Introduction : Le but essentiel de cette manipulation est la : Comprehension du principe de diode dcrtage et de bouclage.

Etude des changements de forme du signal quant une polarisation est applique II-partie thorique : 1 -!escription : Le dopage d"un semiconducteur# qui met en prsence une rgion de t$pe n et une rgion de t$pe p# donne naissance % une &onction '(. )ne diode % &onction est un dipole constitu par le contact dun semiconducteur dop p et dun autre dop ( cre dans un mme cristal. Les lectrons de la rgion ( *ent diffus *er la rgion ' ou ils sont minoritaires# et se recombiner a*ec les trous. !e mme les trous de la rgion ' *ont aller *er la rgion ( pour tre combls par les lectrons libres# &usquau moment de lapparition dune charge spatiale lie ngati*ement et positi*ement. Laccumulation des charges fi+es de part et dautre de la rgion mtallurgique fait appara,tre une -one de charge despace ou -one de dpltion dpour*ue de charges libres. !ans la -one de dpltion r.gne un champ lectrique qui soppose % la diffusion des porteurs ma&oritaires. !ans le schma lectrique la diode est reprsente par le /$mbole de gauche. La bague colore sur le corps indique la cathode. !iode polarise en direct et en in*erse :

1.

0 -Le circuit dcrtage : Le circuit dcrtage est un circuit continents La diode# gr1ce % son seuil de conduction permet d"crter le signal dentr et donc d"absorber une partie de l"nergie parasite.

2 -le circuit de bouclage : Il sagit dun coupleur lectronique qui permet de garder lamplitude du signal de sortie gale % lamplitude du signal dentre.

2 -3atriel utilis : -'upitre principal '/4055 -3odule analog1 -6scilloscope et multim.tre III-'artie e+primentale : III.1- Circuit dcrtage : Circuit en srie :

7a8- dans une polarisation directe de la diode# /i on applique un signal sinuso9dal La diode est passant# elle ne laisse passer que les demi ondes positi*es. 7b8- dans une polarisation in*erse de la diode# /i on applique un signal sinuso9dal La diode est bloquant# elle ne laisse passer que les demi ondes ngati*es.

0-circiut srie a*ec alimentation !C

7:i signal dentre# :! signal de sortie8 - /i :i;E la diode est passant : :!<:i - /i :i=E la diode est bloquant : :!<E<->* 7d8-la diode est polarise en direct a*ec E<>* - /i :i;E la diode est passant : :!<:i - /i :i=E la diode est bloquant : :!<E<>* 7e8-la diode est polarise en in*erse a*ec E<->* - /i :i=E la diode est passant : :!<:i - /i :i;E la diode est bloquant : :!<E<->* 7f8-la diode est polarise en in*erse a*ec E<>* - /i :i=E la diode est passant : :!<:i - /i :i;E la diode est bloquant : :!<E<>* 28- Circuit parall.le :

7a8-quant la diode est polaris en direct elle est passant et ne laisse passe que des alternances positi*es % la sortie. 7b8-quant la diode est polaris en direct elle est passant et ne laisse passe que des alternances ngati*es % la sortie. 7c8- le signal de sortie est crt par les diodes -ener.

? - Circuit parall.le a*ec alimentation !C :

7d8- 7E<@>*8# si :i; E la diode est bloquante# :!<E si :i=E la diode est passant# :!<:i 7e8- 7E<->*8# si :i; E la diode est bloquante# :!<E si :i=E la diode est passant# :!<:i 7f8- 7E<->*8# si :i; E la diode est# passant :!<:i si :i=E la diode est# bloquante :!<E 7g8- 7E<@>*8# si :i; E la diode est# passant :!<:i si :i=E la diode est# bloquante :!<E

18-E+plication du fonctionnement dune diode polarise Le courant qui passe dans une diode e+primer par la relation : I < Is. AE+p 7q: BC8-1D Is : courant de saturation E : : tension de polarisation. C : temprature E B : cste de bolte-man. La diode jonction dans le sens direct

)ne &onction '( ne laisse passer le courant que dans le sens direct# lorsque sa cathode 7-one (8 est relie au - de la source de courant continu. !ans le sens in*erse l"intensit est tr.s faible# la diode se comporte comme une rsistance tr.s le*e. La courbe ci-contre montre la *ariation du courant direct I! en amp.res en fonction de la tension )! en *olts au+ bornes de la &onction. Cant que la tension directe est infrieure au seuil s 7en*iron 5#F *olts pour le silicium8 le courant direct est tr.s faible. !.s que la diffrence de potentiel au+ bornes de la &onction atteint la *aleur de seuil les porteurs ma&oritaires diffusent au tra*ers de celle-ci et le courant augmente tr.s rapidement. La -one de transition dispara,t et la conducti*it de la &onction est ma+imum. Lorsque le courant direct augmente l"nergie dissipe dans la &onction pro*oque un chauffement qui peut tre destructif 7G>HC pour le germanium# 1I>HC pour le silicium8. Les diodes de puissance sont gnralement munies d"un refroidisseur. La diode jonction dans le sens inverse

'olarise en sens in*erse une diode au silicium ne laisse passer qu"un courant infime dJ au+ porteurs minoritaires. Lorsque la tension in*erse atteint la tension de claquage# le nombre des porteurs minoritaires augmente brutalement pour plusieurs raisons : - le champ lectrique le* pro*oque l"arrachement d"un plus grand nombre d"lectrons. Les lectrons acclrs par le champ lectrique percutent d"autres atomes et arrachent des lectrons supplmentaires 7effet d"a*alanche8 - la temprature augmente dans la &onction et l"ionisation galement. K partir de la tension de claquage le courant augmente fortement alors que la tension in*erse n"augmente que tr.s peu. Ce phnom.ne est e+ploit dans les diodes Lener utilises comme rgulateur de tension. !ans les autres diodes le claquage est destructif.

08-Calcul de la rsistance d$namique dune diode : 6n appelle rsistance d$namique dun composant quelconque le rapport de *ariation de la tension quon lui applique sur la *ariation du courant quil subit. Md < : I 1-Msistance d$namique en direct : Id<Is.E+p 7q:d BC8 Log Id < log Is @7q:d BC8 Id Id <5 @ 7q BC8 :d Md< :

Md < 7BC q8 Id N 255 HB# Md<0> Id /i: Id < 1mI Md<0> /i: Id < 15mI Md<0.> (O: Md dune diode polarise en direct est faible 7ngligeable8 7court circuit8 1-Msistance d$namique en in*erse : Id < Is cste# Md < : I < : 5 Md en in*erse est tr.s grande 7circuit ou*ert8