Circuits Analogiques - Cours PDF

Enseignements E.E.A.
Electronique analogique
E le c t r o n iq u e des d is p o s it if s C o u rs
par Sylvain GERONIMI
Universit Paul Sabatier
Electronique analogique - Cours
TABLE DES MATIERES
Les diodes jonction

Prsentation Caractristique de la diode Modles de la diode Notion de droite de charge Reprsentation en rgime continu Reprsentation en rgime dynamique aux faibles signaux Diodes utilises en avalanche 3-4 4-5 5-9
Le transistor effet de champ jonctions

Prsentation Rseaux de caractristiques Modles du transistor Reprsentation en rgime continu Reprsentation en rgime dynamique aux faibles signaux Principe de lamplification Les montages fondamentaux 10-11 11 12-13
14 15-17
Le transistor bipolaire
Prsentation Rseaux de caractristiques Modles du transistor Reprsentation en rgime continu Reprsentation en rgime pseudo-continu Reprsentation en rgime dynamique aux faibles signaux Les montages fondamentaux 18 19 20-23
24-28
La caractrisation dun amplificateur linaire

Prsentation dun amplificateur linaire Analyse en frquence Dfinition des domaines de frquence Notion de fonction de transfert Rponse aux frquences hautes Rponse aux frquences basses Mesures physiques des caractristiques dynamiques 29-30 31-34
35-36
Montages plusieurs transistors

Montage cascode Montage darlington Montage diffrentiel Etude de la polarisation Etude aux faibles signaux Etude aux forts signaux Les sources de courant Miroir de courant lmentaire Source de Widlar Source de Wilson Rptiteur de courant Les translateurs de tension continue Translateur par diodes Multiplicateur de VBE Structure et reprsentation dun amplificateur de tension intgr 37 38 38-44
45-49
49-50
50-52
Quelques structures de circuits intgrs

Amplificateurs de tension Amplificateurs conductance de transfert Amplificateurs rsistance de transfert Amplificateurs contre-raction de courant Multiplicateurs et mlangeurs 53 54 55 56 57-58
La contre-raction
Rappels sur les systmes asservis Relation des systmes asservis Proprits de la raction Les types de contre-raction Contre-raction tension-courant Contre-raction courant-tension Contre-raction tension-tension Contre-raction courant-courant 59-60
61-65
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Table des matires
Lamplificateur oprationnel idal

Dfinition Fonctionnement en rgime linaire Montages amplificateurs Montages oprationnels Amplificateurs dinstrumentation Filtres actifs du second ordre Convertisseur dimpdance Fonctionnement en commutation Comparateur de tension Triggers de Schmitt Multivibrateur 66 66-70
71-72
Lamplificateur oprationnel rel

Caractristiques lentre Caractristiques la sortie Caractristiques de transfert Lalimentation Schma de lamplificateur 741 73-78 79-80 81-83 83 84
Le filtrage analogique
Types de filtres Structures de filtres Formes de rponses Ralisation dun filtre Abaques 85-93 94-95 96-100 100-102 103
Les oscillateurs sinusodaux

Condition critique doscillation Les oscillateurs RC Loscillateur dphasage Loscillateur pont de Wien Stabilit en amplitude Les oscillateurs accordables LC Les oscillateurs quartz Simulations 104-105 105-110
110-111 111-112 112-113
Les rgulateurs de tension

Gnralits Principe Rfrence de tension Diode zener Rfrence de tension intgre Rgulateur de tension srie 3 bornes 114 115-116 116-118
118-119
Les amplificateurs de puissance

Gnralits Calcul des puissances Distorsion Amplificateurs classe A Etage dissymtrique Etage symtrique Amplificateurs classe B Amplificateur push-pull srie Amplificateur push-pull parallle Augmentation de la puissance de sortie 120-124
125-130
130-141
Annexes
Modles de composants associs aux diffrents rgimes Modle de Giacoletto Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun circuit complexe Mthode de travail pour la rponse en frquence (approximation du ple dominant) Mthode de travail pour ltude de la stabilit des systmes boucls Transformation de schma par application du thorme de Miller Ouvrages spcialiss et principaux symboles utiliss 142-144 145-146 147-148 148-149 150-151 152-154 155-156 157
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Table des matires
Les diodes jonction
Prsentation
Jonction non polarise
atome accepteur (ion ngatif fixe)
paire lectron-trou
+ + + + + + +
+ + + + + + +
jonction
atome donneur (ion positif fixe)
trous libres (majoritaires)
+ +
lectrons libres (majoritaires)
trou libre (minoritaire)
lectron libre (minoritaire)
rgion de dpltion
Au niveau de la jonction, il y a recombinaison des trous et des lectrons libres par diffusion, les trous vers la droite et les lectrons vers la gauche. Une mince rgion dite de dpltion ou dappauvrissement ou de transition ou de charge despace, apparat dpeuple de porteurs libres o ne subsistent que des ions fixes positifs et ngatifs. En dehors de la rgion de dpltion, on trouve des charges libres majoritaires et minoritaires, savoir des lectrons majoritaires et des trous minoritaires dans la zone N et linverse dans la zone P. La prsence dun champ lectrique ralentit puis arrte la diffusion des porteurs dune zone lautre. La largeur de la rgion de dpltion est dautant plus faible que le dopage est important car les ions fixes tant beaucoup plus nombreux repoussent plus fortement les charges mobiles.
Jonction polarise en direct
P N
ID
+ VD
La jonction est polarise en direct par une tension VD positive. Le ple + de la source attire les lectrons de la zone N vers la zone P et le ple attire les trous de la zone P vers la zone N (charges
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libres majoritaires). De ce fait, la largeur de la rgion de dpltion diminue car le nouveau champ lectrique est plus faible et le courant de diffusion augmente. Les lectrons provenant de la source VD (ple -) sajoutent aux lectrons majoritaires de la zone N. Une partie traverse la jonction en se recombinant avec les trous proches de la jonction ou en se dplaant de trou en trou pour revenir vers la source (ple +). En parallle, les trous majoritaires de la zone P se dplacent vers la zone N o ils se recombinent avec les lectrons libres rests dans cette zone. Il existe donc un courant de diffusion et un courant de recombinaison. Ce dernier reste prpondrant devant le courant de diffusion pour des tensions VD < 0.4 V pour le silicium.
Jonction polarise en inverse
P N
-ID IS
+ VD
La jonction est polarise en inverse par une tension -VD (VD > 0). Cette tension repousse les lectrons dans la zone N et les trous dans la zone P de la jonction. La rgion de dpltion slargit et le courant de diffusion devient nul. Les paires lectron-trou, dorigine thermique, constituent le courant de saturation IS, indpendant de lamplitude de la polarisation inverse. Ces charges minoritaires des zones P et N traversent la jonction, attires par les ples de la source.
Caractristique de la diode
La diode est un composant non-linaire dont la caractristique statique est la suivante :
ID VD
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Les diodes jonction
Zone 1 : courant de recombinaison ID e
VD 2 UT
pour 0 VD 0.4 V (silicium).

VD UT
Zone 2 : courant de diffusion des porteurs prpondrant ID IS e
pour VD > 0.4 V .
La tension de seuil V est voisine de 0.6 V pour le silicium 25C et son coefficient de temprature est ngatif ( 2.2 mV / C ) . Pour le Ge V 0.25 V , pour le GaAs V > 1V . Zone 3 : courant ID important cause du phnomne de forte injection des porteurs issus de la source. Zone 4 : influence des contacts ohmiques et chutes de tension associes (coefficient de temprature positif dans cette zone). Zone 5 : continuit mathmatique de la zone 2. Zone 6 : courant en inverse IS (double en valeur approximativement tous les 10C). Zone 7 : phnomne davalanche ayant deux causes possibles - avalanche par effet Zener : lorsque les rgions P et N sont fortement dopes, la zone dplte devient trs troite et le champ lectrique au niveau de la jonction peut atteindre des valeurs trs leves et arracher des lectrons de valence, ce qui cre de nouveaux porteurs de charge. - avalanche par ionisation : lorsque le champ au niveau de la jonction devient important, les porteurs minoritaires sont acclrs suffisamment pour pouvoir ioniser par chocs les atomes et crer aussi de nouveaux porteurs qui, leur tour, sont acclrs
VD La caractristique courant tension au sein dune analyse thorique scrira ID = IS e UT 1 kT avec UT = (tension thermique) o k : constante de Boltzman 1.38 10-23 J/K, T : temprature de q la jonction en K, q : charge lmentaire 1.60 10-19 coulombs.
A la temprature ambiante T 300K, ce qui donne environ UT 25 mV. La caractristique dpend donc de la temprature par le biais de UT et IS.
Modles de la diode
Notion de droite de charge
Soit le circuit diode avec v E (t ) = VE0 + v e (t ) loi de la maille v E (t ) = v D (t ) + v R (t ) avec v D (t ) = VDo + v d (t ) et i D (t ) = I Do + i d (t )
vE (t) iD (t) D
vD (t)
vR (t)
En rgime continu, on est conduit rsoudre le systme dquations :

VD UT 1 I I = S e D V R I V = + Eo D D
(caractristique de la diode et loi de la maille)
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Les diodes jonction
Cest un systme dquations non-linaires, mais on peut procder graphiquement en dfinissant la droite de charge.
ID =
VE 1 VD + 0 R R
La solution du problme est donne par le point dintersection ( VDo , I Do ) de la droite de charge et de la caractristique de la diode. Ce point est appel point de repos ou point de fonctionnement. De faon gnrale, il y a variations du point de fonctionnement du circuit lorsque VE 0 et R varient. Lorsque VEo crot, I D crot. A remarquer que pour de petites variations de v E (t ) , la partie de la caractristique de la diode est presque linaire, mais pour de grandes variations de v E (t ) , la partie de la caractristique est non linaire. Il sensuit des tudes aux forts et aux faibles signaux.
Reprsentation en rgime continu et pseudo-continu

La mthode de travail consiste modliser le composant par une caractristique linaire par morceaux. On remplace donc le modle mathmatique par une caractristique adapte au problme pos. Suivant le cas, la rsistance en direct et/ou la tension de seuil de la diode peuvent influencer ou non la rponse temporelle du circuit. La diode est quivalente une tension de seuil V en srie avec Rd en direct, soit
Rd V iD(t)
vD(t) ve(t) vR(t) R
v E (t ) V i D (t ) = Rd + R v R (t ) = R i D (t ) v (t ) = R i (t ) + V d D D
Rgime continu v E (t ) = VEo > V
VEo V I Do R + Rd R ( v e (t ) = 0 ) VRo VEo V R + Rd Rd VEo V VDo V + R + Rd
Rgime pseudo-continu v E (t ) = Ve sin t ( VEo = 0 ) Calculons les valeurs des variables point par point pour v E (t ) > V (diode passante), par exemple pour le point v E (t ) = Ve , valeur positive crte du sinus.
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Les diodes jonction
Ve V I Dmax R + Rd R Ve V VRmax R + Rd Rd Ve V VDmax V + R + Rd
ID 1/Rd VD
ID Rd
V 0 V VD
Application : simulation du circuit diode 1N4148

D
v E (t ) = VEo + v e (t ) , VEo = 0 V
R vE
f = 50 Hz
100V
VR=VE
v E (t ) = 100 sin t R = 1 k
0V
VE<0 VR=0 VD=0 VE >0 VD=VE

-100V 0s 10ms 20ms 30ms 40ms
( Ve >> V et R >> Rd )
VE(t)
VR(t)
VD(t) Time
2.0V
VE VE < Vseuil VD
tension de seuil
v E (t ) = 2 sin t R = 10
0V
VR VE > Vseuil
-2.0V 0s 10ms 20ms 30ms 40ms
VE(t)
VR(t)
VD(t) Time
Application : simulation pour redressement sur charge capacitive

R1 VE VOFF = 0V VAMPL = 220V FREQ = 50Hz 1 TX1 D1 D1N4002 R1 10k C1 10u
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Les diodes jonction
tension de seuil de la diode 20V
Rponse temporelle avec conditions initiales nulles

diode bloque 0V diode passante
-20V 0s vE(t) 10ms vR(t) 20ms Time 30ms 40ms
Reprsentation en rgime dynamique aux faibles signaux

Cest le cas o lamplitude du signal v E (t ) est petite comparativement au niveau de polarisation.
VD
La caractristique courant-tension scrit en direct I D IS e UT avec VD >> UT . Cette quation est utilise en rgime linaire autour du point de repos ( VDo , I Do ). On remplace la diode par sa rsistance dynamique rd en faibles signaux.
VD IS e UT 1 I D = = rd VD I =I UT D Do
ID =IDo
rd =
UT I D0
Ces rsultats sont obtenus si la frquence de lexcitation sinusodale est suffisamment petite pour que leffet de charge emmagasine dans la diode soit ngligeable. Aux frquences dites hautes, on obtient les modles faibles signaux suivants :
Polarisation directe
rd CD
Polarisation inverse
ri CT
CD : capacit de diffusion
CT : capacit de transition
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Les diodes jonction
Application : circuit diode rsistance avec VEo = 5 V , v e (t ) = 0.2 sin(t ) , R = 1 k , f = 1 kHz

Rgime continu (caractristique linarise de la diode V = 0.6V , Rd = 0.5 )
I Do = VEo V R + Rd 4.4 mA
VRo = R I Do 4.4V
Rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) U R r d = T 5 .8 v r ( t ) = v e (t ) 0.199 sin t I Do R + rd soit v R (t ) 4.4 + 0.199 sin t en volts
Diodes utilises en avalanche

On sintresse ici aux diodes stabilisatrices de tension ou diodes zener. Ces diodes sont prvues pour travailler en polarisation inverse, dans leur zone davalanche non destructrice, condition de respecter la limite en puissance (sinon il y a claquage de la jonction). La tension zener est spcifie pour un courant I ZT et une temprature T donns. Le courant maximum admissible I ZM en rgime permanent est li la puissance que peut dissiper la diode, pour une temprature ambiante fixe.
PZM = VZ I ZM
ID 0 rd = V/I - IZT rz = V/I VD
- VZ
ID VD
- IZM
La rsistance dynamique rz est plus faible que rd. Elle permet une bonne stabilit de la tension. Comme pour une diode classique, on peut transformer la caractristique statique en caractristique linarise par morceaux.
Application : principe de stabilisation dune tension (voir Problmes )
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Les diodes jonction
Le transistor effet de champ
Prsentation
Il existe deux types de transistor effet de champ (Field Effect Transistor), savoir le MOSFET et le JFET. Sa fabrication est souvent plus simple et son encombrement sur une puce infrieur celui dun transistor bipolaire jonctions. La grande rsistance dentre et le faible bruit sont deux des proprits des JFET utiliss dans les units de traitement de signaux. Le FET est un dispositif porteurs majoritaires. Son fonctionnement dpend de lapplication dun champ lectrique pour commander le courant du transistor. Le FET est donc une source de courant dpendante dune tension. La figure ci-dessous reprsente la structure lmentaire dun FET jonction canal N. Les bornes drain et source sont constitues de contacts ohmiques aux extrmits dun barreau de semiconducteur de type N. Lapplication dune tension entre le drain et la source fait circuler les lectrons porteurs majoritaires dans le sens de la longueur du barreau. La troisime borne, appele grille, est forme par la connexion lectrique des deux rgions troites P+. La rgion de type N entre les deux grilles P+ est appele le canal, les porteurs majoritaires empruntent ce canal pour se dplacer entre la source et le drain.
La tension entre la grille et la source polarise les deux jonctions en sens inverse et ceci a pour consquence de crer, aux jonctions, une zone sans porteurs dautant plus large que la tension est plus grande. Ces zones empitent de plus en plus sur le canal. La tension entre le drain et la source donne un courant de drain form par les porteurs majoritaires (lectrons) du semiconducteur. Plus la tension VGS est grande, plus la largeur du canal est faible et le courant ID diminue car la rsistance du canal crot. Si VGS atteint une valeur ngative suffisante, le canal est compltement obstru et le courant cesse de circuler entre drain et source. On dit que ces transistors fonctionnent par appauvrissement (dpltion), car la polarisation ngative de la grille appauvrit le canal en porteurs de charge. La commande du courant de drain se fait en jouant sur la valeur de la tension ngative VGS et, comme les deux jonctions sont polarises en inverse, leur rsistance est trs grande, de lordre de 10 rsistance dentre car IG 0 .
11
. Le transistor possde donc une trs grande
Le transistor dcrit est dit canal N . Il existe des transistors canal P, pour lesquels les zones de grille sont dopes N et, ce type de transistors, il faut rendre la grille positive par rapport la source.
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La figure suivante montre laspect rel dun transistor JFET et comment se fait lobstruction progressive du canal.
Remarquons que ltranglement est beaucoup plus prononc pour la jonction grille-drain que pour la jonction grille-source. Cela tient au fait que la tension inverse est beaucoup plus grande entre drain et grille quentre source et grille.
Rseaux de caractristiques
La figure suivante reprsente le rseau de caractristiques dun JFET canal N.
Le courant de drain, qui est le courant de sortie, dpend, non pas du courant dentre, mais de la tension dentre. Aussi, chacune des caractristiques est-elle trace pour une valeur constante de tension VGS . Quand la tension VDS est faible, le courant I D est faible et le canal se comporte comme une simple rsistance. I D est proportionnel VDS (rgion ohmique). Quand on augmente VDS , le courant de drain tend augmenter. Mais quand VDS crot, VDG crot galement et le canal se rtrcit au voisinage du drain. Il stablit un rgime dquilibre entre leffet dacclration sur les porteurs caus par laccroissement de VDS et leffet de freinage produit par laccroissement simultan de VDS qui rtrcit de plus en plus le canal. Tant et si bien que I D se maintient une valeur pratiquement constante, donc, indpendante de VDS (rgion de saturation). La tension VDS , pour laquelle I D cesse de crotre en mme temps que VDS , sappelle tension de pincement . On constate quelle a la mme valeur que la tension VGS qui interrompt compltement le courant de drain. En ralit, I D augmente lgrement avec VDS dans la rgion de saturation en raison de leffet Early (modulation de la longueur du canal). Les prolongements de ces caractristiques se coupent en un point de laxe des VDS ngatifs dfinissant la tension dEarly 1 (voir la similitude avec les transistors bipolaires). La pente donne la conductance de sortie du JFET. En faisant le rapport I D VGS dans cette rgion, on dfinit la pente ou transconductance du JFET qui sexprime en A/V. Cette pente nest pas constante et crot en mme temps que le courant de drain. Aussi, la caractristique de transfert direct ne sera pas linaire et le signal de sortie sera affect de distorsion non-linaire.
Sylvain Gronimi Page 11 Le transistor effet de champ
Une limitation demploi apparat imprativement sur le plan de sortie des caractristiques (rgion de claquage) en ce qui concerne la tension ne pas dpasser, mme de faon transitoire. Elle correspond un vritable claquage d un phnomne davalanche dans la jonction grille-canal. Cette tension critique varie lgrement en fonction de la valeur de VGS .
Modles du transistor
Lors des tudes entreprendre, on sera conduit valuer les courants et tensions de polarisation du transistor (rgime continu), puis considrer son comportement en amplificateur linaire (rgime dynamique aux faibles signaux). Voici les modles utiliser.
Reprsentation en rgime continu

Une approche analytique pour un JFET idal est la suivante. La tension VDS pour laquelle I D cesse de crotre, dfinit le lieu de pincement qui spare la rgion ohmique de la rgion de saturation. La condition de pincement scrit :
VDS = VGS VP
avec VGS , VP <0 pour un canal N et VGS , VP >0 pour un canal P
De plus, le lieu de pincement translat de VP , est quivalent la fonction de transfert direct. On prendra une caractristique de transfert idalise, o I DSS et VP sont les grandeurs du transistor utilis donnes par le constructeur, soit
VGS ID = IDSS 1 V P
2
I DSS est le courant de Drain, en montage Source commune, lorsque la grille est relie la source, donc en court-circuit (Short). Cette expression est une parabole I D (VGS ) et la rsolution analytique dun problme de polarisation demande de considrer que le cot droit de celle-ci. De ce fait, si une
quation du second degr en VGS est rsoudre, il faudra retenir la racine telle que 0 VGS0 VP . Enfin, si leffet Early est pris en compte, un facteur (1 + VDS ) multiplie le courant de drain.
Application : valuation de la rsistance R DS du JFET dans la zone ohmique (approche stylise)
Lieu de pincement (canal N)

VDS = VGS VP
Rsistance minimale RON =
VP I DSS
sinon RDS =
VDS = ID
VGS VP VGS I DSS 1 V P

2
RDS =
RON V 1 GS VP
Application : voir T.D. pour les applications sur le rgime continu (polarisation).
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Si lon considre le quadriple correspondant au montage source commune, la reprsentation aux faibles signaux la mieux adapte est celle utilisant les paramtres y.
i1 i2 y12 v2 y21 v1
Paramtres y
i1 = y 11 v 1 + y12 v 2 i 2 = y 21 v 1 + y 22 v 2
id D
v1
1 / y11
1 / y22
v2
G vgs S
ig vds S
v 1 v gs , avec v 2 v ds
i1 i g 0 i 2 i d
et
[y ] s
telle que
ig y 11S = 0 v ds =0 v gs
ig y 12S = 0 v ds v gs =0
I D0 i I I 1 y 22S = d = D = D = = I D0 pour VDS0 << 1 v ds v gs =0 VDS VGS =cte VDS VGS =cte rds 1 + VDS0
i I I 2 = D = D y 21S = d = gm = VP v gs v ds =0 VGS VDS =cte VGS VDS =cte I D0 I DSS
La pente du composant tant toujours positive, g m =
2 VP
I D0 I DSS pour canal N ou canal P.
i g 0 1 i d = g m v gs + r v ds ds
ig = 0
id
D vds S
vgs gm vgs S
rds
Il faut remarquer que les deux niveaux de jonctions polarises en inverse sont prsents, savoir la jonction grille-source et la jonction grille-drain. Si lon considre le schma aux faibles signaux dune jonction dans son rgime dynamique (rinverse, Ctransition) aux frquences leves, on obtient :
ig Cgs vgs S Cgd g m vgs S rds Cds vds id
La rsistance inverse des jonctions tant considre comme infinie et Cds comme ngligeable par rapport aux capacits parasites du montage ramenes entre drain et source (il ny a pas de jonction entre drain et source).
Sylvain Gronimi Page 13 Le transistor effet de champ
Principe de lamplification
Pour tudier les montages amplification linaire, on est conduit considrer deux rgimes, dune part le rgime dalimentation continu ou rgime statique de llment actif, absolument ncessaire pour placer celui-ci dans la rgion de ses caractristiques, adquate au fonctionnement prvu, et dautre part le rgime alternatif ou rgime dynamique dvelopp autour du rgime continu, sous laction du signal appliqu. Si les variations par rapport au temps sont suprieures 50 Hz, les tudes des rgimes statique et dynamique pourront alors tre spares. Expliquons le principe de lamplification partir du schma suivant (montage source commune) :
RD CL RG CG J1 RL R VG RS CS VCC
Les condensateurs CG et CL assurent la liaison de ltage avec le gnrateur et la charge respectivement. Le rle du condensateur CS est de dcoupler la source par rapport la masse. En rgime statique, les condensateurs sont quivalents des circuits ouverts ( = 0 ). En rgime dynamique et aux frquences de travail du montage, ces condensateurs doivent se comporter comme des courts-circuits. De ce fait, la topologie diffre selon le rgime tudier.
Rgime statique (polarisation dite automatique) :

ID
droite de charge en entre VGS = RS I D VCC 1 droite de charge en sortie I D = VDS + R D + RS R D + RS

R IG = 0
RD VCC VDS VGS RS IS
VGS quation du transistor ID = IDSS 1 V P
(arc de parabole)
Rgime dynamique (faibles signaux) : si attaque en tension v gs =

R vg vg R + RG
ig = 0 vds RG R vg vgs
id
RD
RL
droite de charge en sortie i d =
1 v ds RD // RL
quations du transistor (linarisation des caractristiques)
On obtient la reprsentation suivante au sein de laquelle la configuration des droites de charge statique et dynamique dans le plan de sortie est diffrente.
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Les montages fondamentaux

Les montages fondamentaux damplification FET sont ici prsents, savoir montage source commune, montage grille commune et montage drain commun. Dans chacun des cas, on caractrise les performances dynamiques prcdemment cites aux frquences moyennes.
Montage source commune

Cest le schma donn au paragraphe prcdent sans la rsistance RL ( rds >> RD )
ie is
RG ve vg R
vgs gm vgs
rds vs RD
Rsistance dentre : ze = R
i0
Rsistance de sortie :
RG vgs = 0 R vg = 0
v zs = 0 = rds i0
gm vgs =0 rds v0
v e = v gs Gain en tension : v s = g m v gs (RD // rds )
Av =
vs g m RD ve
v gs i e = R Gain en courant : v s = g m v gs (RD // rds ) i = g v + v s s m gs rds
Ai =
rds is = gm R gm R RD + rds ie
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Montage grille commune

VCC
rds i D gm vgs vgs ve RS G vs RD is
RD
ie S
CG RS vg RG
vs
RG
vg
Eliminons la variable i qui na pas dintrt pour nos calculs.

v e = v gs v e + rds i + RD i s = 0 ve i e + g m v gs + i = RS i = g v + i m gs s = v RD i s s v e = v gs 1 1 + g m rds i e = v gs R + r +R ds D S 1 + g m rds i s = v gs rds + RD 1 + g m rds v s = RD v gs rds + RD 1 1 + g m rds i 1 = e = + ze v e RS rds + RD
Rsistance dentre :
1 ze RS // g m
Rsistance de sortie vue par RD :

v 0 = rds i v gs i 0 = g m v gs + i avec R = RG // RS v gs = R i 0 v 0 = rds i 0 v gs (1 + g m rds ) v gs = R i 0 v zs = 0 = R + rds (1 + g m R ) rds (1 + g m R ) i0
rds
i i0
gm vgs RG // RS vgs v0
Gain en tension : Av =
v s 1 + g m rds = RD g m RD ve rds + RD
1 + g m rds rds + RD g m RS is Gain en courant : Ai = = 1 g r + 1 1 + g m RS ie m ds + RS rds + RD
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Montage drain commun

VCC ie RD CD CG vg RG R vg RS RS vs is vs RG ve R vgs gm vgs i rds
v e = v gs + v s v e = v gs (1 + g m (rds // RS )) i s + g m v gs + i = 0 i = v (1 + g m (rds // RS )) e gs R v e i e = ( v g r // R = R m ds S )v gs s v s = RS i s g m (rds // RS )v gs i s = = R i r i RS ds S s
Rsistance dentre : ze =
ve =R ie 1 1 gm gm
Rsistance de sortie vue par RS : zs = rds //
vs g m (rds // RS ) g m RS = <1 v e 1 + g m (rds // RS ) 1 + g m RS
Gain en courant :
Ai =
is g m (rds // RS ) R gm R = ie 1 + g m (rds // RS ) RS 1 + g m RS
Comparaison entre ces montages

CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES Gain en tension Gain en courant Rsistance dentre Rsistance de sortie SOURCE COMMUNE
lev et inverseur proportionnel gm trs leve moyenne (rds)
GRILLE COMMUNE
lev 1 et inverseur faible (1/gm) trs leve
DRAIN COMMUN <1

lev et inverseur trs leve trs faible
(voir tableau du transistor bipolaire jonction pour commentaires).
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Prsentation
Le transistor bipolaire jonctions est form de deux jonctions ayant une zone commune, soit de type N dans un transistor PNP, soit de type P dans un transistor NPN. Les trois lments sont appels lmetteur, la base et le collecteur.
IC IC
VCB IB
VBC IB VCE
VEC
VBE
IE
VEB IE
NPN
PNP
Dans son fonctionnement normal, la jonction base metteur est polarise en direct et la jonction collecteur base est polarise en inverse. Prenons lexemple dun transistor NPN.
La jonction collecteur base est polarise en inverse, elle est donc bloque la fuite prs due ICBO (courant inverse de la jonction quivalent au courant de Collecteur dans un montage Base commune, lmetteur tant en lair Open ). Si la jonction metteur base est polarise en direct, les lectrons majoritaires dans la zone N passent de cette zone dans la zone mdiane P o ils sont de mme espce que les minoritaires. Ces lectrons de type minoritaires, mais trs nombreux, vont pouvoir franchir la deuxime jonction en polarisation inverse (ple P et ple + N). Ils auront ainsi travers entirement le transistor. Le courant qui traverse la jonction base collecteur est pratiquement indpendant de la tension base collecteur, mais il dpend de la tension base metteur dont la valeur minimale doit tre suprieure la tension qui soppose au franchissement de la zone de jonction par les porteurs majoritaires (apparition dun courant significatif sur la caractristique en direct dune diode).
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Quand les lectrons de lmetteur dun NPN arrivent dans la base, ils y rencontrent des trous, majoritaires dans cette base et ils comblent au passage certains trous, ce qui fait disparatre ces trous et les lectrons qui les ont combls, car ces derniers ont cess dtre libres. Il manque un certain nombre dlectrons dans le courant qui traverse le collecteur. Aussi, le courant de collecteur est-il trs lgrement infrieur au courant dmetteur. Ce courant qui manque dans le collecteur constitue le courant de base. En effet, pour remplacer les trous disparus dans la base, le ple positif du gnrateur qui alimente la jonction base metteur va extraire un nombre gal dlectrons de la base pour y crer un nombre gal de trous. Tout ce passe donc comme si le courant dlectrons de lmetteur se partageait entre le collecteur et la base, rpondant ainsi lquation :
IE = IB + IC
Le pourcentage de porteurs perdus dans la base demeure pratiquement constant pour un transistor donn, mais varie dun transistor un autre (dispersion sur le composant). Le rapport IC / IE, dsign par 0, peut tre considr comme la probabilit quun lectron, en provenance de lmetteur, a de disparatre dans la base. Si 0 = 0.99, tout lectron partant de lmetteur a une chance sur 100 (0 +1) de disparatre dans la base, les 99 (0) autres lectrons arriveront dans le collecteur, do la relation
0 =
0 0 et 0 = 0 + 1 1 0
Pour obtenir ce phnomne, il est ncessaire davoir une paisseur de base trs mince, car la dure de vie des lectrons est trs courte. La quasi-totalit de ces porteurs sera alors absorbe par le collecteur. Cest leffet transistor qui scrit :
IC = 0 I E + ICBO
ou IC = 0 IB + ICEO avec ICEO = ( 0 + 1) ICBO
Rseaux de caractristiques
Considrons le montage metteur commun, par exemple.
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Plan dentre IB (VBE ) : Le rseau dentre correspond aux variations de I B dues aux variations de VBE , la tension VCE demeurant constante. La tension VCE agit peu sur le courant de base. En examinant la caractristique dentre, on fait deux constatations importantes. Dune part, le courant de base ne prend naissance que pour une tension VBE suprieure environ 0.4 V pour un transistor au silicium. Il y a, de ce fait, possibilit dappliquer une tension VBE sans quil y ait de courant de base apprciable si cette tension est infrieure au seuil dont on vient de parler. Dautre part, le courant de base nest pas proportionnel la tension VBE . La courbure de la caractristique dentre dun transistor bipolaire est le principal dfaut de ce type de transistor et la principale cause de distorsion quil apporte aux signaux quil amplifie.
Plan de transfert direct IC (I B ) : Le rseau de transfert de courant qui donne les variations de IC en fonction des variations de I B , VCE restant constante, peut se rduire une caractristique, car les courants dpendent de VBE mais peu de VCE . Le rapport entre les variations des courants IC et I B ( dynamique) tant peu diffrent du rapport entre les courants 0 = IC0 I B0 (statique), la pente donne
donc 0 (rappellons que 0 est lquivalent du paramtre hybride h21E ).
Plan de sortie IC (VCE ) : Le rseau de sortie donne les variations de IC en fonction de celles de VCE ,
le courant dentre I B restant constant. Toutes les caractristiques semblent issues dune courbe, sensiblement droite et verticale. Cest la courbe de saturation qui donne la tension VCE sat , valeur minimale de VCE correspondant un IC donn. La pente de cette courbe donne linverse de la rsistance de saturation qui est la valeur minimale de la rsistance oppose par le transistor au passage du courant. Les possibilits dutilisation du transistor se limitent la zone hachure sur la figure prcdente. La droite de saturation, lhyperbole diso-puissance et le courant rsiduel de collecteur ( ICEO ) dlimitent cette zone. Enfin, les caractristiques sont donnes pour une certaine temprature (drive thermique) et les donnes du constructeur sont des valeurs moyennes ( typique par exemple) car il existe une certaine dispersion lors de la fabrication (dispersion des caractristiques).
Modles du transistor
Lors des tudes que lon entreprendra, on sera conduit considrer des comportements du transistor en rgimes statique (continu), forts signaux (pseudo-continu) et faibles signaux (dynamique). Ainsi, trois modles de comportement linaires ou non-linaires sont proposs.
Reprsentation en rgime continu

Le transistor tant dans son mode actif direct (voir le tableau plus loin), la diode base-metteur est reprsente par le modle linaris au sein duquel la rsistance statique est nglige et leffet transistor par une source de courant contrle par le courant traversant la diode.
B
IB + V IB VBE Rd 0 IC
I E = I B + IC IC = I B VBE 0.6 0.7 V
IC IB VCE
NPN
VBE
IE
IE
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Reprsentation en rgime pseudo-continu (forts signaux)

Le schma dEbers-Moll est le modle mathmatique non-linaire utilis dans ltude du rgime pseudo-continu. Dans ce schma, les diodes reprsentent les jonctions dun transistor de type NPN et les deux sources dpendantes le couplage entre les jonctions.
R ICD F IED
IE IED IB VBE ICD
IC
VCB
Equations des diodes
VBE I = I e UT 1 ES ED VCB ICD = ICS e UT 1

VCB VBE I = I e UT 1 I e UT 1 R CS E ES I B = I E IC VCB VBE UT UT I I e 1 I e 1 = + C CS F ES
Equations dEbers-Moll
Les grandeurs I ES , ICS , F et R sont des fonctions des densits de dopage et de la gomtrie du transistor est sont interdpendantes suivant la condition de rciprocit F I ES = R ICS . Chaque jonction peut tre polarise en direct et en inverse, do quatre modes de fonctionnement : Mode actif direct blocage saturation actif inverse Polarisation base-metteur direct inverse directe inverse Polarisation collecteur-base inverse inverse directe directe
Le transistor sera utilis le plus souvent dans le mode actif direct (VBE > 0 et VCB > 0). Le courant de fuite de la jonction en inverse tant ngligeable devant le courant direct de la jonction base-metteur et VBE >> UT, les quations scrivent :
VBE VBE I E I ES e UT + R ICS I ES e UT VBE VBE UT I UT I I I e e + C CS F ES F ES VBE I (1 )I e UT F ES B
IC F = F IB 1 F
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Le gain en courant F (mode actif direct en metteur commun) nest pas constant puisque les caractristiques de sortie IC (VCE ) du transistor ne sont pas horizontales. En raison de leffet Early (modulation de la largeur de base), les prolongements de ces caractristiques se coupent en un point de laxe des VCE ngatifs (tension dEarly VA ).
IC VBE = cte
ICo I pente I / VA
VA =
- VA
VCEo
VCE
VCE0 Lexpression de lordonne du point de repos scrit IC0 = I + I = I 1 + V A VCE relation gnrale IC = 1 + V A transistors appairs.
V
avec I = I B , do la 0
BE UT qui sera utilise comme modle de comportement pour des I BS e
Si VCE << VA , la variation de est ngligeable IC I BS e UT et la pente des caractristiques de sortie est approche par
IC I C . VA + VCE VA
VBE
Dautre part, ce gain en courant varie aussi en fonction du courant collecteur.

normalis
1.0
transistor 2N2222
0.8
0.6
chelle logarithmique
0.4 100uA 1.0mA 10mA 100mA
IC
Le typique du constructeur se situant dans la zone mdiane, il faudra polariser le transistor avec un courant continu de collecteur appartenant celle-ci afin de conserver un transfert en courant optimal.
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La reprsentation linaire du transistor bipolaire, lors de ltude dynamique aux petits signaux, la mieux adapte est celle utilisant les paramtres h.
i1 i2 h11 v1 h12 v2 h21 i1 1 / h22 v2
Paramtres h
v 1 = h11 i1 + h12 v 2 i 2 = h21 i1 + h22 v 2
Les paramtres hij sont chacun issu dun quadrant des caractristiques statiques du transistor et leur valeur correspond la tangente au point de polarisation (approche linaire). Pour le cas dun montage metteur commun, on a :
ic
C
vce
B
vbe
ib
v 1 v be avec , v 2 v ce
i1 i b i 2 i c
v V V U h11e = be = BE = BE = T = rbe i I I b v ce =0 B VCE =cte B VCE =cte I B0 v V V = BE = BE 0 h12e = be v ce i b =0 VCE IB =cte VCE IB =cte i I I = C = C = 0 h21e = c i I b v ce =0 B VCE =cte I B VCE =cte IC i I I 1 = C = C = 0 h22e = c v ce i b =0 VCE IB =cte VCE IB =cte rce VA
v be = rbe i b 1 i c = i b + r v ce ce
B
ib ib vbe rbe ic
C
vce
rce
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Si lon considre le comportement du transistor aux faibles signaux dans son rgime dynamique aux frquences leves, on doit tenir compte des capacits parasites inter-lectrodes :
B
vbe ib i rbe Cbe gm vbe Cbc i rce Cce vce ic
La jonction base-metteur est une jonction polarise en direct (schma quivalent aux petits signaux rbe // C be dune diode en direct). La jonction base-collecteur est une jonction polarise en inverse (schma quivalent aux petits signaux rbc // Cbc dune diode en inverse au sein duquel on peut considrer la rsistance inverse comme infinie). La capacit extrinsque Cce est considre comme ngligeable par rapport aux capacits parasites du montage ramenes entre collecteur et metteur (il ny a pas de niveau de jonction cet endroit). Ce schma linaire est aussi appel schma de Giacoletto (voir Annexes pour plus de dtail).
Les montages fondamentaux

Lapproche de ce paragraphe est la mme que pour le JFET. Le circuit de base utilis est le suivant dans un mode de polarisation avec rsistance dmetteur et pont de base :
RB1 IB
RC IC Q VCE VBE VCC
VB = RB I B + VBE + RE I E VCC = RC IC + VCE + RE I E
RB2
RE IE
avec VB =
RB2 RB1 + RB2
VCC
et RB = RB1 // RB2
En rgime dynamique et aux frquences moyennes, les condensateurs de liaison et de dcouplage, considrs comme des courts-circuits dans ce domaine, permettent respectivement de lier le montage lattaque sous forme de Thvenin et de mettre llectrode de rfrence du transistor la masse. On tudie alors les trois montages possibles, dits fondamentaux, issus du montage de base et lon compare leurs performances.
Montage metteur commun
RB1 RG CG
RC VCC Q
vg
vs RB2 RE CE
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On peut effectuer une reprsentation graphique du problme (avec une attaque en tension).
La mthode analytique est mieux adapte pour caractriser les performances dynamiques, savoir rsistance dentre, rsistance de sortie, gain en tension, gain en courant, gain en puissance. Schma quivalent dynamique ( rce >> RC ) :
ie RG ve vg RB ib rbe
B
ib
is
rce
RC
vs
Equations du circuit
v e = rbe i b , i e = ve = RB // rbe ie
v ve + i b , v s = i b (RC // rce ) , i s = i b + s rce RB
Rsistance de sortie vue par RC : zs = rce Gain en tension : Av =
(car i b = 0 )
vs (RC // rce ) RC = ve rbe rbe
Gain en courant : Ai =
is rce 1 = rbe i e rce + RC rbe +1 +1 RB RB
(si RB >> rbe )
Gain en puissance : Ap = Av Ai
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Montage base commune

RB1
RC VCC Q CG RG vs vg
CB
RB2
RE
Schma quivalent dynamique :

i ie RG ve vg RE ib rbe rce
E
ib
is
RC
vs
Equations du circuit v e = rbe i b , i e + ( + 1)i b + i =
ve , i s = i b + i , v s = RC i s , rbe i b = RC i s + rce i RE (si RE >> rbe et rce grand)
ve rbe r r = RE // be be rbe +1 +1 ie + +1 RE
v 0 = rce i v i 0 = g m v + i v = R i 0

v0
+1
Rsistance de sortie vue par RC :

rce
i i0
avec R = RG // RE // rbe
gm v v
RG // RE // rbe
v 0 = rce i 0 v (1 + g m rce ) v = R i 0
v0 = R + rce (1 + g m R ) rce (1 + g m R ) i0
zs =
RC vs ve rbe
( rce trs grand)
is r = 1 (si RE >> be et rce trs grand) +1 r ie +1 be + +1 RE
Gain en puissance : Ap = Av
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Montage collecteur commun

RC CC RG CG Q vg VCC
RB1
RB2
RE vs
Schma quivalent dynamique :

ie RG ve vg RB
B
rbe
ib ib
E
i rce
is
RE
vs
Equations du circuit v i e = e + i b , v e = [rbe + ( + 1)(RE // rce )]i b , i s + ( + 1)i b = i , v s = ( + 1)i b (RE // rce ) , rce i + RE i s = 0 RB Rsistance dentre : ze = RB // [rbe + ( + 1)(RE // rce )] ( + 1)RE (si RB >> rbe + ( + 1)RE et i 0 )
Rsistance de sortie vue par RE :

ib rbe RG // RB ib rce i v0 i0
i 0 = i ( + 1)i b v 0 = rce i v = (r + R // R )i be G B 0
zs = rce // (si rbe
rbe + RB // RG r be +1 +1 >> RB // RG )
vs ( + 1)RE < 1 ( r >> R ) ce E v e rbe + ( + 1)RE

is ie
+1 ( + 1) (si RB >> rbe + ( + 1)RE et i ngligeable) rbe + ( + 1)RE 1+ RB
Gain en puissance : Ap = Ai
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Comparaison entre ces montages

CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES Gain en tension Gain en courant Gain en puissance Rsistance dentre Rsistance de sortie EMETTEUR COMMUN
lev et inverseur lev () oui moyenne (rbe) moyenne (rce)
BASE COMMUNE
lev 1 et inverseur
COLLECTEUR COMMUN <1

lev et inverseur
(-)
non
- (+1)
non
trs faible (rbe /(+1)) trs leve
leve ((+1)RE) trs faible
Le seul montage de puissance est le montage metteur commun. Il possde une rsistance dentre fonction de la polarisation. Cest le montage le plus utilis. Le montage base commune possde une rsistance dentre faible, ce qui peut tre un inconvnient. Cependant, sa rsistance de sortie trs importante en fait une vocation de gnrateur de courant dynamique (niveau de jonction collecteurbase en inverse en sortie). Le montage collecteur commun prsente une rsistance dentre leve et sa faible rsistance de sortie en fait un adaptateur dimpdance, abaisseur dimpdance et montage suiveur.
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Un amplificateur en rgime linaire peut tre modlis sous plusieurs formes suivant sa fonction (amplificateur de tension, amplificateur de courant, ). Une fois sa fonction tablie, il est ncessaire de caractriser ses performances dynamiques (rsistance dentre, rsistance de sortie et transfert) dans un domaine de frquences spcifi. Cela impose une analyse en frquence afin de dterminer la bande passante et la stabilit du systme.
Reprsentation dun amplificateur

Quatre reprsentations sont possibles sous la forme de quadriples au sein desquels le transfert inverse est nul (amplificateur unidirectionnel). La modlisation de comportement est reprsente par une source lie (diple de sortie) associe une branche de contrle (diple dentre).
Amplificateur de tension
RG Ze vg ve A v ve Zs vs
Rch
Si
RG << Z e v g v e Z s << Rch v s Av v e
v s Av v g
Lamplificateur de tension (convertisseur tension/tension) est une source de tension contrle par une tension et doit proposer une impdance dentre importante et une faible impdance de sortie.
Av
Rch
vs gain en tension vide (sortie en circuit ouvert) vg
Amplificateur de courant
ie RG ig Ze Ai i e Zs is Rch
Si
RG >> Z e i g i e Z s >> Rch i s Ai i e
i s Ai i g
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Lamplificateur de courant (convertisseur courant/courant) est une source de courant contrle par un courant et doit proposer une faible impdance dentre et une importante impdance de sortie. i Ai s gain en courant en court-circuit (sortie en court-circuit) ig
Rch 0
Amplificateur conductance de transfert

RG Ze Yt ve is
vg
ve
Zs
Rch
Si
RG << Z e v g v e Z s >> Rch i s Yt v e
i s Yt v g
Lamplificateur transconductance (convertisseur tension/courant) est une source de courant contrle par une tension et doit proposer une importante impdance dentre et de sortie.
Yt
Rch 0
is vg
conductance de transfert ou transconductance (sortie en court-circuit)
Amplificateur rsistance de transfert

ie RG ig Ze Zt ie Zs vs Rch
Si
RG >> Z e i g i e Z s << Rch v s Z t i e
v s Zt i g
Lamplificateur transrsistance (convertisseur courant/tension) est une source de tension contrle par un courant et doit proposer une faible impdance dentre et de sortie.
Zt vs ig
rsistance de transfert ou transrsistance (sortie en circuit ouvert)
Rch
Ces schmas quivalents reprsentent des circuits de complexit quelconque. Aussi, pour un amplificateur constitu de plusieurs tages fonctions lmentaires caractriss sous forme de quadriples, une analyse globale nest pas envisageable de manire analytique car elle conduit une mise en quations produisant un systme linaire rsoudre de dimension importante (utilisation dun simulateur de circuits). Cependant, une mthode de travail consiste dcomposer le circuit en lments simples et tenir compte de linteraction des lments (voir cours Annexes ).
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Analyse en frquence
La dtermination de la bande passante est issue dune tude frquentielle conduisant lcriture de fonctions de transfert dordre gal ou suprieur 1 en fonction de la variable p = j (rgime sinusodal). Lvaluation des frquences de coupure basse et haute savre dlicate, voire impossible sans simulateur. Aprs avoir dfini les diffrents domaines de frquence pour un amplificateur large bande, des mthodes de travail seront proposes pour ltude aux frquences basses et hautes de systmes dordre faible.
Dfinition des domaines de frquence

50
H0 -3 dB H0
domaine des frquences basses
domaine des frquences moyennes
domaine des frquences hautes
bande passante
0
effets des condensateurs de liaison et de dcouplage (valeurs importantes des capacits)
gain A0 independent de la frquence
effets des capacits parasites (valeurs faibles des capacits)
frquence de coupure basse (fb)

-50 1.0mHz 10mHz 1.0Hz 100Hz 10KHz
frquence de coupure haute (fh)

1.0MHz 100MHz 10GHz
DB(V(S)) Frequency
Domaine des frquences moyennes : cest le domaine dans lequel le gain est indpendant de la frquence car les capacits du schma ne sont pas prises en compte, soit que la frquence est trop basse pour que les faibles capacits puissent prsenter une impdance faible (cas des capacits parasites considres comme des circuits ouverts), soit que la frquence est trop leve pour que les fortes capacits puissent prsenter une impdance importante (cas des capacits de liaison et de dcouplage considres comme des courts-circuits). Domaine des frquences basses : ce domaine ne permet plus de considrer que les impdances prsentes par les capacits de liaison et de dcouplage soient ngligeables. Domaine des frquences hautes : ce domaine ne permet plus de considrer que les impdances prsentes par les capacits parasites soient importantes. Application : partir du montage source commune
RD CL RG CG J1 RL R VG RS CS VCC
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Les diffrents schmas envisager sont :

G D id
RG
vgs R gmo vgs S
rds RD // RL
aux frquences moyennes :

vg
CG
id
CL
RG
vgs R gmo vgs S
rds RD RL
aux frquences basses :

vg
RS
CS
Cgd
id
RG
aux frquences hautes :

vg
vgs R
rds Cgs gmo vgs S RD // RL
Notion de fonction de transfert

1 + p 1 + p 1 + p z z z 1 2 m H (p ) = H 0 p p p 1 + 1 + 1 + 1 2 n H 0 est le gain aux frquences moyennes. La fonction est dordre n tel que n > m. Les ples sont p = i H (p ) = et les zros p = zi H (p ) = 0 . Le nombre de ples tant suprieur au
nombre de zros, H (p )
H0 0 quand p (comportement raliste dun systme). p n m
Le nombre de ples dune fonction de transfert est dtermin en comptabilisant les composants de stockage dnergie indpendants. Ces composants sont presque exclusivement des condensateurs qui sont indpendants si la tension leurs bornes est indpendante de toutes les autres tensions des condensateurs du schma. Par exemple, deux condensateurs en parallle (mme tension aux bornes) ou en srie (mme charge stocke) ne sont pas indpendants ou encore une maille
Sylvain Gronimi Page 32 La caractrisation dun amplificateur linaire
compose de k condensateurs ne propose que k-1 condensateurs indpendants puisque 1 possde une tension ses bornes gale la somme des tensions aux bornes des autres condensateurs. Lanalyse en frquence seffectue en deux tapes indpendantes pour les systmes large bande, contrairement aux systmes bande troite (filtres actifs passe-bande, coupe-bande ou rjecteur de frquence). Les condensateurs de dcouplage et de liaison produiront le comportement en basses frquences. Les capacits de faibles valeurs produiront le comportement en hautes frquences.
Rponse aux frquences hautes

Le problme pos aux frquences hautes est de deux types : dtermination de la frquence de coupure 3 dB qui demande lvaluation du ple le plus faible, mais la prcision du calcul ncessite lvaluation du ple suivant, tude de la stabilit du systme qui demande le trac du diagramme asymptotique afin de connatre la pente de lasymptote 0 dB (-20 dB pour un systme stable), ce qui ncessite aussi lvaluation du ple suivant.
La fonction de transfert est analytiquement trop complexe crire et il faut connatre les emplacements des ples et zros. Aussi, est-il ncessaire de mettre en uvre des mthodes plus efficaces que la mthode globale en introduisant des hypothses simplificatrices. Les rsultats obtenus par ces mthodes seront compars aux rsultats produits par simulation sur ordinateur (voir Annexes ).
Rponse aux frquences basses

Le problme pos aux frquences basses est physiquement diffrent. En effet, les condensateurs de dcouplage et de liaison sont des composants choisis pour provoquer dlibrment la frquence de coupure basse, alors que les capacits de jonctions ou de cblage en H.F. sont des capacits parasites imposes par le choix des composants actifs et par la qualit du cblage. Il nempche que la complexit analytique reste prsente et ltude de la rponse en frquence rclame des mthodes plus directes (voir Annexes ).
Application : transfert en tension du montage source commune en H.F. Mthode classique (mthode des nuds)
G Cgd D
RG R vg vgs
Cgs gm vgs rds // RD // RL vs
' RL = R L // R D // rds
R ' = R // RG
nud G Vgs ( p) Vs ( p) Cgd p + Vgs ( p) Cgs p + nud D Vgs ( p) Vs ( p) Cgd p = gm Vgs ( p) +
Vgs ( p) R
' RL
Vgs ( p) Vg ( p) RG
=0
Vs ( p)
de la forme
p 1 Vs ( p ) z A v ( p) = = A v0 Vg ( p ) 1 + a1 p + a2 p 2
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avec
A v0 =
' g m R L
R R + RG
et
(gain en tension aux frquences moyennes )
' a1 = R ' Cgs + R '+RL (1 + gmR ') Cgd ' a2 = R ' RL Cgs Cgd z = g m Cgd
Mthode du ple dominant (voir Annexes )

0 Rgd
RG R vgs
0 Rgs
0 Rgs = R // RG = R '
gm vgs rds // RD // RL
0 ' (1 + g m R') R gd = R '+R L
' Rgd = RL
0 0 ' a1 = Rgs C gs + Rgd Cgd = R 'Cgs + R '+RL (1 + g m R ') C gd 0 ' 0 a2 = Rgs C gs Rgd Cgd = R 'RL Cgs Cgd (ou a2 = Rgs Cgs Rgd Cgd )
Pour le zro de la fonction de transfert V ( p) g Av ( p ) = s = 0 Vs ( p ) = 0 , le nud D donne Cgd p = g m do z = m . Cgd Ve ( p ) On retrouve lanalytique de la mthode classique.
Transformation de schma par lapplication du thorme de Miller (voir Annexes )
gm vgs RG R vg RL/(1-av) vgs Cgs (1-av)Cgd (1-1/av)Cgd RL
' aV = g m RL
Rsistance du diple vu par Cgs lorsque (1 av )Cgd est assimil un circuit ouvert :
0 Rgs = R // RG = R '
Rsistance du diple vu par (1 av )Cgd lorsque Cgs est assimil un circuit ouvert :
0 Rgd = R '+ ' RL (1 + g m R ')
0 0 ' (1 + g m R )Cgd = R'Cgs + R'+RL (1 + g m R') Cgd a1 = Rgs Cgs + Rgd
(mme criture du coefficient que
prcdemment). Ce schma transform ne permet pas lvaluation du coefficient a2 .

Sylvain Gronimi Page 34 La caractrisation dun amplificateur linaire
Mesures physiques des caractristiques dynamiques

A lintrieur de sa bande passante, un amplificateur (quil travaille en tension ou en puissance) est dfini par trois paramtres fondamentaux, savoir la rsistance dentre RE, la rsistance de sortie RS et le gain en tension vide AV. La caractrisation linaire qui en dcoule se traduit sous la forme du quadriple suivant :
ie RS RE ve AV ve vso is
Dtermination du gain en tension vide
Thoriquement : v s0 = AV v e + RS i s Pratiquement :
avec i s = 0
ie
AV =
v s0 ve
is
RG ve vg RE
RS vso AV ve
Un gnrateur de tension, damplitude v g et de rsistance interne RG , est appliqu lentre de lamplificateur et le signal de sortie non dform est rcupr.
Dtermination de la rsistance dentre
Thoriquement : RE = Pratiquement :
ve ie
R ie RS RE ve vso AV ve is
RG
vg
On sintresse la tension de sortie pour un amplificateur de tension ( v s >> v e ) afin dobtenir une plus grande prcision des mesures (faible niveau d entre, rapport signal sur bruit mdiocre, ).
R = 0 Deux tapes sont ncessaires : R 0
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v s01 = v s02
RE AV v g RG + RE
RE AV v g = RG + R + RE
RE =
R v s01 v s02
RG 1
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Cas particulier si lon rgle R pour obtenir en sortie v s02 =
v s01 2
RE R si R >> RG .
Dtermination de la rsistance de sortie
Thoriquement : mthode dvaluation de la rsistance dentre dun diple.

i0 RS RG RE AV 0 v0
Pratiquement :
ie RG RE vg ve AV ve vs RS R is
R >> RS v s0 v S0 R Deux tapes sont ncessaires : RS = 1 R v R v s = R + R v s0 S S vs Cas particulier si lon rgle R pour avoir en sortie v s = 0 RS = R . 2
Dans tous les cas, il est impratif de sassurer dobtenir des signaux sur loscilloscope limage du signal dlivr par le gnrateur, afin de satisfaire le contexte damplification linaire.
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On est naturellement conduit associer des tages amplificateurs en cascade et/ou en parallle. Les montages en cascade permettent daugmenter le gain bande passante donne. On constate alors lapparition dune frquence de coupure basse si le couplage est alternatif (capacit de liaison), la charge ramene par le second tage sur le premier modifie la valeur du gain (dcroissant en gnral), les capacits parasites ramenes diminuent la frquence de coupure haute. On aura souvent affaire des liaisons continues, ce qui entrane une modification du point de repos. Les montages en parallle permettent de satisfaire aux problmes de compensation, savoir les drives thermiques et les dispersions de composants. Tout ceci conduit un certain nombre de montages lmentaires deux ou plusieurs composants actifs que lon tudie dans ce chapitre.
Montage cascode
Cest lassociation de montages metteur commun et base commune (source commune et grille commune) ou encore collecteur commun et base commune (drain commun et grille commune). Les performances de ce montage montre que lon dispose dun amplificateur de puissance large bande (vido), ce qui est impossible obtenir laide dun montage metteur commun (source commune) charg par une forte valeur de rsistance de collecteur (voir Problmes ).
Cas du montage JBT

RB1
RB2 RG + ve RB3 RE CE CG Q1
RC Q2 Valim
vs CB
Cas du montage JFET

J2 CG RG R J1 RD RG1 vs ve RS CS C RG2 Valim
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Montage darlington
Cest lassociation de deux transistors bipolaires et deux types de montages sont possibles.
Darlington simple
Il sagit de lassociation en cascade de deux transistors de mme type (NPN ou PNP) quivalents un super transistor de mme type et de gain en courant ' .
1 i i Q1 Q2 (1+1) i 2 VBE (1+1) (2+1) i 2 VBE (12+1+2) i # 12 i
Avantages : grand gain en courant. Inconvnients : perte dynamique 2 VBE et lenteur de ces composants (ft faible). Il faut remarquer quen tude aux faibles signaux, les rsistances dynamiques des jonctions basemetteur valent rbe1 U UT U = rbe1 = T , rbe2 = T = (1 + 1)IB1 1 + 1 IB 2 IB 1
0 0 0
et, entre metteur et base du Darlington, on voit rbe1 + (1 + 1) rbe2 = 2 rbe1 .
Darlington composite
Cette association est aussi appele pseudo-darlington ou compound. Les transistors sont de type diffrent.
VEB i (1+1) i Q1 Q2 1 i 1 (2+1) i (12+ 1+1) i VEB
i Q
# 12 i
Avantages : dynamique accrue car 1 VBE et plus rapide. Inconvnients : apparition doscillations parasites (adjonction de rseaux correcteurs).
Montage diffrentiel
Lintrt de ltage diffrentiel est damplifier la diffrence des entres v 1 v 2 en minimisant au mieux lamplification de la somme v 1 + v 2 (composante parasite). Plus ltage est symtrique, plus il sera peu sensible la dispersion des composants et aux problmes de compensation thermique. Nous tudions successivement un montage diffrentiel JFET et TBJ (topologie la plus simple).
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Cas du montage JFET
vS1
RD
RD
vS2
VCC
J1 v1
J2 v2 VCC
RS
Etude du rgime continu (polarisation)

La symtrie du montage impose que les transistors soient identiques (mmes I DSS et VP ). (extinction des sources dynamiques v 1 = v 2 = 0 )
2 V ID = IDSS 1 GS1 1 VP J1 J2 2 VGS2 1 ID2 = IDSS VP
RD ID1 J1 VGS1 RS IO ID2 J2
RD
VCC
I 0 I D + I D 1 2 I D1 = I D2 I 0 2 Circuit VGS1 VGS2 = 0 g m1 = g m2 = g m VCC = VGS1 + RS I 0
VGS2
VCC
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

G1 vgs1 v1 gm vgs1 D1 vs1 RD RS gm vgs2 D2 RD vs2 S1 S2 vgs2 v2 G2
v 1 = v gs1 + g m RS v gs1 + v gs2 Circuit v 2 = v gs2 + g m RS v gs1 + v gs2
( (
) )
v s = g m RD v gs1 et 1 v s2 = g m RD v gs2
v 1 v 2 = v gs1 v gs2 v 1 + v 2 = v gs1 + v gs2 (1 + 2g m RS )
v s v s2 = g m RD v gs1 v gs2 et 1 v s1 + v s2 = g m RD v gs1 + v gs2
( (
) )
do v s1 =
g m RD (v1 v 2 ) g m RD v1 + v 2 et v s2 = + g m RD (v1 v 2 ) g m RD v 1 + v 2 2 1 + 2g m RS 2 2 1 + 2 g m RS 2
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En notant la tension diffrentielle v d = v 1 v 2 et la tension de mode commun v c = (v 1 + v 2 ) 2 , il
g m RD g R v s = + Ad v d + Ac v c avec Ad = m D et Ac = vient : 1 = + v A v A v 2 1 + 2 g m RS d d c c s2 o Ad et Ac sont respectivement les gains en tension diffrentiel et de mode commun.
La qualit de lamplification de la diffrence v d par rapport la somme v c est dfinie par le taux de rjection de mode commun TRMC =
Ad 1 = + g m RS g m RS . Ac 2
Le taux de rjection de mode commun TRMC doit tre le plus important possible. Il faut pour cela que la rsistance RS soit trs importante et la pente g m du JFET soit grande ( I D0 important). Mais si le courant de polarisation ID0 est augment, RS doit diminuer pour conserver la mme polarisation. Cet impratif est contradictoire sauf si la rsistance RS est remplace par une source de courant (voir plus loin). Notons enfin que la rsistance dentre diffrentielle (vue entre les grilles) et la rsistance dentre en mode commun (entre le point commun de grilles et la masse) sont pratiquement de valeur infinie.
Cas du montage JBT
vS1
RC vS Q1 Q2
RC
vS2
VCC
v1 RE
v2
VCC
Les transistors Q1 et Q2 sont supposs identiques (mme courant de saturation I BS de la jonction base metteur et mme transfert direct de courant). Ceci nest ralisable quen technologie intgre. Les charges doivent tre de mme valeur RC . Les gnrateurs sont supposs travailler la mme frquence.

( v1 = v 2 = 0 )
RC RC VCC
Q1
Q2 VCC
RE I0
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La symtrie du montage impose que les courants de collecteurs et de bases soient les mmes (voir dmonstration en tude aux forts signaux), do : Loi du nud Loi des mailles

I 0 = 2 I B0 + IC0 2 IC0
( >> 1)
VCC = VBE + RE I0 2VCC = RC IC + VCE + RE I0
Les rsistances dynamiques des jonctions base metteur ont des valeurs identiques puisque Q1 et Q2 ont mme polarisation.
RC i1 B1 C1 v1 rbe
vs1 vs
i1
vs2
RC B2 C2 i2
i2
rbe
v2
v v = d + vc 1 2 v = v d + v 2 c 2
E1 RE
E2
v d = v 1 v 2 avec v1 + v 2 v c = 2
Mettons en uvre une autre mthode mieux adapte ltude de ce montage en appliquant le thorme de superposition (circuit linaire). Deux tudes ont alors lieu, lune portant sur le rgime purement diffrentiel et lautre sur le rgime de mode commun. Rgime diffrentiel (attaque symtrique v d 2 , sources v c teintes) :
v d 2 = rbe i1 + RE ( + 1)(i1 + i 2 ) v d = r i + R ( + 1)(i + i ) be 2 E 1 2 2 v s1 = RC i1 v = R i C 2 s2
vd i1 = i 2 = 2 r be v = v = RC v s1 s2 d 2 rbe
Rgime de mode commun (attaque parallle + v c , sources v d teintes) :

v c = rbe i1 + RE ( + 1)(i1 + i 2 ) v c = rbe i 2 + RE ( + 1)(i1 + i 2 ) v = R i C 1 s1 v s = RC i 2 2
vc i1 = i 2 = r + 2 ( + 1) R be E R C v = v = vc s1 s2 rbe + 2 ( + 1) RE
La superposition des deux rgimes donne

v s1 = + Ad v d + Ac v c v s2 = Ad v d + Ac v c
avec Ad =
RC
2rbe
et Ac =
RC rbe + 2( + 1)RE
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avec un taux de rjection TRMC =
Ad 1 ( + 1)RE = + g m RE 2 Ac rbe
( gm =
rbe
pente des transistors).
, le gain rbe diffrentiel est alors double et il ny a pas de mode commun pour un montage parfaitement symtrique. Cette tension diffrentielle de sortie v s peut constituer lattaque dun second tage diffrentiel afin dobtenir un taux de rjection plus important (amplificateurs dinstrumentation). On sort habituellement de faon unilatrale, cest--dire rfr la masse ( v s1 ou v s2 ). Dmontrons que le gain dynamique en tension est directement proportionnel I 0 :
' ' Si lon sintresse la tension inter-collecteur v s = v s1 v s 2 = Ad = 2 Ad = v d avec Ad
RC
Ad =
RC
2rbe
RC
2UT
I B0 avec I B0 =
I E0
+1
RC I0 Ad = I0 2( + 1) 4UT
La polarisation conditionne le gain en tension et il est important que I0 soit un courant stable en temprature (de mme pour la rsistance dentre). Limpdance diffrentielle dentre, vue entre les bases des transistors, est obtenue lorsque le mode commun est annul, soit v c = 0 v 2 = v 1 et i 2 = i1 . On a alors
i1 B1
Zd =
vd = 2 rbe i1
vd i1 B2
2 rbe
Limpdance dentre de mode commun, vue entre une base de transistor et la masse, est obtenue lorsque le mode diffrentiel est annul, soit v d = 0 v 2 = v 1 et i 2 = i1 . On a alors
i1 B1 rbe vc 2(+1)RE
v Z c = c = rbe + 2( + 1)RE i1
Le schma aux faibles signaux est alors le suivant :
v1
vd / 2
Zc B1
Ad vd
Zs
vs1
C1 Ad vd Ac vc Zs
vs
vd / 2 vd vc
v2
Zd B2 Zc
C2
vs2
Ici, Zs RC . La source v c voit ses bornes une rsistance Z c 2 ( v d = 0 ).
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En conclusion, on constate que, pour obtenir un taux de rjection de mode commun le plus important possible, il faut que RE soit trs grande ( Ac trs faible). Ceci est en contradiction avec ltude du rgime statique car I 0 ne pourra tre maintenu sa valeur que si VCC augmente suivant la relation VCC = VBE0 + RE I0 . Une simple rsistance RE ne peut satisfaire les rgimes statique (maintien de I 0 ) et dynamique ( TRMC important). Dans ce cas, la rsistance est remplace par une source de courant produisant I 0 et de rsistance dynamique de valeur importante (charge active).
Etude du rgime pseudo-continu

On sintresse ici aux caractristiques de transfert de ltage diffrentiel, savoir IC1 (VD ) , IC2 (VD ) ,
VS (VD ) .
Les lois non linaires sur les jonctions base-metteur seront supposes tre les mmes, ce qui entrane que les transistors sont identiques par le biais de la technologie intgre (mme courant IBS et mme ).
RC VS1 Q1 VS
RC VS2 Q2
VCC
VD
VCC
I0
Q1 Q2
I BS1 = I BS2 = I BS et 1 = 2 =
VBE1 I = I I e UT 1 B1 BS C1 VBE2 IC2 = 2 I B2 I BS e UT
Ces quations reprsentent le transfert IC (VBE ) sur les caractristiques statiques des transistors (modle Ebers-Moll en mode actif direct). Elles constituent les quations technologiques propres au montage deux transistors appairs.
VD = VBE1 VBE 2 1 IC + IC 2 I 0 = I E1 + I E 2 = 1
Equations du circuit
)
do IC1 =
IC1 IC 2
=e
VBE1 VBE2 UT
= e UT
VD
IC et I 0 = IC1 1 + 2 IC 1
I0
1+ e
V D UT
et IC2 =
I0
VD
1 + e UT
Pour les potentiels de nuds
VS = VCC RC IC 1 1 V V R I = S2 CC C C2 V V V = S1 S2 = RC IC1 IC2 S
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I0
I0 /2
0A -200mV IC(Q1)
-100mV IC(Q2)
0V VD
100mV
200mV
VCC I 0 RC VCC - I0 RC /2 VCC - I0 RC 0V
- I0RC -200mV VS1 -100mV VS2 VS 0V VD 100mV 200mV
Pour des valeurs VD > 4 UT (100 mV ) , IC1 I 0 et IC2 0 , ainsi que VS2 VCC et VS1 VCC I0 RC . Si RC est choisi convenablement, les transistors Q1 et Q2 sont respectivement satur et bloqu. Pour VD = 0 (rgime continu), IC1 = IC2
I0 I , VS1 = VS2 VCC RC 0 . 2 2
En rgime dynamique aux faibles signaux ( VD << UT ), le signal v d (t ) volue sur la zone linaire des caractristiques, autour de VD = 0 et les performances du circuit linaire peuvent tre retrouves. Par exemple, VS1 = VCC RC IC1 = VCC RC
I 0 RC = 2 V D U 1+ e T
I0
1+ e
VD UT
pente
VS1 VD VD =0
e UT
V D UT
RC RC = I0 = = Ad 4 UT 2 rbe VD =0
(gain diffrentiel)
La distorsion du signal sinusodal en sortie peut tre approche. Par dfinition,

d=
2 + A 2 + A 2 + ... A2 4 3
A1
avec An valeur efficace de lharmonique n.
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Par exemple, VS = I 0 RC th
3 VD VD VD I 0 RC 3 2U 2 UT 24 UT T
(dveloppement limit lordre 4)
2 VD A3 et pour VD = 0.35 UT , d 1 % . = 2 A1 12 UT
Les sources de courant

Au sein dun circuit intgr ou discret, il est ncessaire de polariser les diffrents tages qui le compose et demployer des charges dynamiques de trs grande valeur (quivalent de RE ou RS pour ltage diffrentiel tudi plus haut, par exemple). Les sources de courant et de tension rpondent cette demande. Ainsi, une source de courant peut sidentifier un tage de polarisation si son courant de rfrence est constant, mais si ce dernier possde aussi une composante variable, alors la source servira de transfert dynamique en courant. Il en dcoule un problme didentification de la fonction de la source au sein dun schma.
Miroir de courant lmentaire

Leffet miroir consiste reconduire le courant en entre vers la sortie du montage avec une prcision plus ou moins importante et en inversant le sens. En premier lieu, ltude porte sur leffet miroir produit partir de la plus simple des topologies (appel miroir lmentaire) au sein des rgimes continu et dynamique.
+VCC
R Ipol Q1 IC2 Q2
-VCC
Afin de polariser la jonction base-metteur du transistor Q2 , une diode peut tre utilise. Il importe de contrler la stabilit des courants et tensions de polarisation en fonction de la temprature. Une nette amlioration sera apporte par la prsence dune diode dont la caractristique non linaire est semblable la jonction base-metteur de Q2 . Ceci explique que le transistor Q1 est mont en diode et fonctionne dans sa zone active ( VBE > 0 jonction en direct et VCB = 0 jonction en inverse). Les deux transistors sont donc appairs (technologiquement identiques). Il est important de remarquer que lentre de ce circuit (ct transistor mont en diode) se compose dune source de tension continue VCC associe une rsistance R, ce qui produit un transfert de courant uniquement statique. Lensemble constituera un diple quivalent une impdance en rgime dynamique aux faibles signaux.
Etude du rgime continu

VBE1 I = I = I e UT 1 B1 BS C1 VBE2 IC2 = 2 I B2 = I BS e UT
Q1 Q2
I BS1 = I BS2 = I BS et 1 = 2 =
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topologie
VBE = VBE 1 2 I I I B1 + I B2 = + pol C1 2VCC = R I pol + VBE1
do IC1 = IC2 et I B1 = I B2
2 I pol = IC2 IC2 (effet miroir) 1 +

= I pol IC2 1= 2
Prcision du miroir : Calcul de R : R=
I pol IC2 IC2
2VCC VBE1 IC 2
+2
(quation non linaire)

Calculons maintenant limpdance dynamique de la source vue entre le collecteur de Q2 et la masse (diple). U V et rce1 = rce2 A ( VA : tension dEarly) rbe1 = rbe2 = T , g m1 = g m2 = IC0 IC 0 rbe1
C1 B1 B2 C2 i0
rce1 R gm1 v1 E1
rbe1
v1
v2
rbe2 gm2 v2 E2
rce2 v0
Q1 mont en diode de rsistance r = rbe1 //
rbe1 rbe1 1 (jonction parcourue par I E1 ) // rce1 = // rce1 0 g m1 +1 +1
B2
C2
i0
R // r < rbe1/(+1)
v2
rbe2 gm2 v2 E2
rce2 v0
z0 =
VCE2 v0 0 = rce2 (diffrent de Rstatique = ) i0 IC 2

0
Toute source de courant, ayant fonction dtage de polarisation, pourra se mettre sous la forme :
en rgime continu
z0
I0
en rgime dynamique aux faibles signaux
Si le courant dentre de la source est tel que i E (t ) = IE + i e (t ) , cest--dire constitu dune composante continue et dun courant variable faible signal, la fonction de la source est alors un transfert de courant en rgime dynamique aux faibles signaux (et non un tage de polarisation). Lensemble constituera un quadriple quivalent un amplificateur de courant (voir La caractrisation dun amplificateur linaire ) dont la caractrisation est la suivante :
Sylvain Gronimi Page 46 Montages plusieurs transistors
iE
iS
ie
is
Q1
Q2
Ai ie
ve
Re
Rs
vs
is Ai = i e
rbe1 ve vs , Re = , Rs = = = i v s = 0 + 2 i e v s =0 + 2 s
= rce2 i e =0
Le transfert en courant, les impdances dentre et de sortie sont values dans la condition dattaque en courant en entre ( RG >> Re ) et faible charge en sortie ( Rs >> Rch ). Quant au calcul du rgime continu, ce dernier demeure inchang ( I E IS la prcision du miroir).
Source de WIDLAR
Ce type de source est tudie ici en effet lentille de courant afin dobtenir des courants plus faibles que le courant de rfrence.
+VCC
R Ipol Q2 Q1 IC2
R2
-VCC

VBE1 I = I I e UT 1 B1 BS C1 VBE2 IC2 = 2 I B2 I BS e UT
Q1 Q2
topologie
VBE = VBE + R2 IE 1 2 2 I pol = IC1 + IB1 + IB2 2VCC = R I pol + VBE1
avec IB1 > IB2 car VBE1 > VBE2
Si >> 2
VBE1 VBE 2 + R2 IC2 VBE1 I I I e UT C1 BS pol
VBE2
R2 IC2
R2 IC2
I pol I BS e
UT
UT
soit I pol IC2 e
UT
La relation obtenue correspond une quation transcendante si IC 2 est la variable. On peut vrifier au sein de cette expression que si R2 = 0 , on retrouve le cas du miroir de courant lmentaire. Si la source de Widlar est symtrique (prsence de R1 = R2 sur lmetteur de Q1 ), on obtiendra leffet miroir avec meilleure stabilit thermique (raction par rsistance dmetteur).
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On calcule maintenant limpdance dynamique de la source vue entre le collecteur de Q2 et la masse (diple).
B2 C2 i0
< rbe1/(+1)
v2
rbe2 gm2 v2 E2 R2
rce2 v0
IB1 > I B2
0
rbe1 < rbe 2
i0
rbe2 >>
rbe1
+1
r rbe2 // R2
rce2 gm2 v2 v0
v 0 = v 2 + rce2 i 0 g m2 v 2 v 2 = r i 0
v 0 = r i 0 + rce 2 1 + g m 2 r i 0
v2
z0 =
r
v0 R2 = rbe2 // R2 + 1 + R2 + rbe i0 2
rce 1 + R2 2 R2 + rbe 2
rce 2
si R2 = 0
z0 = rce2 (miroir lmentaire)
Lintrt dune source de Widlar asymtrique, en tant qutage de polarisation, rside dans lobtention dun courant plus faible (effet lentille) pour la polarisation de ltage dentre dun circuit intgr par exemple, associ une impdance dynamique plus importante que celle du miroir lmentaire. Ajoutons que le faible courant continu est obtenu par une valeur raisonnable de la rsistance R, contrairement au miroir.
Source de WILSON
iE(t) Q3 iS(t)
Q1
Q2
-VCC
Cest un miroir de courant de haute prcision. Si le courant dentre prsente une composante variable, le montage sidentifie un quadriple de transfert en courant unit, dimpdance dynamique dentre de valeur trs faible et dimpdance dynamique de sortie de valeur trs importante (voir La contre-raction ), sinon il sidentifie uniquement limpdance dynamique de sortie.
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Rptiteur de courant
+VCC
I1
R I1 Q2 Q1 Q3 I2
I2 Q3 Q4
Ipol
Q1
R2 R3
Q2
-VCC
-VCC
Cest un montage permettant la polarisation de plusieurs tages partir dun mme transistor mont en diode.
Les translateurs de tension continu

Une source de tension de polarisation est parfois ncessaire pour obtenir pour une translation de niveau continu au sein dun montage.
+VCC
Translation par diodes

V
On peut utiliser des diodes mises en srie et alimentes par un courant constant (source de courant I 0 ) pour obtenir
V0 = n 0.6 V comme le montre ce schma. Des diodes zener associes des diodes feraient aussi laffaire.
V0
Q
V - VBE
D1 D2
On remarquera la double translation vers le bas (vers le haut avec un PNP) du niveau continu V de valeurs VBE et VBE + 2VD .
V - VBE 2 VD
I0
Multiplicateur de VBE
On suppose que I >> IB0
VBE = R2 I VCE (R1 + R2 ) I
I0 IC R1
-VCC
IB
Q V0
V0 = VCE0
R1 1 + R VBE0 2
I I avec I B = 0 << I +1
R2 I
Le choix des rsistances donne la tension continue souhaite.

On calcule maintenant limpdance dynamique de la source de tension, la rsistance rce intervenant en fin de calcul.
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R1
i0
v 0 = (R1 + R )(i 0 g mv ) v = R (i 0 g mv )
v0
avec R = R2 // rbe
R2
rbe gm v E
rce
v0 = z0 =
R + (R2 // rbe ) R1 + R // rce 1 1+ gm R 1 + g m (R2 // rbe )
R1 + R i0 1+ gm R
La rsistance de cette source est de lordre de la centaine dohms pour des rsistances R1 et R2 de quelques k. Le multiplicateur de VBE est donc un gnrateur de tension continue dont limpdance dynamique est trs faible. Il peut se mettre sous la forme
V0
en rgime continu
z0
en rgime dynamique aux faibles signaux
Il est intressant de noter que le multiplicateur de VBE utilise la jonction base-metteur dun transistor, soit une seule diode pour obtenir la tension voulue, ce qui conduit une meilleure stabilit en temprature.
Structure et reprsentation dun amplificateur de tension intgr

Un amplificateur de tension intgr peut tre schmatis comme suit :
tage diffrentiel Ad , A c tage de tension Av translateur de niveau continu tage de sortie Zs
Zd, Zc TRMC
tages de polarisation
Afin dillustrer une structure simple, ltage diffrentiel sera le montage transistors NPN tudi plus haut, lamplificateur de tension et le translateur de niveau continu seront reprsents par un tage dit intermdiaire . Ce montage doit fournir un gain dynamique en tension Av (metteur commun charges rparties) et une tension nodale VS nulle en rgime continu. Ltage terminal doit permettre une sortie basse impdance (collecteur commun) pour une attaque en tension de la charge. Etage intermdiaire
+VCC
R1
Q5 S vS2 I2 R2 vS3
-VCC
Cette dernire condition implique que VS ( VCC ) = R2 I 2 R2 = VCC I 2 . La valeur de la charge de collecteur de Q5 est alors impose par le rgime continu. Il faut noter ici lemploi dun transistor Q5
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Page 50
de type PNP. Si un transistor de type NPN tait utilis, son collecteur serait au potentiel nul (VS = 0 V ) et sa base un potentiel fortement positif, do un fonctionnement en saturation. Ltage terminal
+VCC
Q6 IS I6 Rcharge R6
-VCC
Linconvnient du montage propos est de faire circuler un courant dans le transistor Q6 mme en labsence de signal dynamique. En effet, en rgime continu, le potentiel de sortie de lamplificateur doit tre nul (niveau de masse) pour quaucun courant ne traverse la charge. Ceci impose le potentiel dmetteur 0 V, donc IS = 0 I 6 = I E 6 = VCC R6 et le potentiel de base 0.6 V pour Q6 . On
0
constate ainsi un gaspillage dnergie en continu, ce qui entrane un rendement mdiocre de ltage.
Q6 satur
Dautre part, en rgime dynamique aux forts signaux
+ vs
max
VCC VCEsat VCC Rch VCC Rch + R6 .
Q6 bloqu
vs = max
Ce montage limite donc lvolution de la tension dynamique de sortie pour les polarits ngatives. Ltage de sortie sera de type push-pull srie suiveur complmentaire (suiveur collecteurs communs et complmentaire NPN + PNP).
+VCC
Q6
vs3
Q7
Rcharge
vs
-VCC
Le transistor Q6 amplifie les alternances positives ( Q7 bloqu), le transistor Q7 amplifie les alternances ngatives ( Q6 bloqu). Le montage global est le suivant :
RC
RC
R1 Q6 Q5 V0 output V0 Rcharge R2 Q7 VCC VCC
(-)
Q1
Q2
(+) vd
I0 Q3 Q4
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Page 51
V0 = V classe B , V0 > V classe AB (voir Les amplificateurs de puissance ). Une simulation du circuit monte la distorsion de raccordement produit par ltage final.
500mV
VS (VD)
(-40 mV, 66 uV) (-574 mV, 106 uV) (493 mV, -64 uV)
0V
V0 = 0 Classe AB
-500mV -1.0V
lger dcalage doffset en sortie
0V
1.0V
Reprsentation de lamplificateur
Lamplificateur diffrentiel de tension se reprsente sous la forme suivante
+ v+ v
-
vd vs
v s = Av v + v
et sa caractristique de transfert en tension possde lallure ci-dessous.

vs +Vsat pente de gain A v -Vsat / A v 0 Vsat / A v v+-v-
-Vsat saturation ngative rgime linaire saturation positive
Rgime linaire pour
V Vsat < v + v < + sat Av Av
Vsat < v s < +Vsat
avec Vsat < VCC
Comme il est impossible de raliser un amplificateur diffrentiel parfaitement symtrique, le taux de rjection de mode commun traduit la qualit de lamplificateur (Ac << Ad ) . Les imperfections de ce dispositif sont dcrites dans le chapitre Lamplificateur oprationnel rel .
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Page 52
Quelques structures de circuits intgrs

Ce chapitre prsente quelques structures de circuits qui ont fait lobjet de ralisations en technologie intgre sur silicium (consultez les notes dapplications accessibles sur le site du constructeur).
Amplificateur de tension
La grandeur de sortie est une tension proportionnelle la diffrence des tensions dentre, soit
v s = A v (v + v )
+VCC
+ Vd Q3 Q4 R4 R1 C1 Q7 R5 Q15 Q13 Q5 Q6 R2 R3 Q12 Q8 Q9 S Q14
Q1
Q2
Q11
Q10
-VCC
Le schma (issu du LM741 de National Semiconductor) se compose dun circuit de polarisation, dun amplificateur diffrentiel, dun tage de gain en tension et dun tage de sortie push-pull srie. Le circuit de polarisation est constitu dune source de Widlar Q12 - Q13 - R2 et dun miroir de courant lmentaire Q10 - Q11 polarisant respectivement ltage diffrentiel par le point commun des bases de Q3 - Q4 et lmetteur commun Q8 . Les courants de ces sources sont rgls par la rsistance R1 . Ltage diffrentiel est un amplificateur cascode, collecteur commun Q1 ( Q2 ) suivi dun base commune Q3 ( Q4 ), dont la charge dynamique de collecteur est un miroir de courant Q5 - Q6 et la charge du point commun de ses bases est la source de Widlar. Ltage de gain en tension est constitu dun collecteur commun Q7 (adaptation en tension) suivi par un metteur commun Q8 dont la charge dynamique est le miroir de courant Q10 - Q11 . Ltage de sortie est un tage push-pull metteur suiveur complmentaire, car Q14 et Q15 sont des transistors de type oppos et monts en collecteur commun. Leur point commun de sortie dmetteur doit tre au potentiel 0 V en absence de dynamique (dcalage de tension nul). La structure Q9 - R4 - R5 est un multiplicateur de VBE polaris par le courant du miroir Q10 - Q11 . Son rle consiste produire une translation de tension continue entre les bases de Q14 - Q15 afin de minimiser la distorsion de croisement que produirait ltage de sortie sans cette polarisation. La capacit intgre C1 est une capacit de compensation par effet Miller sur ltage de gain, requise pour rtrcir la bande de lamplificateur afin que ce dernier soit inconditionnellement stable.
Sylvain Gronimi Page 53 Structures de circuits intgrs
Amplificateur conductance de transfert

La grandeur de sortie est un courant proportionnel la diffrence des tensions dentre, soit
i s = Yt (v + v )
+VCC
Q6 Q7 Q9 Q10
Q8
Q11
+ vD Ipol polarisation Q3
Q1
Q2
iS
Q5
Q14
Q4
Q12
Q13
-Vcc
Le schma (issu du LM13600 de National Semiconductor) se compose dun tage de polarisation, dun tage diffrentiel avec ses charges dynamiques. Le circuit de polarisation est constitu dune source de Wilson Q3 - Q4 - Q5 polarisant ltage diffrentiel par le point commun des metteurs de Q1 Q2 . Le courant de cette source peut tre rgl par une rsistance extrieure relie la tension
dalimentation +VCC par exemple. Ltage diffrentiel est comportement metteur commun avec des sources de Wilson utilisant des transistors de type PNP comme charges dynamiques. Les charges de collecteur tant identiques, la structure de cet tage est symtrique. La diffrence des courants est reconduite la sortie grce la prsence de la source de Wilson, utilisant des transistors de type NPN, qui inverse le courant issu de Q8 . Le point de sortie doit tre au potentiel 0 V en absence de dynamique (dcalage de tension nul). Aux forts signaux, les transistors sont appaires (mmes et courant de saturation) :
IC1 IC2 e UT
VD
et I pol = I E1 + I E2 IC1
I pol
V D 1 + e UT
et IC2
I pol 1 + e UT
VD
1 1 IS = IC14 IC11 IC1 IC2 = I pol VD V + D 1 + e UT 1 + e UT
VD = I pol th 2U T
Aux faibles signaux, si v d << 2 UT , alors i s
I pol 2 UT
v d et Yt =
I pol 2 UT
(conductance de transfert).
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Page 54
Structures de circuits intgrs
Amplificateur rsistance de transfert

Ce type damplificateur est aussi appel amplificateur de Norton. La grandeur de sortie est une tension proportionnelle la diffrence des courants dentre, soit
v s = Zt ( i + i )
Structure de base :
i+
i-i i
-G
+ VCC
-
i+
vs=ZT (i -i ) ZT = G Z
+ -
miroir
symbole
Cette structure peut tre ralise par des transistors bipolaires comme ci-dessous (issue du LM3900 de National Semiconductor).
+VCC
Q5 Q4 polarisation i i
-
Q3
+
Q1
Q2
cascode
collecteur commun
miroir
La diffrence des courants dentre est obtenue par linversion de lun deux grce leffet miroir Q1 Q2 . Lamplificateur de grand gain G en tension est ralis par ltage cascode Q3 - Q4 charg par une source de courant (charge dynamique Z). Un tage metteur commun naurait pu disposer dune bande passante suffisante, car fortement rduite par leffet Miller. La tension de sortie est prleve en sortie dun collecteur commun (en fait un tage darlington), diminuant ainsi limpdance de sortie du montage.
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Page 55
Amplificateur contre-raction de courant

Augmenter la bande passante dun amplificateur demande de rduire son gain. Cependant, il est possible de raliser une structure de circuit qui conserve la bande passante dans certaines limites lorsque le gain augmente. Structure de base :
+
ve G=1 G=1 i R0 C0
R2 R1 vs
Le circuit possde une entre + de haute impdance et une entre - commande en courant relies par un amplificateur interne de gain unit, dimpdance dentre trs importante et dimpdance de sortie faible (buffer). Le courant i, issu de lamplificateur, est transfr en sortie et traverse une rsistance R0 de forte valeur associe une capacit parasite C0 . La tension aux bornes de cette impdance Z 0 est recopie en sortie par un autre amplificateur de gain unit (buffer). Le circuit est boucl par les rsistances extrieures R1 et R2 . Ltude dynamique aux faibles signaux et aux frquences basses et moyennes, donne : ve ve vs + R2 R2 1 i = R1 R2 vs = ve car R0 >> R1 et R 2 1 + R ve 1 + R R 2 1 1+ 1 v = R i 0 s R0 Cette expression est identique celle obtenue avec un amplificateur de tension contre raction tension tension. Aux frquences hautes : R2 R2 v R0 1 1 1 1+ Z 0 ( j ) = s = 1 + R 1 + j R C R R R ve R 1 + j R0C0 2 0 1 1 + 2 1 + j 1 2 0 C0 R0 R0 + R 2 o la frquence de coupure scrit fC =
1 . 2 R2 C0
Pour modifier le gain sans toucher la bande passante, il suffit de ne modifier que la rsistance R1 . La notion de produit gain frquence de coupure na plus lieu. Cest loriginalit de ce type damplificateur de tension. Ces circuits sont destins des applications HF (AD810, AD8001 de Analog Devices, CLC401).
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Page 56
Multiplicateur et mlangeur
Lamplification nest pas la seule fonction linaire ralise par des circuits intgrs. Le produit de deux tensions est une opration intressante. Structure de base :
+VCC
RC VS1 Q3 Q4 Q5 Q6 RC VS2
V2
Q1 V1
Q2
IE
Au sein de cette structure (issue du MC1995), les transistors Q1 - Q2 forment un circuit diffrentiel couplage par metteurs avec un gnrateur de courant I E , attaqu par le signal v 1(t ) . Chacun des transistors Q1 et Q2 constitue un gnrateur de courant pour les paires diffrentielles Q3 - Q4 et Q5 Q6 . A ces paires, on applique la tension diffrentielle v 2 (t ) .
En rgime forts signaux, la paire Q1 - Q2 produit les transferts IC1 (V1 ) et IC2 (V1 ) :
V1 UT
V1 = VBE1 VBE2 , IC1 IC2 e
et IE = IE1 + IE 2
IC1
IE 1+ e
V 1 UT
et IC2
IE
V1
1 + e UT
De la mme faon, les expressions des courants collecteurs de Q3 , Q4 , Q5 et Q6 scrivent :

IC 3 IC1 1+ e
V 2 UT
et IC4
IC1 1+ e
V2 UT
, IC 5
IC 2 1+ e
V2 UT
et IC6
IC 2 1+ e
V2 UT
do IC3
et IC6
IE V1 V 2 UT UT 1 e 1 e + + IE V1 V 2 UT UT 1 e 1 e + +
, IC 4
V 1 UT 1 e +
IE V2 UT 1 e +
, IC 5
V1 UT 1 e +
IE V2 UT 1 e +
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La tension diffrentielle de sortie Vs est telle que :
Vs1 = VCC RC IC3 + IC5 Vs2 = VCC RC IC4 + IC6
( (
) )
V1 Vs = Vs1 Vs2 = RC I E th 2U T
V2 th 2 UT
Cette tension Vs est donc gale au produit des tangentes hyperboliques des tensions diffrentielles dentre. Aux faibles signaux, lorsque les variations damplitude de v 1( t ) et v 2 ( t ) sont faibles devant 2 UT et les frquences identiques, le circuit se comporte comme un multiplicateur linaire gnrant une tension de sortie R IE avec K = C 2 v s (t ) = K v 1(t ) v 2 (t ) 4 UT sinon le circuit fonctionne en modulateur, imposant un fonctionnement en commutation des transistors (voir le comparateur de phase de la PLL NE565 de Motorola). Pour la fonction mlangeur, le multiplicateur effectue le mlange de deux frquences. En effet, si les signaux dentre sont sinusodaux et de frquences diffrentes, le signal de sortie contient deux composantes dont les frquences sont la somme et la diffrence des frquences dentre :
v s (t ) = K V1 sin(1t ) V2 sin( 2t ) = K
V1V2 [cos(1 2 )t cos(1 + 2 )t ] 2
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La contre-raction
Lorsquun montage lectronique utilise des composants actifs comme les transistors bipolaires, il est impossible de prvoir les rsultats qui seront obtenus avec les circuits utiliss, cause de la trs grande dispersion qui existe entre les paramtres des transistors de mme type ( typique variant dans un rapport de 1 3 et souvent plus). Mme en utilisant des transistors tris pour avoir des paramtres sensiblement identiques, il est pratiquement impossible de trouver, pour tous les transistors, des points de fonctionnement identiques. Cependant, les composants passifs (rsistances, condensateurs) peuvent tre choisis avec des dispersions sur leur valeur nominale aussi faibles que lon dsire (10% ; 5%, 1%, ), mais leur prix augmente trs vite avec la prcision dsire. Lidal serait de rendre lamplification indpendante des composants actifs entrant dans le montage et de ne la faire dpendre que dlments passifs. Cest ce que permet, dans une certaine mesure, lapplication un amplificateur dune raction ngative ou contre-raction . La variation de lamplification produite par un amplificateur peut avoir plusieurs causes, savoir le vieillissement ou dtrioration partielle des composants actifs, la frquence des courants amplifis cause des dphasages produits par les lments ractifs existant dans le circuit utilis (correcteur de timbre, qualiseur, ), le pouvoir amplificateur diffrent des composants actifs utiliss. Quelle que soit la cause de la variation damplification, la contre-raction tendra limiter ces variations en effectuant un nivellement. Il sera donc ncessaire de prvoir une amplification plus leve que celle qui sera ncessaire, afin que lamplification minimale reste un niveau utilisable.
Rappel sur les systmes asservis

Relation des systmes asservis
Lquation de base des systmes asservis scrit partir du schma suivant :
E(p) + -
(p)
G(p)
S(p)
B(p)
S( p ) = G( p ) ( p ) S( p ) G( p ) = H( p ) = . Si un systme ne charge pas lautre, ( p ) = E ( p ) B ( p ) S ( p ) E ( p ) 1 + G ( p ) B( p )

avec G(p) fonction de transfert de la chane directe, B(p) fonction de transfert de la chane de retour, G(p)B(p) fonction de transfert de la boucle ouverte, H(p) fonction de transfert de la boucle ferme. Les signaux dentre e(t) et de sortie s(t) peuvent tre des courants et des tensions. Les gains G et B sont alors, suivant le cas, des gains en courant, en tension, dadmittances ou dimpdances de transfert.
S( p ) 1 avec B(p) fonction de transfert dun rseau passif prcis E ( p ) B( p ) (tolrance des composants) qui impose la fonction H(p). On a ainsi asservi la grandeur de sortie la grandeur dentre.
Si G( p ) B( p ) >> 1
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Page 59
La contre-raction
Proprits de la contre-raction
On suppose la fonction G( p ) B( p ) relle. Il y a contre-raction lorsque G B > 0 .
Le gain H =
G est diminu dans le rapport (1 + G B ) . 1+ G B dH dG B dG 1 dG = = est diminue (si B est constant), toujours dans le H G 1+ G B 1+ G B G
La dispersion
mme rapport (1 + G B ) . Si linfluence des dispersions de G est minimise, linfluence de ses non linarits aussi, donc moins de distorsion.
La bande passante augmente (systme du premier ordre) Dans le cas dun filtre passe-bas ( p = j ),
G( j ) =
1+ j h
G0
H ( j ) =
1+ j ' h
H0
avec H 0 =
G0 et 'h = (1 + G0 B ) h 1 + G0 B
le produit gain x frquence de coupure haute est constant. Dans le cas dun filtre passe-haut,
b G( j ) = G0 1+ j b
j
' b H ( j ) = H 0 1+ j ' b
j
avec H 0 =
G0 b ' et b = 1 + G0B 1 + G0 B
le rapport gain / frquence de coupure basse est constant. La bande passante slargie chaque extrmit avec un coefficient (1 + G B ) .
La distorsion de phase est rduite (systme du premier ordre) Dans le cas dun filtre passe-bas,
= arg[G( j )] = arctg
tg , ' = arg[H ( j )] = arctg tg ' = ( ' < ) ' 1 + G0 B h h
(mme rsultat pour le cas dun filtre passe-haut).

Les impdances dentre et de sortie sont modifies par un coefficient (1 + G B ) (voir plus loin). Le choix de B ( j) impose la fonction de transfert.
La raction aura lieu lorsque G B < 0 .

Si GB < 1 , cest une raction positive. On prend le contraire des conclusions prcdentes. Cette raction est rarement utilise sauf lorsquon veut un grand gain au dtriment des autres caractristiques (comparateurs, ).
Si GB 1 , cest un systme instable. Cela peut tre voulu (oscillateurs, bascules, ) ou non (G dpend de la frquence), il faut tudier la stabilit du systme.
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Page 60
La contre-raction
Les types de contre-raction

Deux grandeurs (courant ou tension) sont prsentes en entre et en sortie. Il existe alors quatre topologies possibles (pris dans le sens gauche droite) : Topologie parallle parallle sortie tension, entre courant contre-raction tension-courant
i11 i1 i21 i22 v2
Y1
i12
Y2
Topologie srie srie sortie courant, entre tension contre-raction courant-tension

i1 v11 v1 v21 i1 i2
Z1
v12 v2
Z2
v22 i2
Topologie srie parallle sortie tension, entre tension contre-raction tension-tension

i1 v11 v1 v21 i1
H1
i12
i22
v2
H2
Topologie parallle srie sortie courant, entre courant contre-raction courant-courant

i2 i11 i1 i21 v2
G1
v12
G2
v22 i2
Ainsi, grce au couplage entre la sortie et lentre des quadriples, une fraction du signal de sortie, proportionnelle soit la tension de sortie (topologie parallle) ou soit au courant de sortie (topologie srielle) peut tre ramene de la sortie et rinjecte lentre soit en srie avec la tension dentre (tension), soit en parallle (courant). Rappelons que les chanes directe et de retour sont reprsentes par des quadriples unidirectionnels (amplificateurs). De plus, le quadriple de retour est suppos idal, cest--dire que son impdance dentre est nulle (attaque en courant) ou infinie (attaque en tension) et son impdance de sortie est nulle (source de tension parfaite) ou infinie (source de courant parfaite). Cette mthode simplifie ncessite, a posteriori, une vrification des adaptations entre quadriples.
Sylvain Gronimi Page 61 La contre-raction
' Caractrisons maintenant chaque type de contre-raction en calculant les impdances dentre Ze et
' , ainsi que le transfert A 'v ou A 'i ou Z t' ou Yt' suivant le cas. de sortie Z s
Contre-raction tension-courant
Le rseau de contre-raction rinjecte sur lentre un courant proportionnel la tension de sortie.
ie Ze vg Zt ie Zs vs is
ig
Y vs
i g = i e + Y v s v g = Z e i e v s = Zt i e + Z s i s
do
is ig vg Z't ig Z'e Z's vs
avec
v v g v Zs Zt Ze ' ' , Ze , Zs = s = Z t' = s = = = ig i s =0 1 + Y Z t i s =0 1 + Y Z t i s i g =0 1 + Y Z t ig
Application : contre-raction collecteur-base

+VCC R1 R2 vg i Q vg Zt ib vs ig ib rbe R is
vs R2
Donnes : Q = 100, rbe = 5 k, rce = 100 k ; R1 = 100 k, R2 = 1 M . vg vs v s si v s >> v g Circuit : i = R2 R2 Identification : Z e = rbe , Z s = R = R1 // rce = 50 k, Y
1 = 10 6 1, Z t = R = 5 M R2
Adaptations en tension R << R2 et en courant R2 >> rbe .

do
1 + Y Zt = 6
' ' Z t' = 0.83 M, Z e 830 , Z s 8 .3 k
' Remarque : par le thorme de Miller, Ze = rbe //
R2 1 av
avec av =
R ' 830 . = 1000 Ze rbe
Contre-raction courant-tension
Le rseau de contre-raction rinjecte sur lentre une tension proportionnelle au courant de sortie.
ig Ze Yt ve Zs vs is
ve vg
R is
v g = v e + R i s vs i s = Yt v e + Z s v e = Ze i g
do
ig Z'e vg Y't vg Z's vs is
avec
v g i v Yt ' ' , Ze = = (1 + R Yt ) Z e , Z s = s = (1 + R Yt ) Z s Yt' = s = v s =0 v g v s =0 1 + R Yt i s v g =0 ig
Application : contre-raction dmetteur

ig is ig Q vs vg RE RE vg vbe rbe gm vbe vs rce is
Donnes : Q
= 100, rbe = 5 k, rce = 100 k ; RE = 1 k .
Identification : si i s >> i g Ze = rbe , Zs = rce , Yt = g m = do
rbe
= 0.02 A / V , R = RE
' ' 1 + R Yt = 21 Yt' 1 mA / V , Z e 100 k, Z s 2 M
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Page 63
La contre-raction
Contre-raction tension-tension
Le rseau de contre-raction rinjecte sur lentre une tension proportionnelle la tension de sortie.
ig Ze Av ve vs Zs is
ve vg
vs
v g = v e + v s v e = Z e i g v s = Av v e + Z s i s
do
ig Z'e vg A'v vg Z's vs is
avec
v v g v Zs Av ' ' ' Av = = s = , Ze = (1 + Av ) Z e , Z s = s = v 1 + A i 1 + Av i g g v s v g =0 i s =0 i s =0
' ' = , Z s = 0 ). On tend vers une source de tension idale commande par tension ( Z e
Application : amplificateur non inverseur

ig ig + U1 is vg vg R2 vs R2 Rd Av ve Rs vs is
ve
R1
vs
R1
Donnes : U1
Rd = 500 k, Av = 10 5 , Rs = 150 ; R1 = 1 k, R2 = 1 M . R1 10 3 R1 + R2
Identification : Ze = Rd , Zs = Rs , Av = 105 , = do
1 + Av 100
' ' ' Av 1000, Z e 50 M, Z s 1 .5 .
Le pont nest pas charg ( Rd >> R1 ) et ne charge pas la sortie ( Rs << R 2 ).
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Page 64
La contre-raction
Contre-raction courant-courant
Le rseau de contre-raction rinjecte sur lentre un courant proportionnel au courant de sortie.
ie Ze ig vg Ai ie Zs vs is
i g = i e + k i s vs i s = Ai i e + Z s v g = Ze i e
k is
do
is ig vg A'i ig Z'e Z's vs
avec
i v g v Ze Ai ' ' Ai' = s = = , Ze , Zs = s = (1 + k Ai ) Z s = i 1 + k A i 1 + k A g g i i i s i g =0 v s =0 v s =0
Application : source de courant de Wilson

ig is ig Q3 vs vg Q1 Q2 r vg i rbe i rce vs is is
k is
Donnes : Q1, Q2 , Q3
= 100, rbe = 5 k, rce = 100 k .
Identification : si i s >> i et si r nglige, Ze = rbe3 , Zs = rce3 , Ai = , r do

1 + k Ai 101
' ' Ai' 1, Z e 50 , Z s 10 M .
+2
rbe
,k
1 +2
Les adaptations en courant sont ralises ( rce3 >> r , rce1 >> rbe ). Cependant, le fait de ngliger la
' ' rsistance r conduit une valuation un coefficient 2 prs ( Z e 100 , Z s 5 M ).
Ainsi, suivant la topologie srie ou parallle, limpdance dentre ou de sortie du circuit contreractionn augmente ou diminue respectivement par le coefficient (1 + G B ) .
Dfinition
On appelle amplificateur oprationnel idal (AOI) un amplificateur de tension dont les caractristiques sont : - gain diffrentiel Ad infini gain de mode commun nul (Ac = 0 ) impdances dentres infinies (Zd et Zc ) impdance de sortie nulle (Z s = 0 ) bande passante de 0 Hz linfini tension de dcalage nulle (Voffset = 0 )
vs saturation positive +Vsat rgime linaire
+ i =0
+ -
vs i =0
-
v+-v-
-Vsat saturation ngative
En rgime linaire, on a
v s = Ad v + v
et
Vsat V < v + v < + sat Ad Ad
Vsat < v s < +Vsat
Ici, A d
v+ v 0
v s fini.
Deux types de fonctionnement sont tudier : en rgime linaire avec des circuits de contre-raction v s = A d v + v
montages amplificateurs, montages oprationnels, filtres actifs,
en commutation v s = Vsat comparateurs de tension, bascules,
Fonctionnement en rgime linaire

Mthode de travail : la mise en quations la plus adapte ces montages est la mthode des
nuds (potentiels nodaux). Calculez v + , puis v en utilisant le thorme de Millman et/ou le thorme de superposition, et galisez v + = v , les entres de lA.O.I. tant quipotentielles.
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Page 66
Montages amplificateurs
Montage amplificateur inverseur
v + = 0 ve vs vs R + = 2 R1 R2 v R1 e v = 1 1 + R1 R2 (source de tension commande par courant)
R1 ve + vs R2
Montage amplificateur non inverseur

ve
v = v e vs R = 1+ 2 R1 v R1 v = v e s R1 + R2 (source de tension commande par tension)

+
R2 R1 vs
Montage suiveur
+ v = v e v = v s
ve
vs =1 ve
vs
Montages oprationnels
Montage sommateur
v + = 0 v1 v 2 v s + + R1 R2 R = v 1 1 1 + + R R R 1 2
R1 R2 v1 v2 + vs R
vs =
R R v1 v2 R1 R2
Si R1 = R2 = R
v s = (v 1 + v 2 )
R4
Montage soustracteur
R3
Thorme de superposition vs R = 4 v1 = 0 v + = 0 v2 R3 (cas de linverseur)
R1 v2 v1 R2 + vs
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Page 67
R2 + v = R + R v 1 v s R 4 R2 1 2 = 1 + v2 = 0 v1 R3 R1 + R2 v = R3 v s + R R 3 4 R2 R4 R v1 4 v 2 1 + Si R1 = R2 = R3 = R4 do v s = R1 + R2 R3 R3
v s = v1 v 2
Montage intgrateur
i= dq dv =C dt dt
v=
1 C
t 0
i dt ' ve v ve = R R
ve
R -
v+ = 0 =v
v s = v et i =
vs
do
vs =
1 RC
t 0
v e dt '
Si v e (t ) = cte , la charge du condensateur se fait courant constant, courant dfini par la valeur de R.
Montage drivateur v+ = 0 = v
i = dv e dt
vs dv =C e R dt
ve
C -
do v s = RC
vs
Montage logarithmique
i D
v =0=v
ve v i = et i = IS e UT 1 R v = v s
vs UT
R -
ve
Si v e > 0
i IS e
ve do v s = UT Ln RI S
vs
(courant direct dans la diode)
Montage antilogarithmique
i R
v+ = 0 = v
v i = s R ve UT i I e S
ve UT
D -
si v e > 0
ve + vs
do v s = R IS e
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Page 68
Amplificateurs dinstrumentation
Un transducteur (jauge de contrainte, thermocouple, ) gnre un petit signal diffrentiel ( 10 V par exemple) quil faut amplifier. La sortie dun amplificateur pour appareil de mesure est un multiple prcis de la diffrence entre les deux signaux dentre.
Amplificateur dinstrumentation 1 AOI

R 1+ 2 R2 R1 vs = v1 + v 2 (montage soustracteur) R R1 1+ 3 R4
v1 R2 R1 R3 + v2 R4 vs
Le montage est diffrentiel si R1 R3 R = v s = 2 (v 1 v 2 ) R2 R 4 R1 Ltude du pire-cas donne TRMC

Ad R 4 R
(voir T.D.)
Amplificateur dinstrumentation 3 AOI
En montant un tampon grande impdance en amont de chaque entre du montage prcdent, le systme rsultant 3 AO reprsente un amplificateur pour appareil de mesure trs grande rsistance dentre et taux de rjection de mode commun lev (quad).
+ v1 R5 vs1
R1
R2
R7 R6 + v2 + vs2 R3 vs R4
On trouve TRMC
R2 R1 2R 1 + R R 7 4 R
avec R5 = R6 = R
Filtres actifs du second ordre

Voir Le filtrage analogique .
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Page 69
Convertisseur dimpdance
Convertisseur dimpdance ngative
La conversion peut tre faite par le courant (INIC) ou par la tension (VNIC). La plus employe est lINIC, la tension dentre tant recopie sur la charge.
R1
v =v
v = ve = Z i
ie
v vs v ve ie = e , i= s R2 R1
R ie = 2 i R1
vs ve + R2 i
do
v R Ze = e = 1 Z = K Z ie R2 K (self) C
v Z
Application : Z e = j
Super composants
Cest lassociation de deux NIC en cascade, mais la topologie ci-dessous prsente une meilleure stabilit.
ie Z1 Z2 Z3 Z4
ve
Le calcul donne une impdance dentre gale Z e = +
Z1 Z 3 Z. Z2 Z 4
Si Z1 , Z 2 , Z 3 , Z 4 sont des rsistances, Z e = A Z (convertisseur dimpdance positive). Si Z1 , Z 2 , Z 3 , Z sont des rsistances et Z 4 un condensateur, Z e = Lp (self de valeur importante). Si Z1 , Z 2 , Z 4 sont des rsistances et Z 4 , Z des condensateurs,
Ze = A
(Frequency Dependant Negative Conductance)
Si Z1 , Z 3 , Z sont des rsistances et Z 2 , Z 4 des condensateurs,

Z e = A 2 (Frequency Dependant Negative Resistance)
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Fonctionnement en commutation
v + > v v s = + Vsat Mthode de travail : lAOI est employ en comparateur de tension + v < v v s = Vsat
Calculez v + , puis v et le basculement la sortie a lieu pour v + = v .
Comparateur de tension simple

v = v e v = Vref
+
VS + Vsat
Vrf ve
Vref
Ve
vs
- Vsat
Basculement la sortie pour v e = Vref do v s = +Vsat si v e > Vref et v s = Vsat si v e < Vref
Comparateurs hystrsis ou triggers de Schmitt

Comparateur inverseur
+ Vsat VS
R1 + v = R + R v s 1 2 v = v e
ve
R1 + R2 vs
- K Vsat
0
+ K Vsat
Ve
- Vsat
Basculement la sortie pour v e =
R1 ( Vsat ) = K Vsat avec K = R1 R1 + R2 R1 + R2 v s = Vsat et v + = K Vsat . On reste
Si ltat initial est v s = +Vsat , cest--dire v + > v , on reste dans cet tat tant que v e < K Vsat . Si v e augmente, basculement pour v e = + K Vsat
v s = Vsat tant que v + < v , soit v e > K Vsat .
Si v e diminue, basculement pour v e = K Vsat tant que v + > v (tat initial),
v s = +Vsat et v + = + K Vsat . On reste v s = +Vsat
Comparateur non inverseur

VS
R2 R1 + v = R + R v e + R + R v s 1 2 1 2 v = 0
R1 + ve R2 vs
- Vsat - K Vsat
0
+ Vsat
+ K Vsat
Ve
Basculement la sortie pour v e =
R1 ( Vsat ) = K Vsat R2
Page 71
avec K =
R1 (mme raisonnement). R2
Sylvain Gronimi
Multivibrateur astable (bascule)

R
Cest un trigger de Schmitt inverseur avec un rseau RC.

C
R1 + v = R + R v s 1 2 v = v C
vc + R1 R2 vs
Basculement la sortie pour v C = v = K Vsat
avec K =
R1 . R1 + R2
La tension v correspond la charge ou dcharge dun condensateur au travers dune rsistance R soit
v C (t ) = A e
t
+B
t = 0 v C (0 ) = A + B avec = RC et conditions initiales t = v C ( ) = B

t
d'o v C (t ) = [v C (0) v C ( )]e
+ v C ( ) ou encore t = Ln
v C (0 ) v C ( ) . v C (t ) v C ( )
A la mise sous tension du montage, supposons que v s = +Vsat (alatoire)

tension v C volue exponentiellement vers +Vsat . Lorsque v + = v , soit v C = + K Vsat , basculement pour v s = Vsat
v C volue vers Vsat .
+ v = + K Vsat et la v = 0
+ v = K Vsat et la tension v = + K Vsat
Lorsque v + = v , soit v C = K Vsat , basculement pour v s = +Vsat suite. Le fonctionnement est symtrique (charge et dcharge).
+ v = + K Vsat v = K Vsat
et ainsi de
+ K Vsat
0V - K Vsat
mise sous tension

VC VR1
t=0
t = t1
+ Vsat
0V
- Vsat 0s Vs Time
Dans lintervalle [0, t1 ] , t1 = Ln
1+ K 1 K
avec v C (0) = + K Vsat , v C ( ) = Vsat , v C (t1 ) = K Vsat
R1 1+ K do T = 2 RC Ln ou encore T = 2 RC Ln 1 + 2 R . 1 K 2
Sylvain Gronimi Page 72 Lamplificateur oprationnel idal
Lamplificateur oprationnel idal est une reprsentation commode dun amplificateur intgr pour les calculs de circuits, mais on perd linformation sur le comportement rel du dispositif. En effet, pour des frquences trs basses avec une tension de sortie suprieure 1 volt et un gain en tension en boucle ferme faible tude avec AOI, pour des frquences plus importantes avec une tension de sortie plus faible apparaissent des imperfections tude avec AOR.
Il faut alors connatre les origines des imperfections et choisir les composants en fonction de lutilisation souhaite. On prsente donc ici les diffrents paramtres de lAO lis aux imperfections de manire spare. Ces paramtres peuvent tre classs, par exemple, en quatre catgories : caractristiques dentre, de sortie, de transfert et lalimentation. Afin dillustrer ces propos, on prendra comme rfrence le 741 dont le schma lectrique est rapport en fin de chapitre. Tout dabord, on commentera le circuit lectrique, puis on sappuiera sur la documentation constructeur pour comprendre et prvoir certains comportements.
Caractristiques lentre
Tension de dcalage
Dfinition La tension de dcalage ou tension doffset ou tension rsiduelle dentre VIO (input offset) est la tension continue que doit fournir un gnrateur de tension de rsistance interne nulle pour que la tension de sortie soit nulle.
+ VIO 0V
Cette tension rsiduelle est lie la dissymtrie de lamplificateur diffrentiel dentre et englobe toutes les causes de dsquilibre (dissymtrie des gains, des VBE , des rsistances de charge, ) et notamment lappariement en VBE des transistors dentre.
Influence sur la tension de sortie Montage inverseur

v + = 0 = v R1 VIO = R + R v s 1 2
R2 soit une erreur de dcalage en sortie v s = VIO 1 + R 1 (on ne connat pas le signe de VIO ).
R1 VIO + vs R2
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Page 73
Application : VIO = 2 mV (typique )

vs R = 2 ve R1 pour pour vs = 1 ve vs = 1000 ve R2 = R1 v s = 4 mV v s = 2V
R2 = 1000 R1
Courant de polarisation moyen

Dfinition
Cest la valeur moyenne des courants dentre, une tension V tant applique sur lune des entres, lautre relie la masse et V rgle de faon annuler la tension de sortie.
IBV IB+ + vs=0
IB =
+ IB + IB 2
( IB et IB tant conditionns par la valeur du gain des transistors dentre).
Influence sur la tension de sortie
Ces courants de polarisation dentre peuvent tre modliss par des sources de courant associes un AOI.
R1 -
R2
IBR3 IB+
+ vs
+ v + = R3 IB v 0 + s IB R1 R2 v = 1 1 + R1 R2
1 1 + R3 v s = R2 I B R + R IB 2 1
+ = IB = I B ), on dtermine lexpression des rsistances Si lon considre ltage dentre symtrique ( IB pour une erreur nulle en sortie. do la condition
vs = 0
R3 =
R1 R2 R1 + R2
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Page 74
Evident, car en continu, avec la sortie relie la masse, lentre - voit R1 // R2 et lentre + voit R3 . Si les courants de polarisation sont supposs gaux, les chutes de tension sont alors les mmes. Il faut remarquer que linfluence des courants de polarisation sera dautant plus critique que les rsistances quilibrer seront leves.
Application : filtre rjecteur de frquence

2R C R R R C/2 2R ve C C R
+
vs
Minimiser linfluence des courants de polarisation sur la composante continue du signal de sortie R+ = R .
Courant de dcalage
Dfinition
Le courant de dcalage ou courant doffset ou courant rsiduel dentre est dfini comme tant la diffrence entre les deux courants de polarisation.
+ IIO = I B IB
Ce courant est li principalement lappariement en gain des deux transistors du premier tage de lamplificateur oprationnel (diffrence du gain en courant ).
Influence sur la tension de sortie
En statique, lorsque les entres de lAO voient la mme rsistance R, on a

+ ' R IB R IB = R IIO = VIO
Linfluence du courant de dcalage IIO sur la sortie est identique celle de VIO . Au total, on a
R2 ' VIOtotal = VIO + VIO = VIO + R IIO et la tension derreur en sortie est v s = (VIO + R IIO ) 1 + R 1
Application : VIO = 6 mV
Montage inverseur avec
et
IIO = 200 nA (caractristiques maximales derreur)
vs R = 2 = 10 ve R1
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Page 75
Pour R1 = 10 k
R2 = 100 k
R3 = R1 // R2 9 k et v s = 11 6 10 3 + 1.8 10 3 = 85.8 mV
Pour R1 = 100 k
R 2 = 1 M
R3 90 k et v s = 11 6 10 3 + 18 10 3 = 264 mV
On peut remarquer que pour de faibles rsistances, le terme R IIO sera ngligeable devant VIO .
Compensation de lerreur de dcalage

Lerreur totale de dcalage VIOtotal peut tre compense selon deux principes diffrents : introduction dun dsquilibre, ajustable depuis lextrieur du circuit, dans les tages diffrentiels dentre. mise en place dun gnrateur de courant ou de tension extrieur dont leffet contrebalance celui des gnrateurs derreur.
Ces deux mthodes imposent que les rsistances vues par les entres soient de valeurs identiques afin de minimiser les drives. On utilisera la compensation prconise par le constructeur (si possible).
Premier principe de compensation
Deuxime principe de compensation
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Page 76
Impdances dentre
Dfinition
vv
+
Zc Zd Zc vs
Ltude dun AO transistors bipolaires donne - une rsistance dentre diffrentielle Zd vue entre les deux bases ( Zi = 2 M ), - une rsistance dentre de mode commun Zc vue sur chaque entre par rapport la masse ( Zc >> Zd ) Remarques : - tage diffrentiel JFET Z d Z c - en HF, il faut considrer les capacits parasites.
Application : calcul de limpdance dentre du montage inverseur
v e = R1i1 v d v d = Zd i v s = R2 i 2 v d i1 = i 2 + i v s = Av d
Re = ve = R1 + i1
v e = R1 i1 + Zd i A Z d i = i 1 i R 2 + Z d i
do i =
R2 i1 et R2 + (1 + A ) Zd
R2 R 1+ A + 2 Zd
et comme A >> 1 et
R2 << A Zd
Re R1 +
R2 A
Conclusion : on na pas intrt travailler avec R2 trop importante ( 1 M ) et, dans ces conditions, Re R1 .
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Page 77
Tensions maximales dentre

Dfinition
Il peut sagir aussi bien de la tension diffrentielle dentre maximale, de la tension en mode commun maximale et des tensions dalimentation maximales spcifies de faon ne pas dtriorer le circuit.
Protection
-
Bruits gnrs par lamplificateur oprationnel

Les bruits gnrs par un amplificateur oprationnel constituent une limitation lamplification des signaux damplitude trs faible. Pour reprsenter compltement les proprits en bruit, on utilise habituellement trois gnrateurs de bruits dont les effets sont ramens lentre savoir deux gnrateurs de courant INO1 et I NO2 , un gnrateur de tension VNO . La tension totale de bruit ramene lentre sera applique par le gain en boucle ferme du circuit. La valeur moyenne quadratique de cette tension sera la somme des valeurs quadratiques du gnrateur de tension VNO , des chutes de tension produites respectivement par chaque gnrateur de courant de bruit dans la rsistance quil attaque.
V NO
2
totale
= V NO
+ I NO R ' + I NO R ' '

1 2
Application : montage non inverseur

R1 VNO INO1 + R3 INO2 vs R2
Le signal de bruit en sortie aura pour expression

R1R2 R1 + R2 2 + VNO I NO1 + R3 I NO2 R1 R1 + R2
2
vs =
)2
avec R3 =
R1R2 RG (rsistance du gnrateur dattaque) R1 + R2

Page 78 Lamplificateur oprationnel rel
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Caractristiques la sortie
Les caractristiques du gnrateur de Thvenin de sortie sont la rsistance dynamique Rs , la tension maximale, le courant maximum et la puissance dissipe maximale.
Rsistance de sortie
Dfinition
RS is
Ad vd
vs
v s = Av d Rs i s
Sa valeur nest pas toujours donne par le constructeur. Elle volue entre quelques dizaines dohms et quelques centaines dohms.
Application : calcul de la dynamique de sortie en rgime linaire du montage inverseur
v+ = 0
v d = v et Z d =
ve vs + R R2 v = 1 1 1 + R1 R2 Av v 0 + Rch Rs R2 v s = 1 1 1 + + Rch Rs R2
Rs 1 + R // R 2 ch
ve vs + Rs R1 R2 v A v A = s R 1 1 2 + R1 R2
do
vs R = 2 ve R1
1 Rs 1+ 1 + R // R 2 ch R2 1 1 + R 1A
On constate que si la condition Rs << R2 // Rch nest pas remplie, la rsistance de sortie Rs a pour effet dabaisser le gain diffrentiel.
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Page 79
Application : R1 = 1 k, R2 = 10 k, Rs = 100 , Rch = 10 .

Le montage est attaqu par un signal v e (t ) de frquence 1 kHz en frquence du 741 en boucle ouverte).
vs ve 10 112 1+ 3 10 = 8.92
A = 1000 (rponse typique
soit une erreur de lordre de 10%.
Tension maximale de sortie

La tension maximale de sortie dpend de ltat de saturation du dernier tage et de la charge. Pour le 741 sans rsistance de charge ( vide) : tension positive maximale V+ 0.6 V tension ngative maximale V + 1.2 V
13.8 V < v s < 14.4 V . soit pour une alimentation symtrique V+ = V = 15 V Pour la tension de sortie en fonction de la charge, voir courbe du constructeur.
Courant maximum de sortie

(voir schma lectrique du 741) limitation positive assure par Q15 :
i smax =
+
Q14 Q15
VBE15 25
= 24 mA 25 C
25 is
limitation ngative assure par la jonction base-collecteur de Q15 et le multiplicateur de VBE ( Q18 ) :
i smax =
Q15 50
is
VBC15 + 2VBE18 VEB20 50
Q18
= 24 mA 25 C
Q20
Puissance dissipe maximale

Comme pour les composants discrets, la puissance maximale dissipe dans le transistor du dernier tage dpend de la temprature extrieure du circuit. Elle dcrot lorsque la temprature augmente ainsi que le montre la courbe constructeur pour le circuit 741 (500 mW jusqu 75 C). Attention : le cas le plus critique de dissipation est celui o la sortie est relie accidentellement une ligne dalimentation. Si V+ = V = 15 V , lun des transistors du push-pull a un VCE = 30 V et est parcouru par le courant de limitation de 24 mA, soit
P = 30 24 10 3 = 720 mW
(> 500 mW )
destruction
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Page 80
Caractristiques de transfert
Les caractristiques de transfert sont dfinies par le gain en tension en boucle ouverte, le phnomne de triangulation et le taux de rjection de mode commun.
Gain en tension en boucle ouverte

Si lon considre la courbe de rponse en frquence en boucle ouverte du circuit 741, on trouve un gain A 10 5 jusqu 10 Hz (point de cassure 3 dB), puis une dcroissance 20 dB par dcade jusqu 3 MHz, puis une dcroissance 40 dB par dcade. La frquence pour laquelle le gain devient lunit (0 dB) correspond une frquence de 1 MHz, ce qui assure une stabilit inconditionnelle. AV 1 Le systme contre-ractionn prsente un gain A 'V = lorsque A V = A aux trs basses 1 + AV
frquences, sinon il y a erreur sur lvaluation du gain A'V . Si lon souhaite une forte amplification A'V , il faut utiliser un amplificateur oprationnel trs fort gain en tension ( A 107 obtenu laide de deux tages diffrentiels en cascade par exemple). Il faut remarquer linfluence de la tension dalimentation sur le gain (voir courbe du constructeur).
Applications :
Montage inverseur
vs R = 2 ve R1 1 R2 1 1+ 1 + R A 1
Montage non inverseur
v s R2 1 = 1 + ve R R2 1 1 1+ 1 + R 1 A R Aux basses frquences, A >> 1 + 2 et on retrouve les formulations avec un AOI. R1
Pour les frquences hautes, il faut tudier le terme
1 R2 1 1+ 1 + R 1A
avec A =
A0 1+ j
(1 ordre)
1 1+ 1 + R 1
1+ j 0 R2
A0
1 1 1 1 R2 1 1 + j 1+ j ' 1+ 1 + R A R 0 1 0 1+ A 1 0 0 R1 + R2
R2 R1 ' avec A0 >> 1 + R et 0 = 0 1 + A0 R + R 1 1 2
Pour le 741, A0 = 10 5 , f0 = 10 Hz
R1 5 f0' = 10 1 + 10 R + R . 1 2
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Si lon choisit R1 = 1 k et R2 = 9 k , on obtient f0' 100 kHz et pour le montage non inverseur f0' pour le montage inverseur f0'
10 6 = 100 kHz (produit gain bande passante) 10
10 6 = 111 kHz (erreur suprieure 10%) 9
Phnomne de triangulation
Cest la vitesse maximale en sortie du signal ou slew rate (SR). Cette vitesse de monte est limite par le courant maximal disponible en sortie du premier tage de lAO ( 2 I ), qui doit charger la capacit de compensation ( Cbc ). Cette charge courant constant caractrise le slew rate, cest--dire que la tension de sortie volue de manire linaire en fonction du temps une vitesse SR en V /s.
2I v = SR = s t max Cbc
En consquence, plus grande sera la capacit de compensation et plus faible sera la valeur de SR.
Distorsion conscutive : Par exemple, pour un amplificateur mont en suiveur, v s (t ) = v d (t ) = V sin(t )
dv s (t ) = V cos(t ) dt
La vitesse maximale du signal en dv (t ) = V max sortie scrit alors s dt max

v s t max = . 2 V
et la frquence partir de laquelle apparatra la distorsion est fmax
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Taux de rjection de mode commun

v+ + v v s = Ad v + v + Ac 2
et TRMC = 20 log
Ad Ac
(en dB)
Le taux de rjection de mode commun dpend de la temprature, de la frquence de fonctionnement et du niveau de tension de mode commun dentre. Il ny a pas dimpact sur un montage inverseur car v + = 0 , mais cest diffrent pour le montage non inverseur. R1 v + = v e vs ve + R1 R1 + R2 v s = Ad R1 v e R + R v s + Ac 2 v v = 1 2 s R R + 1 2
1 Ac Ad 1 + 2T R RMC 2 2 ve = vs = + 1 A R1 R1 1 1 + R2 + A Ad + c 1+ d 1 R1 + R2 2 R1 2 TRMC Ad + Ad AC
soit
avec TRMC =
R 1 + 2 R1 1 vs ve or << 1 2 TRMC R2 1 1 + 1+ Ad R1 v R R si Ad >> 1 + 2 , on retrouve s = 1 + 2 . R1 ve R1
(trs faible influence du TRMC)
Caractristiques dalimentation
Pour le 741 : tension dalimentation 5 V VCC 18 V puissance fournie par les alimentations au repos et vide (sans charge) sous VCC = 15 V avec I 0 = 1.7 mA
Pfournie0 50 mW
Pfournie0 = 2VCC I 0
taux de rjection dalimentation (TRA) ou supply voltage rejection ratio (SVRR)
TRA =
v s = 30 V / V V
Il faut tenir compte de la variation de la tension de sortie v s par rapport la variation de la tension dentre dalimentation V dans les montages contre-ractionns maintenus au repos ( v e = 0 ).
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Sylvain Gronimi
Page 84
Le filtrage traite un signal pour modifier son spectre de frquence, modifier sa phase, extraire une partie de linformation lie ce signal, liminer ou affaiblir des frquences parasites indsirables, isoler dans un signal complexe la ou les bandes de frquences utiles. Il existe plusieurs catgories de filtres analogiques : - les filtres passifs RLC, toujours stables, mais sensibles la charge en entre et en sortie (GHz); - les filtres actifs utilisant des transistors ou AOP (alimentation) dont la stabilit est surveiller, mais peu sensibles la charge (qqs 10 MHz); - les filtres capacits commutes, non traits ici (qqs 10 MHz) ; - les filtres passifs rsonateurs et lignes imprimes, non traits ici (GHz). (voir cours Rappels sur la thorie des circuits pour des informations sur les fonctions de transfert).
Types de filtres
Le type de filtre caractrise la position relative en frquence de la bande transmise (passe-bas, passehaut, passe-bande, rjecteur, passe-tout). Un filtre dordre n est compos de cellules lmentaires du premier et/ou du second ordre (proprits des fonctions de transfert). Donc, si n est pair, il faudra n 2 cellules du second ordre et si n est impair, il faudra (n 1) 2 cellules du second ordre et une cellule du premier ordre. Par ailleurs, il est possible de raisonner sur un prototype passe-bas du premier ou second ordre et dappliquer des transformations mathmatiques pour obtenir les filtres passe-haut, passe-bande et rjecteur du second ordre. Dans ltude qui suit, les gains sont normaliss lunit.
Cellules du premier ordre

Cas du passe-bas
H (p ) = 1 p
n
Expressions du module et de largument de H ( j ) =
1 H ( j ) = 2 1+ 2 n = arctg n
+1
1 1+ j
( p = j )
ou
H ( j ) dB = 20 log 1 +
2 2 n
<< n
H ( j ) dB 20 log1 = 0 dB = arg[H ( j )] arctg 0 = 0 rad
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Page 85
>> n
= n
droite de pente 20 dB/dcade H ( j ) dB 20 log n arctg = rad 2 H ( j ) = 20 log 2 = 3 dB dB arctg 1 = rad 4
( )
La pulsation de coupure 3 dB est telle que c = n et arg[H ( jc )] = Le temps de propagation de groupe est dfini par =
d d = d d
rad .
arctg n
1 n 1+ n
2
Application : circuit passif RC

R
ve
vs
Dans le domaine du temps, la mise en quation conduit lquation diffrentielle du premier ordre d v e ( t ) = R C v s (t ) + v s ( t ) dt Dans le domaine de Laplace, nous obtenons (condition initiale nulle) V ( p) 1 1 VE ( p ) = RC pVS ( p ) + VS ( p ) H ( p ) = S avec n = = p VE ( p ) RC +1
Le gain est unit, la frquence de coupure vaut fc =
1 RC et le retard = . 2 2 RC 1 + (RC )
Application : circuit actif

C R2
H ( p) =
R1 ve + vs
VS ( p ) H0 = p VE ( p ) +1
avec n =
R 1 et H 0 = 2 R2 C R1
Lintrt de ce filtre est de possder une amplification suprieure lunit dans la bande passante et une faible impdance de sortie (contre-raction tension-courant).
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Page 86
Cas du passe-haut
p H (p ) =
n
p
n
+1
Transformation passe-bas premier ordre en passe-haut premier ordre :

j
n
p
n Expressions du module et de largument de H ( j ) = 1+ j n

n 2 H ( j ) = + ou H ( j ) dB = 20 log 20 log 1 2 n n 2 1 + 2 n = arctg 2 n droite de pente + 20 dB/dcade H ( j ) dB 20 log n << n rad 2 H ( j ) dB 20 log 20 log = 0 dB >> n n n 0 rad H ( j ) = 20 log 2 = 3 dB dB = n arctg 1 = rad 2 4
( )
La pulsation de coupure 3 dB est telle que c = n et arg[H ( jc )] =
rad .
Cas du passe-tout (dphaseur pur)

Un filtre passe-tout a une amplitude unit pour toutes les frquences, mais sa rponse en phase varie avec la frquence. p 1 n H (p ) = p 1+
n Expressions du module et de largument de H ( j ) = 1+ j n

1 j
H ( j ) = 1 ou = 2 arctg n
H ( j ) dB = 0 dB
<< n
0 rad , >> n
rad , = n
Page 87
rad .
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Application :
R R
avec n =
1 RC
+ ve C vs
Cellules du second ordre

Cas du passe-bas
H (p ) = 1 2
p2
2 n
p +1
2 1 + j 2 2 n n
2 2 2 1 H ( j ) = 2 H j ou ( ) = 20 log 1 + 4 2 dB 2 2 n 2 n 2 2 1 + 4 2 2 n n 2 2 n = arctg >1 < 1 ou = + arctg 2 n pour pour 2 n n 1 1 2 2 n n
<< n
H ( j ) dB 20 log1 = 0 dB , = n arctg 0 = 0 rad

2 H ( j ) 20 log = 40 log dB n n + arctg 0 = rad
H ( j ) = 20 log( 2 ) dB arctg = rad 2
>> n
Pour le module de la fonction de transfert, nous calculons maintenant les coordonnes du maximum (si rsonance) et la bande passante dfinie 3 dB. Posons x = ( n ) 2 H ( j ) = Expressions la rsonance d H dx =0
(1 x ) 2 + 4 2 x
res = n 1 2 2 uniquement pour 1 2 2 > 0 soit < 2 2 ,
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Page 88
do
1 ou H ( j res ) = 2 1 2 1 2 2 = arctg
2 H ( jres ) dB = 20 log 2 1
Expression de la pulsation de coupure H ( jc ) = 1
c = n 1 2 2 +
( 2 2 1)2 + 1 .
Application :
30 dB = 0.05 f res
0 =5 f1, -3 dB
pente -20 dB/dcade
= 0.7 fc, -3 dB =1 fn, -6 dB
-40
pente -40 dB/dcade
-70 1.0Hz
=5 f2, -3 dB 1.0KHz 10KHz
10Hz
100Hz
Frequency
-0 = 0.05 = 0.7 -50 f1, -45 -100 fn, -90 -150 f2, -135 =1 =5
1.0Hz
10Hz
100Hz
Frequency
1.0KHz
10KHz
Cas du passe-haut
p2 H (p ) =
2 n 2 + p +1 2 n n
p2
Transformation passe-bas second ordre en passe-haut second ordre :
n
p
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Page 89

1
2 + j 2 2 n n
2 2 n
2 2 2 2 2 n 2 H ( j ) = + 4 2 ou H ( j ) dB = 20 log 20 log 1 2 2 2 2 n n n 2 2 2 + 4 2 1 2 n n 2 2 n n = arctg < = >1 arctg pour pour 1 ou 2 2 n n 1 1 2 2 n n

2 20 log1 = 40 log H ( j ) dB 20 log 2 n n rad ,
<< n
= n
>> n
H ( j ) = 20 log (2 ) dB arctg = rad 2 2 H ( j ) 20 log 20 log dB n n 2 n 0 rad = + arctg 2 n
= 0 dB
Pour le module de la fonction de transfert, nous calculons maintenant les coordonnes du maximum (si rsonance) et la bande passante dfinie 3 dB. Posons x = ( n ) 2 H ( j ) = Expressions la rsonance
d H dx = 0 res =
(1 x ) 2 + 4 2 x
x2
n
1 2 2
uniquement pour 1 2 2 > 0 soit < 2 2 ,

H ( jres ) dB = 20 log 2 1 2
do
1 H ( j res ) = 2 1 2 2 = + arctg 1 2
ou
Expression de la pulsation de coupure H ( jc ) = 1
c = n 2 2 1 +
( 2 2 1)2 + 1 .
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Page 90
Cas du passe-bande
2 p n H (p ) = 2 2 p + p +1 2 n n
1 p Q n 1 1 qui peut scrire H (p ) = 2 = avec Q = facteur de qualit du circuit. 1 p p 2 p n + + 1 1+ Q + 2 Q n n p n
Transformation passe-bas premier ordre en passe-bande second ordre :
p n Q + p n n p
1 n 1+ jQ n
2
1 H ( j ) = n 1+ Q2 n n Q = arctg n
ou
n H ( j ) dB = 20 log 1 + Q 2 n
<< n
1 1 H ( j ) dB 20 log Q = 20 log Q + 20 log n n n arctg Q 2 rad
H ( j ) dB = 0 dB = n = 0 rad
>> n
1 H ( j ) dB 20 log = 20 log Q 20 log Q n n = arctg Q 2 rad n
Pour le module de la fonction de transfert, nous calculons maintenant les coordonnes du maximum et la bande passante dfinie 3 dB. Posons x = ( n ) 2 H ( j ) =
1 1 1+ Q2 x x =0
2
Expressions la rsonance
d H dx
res = n
H ( j res ) = 1 ou do = 0 rad
H ( j res ) dB = 0 dB
Expression des pulsations de coupure basse et haute
H ( jc ) = 1
2 b = n 1 +
1 1 1 + 4Q 2 2 2Q 2Q 2
et h = n 1 +
1 1 + 1 + 4Q 2 2 2Q 2Q 2
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Page 91
H ( j b ) = 1 2 arg[H ( j b )] = + rad 4
et
H ( j h ) = 1 2 arg[H ( j h )] = rad 4
Expression de la largeur de bande relative 3 dB

-0 dB - 3 dB
1 = 2 Q
Q = fn / f = 1/ (2 )
Q = 0.707 -20 20 log(1/Q) Q=2 Q=5 -40 Q = 20 pente + 20 dB/dcade -60 10Hz fn pente - 20 dB/dcade
30Hz
100Hz
300Hz Frequency
1.0KHz
3.0KHz
10KHz
100d
Q = 20 Q=2 Q = 0.707
50d
Q=5
45
0d
fn
- 45
-50d
-100d
10Hz
30Hz
100Hz
300Hz Frequency
1.0KHz
3.0KHz
10KHz
Cas du rjecteur (coupe-bande)

p2 H (p ) =
2 n
+1
p2
2 n
2 p +1 n
p2
qui peut scrire H (p ) =
2 n
+1 = 1+
1 1 p n Q + p n
Page 92
1 p + +1 2 Q n n
p2
avec Q =

1 facteur de qualit du circuit. 2
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Transformation passe-bas premier ordre en coupe-bande second ordre :
1 p n Q + p n
1
2 1 + j 2 2 n n
2 2 n
ou H ( j ) =
1+
1 n jQ n
1 H ( j ) = 1 1+ n Q2 n 1 = arctg n Q n
ou
2
H ( j ) dB = 20 log 1 +
1 n Q2 n
2
<< n
H ( j ) 0 dB dB 1 arctg Q n
, >> n 0 rad
H ( j ) 0 dB dB 1 n 0 + rad arctg Q
= n
H ( jrej ) avec n = rej pulsation de rjection dB 1 et + rad pour 1+ rad pour n n 2 2
Pour le module de la fonction de transfert, nous calculons la bande passante dfinie 3 dB. Posons x = ( n ) 2 H ( j ) =
1+ 1 1 1 Q2 x x
2
Expression des pulsations de coupure basse et haute

H ( jc ) = 1 2 b = n 1 + 1 1 1 + 4Q 2 2Q 2 2Q 2
et h = n 1 +
1 1 + 1 + 4Q 2 2Q 2 2Q 2
H ( j b ) = 1 2 arg[H ( j b )] = 4
et
H ( j h ) = 1 2 arg[H ( j h )] = + 4
Expression de la bande relative de rjection 3 dB :
1 = 2 . Q
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Page 93
Structures de filtres
La structure dun filtre dcrit la mthode de ralisation choisie. Ici, quelques filtres actifs contre raction simple ou multiple du second ordre sont prsents.
Filtre source contrle (structure de Sallen-Key)

La structure de Sallen-Key utilise ici une source de tension avec gain, commande par une tension. Les composants passifs Yi de la structure sont des admittances (conductances et capacits). Lamplificateur non inverseur a donc un gain K =
VS R = 1+ . VB R
Le thorme de Millman appliqu au nud A et aux nuds dentre de lamplificateur idal donne :
VA + V V + V
Y V + Y2 VS + Y3 VB = 1 E Y1 + Y2 + Y3 Y V + Y4 0 = 3 A Y3 + Y4 V = S K =V
Y2 R R Y1 A ve Y4 Y3 + vs
VA =
Y3 + Y4 VS Y1 VE + Y2 VS + Y3 VS K = Y3 K Y1 + Y2 + Y3
do
VS ( p ) K Y1 Y3 = VE ( p ) Y4 (Y1 + Y2 + Y3 ) + Y3 (Y1 + Y2 (1 K ))
Type
Passe-bas Passe-haut Passe-bande
Y1( p )
Y2 ( p )
Y3 ( p )
Y4 ( p )
1 R1
C1 p 1 R1
C2 p
1 R2 1 R2
1 R3
C3 p C3 p
C4 p
1 R4
1 R4 + C4 p
Ce tableau montre lidentification des composants passifs en fonction du type de filtre. Il faut constater que la ralisation dun filtre rjecteur est impossible avec cette topologie.
Application : (voir aussi Travaux Pratiques synthse de filtres )

Si un filtre passe-bas est conu de telle manire que R1 = R 3 = R et C2 = C 4 = C . Les fonctions 1 3K . , = RC 2 Il faut remarquer que le gain K du filtre est li sa stabilit. De plus, si K = 3, le coefficient damortissement sannule et le systme devient un oscillateur. En effet, la fonction de transfert scrit 3 avec des ples imaginaires purs de valeur p = j (voir Les oscillateurs alors H ( p ) = p2 1+ performances deviennent n =
2 n
sinusodaux .
Sylvain Gronimi Page 94 Le filtrage analogique
Filtre contre-raction multiple (structure de Rauch)

Le thorme de Millman appliqu au nud A et aux nuds dentre de lamplificateur idal donne :
Y1 VE + Y2 0 + Y3 VB + Y4 VS Y1 + Y2 + Y3 + Y4 Y3 VA + Y5 VS Y3 + Y5
ve
VA V V + + V
= =
Y4 Y1 A Y2 Y3
Y5
=0 =V
+ R
+
vs
VA =
Y1 VE + Y4 VS Y5 VS = Y1 + Y2 + Y3 + Y4 Y3
Y1( p ) 1 R1 C1 p
do
VS ( p ) Y1 Y3 = VE ( p ) Y5 (Y1 + Y2 + Y3 + Y4 ) + Y3 Y4
Y3 ( p ) 1 R3 C3 p Y4 ( p ) 1 R4 C4 p Y5 ( p ) C5 p 1 R5
Type
Passe-bas Passe-haut Passe-bande
Y2 ( p ) C2 p 1 R2
R+
R3 + R1 // R 4 R5
1 R1
1 R2
C3 p
C4 p
1 R5
R5
Ce tableau montre lidentification des composants passifs en fonction du type de filtre. Il faut constater que la ralisation dun filtre rjecteur est impossible avec cette topologie.
Filtre variable dtat (filtre universel)

Ce circuit est capable de fournir simultanment les rponses de passe-haut ( S1 ), passe-bande ( S2 ), passe-bas ( S3 ) et coupe-bande ( S4 ). Il utilise un additionneur-soustracteur, deux intgrateurs et un additionneur.
R6 R5 R1 C1 R2 C2
R7
+ +
U1
-
U2
-
U3 S2 S3
+
S1
+
Ve
R4 R3 R10 R9
R8
-
U4 S4
+
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Les caractristiques du filtre sont : n =
R5 R6
1 R1 R2 C1 C2
, =
1 R 5 R5 R 3 1 + + 2 R 6 R7 R 3 + R 4
R6 R2 C2 R5 R1 C1
En prenant R1 = R2 = R, C1 = C2 = C, R5 = R 6 , alors n = montre que les rsistances R3 , R 4 , R7 indpendamment de la frquence fn .
R5 R3 1 , = , ce qui 1 + 2 R RC 7 R3 + R 4 agissent uniquement sur le coefficient damortissement,
Lintrt dun tel filtre est encore plus flagrant dans le cas de capacits commutes en remplacement des rsistances R1, R 2 .
Formes des rponses

La forme dfinit le polynme de la rponse. Ainsi, les polynmes de Butterworth, de Chebyshev, de Bessel, de Legendre et de Cauer dcrivent les formes de rponses les plus couramment utilises, optimises pour un seul paramtre (attnuation ou temps de propagation de groupe). On ne considre ici que les filtres passe-bas puisque les transformations permettent de passer aux autres types de filtre.
Rponse de Butterworth
Les filtres de Butterworth possdent la proprit davoir une courbe de rponse la plus plate possible dans la bande transmise et le module de la fonction de transfert rpond la relation gnrale
H( j ) = 1 1+ 0
2n
avec n l'ordre du filtre
Expressions du module et de largument
2n H ( j ) dB = 20 log 1 + 0 calculer suivant l' ordre n
<< 0
H ( j ) dB 0 dB , = 0 0 rad pour tout n

H ( j ) 20 log dB 0 n rad 2
n
H ( j ) = 20 log dB n rad 4

( 2 ) = 3 dB
pour tout n
>> 0
= 20 n log 0
La rponse en amplitude se rapproche d'autant plus d'un gabarit rectangulaire que n est plus lev comme on peut le constater sur les abaques 1 en fin de chapitre. Quelle que soit la valeur de n, la dfinition de la frquence de coupure se fait toujours pour une attnuation de 3 dB. Les courbes sont donc normalises par rapport la frquence de coupure -3 dB ( 0 c ). La rponse de Butterworth est caractrise par un polynme particulier un ordre donn (tableau 1).
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Page 96
En effet, la fonction de transfert en p scrit

H ( p)
2
1 + ( 1) p
n
2n
avec p 2n = ( j )
2n
= 2 n = ( 1) n 2n et en normalisant tel que 0 = 1
Le carr du module tant pair, H ( p ) = H ( p ) et les ples le sont aussi. La stabilit impose de retenir les ples partie relle ngative. Calculons maintenant les ples de la fonction. Pour n pair, on a 1 + p 2n = 0 p = ( 1) 2n = e
1 1
+k j n 2n
2k j 2n
Pour n impair, on a 1 p 2n = 0
p = (1) 2n = e
Application :
n=2 p=e
2
j +k 2 4
, soit p =
2 2 j (ples gauche de laxe imaginaire), 2 2
do H ( p ) =
1 p + 2 p +1
2k j 6 ,
n=3
p=e
soit p = 1 et
1 1 1 3 , do H ( p ) = = j 2 2 ( p + 1) ( p 2 + p + 1) p 3 + 2 p 2 + 2 p + 1
Tableau 1 : Polynmes normaliss des filtres de Butterworth

n 1 2 3 4 5 6 7 8 Facteurs des polynmes p+1 2 p +1.414p+1 2 (p+1) (p +p+1) 2 2 (p +0.765p+1) (p +1.848p+1) 2 2 (p+1) (p +0.618p+1) (p +1.618p+1) 2 2 2 (p +0.518p+1) (p +1.414p+1) (p +1.932p+1) 2 2 2 (p+1) (p +0.445p+1) (p +1.247p+1) (p +1.802p+1) 2 2 2 2 (p +0.390p+1) (p +1.111p+1) (p +1.663p+1) (p +1.962p+1)
Rponse de Chebyshev
Les filtres de Chebyshev sont optimiss pour avoir la pente la plus forte au dtriment dune ondulation dans la bande passante. Le module de la rponse en amplitude vrifie la relation gnrale de la forme
H( j ) = 1 2 1 + 2 Cn rip
dans laquelle est un nombre rel positif et beaucoup plus petit que 1, la frquence frip est ici la bande passante d'ondulation (ripple) et Cn rip sont les polynmes de Chebyshev. Par dfinition,
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Page 97
Cn rip
Cn rip
= cos n cos 1 rip
1 rip >1 rip
= cosh n cosh 1 rip
La rponse en amplitude prsentera une certaine ondulation dans la rgion f f rip < 1 comme on le voit sur les abaques 2 en fin de chapitre. Les courbes sont donc normalises par rapport la bande passante d'ondulation ( f0 frip ).
L'quation suivante lie le paramtre l'ondulation en dcibels 2 = 10 10 1 et la frquence de

1 1 coupure 3 dB est donne par l'expression fc = frip cosh cosh 1 . n
Cette coupure est d'autant plus rapide que le taux d'ondulation accept dans la bande transmise est plus important, l galement pour un ordre donn. La dfinition de la frquence de coupure est diffrente de sa dfinition en Butterworth. Des polynmes particuliers caractrisent la rponse de Chebyshev. A chaque valeur du taux d'ondulation est associe une suite de polynmes, chacun d'eux caractristique d'un ordre donn (tableau 2).
Tableau 2 : Polynmes normaliss des filtres de Chebyshev

n 1 2 3 4 5 6 7 8 Facteurs des polynmes
ondulation de 1.0 dB ( = 0.5089)

p+1.965 2 p +1.098p+1.103 2 (p+0.494) (p +0.494p+0.994) 2 2 (p +0.279p+0.987) (p +0.674p+0.279) 2 2 (p+0.289) (p +0.179p+0.988) (p +0.468p+0.429) 2 2 2 (p +0.1244p+0.9907) (p +0.3398p+0.5577) (p +0.4642p+0.1247) 2 2 2 (p+0.2054) (p +0.0914p+0.9927) (p +0.2562p+0.6535) (p +0.3702p+0.2304) 2 2 2 2 (p +0.07p+0.9942) (p +0.1994p+0.7236) (p +0.2994p+0.3408) (p +0.3518p+0.0702)
Rponse de Bessel
Les filtres de Bessel sont des filtres pour lesquels le critre doptimisation est la rgularit du temps de propagation de groupe dans la bande passante. En contrepartie, la pente est mdiocre. Ce type de filtre est utilis lorsquon n'accepte aucune dformation en rgime transitoire (transmission dimpulsions ou dun signal vido). On aura intrt concevoir un filtre dordre lev pour obtenir une pente maximale.
Rponse de Legendre
Les filtres de Legendre sont assez peu diffrents des filtres de Butterworth. Ils sont optimiss pour avoir la pente la plus forte possible la frquence de coupure.
Rponse de Cauer
Les filtres de Cauer ne sont pas des filtres polynomiaux (filtres elliptiques) et prsentent des zros de transmission dans la rgion de coupure, cest--dire des frquences pour lesquelles le module de la fonction de transfert est nul. Ces filtres sont utiliss pour liminer une frquence indsirable ou pour
Sylvain Gronimi Page 98 Le filtrage analogique
augmenter la pente de coupure partir d'une frquence donne au prix d'une certaine ondulation dans la bande attnue. Ils prsentent la pente la plus raide possible moyennant une topologie de circuits plus complexes, donc plus coteux.
Comparaison des rponses

Les figures qui suivent permettent de comparer les rponses de cinq filtres dordre 5. En amplitude et par pente croissante, on a Bessel, Butterworth, Legendre, Chebyshev 1 dB, Cauer 1 dB et 40 dB dattnuation dans la bande attnue. Chacune des rponses tant optimise pour un seul paramtre, il nest pas possible dobtenir simultanment la plus grande raideur de coupure et la meilleure rgularit du temps de propagation de groupe, donc la meilleure rponse impulsionnelle. Les filtres de Bessel et Chebyshev sont extrmes en matire doptimisation, les filtres de Butterworth et Legendre peuvent tre considrs comme un bon compromis entre les deux extrmes.
0.5
0.0
(609 Hz,-1dB) (1.62 kHz,-1dB) -2.0 Ondulation = 1 dB (Chebyshev et Cauer) Bande d'ondulation = 2 kHz (Chebyshev et Cauer)
Frquence de cassure = 2 kHz (Bessel, Butterworth et Legendre) -3.5 200.0Hz DB(V(Bessel))
(2 kHz,-3 dB) 1.00KHz DB(V(Legendre)) 2.36KHz
300.0Hz DB(V(Butterworth))
DB(V(Cauer))
DB(V(Chebyshev)) Frequency
Dtail du module dans la bande dondulation et au voisinage de la cassure 3 dB
0 -14 dB -20 -30 dB -40 dB Bessel
-40
-45 dB -60 Cauer 1 dB Chebyshev 1 dB -80 Legendre
Butterworth
Frquences normalises f / f0 -100 1 DB(V(Bessel)) DB(V(Butterworth)) 2 DB(V(Cauer)) DB(V(Chebyshev)) 3 DB(V(Legendre)) 4
Comparaison des pentes
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1.2ms
0.8ms
0.4ms
0s 10Hz G(V(Bessel))
30Hz G(V(Butterworth))
100Hz G(V(Chebyshev))
300Hz G(V(Legendre)) Frequency
1.0KHz
3.0KHz
10KHz
Temps de propagation de groupe sur une chelle linaire en frquence
8.0V
5.0V
0V
-5.0V 0s V(Bessel) 0.2ms V(Butterworth) 0.4ms V(Cauer) 0.6ms 0.8ms V(Chebyshev) V(Legendre) Time 1.0ms 1.2ms 1.4ms
Rponse temporelle un chelon de tension
Ralisation dun filtre

Spcification dun gabarit
Il faut mettre en uvre une mthode simple et pratique permettant de raliser un filtre rpondant un problme donn. La connaissance des donnes du problme permet de dfinir un gabarit, semblable ceux de la figure ci-dessous, l'intrieur duquel doit passer la courbe de rponse du filtre.
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La figure de gauche reprsente la rponse d'un filtre passe-bas rel. La bande passante est la gamme de frquence transmise sans attnuation excessive, la diffrence H0 H1 est appele l'ondulation . La frquence de coupure fc laquelle H = H 0 3 dB dfinit le bord de la bande passante. La frquence frip , frquence maximale laquelle H = H1 , dfinit la bande passante "d'ondulation". La frquence fs est la frquence minimale laquelle il y a attnuation H 0 H 2 , la bande attnue s'talant partir de cette valeur. La variation entre la bande passante et la bande attnue d'un filtre rel n'est pas abrupte comme la caractristique idale. La diffrence entre les frquences de bande attnue et de coupure 3 dB est appele la bande de transition ( fs fc ). La rponse d'un filtre passe-bande, reprsente la figure de droite, comporte une bande attnue et une bande de transition au-dessus et au-dessous des frquences de coupure f1 et f2 qui dfinissent la bande passante. On peut tracer des caractristiques semblables pour des filtres passe-haut et coupe-bande rels et identifier ces diverses bandes de frquence. On remarquera plus loin qu'il peut y avoir ondulation ou non suivant les rponses mises en uvre. Dans un contexte gnral, le concepteur d'un filtre doit connatre certaines spcifications qui seraient, pour un passe-bas par exemple : la frquence fc de coupure, c'est--dire la gamme de frquence de la bande passante; l'attnuation H 0 H 2 de la bande attnue; la gamme de frquence de la bande attnue, autrement dit fs ; l'ondulation = H 0 H1 admissible dans la bande passante (s'il n'y a pas d'ondulation, = 0 et H1 = H 0 ).
Il faut ajouter aussi que le temps de propagation de groupe (retard) et la rponse en rgime transitoire (temps de monte, dpassement) du filtre sont aussi des spcifications dterminantes.
Choix du type de rponse

Un certain nombre de types de filtres permet d'obtenir cette rponse, mais les qualits et la complexit de ces filtres ne sont pas les mmes. Le choix du type repose sur des critres tels que la raideur de coupure, la rgularit de la courbe de rponse, le comportement en rgime transitoire, la rgularit du temps de propagation de groupe, la complexit de la ralisation, etc... . Une fois le type de filtre choisi, il faut dterminer sa fonction de transfert. Pour y parvenir, il faut dterminer le degr de cette fonction, c'est--dire l'ordre du filtre et obtenir la fonction de transfert du filtre normalis (forme canonique). La dtermination de l'ordre du filtre se fait suivant l'allure du gabarit.
Choix de la structure du filtre

Lorsque l'on connat la fonction de transfert d'un filtre sous forme d'un produit de facteurs du premier et du deuxime degr, on peut aisment raliser ce filtre en plaant en cascade autant de cellules lmentaires du premier et second ordre correspondant chacun de ces facteurs. Une cellule du premier ordre peut tre obtenue l'aide d'un simple circuit RC (ncessaire uniquement pour des filtres d'ordre impair). Une cellule du second ordre est choisie suivant les critres tels que le nombre minimum de composants actifs et passifs, la facilit de rglage, la possibilit de mise en cascade sans lment sparateur, la sensibilit aux variations des lments passifs et actifs. Le choix de la tolrance des composants passifs est donc fondamental pour chacune des cellules.
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Sensibilit du filtre
Si l'on suppose que les lments actifs sont des amplificateurs de tension idaux, la courbe de rponse exprimentale du filtre ralis est susceptible de rentrer dans le gabarit condition de choisir des tolrances adquates pour les composants passifs. De ce fait, le gabarit doit prsenter une certaine souplesse afin de tenir compte de la sensibilit des paramtres (, n , H 0 pour une cellule du second ordre par exemple) en fonction des variations relatives des rsistances et des condensateurs par rapport leur valeur nominale ( R = 10 k 1%). Le filtre passif est un circuit "naturellement stable". En effet, quel que soit la qualit de ses composants, le coefficient de surtension restera toujours de valeur finie. Ceci n'est pas ncessairement le cas avec un filtre actif dans lequel une petite variation dans la valeur d'un composant passif peut entraner un important dplacement des ples pouvant aller jusqu' l'oscillation du montage. C'est l tout le problme de la sensibilit. La sensibilit d'un filtre est le rapport de la variation relative d'une fonction performance X (gain, coefficient d'amortissement, pulsation propre, ...) la variation relative de la valeur du composant c qui lui a donn naissance. La sensibilit est note conventionnellement par S et en se rfrant la dQ dR dX dc Q dfinition ScX = (par exemple SR = ). X c Q R Dans un filtre actif, la sensibilit dpend en premier lieu du montage utilis. Plus grand sera le nombre de circuits actifs utiliss, plus rduite sera la sensibilit. Dans la plupart des cas, les sensibilits de la f frquence ( Sc ) seront comparables entre un filtre actif et un filtre passif. Par contre, les sensibilits du
H0 Q coefficient de surtension ( Sc ) et celle du gain H 0 dans la bande transmise ( Sc ) dpendent, dans beaucoup de structures actives, du coefficient de surtension et d'autant plus que celui-ci est plus lev. Les filtres coupure rapide, qui requiert des surtensions importantes, ncessitent donc des composants passifs caractrisation trs serre.
La figure ci-dessus illustre les rponses de deux filtres passe-bas ayant les mmes fonctions de transfert mais des sensibilits diffrentes. Les enveloppes des rponses "pire-cas" pour des tolrances de 1% et 5% sur les composants passifs sont galement figures. L'aire de ces enveloppes est directement lie la sensibilit du montage choisi. Si le choix dun rseau passe-bas se porte sur la structure source contrle gain K (Sallen et Key), la sensibilit des paramtres du filtre peut tre chiffre (voir Travaux Pratiques ). Il apparat alors que la sensibilit sur le coefficient d'amortissement en fonction d'un composant passif est inversement proportionnelle . De plus, le gain K de la source commande n'intervient que dans le terme d'amortissement, si bien que le rglage de K agira uniquement sur le coefficient sans modifier la valeur de la frquence propre du circuit. Ainsi, il parat plus simple de dfinir la tolrance des composants passifs par une analyse indpendante sur chaque cellule lmentaire avant de considrer l'analyse globale.
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Abaques 1 : Filtres de Butterworth et zoom
Abaques 2 : Filtres de Chebyshev et zoom
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On qualifie doscillateur tout systme qui est le sige doscillations sinusodales auto-entretenues. Le but dun oscillateur est de dlivrer un signal sinusodal de frquence et damplitude donnes. Ltude revt donc deux aspects, savoir la dtermination de la pulsation des oscillations et celui du maintien de leur amplitude au niveau dsir. On fera ainsi la diffrence entre les oscillateurs linaires, dits harmoniques ou sinusodaux, o la frquence du signal produit ne dpend que des paramtres du rseau et pas de la tension dalimentation et les oscillateurs relaxation o la frquence dpend des tensions dalimentation. En fait, loscillateur nest linaire que si lon est exactement la condition doscillation.
Condition critique doscillation

Rappelons la relation dun systme lectronique linaire asservi :
E(p) + -
(p)
G(p)
S(p)
S( p ) G( p ) = H ( p) = E( p) 1 + G ( p ) B( p )
B(p)
avec H ( p ) fonction de transfert en boucle ferme et G( p ) B( p ) fonction de transfert de la boucle ouverte. Lorsque G( p ) B( p ) = 1 , H ( p ) + et on peut obtenir une sortie non nulle pour une entre nulle. Le systme devient un oscillateur linaire. Le signal dentre disparaissant, il sera plus commode dentreprendre ltude des oscillateurs sur le schma suivant :
G(p)
S(p)
B ' ( p ) = B ( p ) G( p ) B ' ( p ) = 1
B(p)
En boucle ouverte, il nexiste quune seule pulsation = osc pour laquelle lgalit G( j ) B' ( j ) = 1 est satisfaite. Cette condition doscillation peut tre dcompose en deux conditions distinctes appeles conditions de Barkhausen :
G ( j )B' ( j ) = 1 arg [G ( j )] + arg [B' ( j )] = 0 + 2k
ou
Re[G ( j )B' ( j )] = 1 Im[G ( j )B' ( j )] = 0
En gnral, la condition de phase (ou partie imaginaire) impose la pulsation doscillation et la condition de module (ou partie relle) dtermine lamplitude des oscillations.
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Page 104
Mthodes de travail Lcriture analytique de G( p ) B' ( p ) est connue et la condition de stabilit impose deux ples complexes conjugus amortissement nul. ples n jn 1 2
1 2 p +1 e n t cos 1 2 n t
p2
2 n
Si = 0 , ples imaginaires purs jn
1 p
2 2 n
cos( n t )
+1
Les critures analytiques de G( p ) et B' ( p ) sont connues indpendamment. Quand on peut multiplier les fonctions de transfert (conditions aux impdances respecter), on exploite directement les conditions de Barkhausen.
Utilisation de la thorie de la contre-raction

i1 i2
v1
y1
v2
[y ] = [y1 ] + [y 2 ]
avec
i1 v 1 = [y ] i 2 v 2
y2
Si i1 = i 2 = 0
Re(y ) = 0 y = y11 y 22 y 21 y 12 = 0 , il existe une solution seulement si . Im(y ) = 0
Les oscillateurs RC
Les oscillateurs RC sont des circuits qui ne prsentent pas de surtension, leur variation damplitude est relativement faible (sauf le cas des rjecteurs) et la condition doscillation est essentiellement ralise sur la phase. Ces oscillateurs fonctionnent en basse frquence et utilisent un amplificateur large bande contre-ractionn par un rseau slectif RC.
Loscillateur dphasage (ligne retard)

Le dispositif utilise un rseau slectif RC en chelle dont le dphasage varie en fonction de la frquence de 0 270. Il existera donc une frquence pour laquelle ce dphasage est exactement gal 180. A cette frquence unique, lattnuation du rseau peut tre compense par le gain dun amplificateur inverseur de tension. Cest le principe de loscillateur dphasage.
Cas du passe-haut
C R C R C R
vs
ve
B ' (p ) =
Ve (p ) = Vs (p )
p3
3 0
1+ 5
+6
2 0
avec 0 =
1 RC
3 0
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En considrant que lamplificateur possde un gain rel G (bande passante importante devant la frquence des oscillations) et en rgime sinusodal,
G B ' ( j ) =
3 G 3 0
2 3 1 6 j 5 + 3 2 0 0 0
=1
2 Im[G B' ( j )] = 0 1 6 2 = 0 0 2 ou encore osc G =1 Re[G B' ( j )] = 1 2 2 0 osc 5 2 0 1 6 RC
Les conditions de Barkhausen sont satisfaites pour G = 29 et osc =
Un amplificateur de tension en montage inverseur satisfait le gain demand :
R -
29 R C U1 + R R C C
Sur ce schma, remarquons que limpdance dentre de lamplificateur inverseur est gale R, rsistance de la dernire cellule RC. Ceci impose la prsence dune rsistance de valeur 29 R sur lamplificateur de tension. Ladaptation de tension entre linverseur et le rseau est produite par la contre-raction tension-courant.
Cas du passe-bas
R R R
vs
ve
B ' (p ) =
Ve (p ) = Vs (p )
1 1+ 6 p
+5
2 0
avec 0 =
1 RC
3 0
soit G B' ( j ) =
2 1 5 2 0
G = 1 en rgime sinusodal tabli (G suppos rel). 2 + j 6 2 0 0
Conditions remplir :
2 Im[G B' ( j )] = 0 6 2 = 0 0 G =1 Re[G B' ( j )] = 1 2 osc 1 5 2 0
osc =
6 et G = 29 . RC
On peut raliser le montage ci-dessous, au sein duquel lamplificateur U2 sert de tampon afin que lamplificateur U1 soit attaqu basse impdance (contre-raction totale tension-tension) :
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R' -
29 R' R R R + + U1 C C C U2
Loscillateur pont de Wien

Ce montage exploite les proprits dun filtre passe-bande obtenu par un pont dimpdances. A la frquence centrale, le dphasage est nul et lattnuation du rseau peut tre compense par le gain dun amplificateur non inverseur de tension.
R C
vs
ve
V (p ) = B ' (p ) = e Vs (p )
0
1+ 3 p
avec 0 =
1 RC
2 0
soit G B' ( j ) =
G 0 3 j 0
= 1 en rgime sinusodal tabli (G suppos rel).
Conditions remplir :
0 Im[G B' ( j )] = 0 = 0 0 G Re[G B' ( j )] = 1 =1 3
G =3 et osc = 0 .
Le bloc amplificateur est donc un amplificateur de tension non inverseur tel que G = 1 + R2 R1 = 3 , ce qui se traduit par la relation R2 = 2 R1 .
U1 +
R C R1 R2
B'(j)
Lassociation des blocs G et B ne pose aucun problme dadaptation dimpdance car lamplificateur subit une contre-raction tension-tension (rsistance dentre norme et rsistance de sortie trs faible).
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Stabilit en amplitude
La pulsation complexe p = + j permet de dcrire un phnomne oscillatoire. Le ple partie relle nulle ( = 0 ), cest--dire le cas dun amortissement nul ( = 0 ), conduit un oscillateur linaire. Mais lamplitude nest pas dfinie et la moindre drive provoque une extinction ( < 0 ) ou un accroissement exponentiel ( > 0 ) des oscillations.
La garantie du fonctionnement de loscillateur impose dtre au-del de la condition critique la mise sous tension, puis de limiter lamplitude par asservissement par exemple. Il est donc ncessaire dtablir des rgles propres assurer la croissance des oscillations lors du dmarrage et le principe de leur stabilisation en prenant lexemple de loscillateur pont de Wien.
Condition la mise en route

Supposons que le bloc amplificateur possde un gain G rel.
G B' ( p ) = 1 1 + (3 G ) p
2 2 + 2 = 0 . 2 G = + 3 0
p2
2 0
= 0 avec p = + j , ce qui conduit aux relations
ces conditions, le module de la fonction de transfert en boucle ouverte est G B' ( j ) > 1 .
Selon que G est suprieur ou infrieur 3 (3 est la valeur pour laquelle lamplitude est constante), nous constatons que les oscillations vont crotre ou dcrotre exponentiellement avec la constante de temps = 1 . En consquence, une croissance des oscillations la mise sous tension aura lieu en rendant G suprieur 3, ou, concrtement, en augmentant le rapport des rsistances R2 R1 . Dans
Stabilisation damplitude par un rglage paramtrique

Il est donc ncessaire dasservir un des paramtres du circuit (jouant sur le gain) lamplitude en sortie de faon rester au voisinage de la condition critique. Ce rglage paramtrique peut seffectuer au moyen dune rsistance variable avec la temprature (thermistance) ou dun JFET mont en rsistance variable.
Rglage par thermistance
Il existe deux types de thermistances, savoir celles dites coefficient de temprature positif (CTP) car leur rsistance augmente lorsque la temprature crot et celles dites coefficient de temprature ngatif (CTN) car leur rsistance diminue lorsque la temprature augmente. En premire
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Page 108
approximation, en rgime permanent et temprature ambiante constante, R = R0 e P o R0 est la rsistance nominale la temprature ambiante, P la puissance qui sy dissipe et un coefficient constant positif pour CTP et ngatif pour CTN. Pour loscillateur pont de Wien, le gain de lamplificateur doit tre G = 3 pour maintenir les oscillations et de valeur suprieure lors du dmarrage.
CTN G (v s ) = 1 + RCTN R R2 R avec G (0 ) = 1 + 0 > 3 , CTP G (v s ) = 1 + avec G (0 ) = 1 + 2 > 3 R1 R1 RCTP R0
Avec la croissance de la tension de sortie v s , pour une rsistance CTN, RCTN schauffe et baisse la valeur pour se stabiliser la valeur de 2 R1 lorsque lamplitude a atteint sa valeur dquilibre.
Rglage par rsistance variable
La rsistance dynamique que prsente un transistor JFET entre drain et source peut remplacer la rsistance R1 . Dans la zone ohmique, une approche stylise de cette rsistance commande par la tension VGS scrit :
10mA RON 2N4416A
VGS = 0V
RDS
0A lieu de pincement
RON V 1 GS VP
avec RON =
VP I DSS
RON RDS < pour 0 VGS < VP .
-10mA -4.0V ID
-2.0V
0V VDS
2.0V
4.0V
Pour crer la tension continue VGS de commande du JFET, on utilise un dtecteur damplitude. Le circuit suivant est un redresseur ngatif (JFET canal N) simple alternance filtre C1 Pot dont les valeurs de composants sont telles que lon obtient un dtecteur de crte.
D1
POT vs C1 VGS
J1 vds
La variation du potentiomtre permettra de dfinir le niveau de sortie v s . Dautre part, il faut respecter le rgime aux faibles signaux du JFET si lon veut un fonctionnement distorsion minimale ( v ds de quelques dizaines de mVPP ). A cette fin, on peut mettre une rsistance R en srie avec RDS , ou prendre une fraction de la tension de sortie laide dun pont de rsistances pour le circuit de contreraction, ou encore mettre une rsistance R en srie avec RDS et un pont de rsistances pour la contre-raction.
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La premire solution est illustre ci-dessous avec R1 sidentifiant R '+RDS . Ainsi, G = 1 +
stabilisation pour R2 = 2 (R '+RDS ) . Lorsque v s = 0 , RDS = RON car VGS = 0 et le gain G est maximal. A lapparition dun signal de sortie, la tension VGS devient ngative, RDS augmente et le gain diminue tel que 1 < G 1 +
R2 . R '+RON
R2 et R '+RDS
C +
R C R2 vs
R' J1 vds POT
D1
C1
Les oscillateurs accordables LC

La frquence procure par les oscillateurs RC est souvent limite par les performances des amplificateurs (quelques MHz). Sil faut une frquence doscillation plus leve (rcepteur FM par exemple), un condensateur ou une bobine variable accorde loscillateur. Ces oscillateurs utilisent gnralement un seul transistor. Dans lanalyse qui suit, nous supposons que le quadriple de la chane directe est un amplificateur de tension dimpdance dentre Ze trs leve, de gain en tension vide Av ngatif ( Av > 0 ) et dimpdance de sortie Zs = R0 (par exemple un JFET ou un A.O.). Le schma de principe est alors le suivant, avec Z1 , Z 2 et Z 3 des ractances pures (inductives ou capacitives).
ve - Av v e
R0 vs
Z v s = Av v e Z + R 0 Z 1 v = vs e Z Z3 + 1
Z1
Z3
Z2
avec Z = Z 2 // (Z1 + Z 3 )
vs Z G = v = Av Z + R e 0 v Z 1 B' = e = v s Z1 + Z 3
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G B' = Av
Z1 Z 2 R0 (Z1 + Z 2 + Z 3 ) + Z 2 (Z1 + Z 3 )
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Z1 =1 Av Z1 + Z 3 Pour que G B' = 1 , il faut que ou encore Z + Z + Z = 0 2 3 1
Z1 =1 Av . Z2 Z + Z + Z = 0 2 3 1
Daprs ces conditions, Z1 et Z 2 doivent tre des ractances de mme type, donc ractances inductives ou ractances capacitives. Quant Z 3 , cest une ractance de type oppos Z1 et Z 2 .
L3 C3 L3 C3
C2
C1
L2
L1
C2
C1
Colpitts
Hartley
Clapp
Dans le cas dun oscillateur Hartley, il y a couplage mutuel entre les deux bobines et les quations prcdentes ne sappliquent pas (mthode de la contre-raction utilisant les matrices y).
Application : oscillateur JBT
+Valim RC
condensateur de couplage
+Valim
R1
RC
CC R1 Q
CB Q C2 R2 RE CE
condensateur de dcouplage
CB L2 L C1 R2 RE
CE L1
condensateur de dcouplage
Les oscillateurs quartz

Un quartz est un rsonateur mcanique : effet pizo-lectrique, trs forte surtension (1000), coefficient de temprature de 10 4 10 9 %/C. Si une tension sinusodale est applique entre les lectrodes, la lame cristalline entre en vibration. Il existe plusieurs modes de vibration caractriss par leur pulsation propre et leur facteur de qualit. Suivant les dimensions du cristal, son mode de vibration et lharmonique excit, on peut obtenir des frquences de quelques kHz la centaine de MHz. Le schma lectrique est le suivant :
X
ractance inductive
C 0
p s
log
ractance capacitive
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Page 111
Si la rsistance R du modle de comportement est nglige, limpdance du cristal est une ractance
j X ( ) =
2 j 2 s 2 2 C' p
2 avec s =
1 1 1 1 2 et p = + LC L C C'
avec s pulsation de rsonance srie (pulsation impdance nulle) et p pulsation de rsonance parallle (frquence impdance infinie). Pour s < < p ractance inductive et en dehors de cet intervalle ractance capacitive. Comme C reprsente la capacit lectrostatique entre les lectrodes, C ' >> C
p s et
p > s de 0.3%.
Application : oscillateur quartz et JFET 1 MHz

-22V
L 61-122uH
C 300p
Cgd + Cparasite G
D 2N2608 S
quartz 1 MHz
10M 2.2k
(condensateur de dcouplage) 22n
Daprs ltude thorique du paragraphe prcdent, Z1 est remplac par un cristal, Z 2 par la combinaison LC rsonance et Z 3 par la capacit Cgd entre grille et drain. Il sensuit que Z1 et Z 2 doivent tre du mme type, savoir inductive pour la ractance du cristal et le rseau LC, puisque Z 2 est capacitive. Pour avoir un gain de boucle G B' > 1 (dmarrage des oscillations), L ne peut tre trop petit. Le circuit oscillera donc une pulsation comprise entre s et p , mais voisine de p . Comme p s , la frquence doscillation est essentiellement dtermine par le cristal et non par le reste du circuit.
Simulation : Filtre de Wien (rponse en frquence module et phase)

400mV 1 100
C2 15n
R4 10k
1Vac 0Vdc
1061 Hz, 333.3 mV
R3 10k
C1 15n
v1
200mV
1061 Hz, 0 0V -100 100Hz 1
B(j) 2
1.0KHz arg(B(j)) Frequency
10KHz
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Simulation : Oscillateur pont de Wien et JFET
R3 10k C1 15n
V+ + S uA741 V-
R2 R6 18k J1
J2N4416A G
37.5k D1 R5 100k C3 100u

D1N4148
R4 10k
C2 15n
4.0V
0V
-4.0V 0s vs VGS 0.5s Time 1.0s 1.5s
Dmarrage de loscillateur
5.89 Vpp 2.0V
frquence des oscillations 1052 Hz
1.96 Vpp 0V 78 mVpp -2.0V
-2.38 V
1.4150s vs
V+
1.4155s VGS
1.4160s vds Time
1.4165s
1.4170s
Rgime permanent
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Gnralits
Rappelons le schma :
iS secteur
transfo
redresseur
filtre
vE
rgulateur
vS
Rcharge
Un rgulateur de tension permet dobtenir une tension continue quasi-constante, ne prsentant quune ondulation rsiduelle trs faible. La tension rgule v S (t ) dpend des variations de la tension dalimentation v E (t ) , du courant continu soutir i S (t ) et de la temprature T.
Soit v S = f (v E , i S ,T )
dv S =
v S v v dv E + S di S + S dT v E i S T
avec
SV =
v S dv S facteur de rgulation = v E dv E IS =cte T =cte

v S dv S rsistance de sortie du rgulateur = i S v E =cte di S T =cte
R0 =
ST =
v S dv S = =cte coefficient de temprature T E dT v i =cte

S
Il faut minimiser ces coefficients afin damliorer la rgulation. Ils reprsentent une linarisation des caractristiques du rgulateur autour dun point de fonctionnement. Pratiquement, les performances suivantes (donnes du constructeur) sont prfres le coefficient de rgulation en ligne (line regulation) en %, le coefficient de rgulation de charge (load regulation) en %, le taux de rjection de londulation (ripple rejection) en dB.
Les grandeurs v E , v S , i S scrivent, de manire classique, par la superposition dune composante continue et de la variation autour de cette valeur constante. Ainsi,
v E (t ) = VE + v e (t ) , v S (t ) = VS + v s (t ) , i S (t ) = IS + i s (t ) v s = SV v e R0 i s + ST dT .
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Principe
La tension de sortie est rgule en lasservissant une rfrence de tension v ref (T ) = Vref + Vref (T ) dpendant de la temprature. Ici le principe de lalimentation rgule utilise un transistor ballast et un retour non unitaire.
Q V+ vE + iP R2 vS Vi
-
iS
Rcharge vS R1
+ vref
Cest une contre-raction de tension srie o le courant de pont R1 R2 est ngligeable. Le transistor
Q est mont en metteur suiveur (attaqu par la base et sortie sur lmetteur charg par Rch ) et de ce fait, le gain en tension est voisin de lunit.

' VS = Ad (Vref VS ) = VBE + VS
avec =
R1 R1 + R2
VS
Ad Vref car AdVref >> VBE 1 + Ad
R2 Si Ad >> 1, alors VS 1 + R Vref 1
Conditions de bon fonctionnement
V+ > VS + VBE V Vref I << I P << IS
Etude du rgime dynamique (aux faibles signaux et aux frquences moyennes)
Considrons un comparateur tel que Ad = 2000, Rs = 100 , Rd = 1 M et un transistor ballast = 50, rce = 50 k . Ici, dVref Vref .
ib rce i Rs vd Vref Rd ib Ad vd rbe R2 is
ve
ip vs
R1
Vref v d + v s car Rd >> R1 // R2 Ad v d = ( Rs + rbe )i b + v s i s ( + 1)i b + i avec i p << i s v = r i + v ce s e
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Ad Vref (1 + Ad )v s i b Rs + rbe r i ( + 1)r i + v v ce b e s ce s
vs
Ad 1 + Ad
Rs + rbe R +r v e s be i s Vref + ( ) ( ) 1 1 r A + A + d ce d
do les coefficients :
Ad SV = 1 + Ad Ad ST = 1 + Ad Ad R0 = 1 + Ad Rs + rbe ( + 1) rce Ad dVref dT Rs + rbe ( + 1)Ad (faible si Ad grand) (li la stabilit de la rfrence de tension) (faible si Ad grand)
Application : R1 = 5 k, R2 = 5 k = 0.5 et Ad = 1000 >> 1 ; le courant de sortie de lamplificateur est suppos tre de lordre de 10 mA Rs >> rbe .
SV 4 10 8 ; ST 2 Vref ; R0 = 2 m dT
Rfrence de tension
Le terme Vref (T ) doit tendre vers zro, afin dobtenir une bonne rfrence de tension.
Rfrence de tension diodes

La drive dVZ dT dune diode Zener, en fonction de la temprature, dpend de la diode et du courant qui la traverse. Son coefficient de temprature peut tre positif ou ngatif. Comme les jonctions classiques de diodes ou les VBE des transistors bipolaires prsentent un coefficient de temprature ngatif denviron 2 mV / C (silicium), il est possible de concevoir un coefficient de temprature nul pratiquement une temprature donne ( Tamb = 25 C ) en associant une diode zener avec des diodes classiques.
R vE vref D1 D2 Z1
tension non rgule
tension de rfrence
En rgime continu, il faut respecter I Z VZ < PZ max .
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Page 116
En rgime dynamique, on a
R
r ve VZD
+ -
Vref =
Vref
r R ve + VZD r +R R+r
avec r rsistances des diodes en srie et VZD variations sur les diodes.
La rfrence de tension est dautant meilleure que les rsistances dynamiques des diodes sont faibles (r), la rsistance quivalente de polarisation est grande (R), la variation de la source v E est faible ( v e ) et le coefficient de temprature et de vieillissement VZD des diodes est faible.
Rfrence de tension intgre

tension non rgule
vE R2 1k R1 60k Q2 I0 Q1 D1 RA 4.6k Q3 R3 1k
source de courant
vref Z1 Z2 RB 3.3k D2 D3 tension de rfrence
Pour ce type de rfrence de tension, il est ncessaire de disposer dun systme assurant un dmarrage correct du dispositif la mise sous tension puisque le courant de rfrence I 0 , produit par le miroir Q2 Q3 , ne peut tre obtenu quau moment o lon dispose de la tension nominale VE . Une source de courant annexe R1, D1, Z1 est utilise cette fin pour polariser la rfrence de tension au dmarrage et une fois le fonctionnement normal atteint, cette dernire est dconnecte ( D1 bloque). Mcanisme : La diode Z1 est polarise par R1 , la tension VZ1 fait conduire Q1 . IC1 produit I 0 par effet miroir qui polarise la diode Z 2 . La tension VZ2 tant suprieure la tension VZ1 , D1 se bloque. Lexpression de la tension de rfrence est obtenue en appliquant le thorme de superposition
Vref = VZ 2 VBE1
) R R+BR
A
+ 2VD
B
RA R A + RB
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Page 117
Le choix des rsistances R A et RB est tel que le coefficient de temprature nul Tamb = 25 C .
dVZ2 dVBE1 dVref =0= dT dT dT RB dVD RA R + R + 2 dT R + R B A B A dVZ2
dVref soit pratiquement dT
R = 2 10 3 1 2 A dT RB
V / C
Application :
dVZ2 dT
= + 3.5 mV / C
choix de la diode zener Z 2 .
Rgulateur de tension srie 3 bornes

Synoptique :
E
source de courant limitations
R2
amorage
Vref
ampli diffrentiel
R1
M
Elments de limitation et de scurit :
R3 R4 Z1 R5 IS
Vref + I Q1
R2
R1
M
PdissQ (VE VS ) IS
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Si VS = 0
PdissQ VE ISCC
Page 118 Les rgulateurs de tension
Limitation rabattement
VS
V0 VE -VZ1
VS V0 (fonctionnement normal)
IScc
ISmax
IS
Le transistor Q1 est doublement command, dabord par limitation dintensit VBE1 R3 IS ( I B1 << IS ), puis par la tension VCE de Q qui fait conduire la diode zener. Lorsque la limitation en intensit est amorce, la tension VSM du rgulateur diminue. Comme VEM est quasi constante, la tension VES augmente et la diode zener commence conduire. Il faut que VZ1 < VE V0 , la rsistance R5 ayant une valeur telle que le transistor Q1 drive la totalit du courant I lorsque VSM = 0 (court-circuit en sortie). La diode zener est prvue pour commencer conduire lorsque VS VE VZ1 , en ngligeant les chutes de tension dans R 4 et R5 .
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Page 119
Gnralits
Calcul des puissances
alimentation V, Imoy, Pf
tages intermdiaires entre ve, ie, Pe
RE
sortie vs, is, Ps
nergie perdue Pd
Le bilan nergtique de lamplificateur ci-dessus montre que : le signal dentre est dfini par v e , i e et Pe (puissance fournie la rsistance dentre Re ), le signal de sortie est appliqu une charge et dfini par v s , i s et Ps , lalimentation fournit une tension continue V, un courant moyen I moy , une puissance associe
Pf .
Lnergie fournie par lalimentation nest pas entirement transmise la charge. Une partie est dissipe par effet Joule dans les tages de sortie (transistors de puissance). Lnergie fournie par le gnrateur dentre est dissipe dans la rsistance dentre Re . Il y a des tages intermdiaires qui traitent linformation. Un bilan des puissances est alors ncessaire cause des fortes puissances de sortie, do la notion de rendement.
Puissance instantane
i(t) v(t)
P (t ) = v (t ) i (t ) ou P ( ) = v ( ) i ( ) en rgime sinusodal
Puissance moyenne Valeur moyenne de la puissance instantane
Pmoy =
1 T
T 0
v (t ) i (t ) dt ou
1 2
2 0
v ( ) i ( ) d
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Page 120
Puissance moyenne gnralise
Si v (t ) et i (t ) sont de forme quelconque, on dcompose en srie de Fourier

v (t ) = V0 +
n =1
Vn cos(nt + n )
i (t ) = I 0 +
I
m =1
cos(mt + m )
avec
V0 , I0 : valeurs moyennes des tension et courant Vn , I m : valeurs maximales des tensions et courants sinusodaux de pulsation n et m et de phase n et m .
Pmoy = V0 I 0 +
V1 I1 V2 I 2 + + L = V0 I 0 + V1eff I1eff + V2eff I 2eff + L 2 2
La puissance moyenne ne fait intervenir que les produits des tensions et courants efficaces de mme pulsation. Si rgime sinusodal pur Si v (t ) = V = cte Si i (t ) = I = cte
Pmoy = Veff I eff Pmoy = V I moy

Pmoy = Vmoy I
Rendement
= Ps Ps = Pf Ps + Pd
avec Ps , Pf , Pd respectivement puissance de sortie, puissance fournie par les alimentations, puissance dissipe par lamplificateur.
Puissance de sortie maximale
RS ve RE v0 vs Rch
Ps =
2 vs Rch 2 = vo Rch (Rch + Rs )2
Etude des variations
dPs 2 Rs Rch = vo dRch (Rch + Rs )3
Condition pour que la puissance dans la charge soit maximale :
dPs =0 dRch
Rch = Rs 2 vo Psmax = 4R ch
En H.F., pour transmettre lnergie par cble coaxial, il faut que celui-ci soit adapt, cest--dire quil voit ses extrmits une rsistance gale son impdance caractristique.
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Page 121
Distorsion
Plusieurs types de distorsion peuvent avoir lieu, savoir la distorsion lie la variation damplitude (amplitude variable en fonction de la frquence), la distorsion de phase (dphasage variable du signal de sortie par rapport au signal dentre en fonction de la frquence), la distorsion apporte par le bruit (50 Hz, ondulation de lalimentation, ), la distorsion de non-linarits (dformation du signal transmis par des composants travaillant forts signaux) conduisant la distorsion harmonique et la distorsion dintermodulation. Ces effets peuvent tre plus ou moins contrs par contre-raction, blindage, polarisation,
Distorsion harmonique
La distorsion harmonique peut tre dfinie partir de la dcomposition en srie de Fourier pour un signal f (t ) de pulsation 0 = 2 T et T = 1 f .
f (t ) = a0 +
n =1
an cos n 0 t +
b sin n t
n
0
n =1
avec a0 =
1 T
T 0
f (t ) dt , an =
2 T
T 0
f (t ) cos n0 t dt , bn =
2 T
T 0
f (t ) sin n0 t dt
Suivant la parit du signal dentre v e (sinus ou cosinus), seule une srie est prsente ( bn ou an respectivement). Par exemple,
amplitudes
amplificateur non-linaire
V sin 0 t
n =1
bn sin n 0 t
f0
2 f0
3 f0
4 f0
frquences
La distorsion est dfinie comme tant le rapport entre la valeur efficace des harmoniques de rang suprieur 1 et la valeur efficace du fondamental
d=
2 2 2 + A3 + A4 +L A2
A1
(en %)
avec An =
an 2
ou
bn 2
suivant la parit.
Les distorsiomtres du march mesurent plutt

d' =
2 2 2 A2 + A3 + A4 +L 2 A1
2 A2
2 A3
2 A4
+L
2 2 2 A2 + A3 + A4 +L
v seff
et d d ' si d < 20% , sinon d = d '
1 d '2 .
De faon plus gnrale, on peut prsenter les distorsions de non-linarits partir de la caractristique de transfert en tension v s (v e ) dun amplificateur.
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Page 122
vs vS(t)=VSo+ vs VSo point de repos
VEo vE(t)=VEo+ ve
ve
Dveloppe en srie de Taylor, cela donne : f ' ' VE0 f ' ' ' VE0 2 3 + v e +L v S = f VE0 + v e = f VE0 + v e f ' VE0 + v e 2! 3!
) ( )
( )
0
( )
( )
avec f VE0
3! ( remarquer que la distorsion augmente avec lamplitude du signal dentre).
E ) ( ) point de repos, f ' (VE ) gain en tension en rgime linaire, f ' ' (V 2! f ' ' ' (VE ) terme de distorsion cubique, quadratique,
0 0
terme de distorsion
En considrant un signal dentre sinusodal de la forme v e = Ve sin 0 t :
cas des faibles signaux

v s = A v e = AVe sin 0 t
(amplification linaire)
cas des forts signaux

2 3 v s = A v e + B v e + C v e + ... = AVe sin 0 t + B Ve2 sin 2 0 t + C Ve3 sin3 0 t + L
1 cos 20 t sin 0 t 1 3 1 et sin3 0 t = [sin 3 0 t + sin( 0 t )] = sin 0 t sin 3 0 t 2 4 4 4 2 2 2 3 2 3 B Ve 3C Ve B Ve C Ve soit v s (srie tronque lordre 3) + AVe + sin 0 t cos 20 t sin 30 t 2 4 2 4 sin2 0 t =
amplitudes A Ve + B Ve2 2 3C Ve3 4 B Ve2 2 C Ve3 4 3 f0 frquences
f0
2 f0
La reprsentation spectrale montre que le signal de sortie est constitu dune composante continue (qui vient sajouter VS0 ) et des harmoniques de rang 1, 2 et 3.
Distorsion dintermodulation
Cest linfluence de deux signaux sinusodaux appliqus lentre de lamplificateur.
v 1 = V1 sin 1t et v 2 = V2 sin 2t
soit v e = v 1 + v 2 = V1 sin 1t + V2 sin 2t
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cas des faibles signaux

v s = A v e = AV1 sin 1t + AV2 sin 2t
(amplification linaire)
cas des forts signaux (limit au terme cubique)

2 3 v s = A v e + B v e + C v e = A (v1 + v 2 ) + B (v1 + v 2 ) + C (v1 + v 2 ) 2 3
2 2 3 3 2 2 = A v 1 + A v 2 + B v 1 + B v 2 + 2B v1 v 2 + C v1 + C v 2 + 3C v1 v 2 + 3C v1 v 2 2 3 2 3 + C v 1 gnrent les frquences f1, 2 f1, 3 f1 , A v 2 + B v 2 + C v 2 gnrent Les termes A v1 + B v1
les frquences f2 , 2 f2 , 3 f2 , 2B v 1 v 2 gnre les frquences frquences

n v 1 m v 2
2 f2 f1 , 3C v1 v 2 gnre les
2 f2 2 f1 , 3C v1 v 2 gnre les frquences
2 f2 f1 (de faon gnrale, le terme
gnre m f2 n f1 ).
amplitudes
f2 - 2 f1
f2 - f1
f2 + f 1
f2 + 2 f1
2 f 2 - f1
2 f 2 + f1
f1
2 f 1 3 f1
f2
2 f2
3 f2
frquences
Remarques : Un amplificateur attaqu par un signal doit tre immunis contre le bruit (ondulation dalimentation) afin de diminuer la distorsion dintermodulation. La mesure du taux dintermodulation est plus significative que celle du taux dharmomiques. La synthse de frquence utilise le principe de distorsion dintermodulation pour gnrer des frquences n f1 m f2 .
Distorsion dintermodulation transitoire

Soit le systme asservi attaqu par un chelon de tension.
e(t) + s(t)
G
-
H ( p) =
B
G( p ) 1 + G ( p ) B( p )
La distorsion dintermodulation transitoire (DIT) se mesure partir du slew rate. En conclusion, il faut utiliser des transistors de puissance rapides et avoir des gains de boucles (H) rduits. De plus, en rgle gnrale, il faut quun montage metteur commun soit command en courant et quun montage collecteur commun soit command en tension.
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Amplificateurs classe A
Les tages, tudis jusquici, amplifiaient intgralement les deux alternances du signal. Ils fonctionnaient donc en classe A. Aux faibles signaux, la distorsion est considre comme inexistante, mais forts signaux, il faut en tenir compte (0,01 % en HiFi).
Etage dissymtrique
Cest un tage un seul transistor attaqu par un signal sinusodal v e ( ) = Ve sin avec = t .
Liaison continue
+ VCC vS Rch ICo VCEo = VCC / 2 ve IBo
0
IC 2 ICo ICo
Q1
VCEo
VCC
VCE
V0
Constatons que les droites de charge statique et dynamique ont mme configuration V 1 1 v ce . Le point de repos se situe au milieu de la droite de charge IC = VCE + CC et i c = Rch Rch Rch ( IC o =
VCC V , VCEo = CC ). 2 Rch 2
En rgime continu Puissance fournie par lalimentation Palim = VCC ICo = Puissance dissipe dans le transistor Pdiss Q = Puissance dissipe dans la charge Pdiss R Au total, Palim = Pdiss R + Pdiss Q .
ch ch
2 VCC 2 Rch
VCC IC o 2 V = CC ICo 2
En rgime dynamique Soit Vs lamplitude crte de la tension sinusodale en sortie.
v S ( ) = v CE ( ) = VCEo Vs sin =
V V V VCC Vs sin et i C ( ) = ICo + s sin = CC + s sin . 2 2 Rch Rch Rch

2 VCC 2 Rch
Puissance fournie par lalimentation Palim = VCC ICo = Puissance dans la charge (en Weff)
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Ps ( ) =
1 2
2 0
2 v CE ( ) 1 d = Rch 2 Rch
1 2 Rch
2 VCC Vs VCC sin + Vs2 sin 2 d 0 4 2 2 2 2 V 2 2 VCC V V2 CC (1 cos 2 ) d sin d + s = + s . d Vs VCC 0 0 4 2 0 4 Rch 2 Rch
La puissance dans la charge est la somme dune puissance dissipe par effet Joule Pdiss R et dune puissance utile Putile = Rendement =
Putile V2 = s Palim 2 Rch
Vs2 . 2 Rch
2 V2 VCC = s 2 2 Rch VCC
ch
2 VCC 4 Rch
Pour la valeur crte maximale Vs
VCC , max 25 % . 2
2 VCC V2 V2 V 2 2Vs2 CC s = CC 2 Rch 4 Rch 2 Rch 4 Rch
Puissance dissipe dans le transistor

Palim = Pdiss R + Putile + Pdiss Q
ch
Pdiss Q =
de valeurs maximale
2 VCC V2 V pour Vs = 0 et minimale Pdiss Q = CC pour Vs CC . min 4 Rch 8 Rch 2 Le transistor dissipe donc deux fois moins amplitude maximale du signal de sortie qu vide.
Pdiss Q
max
En conclusion, deux dfauts apparaissent, savoir le courant de repos traverse la charge et le rendement est faible. Les solutions sont une liaison de la charge par un condensateur ou par transformateur.
Liaison par condensateur

+ VCC IC RC ICo R ve IBo Q1 VCEo = VCC / 2 Rch vS C
0
2 ICo ICo
pente - 1/(RC // Rch) pente - 1/RC VCEo VCC VCE
V0
En rgime continu Puissance fournie par lalimentation Palim = VCC ICo = Puissance dissipe dans le transistor Pdiss Q = Puissance dissipe dans la charge Pdiss R
ch
2 VCC 2 RC
VCC V2 ICo = CC 2 4 RC VCC V2 ICo = CC 2 4 RC
=0
Puissance dissipe dans la rsistance de collecteur Pdiss R =

C
Au total, Palim = Pdiss R + Pdiss Q .

C
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En rgime dynamique Les droites de charge statique et dynamique ont des configurations diffrentes, pentes gales respectivement 1 RC et 1 (RC // Rch ) . Puissance fournie par lalimentation Palim = VCC ICo = Puissance dans la charge Putile =
Vs2 . 2 Rch
C
2 VCC (inchange en classe A). 2 RC
Puissance dans la rsistance de collecteur Pdiss R = Rendement =

Putile = Palim 2 Rch Vs2
2 VCC
2 VCC V2 + s . 4 RC 2 RC
2 RC
Vs2 2 VCC
RC . Rch
Evaluons le rendement dans le cas dun choix tel que Rch = RC . La pente de la droite de charge dynamique est deux plus importante que celle de la droite de charge statique. Lamplitude crte maximale du signal de sortie ne pouvant approcher quune valeur Vs VCC 4 , max 1 16 6 % . Ce rendement est trs mauvais. Pour obtenir une dynamique de sortie la plus importante possible, il faut que la droite de charge dynamique ne sloigne pas trop de la droite de charge statique ( Rch >> RC ), ce qui conduit une puissance utile faible et donc un rendement non acceptable.
Liaison par transformateur

+ VCC n = n2 / n1 IC 2 ICo Rch
0
pente (statique)
n1
n2
ICo
ICo R ve IBo Q1 VCEo = VCC
VCC
2 VCC VCE
V0
Le transformateur tant suppos parfait (rsistance nulle, couplage parfait, inductance magntisante infinie), son primaire prsente une rsistance nulle en continu (droite de charge verticale) et une rsistance Req = Rch n 2 en dynamique (droite de charge pivotant autour du point de polarisation). La puissance de sortie maximale est dfinie par une dynamique maximale de la tension et du courant en 2VCC VCC . rgime sinusodal. Loptimal est obtenu pour Req = = 2 IC o I Co En rgime continu Puissance fournie par lalimentation Palim = VCC ICo Puissance dissipe dans le transistor Pdiss Q = VCC ICo Au total, Palim = Pdiss Q .
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En rgime dynamique Puissance fournie par lalimentation Palim = VCC ICo . Puissance dans la charge Putile = Rendement =
2 Putile Vs ICo = 2VCC Palim
Vs2 V 2 IC o = s . 2 Req 2 VCC Vs2

2 2VCC
o
(VCC IC ) =
Pour une amplitude crte maximale en sortie ( Vs VCC ), max 50 % et le rendement est correct.
Etage symtrique
Un amplificateur de puissance fournit habituellement plusieurs dizaines de watts dans une charge de faible valeur.
+ VCC ICo Q1 VCEo VCC / 2 RE Rch VCC / 2
Le montage collecteur commun est alors ltage de sortie dun amplificateur de puissance le plus adapt car sa rsistance de sortie est faible, ce qui favorise le transfert dnergie vers la charge. Par contre, il namplifiera que le courant, le gain en tension tant voisin de lunit. Le rle de la rsistance RE tant uniquement de fixer la tension VCEo la moiti de la tension dalimentation (perte dnergie par effet Joule), celle-ci est remplace par un transistor complmentaire afin dobtenir un montage symtrique.
Etage push-pull srie

Rappelons quaucun courant continu ne doit traverser la charge. Si la charge est en liaison directe, la solution est dalimenter le montage par deux sources de tension symtriques ( VCC ). Le point commun des metteurs est alors au potentiel 0 V et la charge aussi (masse).
+ VCC iC1 iC1 = ICo + I sin 2 ICo ICo iS
0
IC1
V0
Q1
VEB2 ve V0 Q2 iC2 - VCC Rch vS iC2 = ICo - I sin
VBE1 ICo 2 ICo IC2
vbe = vs ve
En rgime continu Puissance fournie par lalimentation Palim = 2VCC ICo Puissance dissipe dans le transistor Pdiss Q = VCC ICo Au total, Palim = 2 Pdiss Q .
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En rgime dynamique Puissance fournie par lalimentation Palim = 2VCC ICo .
V 2I Vs2 ou Putile = s = Vs I . 2 Rch 2 2 Puissance dissipe dans un transistor V I Palim = Putile + 2 Pdiss Q Pdiss Q = VCC ICo s 2 Putile Vs I = . Rendement = Palim 2VCC ICo
Puissance dans la charge Putile = Pour une amplitude crte maximale en sortie ( Vs VCC , I ICo ), le rendement maximal est
max 50 % et les transistors dissipent moins avec signal quau repos ( Pdiss Q
max
VCC ICo ). Notons
que la distorsion est amliore car la sortie sur les metteurs engendre une contre-raction due la charge.
Etage push-pull parallle

Une liaison de la charge par transformateur est effectue ici. Le montage utilise donc un transformateur de sortie double primaire. Le courant statique ICo , circulant dans chaque transistor, cre un flux en opposition qui sannule.
iC1 = ICo + Ic1 Q1 V0 ve n1 Q2 iC2 = ICo + Ic2
0
n = n2 / n1 IC n1 n2 2 ICo vS ICo pente - 1/Req optimale pour Req = VCC / ICo
VCC
Rch
VCC
2 VCC
VCE
En rgime continu Puissance fournie par lalimentation Palim = VCC 2 ICo Puissance dissipe dans le transistor Pdiss Q = VCC ICo Au total, Palim = 2 Pdiss Q .
En rgime dynamique Puissance fournie par lalimentation Palim = VCC 2 ICo . Puissance dans la charge Putile = 2
IC Vs2 = Vs2 o 2 Req VCC
avec Req =
Rch n
2
VCC . IC o
Puissance dissipe dans un transistor IC 1 Palim = Putile + 2 Pdiss Q Pdiss Q = 2VCC ICo Vs2 o VCC 2 Rendement =
2 Putile Vs ICo = VCC Palim
2 2VCC Vs2 = I Co 2VCC
(2VCC IC ) =
o
Vs2
2 2VCC
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Pour une amplitude crte maximale en sortie ( Vs VCC ), max 50 % et la dissipation des transistors est deux fois moins importante quen rgime continu ( Pdiss 2 Q VCC ICo ).
max
La distorsion est amliore par la topologie (miroir vertical) et par le choix de transistors appairs, comme le montrent les calculs suivants.
Ve VBE1 = 2 + V0 Ve V BE2 = 2 + V0 VBE1 I I e UT 1 C1 S VBE2 IC2 IS e UT 1
V0 V UT = 2 I e sh e S 2 UT
Q1 ve / 2 V0 VBE1
ve / 2
VBE2 Q2
Ve +V0 2 UT IC IS e 1 V e +V0 2 UT I I e C2 S
V0 Ve V e I = IC1 IC2 IS e UT e 2 UT e 2 UT
V0 V 1 Ve soit I 2 IS e UT e + 2U 3 ! T 2 UT
3 + ...
Le montage push-pull parallle (classes A, AB, B) possde la proprit de ne gnrer que des harmoniques impaires condition, bien sur, que les transistors de puissance soient appairs.
Amplificateurs classe B
Les amplificateurs classe B sont des montages push-pull dont les transistors de puissance travaillent lun aprs lautre. En ralit, cest un fonctionnement en classe AB. Trois types de montages sont possibles, savoir lamplificateur push-pull srie liaison continue en sortie aliment par deux sources dalimentation symtriques (amplificateurs linaires intgrs), lamplificateur push-pull srie liaison capacitive en sortie aliment par une source dalimentation (amplificateurs audiofrquences), lamplificateur push-pull parallle liaison par transformateur en sortie double enroulement primaire aliment par deux sources dalimentation symtriques (convertisseurs).
Amplificateur push-pull srie

Lintroduction des divers composants qui composent ce type de montage est explique par tapes successives. Une approche lmentaire du fonctionnement de lamplificateur est entreprise avant de considrer le comportement rel.
Structure thorique lmentaire

Lamplificateur push-pull srie utilise deux transistors complmentaires appairs (technologiquement identiques), la conduction de leurs jonctions base-metteur se produisant au seuil V 0.6 V 25 C (caractristique linaire par morceaux). Le montage peut tre aliment par deux sources de tension mises en srie point milieu la masse ou par une source unique.
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Alimentations symtriques
Lamplificateur est aliment par deux sources VCC , permettant ainsi une liaison continue avec la charge.
vS + VCC
Q1 bloqu
VCC - VCE1sat
Q2 bloqu
ib1 Q1 is ib2
- V vs
vE
ve
Q2
Rch
- VCC + VEC2sat - VCC
0 2
Q1 conduit pour v e ( ) > 0.6 V et Q2 conduit pour v e ( ) < 0.6 V , do une distorsion de raccordement trs prsente bas niveau. Pour pallier ce problme, deux sources auxiliaires de valeur V 0.6 V compensent les seuils thoriques des jonctions.
+ VCC pour ve > 0 Q1 V ve 0.6 V Rch vs
2 0 0 Q1 bloqu
vS VCC - VCE1sat
Q2 bloqu
vE
- VCC + VEC2sat ve V Rch 0.6 V Q2 pour ve < 0
vs
0 2
- VCC
Caractrisation dynamique aux faibles signaux Gain en tension vide A v 1 , rsistance dentre Re Rch , rsistance de sortie avec une rsistance rg de gnrateur Rs rg .
Caractrisation dynamique aux forts signaux

v s ( ) = Vs sin avec Vs < VCC (valeur crte).
Puissance dans la charge Putile =
Vs2 . 2 Rch
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Chacune des deux alimentations fournit la mme puissance pendant une demi alternance. Pour lalimentation positive, nous avons :
v() VCC i() Vs / Rch
Q1 conduit
0
Q1 bloqu
Q1 conduit 2
+ = Palim
1 2
v ( ) i ( ) d = VCC
1 2
Vs Vs sin d = VCC Rch Rch

Vs . Rch
Puissance fournie par les alimentations Palim = 2VCC Rendement =

Putile V2 = s Palim 2 Rch 2VCC Vs Vs . = Rch 4 VCC
Puissance dissipe dans un transistor Pdiss Q =
2 1 (Palim Putile ) = VCC Vs Vs . 2 Rch 4 Rch
La puissance dissipe est nulle en absence de dynamique ( Vs = 0 ) et maximale pour conduit Vs =

2VCC
dPdiss Q dVs
= 0 , qui
, soit Pdiss Q
max
2 VCC
2 Rch
Pour une dynamique de sortie maximale ( Vs VCC ), max
78 % et Pdiss Q (V
s =VCC )
2 VCC Rch
4 4
La comparaison des valeurs maximales de puissances dissipes trouves dans les deux cas montre Pdiss Q 4 max 1.5 , cest--dire que la puissance maximale dissipe dans un rapport Pdiss Q (V =V ) (4 )
s CC
chaque transistor est de lordre de 1.5 fois celle calcule pour une puissance tension de sortie maximale. Il en dcoulera le calcul des radiateurs.
Alimentation dissymtrique
Le fait dutiliser une alimentation unique impose lemploi dune liaison capacitive avec la charge. Les seuils thoriques des jonctions de Q1 et Q2 sont compenss de la mme faon que prcdemment.
+ VCC + VCC Q1 V C V ve V Q2 Rch vs ve 0.6 V Rch pour ve > 0 Q1 VCC / 2 vs V 0.6 V ve Rch vs VCC / 2 Q2 pour ve < 0
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A la mise sous tension de lamplificateur, le condensateur de liaison se charge la valeur VCC 2 . Cest un translateur de potentiel, la tension restant quasi constante (nergie emmagasine la mise sous tension trs grande devant la variation dnergie en rgime variable). Le point de repos en sortie du push-pull est alors VCC 2 . Pour v e > 0 , Q1 conduit et Q2 bloqu. La source VCC fournit lnergie la charge et la valeur crte maximale thorique de la tension de sortie est Vs VCC VCC 2 = VCC 2 . Le condensateur rcupre la trs faible nergie quil perd pendant lautre alternance. Pour v e < 0 , Q1 bloqu et Q2 conduit. Le condensateur fournit lnergie la charge et perd donc la trs faible nergie telle quil a t dit plus haut. La valeur crte maximale en sortie est identique Vs VCC 2 . Caractrisation dynamique aux faibles signaux Les performances sont identiques celles obtenues avec le montage alimentations symtriques, le condensateur C de liaison tant quivalent un court-circuit dans le domaine des frquences de travail ( A v 1 , Re Rch , Rs rg ). Caractrisation dynamique aux forts signaux Considrons le cas des valeurs maximales telles que v s ( ) = Vs sin avec Vs VCC 2 .
2 VCC . 8 Rch Puissance fournie par lalimentation
Puissance dans la charge Putile
v() VCC
i() VCC / 2 Rch
Q1 conduit
0
Q1 bloqu
Q1 conduit 2
Lalimentation fournit de lnergie pendant une demi priode lorsque Q1 conduit.

Palim = 1 2
VCC
2 VCC VCC . sin d = 2 Rch 2 Rch 2 VCC 8 Rch 2 VCC = 0.78 . 2 Rch 4
Rendement max
Les rsultats sont identiques au paragraphe prcdent. Dtermination de la valeur du condensateur de liaison
rs v0 Rch vs C
Il faut que limpdance du condensateur C soit assimile un court-circuit dans la bande des frquences de travail en rgime dynamique aux faibles signaux. Sa valeur doit respecter la frquence de coupure du filtre passe-haut constitu partir de lquivalent de Thvenin du montage avec rs rsistance et v 0 tension vide en sortie.
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La fonction de transfert est la suivante
Vs ( p ) Rch C p avec lhypothse Rch >> rs . V0 ( p ) 1 + Rch C p

1 1 , il faut satisfaire lingalit C > . Rch C Rch c
La pulsation de coupure 3 dB tant c
Polarisation par diodes

La polarisation interbases denviron 1.2 V peut tre produite par deux diodes parcourues par un courant tel que la tension aux bornes de chacune soit de 0.6 V, leur rsistance directe tant faible. Un multiplicateur de VBE ferait aussi laffaire avec un ajustement plus prcis de translation de la tension.
+ VCC R + VCC IR R VB1 D1 IB1 Q1 VBE1 IS + VCC + VCC
0.6 V D1 0V 0V - 0.6 V R D2
Q1
IE Rch Q2
ID1
VE ID2
D2
Rch
VS
- VCC
- VCC
- VCC
Le schma de gauche montre la symtrie par rapport la masse en labsence de signal en entre. Sur le schma de droite, en prsence dune tension positive en entre, Q1 conduit et Q2 est bloqu. Lorsque la valeur crte Ve augmente (assimile ici une tension continue VE ), les potentiels VB1 et
VS augmentent et il en est de mme pour les courants IS et I B1 . La tension aux bornes de la
rsistance R diminue ainsi que le courant I R la traversant. La loi de nud I R = I D1 + I B1 dmontre que
I D1 diminue. Or, la valeur des rsistances R est dtermine de faon que les alimentations fournissent
le courant de polarisation des diodes et les courants de base donnant la dynamique maximale en sortie. Si le courant de la diode devient trs faible ( I D1 0 ), les quations du circuit scrivent :
VCC R I B1 + VBE1 + Rch I B1 max max V R I R I = ch S max ch B1 max S max
VS max
Rch VCC VBE1 R + Rch
Une valeur optimale sera atteinte si lattnuation du pont diviseur tend vers lunit, soit R << Rch . Cependant, il ne faut pas R trop faible car la rsistance dentre du montage aux faibles signaux serait du mme ordre de grandeur ( Re R // R // Rch R 2 ). Cette condition est difficile satisfaire cause de et Rch , le choix des transistors et de la charge tant li par le niveau de puissance souhait en sortie. Une solution est de remplacer les rsistances R par des gnrateurs de courant (miroir lmentaire, Widlar, Wilson, ) apportant leur importante rsistance en rgime dynamique.
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Polarisation des diodes par gnrateurs de courant

Les rsistances R sont donc remplaces par des sources de courant fournissant la valeur I 0 . Prenons, titre dexemple dans les tudes qui suivent, des sources asymtriques de type Widlar utilisant un transistor de type PNP ou NPN selon le sens du courant I 0 gnr. La tension aux bornes de la diode D4 (ou D5 ) polarise la jonction base-metteur du transistor Q3 (ou Q4 ) et celle aux bornes de D3 (ou D6 ) dfinit le courant I 0 par le biais de la valeur de la rsistance R1 (ou R2 ).
+VCC R3 D3 1.2 V D4 0.6 V Q3 R3 I0 1.2 V D6 R2 R1 D5 0.6 V Q4 I0
R1 = R2
0 .6 I0
-VCC
La rsistance z0 de la source tant trs importante en rgime dynamique aux faibles signaux (voir calcul dune source de Widlar), la prsence de ces gnrateurs de courant augmente la rsistance dentre de ltage push-pull ( Re z0 // z0 // Rch Rch ).
+ VCC + VCC + VCC I0 R1 Q1 D1 I0 = IB1 max VBE1 Q1
IB1 max
+ VCC
0.6 V
ve
D2 Q2
Rch
vs
Rch
VS max
I0 - VCC - VCC
Rappelons quen rgime dynamique aux forts signaux, le courant I 0 doit fournir le courant de base maximum et le courant minimal de polarisation des diodes produisant la translation de 0.6 V. Lorsque la dynamique de sortie maximale est atteinte, il faut que ces gnrateurs maintiennent le courant I 0 constant avec une tension minimale leurs bornes ( VEC3 > VEC3 sat ). Les calculs correspondant au schma ( VEC3 sat 0 ) sont :
VCC 0.6 + VBE1 + Rch I 0 Rch I 0 V S max
VS max VCC 1.2
Si le courant de base maximum fournir devient trop important, lutilisation de transistors Darlington permettra de diminuer ce dernier.
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Page 135
Utilisation de transistors Darlington

Un montage push-pull srie Darlington peut se concevoir sous quatre topologies diffrentes.
Montage Darlington simples

+ VCC + VCC
I0 Q3 Q1 R RE
ve
RE R Q2 Q4
Rch
I0 - VCC - VCC
Un Darlington simple impose deux diodes pour polariser les jonctions base-metteur de Q1 et Q3 ( Q2 et Q4 ). La puissance dissipe par Q1 ( Q2 ) tant plus importante que celle de Q3 ( Q4 ), un meilleur fonctionnement est obtenu en ajustant le courant de base par drivation dune partie de courant au travers dune rsistance R et en amliorant la stabilit en temprature par la prsence dune rsistance dmetteur RE faible devant la charge. La dynamique maximale de sortie est alors :
VCC 0.6 + 2VBE + (RE + Rch )IS max Rch IS max V S max
VS max
Rch (VCC 0.6 2VBE ) RE + Rch
Montage Darlington hybrides

+ VCC I0 Q3 Q1 R RE + VCC
RE ve Q4 Q2 I0 - VCC R - VCC
Rch
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Lintrt de ce montage est de prsenter deux transistors de puissance de type NPN (meilleure tenue en claquage VCE max et rapidit par rapport aux PNP), le montage complmentaire de celui-ci nayant aucun intrt. Le montage est dissymtrique, mais la contre-raction attnuera le dfaut.
Montage Darlington composites

+ VCC + VCC
I0
R Q1 Q3 RE
RE ve Q4 Q2 I0 - VCC R
Rch
- VCC
Cest le montage symtrique qui possde la meilleure dynamique de sortie maximale (un VBE ) et la meilleure stabilit thermique.
Attaque de lamplificateur push-pull

Ltage de sortie push-pull est pilot par un tage (driver) qui peut tre un amplificateur de tension intgr ou un tage metteur commun. Quoiquil en soit, ltage driver doit fournir la dynamique maximale de sortie puisque le gain en tension du push-pull est voisin de lunit.
Attaque par un amplificateur de tension intgr

+ VCC + VCC
I0 Q1 D1 RE
+ VCC
+ v - VCC D2 RE Q2 I0 - VCC - VCC
Rch
vs
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Q1 et Q2 peuvent tre des transistors Darlington. Lamplificateur de tension intgr est aliment par
' les tensions VCC . Sa tension v de sortie est donc limite par ces dernires. Cette limite devient celle ' = VCC ). du montage complet ( VCC
Caractrisation dynamique aux faibles signaux avec un amplificateur de tension ( Rd , Ro , Ao ), gain en tension vide A v Ao 1 , rsistance dentre Re = Rd , rsistance de sortie Rs RE + Ro . Caractrisation dynamique aux forts signaux, la dynamique maximale de sortie est avant saturation Rch ' Vmax si VCC < VCC . VS max RE + Rch
Attaque par metteur commun

Le montage metteur commun, charg par la source I 0 , travaille en classe A forts signaux. Il prsentera alors une distorsion importante qui sera compense par leffet de la contre-raction. Au moment o la valeur crte ngative de v est maximale, le transistor Q3 est la limite du blocage. Le potentiel commun des bases de Q1 et Q2 (rsistances des diodes ngligeables) est au niveau VCC 0.6 (limite de saturation du transistor constituant la source de Widlar) et la valeur crte
+ maximale de la tension de sortie scrit VS max
Rch VCC 0.6 VBE1 . RE + Rch

+ VCC
+ VCC
I0 Q1 D1 RE
D2
RE Q2
Rch
vs
Q3 v - VCC - VCC
Au moment o la valeur crte positive de v est maximale, le transistor Q3 est la limite de la saturation. Le potentiel commun des bases de Q1 et Q2 est peu prs au niveau VCC et la valeur
crte maximale de la tension de sortie scrit VS max
Rch VCC VEB2 . RE + Rch
Cette dissymtrie peut tre compense en mettant une rsistance adquate sur lmetteur de Q3 . Caractrisation dynamique aux faibles signaux
i v rbe3 i rce3 z0
Rch
vs
v = rbe3 i v s = 'i rce3 // z0 // Rch
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avec gain en courant de Q3 et z0 rsistance de la source de courant. do gain en tension vide A v =

rce3 // z0
vs ' = rce3 // z0 // Rch , rsistance dentre Re = rbe3 , v rbe3
rsistance de sortie Rs RE +
Asservissement des amplificateurs

Lasservissement a pour but de maintenir la sortie une valeur correcte quelles que soient les perturbations possibles sur lamplificateur. A titre dexemple, le comparateur dentre est ici un amplificateur de tension diffrentiel intgr. La contre-raction est de type tension-tension telle que le gain en tension vide en boucle ferme scrit (conditions dadaptation en tension ralises) Av R1 ' avec Av Ad (chane directe) et = (chane de retour). Av = 1 + Av R1 + R2
R2
+ VCC
I0 Q1
U1 + V ve D2 RE vs Rch D1 RE
R1 I0 C Q2
- VCC
En rgime continu (entre connecte la masse), la contre-raction est prsente pour maintenir, de faon stable, le point de repos au milieu de la tension totale dalimentation ( VS = 0 ). Ceci est possible en ayant un gain statique trs lev et un retour statique unitaire. En effet, le condensateur C tant Ad ' assimil un circuit ouvert, = 1 et A v 1 ( Ad >> 1 ). Le potentiel continu de sortie est 1 + Ad donc maintenu 0 V.
En rgime dynamique dans le domaine des frquences de travail o le condensateur est assimil un court-circuit, la contre-raction est partielle ( < 1 ) et permet damliorer les performances (voir la Ad R ' thorie de la contre-raction). Le gain en tension devient A v 1 + 2 avec Ad >> 1 . Ce 1 + Ad R1 gain est entirement conditionn par le choix des rsistances de la chane de retour.
Sylvain Gronimi Page 139 Les amplificateurs de puissance
Amplificateur push-pull parallle

La topologie reste identique lamplificateur push-pull classe A, si ce nest la valeur de la source de polarisation V0 = V 0.6 V . Le transformateur dentre est point milieu au secondaire qui permet de faire conduire alternativement Q1 puis Q2 monts en metteur commun. Les rsistances R permettent de commander les transistors en courant afin de diminuer la distorsion.
R Q1 0.6 V ve
ic1
n = n2 / n1
VCC
n1 n2 n1
Rch vs
Q2 R ic2
En rgime continu
VCE1 = VCE2 = VCC , VBE1 = VBE2 = 0.6 V , IC1 = IC2 = 0 .
En rgime dynamique
ic1 Q1 vce1 VCC VCE1 = VCC vce1 () vs ()
ib1
ic1 () ib1 ()
Q1
Q2
Pour des caractristiques relles des transistors, il faut polariser en classe AB afin de diminuer la distorsion de raccordement. Rappelons que, dans le montage push-pull, le signal de sortie ne prsente pas dharmoniques pairs, sil y a distorsion (voir push-pull classe A). Caractrisation dynamique aux forts signaux Considrons le cas des valeurs maximales telles que la dynamique de sortie soit Vs VCC . Puissance dans la charge Putile
2 VCC . 2 Req
Puissance fournie par lalimentation Palim = Rendement max

2 VCC 2 2VCC
1 2
2 0
VCC 2
2 2VCC VCC . sin d = Req Req
= 0.78 . Req 4 Ce rsultat est le mme que pour le push-pull srie.

2 Req
Sylvain Gronimi Page 140 Les amplificateurs de puissance
Augmentation de la puissance de sortie

La limitation de la tension de sortie est lie la tenue en tension des transistors de puissance. Dans dautres cas, cest la source dalimentation VCC qui est la limite (piles, batterie de 12 V sur voitures, ..). Une solution pour un amplificateur push-pull srie est le montage en pont ou en H .
+ VCC R
+ VCC
+ VCC R
+ VCC
Q1 RE Rch v1 ve D2 Q2 R RE vs
Q3 RE v2 RE D4 Q4 R
D1
D3 - ve
-1
Le montage utilise deux push-pull srie identiques, polariss en classe AB ou B laide dune alimentation unique VCC . Lamplificateur de gauche est sollicit par le signal dentre v e et celui de droite par le signal v e . Lorsque lamplitude positive de v e est telle que Q1 approche la saturation ( V1 VCC ), simultanment Q4 est aussi la limite de la saturation ( V2 0 ). Ces variations se font autour de la polarisation VCC 2 . La valeur crte maximale de la tension de sortie est Vs VCC . Le processus est symtrique pour lamplitude ngative de v e . Puissance maximale dans la charge Putile
2 VCC . 2 Rch
Cette puissance est quatre fois plus importante que celle produite par le montage classique une source unique VCC . Dautres solutions sont envisageables comme lemploi dun rgulateur de tension dcoupage afin dlever la tension dalimentation.
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Page 141
Modles de composants associs aux diffrents rgimes
La diode
iD(t) vD(t)
avec
v D (t ) = VD + v d (t ) i D (t ) = ID + i d (t )
Rgime continu Modle mathmatique non linaire

VD U I D = I S e T 1
en direct I D IS e
VD UT
en inverse ID IS 0
Modle linaris
ID RD
en direct
VD = RD I D + V
VD V
en inverse
VD
ID
Rgime dynamique aux faibles signaux Modle linaris

UT rd = I D0 C = d rd
en direct
rd
en inverse
Cd
Ct
Donnes du constructeur : V (tension dpendante du matriau), (dure de vie moyenne des porteurs ou temps de recombinaison des porteurs minoritaires en excs ), Ct (capacit de transition), UT =
kT 26 mV 27 C (tension thermique). q
Le transistor effet de champ (JFET)
canal N G vGS(t) 0
iD(t)
avec
S
v GS (t ) = VGS + v gs (t ) i D (t ) = ID + i d (t )
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Annexes
Rgime continu
Modle mathmatique non linaire
VGS ID = IDSS 1 V P avec 0 VGS VP
pour canal N : VGS et VP < 0
pour canal P : VGS et VP > 0
Transistors technologiquement identiques : mmes I DSS et VP .
Rgime dynamique aux faibles signaux
Modle linaris (pour VDS > VP : zone de saturation)

gm
G vgs
Cgd

Cgs g m vgs rds
id
2 = VP
vds
I D0 I DSS
en A/V
S
(paramtre g m toujours >0)
Donnes du constructeur : I DSS (courant de saturation de drain pour VGS = 0 ), VP (tension de pincement), C gs , C gd (capacits de transition), rds (rsistance dynamique de sortie).
Le transistor bipolaire jonction (JBT)

IC IB IB VCE IC
en mode actif
VBE NPN IE
VEC
v BE (t ) = VBE + v be (t ) avec i B (t ) = I B + i b (t )
VEB IE PNP
Rgime continu
Modle mathmatique non linaire (quations dEbers-Molls en mode actif)

VCE IC = I B = I BS e UT 1 + V A
VBE
VBE
(NPN)
VEC IC = I B = I BS e UT 1 + V A
VEB
VEB
(PNP)
IC = I B = I BS e UT
(NPN)
IC = I B = I BS e UT
(PNP)
(effet Early nglig)
Transistors technologiquement identiques : mmes et I BS .
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Page 143
Annexes
Modle linaris
I E = I B + IC IC = I B VBE 0.6 0.7 V
IB + V IB RD 0
IC
VBE
IE
Rgime dynamique aux faibles signaux
Modle linaris
UT UT rbe = I = I g m = r B0 C0 be et + V V V CE 0 C + C = IC0 r = A A bc ce be 2 UT ft IC 0 IC 0
B
ib ib1 vbe rbe Cbe
Cbc
ib1 rce gm vbe
ic
Donnes du constructeur : (valeur typique acceptable en rgimes statique et dynamique), Cbc (capacit de transition), ft (frquence de transition), VA (tension dEarly suppose grande devant VCE 0 ).
Tableau rcapitulatif sur le choix du modle du composant en fonction du rgime tudi
diode
modle linaire par morceaux modle mathmatique modle faibles signaux aux frquences basses et moyennes aux frquences hautes VD = RD I D + V
VD I D IS e UT 1
U rd = T , ri = ID0
JFET
JBT
VBE 0.6 V , IC = IB
Rgime continu
V ID = IDSS 1 GS VP
gm =
VBE
IC I BS e UT (mode actif direct) gm = rbe =
2 VP
rds
rbe
I D I DSS
Rgime dynamique
UT V , rce A IC 0 IC0
Cd , Ct
Cgs , Cgd
I DSS , VP , rds , Cgs , Cgd
Cbe
IC0 2 UT ft
Cbc
Donnes constructeur Hypothses simplificatrices
Rd , V , Cd , Ct
VD VZ pour
, VA , Cbc , ft
VBE V , RD = 0 VA >> VCE0
zener (R Z = 0)
Transistors technologiquement identiques : mmes , IBS pour les JBT ou mmes I DSS , VP pour les JFET au sein du modle non linaire en rgime continu ; pour le JBT en mode actif direct du modle Ebers-Moll, lexpression du transfert est simplifie VBE VBE VCE0 UT IC = I BS e 1+ I BS e UT avec VCE0 << VA (tension dEarly). VA
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Annexes
Modle de Giacoletto
En rgime dynamique faibles signaux, le transistor bipolaire se comporte comme un quadriple linaire en hautes frquences. Le schma quivalent en montage metteur commun, appel encore schma de Giacoletto, est reprsent sur la figure suivante.
rb'c
ib
rbb' ib1
B'
Cb'c ib1 rb'e rce gm vb'e Cce
ic
vbe
vb'e
Cb'e
vce
En premier lieu, on remarque lintroduction du point B constituant le niveau de base vraie. On dfinit ainsi : rbb ' comme tant la rsistance extrinsque de base situe entre le foyer actif des porteurs B et la connexion de base B ; sa valeur nest pratiquement pas influence par la temprature, ni par une variation de courant. rcc ' et ree ' reprsentation semblable au niveau des autres lectrodes. Les jonctions du transistor sont reprsentes sous la forme dun schma R-C parallle. Une capacit de jonction est la rsultante de - une capacit de transition dominante dans une polarisation inverse telle que sa valeur est dautant plus faible que la tension aux bornes est plus grande, - une capacit de diffusion, reprsentant le phnomne de diffusion des porteurs lintrieur de la jonction, caractris dune part, par le temps de transit (ou temps moyen mis par un porteur command pour aller de lentre la sortie, et dautre part, par la dispersion du flux des porteurs, dpendante du phnomne de recombinaison et des rpulsions mutuelles qui conduit, tout compte fait, une dispersion sur le temps de transit moyen (il faut souligner ici que lassimilation du mcanisme de diffusion une capacit nest admissible que pour des frquences beaucoup plus faibles que linverse du temps moyen). Ainsi, la jonction base vraie - metteur est une jonction polarise dans le sens passant et sa modlisation est la suivante : rb'e est la rsistance dynamique de la jonction vue de la base vraie ; sa valeur est inversement proportionnelle au courant de polarisation, donc dpendante du point de repos choisi, et varie U U avec la temprature rb 'e = T = T avec UT 25 mV , I B0 IC 0
Cb'e est la capacit de la jonction modlisant le phnomne de diffusion; sa valeur est proportionnelle au courant de polarisation, donc dpendante du point de repos choisi, et varie IC 0 C b 'c . avec la temprature Cb 'e 2 f U
t T
La jonction base vraie - collecteur est une jonction polarise dans le sens bloquant et sa modlisation est la suivante : rb 'c est la rsistance dynamique de la jonction polarise en inverse (valeur trs importante),
Cb'c est la capacit de la jonction modlisant le phnomne de transition.
Il est intressant de noter que ces lments constituent le circuit de couplage entre lentre et la sortie du transistor.
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Page 145
Annexes
Il ne reste plus qu considrer ce qui se passe entre les lectrodes du collecteur et de lmetteur. Ceci est plus dlicat modliser puisquil ny a pas de jonction : rce est la rsistance dynamique qui dfinit grossirement la rsistance de sortie du transistor ; sa valeur peut tre approche par la tension dEarly VA telle que rce VA IC0 si VA >> VCE0 ,
Cce est une capacit extrinsque que lon peut caractriser de type lectrostatique (trs faible).
La source de courant dpendante est lie aux variables de la branche supportant rb 'e illustre leffet amplificateur du transistor. Dans cette reprsentation, le courant command est proportionnel la tension vbe par le facteur g m (pente interne du transistor) ou au courant traversant la rsistance de jonction par le facteur (gain en courant). Le relation liant les deux facteurs est g m = rb 'e . De faon pratique, cette modlisation du transistor nest valable que pour des frquences infrieures la frquence de transition, ceci cause de la reprsentation du mcanisme de diffusion sous la forme dune simple capacit. Dautre part, on considre que lon peut ngliger les influences de rb'c et Cce quon assimile des circuits ouverts et linfluence de rbb ' quon assimile un court-circuit. Les points B et B tant confondus, les paramtres rb'e , Cb'e , Cb'c sidentifient rbe , Cbe , Cbc . Linfluence de la rsistance rce peut tre nglige qu condition que la charge soit faible.
Evaluation du paramtre Cbe du modle

Soit le montage metteur commun excit en courant et charg par un court-circuit ( Rch << rce ).
Cbc ic
v ib
rbe
Cbe gm v
vs =0
Il est ncessaire dcrire lexpression du paramtre hybride h21e (p ) =

1 i b = v r + Cbe p + Cbc p b 'e i c = v (g m Cbc p )
ic = (p ) ib
Equations de nuds
p
(p ) = 0
1 1+
z
p
avec z =
gm 1 et = Cbc rbe (Cbe + Cbc )
( << z )
La frquence de transition ft est la frquence laquelle le gain en courant en court-circuit dun metteur commun a une amplitude unit :
(p )
0
1+ p
pour t
( jt )
0
1+ t
2
1 0
car
<< t
soit 1 ft 0 f (produit gain en courant x frquence de coupure haute constant pour un systme passe-bas du premier ordre), do lexpression de la capacit de diffusion : g Cbe m Cbc ( , ft , Cbc donnes constructeur). 2 ft
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Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel

Cette mthode de travail est valable pour un tage diffrentiel structure symtrique (charges identiques). Si les charges sont diffrentes (rsistances ou miroir de courant), la mthode reste valable condition que les transistors attaquent les charges en courant ( rce = ). Les sources de tension lentre de ltage se dcomposent chacune en deux sources mises en srie, faisant apparatre des composantes propres un rgime diffrentiel et un rgime de mode v v v 2 v1 + v 2 v d v v 2 v1 + v 2 + = + vc , v2 = 1 + = d + vc . commun : v 1 = 1 2 2 2 2 2 2 Le circuit tant linaire, ces deux rgimes sont tudis sparment par application du thorme de superposition en effectuant deux tapes :
ltude du rgime diffrentiel issu dune attaque symtrique ( v d 2 ), les sources de mode commun tant teintes ( v c = 0 ), permettant de caractriser les performances Ad , Zd , Zs , ltude du rgime de mode commun issu dune attaque parallle ( +v c ), les sources diffrentielles tant teintes ( v d = 0 ), permettant de caractriser les performances Ac , Zc . Exemple dun amplificateur diffrentiel classique (rsistances de charge identiques)
vs1
RC
RC
vs2
ib1 + vd /2 + vc z0 ie1+ ie2 Q1 Q2
ib2 + - vd /2 + vc
Les transistors Q1 , Q2 tant supposs technologiquement identiques, les courants dentres se retrouvent, une mme proportionnalit prs, somms dans la rsistance commune dmetteur z0 . Si les courants sont issus dune attaque en tension symtrique ( i b1 = i b2 ), il ne passe aucun courant dans z0 et les metteurs des transistors sont la masse. Si les courants sont issus dune attaque en tension parallle ( i b1 = i b2 ), le courant dans z0 est gal 2 i e , en posant i e1 = i e2 = i e , et la rsistance vue par le courant dmetteur de Q1 ou Q2 est 2 z0 . Cela fait apparatre deux demi-schmas dans chacun des rgimes.
vs1
RC
RC
vs2
vs1
RC
RC
vs2
ib1 + vd /2 Q1 Q2
ib2 + - vd /2 vc +
Q1
Q2
+ vc
2 z0
2 z0
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Annexes
De faon gnrale, pour chacune des tudes, le choix du demi-schma simposera selon la sortie envisage (sortie vers ltage suivant par exemple). Dans le cas prsent o les charges de collecteurs sont gales, il napparat quune diffrence dans les performances, savoir le signe du gain en tension sur le schma de gauche. La reprsentation de lamplificateur dans son rgime purement diffrentiel est une source de tension contrle par la tension diffrentielle applique sur la branche contrlante supportant Z d .
(+) B1 Zs vd Zd vs Ad v d B2 Rch
(-)
De mme, la reprsentation de lamplificateur dans son rgime de mode commun est une source de tension contrle par la tension de mode commun applique sur la branche contrlante supportant Z c , schma vu des bases de Q1 ou Q2 .
B1 ou B2 Zs vc Zc vs Ac v c Rch
Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun circuit complexe

Dans le cadre dtude en rgime dynamique (faibles signaux), la mthode consiste dcouper le circuit en tages lmentaires. Pour chaque tage en cascade, le diple de sortie, reprsent par son schma quivalent de Thvenin ou Norton vide, est limage dun gnrateur dattaque pour ltage suivant et ainsi de suite. Deux tapes sont ncessaires :
La premire tape permet lvaluation du transfert en tension vide, ou du courant de court-circuit selon le cas, et la rsistance de sortie du circuit, fournissant ainsi un diple quivalent sous la forme Thvenin ou Norton. La procdure commence par lobtention du diple quivalent relatif au premier tage attaqu par lquivalent de Thvenin ou Norton, ltage suivant tant non connect. Le diple obtenu attaque ltage suivant dans les mmes conditions de charge et la procdure se poursuit jusquau dernier tage non charg. La deuxime tape permet lvaluation de la rsistance dentre du circuit. La procdure de calcul considre le dernier tage charg dont on value la rsistance dentre (rsistance de Thvenin ou Norton du diple). La rsistance obtenue servira de charge pour ltage prcdent dont on value la rsistance dentre et la procdure se poursuit jusquau premier tage.
Ainsi, la rsistance dentre du premier tage est la rsistance dentre du circuit, la rsistance de sortie du dernier tage est la rsistance de sortie du circuit non charg et le transfert vide ou en court-circuit en sortie du montage est le produit des gains lmentaires puisque lattnuation intertages a t prise en compte par la prsence de la rsistance du diple dattaque.
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Annexes
Exemple dun amplificateur de tension cinq tages en cascade
RG ve vg Ze1 vs1 = A1 vg
Zs1 Ze2 vs2 = A2 vs1
Zs2 Ze5 vs5 = A5 vs4
Zs5 vs Rch
Le circuit dattaque est reprsent sous la forme dun diple de Thvenin ( RG , v g ) et la rsistance
Rch est la charge terminale.
Nous aboutissons au schma suivant produisant une rsistance dentre fermant la maille du circuit dattaque et un diple de Thvenin branch sur la charge.
RG ve vg Ze1 vs5 = A0 vg
Zs5 vs Rch
Les impdances dentre et de sortie de lamplificateur sont respectivement Z e = Z e1 et Z s = Z s5 . Le gain en tension est A 0 =
v s5 vg =
A
i =1
vide et v s = A 0 v g
Rch en charge. Rch + Z s
La reprsentation dun amplificateur transfert quelconque (tension, courant, rsistance de transfert, conductance de transfert) fait apparatre un modle utilisant une source contrle de tension ou de courant, associe une branche contrlante supportant une impdance.
Exemple de lamplificateur de tension prcdent
Dans ce cas, la source lie de tension est commande par v e , tension aux bornes de la branche contrlante supportant la rsistance dentre Z e du quadriple.
RG ve vg Av ve Ze
Zs vs Rch
Le transfert en tension doit tre calcul nouveau en tenant compte du pont rsistif en entre.
A0 v g = A0
RG Z e + RG v e A v = A0 1 + Z Ze e (non charg)
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Annexes
Mthode de travail pour la rponse en frquence (approximation du ple dominant)

La mthode, dite par approximation du ple dominant propose ici, permet une dtermination plus directe de la bande passante dun amplificateur large bande dans le cadre dune tude en rgime dynamique aux faibles signaux. La stabilit du systme peut aussi tre discute dans le cadre de la rponse aux frquences hautes (marge de phase). Considrons un circuit linaire constitu de rsistances, de condensateurs et de sources lies. Le nombre de ples de la fonction de transfert associe au circuit gale le nombre de condensateurs indpendants (ordre du systme). Dans le cas dune fonction de transfert ples rels, celle-ci scrit pour un ordre n : N( p) N( p) H (p ) = H 0 = H0 1 + a1p + a2 p 2 + a3 p 3 + ... p p p 1 + 1 + 1 + ... 1 2 3 avec a1 = 1 + 1 + ... , a2 = 1 + 1 + 1 + ... , etc et N ( p ) polynme dordre n.
12
13
23
Nous ne nous intressons quaux coefficients a1 et a2 en vue de lapplication de la mthode dite de l approximation du ple dominant dtaille plus bas. La forme analytique ci-dessus montre que ces coefficients sont gaux respectivement une somme et un produit de constantes de temps qui peuvent scrire de la manire suivante :
a1 =
R C
0 i
: somme de toutes les constantes de temps vide du circuit, avec k le nombre de tous
i =1
les condensateurs du schma et Ri0 la rsistance vue par Ci frquence nulle. La notation adopte pour les rsistances Ri0 est la suivante : lindice donne la rfrence de la capacit Ci aux bornes de laquelle la rsistance est calcule et lexposant indique que le calcul est effectu frquence nulle, tous autres les condensateurs tant assimils des circuits ouverts.
a2 =
R C R C
0 i i i j
j avec Ri0Ci R ij C j = R 0 j C j R i C i : somme pour toutes les paires possibles de
capacits avec R ij la rsistance vue par C j lorsque Ci est court-circuite, les autres condensateurs tant assimils des circuits ouverts. La notation adopte pour les rsistances R ij est la suivante : lindice donne la rfrence de la capacit C j aux bornes de laquelle la rsistance est calcule et lexposant indique que le calcul est effectu frquence nulle, tous les autres condensateurs tant assimils des circuits ouverts lexception du condensateur C j assimil un court-circuit. Quant au
i choix de la constante de temps vide R 0 j C j ou en court-circuit R j C j , il rsulte de la topologie du
circuit prsentant le calcul le plus commode. Notons enfin que les expressions analytiques de ces coefficients correspondent exactement celles obtenues par la mthode traditionnelle de mise en quations. Ainsi, lcriture dune fonction de transfert du second ordre est plus rapide par cette mthode des constantes de temps.
Approximation du ple dominant
Hypothse : la fonction de transfert est suppose ples rels et prsente une pulsation 1 , issue du ple provoquant la coupure 3 dB, nettement loigne des pulsations issues des autres ples et zros.
Exemple dun systme passe-bas du second ordre (rponse aux frquences hautes)
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La fonction de transfert est de la forme H0 H0 1 1 H (p ) = = avec a1 = + 2 1 a p a p + + p p 1 2 1 2 1 + 1 + 1 2 1 a1 = (1 + ) 1 Posons = 1 , si 1 << 2 ( << 1) 2 a1 a = 2 2 (1 + )
et a2 =
1 2
1 1 a 1 . a 1 2 a2
Notons que lhypothse 1 << 2 sous-estime la valeur du ple dominant 1 et surestime la valeur de 2 . Lapproximation sera dautant plus prcise que 1 est distant des autres ples et zros (les zros tant au-del de deux dcades du ple dominant). Dans le cas prsent o le circuit prsente deux condensateurs indpendants C1 et C2 , les
0 0 0 1 2 0 C1 + R2 C2 et a2 = R1 C1 R2 C2 = R1 C1 R2 C2 . coefficients scrivent a1 = R1
f1
1
0 0 2 (R1 C1 + R2 C2 )
( fh f1 ) et f2
0 0 0 0 C1 + R 2 C2 C1 + R2 C2 1 R1 1 R1 1 1 = = + . 0 1 2 0 1 2 2 R1 C1R2C2 2 R1 C1R2 C2 2 R2C2 2 R1 C1
Linverse de la frquence de coupure haute fh 3 dB est approch par la somme des inverses des frquences de coupure produites par chaque capacit, les autres tant assimiles un circuit ouvert.
Exemple dun systme passe-haut du second ordre (rponse aux frquences basses)
La fonction de transfert est de la forme p p p p 1 + 1 + 1 1 1 3 4 3 4 H (p ) = H 0 avec a1 = + , a2 = , 1 2 = 3 4 . = H0 1 + a1p + a2 p 2 1 2 12 p p 1 + 1 + 1 2 a 1 (sous-estim) si 1 >> 2 1 1 (surestim), 2 a2 a1 Nous obtenons les expressions duales du cas prcdent : 0 0 C1 + R2 C2 1 R1 1 1 1 = + ( fb f1 ) et f2 f1 0 0 0 1 1 2 2 R1 C1R2C2 2 (R1 C1 + R2 C2 ) 2 R2C2 2 R1 C1 La frquence de coupure basse fb 3 dB est approche par la somme des frquences de coupure associes chaque condensateur, lautre tant assimil un court-circuit. En gnralisant plus de deux condensateurs, nous pouvons crire lquation suivante : fb
2 R
i =1
1
i Ci
f
i =1
bi
o Ri est la rsistance vue par Ci lorsque les autres condensateurs sont court-circuits (calcul effectu frquence infinie). La frquence de coupure 3 dB est approche par simple addition des frquences de coupure 3 dB produites indpendamment par chaque condensateur du circuit.
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Annexes
Mthode de travail pour ltude de la stabilit des systmes boucls

Dfinition
Un systme asservi linaire est dit stable si, lorsquil est cart momentanment de ltat dquilibre par une perturbation, il y revient lorsque la perturbation disparat.
Conditions relles dun bon fonctionnement

Les conditions prcites ne sont valables que dans le domaine de la thorie et en rgime tabli. Un systme asservi doit conserver ses performances en rgime transitoire, ce qui impose de nouvelles conditions que lon peut prsenter par deux mthodes dtudes couramment rencontres.
1 mthode : tude des diagrammes de Bode de la fonction en boucle ouverte G ( j )B ( j ) . Le

45, cest--dire arg[G ( j )B ( j )] 135 . On peut aussi utiliser la marge de gain de 10 dB lorsque
arg[G ( j ) B ( j )] = 180 , qui est plus rarement utilise en lectronique.
systme est en boucle ouverte. Pour G ( j)B ( j) = 1 , il faut une marge de phase M minimale de
2 mthode : tude de la fonction de transfert en boucle ferme H(p). Le systme est en boucle ferme et la mthode demande de connatre lanalytique de la fonction H(p). Si lordre de la fonction est important, ltude devient rapidement difficile et on se rabat vers le trac de Bode. Sinon, toute fonction relle peut se dcomposer en produits de fonctions du premier et du second ordre (formes canoniques) :
H( p ) =
1 +
2 l p p2 1 + p + 2 i l l 2 1 + p 1 + 2 k p + p 2 j k k
Les coefficients damortissement des fonctions du second ordre doivent tre plus grands ou gaux 0.5 (pour les circuits lectroniques). Ainsi, pour M = 45 (1 mthode) correspond peu prs = 0.5 (2 mthode) et la rponse impulsionnelle du systme asservi produit un dpassement (overshoot) dun peu moins de 20% de limpulsion excitatrice (ou ventuellement dun chelon).
Exemple dun amplificateur linaire intgr en contre-raction tension-tension

G( p) =
1 105 , B( p ) = p 1000 1+ 62.8
1 mthode
G ( p ) B( p ) =
100 p 1+ 62.8
A la frquence de 1 kHz (0 dB), la marge de phase est M = 90 . Le systme est stable (on ne peut dfinir une marge de gain car la phase ne peut atteindre -180).
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Annexes
1 0
40 pente -20 dB/dcade frquence de cassure 10 Hz +37 dB, -45
-50
0 1 kHz 0 dB, -89.5 marge de phase de 90.5 systme stable
-100
-40 10mHz 1.0Hz 1 arg(G(j)B(j)) 2
100Hz dB(G(j)B(j)) Frquence
10KHz
2 mthode
H ( p) =
105 p 101 + 62.8
1000 p 1+ 6280
Un systme asservi du premier ordre est inconditionnellement stable.
Exemple dun amplificateur linaire intgr de tension mont en suiveur

G (p ) = 10 5 p p 1+ 1 + 62.8 6.28 10 5
, B( p ) = 1
1 mthode
G ( p ) B( p ) =
10 5 p p 1 + 1 + 62.8 6 . 28 10 5
100 1 Hz, 97 dB 50 10 Hz, 97 dB -20 dB/dcade 0 -20 dB rseau correcteur -40 10mHz 1.0Hz dB(G(j)B(j))
systme compens (stable) systme non compens (instable) 80 kHz, 0 dB 310 kHz, 0 dB
-40 dB/dcade 1.0KHz 1.0MHz dB(R(j)) dB(G(j)B(j)R(j)) Frquence 100MHz
Sylvain Gronimi
Page 153
Annexes
0 rseau correcteur (retard de phase) systme non compens marge de phase de 18 (instable) systme compens marge de phase de 51 (stable) 80 kHz, -129 (0 dB) 310 kHz, -162 (0 dB) 1.0KHz 1.0MHz arg(G(j)B(j)R(j) arg(R(j)) Frquence 100MHz -135
-100
-200 10mHz 1.0Hz arg(G(j)B(j))
A la frquence de 310 kHz (0 dB), la marge de phase est M = 18 , donc trs infrieure 45. Le systme est inutilisable car oscillatoire amorti.
2 mthode
H ( p) =
105 p p p2 1 + 105 + + + 62.8 6.28 105 6.28 2 10 6
1 p p2 1+ + 62.8 105 6.28 2 1011
On identifie la forme canonique : n = 210 6 rad / s ou encore fn = 316 kHz et 0.16 . La faible valeur de indique que le systme est oscillatoire amorti. La fonction de transfert H(p) du systme asservi correspond un amplificateur oprationnel mont en suiveur (retour unitaire) instable (rapide). Cette deuxime application montre un systme instable prsentant deux ples au-dessus de laxe 0 dB (sans prsence de zro). La stabilit peut tre retrouve, par exemple, par dplacement des ples en utilisant des rseaux correcteurs afin dobtenir une marge de phase correcte ( M 45 ). Lutilisation dun rseau correcteur passif R(p), dit retard de phase, est la solution retenue ici. Mis en cascade avec les autres blocs, le but est de positionner le deuxime ple de G(p)B(p) sur laxe 0 dB (135). Pour cela, le zro de R(p) inhibe le premier ple de G(p)B(p) et le ple de R(p) devient le nouveau premier ple de G(p)B(p) dplacer vers la gauche (ici dune dcade). On vrifie la stabilit du systme par les deux mthodes.
10 5 G( p ) B ( p ) R ( p ) = p p 1+ 1 + 6.28 6.28 10 5
1 mthode
p 62.8 avec R( p ) = p 1+ 6.28

1+
La marge de phase est alors M = 51 (voir tracs prcdents).
2 mthode
H ( p) =
105 p p p2 1 + 105 + + + 6.28 6.28 105 6.282 105
1 p p2 + 1+ 6.28 105 6.282 1010
On identifie la forme canonique : n = 6.28 10 5 rad / s ou encore fn = 100 kHz et = 0.5 . La valeur de est bien en accord avec la marge de phase.
Sylvain Gronimi
Page 154
Annexes
Transformation de schma par application du thorme de Miller

Le thorme de Miller sapplique sur une topologie trs spcifique reconnaissable par une impdance branche entre lentre et la sortie dun amplificateur attaqu en tension. Lapplication du thorme transforme le schma original en un schma plus simple traiter analytiquement grce la disparition de la contre-raction. La mise en quations du circuit sera alors plus directe pour le calcul du transfert et de limpdance dentre du circuit considr.
i Z
i ve
Amplificateur
vs
ve
Z1
Amplificateur
Z2
vs
Ve ( p ) Vs ( p ) = Z ( p ) I ( p ) V ( p) Z( p) = Ve ( p ) 1 a v ( p ) = Z ( p ) I ( p ) Z1( p ) = e Vs ( p ) a ( p ) = I ( p ) 1 a v ( p) v Ve ( p )
V ( p) Z( p) 1 = Vs ( p ) 1 = Z( p) I( p) Z2 ( p) = s 1 a ( p ) I ( p ) v 1 a v ( p)
Lattaque en tension ne peut correspondre qu un amplificateur de tension ou un amplificateur admittance de transfert.
Si lamplificateur est caractris par ses paramtres dadmittance de transfert ( Z e , Z s , Yt ), nous obtenons (en allgeant la notation de Laplace ne faisant pas apparatre le terme (p) des variables) :
ve
Z1
Ze Yt ve
Zs
Z2
vs
Vs = Yt Ve
Zs Z2 Zs + Z 2
av =
Vs Zs Z Yt Z s Z + Z s Zs Z Z = Yt av = et Z1 = = + Y Z Z + Z Ve 1 + Y Z 1 + Yt Z s Z + Z t s s t s s 1 1 1 Z s + Z Z + Z av s
Limpdance ramene lentre est lassociation en srie de deux impdances. Il est important de constater que Z 2 , impdance de la branche ramene en sortie, na dutilit que pour dfinir le transfert en tension a v . Le schma transform par le thorme de Miller ne conduit donc quaux expressions du transfert en tension a v et de limpdance dentre Z1 // Z e . Limpdance de sortie du circuit ne peut tre calcule qu partir du circuit original.
Exemple dun metteur commun en H.F.
Identification : Z =
1 1 , Yt = g m , Z s = rce // RC RC et Z e = rbe // C bc p Cbe p
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Page 155
Annexes
Cbc
ve
rbe Cbe gm ve
rce
RC
vs
En rgime sinusodal ( p = j ),
2 g 1 a v ( j ) = g m RC avec 1 = (ple), 2 = m (zro) et 1 < 2 RC C bc Cbc 1+ j 1

1 j
do Z1 ( j ) =
RC 1 , association srie dune capacit C1 = Cbc (1 + g m RC ) et + jCbc (1 + g m RC ) 1 + g m RC

RC , branche en parallle sur Z e ( j ) . 1 + g m RC 1 , cest-jCbc (1 + g m RC )
dune rsistance R1 =
Pour des frquences telles que f < f1 , a v = g m RC (gain rel) et Z1 ( j ) dire que la capacit C1 = Cbc (1 + g m RC ) est uniquement ramene en entre.
Si lamplificateur est caractris par ses paramtres de tension ( Z e , Z s , A v ), nous obtenons

Z2 avec A v = Yt Z s Zs + Z 2 (transformation Thvenin/Norton). Vs = A v Ve
ve
Z1
Ze A v ve
Zs
Z2
vs
Cette mme expression de dpart conduit videmment aux mmes rsultats qui scrivent Av Z + Zs Z + Zs et Z1 = . av = 1 Av Zs + Z Ce dernier cas est plus explicite puisquil montre que limpdance ramene en entre est limpdance de sortie Z s du quadriple en srie avec Z, divise chacune par le terme ( 1 A v ) o A v est le gain en tension vide du quadriple non contre-ractionn.
Exemple dun amplificateur diffrentiel de tension
R
ve + vs
Identification : Z = R , A v = Ad , Z s = Rs avec Rs << R et Ad >> 1

av = R + Rs Ad R + Rs R R R Ad , R1 = et faible rsistance dentre // Rd Rs + R 1+ Ad Ad Ad Ad
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Page 156
Annexes
Ouvrages spcialiss
Microlectronique , Tome 3 et 4, par J. Millman et A. Grabel (Mc Graw-Hill) Principes et pratique de llectronique , Tome 1, par F. de Dieuleveult et H. Fanet (Dunod) Composants actifs discrets , Tomes 1 et 2, par M. Girard (Mc Graw-Hill) Amplificateurs oprationnels , Tomes 1 et 2, par M. Girard (Mc Graw-Hill) Amplificateurs de puissance , par M. Girard (Mc Graw-Hill) Filtres actifs , par P. Bildstein (Editions Radio)
Principaux symboles utiliss

Av
Ai
gain dun amplificateur de tension gain dun amplificateur de courant gain dun amplificateur rsistance (impdance) de transfert gain dun amplificateur conductance (admittance) de transfert rsistance (impdance) dentre dun amplificateur rsistance (impdance) de sortie dun amplificateur coefficient damortissement constante de temps de filtre pulsation naturelle (pulsation propre non amortie) pulsation de coupure 3 dB pulsation dfinissant la bande dondulation dun filtre passe-bas fonction de transfert de la chane de retour fonction de transfert de la chane directe fonction de transfert en boucle ferme rsistance de gnrateur tension, courant du gnrateur tension , courant dentre du montage tension, courant de sortie du montage
Zt Yt Ze Zs
n c rip
B( p ) G( p ) H ( p)
RG v G (t ) , i G (t ) v E (t ) , i E (t ) v S (t ) , i S (t )
Notations de variables
Superposition des rgimes continu et dynamique aux faibles signaux : i e (t ), v e (t ) , variations (faibles signaux) des variables en rgime dynamique. Etude du rgime pseudo-continu : I E , VE , VD , variations non linaires des variables en rgime continu (forts signaux) Etude frquentielle dans le plan de Bode ( p = j ) : I E ( p ), VE ( p ) , complexes et G( p ), B( p ), H ( p ) fonctions de transfert.
Z1( p ), Y1( p ) , variables i E (t ) = I E 0 + i e (t ) ,
v E (t ) = VE0 + v e (t ) , . avec I E0 , VE0 , valeurs des variables en rgime continu (polarisation),
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Page 157
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Enseignements E.E.A.

par Sylvain GERONIMI

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique - Cours

TABLE DES MATIERES

Les diodes jonction

Le transistor effet de champ jonctions

La caractrisation dun amplificateur linaire

Montages plusieurs transistors

Quelques structures de circuits intgrs

Table des matires

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique - Cours

Lamplificateur oprationnel idal

Lamplificateur oprationnel rel

Les oscillateurs sinusodaux

110-111 111-112 112-113

Les rgulateurs de tension

Les amplificateurs de puissance

Table des matires

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique - Cours

Les diodes jonction

atome accepteur (ion ngatif fixe)

atome donneur (ion positif fixe)

trous libres (majoritaires)

lectrons libres (majoritaires)

trou libre (minoritaire)

lectron libre (minoritaire)

Jonction polarise en direct

Les diodes jonction

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique - Cours

Jonction polarise en inverse

Les diodes jonction

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique - Cours

Zone 1 : courant de recombinaison ID e

pour 0 VD 0.4 V (silicium).

Zone 2 : courant de diffusion des porteurs prpondrant ID IS e

pour VD > 0.4 V .

En rgime continu, on est conduit rsoudre le systme dquations :

(caractristique de la diode et loi de la maille)

Les diodes jonction

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique - Cours

Reprsentation en rgime continu et pseudo-continu

vD(t) ve(t) vR(t) R

Rgime continu v E (t ) = VEo > V

VEo V I Do R + Rd R ( v e (t ) = 0 ) VRo VEo V R + Rd Rd VEo V VDo V + R + Rd

Les diodes jonction

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique - Cours

Ve V I Dmax R + Rd R Ve V VRmax R + Rd Rd Ve V VDmax V + R + Rd

Application : simulation du circuit diode 1N4148

VE<0 VR=0 VD=0 VE >0 VD=VE

-2.0V 0s 10ms 20ms 30ms 40ms

Application : simulation pour redressement sur charge capacitive

Les diodes jonction

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique - Cours

tension de seuil de la diode 20V

Rponse temporelle avec conditions initiales nulles