TEMA 14.

ESTRUCTURA DEL ESTADO SOLIDO Y MOVIMIENTO ELECTRONICO

14.1.- ESTRUCTURA DEL ESTADO SOLIDO Como se sabe la materia se presenta en tres estado: gases, lquidos y slidos. Los conductores y semiconductores son slidos cristalinos, y para entender mejor sus propiedades elctricas se necesita un conocimiento bsico de su estructura. Centrndose en los slidos, entre estos podemos distinguir dos clases: Los slidos amorfos, en donde los tomos o molculas que lo constituyen estn dispuestos de manera irregular y aleatoria, de forma similar a los lquidos que presentan estructuras ordenadas de corto alcance, que son rotas con facilidad en cuanto aumenta la energa trmica. O sea, al elevar la temperatura de estos slidos los enlaces dbiles se rompen conduciendo a un gradual ablandamiento antes de fundirse completamente (vidrio). Los slidos cristalinos, en donde los tomos o grupos de tomos estn dispuestos en un orden regular o peridico constituyendo la llamada estructura cristalina. Si el orden regular se extiende sobre una porcin completa de material, se denomina monocristal y si se extiende a partes pequeas, de forma que el material es una aglomeracin de microcristales, se llama policristalino. Para comprender la estructura de un slido cristalino solo hace falta estudiar su unidad bsica o celda de la red, ya que en ella se aprecia la distribucin de los tomos y los enlaces interatmicos. Las propiedades del slido se repiten de una celda a otra. Los mtodos mas efectivos para analizar una estructura cristalina son la difraccin de rayos X o de neutrones.

14.2.- ENLACES EN LOS SOLIDOS Como se mencion antes, no es necesario un exacto conocimiento de la estructura cristalina para entender el proceso de conduccin en los slidos, pero si es importante entender los diferentes tipos de enlaces que hay en los slidos. Principalmente hay 4 tipos. * Inico. El cristal est formado por iones positivos y negativos resultantes de la transferencia de uno o mas electrones de una clase de tomo a otro. Los iones se disponen de tal modo que se produce una configuracin muy estable bajo sus fuerzas de naturaleza electrosttica. Este es el caso, por ejemplo, del NaCl.

Estos slidos son malos conductores del calor y la electricidad debido a que carecen de electrones libres. A altas temperaturas los iones pueden adquirir alguna movilidad mejorando su conductividad elctrica. Al ser las fuerzas electrostticas relativamente fuertes entre los iones, estos slidos son duros y con alto punto de fusin. La mayora son diamagnticos y aislantes. * Covalente. En este tipo de cristales los tomos adyacentes comparten sus electrones de valencia de forma que, alrededor de cada tomo se crea una configuracin electrnica estable, similar a la de los gases nobles. Este es un tipo de enlace fuerte que hace que el slido sea duro y difcil de deformar. Al no tener electrones libres son malos conductores de la electricidad y el calor. Adems un cristal covalente requiere una cantidad de energa relativamente grande para producir vibraciones en todo el cristal, debido a la rigidez de los enlaces. Un ejemplo tpico de estructura covalente es la red del diamante. En ella, cada tomo de carbono est rodeado por otros cuatro, situados en los vrtices de un tetraedro regular. Aqu no se puede distinguir una molcula, se considera a todo el cristal como una molcula gigante. Otros cristales que presentan estructura covalente son el Silicio (Si) y el Germanio (Ge) que comentaremos mas tarde. * Matlico. Estas redes cristalinas estn formados por iones cargados positivamente inmersos en un gas de electrones que se mueven ms o menos libremente por la red cristalina y por tanto no estn localizados.

Esto es debido a que los tomos que van a formar el cristal tienen unos pocos electrones dbilmente ligados en sus capas mas externas. Estos electrones usando la energa que se libera en el momento de formarse el cristal se ponen en libertad, de este modo los iones forman la red actuando los electrones libres a modo de pegamento que mantiene la estructura unida. Justamente los electrones libres hacen que los slidos metlicos tengan excelente conductividad trmica y elctrica. Es un enlace ms dbil que el covalente y el inico. Como la interaccin electrosttica viene de todas direcciones, una pequea deformacin en el cristal metlico, no causa fractura si comprimimos, retorcemos o estiramos una pieza metlica. * Molecular. Los cristales moleculares estn formados por molculas no polares, que conservando su individualidad, se ligan para formar el cristal por las mismas fuerzas intermoleculares que existen en los gases o lquidos: las fuerzas de Wan der Waals, las cuales son muy dbiles y corresponden aproximadamente a las fuerzas entre dos dipolos elctricos. Esto puede ser explicado como sigue: aunque en promedio estas molculas no tienen un momento dipolar elctrico permanente, sus configuraciones electrnicas a cada instante pueden dar lugar a un dipolo elctrico instantneo. Las fuerzas de Wan der Waals provienen de la interaccin de estos dipolos elctricos instantneos. Las razones anteriores explican por qu los slidos moleculares no son conductores del calor y la electricidad, tienen un punto de fusin bajo, son muy compresibles y deformables. Ejemplos, los gases nobles cuando solidifican, CH4, Cl2, I2, CO2. La clasificacin precedente de tipos de enlaces en los slidos no debe ser tomada estrictamente, ya que, algunos slidos son una mezcla de ms de un tipo, por ejemplo, el grafito. La estructura de cada slido est determinada por la estructura electrnica de los tomos componentes, la cual indica l nmero de electrones disponibles para los enlaces, as como la energa necesaria para ajustar el movimiento de los electrones a las condiciones que prevalecen en la red. Tambin se debe tener en cuenta que los slidos cristalinos no son perfectos y sus imperfecciones en la red tienen un efecto importante sobre las propiedades elctricas, elsticas y acsticas.

14.3.- MODELO CLASICO DE LOS ELECTRONES LIBRES EN LOS METALES La idea de que los slidos con enlaces metlicos (metales) contienen electrones libres para moverse a travs de una red de iones positivos relativamente fijos, fue propuesta por Drude y Thomson alrededor de 1900 y desarrollada posteriormente por Lorentz. Este modelo predice con xito la ley de Ohm de la conduccin y relaciona la conduccin elctrica y la conduccin trmica con el movimiento de electrones libres en los conductores. Sin embargo este modelo presenta algunos fallos que discutiremos ms adelante, pero es un buen punto de partida para estudios mas complejos de los metales, basados en mecnica cuntica. En el modelo de Drude, se representa un metal como una distribucin tridimensional regular de iones o tomos con un gran nmero de electrones libres para moverse por todo el metal. En el cobre, por ejemplo, existe aproximadamente un electrn libre por tomo de cobre. La densidad de los electrones libres puede medirse utilizando el efecto Hall. En ausencia de un campo elctrico, los electrones libres se mueven de un modo semejante a como se mueven las molculas gaseosas dentro de un recipiente. Sin embargo, a diferencia de un gas ordinario, el equilibrio trmico se mantiene por choques de los electrones con los iones de la red en lugar de los electrones entre si. La velocidad cuadrtica media, viene dada por 3kT v rms = me donde k = 1.38 10-23 es la constante de Boltzman y me es la masa del electrn. La velocidad es del orden de 105 m/s. Pero por su movimiento aleatorio la velocidad media de todos ellos en el metal es cero, o sea, no hay corriente elctrica si no acta ningn campo externo. En presencia de un campo elctrico existe una pequea velocidad de desplazamiento superpuesta a la gran velocidad trmica. La velocidad de desplazamiento vd tiene sentido opuesto al del campo, por la carga del electrn. Como ya expresamos anteriormente (ley de Ohm) este desplazamiento constituye una corriente elctrica en direccin del campo, que como vimos se expresa mediante la ley de Ohm
J = E = E

El objetivo de esta teora es encontrar una expresin de en funcin de las propiedades de los metales. Si existen n electrones libres por unidad de volumen, que se mueven con una velocidad vd paralela al conductor, la densidad de corriente es

J = n e vd

Un electrn libre experimenta la accin de una fuerza de valor eE, si est fuera la nica fuerza, la velocidad del electrn debera aumentar con una aceleracin eE/me. En lugar de esto, la ley de Ohm implica que existe una situacin de estado estacionario en la cual vd es proporcional a E. Como es natural, sobre los electrones actan otras fuerzas cuando chocan con los iones de la red del metal. En este modelo clsico se supone que la velocidad del electrn, despus de haber realizado un choque de este tipo, carece de correlacin con la que posea antes del choque, porque vd es muy pequea en comparacin con la velocidad trmica aleatoria. Por consiguiente, el electrn se acelera por el campo elctrico durante el breve tiempo entre dos choques con los iones. El movimiento de un electrn de este tipo se puede apreciar en la figura.

En este modelo se supone que el exceso de energa adquirido por los electrones en el campo elctrico se libera en los iones en los choques aumentando su energa de vibracin lo que hace que se caliente el metal. Sin considerar la velocidad trmica aleatoria, despus de cada choque el electrn parte del reposo, con lo cual su velocidad de desplazamiento vale
vd = a t = eE me

siendo el tiempo medio entre dos choques (tiempo de relajacin). Sustituyendo este valor en la expresin de la densidad de corriente
e2 E J=n me con lo que

n e2 me

me n e2

Si l es el recorrido libre medio de los electrones, el tiempo medio entre choques est relacionado con esta longitud y la velocidad trmica, mediante

l v rms

(en realidad en el denominador es vrms + vd pero como vd<<vrms se acostumbra a despreciar).

14.3.1.- FALLOS DE ESTE MODELO CLASICO

Aunque el modelo clsico de los electrones libres resulta compatible con la ley de Ohm, no es satisfactorio para explicar algunos fenmenos importantes. Un primer fallo se detecta en la dependencia de la conductividad de la temperatura. Experimentalmente se comprueba que para un metal la conductividad elctrica es inversamente proporcional a la temperatura: 1 T (excepto a muy bajas temperaturas). Segn el modelo clsico como

=
sustituyendo en la conductividad

l v rms =l

me 3kT

me n e2 l = me 3kT en donde se observa que la conductividad es inversamente proporcional a la raz cuadrada de la temperatura 1 T . Un primer elemento que no concuerda.

Un segundo fallo que se aprecia, es que segn el modelo clsico los electrones libres, estos se comportan como un gas ideal. Como la energa interna de n moles de un gas 3 monoatmico es U = nRT (R constante universal de los gases), su capacidad calorfica a 2 volumen constante vale
Cv = dU 3 = nR dT 2

cabra esperar que la capacidad calorfica del metal aumentase en esta cantidad por la contribucin de los electrones libres. Pero experimentalmente se comprueba que este aumento 3 es bastante menor que nR , y es ms, el aumento de capacidad calorfica por los electrones 2 libres depende de la temperatura.

Tampoco concuerdan exactamente los valores de vrms obtenidos por el modelo clsico y los experimentales. No obstante, estos fallos se pueden explicar mediante el modelo cuntico. En 1928 Sommerfield expres que la diferencia entre el comportamiento del gas electrnico y el gas real era debido a que no se tenia en cuenta dos factores fundamentales: * El carcter ondulatorio de los electrones, que hace que las energas permitidas esten cuantizadas. * El principio de exclusin de Pauli, que limita el nmero de electrones que pueden ocupar un determinado nivel de energa.

14.4.- MODELO CUANTICO DE LOS ELECTRONES LIBRES.

Para obtener un modelo ms satisfactorio del movimiento electrnico, teniendo en cuenta los dos factores expresados en la seccin anterior, se va a considerar que un electrn libre del metal se comporta como una partcula en una caja cbica de arista a, donde las paredes de la caja representan la superficie del metal. La versin unidimensional de este problema se analizo en el Tema anterior, por lo que, el electrn en movimiento en la caja tridimensional con las condiciones de que (x, y, z) sea cero para x=0, x=a ; y=0, y=a ; z=0, z=a, dar una funcin de onda de las ondas estacionarias
n x n y n z n1 n 2 n 3 = 0sen 1 0sen 2 0sen 3 a a a

que es la solucin de la ecuacin de Schrdinger. La energa correspondiente a esta funcin de onda es E n1 n 2 n 3 =

h2 2 2 n1 + n2 2 + n3 2 8 me a

en donde se puede observar que son las mismas ecuaciones que en el caso unidimensional, asociando un nmero cuntico a cada dimensin, es decir, la energa est cuantizada, caracterizndose cada estado por tres nmeros cunticos, n1, n2 y n3 que determinan su energa.

14.4.1.- ENERGIA DE FERMI. ESTADISTICA DE FERMI-DIRAC.

Cuando hay Ne electrones en una caja tridimensional de volumen V(modelo de la red cristalina de un metal), a T = 0 K los electrones ocuparn los estados ms bajos de energa

compatibles con el principio de exclusin de Pauli. La energa del ultimo nivel lleno o parcialmente lleno se denomina energa de Fermi EF, que omitiendo su deduccin, viene dada por
2

h 2 3N e 3 EF = 8m e V
N donde se observa que depende del nmero de electrones por unidad de volumen e , que es V caracterstico para cada elemento. Excepto para temperaturas extremadamente altas en los conductores tpicos E F vara poco con la temperatura, por lo que el valor obtenido para T = 0 K es una buena aproximacin en un amplio rango de temperaturas.

Para una temperatura superior a 0 K, algunos electrones ocuparn estados energticos ms elevados debido a la energa trmica ganada durante las colisiones con la red. Sin embargo, un electrn no puede desplazarse a un estado superior o inferior a menos que se encuentren desocupados. Para conocer si un estado esta ocupado o vacio a cualquier temperatura Enrico Fermi (1901-1954) proporciono una expresin que permite conocer la probabilidad de que un estado con energa E este ocupado, esta es
f(E) = 1 1+ e
( E - E F ) / kT

que se conoce con el nombre de funcin de distribucin de Fermi-Dirac, donde k es la constante de Boltzman y T la temperatura absoluta. Si se observa la funcin de distribucin de Fermi-Dirac para T 0 en la exponencial podemos observar dos casos: E -E F E EF Si E > EF es positivo e kT kT E-EF E EF Si E < EF es negativo e kT 0 kT con lo cual para T = 0 K f(E) = 1 f(E) = 0 para E < E F para E > E F

lo que claramente muestra que la energa de Fermi divide los estados ocupados de los vacos en un slido para T = 0 K. Siendo la probabilidad de que un electrn ocupe un estado cuntico de valor de energa la de Fermi de 1/2.

En las figuras se puede observar lo expuesto.

Como la energa cintica de los iones de la red a una temperatura T es del orden de kT, los electrones en sus colisiones con estos iones no pueden ganar energa muy superior a kT (que es pequea). Por tanto, slo aquellos electrones cuya energa difiera de la energa de Fermi en cantidades prximas a kT podrn ganar energa al crecer la temperatura y por el principio de exclusin no podrn ir a niveles de energa inferiores a EF porque estn ocupados, slo podrn ir a niveles superiores de energa que habr muchos disponibles.

14.4.2.- LA CONDUCCION EN EL MODELO CUANTICO DE ELECTRONES LIBRES.

La expresin de la conductividad de la resistividad del modelo de electrones libres clsico de Drude coincide con el modelo de electrones libres cuntico

me n e2

pero con dos diferencias conceptuales importantes en el tratamiento de la resistencia de un conductor: La descripcin de los electrones mediante funciones de onda en vez de ser considerados partculas clsicas y el principio de exclusin de Pauli que limita la dispersin a los electrones con energas cercanas a la del nivel de Fermi. En el modelo clsico de Drude, la resistencia se supone producida por los choques de los electrones (que se comportan como partculas) con los iones de la red, por lo que incluso, una red perfecta ofrecer resistencia al flujo de los electrones. Sin embargo, cuando tratamos al electrn cunticamente debemos considerar su funcin de onda interaccionando con la red perfecta. La dispersin desde una funcin de onda o estado cuntico a otro solo puede ocurrir cuando la red presenta imperfecciones, as que un conductor sin imperfecciones no tiene

resistencia. Dos imperfecciones importantes de las redes de los metales son las vibraciones de los iones alrededor de su posicin en la red perfecta y las impurezas (por ejemplo en la red de Cu que existan iones de Zn). Cuando acta un campo elctrico externo sobre el conductor proporciona energa a todos los electrones, pero por lo que se ha expresado anteriormente, solo los cercanos en su energa inicial a la de Fermi por este aumento de energa podrn pasar a otros estados cunticos y dirigir su velocidad en la direccin opuesta al campo elctrico. La velocidad con la que se mueven estos electrones es aproximadamente
EF = 1 me v 2 2 vF = 2E F me

denominada velocidad de Fermi, que como se ve es independiente de la temperatura. Las temperaturas superiores a 0 K hace que las dispersiones producidas por la vibracin de los iones obstaculice el efecto acelerador del campo elctrico, por lo que se llegar a que los dos efectos se equilibren y los electrones se muevan con una velocidad media que aproximadamente es la de Fermi. Pero el aumento de estas vibraciones de los iones hace que aumente la probabilidad de dispersin de los electrones (colisiones) y por tanto su recorrido medio ser menor y dependiente de la temperatura de la forma
l=
M 2 1 2 n kT

(en que M es la masa del in y la pulsacin de la vibracin del in). Con lo que el tiempo de relajacin al ser
=

l vF

Como vF = cte. y l es proporcional a 1/T, tambin lo ser y por tanto la resistividad ser proporcional a T o la conductividad a 1/T, refutando al modelo clsico y concordante con los experimentos. En cambio en el caso de imperfecciones por impurezas, el recorrido libre medio entre dispersiones aproximadamente es igual a la distancia media entre las impurezas del conductor, y por tanto es independiente de la temperatura. Como vF = cte. esto indica que es independiente de la temperatura y tambin lo ser la resistividad debida a la dispersin por impurezas.

Para concentraciones de impurezas, las contribuciones a la resistividad debidas a las vibraciones y a las impurezas son aditivas. A altas temperaturas la contribucin vibracional domina sobre la contribucin de las impurezas, y hay dependencia de T. El otro error que se observaba en el modelo clsico, la menor cantidad de la capacidad calorfica a volumen constante CV y su dependencia de T, observado desde la teora cuntica, se ve que para T = 0 K, la energa media de los electrones es 3/5 EF, de modo que la energa total es 3/5 NeEF. Para una temperatura T, solo aquellos electrones prximos al nivel de Fermi pueden excitarse por colisiones (dispersiones) con los iones de la red, que poseen una energa media del orden de kT. La fraccin de los electrones que se ven excitados es del orden de kT Ne y estos aumentan su energa en una cantidad que es del orden de kT. Por consiguiente, EF podemos escribir para la energa total de Ne electrones a la temperatura T 3 2 kT E = NeEF + Ne kT 5 4 EF con lo cual la capacidad calorfica a volumen constante ser CV = dE 2 kT 2 k = = nR T (donde nR = N e k) Nek dT 2 EF 2 EF

3 nR y se puede observar su dependencia de la 2 temperatura, concordando con los valores experimentales.

que es significativamente inferior a

14.5.- TEORIA DE BANDAS DE ENERGIA.

El modelo de electrones libres explica las caractersticas ms importantes de la conductividad de los slidos, pero ignora la periocidad de la red inica, pues supone que los electrones de valencia libres se mueven con libertad en una caja que representa al slido. Cuando se aplica un campo elctrico, se produce corriente elctrica debido al arrastre de los electrones por el campo y al efecto de la dispersin causada por las imperfecciones. As, todos los slidos seran conductores, pero sabemos que no ocurre as, y esto es debido a la periocidad de la red que acta sobre las funciones de onda de los electrones. La funcin de onda de un electrn en un tomo aislado est ligada a ese tomo y cada nivel de energa claramente definido y frecuentemente muy separados. Por el contrario, una funcin de onda de un electrn en un slido cristalino no est localizado en una posicin atmica, sino que se extiende por todo el cristal, ya que un electrn interacciona con todos los iones de la red, en lugar de encontrarse en un in en particular. Es decir, cuando dos tomos se aproximan sus niveles energticos cambian debido a la influencia del otro tomo y como

consecuencia se desdobla en dos niveles de energa ligeramente diferentes que corresponden al sistema formado por los dos tomos. Al constituirse un cristal metlico a partir de N tomos, un nivel de energa de un tomo aislado se desdobla en N niveles energticos distintos pero muy prximos. El resultado es que en vez de tener niveles energticos discretos, se tienen bandas prcticamente continuas de energa, separadas por intervalos de energas prohibidas. En una red cristalina hay muchas bandas de energa, cada una correspondiente a un nivel de energa (1s, 2s, 2p). En la figura se aprecian las bandas que corresponden a varios niveles de energa para una distancia interinica a. En las curvas de energa situadas a la derecha, podemos observar que a mayor nivel de energa mayor es la distancia interinica a la cual comienzan a formarse las bandas. La razn es que cuanto mayor sea la energa de los electrones, mayor es la regin en la cual pueden estar, pues ms fcilmente son afectados por los iones vecinos. Justamente los electrones de mayor energa son los de valencia, responsables del enlace entre tomos y de la conduccin elctrica.

Si la banda mas alta de un slido tiene el nivel de Fermi, o sea, tiene estados ocupados por los electrones de valencia y otros vacos, se la denomina banda de conduccin, pero si la banda mas alta de energa est completamente llena, o sea EF est en el lmite superior o mayor, se la denomina banda de valencia y a la siguiente banda permitida, despus de pasar la prohibida, que est vaca se la denomina banda de conduccin. En la siguiente seccin veremos la aplicacin de la teora de bandas para diferenciar a los slidos segn su permisibilidad a la conduccin elctrica.

14.6.- CONDUCTORES, AISLANTES Y SEMICONDUCTORES.

Aplicando la teora de bandas, se ve porque unos slidos tienen altos valores de conductibilidad y otros no. Entre los primeros estn los metales y entre los segundos los de enlace inico y covalente, principalmente. Considrese un slido que tiene la estructura de bandas de la figura, por ejemplo un cristal de Na (Z=11). Las bandas correspondientes a los niveles atmicos 1s, 2s y 2p estn completamente llenos debido a que las respectivas capas atmicas estn completas. Pero la banda 3s, que puede acomodar hasta 2N electrones (2 electrones por tomo), tiene solo la mitad completa. Bajo la accin de un campo elctrico externo, los electrones de esta banda pueden, sin violar el principio de exclusin de Pauli, adquirir cantidades adicionales de energa y pasar a cualquiera de los estados vecinos vacos dentro de la banda y una vez excitados moverse en direccin opuesta al campo creando una corriente elctrica, en el cristal. Por lo tanto concluimos que un slido que tiene una estructura de bandas como la de la figura deber ser un buen conductor elctrico y trmico, siendo los electrones de la banda ms alta los responsables de ambos procesos. Realmente la situacin es ligeramente ms compleja debido a la posible superposicin de las bandas ms altas, que es lo comn en la mayora de los conductores. Por ejemplo el tomo de Mg tiene una configuracin electrnica 1s2 ; 2s2 ; 2p6 ; 3s2 y por consiguiente todas las capas llenas. En estado slido la banda 3s debera estar llena y la 3p vaca y el Mg comportarse como un aislante.

Pero debido a la superposicin de las bandas 3s y 3p algunos electrones 3s pasan a ocupar algunos de los niveles 3p bajos hasta que se establece un nivel de energa de equilibrio comn para ambas bandas. Como el nmero total de niveles de energa disponibles de las bandas 3s y 3p es 2N+6N=8N y tenemos solamente 2N electrones, quedan 6N estados vacos accesibles. Por consiguiente el Mg deber ser un buen conductor, que est de acuerdo con los hechos experimentales. Son los llamados semimetales.

En el grupo de los metales Fe, Cu, las bandas que se superponen son 3d, 4s y 4p y el nmero de electrones es insuficiente para llenarlas, por lo que son buenos conductores en estado slido. Consideremos ahora el caso de una sustancia en la cual la banda ms alta o de valencia est completamente llena y no se superpone con la siguiente que est completamente vaca. Como todos los estados de la banda de valencia estn ocupados, los electrones no pueden cambiar su estado sin violar el principio de exclusin. En consecuencia, un campo elctrico no puede acelerar los electrones de la banda de valencia y no hay corriente elctrica. Por eso a estos slidos se les denomina aislantes (por supuesto si la temperatura aumenta mucho el campo aumenta mucho como para proporcionarles la energa, 5 6 eV, para saltar de bandas se producir corriente). La mayora de los slidos covalentes son aislantes, por ejemplo el diamante. El tomo de C (1s2, 2s2, 2p2) tiene cuatro electrones de valencia, a medida que se forma el cristal los tomos estn mas cerca uno de otro, las bandas 2s y 2p comienzan a superponerse y a la distancia de equilibrio se desdoblan en dos bandas, una con 4 electrones completamente llena (valencia) y otra completamente vaca (conduccin), existiendo entre ambas una discontinuidad del orden de 5 6 eV, que energticamente es grande, por lo que el diamante es un buen aislante.

En los semiconductores ocurre un caso anlogo a los aislantes con la diferencia de que la discontinuidad de energa entre la banda de valencia y la de conduccin es del orden de 1 eV o menos, por lo que es relativamente fcil excitar trmicamente a los electrones desde una banda a la otra. En el siguiente tema hablaremos ms extensamente de ellos.