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Circuitos de control de disparo

1. Introduccin.- Un circuito de potencia est sujeto a un alto voltaje, por lo general mayor de 100 V, y el circuito de compuerta se mantiene a un bajo voltaje, tpicamente hasta 30 V. El aislamiento entre el circuito de potencia y el circuito de generador de impulso de compuerta que por lo general se lleva a cabo mediante transformadores de pulso, o mediante acopladores pticos. 2. Clasificacin.- Se pueden clasificar en: Disparo en Corriente Continua C.C..- El disparo es controlado por tensin continua que activa al circuito de potencia, en este caso es un SCR.

Cuando S est abierto, no circula corriente, o sea, IG=0 no hay disparo, el SCR est cortado. Al cerrar S circula IG y el SCR se dispara, o sea conduce y le llaga corriente a la carga hacindola funcionar (alumbrar si es un bombillo o sonar si es un timbre). Si el interruptor S se vuelve a abrir, el SCR sigue disparado y por lo tanto la carga funcionando. Este es un circuito tpico de alarma de C.C.

Ejemplo Disparo en Corriente Alterna C.A..- El disparo es controlado por tensin alterna que activa el circuito de potencia, en este caso es un SCR. La lmpara de Nen se usa como dispositivo de disparo. Las lmparas de Nen tienen una elevada resistencia antes del disparo y se excitan o disparan con voltajes de 40 a 90V. Este circuito es un modelo tpico de un control de fase ya que el ngulo de conduc cin en la carga se puede variar con el valor de R. El manual de la RCA Thyristors / Rectifiers nos presenta el siguiente circuito que controla la velocidad de un motor universal.

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Ejemplo Disparo por Impulsos o trenes de onda Disparo por impulso nico.- El disparo de un SCR por impulso nico equivale al disparo en c.c. Circuito de puerta: atacado con un generador de corriente de forma: IG debe superar la especificada como mnima, IGT El tiemo de subida: lo mas corto posible (de 0.1 a 1 s) Duracin de impulso: tal que IGT < IG < IL (IL = I de enganche andica).

Forma del impulso de corriente en puerta Disparo por trenes de onda.- Se utilizan para evitar, en c.a. con cargas inductivas, que la corriente en el elemento inductivo persista tras el paso por cero de la 1 semionda de tensin que produjo el cebado del elemento, no permitiendo el recebado en el siguiente impulso. Consume poca energa, y facilita el ataque al elemento por transformador aislndolo de los circuitos de control.

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En la siguiente figura tenemos un sistema de transferencia de pulsos a la puerta de un tiristor amplificador con un transformador de pulsos de relacin de transferencia 1.

Circuito de disparo por trenes de onda Se trata de un amplificador con un transformador de pulsos de relacin de transferencia la unidad. Est formado por: - T transistor saturado cuando el pulso p=1, y bloqueado para p=0. - D1 limita sobretensiones en bornes de T cuando este se bloquea. - DZ desexcita ms rpidamente el transformador de pulsos. - RC limita la corriente de colector durante la saturacin del TRF. de pulsos. - D2 bloquea el impulso negativo producido en la desconexin del TRF. de pulsos. - R2 acta como una carga definida. - RG limita la corriente en puerta. En la siguiente figura tenemos las formas de ondas idealizadas de este sistema.

Formas de ondas idealizadas. 3. Tipos de control.Control ON-OFF.- Es la regulacin ms simple y econmica, se utiliza en aplicaciones que puedan admitir una oscilacin continua entre dos lmites, pero sera necesario que la evolucin del proceso sea lento. Muchos reguladores incorporan esta regulacin bsica y en ocasiones se combinan con otro tipo de controladores utilizndolos cuando el error es grande y cambiando de forma automtica a otro controlador cuando el error se aproxima a cero. La salida del controlador ON-OFF, o de dos posiciones, solo puede cambiar entre dos valores al igual que dos estados de un interruptor. El controlador no tiene la capacidad para producir un valor exacto en la variable controlada para un valor de referencia dado pues el controlador produce una continua desviacin del valor de referencia. La accin del controlador de dos posiciones tiene un simple mecanismo de construccin, por esa razn este tipo de controladores es de los de ms amplio uso, y comnmente utilizados en sistemas de regulacin de temperatura. Los controladores mecnicos de dos posiciones normalmente posee algo de histresis, por el contrario los controladores electrnicos usualmente funcionan sin histresis. La histresis est definida como la diferencia entre los tiempos de apagado y encendido del controlador.

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El usar un controlador de accin de dos posiciones da como resultado una oscilacin de la variable controlada, x. Para determinar la regulacin del controlador, son importantes los parmetros amplitud y perodo de tiempo de la oscilacin. La oscilacin depende de muchos factores, el perodo de tiempo est en funcin del tiempo muerto del sistema y la posible histresis del controlador. Control de fase.- El principio de control de fase, se puede explicar as:

El flujo de potencia hacia la carga, queda controlado, retrasado el ngulo de disparo del tiristor T1, se muestra los pulsos de compuerta del tiristor T1, y las formas de onda de los voltajes de entrada y salida. Debido a la presencia del Diodo D1, el rango de control esta limitado y el voltaje rms efectivo de salida, solo puede variar entre el 70.7 % y 100 %, el voltaje de salida y la corriente de entrada son asimtricos y contienen una componente de C.D. Si hay un transformador de entrada, puede ocurrir un problema de saturacin. Este circuito es un controlador monofsico de media onda, adecuado solo para cargas resistivas de poca potencia, como lo son la calefaccin y la iluminacin. Dado que el flujo de potencia esta controlado durante un semiciclo del voltaje de entrada, este tipo de controlador tambin se conoce como controlador unidireccional

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Graficas 4. Dispositivos para generacin de controles de compuerta.El DIAC.- Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase de tiristor. Existen dos tipos de DIAC: DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones. DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo, lo que le da la caracterstica bidireccional.

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Su aplicacin principal es como dispositivo de disparo del TRIAC como control de fase.

SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER).- El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con la diferencia de poseer tres terminales: nodo, ctodo y puerta (gate). Al igual que el diodo Shockley, presenta dos estados de operacin: abierto y cerrado, como si se tratase de un interruptor.

Construccin y smbolo GTO (Gate Turn-off Thyristor).- Un tiristor GTO puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal gate (como en el tiristor), pero en cambio puede ser apagado por un pulso de corriente negativa en la terminal gate. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado del dispositivo son controlados por la corriente en la terminal gate.

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IGCT.- Un Tiristor Controlado por Puerta Integrada o simplemente Tiristor IGCT (del ingls Integrated Gate-Commutated Thyristor) es un dispositivo semiconductor empleado en electrnica de potencia para conmutar corriente elctrica en equipos industriales. Es la evolucin del Tiristor GTO (del ingls Gate Turn-Off). Al igual que el GTO, el IGCT es un interruptor controlable, permitiendo adems de activarlo, tambin desactivarlo desde el terminal de control Puerta o G (del ingls Gate). La electrnica de control de la puerta est integrada en el propio tiristor.

IGBT.- El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones.

Circuito equivalente 5. El transistor unijuntura UJT.- Su estructura consiste en una barra de silicio tipo N ligeramente dopada que tiene dos terminales B1 y B2 llamados bases y una barra de aluminio fundida en la superficie opuesta formando una juntura PN. La barra de aluminio est ms cerca de B2 que a B1.

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Smbolo, estructura y curva caracterstica de un UJT El circuito equivalente del UJT es el representado en la siguiente figura, para su estudio definimos: VBB: Tensin interbase. rBB: Resistencia interbase rBB = rB1+ rB2 VE: Tensin de emisor. IE: Intensidad de emisor. VB2: Tensin en B2, (de 5 a 30 V para el UJT polarizado). VP: Tensin de disparo VP = VrB1 + VD IP: Intensidad de pico (de 20 a 30 A.). VV: Tensin de valle de emisor IV: Intensidad valle del emisor. VD: Tensin directa de saturacin del diodo emisor (de 0,5 y 0,7 V). : Relacin intrnseca (de 0,5 a 0,8)

Circuito equivalente del UJT Funcionamiento del UJT El punto de funcionamiento viene determinado por las caractersticas del circuito exterior. El funcionamiento del UJT se basa en el control de la resistencia rB1B2 mediante la tensin aplicada al emisor. Si el emisor no est conectado VE < VP Diodo polarizado inversamente no conduce IE = 0.

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Si VE VP Diodo polarizado directamente conduce aumenta IE. Cuando IP < IE < IV entramos en una zona de resistencia negativa donde rBB varia en funcin de IE. A partir del punto de funcionamiento, si IE disminuye hasta alcanzar un valor inferior a IV el diodo se polariza inversamente. Se suele usar para el disparo de tiristores o en el diseo de osciladores de relajacin.

6. El oscilador de relajacin.Circuito que sirve para generar seales para dispositivos de control de potencia como Tiristores o TRIACs El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor UJT, cuando esto sucede este se descarga a travs de la unin E-B1.

El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de valle (Vv) de aproximadamente 2.5 Voltios. Con este voltaje el transistor UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el capacitor inicia su carga otra vez. (Ver la lnea verde en el siguiente grfico) El grfico de lnea negra representa el voltaje que aparece en el resistor R3 (conectado entre B1 y tierra) cuando el capacitor se descarga.

Si se desea variar la frecuencia de oscilacin se puede modificar tanto el capacitor C como el resistor R1. R2 y R3 tambin son importantes para encontrar la frecuencia de oscilacin. La frecuencia de oscilacin est aproximadamente dada por: F = 1/R1C Es muy importante saber que R1 debe tener valores que deben estar entre lmites aceptables para que el circuito pueda oscilar. Estos valores se obtienen con las siguientes frmulas: R1 mximo = (Vs - Vp) / Ip R1 mnimo = (Vs - Vv) / Iv donde: Vs = es el valor del voltaje de alimentacin (en nuestro circuito es de 20 Voltios) Vp = valor obtenido dependiendo de los parmetro del UJT en particular Ip = dato del fabricante Vv =dato del fabricante Iv = dato del fabricante
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