INSTITUTO TECNOLOGICO DE VERACRUZ

CARRERA: INGENIERIA ELECTRNICA

MATERIA: LABORATORIO DE FISICA DE SEMICONDUCTORES

CATEDRATICO:________________________________________________________________ _ NOMBRE DE ALUMNOS: _________________________________________________________

HORARIO:_________________________________

GRUPO:___________________________

NO.DECONTROL:______________________PERIODO:_________________________________

FEBRERO 2013

INSTITUTO TECNOLOGICO DE VERACRUZ

REGLAMENTO PARA EL LABORATORIO DE MEDICIONES MATERIA: FISICA IV (FISICA DE SEMICONDUCTORES)

1.- Respetar los horarios de labores. 2.- Respeto a los maestros y compaeros. 3.- Conservar el taller limpio. 4.- Aceptar y cumplir con la responsabilidad que se le transfiere al recibir una herramienta o equipo, la cual consiste en la reposicin en caso de dao o prdida. 5.- Aprovechar al mximo los materiales y equipo que la escuela pone a disposicin. REGLAMENTO DE HIGIENE Y SEGURIDAD PARA EL LABORATORIO DE FISICA DE SEMICONDUCTORES

1.2.3.4.5.6.7.-

N o jugar bromas, a sus compaeros pues estas pueden causar accidentes. No usar las herramientas para realizar otra operacin que no sea para la que fue diseada. Prohibido fumar dentro del laboratorio. No tirar AL suelo material, Desperdicios y lquidos, ya que estos pueden ocasionar accidentes. No usar en clase anillos, collares o prendas que pueden ocasionar accidentes. No accionar ningn equipo del cual se desconozca su funcionamiento. No comer alimentos ni ingerir bebidas (refrescos) durante el tiempo que dure la prctica.

Al trmino de la prctica la zona de trabajo, as como las herramientas y equipo utilizado, debern estar limpios. Si durante la prctica hubiera algn accidente, Una lesin, se acudir de inmediato a la enfermera. RECOMENDACIONES NOTA: leer como mucho cuidado MANUAL DE PRCTICAS: Es el reporte de comprobacin de ejercicios prcticos desarrollados en el laboratorio de temas vistos en clase. El manual debe tener en su portada el nombre del tecnolgico y escudo, nombre del maestro, de la materia, del alumno, No. De control, semestre, grupo, hora.

Los reportes se entregaran en el manual, los jueves de cada semana ASISTENCIA: Los alumnos que falten ms del 10% de las asistencias a prcticas de laboratorio en cada unidad se les eliminara el porcentaje correspondiente. PRACTICAS: Se otorgara un porcentaje del 30% en cada unidad a los alumnos que cumplan con el total de prcticas terminadas, concluidas y firmadas. Las prcticas se realizaran en grupos, cuyo nmero depender del total de alumnos inscritos. Las prcticas se entregaran los das mercados para el laboratorio y sern calificadas y firmadas. Las prcticas se entregarn en el manual respectivo y ah se calificaran. Las practicas se realizaran de 2 formas (practico en el laboratorio y simulacin) Para hacerse acreedores al 30% de la prctica Todos los equipos tendrn que exponer el tema correspondiente sin excepcin alguna y como tiene un valor para su calificacin, este deber ser bien presentable por el equipo un miembro del equipo si as lo desean. La exposicin deber ser concreta concisa y precisa, abarcando el contenido de los temas que comprenda. (sugerencia, utilizar mapas conceptuales). Si algo no se tiene contemplado en este programa, se resolver sobre la marcha El alumno tendr derecho hasta10 Minutos de tolerancia para acreditar su asistencia, despus ser acreedor a un retardo, y 3 retardos equivale a una falta. Se calificara la prctica a las personas del grupo que se encuentren en el laboratorio, previa una serie de preguntas de la prctica. Tolerancia que el alumno tiene para llegar al laboratorio 10 Minutos, de lo contrario se proceder de la misma manera que para el saln de clase. Nota: en caso de que no se cumpla con tares, exposicin y/o participacin en clase la calificacin del examen tomara un valor ms alto de lo indicado.

PRACTICA 1

PRACTICA No. 1.- TEORA DE BANDAS DE ENERGA EN SEMICONDUCTORES A TRAVS DE SIMULACIN.

OBJETIVO: Que el alumno analice, y compruebe el funcionamiento de los distintos semiconductores, y que al trmino de esta prctica podr reafirmar: El concepto de diagrama de bandas de energa La formacin de los semiconductores La diferencia entre los tipos de semiconductores El concepto de estructura cristalina El concepto de hueco, como se crea, que funcin realiza El sentido del flujo de corriente de electrones y huecos, El concepto de impureza, que funcin realizan A que elementos le afecta la temperatura.

INTRODUCCIN: Presentar la informacin bsica de los semiconductores. CORRELACIN: Relacionarlo con el tema y subtemas del programa. MATERIAL: Programa de simulacin: PSpice, Electronic Workbench, Mathead, Flash, etc. EQUIPO: Computadora, Can, Pantalla, Cables de alimentacin DESARROLLO DE LA METODOLOGIA: Como lo va a desarrollar 1.- De los diversos programas de cmputo que el alumno maneja, desarrolle un programa de simulacin didctica para analizar y comprender el movimiento de electrones a travs de sus bandas de energa de los materiales semiconductores intrnsecos y extrnsecos tipo P y N. 2.1.- SEMICONDUCTOR INTRINSECO. Huecos Movimiento del Electrn Banda Prohibida (Eg Electrones Banda de Valencia (Ev Banda de Conduccin (Ec)

Figura 1.1 Estructura de un semiconductor intrnseco 2.1.- Realice un programa de simulacin donde se explique objetivamente el movimiento de los electrones y huecos, a travs de su diagrama de bandas de energa (Figura 1.1) para dicho semiconductor, a la temperatura (26C), para cada uno de siguientes casos: 2.1.a.- simulacin1: Cuando se aplica una energa externa Eg = 0eV al semiconductor intrnseco menor la energa de la banda prohibida, describa grficamente el comportamiento que tiene el flujo de electrones y huecos en el material y que comportamiento presenta su resistencia interna, indicado en la tabla 1.1 Ec

Eg

Ev Figura 1. 2.- Bandas de energa del semiconductor intrnseco Eg= 0 eV

Tabla 1.1.- Descripcin grafica del flujo de electrones y huecos, para Eg = 0eV

Grafique el sentido de Grafique el sentido del Comportamiento de su flujo de electrones (color flujo de huecos. resistencia interna. (ser rojo) (color negro) breve)

Energa Eg = 0eV

2.1.b.- Simulacin 2.- Auxilindose con la figura 1.2, aplique una energa externa Eg = o.5 eV al semiconductor intrnseco que es igual a la mitad de la banda prohibida, describa grficamente el movimiento que tiene el flujo de electrones y huecos en el semiconductor y como se va comportando su resistencia, indicado en la tabla 1.2.

Tabla 1. 2.- Descripcin grafica del flujo de electrones y huecos, para Eg = 0.5eV

Grafique el sentido de Grafique el sentido del Comportamiento de su flujo de electrones (color flujo de huecos. resistencia interna. (ser rojo) (color negro) breve) Energa Eg = 0.5 eV

2.1.c.- Simulacin3.- Auxilindose con la figura 1.2, aplique una energa externa Eg = 1eV al semiconductor intrnseco que es mayor a la banda de conduccin , describa grficamente el comportamiento que tiene el flujo de electrones y huecos en el semiconductor y que pasa con su resistencia interna, indicado en la tabla 1.3. Tabla 1.3.- Descripcin grafica del flujo de electrones y huecos, para Eg = 1eV Grafique el sentido de Grafique el sentido del Comportamiento de su flujo de electrones (color flujo de huecos. resistencia interna. (ser rojo) (color negro) breve)

Energa Eg = 1eV

2.2.- Repita el paso 2.1.c, y realice la simulacin para hacer que aumente el flujo de electrones y huecos, a medida que aumenta la temperatura de 26C a 35C, 45C, y 60C, que la banda prohibida se reduzca a medida que esta temperatura aumenta, indicado en la tabla 1.4.

Tabla1. 4.- Descripcin grafica del flujo de electrones y huecos y comportamiento de la banda Prohibida. Temperatura 26C 35C 45C 60C

Grafique el flujo de electrones

Grafique el flujo de huecos Banda prohibida

2.3.- APLICANDO CAMPO ELECTRICO EXTERNO E: Conecte una fuente de energa de 5V fijos a los extremos del semiconductor a temperatura ambiente: Conecte un ampermetro entre el semiconductor y la fuente de voltaje.

E = 5V Figura 1.3.- Semiconductor intrnseco campo elctrico aplicado. a).- Simulacin: Realice la simulacin correspondiente para indicar el sentido del flujo de electrones y huecos a travs del diagrama de bandas de energa mostrado a temperatura ambiente. Ec A Vdc 5V Eg

Ev

Figura 1.4.- Flujo de corriente y electrones a temperatura ambiente. b) Simulacin: Realice la simulacin donde muestre que el mismo numero de huecos y electrones se mueven a travs de su banda de conduccin y de valencia, como el campo elctrico que reciben los electrones es mayor a la banda prohibida, estos pasan a la banda de conduccin y los hueco a la banda de Valencia, la banda prohibida se reduce a medida que la disipacin de potencia trmica va aumentando de 26c, a 35, 45C, 60Cc, debido al campo elctrico aplicado.

Ec

Vdc

6V Eg

Ev

Figura 1.5.- Flujo de corriente y electrones a diferentes temperatura.

3.- SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS

3.1.- TIPO P CON CAMPO ELECTRICO APLICADO E Aquel semiconductor intrnseco de silicio o germanio que al introducirle una impureza trivalente (+3) como el Boro, Aluminio, galio y Indio., etc. se produce un portador libre llamado hueco por la falta de un electrn de la impureza.

3.1.1.- Simulacin para un semiconductor TIPO P Conecte una fuente de energa de 10V fijos a los extremos del semiconductor a temperatura ambiente: Conecte un ampermetro entre el semiconductor y la fuente de voltaje. 3.1.2.- Simulacin: Realice la simulacin para mostrar que el flujo de corriente huecos es mayor a la de electrones a travs del circuito figura 1.6 para comprender el funcionamiento de este semiconductor..

Vdc = 10V

Figura 1.6. Semiconductor extrnseco t 3.1.3.- Simulacin: Realice la simulacin donde se muestre objetivamente el movimiento mayor de huecos que de electrones a travs de su diagrama de bandas de energa a temperatura ambiente, con Vdc = 10V para reafirmar el funcionamiento de este semiconductor figura indicado en la figura 1.7.

Ec A Eg Vdc 10v

Ev

Figura 1.7.- Corriente mayor de huecos que de electrones

3.2.- TIPO N CON CAMPO ELECTRICO APLICADO E Aquel semiconductor intrnseco de silicio o germanio que al introducirle una impureza pentavalente (+5) como el Fsforo, Arsnico, Antimonio y Bismuto etc. se produce un portador libre llamado electrn porque la impureza le sobra un electrn. 3.2.1.-Simulacin para un semiconductor TIPO N Conecte una fuente de energa de 10V fijos a los extremos del semiconductor a temperatura ambiente: Conecte un ampermetro entre el semiconductor y la fuente de voltaje. 3.2.2.- Simulacin: Realice la simulacin para mostrar que el flujo de una corriente de electrones es mayor a la de huecos a travs del circuito figura 1.8 para comprender el funcionamiento de este semiconductor..

A Vdc = 10 V Figura 1.8.Semiconductor extrnseco tipo N

3.2.3.- Aplicando la simulacin muestre objetivamente el movimiento mayor de electrones que de huecos a travs de su diagrama de bandas de energa a temperatura ambiente, con Vdc = 10Vde la figura 1.9.

Ec

Eg VDC = 10

Ev

Figura 1.9.- Corriente mayor de electrones. que de huecos.

4.1- Simulacin: Realice una simulacin donde muestre por separado que los dos tipos de semiconductores P y N tienen aplicados el mismo voltaje 10V pero la corriente de electrones es mayor en el tipo N que en P, de razones del porque se presenta este fenmeno.

Sugerencias didcticas: Despus de realizada la prctica cada grupo de alumnos elaboraran un reporte de la misma, sus opiniones, observaciones y sugerencias para mejorar dichas prctica. Cada grupo de alumnos del laboratorio, elaboraran un banco de reactivos tericos y de ejercicios, para reforzar el aprendizaje de la unidad. Un grupo de alumnos realizaran la exposicin y discusin previa de la prctica a fin de poder tener una mayor comprensin y desarrollo de la misma. El alumno investigara a travs de pginas web e Internet, sobre temas de importancia relacionados con la unidad. Despus de la prctica, el alumno elaborara su exposicin audiovisual PC, can, retroproyector. etc. de cmo realizo la prctica y los resultados a que llego. recomendando el uso de la tcnica de mapas conceptuales. Se recomienda realizar una visita a centros de investigacin para esta prctica

Reporte del alumno: El alumno expresara los detalles que se presentaron durante la realizacin de la prctica.

Bibliografa empleada: En este punto se plantea la bibliografa o pagina de Internet donde se apoyo para el desarrollo de la prctica. CUESTIONARIO

Lo que busca con este tipo de apoyo es que el alumno cuente con un reforzamiento de lo aprendido en el aula y lo relacione con la prctica y tenga una visin ms clara de los semiconductores elemento bsico en electrnica.

1.- Explique brevemente que es un diagrama de bandas de energa, que nombre se le da a cada una de las partes que lo integran, y que funcin realizan cada una de ellas. 2.- Clasifique los tres tipos de materiales cristalinos bsicos en electrnica: 3.- Explique el concepto de un semiconductor intrnseco de acuerdo a su criterio. 4.- Describa la operacin de un semiconductor intrnseco respecto a la temperatura en 5 pasos partiendo de la temperatura ambiente (26C). 5.- Explique cual es la diferencia entre un semiconductor extrnseco tipo P y tipo N 6.- En que consisten cada uno de los mecanismos que se emplean para generar la corriente elctrica en un semiconductor intrnseco? 7.- Defina el concepto de la conductividad y resistividad de un material semiconductor, cual es su diferencia entre ellos. 8.- Un semiconductor intrnseco, se transforma en extrnseco cuando se introduce una impureza Qu es una impureza, que caractersticas tiene? 9.- Cuantos tipos de impurezas conoces y que funcin realizan? 10.- Defina el concepto de un Semiconductor extrnseco tipo P, que tipo impureza se utiliza (diga almenos 2 tipos de materiales). 11.- Defina el concepto de un Semiconductor extrnseco tipo N, que tipo impureza se utiliza (diga almenos 2 tipos de materiales). 12.- explique brevemente como se produce el portador mayoritario y minoritario en un semiconductor extrnseco, Qu tipo de portador mayoritario y minoritario tiene el semiconductor tipo P y tipo N? 13.- Como son las resistencias internas de cada semiconductor tipo P y tipo N en estado normal; alta o baja realice una descripcin del porque: 14.- Si en un semiconductor tipo P existen 100 Huecos y en el tipo N 100 Electrones, se aplica un campo elctrico de 12V a ambos semiconductores a travs de sus extremos,en cual semiconductor existe ms corriente y diga porque? 15.- Dibuje el smbolo esquemtico de un semiconductor extrnseco tipo P y tipo N

PRACTICA 2

CURVA CARACTERISTICA V I Y APLICACIONES DE DIODOS PN

OBJETIVO: El alumno debe obtener la curva caracterstica V - I punto a punto de un diodo PN, medir las variables elctricas (I y V) en circuitos bsicos de aplicacin utilizando diodos semiconductores PN. As como aprender a resolver circuitos de uno o varios diodos mediante simulacin, tanto para una seal de entrada variable como constante. INTRODUCCIN: CORRELACIN CON EL TEMA O SUBTEMA DEL PROGRAMA: Relacione la practica con el tema o subtema visto en clase. Tabla de Componentes y aparatos de medicin empleados en la prctica COMPONENTES Y APARATOS DE LA PRACTICA Material para practica Equipo de Medicin Diodos 1N4001 o Equivalente de silicio Milmetro Diodos de Germanio Osciloscopio Resistencias 1.2 K Fuente de Alimentacin 0 20V Resistencia 1K Generador de Seales Resistencia 470 Puntas atenuadas para Osciloscopio Resistencia 220 Bolsa de Caimanes Protoboard Hojas de papel Cuadriculado.

Cantidad 3 2 2 1 1 1 1 1 3

DESARROLLO DE LA METODOLOGA: 1.- Comprobacin de componentes: Con la ayuda de un multmetro verifique que los diodos se encuentran en buen estado y que la resistencia a utilizar sea del valor adecuado. 2.- Construya el circuito bsico todos los aparatos de medicin requeridos para obtener la curva caracterstica punto a punto del diodo de silicio y despus cambie el diodo de Germanio por el de silicio. VOLTAJE APLICADO FUENTE ( VDC ) 2 4 6 8 10 12 14 16 18 VOLTAJE A TRAVS DEL DIODO ( VD ) CORRIENTE POR EL DIODO (Idc) RESISTENCIA DEL DIODO (Rcd)

ECUACINES

20 TABLA 1. DE VALORES DE LOS DIODOS DE SILICIO Y GERMANIO

3.- Determine el Voltaje de umbral (disparo) de los diodos empleados y mustrelos en la tabla 1. 4.- Obtenga las mediciones de corriente, voltaje y resistencia de los diodos indicadas en la tabla 1. 5.- Grafique las curvas caractersticas V- I de acuerdo a los valores indicados en la tabla1: A) Para el silicio (color rojo), B) Para el germanio (color Azul)

6.- En una sola hoja grafique las dos curvas (Si y Ge) a colores y explique la diferencia

7.-Realizar dicha prctica a travs de una simulacin y explique diferencias entre la simulacin y practico

8.- APLICACIONES CON DIODOS. Arme cada uno de los circuitos indicados y dibuje los oscilogramas correspondientes, si la entrada es una seal triangular de 10 Vpp a 1 kHz del generador de seales. A)

C)

SUGERENCIAS DIDACTICAS: Que necesita saber el alumno para comprender y desarrollar la practica REPORTE DEL ALUMNO: Resultado de la practica segn el alumno. BIBLIOGRAFIA: Libros o manuales donde se apoyo para la realizacin de esta prctica.

CUESTIONARIO Instrucciones: Completar el cuestionario, entregar en una hoja, la nota ser (Acumulativa). 1.- Cuntos tipos de Diodos existen? 2.- Puede un diodo conducir en inversa, si, no, por qu?. 1.- A qu se le denomina material extrnseco. 2.- En un material semiconductor tipo N, cuales son los portadores minoritarios. 3.- Indique diferencias entre un diodo de Silicio y un diodo de germanio. 4.- Explique a que es corriente inversa en un diodo. 5.- Dibuje un diodo polarizado en forma inversa. 6.- Indique los parmetros entregados por el fabricante y qu significa cada uno de ellos.

7.- Que es el tiempo recuperacin reversa en los diodos. 8.- Investigue el comportamiento de un diodo ideal, el funcionamiento de un diodo de unin pn, y el origen de las curvas caractersticas de los ltimos. Qu significa que un diodo ste polarizado en forma directa o en inversa? 9.- Investigue qu funcin matemtica describe el comportamiento de un diodo de unin pn y como es afectado por la temperatura. 10. Investigue qu diferencia hay entre el comportamiento de diodos de germanio y de silicio. 11.- Qu funciones desempea la resistencia R en cada uno de los circuitos? 12.- Clasifique los diferentes tipos de diodos utilizados 13.- En qu proporcin varia la corriente de saturacin inversa de un diodo silicio y de germanio respecto a la temperatura. 14.- Investigar los valores de corriente de saturacin inversa en los diodos de silicio y germanio a temperatura ambiente 15.- Cuanto vale el voltaje de la barrera de potencial de un diodo de silicio cuando esta funcionando a una temperatura de 123C y uno de germanio a 78C)?. 16.- Exprese y explique la ecuacin de corriente de un diodo PN

PRACTICA 3

APLICACIN DE DIODOS PN Y REGULADORES INTEGRADOS DE VOLTAJE

Objetivo: El alumno realizar mediciones de variables elctricas en circuitos bsicos y de aplicacin general utilizando diodos semiconductores Introduccin: Correlacin con el tema o subtema del programa: Aplicaciones de los diodos semiconductores PN.

Cantidad 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 5 2 1 1 1 1 1 1

COMPONENTES Y APARATOS DE LA PRACTICA Material para practica Equipo de Medicin Diodos rectificador 1N4001 o equivalente Puente de diodos a 1 Amp Transformador con derivacin central de 110VAC a 24V a 2A Capacitor electroltico de 1200 F a 65V Capacitor electroltico de 2200 F a 65V Capacitor electroltico de 4400 F a 65V Capacitor electroltico de 1 F a 65V Capacitor electroltico de 4.7 F a 65V Capacitor electroltico de 220 F a 65V Capacitor electroltico de 1000 F a 65V Resistencias de 10K W Resistencias de 1K W Resistencias de 240K W Potencimetro 5K Regulador de voltaje fijo LM7805 Regulador de voltaje variable LM317 Bolsa de Caimanes Protoboard Milmetro Osciloscopio Fuente de Alimentacin 0 20V Generador de Seales Puntas atenuadas para Osciloscopio

Desarrollo de la metodologa: 1.- Circuitos rectificadores. A) Rectificador de media onda: Arme los siguientes circuitos rectificadores de media onda y grafique sus resultados. Utilice una seal senoidal con amplitud de 6 volts y frecuencia de: 1kHz, 5KHz y 10KHz.

Grficas del circuito (a)

Grficas del circuito (b)

B ) Rectificadores de onda completa: Arme los siguientes circuitos rectificadores de onda completa y grafique las seales resultantes. Utilice el transformador de 24 Vrms a 2A conectado a la lnea de alimentacin.

C) Rectificador con filtro capacitivo. Al circuito rectificador de onda completa conecte un capacitor en paralelo al resistor de carga. Dibuje las seales de salida. Utilice 3 valores de capacitores diferentes, 4.7 F, 220 F y 1000 F. El resistor ser de 10 k .

(a). Oscilograma con (b). Oscilograma con

C=1200F C=2200 F

(a). Oscilograma con C=4400F

D) Reguladores integrados de voltaje. Regulador de voltaje fijo de +5 volts. Arme el siguiente circuito y dibuje las seales de salida del regulador, voltaje de CD y voltaje de rizo.

E) Regulador de voltaje variable. Arme el siguiente circuito y dibuje las seales de salida del regulador, voltaje de CD y voltaje de rizo.

: NOTA: La l resistencia de 240 ser el arreglo serie de 2 resistores, uno de 220 y otro de18

SUGERENCIAS DIDACTICAS: Que necesita saber el alumno para comprender y desarrollar la practica REPORTE DEL ALUMNO: Resultado de la practica segn el alumno. BIBLIOGRAFIA: Libros o manuales donde se apoyo para la realizacin de esta

CUESTIONARIO 1.- Dibujar la curva caracterstica total del diodo indicando cada uno de sus parmetros ms importantes. 2.- Diga cuales son los distintos tipos aproximaciones que existen y para que casos se utilizan 3.- Cuales son los modelos de resolucin de circuitos con diodos ms usados son: 4.- Cuando se dice que un diodo presenta una la resistencia esttica y dinmica 5.- Cuando y porque se emplea la rectificacin monofsica de onda completa 6.- Defina que es la rectificacin monofsica 7.- Exprese y explique la ecuacin empleada para calcular el capacitor 8.- Que pasara si se empleara diodos de germanio en la rectificacin monofsica de media onda 9.- Explique qu sucede con la seal resultante, cuando se vara la frecuencia de entrada 10.-Explique que resultados se tiene con la seal de salida de un circuito rectificador puente cuando se conecta un capacitor en paralelo con la resistencia. 11.- De la pregunta anterior cual sera el resultado, si los capacitores se varan, con valores ms altos al empleado. 12.- Explique donde y porque se emplea la rectificacin monofsica de onda completa.

PRACTICA 4

DIODOS ESPECIALES, CURVAS CARACTERISTICAS Y SUS APLICACIONES

Objetivo: Visualizar la relacin Voltaje - corriente a travs de la funcin X-Y de un osciloscopio. - Analizar el comportamiento de los diodos Zener como rectificadores y reguladores de voltaje. - Verificar el comportamiento de los diferentes dispositivos especiales de acuerdo al circuito

mostrado. Introduccin: Correlacin con el tema o subtema del programa: Relacin de la unidad III del programa Diodos especiales COMPONENTES Y APARATOS DE LA PRACTICA Material para practica Equipo de Medicin Diodos rectificador 1N4001 o equivalente Transformador con derivacin central de 110VAC a 24V a 2A Diodos Zener 6.8v, y 12V Diodos Zener de valores diferentes Resistencia 100, Resistencia 220 Resistencia 480, 820 y 1K a W Bolsa de Caimanes Protoboard Diodo varactor Diodo Tnel Termistor NCT Termistor PCT Hojas de Papel cuadriculado Multimetro Osciloscopio Fuente de Alimentacin 0 20V Generador de Seales Puntas atenuadas para Osciloscopio Fuente de alimentacin 110VAC

Cantidad 2 1 2 de c/u (4) 1 de c/u 2 de c/u 1 1 1 1 1 1

DESARROLLO DE LA METODOLOGA: 1. Determinar la curva caracterstica V/I punto a punto del diodo Zener (de acuerdo al valor del diodo zener utilizado) A) Armar el circuito indicado y determinar la curva caracterstica, B) Conecte un voltmetro entre extremos del diodo y un ampermetro en serie. C) Vari paulatinamente el voltaje de alimentacin y mida el voltaje de arranque (disparo) del diodo zener D) mida la corriente zener para diferentes valores de tensin aplicados 20Vdc E) Invierta la posicin del diodo Zener y tome los datos a 20Vdc F) Grafique la curva caracterstica del diodo zener de acuerdo a los valores obtenidos

NOTA: Es recomendable tomar la medicin en los puntos en los que el diodo empieza a conducir, tanto en directa como en inversa. En ambos casos no sobrepasar los 50 mA.

Figura 1. Medida punto a punto PREGUNTAS A RESOLVER: 1a- Realizar una tabla con dichos datos y representar grficamente. 1b- Calcular la tensin Zener y la resistencia dinmica en inversa grficamente. 1c- Es igual la tensin umbral en ambos casos? 1d- Es igual la tensin Zener en ambos casos? 1e- Es igual el valor de resistencia dinmica en ambos diodos? 2.- DETERMINAR LA CURVA CARACTERSTICA V/I DEL DIODO ZENER A MEDIANTE OSCILOSCOPIO A) Construya el circuito indicado con R = 100. B) Aplique: Frecuencia = 100 Hz, Onda Triangular , V generador = 20 PP. y Offset = 0 V C) Osciloscopio: Canal 1 entre A y B y Canal 2 entre C y B

Formato XY

Figura 2. Medida mediante osciloscopio 2b- Cmo funciona el formato XY? 2c- Qu se representa en el osciloscopio? 2d- Coincide con la grfica de un diodo Zener? Por qu?

3.- DIODOS ZENER COMO REGULADORES DE VOLTAJE Y CORRIENTE

A) construya los diferentes circuitos reguladores o recortadores con diodos zener 1.- Monta los siguientes circuitos en el taller:

2- Aplicando la ley de Kirchhof, determine el valor de la corriente y voltaje de salida. 3.-Coloca el transformador ~ +- 12V en la entrada y una vez conectado al cicuito, mide con el osciloscopio tanto la entrada como la salida 4.-Dibuja las formas de onda, entrada y salida en la misma grfica: 5- comenta los resultados obtenidos en cada circuito, Para que sirven ? Qu aplicaciones ves a estos circuitos?

4.- APLICACIN DE LOS DIODOS ESPECIALES A) Curva caracterstica del diodo varactor o diodo Tnel B) Curva caracterstica de los termistores C) Circuitos aplicativos con termistores

SUGERENCIAS DIDACTICAS: Que necesita saber el alumno para comprender y desarrollar la practica REPORTE DEL ALUMNO: Resultado de la practica segn el alumno. BIBLIOGRAFIA: Libros o manuales donde se apoyo para la realizacin de esta

CUESTIONARIO 1.- Dibujar el smbolo del diodo Zener con todos sus parmetros que lo componen 2.- Enumerar cuatro parmetros de inters en la hoja de caractersticas de un diodo Zener. 3.-. Efecto Avalancha" "Efecto Zener", 4.- Graficar la curva caracterstica V I con todos los parmetros correspondientes del diodo zener 5.- En que consisten cada una de las aproximaciones para el diodo Zener 6.- .- Dibuje el circuito equivalente del diodo zener 7.- Dibujar el smbolo , circuito equivalente y explicar el funcionamiento de un varicap. 8.- Defina que es un diodo varactor y en que basa su funcionamiento 9.- Explique el funcionamiento de los diodos varactores, valor de capacidad que presentan y sus areas de aplicacin 10.- Dibuje el smbolo y circuito equivalente de los diodos schottky, indicando sus elementos que lo componen y porque le nominan semiconductor portador mayoritario 11- Describir dos ventajas de los diodos Schottky en comparacin con los dems diodos 12- Explique el funcionamiento del diodo Schottky a bajas y altas frecuencias 13.- Indique cuales son las caractersticas elctricas y operativas del diodo schottky y cules son sus limitaciones 14.- Dibuje el smbolo y circuito equivalente del diodo Tnel, Curva caracterstica y parmetros ms importantes. 15.- Defina que es un diodo Tnel, como funciona y sus principales caractersticas 16.- Indicar los campos de aplicacin del diodo tnel y sus circuitos equivalentes en alta frecuencia 17.- Dibuje el smbolo de un termistor, las partes que lo integran 18.- Defina que es un termistor, su curva caracterstica y como funciona 19.- Clasifique a los tipos de termistores, como funciona cada uno de ellos y su curva de respuesta. 20.- Determine la ecuacin que determina el valor de un termistor. EJERCICIOS A RESOLVER Proponga y resuelva al menos 2 problemas de cada uno de los diodos expuestos. 1.- Realice e ejemplos con diodos Zener 2.- Realice e ejemplos con diodos Schottky 3.- Realice e ejemplos con diodos Tunel 4.- Realice e ejemplos con diodos Varactor 5.- Realice e ejemplos con diodos Termistor

PRACTICA 5

TERMISTOR

OBJETIVO:: Analizar el comportamiento de la variacin de la resistencia elctrica respecto a la temperatura. Comprender el funcionamiento de un sensor de temperatura con salida resistiva INTRODUCCIN: CORRELACIN CON EL TEMA O SUBTEMA DEL PROGRAMA: Aplicaciones del Termistor respecto a la temperatura (Unidad 3 diodos especiales).

Material: 2 termistor de ntp (+) y ptc (-) 1 Potencimetro 1k Protoboard Bolsa de caimanes 1 Termmetro 0 150c Cables para conexin

Equipo: Fuente de calor Fuente de voltaje 0 12 Vdc Voltmetro (analgico o digital) Miliampermetro (analgico o digital) DESARROLLO DE LA METODOLOGIA:El procedimiento para realizar dicha prctica, es el adecuado y se realizara de la siguiente manera: 1- Arme el circuito mostrado. Potencimetro + 0 12v termistor Miliampermetro

. Circuito medidor de temperatura 2- Conecte la fuente de voltaje a un valor de 6V y fije la resistencia del potencimetro en 100 3- Aplique calor al termistor PTC y llene la siguiente tabla 1 de valores.

Vdc = 6V Rpot. = 1K RTD ID medidor CT resulta

TEMPERATURA 40C 50C 60C 70C

C 80C 90C

Tabla 1 mediciones del termistor a diversas temperatura.

4- Repita el paso ahora con un termistor NTC y VDC = 10 V , registre los datos en la tabla 2

Vdc = 10V Rpot =1K 40C RTD -C ID medidor CT resulta 50C

TEMPERATURA 60C 70C

C 80C 90C

Tabla 2 mediciones del termistor a diversas temperatura. 5-Vari el Potencimetro de 1v en 1v, hasta 10 Volts y no aplique temperatura al termistor, registre el valor de la ID, y de la resistencia del termistor, en la tabla 3 VDC RDT TC 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Tabla 3 Mediciones de ID y RDT a diferentes voltajes

6- Con los valores encontrados en la tabla grafique la curva resultante del termistor SUGERENCIAS DIDACTICAS: Que necesita saber el alumno para comprender y desarrollar la practica REPORTE DEL ALUMNO: Resultado de la practica segn el alumno. BIBLIOGRAFIA: Libros o manuales donde se apoyo para la realizacin de esta

CUESTIONARIO 1.-Defina el concepto de un termistor 2- Clasifique los diferentes tipos de termistores 3-Indique atravez de una tabla los materiales con que se fabrican cada uno de los termistores 4-Atravez de una tabla indique los valores de los tipos de termistores 5-Brevemente explique el funcionamiento de un termistor ntc y un ptc 6-Exponga algunas de las aplicaciones donde se aplica el termistor ntc y ptc 7-Dibuje(2) circuitos de aplicacin de un termistor ntc, y ptc 8-Exponga dos problemas resueltos de cada uno empleando termistores ntc y ptc 9-Dibuje el circuito equivalente de un termistor 10-Dibuje la curva caracterstica del termistor en funcin de diferentes temperaturas 11-Investigue y grafique las graficas que relacionan corriente, voltaje y temperatura.

PRACTICA 6

EL

TRANSISTOR

OBJETIVO: Analizar y comprender los circuitos amplificadores con transistor en las configuraciones: Base comn en polarizacin fija, Emisor comn en divisin de voltaje Colector comn en auto polarizacin. INTRODUCCION:

CORRELACIN: Aplicacin de transistores MATERIAL: EQUIPO: Fuente de voltaje Generador de funciones Milmetro Puntas atenuadas para osciloscopio Bolsa de caimanes Protoboard Socket Cable alimentacin METODOLOGA: 1. Elaborar el circuito en base comn de acuerdo a los clculos obtenidos para que funcione como amplificador. 2. Medir las corrientes de entrada y salida, el voltaje atreves de la carga, el voltaje colector-base, emisorbase. 3. Grafique los resultados obtenidos a travs del osciloscopio y vacelos en una tabla que relacione los calculados y medidos con los aparatos (osciloscopio y Milmetro). 4. Introduzca atreves de un generador de seal una seal alterna de 500 mV pp, grafique la forma de onda resultante en el osciloscopio y superponga ambas seales y exprese el resultado. 5. Calcule y mida las ganancias de corriente, voltaje, resistencia y de potencia para CD y CA. Transistor 2N2222 NPN Resistencias comerciales segn clculos Voltaje de alimentacin Vcc = 18v Voltaje de Entrada de acuerdo a requisitos Vac = 500 mVpp Rele 12v Foco

6. Arme el circuito indicado.

Transistores 2N2222

Figura 1 Circuito interruptor e inversor con transistores.

7. Conecte un generador de funciones que proporcione un pulso cuadrado de 10Vp de amplitud y una frecuencia de 30Hz en el punto A y el osciloscopio conctelo en el punto B. 8. Grafique y mida la forma de onda de la seal de entrada en el punto A y salida en el punto B para cada frecuencia.

Grafica 1 Formas de onda de entrada y salida del circuito

9. Si la frecuencia de la seal de entrada se aumenta a 100Hz, grafique la nueva forma de onda con sus valores resultantes.

Grafica 2 Formas de onda de entrada y salida del circuito 10 De acuerdo a los resultados obtenidos en la figura 6.3 explique como le afecto la frecuencia a la seal de salida, que parmetros afecto. Explicacin del alumno: 11 Calcule, mida, grafique y compruebe la ganancia en voltaje (Av) del circuito mostrado P N P

250mVpp

5K

Circuito 2 Circuito AC para calculo de ganancia en voltaje

POLARIZACIONES DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Circuito 3 Polarizacin Fija, Polarizacin real emisor, Polarizacin colector y polarizacin de tensin 1.- Disee cada uno de los circuitos indicados, como amplificador 2.- Arme el circuito y realice todas las medidas que marquen los ampermetros y voltmetros y vaci los datos en la tabla indicada la tabla.

Polarizacin fija: VALORES TERICO PRCTICO SIMULACIN Polarizacin con realimentacin en el emisor: Vcc TERICO PRCTICO SIMULACIN Polarizacin con realimentacin en el colector: Vce Vbe Vrc Vre Vrb Ib Ic Ie Vcc = 12v Vce Vbe Vrc Vrb Ib Ic Ie

Vcc TERICO PRCTICO SIMULACIN

Vce

Vbe

Vrc

Vrb

Vr2

Ib

Ic

Ie

Polarizacin por divisor de tensin: Vcc TERICO PRCTICO SIMULACIN TRANSISTOR EN CONMUTACIN 1.- Disea un circuito inversor para que active a un RELE y este a su vez a una lmpara alimentada con AC. 2.-Medir la potencia de salida, corriente de salida y verificar la conmutacin del circuito y medir con el Vom (Digital o analgico) y osciloscopio. Vce Vbe Vrc Vre Vr1 Vr2 I1-2 Ib Ic Ie

SUGERENCIAS DIDCTICAS: REPORTE DEL ALUMNO: BIBLIOGRAFA

CUESTIONARIO 1. Dibuje un Transistor npn indicando las regiones n y p. A continuacin polarice adecuadamente el transistor y explique como funciona. 2. Dibuje el conjunto de curvas de colector. Despus, utilizando dichas curvas muestre las cuatro regiones de operacin del transistor. 3. Dibuje un circuito de transistor con una conexin de emisor comn. Qu clase de fallos se pueden producir en un circuito como ste?qu medidas tomara para aislar cada uno de ellos? 4. En un esquemtico que contiene transistores npn y pnp, Como identifica cada tipo? Cul es la direccin del flujo de electrones (o de la corriente convencional)? 5. Cite un instrumento de pruebas que pueda mostrar un conjunto de curvas de colector, Lc en funcin de Vce, para un transistor.

6. Cul es la formula de disipacin de potencia de un transistor? Conociendo esa relacin, en qu lugar de la recta de carga es de esperar que la disipacin de potencia sea mxima? 7. Cules son las tres corrientes en un transistor? Como se relacionan? 8. Elabore un diagrama donde especifique todas las corrientes y sus respectivas direcciones de un transistor npn y pnp. 9. Los transistores pueden conectarse en cualquiera de las siguientes configuraciones: emisor comn, colector comn y base comn. Cul es la configuracin utilizada ms frecuentemente? 10. Cuando se emplea un Voltmetro para detectar averas en un circuito de conmutacin, Cmo se puede saber si el transistor esta en saturacin o corte?

PRACTICA 7

EL FET, MOSFET Y SUS APLICACIONES

OBJETIVO: Disear y Elaborar un circuito amplificador de Voltaje en Gate - comn, Source comn, Drain comn INTRODUCCION: CORRELACIN: MATERIAL: Transistor 2n4093 Transistor 2n4858 Resistencias comerciales segn los clculos Voltaje de alimentacin Vs = 18 v Voltaje de entrada de acuerdo a requisitos EQUIPO: Fuente de voltaje Generador de funciones Multimetro Puntas atenuadas para osciloscopio Bolsa de caimanes Protoboard METODOLOGA: 1. Elaborar el circuito en Gate comn de acuerdo a los clculos obtenidos para que funcione como amplificador. 2. Medir las corrientes de entrada y salida, el voltaje atravez de la carga, el voltaje source-base, drain-base.

3. Grafique los resultados obtenidos a travs del osciloscopio y vacelos en una tabla que relacione los calculados y medidos con los aparatos (osciloscopio y Multimetro). 4. Introduzca atravez de un generador de seal una seal alterna de 500 mV pp, grafique la forma de onda resultante en el osciloscopio y superponga ambas seales y exprese el resultado. 5. Calcule y mida las ganancias de corriente, voltaje, resistencia y de potencia para CD y CA. 6. Arme el circuito indicado.

Figura 1 circuitos auto polarizados (a) y con polarizacin fija (b) con FET. 7. Con los valores encontrados en el circuito Figura (a), calcule y mida los parmetros, dados en la tabla y exprese sus diferencias.

VG Medido Tabla 1 Calculado

VS

VGS

VD

ID

VDS

Parmetros del FET medidos y calculados. 8. Con los datos de la tabla 1 grafique la curva de Transferencia, y encuentre IDSS y Vp 9. Del circuito Figura (b), determine en base a su manual el valor mximo de la corriente IDSS y el valor de Vp. Parametros IDSS Vp 10. Con los valores encontrados en el circuito Figura (b), calcule y mida los parmetros, dados en la tabla y exprese sus diferencias

VG Medido

VS

VGSQ

VD

IDQ

VDS Tabla 2

Calculado Parmetros del FET medidos y calculados.

Sugerencias didcticas: .Reporte del alumno: . Bibliografa:

CUESTIONARIO

1. Como funciona un JFET, incluya en su explicacin la tensin de estrangulamiento y la tensin de corte puerta-fuente. 2. Dibuje las curvas de drenado y la curva de transconductacia de un JFET. 3. Compare el transistor JFET con el BJT. Incluya ventajas y desventajas de cada uno de ellos. 4. Como puede saber si un FET esta trabajando en la region ohmica o en la region activa? 5. Dibuje un seguidor de fuenta JFEt y explique como funciona: 6. Dibuje un conmutador paralelo JFET y explique como funciona: 7. Dibuje un conmutador serie JFET y explique como funciona: 8. Como puede utilizarce el JFET en un conmutador de electricidad estatica? 9. Un JFET es un dispositivo que controla el flujo de corriente aplicando una tension a la puerta. Explique esta afirmacion: 10. Vetaja de un amplificador cascodo:

PRACTICA 8

DISPOSITIVOS

OPTICOS

FOTOEMISORES

OBJETIVO: Analice y determine el comportamiento de la curva caractersticas de una fotorresistencia a diferentes distancias de luminosidad aplicadas. INTRODUCCIN: El alumno desarrollara la investigacin requerida para realizacin de la prctica. CORRELACIN CON EL TEMA O SUBTEMA DEL PROGRAMA: MATERIAL: 1 Fotorresistencias 1 Resistencias de 10K, de a 1 w 1 Resistencias de 1.5K de a 1 w 2 Led Papel de colores EQUIPO: Fuente de voltaje de 12VDC Fuente de luz blanca y de colores Motor de DC

DESARROLLO DE LA METODOLOGIA: 1. Investigue y construya el circuito para obtener la curva caracterstica de una fotorresistencia LDR. 2. Aplique luz blanca a la fotorresistencia de acuerdo a los valores indicados en la tabla No. 1. Distancias (Cm) Iluminacin Lux o Lumen ( foco) 5 10 15 20 25 30 35 40

Valor Ohmico Valor de Voltaje Magnitud de corriente

TABLA No. 1 Valores caractersticos de I, V y

3.- Con los valores indicados en la Tabla No. 1, obtener la curva caracterstica de la fotorresistencia.

Fig. 2 Curva caracterstica de la fotorresistencia.

Luz

4.- Repita el inciso 2, ahora con incidencia de luz de distintos colores, a una distancia de 10Cm, de acuerdo al circuito y vaci los datos en la tabla No. 2

LUZ Papel

12V

Azul Papel Celofn color Fuente de luz Corriente (mA)

Rojo

Verde

Amarillo

Voltaje ( V ) Tabla No. 2 valores caractersticos de la fotorresistencia a distintos colores 5.- Disee y compruebe el funcionamiento de un circuito regulador de voltaje con: Fotorresistencia dependiente de la luz,. Fotorresistencia no dependiente de la luz, Convertidor de luz a tiempo con fotorresistencia, determine y grafique la seal de salida con su frecuencia. Nota: * Vdc = 12V * Resistencias segn valor calculado. 6.. Disee una compuerta lgica AND, OR con fotorresistencias: + Vdc = 10V, + Led color al gusto. + Resistencias segn clculo. + Obtenga los valores resultantes de voltaje + Compruebe su tabla de verdad, a travs del prendido y apagado del Led. 7.- Disee, construya y compruebe un circuito que controle la velocidad de un motor de DC empleando fotorresistencia, transistor, led, etc. SUGERENCIAS DIDACTICAS: Que necesita saber el alumno para comprender y desarrollar la practica REPORTE DEL ALUMNO: Resultado de la practica segn el alumno. BIBLIOGRAFIA: Libros o manuales donde se apoyo para la realizacin de esta .

CUESTIONARIO

1.- Explique brevemente el funcionamiento de una fotorresistencia. 2.- Cuales son los materiales que se utilizan en la fabricacin de fotorresistencias dentro del espectro visible? 3.- Cuales son los materiales que se utilizan en la fabricacin de fotorresistencias dentro del espectro infrarrojo? 4.- Explique el funcionamiento de una fotorresistencia. 5.- Dibuje el smbolo de una fotorresistencia as como la respuesta espectral de las fotorresistencias ms comunes empleadas. 6.- Cmo responde una fotorresistencia a diferentes colores de luz y porqu? 7.- Describa la ecuacin que determina el valor ohmico de una fotorresistencia cuando esta es iluminada.

8.-Dibuje con colores el espectro electromagntico. 8.-Que pasara con la velocidad del motor si se cambia de luz blanca a roja, a verde, a amarillo? Explique lo que se este obteniendo? 9.- Que potencia disipara la fotorresistencia a mxima velocidad del motor. 10.- Cuales son los rangos de valores ohmicos que posee una fotorresistencia. 11.- Cuales son los materiales en que se fabrican las fotorresistencias para que estas respondan en el rango del infrarrojo. 12.- Cuales son los valores de las bandas prohibidas de las fotorresistencias ms empleadas y que efecto tienen estas bandas sobre el funcionamiento del elemento. 13.- en que consiste el efecto de la fotoconductividad. 14.- Cuales son los parmetros principales que posee una fotorresistencia. 15.- mencione y describa cada uno de las pruebas a que son sometidas cada una de las fotorresistencias en una industria.. 16.- Brevemente explique es lo mismo fotorresistencia que celda fotoconductora? 17.-Nombre los tipos de fotorresistencias con sus valores de longitudes de onda y energa de las bandas prohibidas para la parte visible e infrarroja.

PRACTICA 9

DISPOSITIVOS

OPTICOS

(FOTOEMISORES FOTORECEPTORES)

OBJETIVO: Que el alumno aplique los conocimientos, elaborando circuitos con dispositivos optoelectrnicas y compruebe su funcionamiento. INTRODUCCIN: El alumno desarrollara la investigacin requerida para realizacin de la prctica. CORRELACIN CON EL TEMA O SUBTEMA DEL PROGRAMA: MATERIAL: el alumno indicara los materiales que empleara para el desarrollo de cada uno de los Circuitos

EQUIPO: Fuente de voltaje VDC variable. Fuente de luz blanca y de colores Osciloscopio Puntas Multimetro

DESARROLLO DE LA METODOLOGIA: 3. Investigue y construya los circuitos de las compuertas lgicas de 2 entradas (con su tabla de verdad) con fototransistores, diodos y led como indicador y compruebe cada una de ellas, con valores digitales y analgicos. a) AND b) OR c) NAND d) NOR

4.- Repita el punto 3 pero utilizando como carga un motor de DC, aqu mida la corriente que emplea el motor
Para girar 5.- Construya un circuito de Switcheo con fototransistores, Resistencias y Led, y cual aplique un pulso cuya frecuencia vari de 50KHZ, 250KHZ y 500KHZ. a) Mida el valor de la corriente de salida para cada caso b) Grafique y mida l a forma de onda resultante de salida para cada caso, con sus valores de voltaje

c) Modifique el circuito para que la salida tenga la misma forma de onda para cada caso d) Mida y grafique la forma de onda de voltaje resultante en la carga e) Se cumpli el proceso de que la misma seal de entrada es igual a la salida, cual es la diferencia.

SUGERENCIAS DIDACTICAS: Que necesita saber el alumno para comprender y desarrollar la practica REPORTE DEL ALUMNO: Resultado de la practica segn el alumno. BIBLIOGRAFIA: Libros o manuales donde se apoyo para la realizacin de esta .

CUESTIONARIO NOTA: De acuerdo al circuito el alumno elaborara un cuestionario de 10 preguntas en base al circuit.o