eufrzio Martinho; MACHADO, Ricardo Quadros.
Control and Analysis of a PV system operating under nonlinear
conditions. In: Brazilian Power Electronics Conference (COBEP), p. 466
- 472, 2011.
- MOCAMBIQUE, Nilton Eufrzio Martinho; MACHADO, Ricardo Quadros;
OLIVEIRA, Vilma Alves. A fuzzy PD-PI control strategy to track the
voltage references of photovoltaic arrays. In: Proc. IEEE 9th International
Control And Automation Conference (ICCA), p. 1162-1167, 2011.


35
- POZZEBON, Giovani; GONCALVES, Amilcar; PENA, Guido;
MOCAMBIQUE, Nilton; MACHADO, Ricardo; Operation of a Three
phase Power Converter Connected to a Distribuition System. In: IEEE
Transactions on Industrial Electronics, no. 99, (accepted for publication),
2012.


37
37
2 Reviso Bibliogrfica
2.1 Introduo
Neste captulo descrevem-se objetivamente sobre o material pesquisado
referente aos conceitos bsicos, tecnologias, modelagem, algoritmos de busca e
conversores utilizados em sistemas fotovoltaicos.
Para isso, no 1 tpico, apresentam-se os fundamentos do efeito fotovoltaico e
um breve resumo das tecnologias das clulas fotovoltaicas que atualmente esto
disponveis comercialmente. Na sequncia, abordam-se sobre os modelos fsicos das
clulas e mdulos fotovoltaicos de forma a se obter uma representao simples, prtica
e eficaz. No 3 tpico, so apresentados os principais algoritmos de busca e discutidas
as suas principais vantagens e desvantagens de cada algoritmo. J nos 4 e 5 tpicos
apresentam-se respectivamente, a descrio do conversor escolhido e a
contextualizao do presente trabalho em relao aos trabalhos anteriores encontrados
na literatura.

2.2 Fundamentos da Energia Solar
Para a compreenso dos processos que envolvem a gerao de energia
eltrica em sistemas fotovoltaicos, nos prximos itens sero abordados os conceitos de
radiao solar, efeito fotovoltaico e tecnologias de clulas fotovoltaicas.

38
2.2.1 Radiao Solar
A fuso nuclear dos tomos de hidrognio no ncleo solar, a temperaturas de
15 20 milhes de kelvins ( K ) a responsvel pela radiao (calor e luz) no espao
(UNIVERSITAT KASSEL, 2003). A radiao emitida pelo Sol vista da Terra equivale
emitida por um corpo negro
4
de
6000 K
. A equao de Planck descreve a distribuio
do comprimento de onda da radiao do corpo negro, estabelecendo relaes entre
frequncia, temperatura e brilho espectral.
O fluxo radiante solar considerado constante fora da atmosfera terrestre
(radiao extraterrestre), tendo um valor mdio de 1367 watts por metro quadrado
2
(

W m
unidade de intensidade da radiao solar.
Os feixes da radiao solar que chegam Terra so paralelos, na faixa do
visvel, entre
0, 38 m
a
0, 78 m
de comprimento de onda (Figura 2.1).




Figura 2.1. Distribuio espectral da luz solar no espao. Fonte: Mller
5
(1993 apud VILLALVA,
2010, p. 17).
No entanto, antes de atingir o solo, a intensidade, a distribuio espectral e
angular da radiao solar afetada pelos efeitos da absoro e espalhamento que
ocorrem na atmosfera (CRESESB, 2006). Assim, para comparar o desempenho tico

4
Corpo negro um emissor e receptor ideal da radiao eletromagntica em todos os comprimentos de
onda.
5
H. J. Moller, Semiconductors for Solar Cells. Norwood, MA: Artech House, 1993.
Comprimento de onda [m]
D
i
s
t
r
i
b
u
i

o

d
e

E
n
e
r
g
i
a

[
W
/
m
2

m
]

Radiao do corpo negro

Radiao AM0

Radiao AM1.5

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
2.5

2.0

1.5

1.0

0.5


39
39
de produtos, materiais ou componentes espectralmente sensveis, tais como as clulas
fotovoltaicas, necessrio estabelecer um padro de referncia da distribuio de
espectro solar (AMERICAN SOCIETY FOR TESTING AND MATERIALS, 2008). Com
este propsito, definido o coeficiente de Massa de Ar (
AMx
) comprimento do
percurso relativo do feixe solar atravs da atmosfera (RIORDAN; HULSTRON, 1990)
onde
x
a secante do ngulo (
u
) do Sol com relao a znite no ponto de captao
(VILLALVA, 2010), dado por:
1
cos
x
u
=
(1)
O coeficiente AM usado na padronizao dos espectros das irradiaes.
Dentre os diversos padres, os mais recomendados pela American Society for Testing
and Materials (ASTM) so: o espectro global e o espectro normal direto, ambos a
AM1.5. O espectro global significa que a irradiao na clula fotovoltaica o conjunto
da irradiao solar diretamente do disco solar somada irradiao solar difusa (devido
s molculas de ar, aerossis e vapor de gua no cu e no ambiente do entorno pelo
solo, vegetao, etc.). Por sua vez, o espectro normal direto, refere-se irradiao solar
direta exclusivamente do disco solar e cujos raios solares so perpendiculares clula
fotovoltaica (RIORDAN; HULSTRON, 1990) (vide Figura 2.2).




37
Normal - Direto
Global
Atmosfera
=48.2
Terra
Znite (vertical)
AM1.0
AM1.5
Figura 2.2. Esquemtico das condies espectrais para AM1.5. Fonte: Riordan [20].
40
2.2.2 Efeito Fotovoltaico
O efeito fotovoltaico foi descoberto por Alexandre-Edmond Becquerel em 1839
que constatou a presena de uma diferena de potencial nos terminais de um
semicondutor quando exposto a luz (CRESESB, 2006). Na origem deste fenmeno est
o efeito fotoeltrico que ocorre quando ftons atingem a superfcie de um metal com
energia suficiente para permitir a liberao dos eltrons.
Conforme a teoria de bandas da mecnica quntica, materiais semicondutores
possuem bandas de energia permitidas e proibidas em seu espectro de energia. Dentro
da banda permitida, existem as bandas de valncia (mais profundas e ocupadas por
eltrons) e as bandas de conduo, cuja largura caracterstica de cada semicondutor
(FARRET; SIMES, 2006). Os eltrons da banda de valncia quando excitados por
energia trmica ou pela absoro de ftons com quantum de energia superior ao da
banda proibida, saltam gerando uma lacuna, e passam a ocupar a banda de
conduo, tornando-se eltrons livres. Ftons com energia inferior ao da banda proibida
passam pelo semicondutor sem contribuir para a converso de energia. No entanto,
ftons com energias muito superiores aos da banda proibida no permitem que a
energia excedente seja absorvida, sendo dissipada em forma de calor (UNIVERSITAT
KASSEL, 2003).
O silcio tetravalente o semicondutor que serve de matria base para maioria
das aplicaes envolvendo clulas fotovoltaicas. A pastilha de silcio formada pela
juno de duas camadas dopadas do tipo n e do tipo p, permitindo que tenham
propriedades eltricas diferentes, isto , a camada do tipo n atua como doadora de
eltrons, enquanto que a camada do tipo p atua como doadora de lacunas. Assim,
quando irradiados pela luz, ocorre absoro dos ftons e consequente formao do
par eltron-lacuna, que uma vez assegurado o equilbrio entre a gerao,
recombinao, transporte das portadoras e capacidade de separao da regio de
depleo, levar ao aumento da concentrao de eltrons e lacunas. Desta forma,
produzida uma tenso eltrica entre as camadas, que uma vez conectadas
galvanicamente, permite a passagem de corrente eltrica (UNIVERSITAT KASSEL,
2003).


41
41
Explicaes mais detalhadas esto fora do escopo deste trabalho, no entanto,
podem ser encontradas nos trabalhos de Boer (2010) e Universitat Kassel (2003).
2.2.3 Tipos de Clulas Fotovoltaicas
Quanto tecnologia utilizada, as clulas fotovoltaicas so classificadas como
de primeira, segunda ou terceira gerao (EUROPEAN PHOTOVOLTAIC INDUSTRY
ASSOCIATION, 2011).
Na primeira gerao esto s clulas de silcio cristalino (c-Si) feitas a partir de
fatias finas retiradas de um nico cristal ou bloco de silcio. Fazem parte deste grupo as
clulas mono e policristalinas de silcio (mc-Si e pc-Si, respectivamente). As
monocristalinas so entre todas as clulas fotovoltaicas as mais eficientes, no entanto,
requerem um custo maior na produo.
As clulas da segunda gerao baseiam-se na tecnologia de filme fino (thin
film), construdas atravs da deposio de camadas finssimas de material fotossensvel
sobre um suporte de baixo custo, tais como vidro, ao inoxidvel ou plstico. Dentre as
mais comuns esto s clulas de silcio amorfo (a-Si) e de telureto de cdmio (CdTe).
E, mais recentemente, as tecnologias da terceira gerao, as quais se incluem:
concentradores fotovoltaicos, clulas termo-fotovoltaicas e clulas fotovoltaicas
orgnicas. Os concentradores fotovoltaicos de silcio ou da multijuno de outros
semicondutores concentram mediante lentes a irradiao direta da luz solar para as
clulas fotovoltaicas, necessitando de um sistema de rastreamento contnuo em relao
ao sol. Por outro lado, as clulas termofotovoltaicas so usadas em sistemas hbridos
(termal e eltrico), j as clulas fotovoltaicas orgnicas, so constitudas por cadeias de
polmeros semicondutores de baixo custo, mas ainda com baixa eficincia, inferior a
10% (LI, Y. et al., 2010; MAYER et al., 2007;) (vide Tabela 2.1).
42

Tabela 2.1. Resumo das tecnologias fotovoltaicas comerciais. Fonte: EPIA, 2011 (EUROPEAN
PHOTOVOLTAIC INDUSTRY ASSOCIATION, 2011).

Tecnologia
Silcio Cristalino Filme Fino Concentrador
(mc-Si) (pc-Si) (a-Si) CdTe Multijuno
E
f
i
c
i

n
c
i
a

(
%
)

Clula 16-22 14-18 4-8 10-11 30-38
Mdulo 13-19 11-15 4-8 10-11 ~25

2.3 Modelo Matemtico da Clula Fotovoltaica
A clula fotovoltaica basicamente uma juno p-n de um semicondutor
normalmente de silcio que quando exposto a luz libera eltrons em torno de um
circuito eltrico fechado (RODRIGUEZ; AMARATUNGA, 2007). A taxa de eltrons
gerados depende do fluxo de luz incidente e da capacidade de absoro do
semicondutor (VILLALVA, 2009).
Para a simulao de sistemas fotovoltaicos, em eletrnica de potncia,
necessrio definir um modelo circuital da clula fotovoltaica, na qual so consideradas
s variaes do comportamento eltrico da clula em funo dos parmetros da
irradiao e temperatura do ambiente (GOW; MANNING, 1999).
Os modelos da clula fotovoltaica existentes na literatura podem ser divididos
em duas categorias: modelos orientados equao e modelos orientados ao circuito
(WANG; HSU, 2011). Os modelos orientados equao representam a relao
corrente tenso (
I V
) caracterstica da clula fotovoltaica em uma forma analtica
(RAMAPRABHA; MATHUR, 2008). Por outro lado, nos modelos orientados ao circuito,
a relao
I V
da clula fotovoltaica representada pelo seu circuito equivalente,
para que possa ser simulado mediante softwares de simulao de circuito eltricos
(GOW; MANNING, 1999; VILLALVA; GAZOLI; RUPPERT, 2009; WANG; HSU, 2011).
As principais vantagens dos modelos orientados ao circuito esto no aproveitamento


43
43
pleno dos modelos dos componentes eltricos e eletrnicos fornecidos pelo programa
de simulao e na facilidade de integrar as clulas fotovoltaicas com os restantes
elementos que compe um sistema fotovoltaico (WANG; HSU, 2011) dessa forma,
neste trabalho ser abordado o modelo orientado ao circuito.

2.3.1 Modelo Generalizado e Modelo Simplificado
O modelo generalizado da clula fotovoltaica (tambm conhecido por modelo
exponencial duplo ou modelo de dois diodos) derivado da natureza da juno p-n e
representa com preciso o comportamento das clulas fotovoltaicas, sobretudo s do
tipo cristalinas de silcio (GOW; MANNING, 1999). O modelo definido por cinco
parmetros: uma fonte de corrente controlada linearmente dependente da luz incidente
(
PV
I
), resistncias srie e shunt (
S
R
e
P
R
, respectivamente) e dois diodos (D
1
e D
2
)
que representam o efeito da recombinao das portadoras (ORTIZ-RIVERA; PENG,
2004), Conforme Figura 2.3. Percebe-se que
S
R
afeta significativamente a corrente de
curto-circuito da clula (
SC
I
) enquanto que
P
R
influncia significativamente a tenso de
circuito aberto (
OC
V
).
R
I
PV
G
R
P
S
I
V D
1
D
2

Figura 2.3. Modelo generalizado de uma clula solar.
Os cinco parmetros do modelo generalizado variam conforme a temperatura e
irradiao do ambiente. A relao de dependncia, sobretudo em relao irradiao,
no trivial de se obter, tornando-se necessrio um conjunto de testes experimentais
(GOW; MANNING, 1999). Assim, para os propsitos deste trabalho , sem perda de
generalidade, prefervel utilizar o modelo de um nico diodo como mostrado na Figura
44
2.4. Este modelo garante o compromisso entre a simplicidade e preciso e j foi usado
por vrios autores (FEMIA et al., 2005; MASOUM; PADOVAN; MASOUM, 2010;
PATEL; AGARWAL, 2008; RAMAPRABHA; MATHUR, 2008; RODRIGUEZ;
AMARATUNGA, 2007; VILLALVA, 2010).
Em geral, clulas fotovoltaicas com caractersticas similares so conectadas em
srie e encapsuladas para formarem mdulos e painis. Se o mdulo ou painel est
iluminado uniformemente, o modelo resultante qualitativamente idntico ao de uma
nica clula.
R
P
R
S
I
PV I
V
D
G

Figura 2.4. Modelo simplificado.
2.3.2 Mdulo Fotovoltaico
O modelo do mdulo usado neste trabalho apresentado em [4, 11] e suas
principais vantagens so: (1) todos os parmetros necessrios esto disponveis nos
folhetos de dados do fabricante, (2) fcil e eficaz para a simulao de dispositivos
fotovoltaicos com conversores de potncia e (3) garante que a curva
I V
e de
potncia tenso (
P V
) que ajustada para interpolar trs pontos experimentais
importantes, a saber,
SC
I
, PMP e
OC
V
.
A equao I
V
caracterstica do mdulo fotovoltaico no linear e implcita,
necessitando de mtodos iterativos para solucion-la, dada por,
exp 1
+ +
=
( | |
| (
\ .
S S
PV O
T P
V R I V R I
I I I
V a R
(2)
onde
PV
I
a corrente induzida pela luz,
O
I
a corrente de saturao do diodo,
S
R
a resistncia srie equivalente do mdulo,
P
R
a resistncia equivalente em


45
45
paralelo do mdulo,
a
o fator de idealidade do diodo,

=
T S
V N kT q
a tenso trmica
do painel com
S
N
clulas conectadas em srie,
k
a constante de Boltzmann
23
1, 3806503 10 J K

(

,
( )
T K
a temperatura da juno p-n, e a carga
elementar do eltron
19
1, 60217646 10 C

(

. Se o modulo composto por
P
N
clulas
conectadas em paralelo, ento a corrente induzida e de saturao do mdulo
fotovoltaico podem ser expressas por:
, PV PV CELL P
I I N =
e
, O O CELL P
I I N =

respectivamente. A corrente
PV
I
depende tanto do nvel de irradiao
2
(

G W m

quanto da temperatura T , enquanto que
O
I

depende apenas de T (FEMIA et al.,
2005). Maiores detalhes relacionados ao modelo adotado so apresentados por Villalva
(2010).
As curvas
I V
,
P V
e
P I V
so mostradas nas Figuras 2.5a, 2.5b e
2.6, respectivamente. possvel observar-se nas Figuras 2.5 e 2.6, que o principal
ponto de interesse ponto de mxima potncia (PMP) se encontra justamente na
regio menos linear, exigindo um controle preciso para uma gerao eficiente. O
prximo item aborda sobre os algoritmos de busca frequentemente adotados.

0 5 10 15 20 25
0
2
4
6
8

0 5 10 15 20 25
0
20
40
60
80
100
120
140


Figura 2.5. Curvas
I V
(a) e
P V
(b) de um mdulo KC130TM PV, para diferentes nveis
de irradiao e os pontos notveis de PMP (
MP
V
,
MP
I
) e (
MP
V
, PMP).
1000 W/m
2

550 W/m
2

100 W/m
2

V [V]
(b)
P

[
W
]

V [V]
(a)
I

[
A
]

1000 W/m
2

550 W/m
2

100 W/m
2

-
(
MP
V
, PMP)
-
(
MP
V
,
MP
I
)
46
0
10
20
0
5
10
0
50
100

Figura 2.6.
P I V
caractersticas do mdulo fotovoltaico KC130TM, para diferentes nveis
de irradiao e com os pontos notveis de PMP (
MP
V
,
MP
I
, PMP).
2.4 Algoritmos de MPPT
Algoritmos de MPPT so de extrema importncia para a utilizao otimizada da
energia solar disponvel. O algoritmo de MPPT objetiva determinar o ponto de operao
de maior gerao de energia eltrica da clula, mdulo ou painel fotovoltaico em
particular, ou do sistema fotovoltaico em geral, para as variaes instantneas de
irradiao e temperatura.
Existem na literatura diversos algoritmos de MPPT j propostos, simulados e
at mesmo implementados experimentalmente. Esses algoritmos podem ser
classificados em trs principais categorias: (1) algoritmos baseados em modelo, (2)
algoritmos baseados em treinamento e (3) algoritmos MPPT heursticos (ELGENDY;
ZAHAWI; ATKINSON, 2008; GONZLEZ-LLORENTE, 2009).

2.4.1 Algoritmos de MPPT Baseados em Modelo
Nesta categoria esto os algoritmos que dependem de um modelo matemtico
para o clculo da tenso ou corrente do PMP (ELGENDY; ZAHAWI; ATKINSON, 2008;
RODRIGUEZ; AMARATUNGA, 2007); bem como os mtodos de aproximao do PMP
-
(
MP
V
,
MP
I
, PMP)
1000 W/m
2

100 W/m
2

550 W/m
2

P

[
W
]

V [V]
I [A]


47
47
em funo das caractersticas do painel fotovoltaico (GONZLEZ-LLORENTE, 2009). A
abordagem pode ser simples como nos mtodos de Frao da tenso de circuito aberto
(
OC
V
) e Frao da corrente de curto-circuito (
SC
I
) (VILLALVA, 2010), na qual
determinada, empiricamente, uma constante de proporcionalidade entre o PMP e
OC
V

ou
SC
I
; ou mais complexa como no mtodo linear de coordenadas reorientadas
(LCRM) (ORTIZ-RIVERA; PENG, 2004).

2.4.2 Algoritmos de MPPT Baseados em Treinamento
So mtodos rpidos e precisos que requerem o uso de microcontroladores ou
processadores digitais de sinais (DSPs) para a implementao do algoritmo. Possuem
um custo maior na implementao, em contrapartida dispensam a necessidade de
conhecimento detalhado do sistema fotovoltaico ou da sua descrio precisa em termos
de modelos matemticos. Fazem parte deste grupo os algoritmos baseados em
inteligncia artificial, como: por lgica fuzzy (FEMIA et al., 2005) ou por redes neurais
artificiais (SYAFARUDDIN; KARATEPE; HIYAMA, 2008).

2.4.3 Algoritmos de MPPT Heursticos
Estes algoritmos baseiam-se nas medidas de corrente e tenso do painel
fotovoltaico para a tomada de deciso de aumento ou diminuio da varivel de
controle. Possuem a grande vantagem de no necessitarem de um conhecimento
prvio das caractersticas do painel (ELGENDY; ZAHAWI; ATKINSON, 2008). Os mais
simples e largamente usados so o mtodo de Perturbao e Observao e o mtodo
de Condutncia Incremental. Entretanto, existem outros mtodos mais complexos,
como a tcnica baseada no controle da correlao da ondulao do chaveamento do
conversor (RCC, ripple correlation control) (ESRAM et al., 2006; SPIAZZI; BUSO;
MATTAVELLI, 2009), ou o mtodo de enxame de partculas proposto por Miyatake et.
al. (2007).
48
2.4.3.1 Perturbao e Observao
O mtodo de busca por P&O baseia-se no seguinte procedimento: perturba-se
a tenso operante nos terminais do painel num determinado sentido e observa-se se h
um aumento ou uma diminuio na potncia gerada. Se houver um aumento na
potncia, deve-se manter a perturbao no mesmo sentido, caso contrrio, inverte-se o
sentido da perturbao, vide Figura 2.7. Este processo continua periodicamente, at
mesmo quando o PMP alcanado, desta forma, a tenso operante oscila em torno do
PMP em regime permanente o que diminui a eficincia do mtodo. A oscilao pode ser
minimizada ao reduzindo-se o tamanho do passo. Por outro lado, quanto menor for o
passo, mais lento ser o algoritmo, comprometendo a eficincia para rpidas mudanas
atmosfricas, como acontece em dias nublados (FEMIA et al., 2005). Para solucionar
este problema, so utilizados passos de tamanho varivel, cujo tamanho diminu
medida que se aproxima do PMP (ESRAM; CHAPMAN, 2007). Conforme mostrado na
Figura 2.7,
REF
V
tenso de referncia na qual o painel fotovoltaico forado a operar.
No PMP,
REF
V
se iguala tenso de mxima potncia (
MP
V
).

2.4.3.2 Condutncia Incremental
Similarmente ao mtodo de P&O, o mtodo de condutncia incremental (INC)
se baseia no principio de que a derivada da curva P -
V
(Figura 2.5b) zero no PMP,
positiva esquerda do PMP e negativa direita do PMP:
0,
0,
0,
dP dV
dP dV
dP dV
=

>

<

no PMP
esquerda do PMP
direita do PMP
(3)
sabendo que
( ) d IV
dP dI I
I V I V
dV dV dV V
A
= = + ~ +
A
(4)




49
49
























(4) pode ser reescrita como
,
,
,
I V I V
I V I V
I V I V
A A =

A A >

A A <

no PMP
esquerda do PMP
direita do PMP
(5)
assim, a condutncia instantnea
I V
comparada condutncia incremental
A A I V
. Uma vez alcanado o PMP, o ponto de operao do painel fotovoltaico
mantido at que ocorra uma variao em AI indicando uma mudana nas condies
V
ref
= V
ref
+ V V
ref
= V
ref
+ V V
ref
= V
ref
- V V
ref
= V
ref
- V
Inicio
P(k) > P(k-1)
V(k), I(k)
Retorna
V(k-1) = V(k), P(k-1) = P(k)
sim no
no sim no sim
V(k) > V(k-1) V(k) > V(k-1)
P(k) = V(k)I(k)
Figura 2.7. Perturbao e observao: algoritmo de busca do ponto de mxima
potncia.
50
atmosfricas, ento a tenso de referncia decrementada ou incrementada para a
busca do novo PMP (ESRAM; CHAPMAN, 2007).

2.5 Conversor CC-CC
A potncia fornecida pelo painel fotovoltaico depende das condies ambientais
(irradiao e temperatura) e da carga efetiva nele conectada. Assim, a impossibilidade
de arbitrariamente escolher as condies ambientais, remete todo controle na variao
da carga dinmica vista pelo painel. Isto realizado por intermdio de conversores CC-
CC ou CC-CA conforme a aplicao de interesse.
Existem na literatura diversas topologias de conversores de potncia CC-CC, as
mais comumente usadas so s do tipo SISO (nica entrada e nica sada) de segunda
ordem: Buck, Boost e Buck-Boost. So as mais simples, baratas e apresentam
resultados satisfatrios para as diversas aplicaes. Alm de servirem de base para
topologias mais complexas.
No presente trabalho foi escolhido o conversor do tipo boost. Este conversor,
por ser elevador de tenso uma boa opo para aplicaes voltadas conexo com a
rede de distribuio (VILLALVA, 2010), uma vez que quanto maior a tenso no
barramento CC do inversor que conecta o sistema rede, menor ser a relao do
nmero de espiras do transformador responsvel pela isolao galvnica, desde que
assegurado o nvel de potncia, sendo assim, amplamente adotado por diversos
autores (CHAOUACHI; KAMEL; NAGASAKA, 2010; COELHO; CONCER; MARTINS,
2009; FEMIA, 2005; GONZLEZ-LLORENTE, 2009; MIYATAKE et al.,2007; SPIAZZI;
BUSO; MATTAVELLI, 2009). Entretanto, esta topologia exige maiores cuidados no que
se refere ao controle chaveado por modulao da largura de pulso (PWM) como
mencionado por Middlebrook (1988) devido existncia de um zero no semi-plano
direito e a indutncia efetiva ser dependente da razo cclica como tambm pela
limitao da regio de atuao do MPPT para baixas irradiaes, como observado por
Coelho, Concer e Martins (2009).


51
51
2.6 Trabalhos Anteriores
Nos trabalhos sobre o desenvolvimento, simulao e implementao de
algoritmos de MPPT em sistemas fotovoltaicos uma condio relevante tem sido
ignorada. Os algoritmos so implementados sem um controle independente e robusto
da tenso ou da corrente de entrada dos painis fotovoltaicos. Ou seja, o MPPT atua
diretamente na razo cclica do conversor, deixando o controle em malha aberta sobre
a tenso terminal do painel conforme mencionado por Villalva (2010). Esta condio
limita a eficincia do MPPT, independentemente da tcnica adotada. Por outro lado,
tcnicas de controle moderno, como por lgica fuzzy, geram melhorias significativas
quando comparadas aos compensadores lineares. Desta forma, o neste trabalho
apresentado uma anlise com resultados de simulao e experimentais corroborando
com essa abordagem. Na Tabela 2.2 so apresentadas de forma resumida as principais
caractersticas dos trabalhos anteriores encontrados na literatura em relao ao
proposto neste trabalho.

52

D
e
s
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n
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g
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T
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0
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0
)

Tabela 2.2.
Resumo dos
trabalhos
anteriores
54
2.7 Consideraes Finais
Neste capitulo foram apresentados os princpios gerais envolvendo um sistema
fotovoltaico. Definiu-se o modelo fsico a ser empregue nos prximos Captulos e
mostraram-se as categorias dos algoritmos de busca em funo da tcnica aplicada.
Por fim, foram expostos os critrios tidos como base na escolha do conversor, e a
contextualizao do trabalho atual em relao aos trabalhos anteriores encontrados na
literatura.



55
55
3 Modelagem do Sistema Fotovoltaico
3.1 Introduo
O sistema fotovoltaico apresentado nesta dissertao constitudo por painis
fotovoltaicos que alimentam um conversor elevador de tenso conectado a uma carga
resistiva e um subsistema de controle cuja referncia de tenso estabelecida pelo
MPPT, conforme mostrado no diagrama em blocos da Figura 3.1. Alm disso, neste
captulo apresentada a anlise matemtica do sistema fotovoltaico, na qual so
abordadas as desvantagens do controle direto do MPPT sobre a razo cclica do
conversor e a vantagem da utilizao de reguladores lineares e/ou no lineares para
controlar a tenso terminal dos painis (em malha fechada) de forma a alcanar um
melhor desempenho do algoritmo de busca do PMP. Posteriormente, so descritos os
critrios considerados na escolha da varivel de controle e apresentadas s
caractersticas e os parmetros dos mdulos fotovoltaicos utilizados. Na sequncia, so
analisadas as funes de transferncia da planta linearizada em regime permanente
bem como, uma anlise de pequenos sinais. Finalmente, discutida a influncia dos
elementos parasitas capacitivos e indutivos do painel fotovoltaico no
comportamento da funo transferncia da planta (painel fotovoltaico + conversor
eletrnico).
56
Painel
PV
MPPT
Controlador
de Tenso
Conversor
DC-DC
+ -
I
V
ref
C
o
R
o
+
-
V
V
I
I
o
D

Figura 3.1. Diagrama do sistema fotovoltaico em estudo.
3.2 Desvantagens do Controle Direto
O acionamento direto das chaves do conversor CC-CC pelo MPPT
frequentemente encontrado na literatura, conforme apresentado anteriormente na
Tabela 2.2. Os algoritmos de MPPT funcionam dinamicamente, isto , definem
continuamente o ponto de operao em funo da resposta dinmica das variveis
monitoradas em um determinado intervalo de tempo.
Assim, rpidas e frequentes variaes nas variveis monitoradas pelo algoritmo
resultam em mudanas bruscas do ponto de operao, afetando diretamente a
eficincia do MPPT e independentemente do tipo de algoritmo utilizado quer seja
baseado em modelo, em treinamento ou heurstico. Isto ocorre por que a tarefa do
MPPT de definir o ponto de operao de referncia do sistema, no caso o PMP, mas
no garante que o sistema opere nesta mesma condio. Por exemplo, o algoritmo da
Frao da Tenso de Circuito Aberto (
OC
V
) (VILLALVA, 2010) calcula o PMP mediante
uma constante de proporcionalidade (
k
) determinada empiricamente, que relaciona a
tenso do PMP com a tenso de circuito aberto do painel fotovoltaico. Assim, uma vez
determinado
k
, necessrio que o conversor eletrnico seja desligado,
periodicamente, para obteno do valor de
OC
V
. Entretanto, quando os painis ficam
expostos a rpidas alteraes atmosfricas, como acontece em dias parcialmente
nublados, a tenso de circuito aberto varia com maior frequncia, fazendo-se


57
57
necessrio diminuir o perodo entre as amostras consecutivas, para que se determine a
OC
V
mais rapidamente. Isto resulta em uma maior perda de energia, causada por duas
situaes: devido ao desligamento repetido do conversor (VILLALVA, 2010) e, por outro
lado, devido ao tempo a ser esperado at que o sistema estabilize para cada
amostragem.
J os algoritmos que utilizam redes neurais (SYAFARUDDIN; KARATEPE;
HIYAMA, 2008) e que controlam a razo cclica do conversor, quando sujeitos a rpidas
mudanas atmosfricas variam rapidamente a razo cclica, ou seja, situao
semelhante malha aberta, na qual no existe nem controle do sobressinal ou do
tempo de estabilizao. Por fim, nos algoritmos heursticos como o P&O que geram
perturbaes na forma de passos, em torno do PMP, o uso do controle direto da razo
cclica do conversor implica em maoires dificuldades para o algoritmo em encontrar o
PMP, devido sua incapacidade em distinguir entre as perturbaes causadas pelas
mudanas atmosfricas de irradiao ou de temperatura das perturbaes
provocadas pelo passo do prprio algoritmo, conforme foi mencionado por Femia et al.
(2005).
O sistema de controle combinando o MPPT para estabelecer a referncia do
PMP e um regulador que atua sobre a corrente ou tenso terminal do painel fora o
sistema fotovoltaico a operar de forma mais efetiva na busca do PMP sob rpidas
mudanas atmosfricas, uma vez que o controle em malha fechada visa melhorar a
resposta transitria do sistema fotovoltaico como um todo e impedir que as variaes
bruscas sejam refletidas imediatamente na varivel de sada, melhorando dessa forma
o comportamento geral do sistema.

3.3 Varivel de Controle: Tenso
A no linearidade da varivel de controle influi diretamente na resposta
dinmica do controlador utilizado. Assim, as curvas normalizadas
P V
e P I do
painel na Figura 3.2, demonstram que esquerda do PMP as inclinaes de
P V
e
P I possuem derivadas positivas e aproximadamente iguais, entretanto, direita do
58
PMP a inclinao de P I decresce mais acentuadamente significando que, nesta
regio, a corrente possui magnitude maior do que a corrente de
MP
I
e que o
comportamento dinmico do painel no linear tornando a busca pelo PMP mais difcil
conforme mencionado em (XIAO et al., 2007).
Alm disso, de acordo com as curvas
I V
(Figuras 3.3 e 3.4) percebe-se que
os fatores ambientais (irradiao solar e temperatura na clula) influenciam
distintamente no deslocamento do PMP, isto : diferentes irradiaes causam um
deslocamento do PMP predominantemente na direo vertical no sentido da corrente;
enquanto que diferentes temperaturas na clula produzem um deslocamento na direo
horizontal no sentido da tenso.
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Adjusted P-I and P-V curves
V,I [pu]
P

[
p
u
]

Figura 3.2. Curvas normalizadas de P V e P I.
Na prtica, variaes bruscas e de grande amplitude da irradiao solar
ocorrem com maior frequncia em dias parcialmente nublados, ou devido reflexo,
refrao e obstruo da luz incidente por objetos ao redor dos painis. Entretanto,
variaes na temperatura da clula ocorrem mais lentamente e em intervalos definidos.
Dessa forma, recomendvel adotar como varivel de controle a tenso nos painis
por exigir uma menor resposta dinmica do controlador quando comparado ao controle
da corrente dos (XIAO et al., 2007).
- P V
- P I
- PMP


59
59













3.4 Especificao do Sistema Fotovoltaico
O conjunto de painis fotovoltaicos utilizados neste trabalho constitudo por
dois mdulos KC130TM conectados em srie. As caractersticas eltricas e os
parmetros dos mdulos KC130TM, do conversor elevador de tenso e do modelo do
painel fotovoltaico adotado so apresentados nas Tabelas 3.1, 3.2 e 3.3,
respectivamente.

3.5 Modelagem Matemtica
O sistema fotovoltaico no linear e variante no tempo (KADRI; GAUBERT;
CHAMPENOIS, 2011) devido s caractersticas eltricas dos painis fotovoltaicos (vide
Figura 3.2) que associado ao efeito do chaveamento (decorrente da operao dos
conversores eletrnicos) resulta em equaes diferenciais complexas e fora do escopo
desta dissertao. No entanto, o sistema no linear pode ser aproximado por equaes
lineares em determinados intervalos de tempo (XIAO et al., 2007). O processo de
linearizao estabelece que para um determinado ponto de operao sujeito a
0 5 10 15 20 25
0
2
4
6
8
0 5 10 15 20 25
0
2
4
6
8 1000 W/m
2

550 W/m
2

100 W/m
2

75C
50C
25C
- PMP
I

[
A
]

I

[
A
]

Figura 3.3. Curvas I V simuladas para
diferentes irradiaes a 25C.
Figura 3.4. Curvas I V simuladas para
diferentes temperaturas a 1000 W/m
2
.
V [V] V [V]
- PMP
60
pequenas perturbaes existe um modelo linear de pequenos sinais entre a entrada e
sada que difere ligeiramente do modelo no linear (CHEN, 1999).

Tabela 3.1. Especificaes eltricas do mdulo KC130TM em STC
6
.
Smbolo Parmetro Valor Unidade
P
MAX
Potncia Mxima 260,1 [W]
V
MP
Tenso em P
MAX
35,2 [V]
I
MP
Corrente em P
MAX
7,39 [A]
V
OC
Tenso de Circuito Aberto 43,8 [V]
I
SC
Corrente de Curto Circuito 8,02 [A]
C
V
Coeficiente de Temperatura de V
OC
-8,21 x10
-2
[V/C]
C
I
Coeficiente de Temperatura de I
SC
3,18 x10
-3
[A/C]
Tenso Mxima do Sistema 600 [V]

Tabela 3.2. Parmetros do conversor elevador de tenso.
Smbolo Parmetro Valor Unidade
C Capacitor na entrada do boost 1 [mF]
r
C
Resistncia srie do capacitor 0,5 []
L Indutor 5,0 [mH]
r
L
Resistncia srie do indutor 0,3 []
D Razo cclica nominal 0,76
r
ON
Resistncia da chave ligada 0,05 []
R
D
Resistncia srie do diodo 0,02 []
V
D
Tenso direta do diodo 0,6 [V]
C
O
Capacitor de sada 1,4 [mF]
R
O
Carga nominal 87 []
V
O
Tenso nominal na sada 150 [V]




6
STANDARD TEST CONDITIONS: AM1.5, 25 C e 1000 W/m
2
.


61
61
Tabela 3.3. Parmetros
7
do modelo ajustado do conjunto fotovoltaico formado por dois mdulos
KC130TM conectados srie em STC.
Smbolo Parmetro Valor Unidade
I
PV
Corrente Gerada pela Luz 8,0378 [A]
I
O
Corrente de Saturao do Diodo 3,598 [nA]
a
Fator de Idealidade do Diodo 1,1
R
P
Resistncia Shunt Equivalente 176,272 []
R
S
Resistncia Srie Equivalente 0,180 []

3.5.1 Linearizao do Painel Fotovoltaico
A equao caracterstica
i v
representa o modelo matemtico dos painis
fotovoltaicos utilizados neste trabalho, conforme reescrita abaixo:
exp 1
S S
PV O
T P
v R v R
i I I
V a R
i i + +
=
( | |
| (
\ .
(6)
a linearizao feita em torno do ponto de interesse, que neste caso corresponde ao
PMP (vide Figura 3.3).
0 5 10 15 20
0
2
4
6
8
Adjusted I-V curve
v [V]
i

[
A
]

Figura 3.3. Linearizao da curva i v nas proximidades do PMP do mdulo solar
KC130TM.
O modelo linear, determinado pela reta tangente curva
i v
no ponto da

7
Obtidos pelo algoritmo proposto [4].
PMP
v
i
62
linearizao PMP (V
MP
, I
MP
) dado por Villalva, de Siqueira e Ruppert (2010):
( )
= +
MP MP
i g v V I

(7)
tal que
1 A
= = ~
A
PV
di i
g
dv r v
(8)
onde
pv
r

a resistncia dinmica da clula que depende da irradiao e temperatura
da clula e portanto, possui comportamento variante no tempo (XIAO et al., 2007).
Mediante a equao (7), determina-se o circuito linear equivalente na vizinhana de
PMP (VILLALVA; de SIQUEIRA; RUPPERT, 2010), como mostrado na Figura 3.4, onde
1 =
EQ
R g
e
=
EQ MP MP
V V I g
.
VEQ
REQ
+
v
-
i

Figura 3.4. Circuito linear equivalente no ponto de mxima potncia.
3.5.2 Linearizao do Sistema Fotovoltaico
Na Figura 3.5 apresentado o sistema fotovoltaico estudado neste trabalho.
Assume-se que o capacitor C
o
grande o suficiente para garantir que a tenso na sada
seja constante. Desta forma, o modelo do sistema obtido pelo mtodo da modelagem
de pequenos sinais e de acordo com o modo de operao do conversor por modulao
de largura de pulso (PWM) (ERICKSON; MAKSIMOVIC, 2001). A anlise matemtica a
ser apresentada nos prximos itens tem como principal objetivo a obteno do modelo
circuital de pequenos sinais do sistema fotovoltaico + conversor elevador de tenso
bem como, a funo de transferncia de pequenos sinais
( ) ( ) v s d s
, onde v e
d
so,
respectivamente, pequenas perturbaes na tenso do painel fotovoltaico
v
e na razo
cclica d
.


63
63
Para uma representao mais precisa do sistema consideraram-se os seguintes
efeitos no modelo fsico do conversor elevador de tenso: resistncia srie do capacitor
de entrada (r
C
), resistncia srie do indutor (r
L
), resistncia da chave ligada (r
ON
),
resistncia srie do diodo (R
D
) e a tenso direta do diodo (V
D
), conforme representado
na Figura 3.6, onde i a corrente de entrada do conversor elevador de tenso, T
S
o
perodo do chaveamento, L o valor da indutncia, C o valor da capacitncia de
entrada do conversor e R
O
a resistncia da mnima carga a ser suprida pelo painel
fotovoltaico.
Painis
PV

C
C
O
R
O
r
L
C
r
L
v
i
O
i
+
-

Figura 3.5. Diagrama esquemtico do conversor elevador de tenso.

C
C
O
R
O
r
L
C
r
L i
O
R
D
ON
r
ON
OFF
v
i
+
-
R
EQ
V
EQ
V
D
v
C
+
-
i
L
Co
v
+
-
OFF
ON

Figura 3.6. Circuito geral do sistema fotovoltaico incluindo os efeitos parasitas dos
componentes.
Com o conversor operando no modo de conduo contnua, h apenas dois
estados possveis para as variveis do sistema: estado com chave ligada (ON) e estado
com chave desligada (OFF).
64
Aplicando-se as leis de Kirchhoff das correntes e das tenses para ambas s
situaes tm-se:

( )

)
=
=
=
O
L L ON
O
L
EQ
C
L
EQ
C
O
L
C d
C
di
v i r r
dt
V v
dv
i
R dt
dv
i
dt

(9), para chave ligada e
( )
( ) 1

)
=
=
=
o
o
L L D D C
o
L
EQ
C
L
EQ
C
L O
L V
C d
C
di
v i r R v
dt
V v
dv
i
R dt
dv
i i
dt

(10), para chave desligada.
Considerando a Figura 3.6 percebe-se que:
+ =
C
C
C
C
dv
v r v
dt
(11). Mediante a relao
da corrente do capacitor de entrada em (9) e (10) e utilizando (11), o resultado obtido :
( )
||
| | | |
+ | |
| |
+ +
\ . \ .
=
EQ
C
EQ C EQ
C EQ C EQ
L C
R
R
R R
r
v V v r i
r r
(12).

3.5.3 Obteno da Funo de Transferncia de Pequenos Sinais por
Equao de Espao de Estados
Considerando a notao matricial das equaes por espao de estados, na qual
as variveis de estado, as entradas e a sada so definidas como:


65
65
( )
(
(
( =
(
(

o
L
C
C
x t
i
v
v
, ( )
(
(
= (
(
(

eq
D
O
u t
i
V
V , e ( ) ( =

y t v , resultando em dois sistemas:
1 1
= + x Ax Bu ,
1 1
= + y C x Eu

durante o intervalo
S
dT
e
2 2
= + x A x B u ,
2 2
= + y C x E u durante o intervalo
( )
1
S
d T
.
Com o objetivo de se obter a mdia das equaes dos estados no ponto de interesse,
feita a ponderao no tempo dos dois sistemas:
1 2 1 2
1 2 1 2
(1 ) (1 )
(1 ) (1 )
( (
( (

( (
( (

= + + +
= + + +
x Ad A d x Bd B d u
y C d C d x E d E d u
(13)
assumindo que as entradas u e d podem ser decompostas em um valor mdio CC e
uma pequena componente CA, obtido como resultado:
= +
= +
= +
= +
u U u
d D d
x X x
y Y y
(14)
desprezando-se os termos CA de 2 ordem e considerando as identidades
1 2
(1 ) A AD A D = + ,
1 2
(1 ) = + B B D B D ,
1 2
(1 ) = + C C D C D , e
1 2
(1 ) = + E E D E D ,
obtm-se:
1 2 1 2
1 2 1 2
0 0
0 0 ( ) ( )
0 0
( ) ( )
| |
|
(
|
(
|
|
\ .
(
(

= + + +
= + + +
O
L
dx
C Ax Bu A A X B B U d
dt
C
y Cx Eu C C X E E U d
(15)
tal que as equaes de estado e da sada em regime permanente so dadas por
1
= X A BU e por
( )
1
= + Y CA B E U . Assim a funo de transferncia determinada
aplicando-se a transformada de Laplace em (15) e considerando as entradas
separadamente:
( ) 0 0
| ( ) ( ) | ( ) ( )
O
O vi
d s vd i
i y s v s G d s G s
= =
+ = = (16).

66
3.5.4 Modelo Circuital CA de Pequenos Sinais
A tcnica que representa o conversor + painis fotovoltaicos das equaes por
espao de estados permite determinar de maneira compacta e simples a funo de
transferncia da planta linearizada do circuito. No entanto, para resultados literais, este
procedimento gera expresses de alta entropia (MIDDLEBROOK, 1991) nas quais
difcil de determinar isoladamente os efeitos dos diferentes elementos do sistema.
Assim, para uma abordagem orientada ao projeto importante que se tenha um modelo
circuital CA de pequenos sinais que fornea expresses de baixa entropia cujas
relaes entre as entradas e a sada sejam facilmente compreendidas e o efeito de
elementos adicionais sejam analisados sem a necessidade de se recorrer a equaes
matemticas complexas.
As equaes do indutor L em (9) e (10) so somadas pelo principio do
balanceamento da tenso sobre o indutor e utilizando a decomposio dos sinais em
CC e CA de (11), tem-se:
( )
( ) ( )
( )
'
' ' ' (CC)
(CA)
0
O
O O
L L D D ON C
L
L L D D L D ON C ON C
D
D D
R D V D V D
R V V D
V I r r
di
L v i r r d I r R v
dt
+ +
+ + + +
=
=
(17)
sendo ' 1 = D D, cujo modelo CA mostrado na Figura 3.7.
Pelo principio do balanceamento de carga do capacitor e fazendo o mesmo
procedimento anterior, so obtidas, para o capacitor da entrada C e para o capacitor da
sada C
O
, as relaes apresentadas em (18) e (19) respectivamente.

(CC)
(CA)
0
EQ
L
EQ
C
L
EQ
V V
I
R
dv
v
C i
dt R

=
=
(18)


(CC)
(CA)
0 '
O
O O
L O
C
L
I I D
dv
C i dI
dt
+

=
=
(19).
Baseando-se nas Figuras 3.7, 3.8 e 3.9, possvel construir o modelo CA


67
67
completo de pequenos sinais conforme mostrado na Figura 3.10, onde R
o
e V
o
podem
ser definido como: '
o
= + +
L D ON
R r r D R D e
( ) o
= +
O
D L D C ON
V V V I r R . Assim, mediante
esse modelo, possvel serem observadas duas fontes independentes d e
O
i e a
sada v . Desse modo, a funo de transferncia pode ser determinada tal como em
(16) utilizando o principio da superposio.

i
L
L /dt
~
di
L
r + r D + R D
L ON D
d (V + V - I (r -R ))
Co
D
L
ON
D
~
~
Co
v
D
~
v
~

Figura 3.7. Circuito de pequenos sinais equivalente para a malha do indutor.

~
C /dt dv
C
C
r
C
i
L
~
~
+
v
-
R
EQ

Figura 3.8. Circuito de pequenos sinais
equivalente para o n do capacitor de
entrada.


R
O
~
O C /dt
dv
C
C
O
O
O
~
i
dI
L
~
C
+
v
-
O

Figura 3.9. Circuito de pequenos sinais equivalente
para o n do capacitor de sada.

68

~
+
v
-

L

R
C
r
C

C
O
R
O
O
~
i
~
i
L
R
eq
Co
v
+
-
~
dI
~
L
D : 1
~
d

V

Figura 3.10. Circuito linear equivalente de pequenos sinais do sistema fotovoltaico.
Este modelo contm as duas fontes independentes ( d e
O
i ) e a sada v . A
determinao da funo de transferncia feita utilizando-se os princpios de
superposio e das relaes de divisor de corrente e divisor de tenso. Assim, a funo
de transferncia da ( ) d s para tenso de entrada dos painis ( ) v s dada por:
2
1
||
1
|| '
1
||
1
( ) ' ||
o
o
| |
| |
|
+
| | |
| |
|
\ .
|
|
|
| | | |
| | |
\ .
\ .
+ + +
|
|
| |
\ .
\ .
\ .
+
+
=
O
O
C EQ
L O vd
O
C EQ
sC
D
sC
R
sC
r R
G s I D R
sC
r R R sL
V (20),
ou seja,

( )
( )
( )
2
3
2
2
1
2
3 2
3 2 1
' '
( )
'
'
o
o
o
o
o
t
t
t
t t t
| |
|
|
|
|
\ .
| |
|
\ .
| |
| | | |
| | |
\ . \ .
\ .
| |
|
\ .

=
+ + + + +
+ + + + +
+
= + + + + +
= + + + +
=
O O O C O
O
O O C C
O O EQ C
O O EQ C EQ C EQ C
EQ C O O EQ O
L L
eq
vd
EQ
I D CC R r V V Cr C R I R D Cr V R
G s R
R D R R
LCC R R r
C R CR r CR R r L LC R r
CR r C R R R CR CR D
s s
s s s
| |
|
\ .
+ +
EQ C
R r L
(21).
A funo de transferncia entre a corrente na carga ( )
O
i s e a tenso ( ) v s dada por:
( )
( ) ( ) ( ) ( )
2
2 2
3 2
1
'
' '
1
( )
o
| |
|
|
|
|
\ .
+

+ + + + + + +
=
EQ
O O
C
C
EQ C EQ EQ C
vi
Cr
C C
D
LC R r L CR R r
D D
R
C R r
s
s s s
G s (22).
Entretanto, o sinal negativo encontrado em ( )
vd
G s e ( )
vi
G s devido relao


69
69
contrria entre d e v e
O
i , ou seja, perturbaes positivas d na razo cclica D
geram, respectivamente, perturbaes negativas sobre v e
O
i , na tenso de entrada e
na corrente de sada.
Com os parmetros do sistema fotovoltaico das Tabelas 3.1, 3.2 e 3.3, e com o
painel linearizado no PMP
( 4,58 = O
EQ
R
e
69, 07 ) =
EQ
V V
, obtm-se as respostas
em frequncia das funes de transferncia ( )
vd
G s e ( )
vi
G s apresentados nas Figuras
3.11 e 3.12.
A resposta em frequncia da Figura 3.11 mostra que a curva monotnica, isto
, existe apenas uma frequncia de corte, permitindo utilizar o conceito de margem de
fase e margem de ganho para definir a estabilidade do sistema.
Embora no apresentadas neste trabalho, duas outras configuraes (
1
( )
vd
G s e
2
( )
vd
G s ) foram testadas com o objetivo de comparar o modelo atual ( ( )
vd
G s ) com outros
modelos mais simplificados. No primeiro caso, desconsideraram-se as variaes na
corrente da sada do conversor elevador de tenso
( )
0 =
O
i e no segundo caso,
considera-se uma fonte de tenso constante na sada do conversor ( =
O
C ).
A resposta ao degrau unitrio das respectivas funes de transferncia
apresentada na Figura 3.13. Observa-se que os modelos mais simplificados tm o
sobressinal e o tempo de estabilizao menor, no entanto estas mesmas simplificaes,
podem levar a resultados mais distantes da prtica, na qual a carga varivel e
capacitores so responsveis por fixar a tenso na sada. Desta forma, optou-se neste
trabalho em utilizar o modelo ( )
vd
G s mais prximo da realidade prtica.

70


-20
0
20
40
60
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
Margem de Ganho = -42.7 dB (em 0 Hz) , Margem de Fase = -97.3 deg (em 2.04kHz)
Frequencia (Hz)
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
45
90
135
180
F
a
s
e

(
d
e
g
)

Figura 3.11. Diagrama de Bode da funo de transferncia ( )
vd
G s .

-150
-100
-50
0
50
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
-45
0
45
90
135
180
F
a
s
e

(
d
e
g
)
Margem de Ganho = -25.6 dB (em 0 Hz) , Margem de Fase = -118 deg (em 44.4 Hz)
Frequencia (Hz)

Figura 3.12. Diagrama de Bode da funo de transferncia ( )
vi
G s .



71
71
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4


Tempo (sec)
A
m
p
l
i
t
u
d
e
Gvd1
Gvd2
Gvd

Figura 3.13. Resposta ao degrau unitrio do modelo considerando tenso na sada constante
(em azul), modelo considerando carga constante (em verde) e o modelo utilizado (em
vermelho).
3.6 Efeito de Elementos Parasitas: Capacitivo e Indutivo
O painel fotovoltaico possui elementos parasitas, ou seja, uma capacitncia
shunt no linear associada juno p-n dos diodos e uma indutncia srie associada
s conexes das clulas (SPIAZZI; BUSO; MATTAVELLI, 2009). Estes elementos
parasitas podem ser ignorados quando o conversor opera em frequncias relativamente
baixas ( 20 kHz) porm, tais afirmaes no podem ser desprezadas quando os
conversores so submetidos a frequncias superiores a 20 kHz. Resultados
experimentais na literatura reportam estes efeitos em conversores CCCC operando
em frequncias acima de 20 kHz (SPIAZZI; BUSO; MATTAVELLI, 2009). Alm disso,
algoritmos que se baseiam no ripple dos elementos tal como o RCC (ESRAM et al.,
2006) so bastante afetados pelos efeitos combinados da capacitncia e da
indutncia parasitas conforme investigado por Spiazzi, Buso e Mattavelli (2009).
Nesta seo, analisado o efeito destes elementos na funo de transferncia
de controle para sada ( )
vd
G s , determinada anteriormente, utilizando-se do Teorema do
Elemento Extra de Middlebrook. O Teorema do Elemento Extra de Middlebrook
apresentado em Erickson e Maksimovic (2001) e Middlebrook, Vorprian e Lindal
72
(1998) uma ferramenta bastante til que permite determinar a funo de transferncia
modificada pela adio de elementos extras ao circuito linear inicial.
Verifica-se, tambm, em (MIDDLEBROOK; VORPRIAN; LINDAL, 1998) que a
funo de transferncia modificada pode ser expressa como:
( ) 0
( ) 0
( )
1
( )
1
( )
( ) ( )
( )
i
O
O
O
N
Z s
s
O
D
vd vd
Z s
Z s
Z s
G s G s
Z s
=
=
| |
|
| |
|
| \ .
|
| |
|
| \ .
|
\ .
+
+
=
(23)
onde
( ) 0
( ) 0
( )
O
O
Z s
i s
vd
G s
=
=
| |
|
|
\ .
a funo de transferncia inicial sem o elemento extra ( )
O
Z s , ( )
D
Z s
a impedncia no ponto da conexo do elemento extra na condio 0 = d , ( )
N
Z s a
impedncia no ponto da conexo do elemento extra na condio que 0 = v e ( )
O
Z s a
impedncia do elemento extra. Alternativamente, ( )
N
Z s tambm pode ser determinado
em termos do modelo do circuito cannico (ERICKSON; MAKSIMOVIC, 2001)
apresentado na Figura 3.14.
( )
( )
( ) =
N
e s
j s
Z s (24)
Na qual mediante a Figura 3.10, resulta para presente caso
'
( )
o
= e
D
V
s e ( ) =
L
I j s .
Conforme mencionado anteriormente, fazendo-se 0 = d obtm-se:

( )
2
1 1
|| || ' ( )
C O
O
D
r R sL R D
sC sC
Z s
o
| | | |
| |
| |
|
| |
\ .
\ . \ .
= + + + (25)
Por outro lado:
( )
1
|| = +
PV EQ
PV
O
Z s R sL
sC
(26)


73
73
~
+
v
-


C
O
R
O
O
~
i
R
EQ
D : 1
~
de(s)
dj(s)
~

Filtro
Passa Baixa
Efetivo
C
PV
L
PV
Z
O

Figura 3.14. Modelo cannico do circuito do conversor elevador de tenso estudado
considerando-se os efeitos parasitas do painel fotovoltaico.
Aps a determinao de todos os elementos do termo
( )
1
( )
1
( )
( )
| |
|
|
\ .
| |
|
|
\ .
+
+
O
N
O
D
Z s
Z s
Z s
Z s
em (23) (fator
de correo) e para que os efeitos parasitas no afetem a funo de transferncia do
controle para sada necessrio que o fator de correo tenha magnitude prxima da
unidade, isto :
( ) ( )
( ) ( )
, e
N O
D O
Z s Z s
Z s Z s
<<
<<
(27)
As respostas em frequncia de ( )
N
Z s e ( )
D
Z s so apresentadas na Figura
3.15. O mdulo de ( )
N
Z s constante para todas as frequncias, por sua vez, ( )
D
Z s
apresenta um ganho baixo ( 10 dB), sendo deste modo o fator limitante na anlise.
Nota-se que os maiores valores de ( )
D
Z s ocorrem em torno de 90-100 Hz, assim caso
o conversor opere em altas frequncias h a necessidade de aumentar ( )
D
Z s , o que
pode ser feito diminuindo-se a razo cclica D ou ainda, aumentando a indutncia L e
capacitncia de entrada C do conversor.

74
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)


10
0
10
2
10
4
10
6
10
8
180
270
360
450
540
F
a
s
e

(
d
e
g
)
Frequencia (rad/sec)
Cpv = 100 nF
Cpv = 100 uF
Cpv = 1 mF


-10
0
10
20
30
40
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)


10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
-45
0
45
90
135
180
F
a
s
e

(
d
e
g
)
Frequencia (Hz)
ZN
ZD

Figura 3.15. Diagrama de Bode de ( )
N
Z s e ( )
D
Z s .


75
75
Spiazzi, Buso e Mattavelli (2009), comentam sobre a medio da capacitncia e
indutncia parasitas. Valores tpicos esto na faixa das centenas nF para a capacitncia
parasita e dezenas de H para a indutncia parasita.
Estudos mais detalhados esto fora do escopo deste trabalho, uma vez que o
sistema proposto opera em frequncias de chaveamento menores do que 20 kHz, no
entanto, outras anlises poderiam ser consideradas, tais como adio de filtros passa
baixa nos terminais da fonte de alimentao do conversor, ou ainda, conexo de
outros sistemas ao barramento CC na sada do conversor, valendo-se do mesmo
Teorema do Elemento Extra de Middlebrook para determinar os fatores de correo a
serem acrescentados funo de transferncia inicial.

3.7 Consideraes Finais
Neste captulo foi apresentada a metodologia utilizada na modelagem
matemtica do sistema proposto. Consideraes sobre a importncia e necessidade de
controlar a tenso nos terminais dos painis fotovoltaicos foram abordadas.
A modelagem matemtica baseou-se na linearizao de todo o sistema
fotovoltaico para o ponto de operao correspondente ao PMP. Duas abordagens foram
apresentadas para a obteno da funo de transferncia: uma utilizando equaes no
espao de estados e a outra orientada ao projeto utilizando o modelo circuital de
pequenos sinais.
Por fim, utilizou-se o Teorema do Elemento Extra de Middlebrook para
determinar os critrios que permitam compensar o efeito de elementos parasitas na
funo de transferncia determinada inicialmente.



77
77
4 Controle do Sistema Fotovoltaico
4.1 Introduo
Neste capitulo desenvolvido o projeto do controlador em malha fechada da
tenso nos terminais do painel fotovoltaico que alimenta o conversor CC-CC (Figura
4.1).
Inicialmente, testado um controlador linear do tipo proporcional e integral PI.
Alm disso, feita a anlise em malha fechada utilizando-se os conceitos de margem
de fase, margem de ganho, estabilidade e rejeio ao rudo, bem como so
apresentados e discutidos os resultados das simulaes do controlador PI para regimes
transitrios e permanentes so apresentados e discutidos. Posteriormente,
desenvolvido um controlador fuzzy PD, que atua paralelamente ao controlador PI,
fazendo um ajuste fino. Por fim, so comparados os resultados das simulaes do
controlador proposto so apresentados e comparados em relao ao controlador PI.

78
L
r
L
C
r
C
Painis
PV
+ -
I
PWM
H
v
H
i
MPPT
P&O
-
+
+
V
-
Controlador
Carga
V
O
Ganho do sensor de tenso
Ganho do sensor de corrente
d I
V
V
REF
Sensor
de
Tenso
Sensor de Corrente
O
I
+
-
I

Figura 4.1. Conversor elevador de tenso com controle da tenso de entrada.
4.2 Controle
Conforme mencionado por Xiao et. al. (2007), o comportamento no linear e
variante no tempo dos painis fotovoltaicos e do conversor chaveado dificultam o
projeto do controlador de tenso. No entanto, a funo de transferncia obtida no
capitulo anterior permite o desenvolvimento de controladores lineares na regio dos
pontos prximos ao PMP. A lei de controle aplicada nesta dissertao baseia-se na
realimentao negativa da sada e atua na razo cclica da modulao PWM, conforme
mostrado no diagrama em blocos da Figura 4.2.

MPPT
P&O
Controlador PWM
H
v
Conversor
CC-CC
+
-
d
V I
V
V
REF
Ganho do sensor de tenso

Figura 4.2. Diagrama em blocos do conversor CC-CC controlado e com referncia gerada pelo
algoritmo MPPT.


79
79
Tendo como critrio o aumento da largura de banda e da margem de fase da
planta ( )
vd
G s , determinaram-se, via software, os ganhos proporcional e integral do
controlador linear utilizando o Sisotool (MatLab Toolbox) mostrados na Tabela 4.1.
Entretanto, qualquer outro mtodo da teoria de sistemas lineares pode ser utilizado
para determinar os ganhos do controlador. Os diagramas de Bode em malha fechada
so apresentados nas Figuras 4.3 e 4.4, ambos com ganho de realimentao
1
70
=
V
H .
Tabela 4.1. Ganho proporcional e integral do controlador linear.
Smbolo Parmetro Valor Unidade
Largura de banda 1000 [Hz]
MF Margem de fase 80 [ ]
K
p
Ganho Proporcional - 29
K
i
Ganho Integral - 3200


-25
-20
-15
-10
-5
0
5
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
-90
-45
0
F
a
s
e

(
d
e
g
)
Frequencia (Hz)

Figura 4.3. Resposta em frequncia em malha fechada com realimentao unitria usando o
controlador PI.
80
-70
-60
-50
-40
-30
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
90
135
180
225
270
F
a
s
e

(
d
e
g
)
Frequencia (rad/sec)

Figura 4.4. Resposta em frequncia em malha fechada com realimentao unitria da rejeio a
uma perturbao indesejvel na entrada da planta.
A Figura 4.4 mostra a robustez do sistema para rejeitar perturbaes
constantes na entrada da planta sada do controlador. Comparando a Figura 4.3, com
a planta ( )
vd
G s da, Figura 3.11, percebe-se que o controlador PI em malha fechada,
aumentou significativamente a margem de fase.
A resposta ao degrau obtida pela simulao do sistema fotovoltaico da Figura
4.1 utilizando o Simulink (MatLab software), cujo resultado apresentado na Figura
4.5.


81
81
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
34
36
38
40
42
44
tempo [s]
t
e
n
s

o

[
V
]
V x t


Tenso de Referncia
Tenso PV

Figura 4.5. Resposta no domnio do tempo da tenso do painel foto voltaico usando o
controlador PI para uma referncia constante V
REF
=35 V (linha pontilhada). Ts=1 s, ripple=2%.
Embora o controlador linear PI apresente ripple de 2% e sem erro de regime
permanente, a resposta no transitrio de aproximadamente 0,03s no to satisfatria
quanto deveria. O tempo que o sistema leva para estabilizar (settling time) e o
sobressinal (overshoot) podem ao final do dia corresponder a uma parcela significativa
de energia desperdiada. E levando em considerao que o ponto de referncia em um
sistema fotovoltaico varia conforme as condies atmosfricas e as tomadas de
decises do algoritmo de busca, torna-se deste modo necessria otimizao da
resposta transitria do controlador linear.
Os prximos itens deste captulo focam no projeto de um controlador fuzzy cujo
objetivo o de atuar em conjunto com o controlador PI para reduzir o tempo de
resposta do sistema.

4.2.1 Controlador Fuzzy PD +PI
Existem na literatura diversas aplicaes fotovoltaicas em que tcnicas de
controle por lgica fuzzy (FLC) so utilizadas (ALAJMI, 2011; CECATI; CIANETTA;
SIANO, 2010; CHIU; OUYANG, 2011; LI, J.; WANG, 2009). O FLC no requer
82
conhecimento detalhado do processo a ser controlado nem a sua descrio precisa em
termos do modelo matemtico, alm disso, quando projetado corretamente, supera os
controladores mais complexos porque adapta as suas sadas para o estado atual do
sistema, mesmo sem o uso de observadores (CECATI; CIANETTA; SIANO, 2010). A
sua natureza heurstica associada simplicidade e eficcia em sistemas lineares como
no lineares tm motivado o uso em larga escala nos processos industriais (LI, J.;
WANG, 2009).
Na Figura 4.6 mostrado o diagrama geral de um estimador/controlador fuzzy.
Na Base de Dados so definidos os tipos de funes de pertinncia e o nmero de
pontos discretizados a serem usados. As variveis de entrada do processo de
inferncia so fuzzificadas na Interface de Fuzzificao e medidas por meio de
sensores. Com base em um conjunto de regras lingusticas definidas na Base de
Conhecimento gerada uma resposta que aps passar pela Interface de
Defuzzificao resulta em uma ao de controle no atuador da planta. Maiores
informaes sobre o FLC podem ser encontrados em (ROSS, 2010).














As variveis de entrada do FLC so definidas como (25):
1) O erro
( )
e k , i.e., diferena entre a tenso de referncia fornecida pelo
Figura 4.6. Diagrama em blocos de um estimador/controlador fuzzy.
Entradas
Pontuais
Sadas
Pontuais
Interface de
Defuzzificao
Procedimento de
Inferncia
Base de Dados
Base de
Conhecimento
Atuador Sensor
Conversor
CC CC
Interface de
Fuzzificao


83
83
MPPT
REF
V pela tenso no painel fotovoltaico V .
2) A variao do erro
( )
A k e , i.e., diferena entre o erro no instante atual
( )
e k
pelo erro no instante anterior
( )
1 e k .
( )
( ) ( ) ( )
1
=
A =
REF
e k V V
e k e k e k
(28)
Sendo que k denota os valores medidos no comeo do
th
k

ciclo de
chaveamento.
As variveis de entrada so normalizadas no intervalo de discurso | | 1 , 1 ,
utilizando fatores de escala apropriados (
e
n para
( )
e k e
e
n
A
para
( )
A k e ). Os valores
dos fatores de normalizao dependem do tipo de conversor utilizado. A sada do
controlador fuzzy PD uma variao inferida no ciclo de trabalho
( )
d k o no
th
k tempo
de amostragem com um fator de ganho q conforme mostrado na Figura 4.7.
As funes de pertinncia tm forma triangular e trapezoidal, por requererem
poucos parmetros e dessa forma necessitam de menos espao em memria (DI
PIAZZA et al., 2008). Os conjuntos fuzzy das variveis de entrada e sada so iguais e
simtricos, subdividindo-se em: PO (positivo), NE (negativo), ZE (zero), vide Figura 4.8.

e(k)
Fuzzy
PD
z
-1
PI(z)
+
+
d(k)
d (k)
d(k)
q
PI
o

Figura 4.7. Esquemtico do controlador Fuzzy PD+PI do conversor CC CC.
84
-1 -0.5 0 0.5 1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
G
r
a
u

d
e

p
e
r
t
i
n

n
c
i
a
erro, diferena do erro, razo ciclca


NE ZE PO

Figura 4.8. Funes de pertinncia das variveis de entrada e sada.
A construo da base de regras que relaciona a entrada fuzzy com a sada
fuzzy depende do conhecimento sobre a dinmica do sistema. As regras de controle
proposto so apresentadas na Tabela 4.2.
Aps a fuzzificao dos valores do par de entradas (
( )
e k ,
( )
A k e ), toma lugar
o procedimento de inferncia, resultando na regio fuzzy de sada, que est relacionada
com a sada do processo
( )
d k o . Basicamente, o procedimento de inferncia consiste
em:
1. encontrar todas as regras ativadas,
2. determinar a sada fuzzy para cada uma delas, aplicando a regra
generalizada do tipo modus-pones (i.e. se
( )
e k e < varivel lingustica> e
( )
A k e < varivel lingustica> ento
( )
d k o < varivel lingustica>) e
por fim;
3. agregar todas as regras fuzzy de sada.

Para a operao booleana e de cada regra ativada foi utilizado o operador
produto e para a operao de inferncia foi utilizado o operador minimum. Por sua vez,
a agregao de todas as regies fuzzy de sada foi implementada utilizando-se o
operador maximum.
Finalmente, no processo de defuzzificao, para que se tenha um valor crisp na


85
85
sada foi usado o mtodo do centride:
1
1
( )
( )
N
k k
k
N
k
k
V V
d
V

=
=
-
=

(29)
onde o grau de pertinncia, N o nmero de pontos discretizados e
k
V o
elemento crisp do universo de discurso. A Figura 4.9 mostra a superfcie de controle
resultante.
No domnio discreto, o ciclo de trabalho no
th
k tempo de amostragem definido
pelo controlador fuzzy PD + PI dado:
( ) ( ) ( )
PI
d k d k d k qo = + (30)
Tabela 4.2 . Base de regras do sistema fuzzy.
d o
e
NE ZE PO
e A
NE PO ZE NE
ZE PO ZE NE
PO PO ZE NE

Na Figura 4.10 apresentada a resposta no tempo do controlador fuzzy PD+PI
. Observa-se que h uma melhora significativa da resposta transitria, levando o
sistema a estabilizar muito rapidamente quando comparado ao controlador linear PI,
entretanto ocorre um aumento do ripple e do erro em regime.
Na Figura 4.11 mostrada a resposta utilizando apenas o controlador fuzzy.
Como esperado, a ausncia do integrador leva ao erro em regime permanente.

86

Figura 4.9. Superfcie de controle do sistema fuzzy.

0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
34
36
38
40
42
44
tempo [s]
t
e
n
s

o

[
V
]
V x t


Tenso de Referncia
Tenso PV

Figura 4.10. Resposta no domnio do tempo da tenso do painel fotovoltaico (linha contnua)
usando o controlador Fuzzy PD + PI para uma referncia de V
REF
=35 V (linha pontilhada). Ts=1
s, ripple = 0,23 V.


87
87
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
34
36
38
40
42
44
tempo [s]
t
e
n
s

o

[
V
]
V x t


Tenso de Referncia
Tenso PV

Figura 4.11. Resposta no domnio do tempo da tenso do painel fotovoltaico (linha contnua)
usando apenas o controlador fuzzy PD para uma referncia de V
REF
=35 V (linha pontilhada).
Ts=1 s, ripple = 0,23 V.

4.3 Consideraes Finais
O tempo de estabilizao e o sobressinal em malha fechada podem
desempenhar um papel importante no rendimento em sistemas fotovoltaicos, uma vez
que a tenso de referncia varia constantemente em funo do MPPT e das condies
ambientais.
Neste capitulo, foi definido um controlador linear PI e efetuadas anlises de
estabilidade do sistema em malha fechada. Alm disso, projetou-se um controlador no
linear fuzzy PD com o papel de atuar paralelamente ao controlador PI. Descreveu-se
detalhadamente o controlador fuzzy e apresentaram-se s respostas no tempo que
demonstram uma melhora significativa em termos de sobressinal e tempo de
estabilizao.
Contudo, a resposta transitria e a resposta em regime do sistema esto
atreladas entre si, de modo que se por um lado ocorreu uma diminuio do sobressinal
88
e o do tempo de estabilizao, em contrapartida o ripple e o erro em regime foram
ligeiramente afetados.



89
89
5 Bancada Experimental e Anlise de Resultados
5.1 Introduo
Para validar o sistema de controle apresentado no Captulo 4, foi construda
uma bancada experimental composta por um conversor elevador de tenso alimentado
por painis fotovoltaicos, com potncia nominal de 260 W, e conectado a um banco de
resistncias. Como forma de verificar o desempenho do sistema empregado nessa
dissertao, sero apresentados e comparados resultados experimentais com
simulaes do painel fotovoltaico + conversor CC-CC. Alm disso, so descritos
detalhes relevantes referentes montagem em bancada.

5.2 Descrio da Bancada Experimental
Nesta seo so descritos de forma geral os principais elementos utilizados na
bancada de ensaios mostrada na Figura 5.1.

FONTE FOTOVOLTAICA
Duas fontes foram utilizadas na bancada experimental: (1) painis fotovoltaicos
KC130TM fabricados pela Kyocera (vide Figura 5.2) e (2) mdulo simulador de matriz
solar E4360A Modular Solar Array Simulator mainframe (SAS) fabricado pela Agilent
Technologies (vide Figura 5.3).
O SAS tem capacidade mxima de 1200 W e gera curvas I V mediante a
definio de trs pontos: tenso de circuito aberto, corrente de curto circuito e o ponto
de mxima potncia. Alm disso, o SAS permite que curvas I V sejam geradas
mediante uma tabela de pontos definida pelo usurio.
90


Figura 5.1. Viso geral da bancada experimental: (1) Indutor e capacitor na entrada do
conversor. (2) Mdulo responsvel pelo condicionamento dos sinais analgicos, processamento
digital e drivers do chave. (3) Inversor trifsico de IGBTs. (4) Carga resistiva. (5) Sinais
disponveis para medio. (6) Osciloscpio.

Figura 5.2. Painis fotovoltaicos instalados em suporte mvel.
(4)
(3)
(1)
(2)
(6)
(5)


91
91




Figura 5.3. Mdulo simulador de matriz solar. Fonte: figura extrada do
www.home.agilent.com.
O mdulo fotovoltaico KC130TM do tipo policristalino de silcio, fabricado pela
Kyocera, possui 36 clulas conectadas em srie e divididas em dois grupos. Em
paralelo com cada grupo esto conectados diodos de passagem (bypass). Nos testes
realizados, so utilizados dois mdulos KC130TM conectados em srie e instalados em
um suporte metlico mvel, tendo cada painel movimento independente com um grau
de liberdade, conforme mostrado na Figura 5.2. As especificaes eltricas do conjunto
fotovoltaico foram apresentadas nas Tabelas 3.1 e 3.3.

(1) ELEMENTOS PASSIVOS
Nos terminais dos painis fotovoltaicos foi utilizada uma associao de
capacitores eletrolticos com capacitncia equivalente 980 = C F e ESR (equivalent
series resistance) 145 = O
C
r m (calculado mediante os dados do folheto do fabricante) e
so responsveis por filtrar as ondulaes na tenso da entrada do conversor. O filtro
passa baixa na sada do conversor composto pelo indutor de ferrite colocado no
interior de uma estrutura metlica isolada para reduo de interferncias
eletromagnticas, de indutncia 5 = L mH com resistncia srie medida de 0,4
L
r = O
e pelo o banco de capacitores eletrolticos na sada que possui uma capacitncia
equivalente de 1360 =
O
C F incorporada ao barramento CC do mdulo de IGBT SKS
21F B6U+E1CIF+B6CI 12V12 fabricado pela SEMIKRON.


92
(2) CONDICIONAMENTO, PROCESSAMENTO DE SINAIS E ACIONAMENTO
DAS CHAVES
Para a aquisio do sinal analgico de corrente na entrada do conversor
usado o sensor de efeito hall que est incorporado ao mdulo de IGBTs da Semikron,
enquanto que o sinal analgico de tenso na entrada do conversor obtido por meio de
um divisor resistivo com resistncia equivalente de 11 O k e tolerncia de 2%. Ambos
os sinais so transferidos para placa de sensores de condicionamento de sinais (com
sada em tenso compreendida entre 0 e 3 V ), mostrada em (2.1) na Figura 5.4.
Posteriormente, os sinais condicionados so lidos pelo conversor analgico digital
(A/D) do sistema de processamento, vide (2.2) na Figura 5.4. As funes de filtragem
digital (mdia mvel), algoritmos de busca do PMP (P&O e InC) e do sistema de
controle da tenso terminal do painel (controlador fuzzy PD + PI) foram implementados
em kit experimental Delfino TMS320F28335 fabricado pela Texas Instruments. O sinal
digital de PWM gerado, internamente no DSP, sincronizado com o mdulo A/D
operando a uma frequncia de 10 kHz . O sinal modulado do DSP fornecido a uma
placa de acionamento, vide (2.3) da Figura 5.4, responsvel pela interface que equaliza
os nveis de tenso da sada do modulador ( 0 a 3 V ) com os nveis de tenso de
acionamento dos drivers ( 0 a 15 V ) e tambm pela alimentao do sensor hall de
corrente.
As placas de condicionamento de sinais analgicos, de processamento de
sinais digitais e de acionamento das chaves foram acopladas em um nico mdulo,
facilitando o uso em campo, como mostrado na Figura 5.5.

(3) CHAVES
A configurao SPDT (Single Pole Double Throw) do conversor CC foi feita
usando um dos braos do mdulo IGBT da SEMIKRON, com capacidade de conduo
de 21 A e tenso reversa do diodo de 1200 V (dados do folheto do fabricante), vide
Figura 5.6.





93
93
(4) CARGA
A carga utilizada nos testes esttica e puramente resistiva, possui chaves
seletoras que permitem diferentes associaes do banco de resistncias, com
capacidade mxima de 400 W(vide Figura 5.6).


Figura 5.4. (2.1) placa de sensores e condicionamento de sinais analgicos; (2.2) placa
de processamento digital; (2.3) placa de acionamento dos drivers e alimentao do
sensor hall.

Figura 5.5. Mdulo contendo as placas de condicionamento, processamento,
acionamento e sadas para medies.
(2.1) (2.2) (2.3)
94

Figura 5.6. Inversor trifsico de IGBTs e carga esttica resistiva.
5.2.1 Consideraes Importantes
Nesta seo so abordados alguns dos critrios considerados para a
implementao do sistema de controle da tenso terminal dos painis fotovoltaicos.

REGIO DE OPERAO
O ponto de operao do sistema fotovoltaico proposto definido pela
interseco da curva de carga pela curva da fonte geradora em uma determinada
condio de irradiao e temperatura. Coelho, Concer e Martins (2009) analisam as
regies de operao do MPPT em funo da carga e da razo cclica. Assim,
baseando-se neste mesmo estudo e conhecidas carga nominal ( 87
O
R = O) e a razo
cclica ( 0,76 D= ), determinou-se a regio de operao do MPPT, que corresponde aos
pontos compreendidos entre ( ) , 1 tan 90
O
R arc (

, i.e., , 0,66 90 (

. O limite inferior
0,66 (

possui um valor desprezvel, de modo que o MPPT operar em toda a regio da
curva, como se observa na Figura 5.7.
Banco de
capacitores no
barramento CC
da sada

Sensor hall

Drivers

90


95
95

Figura 5.7. Regio de operao do MPPT.
SISTEMA FUZZY EMBARCADO EM DSP
O desenvolvimento de reguladores lineares em um DSP, tal como o controlador
proporcional integral apresentado anteriormente, simples e requer pouco espao de
memria. Por outro lado, cuidados adicionais devem ser tomados ao se desenvolver um
sistema fuzzy que opere com reduzidos tempos de execuo, pouca quantidade de
memria e uma alta resoluo.
Ao adotar funes de pertinncia lineares (triangular ou trapezoidal), o uso de
variveis do tipo inteira (int) e de conjuntos fuzzy simtricos e normalizados, permitem
que sejam feitas simplificaes na execuo do programa ou cdigo. Esses critrios
foram considerados na fuzzificao das variveis de entrada e no processo de
inferncia. Por outro lado, para a obteno da resposta fuzzy final, gerada no processo
de defuzzificao, pelo mtodo do centro de rea (centride) apresentado na equao
(26), desenvolveu-se uma tcnica que busca o compromisso entre alta resoluo e
baixo tempo de execuo, porm com pequeno aumento do custo computacional.
De forma sucinta, a tcnica utilizada prope a identificao e parametrizao da
agregao das regies fuzzy de sada, resultante do processo de inferncia, em termos
de figuras geomtricas mais simples (tringulos, retngulos e trapzios), cujas frmulas
de centros de rea so bem conhecidas. Deste modo, determina-se o centro da rea
total, combinando os centrides de cada figura geomtrica (F1, F2 e F3 na Figura
5.8).
Este procedimento permitiu obter a resposta exata do centro de rea total, sem o
uso de laos de repetio (do tipo for, while e do while) que consomem
Regio
no operante
0
90
100 W/m
2

96
considervel tempo de execuo do cdigo e memria. Alm disso, no se empregou o
mtodo tradicional que indexa uma tabela de todos os pontos discretos possveis de
entrada e sada, uma vez que, neste procedimento necessria uma elevada
disponibilidade de memria (SUETAKE, 2008).

Figura 5.8. Agregao e defuzzificao. Fonte: Suetake (SUETAKE, 2008).
5.3 Simulaes
As simulaes do sistema proposto foram realizadas utilizando o software
Simulink do MATLAB, porm, nas simulaes, foi considerado apenas o algoritmo de
P&O.
5.3.1 Determinao das Condies Iniciais e do Tempo de
Amostragem do MPPT
Neste item so abordados os critrios usados para estabelecer as condies
iniciais dos elementos passivos e sobre o tempo mnimo entre as amostragens
realizadas pelo MPPT.

CONDIO INICIAL DOS ELEMENTOS PASSIVOS
Diferentemente das condies ideais, na prtica, o ganho de tenso no
conversor elevador de tenso diminui medida que a razo cclica (regio na qual o
ciclo de trabalho superior a 80%) se aproxima da unidade, em geral, o ganho mximo
est na ordem de cinco a seis vezes a tenso de entrada (MOHAN; UNDELAND;
ROBBINS, 1995). Conseqentemente, apesar do controlador fuzzy PD + PI ter sido
NE ZE NE ZE NE ZE
( )
o k d

od
( ) ( )
o k d

F1 F2 F3
( )
o k d

od
( )
o k d

od
( ) ( )
o k d

( ) ( )
o k d



97
97
projetado para operar em diferentes tenses na vizinhana do PMP, se a referncia
estiver muito distante do PMP, maior ser o sobressinal e o tempo de estabilizao.
Assim sendo, necessrio estimar a tenso inicial dos capacitores na entrada e sada
do conversor e a corrente inicial do indutor, aproximando a simulao das condies
prticas.
Para isso, admite-se que o conversor esteja inicialmente desligado, desta forma
aps um longo perodo de tempo (maior do que seis vezes da constante de tempo) o
capacitor se carrega com a tenso do circuito aberto do painel (V
oc
) e a corrente no
indutor se reduz a zero. Admite-se que o capacitor na sada esteja desconectado da
carga e, portanto, inicia com a tenso de circuito aberto (150 V ).

ESCOLHA DO INTERVALO DO TEMPO DE AMOSTRAGEM DO MPPT
O intervalo de tempo da amostragem T
o
utilizada pelo MPPT deve ser maior
que um tempo mnimo garantindo que o sistema fotovoltaico tenha estabilizado e
reduzindo o nmero de oscilaes em torno do PMP em regime permanente. Em
(FEMIA et al., 2005) demonstrado que o tempo mnimo aproximadamente de:
( )
ln
LC
T
c
c

~ (31)
onde o fator de amortecimento. Normalmente 0,1 c = considerado um
valor razovel para assumir que o transiente esteja finalizado (FEMIA et al., 2005). Por
outra, o fator de amortecimento dado por:
1
2 2
mp
L C
mp
I r r
L C
V L C

| |
|
|
\ .
+
= + (32)
Usando as Tabelas 3.1 e 3.2 resulta em 0,3130 = e
0,1
16,5 = T ms , portanto
0,1
o
> T T . Nas simulaes e nos experimentos utilizou-se 17
o
= ms T .
98

5.3.2 Dinmica do Sistema
Iniciando com o capacitor na entrada carregado com a tenso de circuito aberto
do painel fotovoltaico (V
oc
) e sem corrente residual no indutor, o algoritmo P&O
inicialmente perturba (aumentando) a tenso de referncia do controlador fuzzy PD + PI
e observa que a potncia drenada do painel diminui, significando que a referncia se
afastou do PMP, desta forma o algoritmo comea a decrescer a referncia at atingir o
PMP. Neste momento, o sistema entra em regime permanente e oscila em torno do
PMP conforme mostrado na Figura 5.9 quando utilizado passo fixo ou com passo
varivel como mostrado na Figura 5.10. Como pode ser visto, o controlador tem um
bom desempenho, com sobressinal igual a zero e tempo de estabilizao menor que 17
ms, levando o sistema rapidamente ao regime permanente (FEMIA et al., 2005) e
aumentando a eficincia na gerao.


0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
0
50
100
150
200
250
time[s]
p
o
w
e
r

[
W
]
P x t
(a)
0.3 0.32 0.34 0.36 0.38 0.4 0.42 0.44 0.46 0.48 0.5
258
258.5
259
259.5
260
260.5
261
time[s]
p
o
w
e
r

[
W
]
P x t



99
99
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
30
32
34
36
38
40
42
44
time[s]
v
o
l
t
a
g
e
[
V
]
V x t


PV voltage
MPP reference
(b)
0.3 0.32 0.34 0.36 0.38 0.4 0.42 0.44 0.46 0.48 0.5
34
34.5
35
35.5
36
36.5
time[s]
v
o
l
t
a
g
e
[
V
]
V x t


PV voltage
MPP reference

Figura 5.9. Simulaes no domnio do tempo para
2
1000 = W m G e 298,15 = T K , com
fixo = 1,0
(

passo V , 17
o
= T ms . (a) Curva de potncia (b) Curva de tenso.

0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
0
50
100
150
200
250
time[s]
p
o
w
e
r

[
W
]
P x t
(a)
0.3 0.32 0.34 0.36 0.38 0.4 0.42 0.44 0.46 0.48 0.5
258
258.5
259
259.5
260
260.5
261
time[s]
p
o
w
e
r

[
W
]
P x t

100
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
30
32
34
36
38
40
42
44
time[s]
v
o
l
t
a
g
e
[
V
]
V x t


PV voltage
MPP reference
(b)
0.3 0.32 0.34 0.36 0.38 0.4 0.42 0.44 0.46 0.48 0.5
34
34.5
35
35.5
36
36.5
time[s]
v
o
l
t
a
g
e
[
V
]
V x t


PV voltage
MPP reference

Figura 5.10. Simulaes no domnio do tempo para
2
1000 = W m G e 298,15 = T K , com
varivel = 5,0 1,0 0,5
(

passo V , 17
o
= T ms . (a) Curva de potncia (b) Curva de tenso.

5.3.3 Rpidas Mudanas nas Condies de Irradiao e Temperatura
Em dias parcialmente nublados ocorrem rpidas mudanas na irradiao, o que
leva o algoritmo P&O a confundir-se, diminuindo a sua eficincia na busca do PMP.
Esta situao ocorre se a variao da irradiao G A produzir uma variao de potncia
G
P A maior do que a gerada pelo passo do algoritmo do MPPT
passo
P A

(FEMIA et al.,
2005). As simulaes apresentadas nas Figuras 5.11 e 5.12 demonstram que G A
afeta, significativamente, P ao contrrio da variao gerada por T A .



101
101
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
0
50
100
150
200
250
time[s]
p
o
w
e
r

[
W
]
P x t

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
30
32
34
36
38
40
42
44
time[s]
v
o
l
t
a
g
e
[
V
]
V x t


PV voltage
MPP reference

(a) (b)
Figura 5.11. Rpidas mudanas na irradiao no instante 0,4 s,
2
500 = W m G (antes de 0,4 s)
e
2
1000 = W m G (depois de 0,4s), 298,15 = T K , 17
o
= T ms : (a) Curva de potncia (b) Curva
de tenso.
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
50
100
150
200
250
time[s]
p
o
w
e
r

[
W
]
P x t

0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.8
24
26
28
30
32
34
36
time[s]
v
o
l
t
a
g
e
[
V
]
V x t


PV voltage
MPP reference

(a) (b)
Figura 5.12. Rpidas mudanas na temperatura no instante 0,35 s, 25 = t C (antes de 0,35 s)
e 75 = t C (depois de 0,35 s),
2
1000 = W m G , 17
o
= T ms : (a) Curva de potncia (b) Curva de
tenso.

102
5.3.4 Perturbaes na Carga
O sistema fotovoltaico estudado neste trabalho foi projetado para trabalhar
associado a um carregador de bateria. No entanto, em muitas aplicaes em gerao
distribuda o sistema fotovoltaico est conectado com a rede atravs de um inversor. Na
Figura 5.13 simulado o sistema fotovoltaico com uma fonte CA de amplitude de
40
pp
V em srie com o link CC com o objetivo de verificar o comportamento do
controlador fuzzy PD + PI e do comportamento do sistema fotovoltaico como uma fonte
de tenso em gerao distribuda.

0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
200
210
220
230
240
250
260
270
time[s]
p
o
w
e
r

[
W
]
P x t
(a)
0.46 0.465 0.47 0.475 0.48 0.485 0.49
258
258.5
259
259.5
260
260.5
261
261.5
262
time[s]
p
o
w
e
r

[
W
]
P x t



103
103
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
32
34
36
38
40
42
44
time[s]
v
o
l
t
a
g
e
[
V
]
V x t


PV voltage
MPP reference
(b)
0.46 0.465 0.47 0.475 0.48 0.485 0.49
34
34.5
35
35.5
36
36.5
time[s]
v
o
l
t
a
g
e
[
V
]
V x t


PV voltage
MPP reference

Figura 5.13. Simulao do sistema fotovoltaico com fonte de tenso AC ( 40 =
AC
V Vpp ,

120 =
AC
f Hz ) em srie com o barramento CC ( 150 =
O
V V ), para
2
1000 = W m G ,
298,15 = T K , 17
o
= T ms : (a) Curva de potncia (b) Curva de tenso.

104

5.4 Resultados Experimentais
Nesta seo so mostrados e analisados os resultados dos testes realizados
em laboratrio com a fonte SAS e no campo com os painis fotovoltaicos. Para
avaliar o desempenho do sistema fotovoltaico, cada controlador foi testado
separadamente (PI, fuzzy PD e fuzzy PD+PI). Alm disso, os mesmos foram
submetidos a trs tipos de buscas: (1) para uma referncia fixa, (2) utilizando o
algoritmo da perturbao e observao e (3) utilizando o algoritmo da condutncia
incremental.

Ensaios realizados em laboratrio
Para a realizao dos testes em laboratrio, primeiramente, determinou-se a
resposta em malha aberta do sistema fotovoltaico com o SAS, variando como
entrada a razo cclica do conversor e observando como a tenso e corrente dos
painis se comportava. Este teste foi realizado com o objetivo de verificar e
compreender a relao entre a varivel de controle (razo cclica) e a sada da
planta (tenso terminal nos painis fotovoltaicos). Os resultados do teste so
apresentados no Apndice A.
Os experimentos em laboratrio foram realizados simulando a condio de
irradiao de aproximadamente
2
630 W m uma vez que fonte SAS usada tem como
corrente de curto circuito 5,1 =
sc
A I . Desta forma, configurou-se a fonte para operar
com os parmetros 35, 2 =
mp
V V , 4,08 =
mp
A I e 43,8 =
oc
V V nestas condies a
mxima potncia de

140 ~
mp
W P .
As Figuras 5.14, 5.15 e 5.16, mostram respectivamente, a resposta ao
degrau na entrada dos controladores PI, fuzzy PD e fuzzy PD+PI para uma tenso
de referncia 35 =
REF
V V . Observa-se que o aps o degrau na entrada o sistema
utilizando o controlador PI entra em regime permanente em aproximadamente
600 ms , enquanto que utilizando o controlador fuzzy PD e o controlador combinado
fuzzy PD+PI o sistema entra em regime permanente em um tempo inferior a 40 ms .
Alm disso, nota-se que ondulao na tenso - ripple - utilizando somente o
controlador PI de aproximadamente 0,8 V enquanto que o ripple utilizando


105
105
separadamente o controlador fuzzy PD de aproximadamente 1, 2 V , j para o
controlador fuzzy PD+PI possui um ripple de aproximadamente 1,0 V . Testes
adicionais demonstraram que quanto maior contribuio do controlador fuzzy PD,
mais rapidamente o sistema estabiliza, no entanto o ripple se torna bastante
significativo. Em laboratrio, usou-se como ganho de controlador fuzzy 1,0 q = .
Nas Figuras 5.17 e 5.18 so mostradas as respostas do controlador PI
utilizando o algoritmo de P&O com passo fixo e com passo varivel. O intervalo de
tempo que o sistema demora a alcanar o PMP reduzido de aproximadamente
320 ms com passo fixo, para 128 ms com passo varivel. Nas Figuras 5.19 e 5.20 so
mostradas as respostas do sistema com controlador PI com passo fixo e varivel
empregando o algoritmo de InC, onde se percebe que a tenso se torna mais
estvel quando comparada a tenso do algoritmo de P&O.
Nas Figuras 5.21, 5.22, 5.23 e 5.24 so apresentadas as respostas do
sistema utilizando os algoritmos de P&O e InC com passo fixo e varivel com o
controle fuzzy PD+PI. Como esperado o ripple aumentou em aproximadamente 20%
em relao ao controlador PI, no entanto a magnitude relativamente baixa,
aproximadamente 1, 2 V ( 3, 4%da tenso nominal de operao). Mediante as figuras
anteriores, percebe-se que a resposta com o controlador fuzzy PD+PI se assemelha
em grande parte resposta com controlador PI, a principal diferena est na rpida
estabilizao, caracterstica importante que permite o uso de tempos de
amostragens
o
T inferiores aos do controlador linear. Esta caracterstica
determinante quando os painis esto parcialmente sombreados. Nestas
circunstncias, surgem vrios mximos locais (PMPs) e a determinao do PMP
global feita atravs de algoritmos especficos (VILLALVA, 2010), sendo
necessrios tempos de respostas menores. Adicionalmente, em dias parcialmente
nublados ocorrem frequentes variaes na luz incidente sobre os painis, assim, um
controle que estabilize, rapidamente, o sistema de grande interesse.
Resultados adicionais dos testes apresentados anteriormente e utilizando-se
somente o controlador fuzzy PD so apresentados no Apndice B.
106

Referncia Fixa

Figura 5.14. Resposta ao degrau na entrada com controlador PI. Ch2: tenso da fonte (5
V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (900 mA/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30
W/div).


Figura 5.15. Resposta ao degrau na entrada com controlador fuzzy. Ch2: tenso da fonte (5
V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (1 A/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30
W/div).
Ch2
Ch4
ChM
Ch2
Ch4
ChM


107
107


Figura 5.16. Resposta ao degrau na entrada com controlador fuzzy PD + PI. Ch2: tenso da
fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (1 A/div). ChM: potncia gerada pela fonte
(30 W/div).
Perturbao e Observao

Figura 5.17. Algoritmo P&O com passo fixo de 0,5 V: sistema com controlador PI. Ch2:
tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30 W/div).

17
o
= T ms .
Ch2
Ch4
ChM
ChM
Ch2
108

Figura 5.18. Algoritmo P&O com passo varivel [4,0 2,0 1,0 0,5 0,25] V: sistema com
controlador PI. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30 W/div).

17
o
= T ms .
Condutncia Incremental

Figura 5.19. Algoritmo InC com passo fixo de 0,5 V: sistema com controlador PI. Ch2:
tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30 W/div). 17
o
= T ms .
ChM
Ch2
ChM
Ch2


109
109

Figura 5.20. Algoritmo InC com passo varivel [4,0 2,0 1,0 0,5 0,25] V: sistema com
controlador PI. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30 W/div).

17
o
= T ms .
Perturbao e Observao



Figura 5.21. Algoritmo P&O com passo fixo de 0,5 V: sistema com controlador fuzzy PD +
PI. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30W/div).

17
o
= T ms .
ChM
Ch2
ChM
Ch2
110

Figura 5.22. Algoritmo P&O com passo varivel [4,0 2,0 1,0 0,5 0,25] V: sistema com
controlador fuzzy PD+PI. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia gerada pela fonte
(30 W/div).

17
o
= T ms .
Condutncia Incremental


Figura 5.23. Algoritmo InC com passo fixo de 0,5 V: sistema com controlador fuzzy PI+PD.
Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30 W/div). 17
o
= T ms .
ChM
Ch2
ChM
Ch2
ChM
Ch2


111
111

Figura 5.24. Algoritmo InC com passo varivel [4,0 2,0 1,0 0,5 0,25] V: sistema com
controlador fuzzy PD+PI. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM: potncia gerada pela fonte
(30 W/div).

17
o
= T ms .

Ensaios realizados com os painis fotovoltaicos
Os ensaios com os painis fotovoltaicos foram realizados nas proximidades
do Departamento de Engenharia Eltrica da Escola de Engenharia de So Carlos
USP, em dias parcialmente nublados e com cu claro. Os painis foram
direcionados ao Sol e inclinados aproximadamente a 37 em relao horizontal
(AM1.5).
Durante os testes no campo, tiraram-se fotos dos painis com a cmera
infravermelha Ti10 IR Fusion Technology da FLUKE (Figura 5.25). As fotos permitem
observar a distribuio trmica nos painis e podem ser usadas para estimar em que
faixa de temperatura nas quais as clulas fotovoltaicas se encontram (vide Figura
5.26 a 5.29). Constatou-se, com relativa surpresa, que em dias ensolarados e
parcialmente nublados, a distribuio trmica no to uniforme quanto se podia
prever, inclusive nas clulas pertencentes ao mesmo painel fotovoltaico. A variao
trmica mxima nas clulas do mesmo painel foi de 6 C ~ . Esta condio pode
acarretar em maiores dificuldades dos algoritmos de busca baseados em
treinamento que utilizam medidas de irradiao e de temperatura para calcular o
ponto de mxima potncia.
ChM
Ch2
112

Figura 5.25.Cmera infravermelha Ti10 IR Fusion Technology da FLUKE.
Nas Figuras 5.30, 5.31 e 5.32, so apresentados os resultados utilizando-se
os painis fotovoltaicos da resposta ao degrau na entrada dos controladores PI,
fuzzy PD e fuzzy PD+PI para uma tenso de referncia 30 =
REF
V V . As respostas
obtidas em campo so semelhantes s obtidas em laboratrio, se por um lado o
sistema utilizando o controlador fuzzy isoladamente e o combinado fuzzy PD+PI
entram em regime em um intervalo de tempo menor ( 50 ms ), j o sistema utilizando
o controlador PI, o tempo para o regime permanente cerca de 800 ms . As
ondulaes na tenso foram similares s obtidas em laboratrio para os trs
sistemas de controle, sendo de 1,0 ~ V .
Aplicando os algoritmos de busca por perturbao e observao, mostrados
nas Figuras 5.33 e 5.34, e de condutncia incremental, mostrados nas Figuras 5.35
e 5.36, as respostas com o controlador fuzzy PD + PI apresentaram um ripple
( 2,5 ~ V ) com aproximadamente uma unidade a mais do que o ripple com o
controlador PI ( 1, 2 ~ V ), isto ocorreu por que se aumentou o ganho do controlador
fuzzy (utilizou-se 1,5 q = ) com o objetivo de tornar a resposta transitria mais rpida.





113
113




Figura 5.26. Distribuio trmica dos painis fotovoltaicos em dia parcialmente nublado.
(Vista 1).


Figura 5.27. Distribuio trmica dos painis fotovoltaicos em dia parcialmente nublado.
(Vista 2).

114



Figura 5.28. Distribuio trmica dos painis fotovoltaicos em dia com cu claro.


Figura 5.29. Distribuio trmica dos painis fotovoltaicos com inclinaes diferentes em um
dia parcialmente nublado.





115
115
Referncia Fixa

Figura 5.30. Resposta ao degrau na entrada com controlador PI. Ch2: tenso da fonte (5
V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (2 A/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30
W/div).

Figura 5.31. Resposta ao degrau na entrada com controlador fuzzy. Ch2: tenso da fonte (5
V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (2 A/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30
W/div).
Ch2
Ch4
ChM
Ch4
Ch2
116

Figura 5.32. Resposta ao degrau na entrada com controlador fuzzy PD + PI. Ch2: tenso da
fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (2 A/div). ChM: potncia gerada pela fonte
(30 W/div).
Perturbao e Observao

Figura 5.33. Algoritmo P&O com passo fixo de 1,0 V: sistema com controlador PI. Ch2:
tenso da fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (2 A/div). ChM: potncia gerada
pela fonte (30 W/div).

17
o
= T ms .
Ch4
Ch4
Ch2
Ch2
ChM


117
117


Figura 5.34. Algoritmo P&O com passo fixo de 1,0 V: sistema com controlador fuzzy PD +
PI. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (2 A/div). ChM: potncia
gerada pela fonte (30 W/div) 17
o
= T ms .
Condutncia Incremental

Figura 5.35. Algoritmo InC com passo fixo de 1,0 V: sistema com controlador PI. Ch2:
tenso da fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (2 A/div). ChM: potncia gerada
pela fonte (30 W/div). 17
o
= T ms .

Ch2
Ch4
ChM
Ch2
Ch4
ChM
118

Figura 5.36. Algoritmo P&O com passo fixo de 1,0V: sistema com controlador fuzzy PD + PI.
Ch2: tenso da fonte (5 V/div). Ch4: corrente injetada pela fonte (2 A/div). ChM: potncia
gerada pela fonte (30 W/div) 17
o
= T ms .
5.5 Consideraes Finais
Este captulo apresentou os resultados de simulao e experimentais do
sistema fotovoltaico constitudo por painis fotovoltaicos que alimentam um
conversor elevador de tenso. O sistema foi testado em laboratrio com nveis de
potncia de at 140 We posteriormente testado em campo com nveis de potencia
de 200 W.
A modelagem desenvolvida no Captulo 3 permitiu o projeto do sistema de
controle da tenso de entrada estudado no Captulo 4. Assim, este captulo focou na
implementao prtica do sistema e na anlise dos resultados.
Os resultados experimentais tanto em laboratrio como em campo,
assemelharam-se aos obtidos em simulao, permitindo validar as consideraes
tericas e identificar os gargalos para trabalhos futuros.

Ch2
Ch4
ChM


119
119
6 Concluses e Trabalhos futuros
6.1 Concluses Gerais
Este trabalho uma contribuio ao projeto de pesquisa voltado s fontes
alternativas desenvolvidas pelo Laboratrio de Fontes Alternativas e Processamento
de Energia e pelo Laboratrio de Controle da EESC/USP envolvendo fontes
renovveis de energia, controle digital de conversores de potncia, qualidade de
energia e filtros ativos.
O principal propsito era o de desenvolver um sistema de controle capaz de
melhorar a resposta transitria de uma planta constituda por painis fotovoltaicos
conectados a um conversor CC.
Algumas limitaes surgiram no decorrer do trabalho, tais como, os recursos
disponveis, o tempo limitado e o estgio ainda inicial do grupo no tema pesquisado.
Apesar disso, obtiveram-se bons resultados e identificaram-se diverSAS reas de
pesquisa a serem estudadas futuramente.

6.2 Contribuies do Trabalho
Os resultados obtidos nesta dissertao reforam a necessidade de
controlar a tenso do painel fotovoltaico para a melhoria do desempenho dos
algoritmos de busca do ponto de mxima potncia, uma vez que a tenso de
referncia varia constantemente em funo do MPPT e das condies ambientais.
O sistema de controle proposto obteve uma resposta dinmica
significativamente mais rpida, com um tempo de estabilizao abaixo de 10 ms.
Esta condio permite a utilizao do MPPT com tempos de amostragem menores
se comparado ao controle direto da razo cclica ou quando utilizado somente
reguladores lineares, aumentando a eficincia na gerao inclusive em situaes de
sombreamento parcial.
120
A aplicao do Teorema do Elemento Extra de Middlebrook permitiu analisar
e determinar os critrios para compensar os efeitos de elementos parasitas nos
painis fotovoltaicos e demonstrou ser uma abordagem simples e eficiente, embora
pouco explorada, a ser utilizada em outros estudos.
No projeto do controlador fuzzy embarcado desenvolveu-se uma
metodologia no processo de defuzzificao que proporcionou uma economia no
recurso de memria, aumento da preciso e rpido tempo de execuo apesar do
leve aumento no custo computacional, se comparado ao mtodo tradicional de
indexao por memria ou utilizando laos de repetio (for, while ou do while).
Apesar dos baixos nveis de potncia utilizados neste trabalho, os resultados
obtidos e as consideraes propostas podem ser estendidos a outras tcnicas de
controle no lineares e a outros conversores usados em sistemas fotovoltaicos.

6.3 Trabalhos Futuros
No decorrer desta dissertao identificaram-se como trabalhos futuros a:
- Elaborao de um algoritmo de busca do ponto de mxima potncia
baseado em rede neural aplicvel inclusive em situaes de
sombreamento parcial;
- Elaborao de um mtodo que determine o melhor ponto de operao
de um sistema fotovoltaico com determinado arranjo de painis em
srie e/ou paralelo, mas que est limitado no nmero de chaves. Esta
abordagem visa o baixo custo da instalao fotovoltaica, uma vez que
para grandes aplicaes , praticamente, infactvel que cada mdulo
da planta possua individualmente um conversor e uma unidade de
processamento digital;
- Generalizao da metodologia empregada no processo de
defuzzificao, inclusive para outros mtodos de implicao (Zadeh,
Larsen e aritmtico);
- Aplicao do Teorema do Elemento Extra de Middlebrook na anlise
do sistema fotovoltaico atrelado outros sistemas, tais como,
carregadores de bateria e conversores CC/CA conectados rede.



121
121
Apndice A
A.1 Curva Esttica do Processo com Conversor Elevador de
Tenso e Fonte SAS
Neste apndice apresentado a resposta em malha aberta do conversor
elevador de tenso conectado a fonte SAS, com o objetivo de se obter a
caracterstica esttica do processo. A caractertica esttica do processo a curva
que estabelece a relao em regime permanente entre a varivel de entrada do
processo (razo cclica D ) e varivel de sada (tenso terminal da fonte V )
(ASTROM; HAGGLUND, 1995). utilizada na determinao do intervalo do sinal de
controle necessria para variar a sada do processo em um intervalo especfico, no
dimensionamento dos atuadores e calibrao dos sensores (ASTROM; HAGGLUND,
1995).
No experimento em malha aberta, definiu-se um valor constante para a
entrada D e mediu-se a sada V aps atingir o regime permanente, obtendo-se um
ponto da curva. Repetiu-se o mesmo procedimento para cobrir todo o intervalo da
entrada.
Os resultados do experimento so apresentados na Tabela A.1 e Figura A.1.
Para razes cclicas acima de 80% a proteo de sobrecorrente da fonte foi
acionada, o que no permitiu a extrao dos resultados. Entretanto, nesta condio
a tenso dos painis estaria abaixo dos 28 V, razoavelmente distante do ponto de
interesse (35 V) na qual foi feita linearizao.
Observa-se em (I) da Figura A.1 que a razo cclica que gera a potncia
mxima de aproximadamente 70%. J mediante (II e III) da Figura A.1 percebe-se
que a relao entre a entrada e a sada no linear e inversa, ou seja, o aumento
da razo cclica diminui a tenso de entrada. Alm disso, observado que na faixa
de 35 37 V a curva pode ser linearizada sem ocasionar erros significativos.

122

Tabela A.1. Dados obtidos em experimento laboratorial para validao da fonte SAS.
Duty Cycle V (V
RMS
) I (A
RMS
) P (W
RMS
)
0.05 42.33 0.695 2.12
0.10 42.24 0.748 4.22
0.15 42.12 0.821 6.32
0.20 41.97 0.868 8.39
0.25 41.80 0.956 10.45
0.30 41.61 1.07 12.48
0.35 41.37 1.18 14.48
0.40 41.06 1.36 16.42
0.45 40.67 1.57 18.30
0.50 40.17 1.85 20.08
0.55 39.51 2.18 21.73
0.60 38.67 2.66 23.20
0.65 37.45 3.27 24.34
0.70 35.20 4.02 24.64
0.75 28.88 4.67 21.66
0.80
OVER CURRENT ERROR OVER CURRENT ERROR OVER CURRENT ERROR
0.85
OVER CURRENT ERROR OVER CURRENT ERROR OVER CURRENT ERROR
0.90
OVER CURRENT ERROR OVER CURRENT ERROR OVER CURRENT ERROR
0.95
OVER CURRENT ERROR OVER CURRENT ERROR OVER CURRENT ERROR

Solar Array Simulator

PARMETROS: V
MP
: 35.2 V I
MP
: 4.08 A V
OC
: 43.8 V I
SC
: 5.10 A
OBS: O diodo em srie da fonte foi utilizado.

Conversor BOOST
PARMETROS: L = 5 mH C = 940 F C
O
=1360 F R (carga) = 100




123
123
28 30 32 34 36 38 40 42 44
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Photovoltaic: Current x Voltage
I
p
v

[
A
]
Vpv [V]
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
20
40
60
80
100
120
140
160
Photovoltaic: Duty cycle x Power
Duty Cycle
P
o
w
e
r

[
W
]
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
28
30
32
34
36
38
40
42
44
Photovoltaic: Duty cycle x Voltage
Duty Cycle
V
p
v

[
V
]
Figura A.1.Curvas geradas por experimento em laboratrio da fonte SAS (I): Potncia x razo cclica. (II) Tenso x razo cclica. (III)
e Corrente x Tenso.
III
II I
124


125
125
Apndice B
Este apndice apresenta resultados adicionais dos testes realizados em
laboratrio com o controlador fuzzy PD+PI e o controlador fuzzy PD isoladamente.
Nas Figuras B.1 e B.2 mostrado o comportamento em regime permanente
com o controlador fuzzy PD+PI utilizando os algoritmos de P&O e InC,
respectivamente. Observa-se que sob as mesmas condies de teste e em regime,
o algoritmo de InC mais estvel que o algoritmo de P&O. Isto ocorre porque
quando utilizado o algoritmo da P&O, necessariamente, a tenso de referncia
incrementada ou decrementada a cada ciclo. Ao passo que o algoritmo de InC
quando atinge o PMP permanece no mesmo ponto a menos I varie (ESRAM;
CHAPMAN, 2007).
Por outro lado, so mostrados os testes realizados isoladamente com o
controlador fuzzy PD na Figura B.3. Observa-se que o controlador fuzzy PD quando
utilizado com baixo ganho (< 1,0) gera rudos considerveis na tenso do painel, no
sendo recomendvel a sua utilizao isoladamente. Entretanto, o aumento do ganho
do controlador fuzzy no levaria a plena soluo do problema, devido ao erro em
regime e o aumento do ripple. Uma soluo seria um ajuste fino entre o ganho do
controlador fuzzy e observando se o ripple e o erro em regime serem compatveis
com as especificaes do projeto.
126






Figura B.1. Teste com o simulador de matriz fotovoltaica, utilizando-se o controlador fuzzy
PD+PI e o algoritmo de P&O em regime. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). Ch4: corrente
injetada pela fonte (900 mA/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30 W/div).

Figura B.2. Teste com o simulador de matriz fotovoltaica, utilizando-se o controlador fuzzy
PD+PI e o algoritmo de InC em regime. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). Ch4: corrente
injetada pela fonte (900 mA/div). ChM: potncia gerada pela fonte (30 W/div).

CH2
CH4
CHM
CH2
CH4
CHM
160 ms/div
160 ms/div


127


Figura B.3. Controle fuzzy PD testado com o simulador de fonte fotovoltaica nas condies de (I): passo fixo e algoritmo de P&O. (II): passo
varivel e algoritmo de P&O. (III): passo fixo e algoritmo de InC. (IV): passo fixo e algoritmo de InC. Ch2: tenso da fonte (5 V/div). ChM:
potncia gerada pela fonte (30 W/div). Escala de tempo de 160 ms/div.
IV III
I
II
CH2
CHM
CH2
CHM
CH2
CHM
CH2
CHM
128



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