El transistor bipolar Un transistor es un dispositivo de tres terminales.

Bsicamente, el transistor est compuesto por dos cristales del tipo N y uno del tipo P (transistor NPN) o dos cristales del tipo P y uno del tipo N para formar un transistor PNP.

Al observar las figuras de arriba y como se ha comentado anteriormente, un transistor es un elemento que cuenta con tres terminales, dichas terminales forman la unin semiconductora, ya sea NP o PN. Cada una de estas terminales se identifica como Emisor, Base y Colector Caractersticas y funcin de las terminales de los transistores : Emisor. El emisor de un transistor recibe (transistor PNP) o emite electrones (transistor (NPN), siendo esta terminal una capa que est altamente contaminada. Es una de las tres terminales de un transistor bipolar. Por esta terminal pasa toda la corriente que el transistor maneja. Colector. El colector es una capa interna del transistor con mayor tamao. Esta terminal est diseada para el manejo del 99% de la corriente que pasa por el transistor. Base. sta es otra de las terminales de un transistor formada por una capa muy delgada de material semiconductor con poca contaminacin. sta terminal maneja el 1% de la corriente total del transistor aproximadamente. Al formar una unin del tipo PN, se forma una barrera que no tiene el ningn portador libre (Barrera de potencial). Para que un transistor funcione de manera correcta se necesita un voltaje en directo de 600 mV aproximadamente entre la base y el emisor. El diodo formado entre la base y el colector est en polarizacin inversa. La corriente circula de emisor a base (transistor NPN), como en la base existe una cantidad muy pequea de huecos, entonces, existirn parejas electrn-hueco por lo que la mayor cantidad de electrones avanzarn haca el colector que, aunque se encuentra en polarizacin inversa el diodo base-colector una gran cantidad de electrones logran pasar la barrera de potencial inversa de esta unin. Para comprender mejor lo anterior, analice la figura siguiente.

Al observar la figura se aprecia que la unin emisor-base est polarizada de manera directa mientras que la unin base-colector se encuentra polarizada inversamente, segn se escribi en la parte superior.

El transistor puede disearse en el circuito para funcionar en tres montajes, llamados emisor comn, base comn o colector comn. El trmino de comn, no se refiere a que se encuentren conectados a tierra, lo anterior se refiere a la terminal que se toma comn tanto para entrada como para salida de seal, as:

Segn la etapa en un circuito electrnico, ser el tipo de montaje que se utilizar pero, el montaje de mayor uso, es el de emisor comn. Si no se toma en cuenta una corriente de fuga en un transistor, la relacin de las tres corrientes que pasan por un transistor bipolar, se puede afirmar lo siguiente: Ie = Ic + Ib La corriente de base, segn lo indicado arriba, tiene un valor de aproximadamente el 1% de la corriente total del transistor (corriente de emisor). Nos referiremos a las siguientes figuras como ejemplo de lo anterior:

Las dos ltimas figuras de arriba muestran el comportamiento de las corrientes en caso de circuito abierto, ya sea en colector o en base.

Por lo visto lneas arriba, podemos afirmar que el valor de la corriente que pasa por la base es muy pequea, por lo tanto, se puede decir que un transistor bipolar puede utilizarse como circuito amplificador de seal. Analicemos las siguientes frmulas: IE = IB + IC Como la corriente que se va haca la base es muy pequea al ser comparada con las corrientes de emisor y colector, la corriente de colector slo es un poco ms pequea que la corriente de emisor. Relaciones que sobresalen en un transistor:

= , se denomina alfa (ganancia de corriente a seal alta) es la relacin entre la corriente de colector y emisor. Por lo escrito arriba, la corriente de colector se puede ver como , que ser igual o menor que la corriente de emisor. A la relacin entre la corriente de colector y la de base se le denomina beta, :

=
Los transistores tienen diferentes caractersticas, dependiendo de las mismas, puede tener un valor entre 10 y 400. Cuando el transistor se encuentra en montaje a emisor comn a tambin se le conoce como hFE. Como ya se afirm y pueden variar en cuanto a su valor. Y el valor de una respecto a otra puede ser:

Al polarizar de manera directa la unin de base-emisor, la misma podr se equivalente a polarizar un diodo en sentido directo (ctodo a y nodo a +), por lo que se har presente la misma cada de tensin que en un diodo comn. El valor de esta cada de tensin es de 0.7 V. As se puede establecer la siguiente relacin: VCE = VCB + VBE