Universidad Nacional de Ingeniera Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

INFORME PREVIO LA ORA!ORIO "#$ !RAN%I%!ORE% &E PO!EN'IA ( ANALI%I% ) E*PERIMEN!A'ION &E 'IR'UI!O% 'ON %'R
NOM RE$ E%PINO+A LI+ARRA,A 'ARLO% ALE*AN&ER 'O&I,O$ -../..--0 PROFE%OR$ IN,1 LA+O O'2OA &OMIN,O 'I'LO$

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Lazo Ochoa Domingo

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LABORATORIO #1: TRANSISTORES DE POTENCIA / ANALISIS Y EXPERIMENTACION DE CIRCUITOS CON SCR
OBJETIVO: Analizar el !"#!r$a"ien$! %e l!& $ran&i&$!re& %e #!$en ia en '(n i)n %e &(& #ar*"e$r!& Di&e+ar e i"#le"en$ar l!& $ran&i&$!re& %e #!$en ia "e%ian$e el !n$r!l %e e, i$a i)n %e la -a&e %el $ran&i&$!r. C!"#ren%er el '(n i!na"ien$! en -a&e a e,#eri"en$a i)n %e ir (i$!& %e !n$r!l %e %i&#ar!& -*&i !& / &( a $(a i)n &!-re l!& SCR&

1. 0UNDAMENTO TEORICO 1.1 TRANSISTORES DE POTENCIA

En electrnica es muy habitual el hablar de transistores de baja potencia (peque a se al! y de transistores de potencia (gran se al!" Es una #orma muy sencilla de di#erenciar a los transistores que trabajan con potencias relati$amente peque as de los transistores que trabajan con potencias mayores" %e le llama transistor de potencia al transistor que tiene una intensidad grande (I & grande!' lo que corresponde a una potencia mayor de (') *" En este tipo de transistores la cc que se puede obtener en su #abricacin suele ser bastante menor que en los de baja potencia (cc + ,( - .((!"

El #uncionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es id/ntico al de los transistores normales' teniendo como caracter0sticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y' por tanto' las altas potencias a disipar" E1isten tres tipos de transistores de potencia2 bipolar" unipolar o 3E4 (4ransistor de E#ecto de &ampo!" I564"

Nos interesa que el transistor se parezca' lo m7s posible' a un elemento ideal2 8eque as #ugas" 9lta potencia" 6ajos tiempos de respuesta (ton ' to##!' para conseguir una alta #recuencia de #uncionamiento" 9lta concentracin de intensidad por unidad de super#icie del semiconductor" :ue el e#ecto a$alancha se produzca a un $alor ele$ado (;&E m71ima ele$ada!" :ue no se produzcan puntos calientes (grandes di<dt !"

Una limitacin importante de todos los dispositi$os de potencia y concretamente de los transistores bipolares' es que el paso de bloqueo a conduccin y $ice$ersa no se hace instant7neamente' sino que siempre hay un retardo (ton ' to##!" Las causas #undamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector = base y base = emisor y los tiempos de di#usin y recombinacin de los portadores" PRINCIPIOS B1SICOS DE 0UNCIONAMIENTO

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La di#erencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o 3E4 es el modo de actuacin sobre el terminal de control" En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector' mientras que en el 3E4 el control se hace mediante la aplicacin de una tensin entre puerta y #uente" Esta di#erencia $ienen determinada por la estructura interna de ambos dispositi$os' que son substancialmente distintas" Es una caracter0stica com>n' sin embargo' el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta! es siempre m7s peque a que la potencia manejada en los otros dos terminales" En resumen' destacamos tres cosas #undamentales2 En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC. En un 3E4' la tensin ;GS controla la corriente ID. En ambos casos' con una potencia peque a puede controlarse otra bastante mayor"

OTROS PAR1METROS IMPORTANTES

Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un terminal (ej. I CAV, corriente media por el colector .

Corriente mxima: es la m!"ima corriente admisi#le de colector (I C$ o de drenador (ID$ . Con

este valor se determina la m!"ima disipaci%n de potencia del dispositivo.

VCBO: tensi%n entre los terminales colector & #ase cuando el emisor est! en circuito a#ierto.
VEBO: tensi%n entre los terminales emisor & #ase con el colector en circuito a#ierto.

Tensin mxima: es la m!"ima tensi%n aplica#le entre dos terminales del dispositivo (colector
& emisor con la #ase a#ierta en los #ipolares, drenador & 'uente en los ()* .

Estado de saturacin: queda determinado por una ca+da de tensi%n pr!cticamente constante.
VC)sat entre colector & emisor en el #ipolar & resistencia de conducci%n , DSon en el ()*. )ste valor, junto con el de corriente m!"ima, determina la potencia m!"ima de disipaci%n en saturaci%n.

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Relacin corriente de salida - control de entrada : -() para el transistor #ipolar (ganancia est!tica
de corriente & gds para el ()* (transconductancia en directa .

MODOS DE TRABAJO E1isten cuatro condiciones de polarizacin posibles" Dependiendo del sentido o signo de los $oltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden ser 2

Regin activa directa: Corresponde a una polari.aci%n directa de la uni%n emisor / #ase
& a una polari.aci%n inversa de la uni%n colector / #ase. )sta es la regi%n de operaci%n normal del transistor para ampli'icaci%n. Regin activa inversa: Corresponde a una polari.aci%n inversa de la uni%n emisor / #ase & a una polari.aci%n directa de la uni%n colector / #ase. )sta regi%n es usada raramente. Regin de corte: Corresponde a una polari.aci%n inversa de am#as uniones. 0a operaci%n en 1sta regi%n corresponde a aplicaciones de conmutaci%n en el modo apagado, pues el transistor act2a como un interruptor a#ierto (IC 3 . Regin de saturacin: Corresponde a una polari.aci%n directa de am#as uniones. 0a operaci%n en esta regi%n corresponde a aplicaciones de conmutaci%n en el modo encendido, pues el transistor act2a como un interruptor cerrado (VC) 3 .

1.2 TIRISTOR
El %&@ (%ilicon &ontrolled @ecti#ier' 3igura .!' es un dispositi$o semiconductor biestable #ormado por ( tres uniones pn con la disposicin pnpn (3igura ,!" Est7 #ormado por tres terminales' llamados Anodo' Anodo &7todo y 8uerta" 8uerta La conduccin entre 7nodo y c7todo es controlada por el terminal de puerta" Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es >nico!' ' conmutador casi ideal' recti#icador y ( ampli#icador a la $ez"

3igura .2 %0mbolo del %&@"

3igura , 2 Estructura b7sica del %&@"

&9@9&4E@B%4I&9% 5ENE@9LE% C Interruptor casi ideal"

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C %oporta tensiones altas" C 9mpli#icador e#icaz" C Es capaz de controlar grandes potencias" C 37cil controlabilidad" C @elati$a rapidez" C &aracter0sticas en #uncin de situaciones pasadas (memoria!" EF4ODO% DE DI%89@O 8ara que se produzca el cebado de un tiristor' la unin 7nodo = c7todo debe estar polarizada en directo y la se al de mando debe permanecer un tiempo su#icientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un $alor de corriente de 7nodo mayor que IL' corriente necesaria para permitir que el %&@ comience a conducir" 8ara que' una $ez disparado' se mantenga en la zona de conduccin deber7 circular una corriente m0nima de $alor IG' marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo" Los distintos m/todos de disparo de los tiristores son2 = 8or puerta" = 8or mdulo de tensin" = 8or gradiente de tensin (d;<dt! = Disparo por radiacin" = Disparo por temperatura" El modo usado normalmente es el disparo por puerta" Los disparos por mdulo y gradiente de tensin son modos no deseados" &ONDI&IONE% NE&E%9@I9% 89@9 EL &ON4@OL DE UN %&@ 8ara el control en el disparo2 = Anodo positi$o respecto al c7todo" = La puerta debe recibir un pulso positi$o con respecto al c7todo" = En el momento del disparo IaH I IL" 8ara el control en el corte2 = 9nulamos la tensin ;aH" = Incrementamos @L hasta que IaHJ IG" EK4IN&ILN DEL 4I@I%4O@" 4I8O% DE &ONEU49&ILN Entenderemos por e1tincin' el proceso mediante el cual' obligaremos al tiristor que estaba en conduccin a pasar a corte" En el momento en que un tiristor empieza a conducir' perdemos completamente el control sobre el mismo" El tiristor debe presentar en el tiempo ciertas condiciones para pasar de nue$o a corte" Este estado implica simult7neamente dos cosas2 ." La corriente que circula por el dispositi$o debe quedar completamente bloqueada" ," La aplicacin de una tensin positi$a entre 7nodo y c7todo no debe pro$ocar un disparo indeseado del tiristor"

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2. CIRCUITOS
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