Autoensamblado de puntos cunticos semiconductores

LA DENSIDAD DE ESTADOS DISCRETA DE LOS PUNTOS CUNTICOS SEMICONDUCTORES (PCS) ABRE LA POSIBILIDAD DE APLICACIONES NOVEDOSAS, QUE VAN DESDE LA FABRICACIN DE LSERES DE ALTO RENDIMIENTO PARA LA OPTOELECTRNICA HASTA LA PRODUCCIN DE QUBITS PARA LA COMPUTACIN CUNTICA. SIN EMBARGO, LA REALIZACIN EXITOSA DE COMPUTACIN CUNTICA EMPLEANDO PCS AN PLANTEA GRANDES RETOS A LA FSICA EXPERIMENTAL.

Mximo Lpez-Lpez Vctor Hugo Mndez-Garca

La computacin cuntica es un campo emergente
y de intenso crecimiento que combina la ciencia computacional con la mecnica cuntica. La unidad fundamental de informacin en una computadora cuntica (QC) es el bit cuntico (qubit). Un qubit puede verse como un sistema de dos estados, por ejemplo, los estados electrnicos de espn, o un par de niveles de un tomo. A diferencia de los bits clsicos, los cuales nicamente toman valores 0 1, el qubit se basa en la habilidad adicional de los sistemas cunticos de encontrarse en una superposicin de los estados. As, para la realizacin de cmputo cuntico debemos tener las siguientes condiciones bsicas: 1) un sistema de dos niveles ( 0 y 1 ); 2) la habilidad de preparar al qubit en cualquiera de los estados; 3) la capacidad de medir
MXIMO LPEZ-LPEZ Doctor en Ciencias por la Universidad Tecnologica de Toyohashi, Japn (1992). Investigador Cinvestav 3D adscrito al Departamento de Fsica. Fue jefe de la Seccin de Fsica del Estado Slido (2000-2004). Pertenece al Sistema Nacional de Investigadores (nivel III). Entre sus intereses de investigacin se encuentra el desarrollo de materiales semiconductores nanoestructurados, sistemas de baja dimensionalidad y el crecimiento por epitaxia de haces moleculares (MBE). Ha dirigido 4 tesis de licenciatura, 13 maestra y 7 de doctorado. Premio de investigacin 2003 de la Academia Mexicana de Ciencias en el rea de ingeniera y tecnologa. mlopez@fis.cinvestav.mx

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cada qubit; 4) la capacidad de construir operaciones bsicas de compuerta; 5) tiempos de coherencia suficientemente grandes, y 6) densidad suficiente de unidades de memoria o qubits. Precisamente, las tecnologas de estado slido parecen ser las ms prometedoras para satisfacer los requerimientos anteriores mediante el empleo de nanoestructuras semiconductoras con cero dimensiones o puntos cunticos (PCs). El estado base y el primer estado excitado en un PC se pueden utilizar como los estados 0 y 1 del qubit. Tambin se pueden aplicar pulsos electromagnticos para manipular los estados en los PCs. Adicionalmente se pueden usar campos elctricos estticos cerca de un PC, que acten como compuerta y/o modifiquen los tiempos de coherencia. De manera sencilla podemos entender
VCTOR HUGO MNDEZ-GARCA Doctor en Ciencias por el Centro de Investigacin y de Estudios Avanzados del Instituto Politcnico Nacional (1999). Profesor investigador nivel VI adscrito a la Facultad de Ingeniera, comisionado al Instituto de Investigacin en Comunicacin ptica de la Universidad Autnoma de San Luis Potos (SLP). Funge como responsable del Laboratorio de Nanoestructuras Luminiscentes. Pertenece al Sistema Nacional de Investigadores. Lneas de investigacin: crecimiento y caracterizacin de nanoestructuras semiconductoras, heteroestructuras lser y dispositivos de efecto Hall cuntico. Es miembro activo de la Mesa Directiva de la Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnologa de Superficies y Materiales. Ha dirigido tesis de licenciatura, maestria y doctorado en ciencias aplicadas. vmendez@cactus.iico.uaslp.mx

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El trmino punto cuntico se utiliza, generalmente, para describir un nanocristal (en nuestro caso de un material semiconductor) con confinamiento cuntico en las tres dimensiones espaciales. Las fronteras fsicas de los PCs confinan a los portadores de carga dentro del material. Este confinamiento da lugar a propiedades inusuales que no se manifiestan en materiales en forma de bulto o tamaos macroscpicos.

por tiempo de coherencia como el tiempo durante el cual una QC puede permanecer realizando un cmputo. Pequeas perturbaciones al sistema cuntico e interacciones con el medio ambiente pueden ocasionar que el tiempo de coherencia disminuya y el proceso de cmputo colapse. Antes de que los PCs emerjan como una tecnologa triunfante en la construccin de QCs deben superarse varios obstculos. Algunos de ellos son la fabricacin de PCs semiconductores de alta calidad cristalina, uniformemente espaciados y de dispersin mnima en su geometra. Si bien con el uso de tcnicas de crecimiento modernas, como la epitaxia de haces moleculares y el modo de crecimiento de Stransky-Krastanov, se sintetizan rutinariamente PCs de InAs sobre GaAs, es adems necesario optimizar los parmetros de crecimiento a fin de obtener la mxima calidad cristalina, el mejor nivel de confinamiento electrnico, as como la menor dispersin en el tamao de los PCs, caractersticas deseables para su uso en QCs. En este artculo exponemos un panorama general de la investigacin en PCs y su aplicacin a la QC. Presentamos nuestros estudios sobre la dependencia del tamao y la fotoluminiscencia de los puntos cunticos auto-ensamblados de InAs con las condiciones de crecimiento y proponemos tratamientos trmicos in situ que homogenicen la geometra de los PCs.

Puntos cunticos autoensamblados

El trmino punto cuntico se utiliza generalmente para describir un nanocristal (en nuestro caso de un material semiconductor) con confinamiento cuntico en las tres dimensiones espaciales. Las fronteras fsicas de los PCs confinan a los portadores de carga dentro del material. Este confinamiento da lugar a propiedades inusuales que no se manifiestan en materiales en forma de bulto (o tamaos macroscpicos). Por ejemplo, el silicio, que

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es generalmente un pobre emisor de luz en su forma de bulto porque su estructura de bandas de energa es indirecta, se vuelve un buen emisor de luz cuando se le confina en forma de PCs [1]. El confinamiento de los portadores de carga se puede ajustar variando el tamao de los PCs, lo cual afecta algunas propiedades fundamentales del material. Una medida del tamao del nanocristal requerido para observar efectos cunticos es la longitud de onda de Broglie de los portadores de carga dentro del material husped, que es tpicamente del orden de algunas decenas de nanmetros [2]. Si consideramos PCs esfricos con un dimetro (D), el nivel de confinamiento se puede caracterizar por su relacin al radio de Bohr (aB) del excitn (par electrn-hueco ligados electrostticamente). El confinamiento fuerte ocurre cuando D < 2aB, confinamiento intermedio cuando D 2aB, y el confinamiento se considera dbil cuando D > 2aB. Los PCs se pueden preparar usando varias tcnicas incluyendo las siguientes: litografa, epitaxia de haces moleculares y mtodos coloidales. Todos estos mtodos comparten la caracterstica comn de que el PC es delimitado con un material distinto como frontera. Hay otros mtodos para crear los PCs donde bloqueos o trampas elctricas se utilizan para aadir confinamiento a electrones de un gas bidimensional dentro de un pozo cuntico. En cualquiera de estos casos, los sistemas electrnicos contenidos dentro de los PCs se aslan mejor del ambiente y tienen menores grados de libertad internos que otros sistemas con ms dimensiones. Ambas caractersticas son tiles para aumentar los tiempos de coherencia de los estados del qubit codificados dentro del punto y, por lo tanto, se ha desarrollado gran inters en los usos potenciales que tienen los PCs para computacin cuntica de estado slido. El uso de puntos cunticos autoensamblados es preferible ya que evita emplear tcnicas costosas para delimitar estas nanoestructuras; adicionalmente, no hay dao a los PCs durante su

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fabricacin ya que todo el proceso se realiza durante el crecimiento de los materiales. Sin embargo, para lograr buenos resultados en la aplicacin de PCs autoensamblados deben satisfacerse requerimientos estrictos en cuanto a la uniformidad en el tamao, forma y densidad. Esto nos lleva al estudio de la cintica del crecimiento de los PCs autoensamblados. El mecanismo ms avanzado para la construccin de estas estructuras a escala nanomtrica es por epitaxia de haces moleculares (MBE, molecular beam epitaxy) en el modo de crecimiento de Stranski-Krastanov. A continuacin presentaremos los fundamentos bsicos de la tcnica de MBE.

Epitaxia de haces moleculares

Una de las tcnicas de crecimiento ms poderosas para lograr la sntesis de PCs es la epitaxia por haces moleculares (MBE, molecular beam epitaxy). Esta tcnica fue inicialmente desarrollada por J. R. Arthur y A. Y. Cho de los laboratorios Bell para el crecimiento de GaAs y heteroestructuras GaAs/AlGaAs. Ha sido subsecuentemente extendida a una gran variedad de materiales manteniendo ventajas sobre otras tcnicas de crecimiento de pelculas epitaxiales. Estas ventajas incluyen la capacidad de controlar la reproducibilidad del crecimiento en dimensiones menores a monocapas atmicas y la posibilidad de monitorear el crecimiento in situ y a tiempo real. Debido al ambiente de ultra alto vaco que se usa en los sistemas MBE, es posible estudiar la dinmica de los propios procesos de crecimiento usando tcnicas como reflexin de electrones difractados de alta energa (RHEED: reflection high-energy electron diffraction). Adems, otras tcnicas in situ tales como espectroscopa de reflectancia diferencial (RDS, reflectance difference spectroscopy) pueden emplearse para examinar la superficie de la muestra en crecimiento. En esencia, la tcnica MBE es ms que un mtodo de evaporacin basado en ultra alto vaco. En la prctica es una tcnica de depsito capaz de obtener materiales con un nivel de impurezas por debajo de diez partes por billn de una manera reproducible, con un control sin precedente sobre la composicin, el dopaje de las estructuras y sobre el espesor a escala nanomtrica. La figura 1 muestra el esquema de la cmara de crecimiento de un sistema MBE. En la tcnica

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de MBE, los elementos constituyentes del material a crecer son propulsados en forma de haces moleculares hacia un substrato cristalino sobre el cual se formar la pelcula epitaxial en crecimiento. Estos haces emergen al evaporar trmicamente fuentes slidas elementales de muy alta pureza, contenidas en crisoles (contenedores) ubicados dentro de celdas situadas frente al substrato. En sistemas MBE de elementos III-V las celdas contienen materiales slidos de alta pureza de Al, Ga, As, Be, In y Si. En algunos sistemas suelen utilizarse fuentes de gases, como el nitrgeno o hidrgeno. Las cmaras de crecimiento se mantienen en un ambiente de ultra alto vaco (UAV), a una presin del orden de 10-11 torr, que nos garantiza la pureza del material en las fuentes. Rodeando las celdas, sobre las paredes internas de la cmara, se localizan criopaneles; al mantenerlos a temperatura de nitrgeno lquido, stos se convierten en medios efectivos para el atrapamiento de impurezas. Frente a las celdas, justamente en el centro de la cmara, se encuentra el substrato montado sobre un portasubstrato de molibdeno (moliblock), sujeto a su vez a un mecanismo manipulador que le permite rotar con respecto a la normal del substrato. Durante el crecimiento, este movimiento ayuda a homogeneizar el crecimiento de la pelcula. En la parte posterior del moliblock se encuentra un medidor de ionizacin tipo Bayard-Alpert, con el cual se calibran los flujos y, por lo tanto, es un componente indispensable para el control del crecimiento. La manipulacin del substrato dentro de la cmara de crecimiento nos permite utilizar tcnicas de caracterizacin in situ tales como RHEED. En esta tcnica, un haz de electrones de alta energa se dirige sobre la superficie de la muestra a un ngulo razante. A consecuencia de la interaccin con la red cristalina del sustrato, en el otro extremo, en una pantalla fosforescente, se forma un patrn de difraccin que nos brinda informacin acerca de la calidad cristalina del depsito y la cintica del crecimiento. Las caractersticas anteriores del sistema de MBE y sus herramientas de anlisis permiten la obtencin de nanoestructuras semiconductoras de muy alta calidad cristalina. En particular, para la sntesis de puntos cunticos semiconductores se toma ventaja del modo de crecimiento Stransky-Krastanov.

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Antes de que los puntos cunticos semiconductores (PCs) emerjan como una tecnologa triunfante en la construccin de computadoras cunticas, deben superarse varios obstculos. Algunos de ellos son la fabricacin de PCs semiconductores de alta calidad cristalina, uniformemente espaciados y de dispersin mnima en su geometra.

Figura 2. (a) Ilustracin del rgimen de crecimiento pseudomrfico y (b) la posterior formacin de nano-islas durante el modo de crecimiento Stransky-Krastanov.

Aplicacin a computacin cuntica

Cuando se bombean fotones a un semiconductor, los electrones de la banda de valencia se excitan a la banda de conduccin dejando huecos (portadores de carga positiva) en la banda de la valencia. La interaccin coulombiana de los electrones con los huecos da lugar a pares enlazados electrn-hueco que, como mencionamos anteriormente, se conocen como excitones. Un sistema de QC puede llevarse a cabo usando los excitones localizados en PCs como excitaciones elementales que representen los binarios lgicos: lgica uno (cero) corresponde a la presencia (ausencia) de un excitn en un PC. Funciones de compuerta se pueden introducir mediante radiacin electromagntica coherente (un pulso de lser, por ejemplo). Este anlisis se basa en el sistema fsico simple propuesto por H. Kamada [3], donde un arreglo lineal de PCs colocado entre dos electrodos de metal se excita mediante un lser, como se observa en la figura 3. Este arreglo lineal se puede obtener creciendo los PCs sobre sustratos con direcciones cristalinas especficas [4]. Las compuertas lgicas cunticas se realizan excitando los PCs con lseres de diferentes longitudes de onda. Dado que en cualquier sistema real siempre habr cierta dispersin en el tamao de los PCs, esto hace posible excitar PCs individualmente, pues cada PC tendr los niveles cuantizados a diferentes energas. As pues, empleando un lser sintonizable se puede producir una resonancia slo en un PC individual. La manipulacin rpida de los qubits se hace posible induciendo una evolucin temporal unitaria con pulsos de laseres de pico o femto segundos. La lectura en el PC puede lograrse posicionando los haces de los lseres de excitacin y de prueba en un lugar especfico, en donde un nmero de qubits con diversas frecuencias excitnicas puedan ser accesibles [3]. Las operaciones de compuerta condicionales de dos qubits se pueden dar va la interaccin dipolo-dipolo en dos PCs adyacentes. Aplicando un campo elctrico entre los electrodos la interaccin dipolo-dipolo se puede modular para modificar el acoplamiento entre dos qubits [5]. Cabe mencionar que, adems del mecanismo anterior basado en excitones, el cual exige nanoestructuras de alta calidad ptica, se est realizando investigacin en el uso, por ejemplo, de los

Figura 1. Diagrama esquemtico de la cmara de crecimiento de un sistema MBE III-V.

Modo de crecimiento Stransky-Krastanov

La obtencin de PCs autoensamblados mediante el modo de crecimiento de Stransky-Krastanov (S-K) se basa en la relajacin de energa elstica producida por la diferencia en constantes de red del material a depositar y el substrato. Ilustraremos este modo de crecimiento tomando como ejemplo el crecimiento de InAs sobre GaAs. Estos cristales poseen diferente constante de red, 6.05 del InAs y 5.65 del GaAs, lo cual conduce a un desacople de redes de aproximadamente 7%. En las etapas iniciales del depsito de InAs, ste crece acoplado a la red cristalina del substrato GaAs, como se ilustra en la figura 2(a). A esta primera capa que cubre toda la superficie del substrato se le conoce como capa de mojado. Sin embargo, los esfuerzos debidos al desajuste de los parmetros de red provocan la deformacin elstica del InAs acumulando energa elstica conforme avanza el crecimiento. A esta etapa del crecimiento se le denomina rgimen pseudomrfico. Con el aumento del volumen de InAs depositado, la energa elstica se va acumulando. Esta situacin persiste hasta alcanzar un determinado espesor, denominado espesor crtico, para el que la energa acumulada se libera mediante la formacin espontnea (o autoensamble) de nanoislas tridimensionales coherentes (figura 2(b)), es decir, islas de InAs libres de defectos cristalinos. Este mecanismo de autoensamble de nanoestructuras 0-dimensionales permite la sntesis de miles de millones (1010/cm2) de PCs con dimetro entre 1 y 10 nanmetros con un alto grado de uniformidad en un nico paso de crecimiento. Los puntos pueden ser inmediatamente cubiertos por una segunda capa del material sustrato, configurando de esta manera un nano-material con una alta calidad ptica, el cual puede ser utilizado en la generacin de excitones con aplicaciones a QC, como se describe a continuacin.

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estados de espn confinados en PCs [6]. Nuestro estudio est dirigido a la optimizacin del crecimiento de los PCs, cualquiera que sea el mtodo que se emplee posteriormente para implementarlos en una QC.

Figura 3. Arreglo lineal de PCs para el cmputo todo-ptico. PCs individuales son excitados y reconocidos mediante la focalizacin de lseres en posiciones especficas. La distribucin estadstica de las caractersticas de los PC permite identificar un excitn en un PC particular mediante discriminacin de frecuencia [3].

Optimizacin del autoensamblado de PCs

A continuacin se comentan los resultados de un experimento orientado a la optimizacin del crecimiento de PCs autoensamblados de InAs sobre sustratos de GaAs, empleando la tcnica de MBE en el modo de crecimiento Stransky-Krastanov. Como se mencion anteriormente, una dificultad a resolver en este modo de crecimiento es la dispersin en tamaos de los PCs. Con el propsito de mejorar la distribucin en tamaos de los PCs se ha propuesto una variedad de mtodos. Nuestra aproximacin es someter la superficie del GaAs previo al depsito de InAs a un proceso de recocido in situ a altas temperaturas durante un intervalo de tiempo corto, en el cual no exista flujo de la fuente de As sobre la superficie del GaAs. El propsito de este tratamiento es cambiar el estado qumico y fsico del GaAs previo al depsito del InAs [7]. La figura 4(a) muestra una imagen de microscopa de fuerza atmica (MFA) de PCs obtenidos mediante el depsito, de manera convencional, de 2.1 monocapas (MCs) de InAs (1 MC 0.3 nm) sobre una superficie de GaAs (muestra A21 sin tratamiento). El tamao del barrido en la imagen es de 500500 nm2 y la escala vertical es de 10 nm. Los PCs presentan una densidad de 151010 cm-2 y una gran dispersin de tamaos, lo

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cual es caracterstico del modo de crecimiento S-K. Por el contrario, la figura 4(b) muestra una imagen de MFA para una muestra sometida al tratamiento trmico in situ, descrito anteriormente (muestra B21), y a la cual se le deposit posteriormente la misma cantidad de 2.1 MC de InAs. Sin embargo, como se puede apreciar en la imagen, la superficie es plana y no presenta la formacin de PCs. Es claro que el proceso de recocido in situ cambi considerablemente el estado fsico-qumico de la superficie, dado que despus del depsito de las 2.1 MCs de InAs el crecimiento permanece pseudomrfico sin el uso de surfactantes y bajo condiciones estables de As. En la figura 4(c) presentamos la imagen de MFA para una muestra (A34) que se prepar de manera convencional (sin recocido) con un mayor depsito equivalente a 3.4 MC de InAs. En esta muestra observamos la coalescencia de los PCs y la formacin de islas de mucho mayor tamao. Por otro lado, el depsito de 3.4 MC de InAs sobre una superficie de GaAs recocida in situ (muestra B34) s present la formacin de PCs, como se puede observar en la figura 4(d). Aunque los PCs parecen estar an distribuidos aleatoriamente, hay una mayor uniformidad en sus tamaos as como mayores dimensiones que los PCs obtenidos convencionalmente. Los PC en la muestra B34 exhiben una densidad en torno a 51010 cm2. Obviamente, esta nueva morfologa de los PCs es resultado del proceso de recocido al cual se someti la superficie de GaAs, puesto que, en general, la formacin de los PCs est fuertemente influenciada por las etapas tempranas del crecimiento. Un anlisis cuantitativo de la topologa superficial se encuentra en la figura 5, que presenta histogramas de altura de los PCs en las cuatro muestras de la figura 4. Estos resultados reflejan tanto la superficie plana obtenida para la muestra B21 como las nanoislas de mayor tamao que se observan en la muestra A34. Notamos la fuerte dispersin en tamaos para esta muestra, que contrasta con la disminucin en dispersin observada en la muestra B34. Estos cambios en la morfologa de los PCs afectan sus propiedades pticas. Una tcnica muy usada para evaluar la calidad ptica de PCs es la espectroscopa de fotoluminiscencia (FL). Espectros de FL tomados a una temperatura de 14 K se presentan en la figura 6 para las muestras A21 y B34. En estos espectros los picos de FL se localizan a las energas de 1.03 y 0.93 eV para las muestras A21 y B34, respectivamente.

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La obtencin de PCs autoensamblados mediante el modo de crecimiento de Stransky-Krastanov se basa en la relajacin de energa elstica producida por la diferencia en constantes de red del material a depositar y el substrato.

Adicionalmente, la presin de arsnico y la temperatura de crecimiento de los PCs son parmetros que se pueden variar para controlar el pico de emisin de los PCs [8]. La posibilidad de manipulacin de la emisin de los PCs tiene importantes ventajas para aplicaciones en QC y en una variedad de dispositivos optoelectrnicos novedosos.

Figura 4. Imgenes de MFA despus del crecimiento de InAs: a) y c) sobre superficies de GaAs sin tratamiento; b) y d) sobre superficies de GaAs recocidas in situ. El espesor equivalente de InAs para cada una de las muestras se indica en la figura.

[Referencias]
[1] Pavesa L., Dal Negro L., Mazzoleni C., Franzo G. y Priolo F. Optical gain in silicon nanocrystals. Nature, 408:440444 (2000). [2] Kouwenhoven L.P. et al. Mesocopic Electron Transport. NATO Science Series, vol. 345, Proceeding of the NATO Advanced Study Institute (1996). [3] Kamada H. Quantum computating with QD excitons. NTT Tech. Rev., 1:31-40 (2003). [4] Lpez-Lpez M., Cruz-Hernndez E., Martinez-Velis I., Rojas-Ramirez J., Ramirez-Lpez M., Pulzara-Mora A. y Hernandez-Rosas J. Self-Assembly of Nanostructures on (631)-Oriented GaAs Substrates. Advanced Summer School in Physics 2007, AIP Conference Proceedings, vol. 960, pp. 210-215 (2007). [5] Biolatti E., Iotti R.C., Zanardi P. y Rossi F. Quantum Information Processing with Semiconductor Macroatoms. Phys. Rev. Lett. 85: 5647-5650 (2000). [6] Loss D. y DiVincenzo D.P. Quantum computation with quantum dots. Phys. Rev. B 59: 2070-2078 (1999). [7] Mndez-Garca V.H. InAs quantum dots grown on GaAs(100) surfaces subjected to novel in-situ treatments. Rev. Mex. Fis. 51: 230-235 (2005). [8] Pulzara A. Estudio de Pelculas Semiconductoras de Compuestos IIIV Nitridadas Crecidas por Sputtering y Epitaxia de Haces Moleculares. Tesis de doctorado. Departamento de Fsica, Cinvestav, Mxico (2006).

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No se obtuvo seal de FL en esta regin espectral para las otras muestras; esto se debe a que en la muestra B21 no se observaron PCs y las islas de la muestra A34 son demasiado grandes. Por lo tanto, en la siguiente discusin nos centramos en las muestras A21 y B34. Realizando una estadstica de los tamaos de los PCs en estas muestras obtuvimos los siguientes resultados: los PCs obtenidos del crecimiento de manera convencional tienen una altura promedio de 2.1 1 nm y dimetro de 12 3.1 nm, mientras que los PCs crecidos sobre GaAs recocido tienen una altura promedio de 5.9 0.5 nm y dimetros de 25 2.5 nm. Se observa que la fuerte dispersin en dimetro y altura de los PCs en la muestra A21 disminuy a menos 10% para la muestra B34. Las mejoras anteriores en la dispersin de tamaos de los PC se reflejan en su emisin de FL. En la figura 6 observamos una disminucin en el ancho del espectro de emisin de la muestra B34 como consecuencia de la mayor uniformidad en los tamaos de los PCs. Respecto a la posicin en energa de los espectros de FL notamos que el aumento en los tamaos de los PCs (menor confinamiento cuntico) concuerda con el corrimiento hacia el rojo observado para la muestra B34. Mas an, en otros experimentos encontramos que la magnitud del corrimiento al rojo depende tanto del tiempo de recocido a alta temperatura como de la cantidad de InAs depositado.

Figura 6. Espectros de fotoluminiscencia a 14 K de los PCs en las muestras A21 y B34.

Se puede concluir que las propiedades fsicas intrnsecas a los puntos cunticos hacen que estos sistemas sean fuertes candidatos para la realizacin de computacin cuntica. La fabricacin de estas nanoestructuras mediante un proceso de autoensamblado empleando la tcnica de MBE tiene grandes ventajas sobre otros mtodos, principalmente debido a que los puntos cunticos se forman sin necesidad de procesamientos externos. Sin embargo, an se requiere de investigacin sobre los procesos de autoensamblado para lograr tener un control adecuado del tamao, densidad y forma de los PCs .

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