Cap 1

Semiconductores Rectificadores monofsicos y trifsicos Transistores Amplificadores y osciladores Amplificadores Operacionales Rectificadores Controlados Electrnica de Potencia Tcnicas Digitales
Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
OBJETIVOS DEL LIBRO:

En esta asignatura se introduce al alumno en los principios bsicos de la electrnica desde todas sus perspectivas. Primero a nivel de componentes, para seguir con circuitos elementales tanto analgicos como digitales. En el libro, se desarrollan algunas aplicaciones de estos conocimientos. Podramos sintetizar diciendo que los objetivos buscados en el libro son:
Conocer, aprender y saber utilizar los diferentes elementos empleados en electrnica analgica y sus aplicaciones en el mbito de los procesos industriales. Aprender a analizar y disear circuitos analgicos de aplicacin industrial. Saber interpretar y analizar diagramas y esquemas de circuitos y sistemas electrnicos.
BIBLIOGRAFA BSICA:
Circuitos Electrnicos. Anlisis, Simulacin y Diseo. Mallik, N.R., ,Prentice-Hall, 2000. Fundamentos de Electrnica Fisica y Microelectronica, Albella, J.M. y Martinez-Duart, J.M.. Addison-Wesley/Universidad Autonoma de Madrid. Electrnica de Potencia, Daniel W. Hart, Prentice Hall. Principios de Electrnica . Malvino, Albert Paul:: 6 Ed. Madrid. Mc. Graw-Hill 2000 Circuitos electrnicos: Discretos e Integrados.. 2 Ed. Barcelona. Marcombo - Boixareu, 1985 Amplificadores Operacionales y C.I. Lineales. . Coughiln, Robert F., Driscoll, Frederick F 4 Ed. Mxico. Prentice- Hall Hispanoamericana S.A:1.991 El amplificador Operacional y sus aplicaciones. Marchais, J.C. 4 Ed. Barcelona: Marcombo- Boixareu, 1986 Fsica Bsica de Semiconductores. Robles viejo, Montserrat, Romero Colomer, Francisco y cuatro ms. Ed. Paraninfo S.A. 1.993. Problemas de Electrnica Analgica. Otero Arias, Jos y Velasco Ballano, Joaquin. Ed. Paraninfo S.A. Madrid 1.993. Circuitos y dispositivos electrnicos, L. PRAT et al.,, UPC, 1994. Electrnica: Teora de circuitos, R.L. Boylestad & L. Nashelsky, Ed. Prentice Hall, 1997 Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
Diseo electrnico, Iberoamericana, 1992.
SAVANT
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Tietze U., Schenk Ch., Circuitos Electrnicos Avanzados, Marcombo, 1983. Savant, C.J., Roden, M.S. y Carpenter, G.L., Diseo Electrnico: Circuitos y Sistemas, Addison-Weley Iberoamericana, S.A., 1992. Sedra, A.S., Smith K.C., Microelectronic Circuits, Oxford University Press, 1998 Senner, Adolf, Principios de Electronica, Edit. Revert S.A.
Manuales de fabricantes de Motorola, Texas Instruments, Siliconix, Signetics, Analog Devices, NationalSemiconductor, Avanced Semiconductor, FairChild Semiconductor Corp., Exar integrated Systems,Precision Monolitics, Linear Technology, Burr-Brown.
Introduccin a la Electrnica Diagramas en bloques. Sistemas analgicos y digitales Ruido y seales analgicas y digitales Caractersticas de las seales elctricas Materiales Semiconductores Bandas de energa Impurezas tipo P y N Juntura PN Polarizacin de las junturas. Propiedades Efectos de la temperatura Rectificadores en la industria Tipos de Rectificadores y Caractersticas Semiconductores Fotosensibles Simbologa general de semiconductors
OBJETIVOS DEL CAPITULO 1

Comprender las propiedades de los materiales semiconductores, tanto puros como dopados, utilizados en la fabricacin de dispositivos electrnicos modernos. Comprender las caractersticas y operacin de los dispositivos electrnicos fundamentales tales como diodos y otros semiconductores fotosensibles. Las tendencias actuales en materiales y dispositivos Conocer los efectos de la polarizacin de las junturas PN Comprender los efectos de la temperatura en los semiconductores y los cuidados cuando se trabaja con ellos Conocer la simbologa utilizada en electrnica.
BIBLIOGRAFIA RECOMENDADA
Kanann Kano, Semiconductor Devices. Prentice Hall, 1998. W. Edward Gettys, F. J. Keller y M. J. Skove. Fsica Clsica y Moderna. Mc. Graw Hill. Fundamentos de Electrnica Fisica y Microelectronica, Albella, J.M. y Martinez-Duart, J.M.. Addison-Wesley/Universidad Autonoma de Madrid. Robert, Pierret, Fundamentos de Semiconductor, Adison Wesley, Segunda edicin. 1994. G.W. Neudeck, El diodo PN de unin, Addison Wesley, 1993. Bhattacharya Pallab, " Semiconductor Optoelectronics devices" Prentice Hall, 1994. Bar, Lev Adir. Semiconductor and electronic devices. Editorial Prentice Hall. Streetman, Ben. Solid state electronic devices. Edit Prentice Hall. Sze, S. M. Semiconductor Devices, physics and Technology. Wiley. Antognetti, Paolo. Semiconductor Device Modeling With SPICE. Editorial Mac Graw Hill. 1998. Una pgina muy interesante. "The semiconductor applet service" http://jas.eng.buffalo.edu/ Sitio web: http://chure.tripod.com/semiconductores2.html
INTRODUCCION A LA ELECTRONICA
La investigacin bsica de los principios fsicos de los materiales y dispositivos electrnicos es la base de todo el progreso en los sistemas electrnicos. Sin la comprensin de la fsica relacionada con la conduccin de la electricidad, no existira la electrnica. El estudio de los principios de la electrnica fsica no est completo sino que contina y se puede esperar que se produzcan ms descubrimientos importantes. Por tanto, la electrnica fsica sigue siendo un rea muy importante de investigacin. Describiremos algunos de los principios bsicos de la electrnica fsica a medida que sea necesario, pero el enfoque principal de este libro es la comprensin de los principios de funcionamiento de los diversos componentes y circuitos electrnicos utilizados en la industria electromecnica.
A los descubrimientos cientficos en electrnica fsica, les ha seguido rpidamente las aplicaciones. La electrnica comenz con la invencin de un dispositivo de amplificacin y conmutacin conocido como triodo de vaco, creado por Lee DeForest en 1906. La tecnologa de tubos de vaco llev a la popularizacin de la radiodifusin en los aos 20, al desarrollo de la televisin en los aos 30 y a los primeros computadores electrnicos en los aos 40. En 1947, un equipo que trabajaba en Bell Laboratories bajo la direccin de William Shockley, cre el transistor de estado slido. Se reconoci inmediatamente el tremendo potencial de este dispositivo y, desde entonces, la electrnica moderna se ha desarrollado de una manera muy rpida. La investigacin contnua en el campo de la fsica del estado slido permite que se produzcan los descubrimientos bsicos esenciales para el avance de los sistemas electrnicos.
DIAGRAMAS EN BLOQUES
Los sistemas electrnicos se componen de varios subsistemas o bloques funcionales. Estos bloques funcionales, que analizaremos en este libro, se pueden dividir en varias categoras: rectificadores, filtros, fuentes de alimentacin, amplificadores, osciladores o fuentes de seales, funciones de lgica digital, memorias digitales, y controladores de potencia. En pocas palabras, podemos decir que los amplificadores incrementan la intensidad de las seales dbiles, los filtros separan las seales deseadas de las no deseadas y del ruido, las fuentes de seales generan diversas formas de onda, como senoidales o cuadradas, las funciones de lgica digital Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
procesan seales digitales, las memorias guardan informacin en formato digital, las fuentes de alimentacin proporcionan la corriente continua necesaria a los dems bloques funcionales, y los controladores permiten regular la potencia entregada a una carga. En la siguiente figura se muestra el diagrama de bloques de una radio AM. Como puede observar, se muestran tres amplificadores y dos filtros. El oscilador local es un ejemplo de una fuente de seal, y el detector de pico es un tipo especial de circuito conformador de onda. Los circuitos digitales aparecen en la interfaz de usuario (teclado y pantalla) y en el sintetizador de frecuencias. Los circuitos digitales controlan la seleccin de canales y otras funciones, como el volumen. La descripcin completa del sistema incluira especificaciones detalladas para cada bloque. Por ejemplo, se mostrara la ganancia, la impedancia de entrada y el ancho de banda de cada amplificador (se definirn detalladamente estos trminos ms adelante). Cada bloque funcional consiste en un circuito compuesto por resistencias, condensadores, bobinas, transistores, circuitos integrados y otros dispositivos.
El objetivo principal de este libro es proporcionar la base para que, partiendo de los principios de funcionamiento de los componentes activos de un bloque, entender el funcionamiento del sistema electrnico completo.
El procesamiento de la informacin y la electrnica de potencia

Muchos sistemas electrnicos pertenecen a una o ms de las siguientes categoras: sistemas de procesamiento digital de la seal, sistemas de comunicacin, electromedicina, instrumentacin, sistemas de control y sistemas informticos. Un aspecto comn de estas categoras es que todas incluyen la recopilacin y procesamiento de seales portadoras de informacin. Por tanto, la funcin principal de muchos sistemas electrnicos es extraer, almacenar, transportar o procesar la informacin de una seal. Muchas veces, tambin es necesario que los sistemas proporcionen energa a un dispositivo de salida. Esto ocurre, por ejemplo, en un sistema de audio, en el cual es preciso alimentar a los altavoces para producir el nivel deseado de sonido. En un sistema de control para el posicionamiento automtico de un satlite de comunicaciones, se utiliza la informacin extrada de varias fuentes para controlar los pequeos motores de cohete que mantienen al satlite en la posicin y orientacin adecuadas. Los marcapasos utilizan la informacin extrada de las seales elctricas producidas por el corazn para determinar cundo se deber aplicar un estmulo en forma de un pequeo pulso elctrico para asegurar el latido adecuado. Aunque la potencia de salida de un marcapasos es muy pequea, es importante considerar la eficiencia de sus circuitos para asegurar una vida larga a la batera.
Algunos sistemas electrnicos se concentran en la potencia de las seales en vez de en su informacin. Por ejemplo, se podra desear disponer de un sistema que suministrase corriente alterna (obtenida a partir de la corriente continua proporcionada por una serie de bateras) a un computador aunque fallase la fuente de alimentacin de corriente alterna.
SISTEMAS ANALOGICOS Y SISTEMAS DIGITALES

Las seales portadoras de informacin pueden ser analgicas o digitales. Una seal analgica toma un margen continuo de valores de amplitud. En la Figura (a) se muestra la amplitud de una seal analgica tpica en funcin del tiempo. Es preciso observar que, con el transcurso del tiempo, la amplitud de la seal vara en un margen continuo. Por el contrario, una seal digital toma un nmero finito de amplitudes. Muchas veces, las seales digitales son binarias (es decir, slo existen dos amplitudes posibles), aunque a veces sea til disponer de ms niveles. Con frecuencia, las seales digitales cambian de amplitud nicamente en instantes de tiempo espaciados uniformemente. En la Figura (b), se muestra un ejemplo de una seal digital. Las seales que presenta un transductor a la entrada de un sistema electrnico suelen estar en formato analgico. Un transductor es un dispositivo que convierte cualquier tipo de energa en electricidad, o viceversa como en el caso de los sonidos convertidos en seales elctricas mediante un micrfono, las seales de televisin, las vibraciones ssmicas, la salida de un transductor de temperatura en una turbina de vapor, etc. Otras seales, como la salida del teclado de una computadora, se originan en formato digital.
RUIDO Y SEALES ANALOGICAS O DIGITALES

El ruido es una perturbacin no deseada aadida a la seal deseada. Puede surgir por la agitacin trmica de los electrones en una resistencia, por el acoplamiento inductivo o capacitivo de las seales de otros circuitos, o por otros motivos. Estas seales de ruido suelen aparecer aleatoriamente, y el diseador del circuito no puede controlarlas (hasta cierto punto). Una de las ventajas ms significativas que presentan los sistemas digitales en comparacin con los sistemas analgicos es la manera en la que el ruido afecta a las seales. La Figura muestra seales analgicas y digitales tpicas antes y despus de la adicin de ruido. Observe que se pueden discernir los niveles originales (alto y bajo) de la seal digital, aunque se haya aadido el ruido, si la amplitud de pico del ruido es menor que la mitad de la distancia entre los niveles de la seal digital. Esto es posible porque la seal digital slo toma amplitudes especficas, que continuarn siendo reconocibles al aadir ruido. Por tanto, es posible eliminar completamente el ruido de las seales digitales si la amplitud del ruido no es demasiado grande. Por el contrario, cuando se aade ruido a la seal analgica, no es posible determinar la amplitud original de la seal de manera exacta, porque todos los valores de amplitud son vlidos. Por ejemplo, un araazo en un disco de vinilo analgico crea un ruido que no es posible eliminar. Si se transfiere la seal a una cinta analgica se aadir ms ruido. Por tanto, el ruido tiende a acumularse en las seales analgicas cada vez que son procesadas. Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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En general, los sistemas analgicos requieren menos componentes de circuito individuales que los sistemas digitales. En los primeros aos de la electrnica, se fabricaban los componentes de circuito individuales de manera separada, y luego se conectaban manualmente. Estos circuitos se denominan circuitos discretos. La mayora de los sistemas antiguos se diseaban como sistemas analgicos (para minimizar el nmero de componentes), porque el coste de un circuito discreto es proporcional al nmero de elementos de circuito. La tecnologa moderna ha hecho posible fabricar miles de componentes de circuito y sus interconexiones al mismo tiempo, mediante unos pocos pasos de procesamiento. Los circuitos fabricados de esta manera se denominan circuitos integrados (CI). Ahora es posible fabricar un circuito con 100.000 componentes con casi el mismo coste necesario para fabricar un circuito con slo 10 componentes similares. Por tanto, el coste de un circuito no aumentara en proporcin al nmero de componentes, supuesto que todos los componentes puedan ser utilizados en la fabricacin de circuitos integrados.
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Es ms sencillo implementar circuitos digitales que circuitos analgicos mediante tcnicas de circuitos integrados. Los circuitos analgicos suelen requerir resistencias, capacidades e inductancias grandes que no es posible fabricar utilizando dichas tcnicas Por tanto, aunque los sistemas digitales suelen ser ms complejos que los analgicos, la aproximacin digital a un diseo suele resultar en un sistema ms econmico y de mayores prestaciones. Con el desarrollo de la tecnologa de los circuitos integrados, la tendencia de la industria de la electrnica se ha inclinado hacia los sistemas digitales de altas prestaciones. La comparacin de un disco compacto digital con el antiguo disco de vinilo o cinta analgica muestra esta tendencia, as como la mejora en prestaciones que puede conseguirse gracias a este mtodo. Adems, los sistemas digitales son ms adaptables a una gran variedad de funciones que los sistemas analgicos. Por ejemplo, se pueden utilizar los computadores digitales para llevar a cabo muchas tareas. Un sistema de comunicaciones analgico diseado para transportar una serie de seales de voz no es fcilmente adaptable a una seal de televisin o a datos de carcter informtico. Por el contrario, cuando se utilizan tcnicas digitales, es posible obtener un sistema que pueda comunicar seales digitalizadas procedentes de varias fuentes. Muchas de las seales de entrada y salida de los sistemas electrnicos son analgicas. Adems, muchas funciones (en particular las que tratan con amplitudes de seal bajas o frecuencias muy altas) requieren una aproximacin analgica. La disponibilidad de circuitos digitales complejos ha incrementado la cantidad de circuitos electrnicos analgicos porque muchos sistemas modernos contienen partes digitales y analgicas, pero no seran factibles como sistemas completamente digitales o completamente analgicos. Por tanto, cabe esperar que los sistemas del futuro sigan teniendo tanto elementos analgicos como digitales.
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CARACTERISTICAS DE LAS SEALES ELECTRICAS
Siendo v(t), i(t) y p(t), funciones genricas de tensin, corriente y potencia. En las ecuaciones, v, i y p representan los valores instantneos de tensin, intensidad de corriente y potencia.
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MATERIALES SEMICONDUCTORES
Desde el punto de vista elctrico, los materiales suelen dividirse en tres categoras atendiendo a su conductividad: conductores, semiconductores y aislantes. En la siguiente figura se han ordenado algunos materiales tpicos segn el valor de la conductividad. Ntese que la escala de conductividad tiene un rango muy amplio desde 10-18 ohm-1cm-1 para los mejores aislantes hasta un valor mayor que 1036 ohm-1cm-1 para los materiales superconductores a temeperaturas por debajo de la temperatura crtica de transicin. Los valores indicados en la figura han de tomarse como aproximados, ya que la conductividad es una magnitud sujeta a la influencia de muchos factores, tales como el estado de agregacin del material, su estructura cristalina, temperatura, etc.
Los semiconductores forman un grupo de materiales que presenta un comportamiento intermedio entre los conductores y los aisladores. Como veremos, los semiconductores en estado puro y a temperaturas bajas presentan una conductividad relativamente baja por lo que sus propiedades se asemejan a las de los aisladores. Sin embargo, la conductividad de estos materiales es una funcin creciente con la temperatura de forma que a la temperatura ambiente la mayora de los semiconductores presentan una conductividad apreciable, aunque siempre es menor que la de un metal. Incluso a una temperatura dada, es posible variar a voluntad la conductividad de estos materiales si se les aade una cantidad controlada de impurezas de determinados elementos qumicos. Es precisamente esta caracterstica la que ha permitido desarrollar una gran variedad de componentes y dispositivos electrnicos basados en los materiales semiconductores. Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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Para explicar mejor la teora de los semiconductores, nos adentraremos en el campo de la fsica de estado slido y expondremos algunos de los principales conceptos establecidos. Empezaremos considerando los electrones y su movimiento en los diversos materiales. Una corriente elctrica puede ser considerada como un desplazamiento de cargas elctricas a travs de un material. A los materiales que permiten la circulacin de la corriente se los llama conductores, mientras que a los que se oponen a la circulacin de la corriente elctrica se los denomina aisladores. En la siguiente tabla se puede observar las resistividades de diferentes cuerpos: MATERIAL Cobre Germanio Silicio Cuarzo RESISTIVIDAD (Siemens) 10-6 60 1,5 * 105 1014 TIPO conductor semiconductor semiconductor aislador
Las resistividades del germanio y del silicio son intermedias entre las de los aisladores y los conductores, por eso dichos materiales reciben el nombre de semiconductores, y se fabrican normalmente en un semiconductor monocristalino. Todo cuerpo est formado por tomos. Los tomos estn constitudos por electrones, protones y neutrones. Cada tomo en s puede considerarse elctricamente neutro: los protones del ncleo quedan equilibrados por igual nmero de electrones girando a su alrededor con carga opuesta. El tomo de silicio posee catorce electrones. De stos, los cuatro ms alejados del ncleo son los electrones de valencia que participan en los enlaces con otros tomos. El silicio es, por tanto, un tomo tetravalente. Las rbitas de los electrones estn distribudas en "capas". En cada capa hay un nmero mximo de lugares que pueden ser ocupados por electrones Los electrones de la capa externa determinan las caractersticas qumicas y elctricas de un elemento y reciben el nombre de electrones de valencia. Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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En la capa de valencia, el mximo nmero de electrones que puede haber es de OCHO. Debe tenerse en cuenta que aunque en un trozo de material semiconductor hay muchos electrones, la mayora de ellos estn fuertemente ligados a sus tomos afines y no son libres para moverse ni conducir corriente. Solamente muy pocos estn relativamente libres, los electrones ms exteriores del tomo y que ordinariamente determinan su valencia qumica. Por esta razn a estos electrones libres se les denomina electrones de valencia.
Estructura cristalina
Los tomos semiconductores estn dispuestos en una configuracin geomtrica denominada RED CRISTALINA. En el germanio y en el silicio, esta estructura es cbica, similar a la del diamante. El silicio que se utiliza para fabricar dispositivos electrnicos es un monocristal cuya estructura cristalina se denomina de diamante
Enlaces covalentes
Cada tomo de silicio est unido a otros cuatro mediante enlaces covalentes. Un enlace covalente se forma entre dos tomos que comparten dos electrones. Cada uno de los electrones del enlace es aportado por un tomo diferente. Pese a que cada tomo semiconductor es neutro, existe una tendencia en la red cristalina de admitir electrones en los cuatro lugares vacos. Como resultado, cada tomo comparte mutuamente sus electrones de valencia con cuatro tomos adyacentes. A esta unin se la llama enlace covalente. Resulta muy engorroso trabajar con la representacin cristalina tridimensional que se ha descrito. Por ello suele recurrirse a un esquema bidimensional, denominado modelo de enlaces, en el que se representa la caracterstica esencial de la estructura cristalina: cada tomo est unido a Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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cuatro tomos vecinos mediante enlaces covalentes. En este modelo cada tomo dedica sus cuatro electrones de valencia a constituir cuatro enlaces covalentes.
Ionizacin
Si calentamos un semiconductor, se energizan sus tomos, pudiendo "escaparse" algn electrn de su rbita de valencia. Se dice enton-ces que el tomo queda ionizado, constituyendo un "in positivo" (tambin llamado "hueco"). El electrn liberado se mueve en la red cristalina, recibiendo el nombre de "electrn libre". En el silicio o el germanio absolutamente puros (intrnsecos) se generan electrones y huecos (ausencia de electrones) por agitacin trmica En el material intrnseco, estos portadores de carga pueden moverse libremente dentro de la red cristalina, de modo que permiten el paso de corriente a travs del cristal cuando se aplica una tensin. Puesto que en equilibrio trmico la concentracin de portadores de carga intrnsecos es muy baja, la resistividad del material puro es de varios miles de cm, lo cual motiva que el semiconductor intrnseco, como tal, sea inadecuado para cualquier aplicacin prctica.
Como es natural, el material intrnseco no presenta propiedades rectificadoras. de los La concentracin portadores de carga generados trmicamente aumenta con la temperatura, dentro del margen normal de funcionamiento, y lo mismo sucede con la conductividad del material intrnseco.
Produccin y recombinacin
El proceso por el cual se generan un electrn libre y un hueco, recibe el nombre de produccin. Por el contrario, el proceso de recombinacin tiene lugar cuando un electrn libre ocupa un hueco, restablecindose nuevamente el equilibrio elctrico del tomo, desapareciendo el par electrn-hueco.
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Normalmente un hueco es ocupado por un electrn de valencia de un tomo vecino, creando as un hueco en el tomo vecino. Decimos, el hueco se ha "desplazado". Los electrones libres y los huecos mviles, ambos, contribuyen en la circulacin de la corriente elctrica, siendo los electrones "portadores negativos" y los huecos "portadores positivos". El nmero de electrones libres y huecos presentes en un semiconductor puro, depende fundamentalmente de la temperatura. A temperatura ambiente los semiconductores puros ("intrnsecos"), tienen millones de electrones libres y huecos mviles, donde los procesos de produccin y recombinacin se suceden simultneamente. La corriente elctrica suele ser considerada como un flujo de electrones. Uno de los conceptos ms importantes en la teora del semiconductor es que la corriente elctrica puede ser considerada no slo como un flujo de electrones, sino tambin como un flujo de huecos (iones) cargados positivamente. Un hueco positivo, o ms sencillamente un hueco, se puede considerar como ausencia de un electrn del puesto en que normalmente est situado. En muchos casos es ms cmodo describir una situacin por medio de huecos y su movimiento; en otros casos es ms cmodo el movimiento de electrones, y en otros el movimiento de ambos. Para hacerse una idea del concepto de huecos y su movimiento, consideremos el siguiente ejemplo: un garaje lleno en el que slo hubiese un espacio de aparcamiento vacante, situado en el fondo del mismo (fig.A). Supongamos ahora que llega un coche a la entrada del garaje. El encargado del aparcamiento desplazar algunos de los coches hacia el fondo para acomodar al nuevo coche.
En esencia lo que habr hecho el empleado ser desplazar el espacio vacante hacia delante, o sea, hacia la entrada del garaje (fig.B). Por lo tanto ha sido desplazado el hueco en direccin opuesta al flujo de coches. Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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Aplicando la analoga de la figura al semiconductor, los automviles seran los electrones y los espacios seran los huecos. Como en este caso hay electrones en exceso, stos son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. Un semiconductor de este tipo seria denominado de tipo N a causa de que la mayor parte de la corriente es transportada por electrones (cargas negativas). Cuando prevalece la situacin contraria y son los huecos los que estn en exceso, al semiconductor se le denomina tipo P, a causa de que la mayor parte de la corriente es transportada por cargas positivas (huecos). En este caso los electrones son los portadores minoritarios. El desplazamiento de electrones libres y huecos puede ser debido a dos causas: Un campo elctrico Difusin
Desplazamiento por campo elctrico (corriente de deriva)

Si se aplica una tensin entre dos puntos de un trozo de germanio ( o de silicio), se crear un campo elctrico en el interior del material, que actuar sobre los portadores obligndoles a desplazarse: Los huecos en el sentido del campo elctrico, y Los electrones en sentido opuesto.
Desplazamiento por difusin (corriente de difusin)

Si dejamos caer una gota de tinta en un recipiente de agua, dicha gota se mezclar con el agua hasta quedar uniformemente distribuda. Este proceso se llama difusin. En forma similar, si "inyectamos" algunos portadores en un semiconductor, stos tratarn de difundirse hasta lograr una distribucin uniforme de cargas. La difusin ser tanto ms intensa cuanto mayor sea el cambio de concentracin (gradiente de densidad). Esta difusin de portadores es un movimiento de cargas, siendo por tanto una corriente elctrica. Este fenmeno puede producirse por agitacin trmica de las cargas, por excitacin luminosa. La conductividad intrnseca de un semiconductor puede mejorarse notablemente, introduciendo cantidades precisas de impurezas seleccionadas, es decir, aadiendo elementos qumicos similares a los que forman la red cristalina. Una concentracin de impurezas de slo 1:108 resulta suficiente para reducir de modo apreciable la resistividad del material. Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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UN ENFOQUE ENERGTICO...
Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente elctrica mejor que otros. Generalizando, se dice que los materiales que presentan poca resistencia al paso de la corriente elctrica son conductores. Anlogamente, los que ofrecen mucha resistencia al paso de esta, son llamados aislantes. No existe el aislante perfecto y prcticamente tampoco el conductor perfecto. Existe un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que, como su nombre lo indica, conducen la corriente bajo ciertas condiciones. Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atmica. Los conductores son, generalmente, metales esto se debe a que dichos elementos poseen pocos tomos en sus ltimas rbitas y, por lo tanto, tienen tendencia a perderlos con facilidad. De esta forma, cuando varios tomos de un metal se acercan, los electrones de su ltima rbita se desprenden y circulan desordenadamente entre una verdadera red de tomos. Este hecho (libertad de los electrones) favorece en gran medida el paso de la corriente elctrica. Los aislantes, en cambio, estn formados por tomos con muchos electrones en sus ltimas rbitas (cinco a ocho), por lo que tienen tendencia a no perderlos fcilmente y a no establecer una corriente de electrones. De ah su alta resistencia. Tambin existe otro tercer tipo de materiales, que combina en mayor o menor medida la caracterstica de los anteriores: los semiconductores. Su caracterstica principal es la de conducir la corriente slo bajo determinadas circunstancias, y evitar el paso de ella en otras. Es, precisamente, en este tipo de materiales en los que la electrnica de estado slido est basada. La estructura atmica de dichos materiales presenta una caracterstica comn: est formada por tomos tetravalentes (es decir, con cuatro electrones en su ltima rbita), por lo que les es lo mismo ganar cuatro o perder cuatro. Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con otros tomos vecinos para as formar un cristal; que es la forma en que se los encuentra en la naturaleza. Si esta estructura se encuentra a una temperatura muy baja o en el cero absoluto, el cristal tendr tan poca energa que no ser posible la conduccin elctrica. Al aumentar la temperatura (a temperatura ambiente por ejemplo) ciertos electrones adquieren suficiente energa para romper el enlace del que forman parte y "saltar" a la siguiente orbita. Esto provoca la formacin de un espacio vaco que, por carencia de electrones, posee carga positiva. A este espacio se lo denomina hueco.
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Al nivel de energa donde se halla el electrn excitado se lo denomina banda de conduccin mientras que al nivel donde se encuentran el hueco y el resto de los electrones se lo denomina banda de valencia. El espacio entre estas dos bandas es conocido como banda prohibida. Este proceso no es realizado por un slo electrn, sino que se produce simultneamente con miles y miles de electrones a temperatura ambiente. Es decir, continuamente se estn formando pares electrn-hueco (as llamados porque siempre que se desprende un electrn se genera el hueco correspondiente), pero tambin continuamente se estn recombinando, es decir los electrones vuelven a ocupar su lugar, desapareciendo de esta forma el par electrn-hueco. Se llega as a un equilibrio dinmico en el que el nmero de electrones y huecos es igual y fijo (siempre y cuando la temperatura no se modifique). Si en estas condiciones se conecta a dicho cristal a una fuente externa de tensin, los electrones irn hacia el polo positivo de la pila, mientras que los huecos fluirn hacia el otro polo de la misma.
De esta forma se establecer una corriente elctrica a travs del cristal. Dado que la cantidad de portadores (huecos y electrones) aumenta con la temperatura, tambin lo hace la corriente por el cristal. Estas corrientes que se desarrollan en un cristal de este tipo -llamado intrnseco por que no fueron agregados elementos exteriores- son del orden de los micro o nano Amperios, por lo que no son tiles. Un semiconductor intrnseco puede ser considerado como un aislador. Ahora, bien para aumentar la conduccin de cualquier semiconductor se recurre a un proceso denominado "dopado" o "envenenamiento". Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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El objeto del mencionado proceso es el del aumentar la cantidad de portadores libres en el cristal provocando un aumento en la conductividad del mismo (recordar que la corriente es el flujo de portadores) El dopado del cristal es realizado con tomos trivalentes (con tres electrones en su ltima rbita) o pentavalentes (con cinco). Esta eleccin no es resultado de un proceso azaroso sino que uno u otro tipo de tomo aumentar a su vez la presencia de uno u otro tipo de portador. Cmo es esto? El silicio, como ya se ha dicho, tiene cuatro electrones en su ltima rbita, los cuales se combinan a su vez con otros tomos para
formar un cristal. Al introducir un tomo penta o trivalente en dicho cristal, se provocar un aumento o un defecto de electrones que har aumentar la cantidad de portadores. Si se introduce un tomo pentavalente (P, Sb, As) en un cristal puro, cuatro de sus electrones se unirn a cuatro electrones de los tomos de silicio vecinos, pero el quinto queda libre, sin formar parte de ninguna unin, por lo que est dbilmente ligado al tomo. Este electrn libre, requerir muy poca energa para "saltar" a la banda de conduccin. La energa trmica del ambiente basta para provocar este salto. De esta forma al agregar tomos pentavalentes agregamos electrones en la banda de conduccin, es decir, agregamos portadores. Cabe mencionar que los mencionados tomos pentavalentes se ubican en un nivel de energa mucho ms cercano a la banda de conduccin que la banda de valencia, denominado "nivel donor". Este nivel se ubica a una distancia, energticamente hablando, de 0,05 electron-volt, mientras que la distancia entre las bandas de un semiconductor es de 0,7 eV. De la misma forma, podemos dopar al cristal con tomos trivalentes (como el boro, el Aluminio, el Galio,etc). Esto provocar un defecto de electrones en el cristal, ya que tres de los cuatro electrones de la ltima rbita del Silicio se combinan con los tres electrones del anterior tomo.
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Esto trae como consecuencia la generacin de un espacio sin electrones, que tendr carga positiva, es decir, esto generar un hueco. De esta forma podemos controlar de manera casi definida, a travs del dopado, la cantidad de electrones o huecos que existen en un cristal. A este tipo de cristal se le denomina extrnseco, ya que fue modificado por elementos exteriores. Veamos ahora, qu ocurre si a un cristal extrnseco le conectamos una fuente externa de tensin. Al existir mayor cantidad de portadores (no importa de qu tipo), circular por el cristal una corriente mucho mayor que en el no dopado. El valor de esta corriente depender de que tan contaminado est el material. Si el cristal es de tipo 'n' la corriente se deber casi en su totalidad a los electrones en la banda de conduccin, aunque siempre existe una pequea corriente producida por los huecos generados trmicamente. Anlogamente, si el cristal es del tipo 'p' la corriente estar regida por huecos mayormente, existiendo, sin embargo, una pequea corriente de electrones.
IMPUREZAS. SEMICONDUCTORES INTRINSECOS

En los semiconductores intrnsecos el nmero de electrones libres por centmetro cbico (n) es igual al nmero de huecos (p) por centmetro cbico .
n=p
Mediante mtodos especiales, a partir de semiconductores intrnsecos se puede producir semiconductores en los que la densidad de electrones libres sea distinta de la de huecos, es decir,
n p
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Si el nmero de huecos es mayor que el de electrones libres, se dice que el semiconductor pertenece al tipo P (p >> n). Por el contrario, si el nmero de electrones libres es muy superior al de huecos, el semiconductor pertenece al tipo N (n>>p). Ambos tipos de materiales se llaman semiconductores extrnsecos, y el proceso de su formacin se llama impurificacin. Por este proceso se le agregan pequeas cantidades de tomos de otros elementos (un tomo por cada cien millones del semiconductor intrnseco). Los tomos adquiridos se llaman "impurezas". Existen dos tipos de impurezas: Donadoras: las que producen semiconductores extrnsecos con ms electrones libres que huecos. Aceptoras: las que producen semiconductores extrnsecos con ms huecos mviles que electrones libres.
Los donadores son elementos que tienen cinco electrones en su rbita de valencia, tales como el arsnico y el fsforo. Los aceptores tienen tres electrones en su rbita de valencia, tales como el indio, el boro y el aluminio.
Materiales Tipo N
El fsforo, por ejemplo, es un elemento pentavalente que, difundido en el germanio o silicio, perturba la red cristalina original formada por tomos tetravalentes. Cada tomo de fsforo introducido presenta un electrn que no puede acomodarse en el seno de la red, por lo que resulta un portador de carga mvil. El electrn extra tiene tendencia a escapar de su tomo en cuanto su energa aumenta ligeramente. A temperatura ambiente, este electrn posee suficiente energa como para moverse en la estructura cristalina. Casi todos los tomos donadores que contiene la estructura se hallan ionizados a temperatura normal. Puesto que se proporcionan portadores de carga negativos al material intrnseco, se dice que el fsforo es una impureza de donador o impureza de tipo N. El arsnico y el antimonio son tambin donadores. Al perder un electrn adquieren una carga positiva que se mantiene fija dentro de la red cristalina. El silicio o el germanio con una impureza de tipo donador reciben el nombre de material tipo N. Cuando esto sucede, el tomo de impureza queda ionizado. El hueco producido en este tomo NO ES un hueco mvil, ya que la configuracin alrededor de este tomo es muy estable. Decimos Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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entonces que es un hueco fijo. Debido a que los huecos creados por impurezas en semiconductores tipo N son fijos, habr ms electrones libres que huecos mviles. Los electrones libres reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que los huecos mviles, son los "portadores minoritarios". El germanio tiene un ncleo y 32 Atomos; 4 de estos Atomos, llamados de valencia, son los que forman las uniones con los dems Atomos de otros elementos; los 28 restantes estn fuertemente ligados y no pueden representar ningn papel en la combinacin elctrica. Cuando se le aaden pequeas impurezas determinadas en proporcin de 1 por 1 milln, conduce la electricidad. La adicin de estas impurezas tan pequeas de modo que queden bien repartidas es una operacin extremadamente difcil. Mezclar una parte de arsnico en un milln de partes de germanio puro, seria lo mismo que aadir una cucharada de sal en un recipiente de sopa equivalente a 6 grandes camiones tanques y garantizar que est bien repartida en todo el recipiente. Supongamos que introducimos una impureza, por ejemplo el arsnico, que tiene 5 tomos de valencia Como solo se precisan 4 para enlazar con los del germanio, sobra uno, que puede moverse libremente, y como es portador de una carga negativa, este germanio ser denominado de tipo N y tiene la mxima conductibilidad para las cargas negativas. Al arsnico se le denomina <donador> as como al fsforo y al antimonio, tambin empleados para ello. Si al SILICIO, que tiene 4 electrones de valencia, le adicionamos antimonio, que tiene 5 electrones de valencia, el que quedar libre ser 1 de antimonio que, como es donador; Por tanto, ser negativo (-) y se le denominar silicio N.
Materiales Tipo P
Si en vez de arsnico introducimos boro o aluminio que slo tienen 3 electrones de valencia, el que quedar libre ser uno de germanio, o sea, de Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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los llamados <huecos> que son de signo positivo, denominndose entonces germanio tipo P y a este tipo de impurezas se les llama <aceptadores>. Este tipo de germanio tiene la mxima conductibilidad para las cargas positivas. Entre los aceptadores o impurezas de tipo P estn el boro, el aluminio, el indio y el galio, los cuales son trivalentes. Al introducir en un material intrnseco un tomo del tipo P, no se acomoda a la red cristalina, a menos que capture un electrn, lo cual origina una falta de electrn o hueco.Por agitacin trmica, los electrones capturados son arrojados de sus enlaces, pero. inmediatamente resultan aceptados por otros ncleos faltos del electrn correspondiente. El electrn libre capturado queda fijado en el tomo de indio. Debido a ello, los huecos se comportan como portadores mviles con carga positiva y se trasladan en sentido opuesto al de los electrones desplazados. A temperatura normal, casi todos los tomos aceptadores se hallan ionizados. Al ganar un electrn, adquieren una carga negativa que se une a la red cristalina. El silicio o germanio con una impureza del tipo aceptador reciben el nombre de material tipo P debido a los portadores de carga positiva que contiene. En los materiales tipo P hay ms huecos mviles que electrones libres. Los huecos son aqu los portadores mayoritarios y los electrones libres, los portadores minoritarios. Cuando las impurezas se distribuyen uniformemente en el material intrnseco, se obtiene un semiconductor homogneo con mejores propiedades de conduccin de corriente. No obstante, este material no posee propiedades rectificadoras. Es importante destacar que la neutralidad elctrica se mantiene en cualquier lugar del material semiconductor debido a que la carga de los portadores mviles queda totalmente compensada por la carga de espacio inmvil de los tomos de impureza ionizados. El SILICIO tiene 4 electrones de valencia, y adicionando una pequea parte de boro, que tiene 3 electrones de valencia, quedar 1 libre de silicio, o sea, un hueco; Por tanto, ser positivo (+) y se le denominar silicio P.
JUNTURA PN
Casi todos los dispositivos semiconductores estn basados en la unin de un material P con un material N. Normalmente los semiconductores estn formados por el mismo material, en el que se introducen, mediante procesos de difusin, impurezas de uno y otro signo en dos regiones del Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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semiconductor adyacentes entre s. En la figura siguiente se muestra un esquema de la seccin transversal de una oblea de silicio en la que se ha preparado una unin PN para formar un diodo. Para conseguir esta unin, se parte de una oblea del material semiconductor, tipo N por ejemplo, y en una regin de la oblea se aade un dopaje con impurezas de tipo opuesto, tipo P en este caso, en concentracin suficiente para invertir el signo de los portadores en esa regin. Finalmente, sobre la regin dopada y en la parte inferior de la oblea se deposita una capa conductora con objeto de hacer los contactos elctricos hacia el exterior.
Comportamiento de la unin PN sin polarizacin externa

Supongamos que tenemos una lmina de silicio, en la que, a la izquierda de la seccin AB se han aadido impurezas donadoras (arsnico) y a la derecha, impurezas aceptoras (indio). El resultado es la unin de dos semiconductores: a la izquierda de AB, del tipo N, y a la derecha, del tipo P. Esto recibe el nombre de unin recibe el nombre de unin o juntura PN. El dispositivo constitudo por una juntura PN recibe el nombre de DIODO SEMICONDUCTOR.
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El comportamiento de los electrones y de los huecos en las proximidades de la unin es lo que da a los diodos y a los restantes semiconductores sus particulares propiedades. El silicio de tipo P puede ser visto como un material neutro, compuesto por iones receptores fijos cargados negativamente y por huecos mviles positivos. Del mismo modo, el silicio tipo N, estar compuesto por iones dadores fijos cargados positivamente y electrones negativos mviles. Cuando se unen ambos materiales en una estructura cristalina nica, en la regin P hay una elevada concentracin de huecos, miemtras que en la regin N esa concentracin es baja. Por consiguiente, habr una difusin de huecos de la regin P a la regin N. Observemos que en la regin P los huecos son portadores mayoritarios mientras que en la regin N son minoritarios (los electrones libres son los portadores mayoritarios en la regin N).
Por tanto, apenas los huecos se internan en la regin N, se recombinan con los portadores mayoritarios (electrones libres) y desaparecen. Lo mismo suceder en el caso de los electrones en la regin N. Se producir por difusin, un gran movimiento de electrones libres de la regin N a la P, por existir en sta una menor concentracin de electrones libres. Al entrar en la regin P, los electrones libres pasan a ser portadores minoritarios en exceso y desaparecen por recombinacin con los huecos (portadores mayoritarios en la regin P). Solamente pasarn la juntura los portadores mayoritarios prximos a la unin, pues cuando los huecos mviles pasan de la regin P a la N dejan tras de s los iones receptores negativos fijos. De este modo, la regin P deja de ser elctricamente neutra, quedando cargada negativamente. De igual modo, la regin N prxima a la unin se carga positivamente al perder cargas negativas. Asi pues, el paso de portadores mayoritarios de una regin a otra produce como resultado la aparicin de una carga que obstaculiza nuevos translados. Esta carga genera una fuerza que limita el paso de los portadores mayoritarios.
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Barrera de potencial
Esta oposicin al movimiento de los portadores mayoritarios, que se produce dentro de la regin espacial en una juntura PN, se denomina barrera de potencial. A travs de la unin circula adems de la corriente debida a los portadores mayoritarios, una segunda corriente debida a los portadores minoritarios. La energa trmica produce la formacin de pares electrn-hueco dentro de los materiales semiconductores. Supongamos que en un material tipo P, en las proximidades de la regin de carga espacial, se crea un electrn libre. Este electrn ser arrastrado hacia la juntura por la atraccin que ejerce la carga espacial positiva presente en el material N. Del mismo modo ocurrir con un hueco generado en las proximidades de la regin de carga espacial, la que ser atrada hacia la regin P. Observemos que los portadores minoritarios son impulsados a atravesar la juntura por la barrera de potencial. Este movimiento de los portadores minoritarios a traves de la unin en direcciones opuestas, provoca una corriente que se opone a la de los portadores mayoritarios. Dado que la corriente total a travs de la unin PN no polarizada debe ser igual a cero, las corrientes de los portadores mayoritarios y las de los portadores minoritarios deben ser iguales y opuestas. Tenemos un sistema de autorregulacin, en el que la barrera de potencial se regula automticamente. La unin PN permanecer en equilibrio en tanto no se aplique una fuente exterior de energa, es decir en tanto no se polarice.
POLARIZACION DE LAS JUNTURAS. PROPIEDADES

CORRIENTES DE ELECTRONES Y HUECOS Cuando se aplica una tensin a travs de un trozo homogneo de silicio o germanio habr deslizamiento de los electrones hacia el electrodo positivo y de los huecos hacia el electrodo negativo, pues cargas opuestas se atraen. Si se ponen en contacto dos trozos de germanio de los anteriormente mencionados, o sea, uno positivo y uno negativo, y hacemos circular la corriente de una pila, pueden suceder dos cosas:
a) Polarizacin Directa
Si aplicamos el polo positivo (+) de la pila al germanio P y el negativo (-) al germanio N, las cargas positivas de las pilas repelern a los electrones positivos y libres del germanio y las cargas negativas a los electrones negativos, respectivamente (pues cargas del mismo nombre se repelen), obligndolas a concentrarse en la zona del contacto de los dos germanios. Entonces, como los electrones negativos son atrados por los positivos P (pues las cargas contrarias se atraen), una pequea tensin aplicada ser Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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suficiente para que circulen por la superficie de contacto, corrientes relativamente intensas, y a este sentido de conduccin se le llama polarizacin directa. Tambin podemos pensar que esta tensin tiende a descargar la capa de carga espacial y por consiguiente, a disminuir la barrera de potencial. La tensin aplicada obliga a los huecos mviles de la zona P y los electrones libres de la zona N a desplazarse hacia la unin. Esto provoca una mayor recombinacin y desaparicin de pares electrn-hueco, siendo reemplazados por otros pares proporcionados por la fuente de alimentacin externa. Esta corriente recibe el nombre de corriente directa. La corriente directa no sigue la ley de Ohm (ley lineal) sino que sigue una ley exponencial, debido a que el nmero de portadores producidos vara exponencialmente.
b) Polarizacin Inversa
Si por el contrario, aplicamos al germanio P el polo negativo(-) y al N el polo positivo(+), los electrones se alejarn de la superficie de contacto, aumentando sta su resistencia hasta convertirse casi en aislante.
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Decimos que la juntura queda polarizada inversamente, siendo los portadores mayoritarios alejados de la misma, atrados por la tensin externa aplicada. La corriente elctrica que circula en sentido inverso es por tanto casi nula. Circula una pequea corriente debido a la recombinacin de los portadores minoritarios en la zona de la juntura.
Existe una tensin inversa, llamada tensin de Zener, en la cual la corriente aumenta bruscamente, y si no se la limita, puede producir la destruccin del dispositivo
INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA
El nmero de portadores mayoritarios se ve poco afectado por pequeas variaciones de temperatura ambiente. Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios depende altamente de la temperatura. Al aumentar sta, aumenta el nmero de tomos ionizados. A pesar de que el nmero de portadores minoritarios, a temperatura ambiente, es muy inferior al de los mayoritarios, variaciones de temperatura pueden producir gran cantidad de portadores minoritarios, lo cual llevara a que se reduzca la diferencia de densidades, acercando el material a comportarse como un material intrnseco. Por esto, los fabricantes de semiconductores insisten tanto en las caractersticas de temperatura de trabajo de sus dispositivos. Todos los dispositivos semiconductores son sensibles a la temperatura. Algunos en mayor medida que otros. En consecuencia, la temperatura de un dispositivo o su disipacin de potencia, deben mantenerse dentro de un rgimen mximo especificado, de lo contrario puede llegarse a la destruccin del mismo. El rea de la juntura de un rectificador de silicio es pequea y por ello opera con alta densidad de corriente, siendo esta la razn por la cual la capacidad trmica del dispositivo es pequea.. Para utilizar los rectificadores a altas potencias, es necesario aplicar algn tipo de enfriamiento para evacuar el calor de la juntura, y asegurar que no sea excedido el rgimen de mxima temperatura de la base de montaje.
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Normalmente, esto se logra atornillando uno de los terminales del dispositivo a un disipador enfriado por conveccin; aunque en equipos ms grandes algunas veces se emplea enfriamiento forzado. En cualquier caso, el sistema de enfriamiento debe ser diseado de tal forma que permita operar el rectificador a la mxima potencia requerida y a la temperatura ambiente de operacin deseada, sin exceder por ello el rgimen de mxima temperatura de la base de montaje.
CARACTERISTICAS GENERALES de los DIODOS

Son de gran robustez, no afectndoles los golpes mecnicos, vibraciones, etc. Tienen gran estabilidad elctrica y elevadas caractersticas. Su capacidad muy pequea (0,8 pf y ms) les permite trabajar con frecuencias de 100 MHz y ms altas. Su vida til es larga, pues se calcula en unas 10.000 horas. Por su construccin hermtica estn completamente protegidos contra las influencias atmosfricas y polvos e incluso pueden ser sumergidos en agua. Recuperan sus caractersticas despus de variaciones de temperaturas de 40 a +70 C, tienen un tamao muy reducido y son de fcil montaje. Permiten corrientes medias de hasta 50 mA y pueden soportar sin peligro sobrecargas transitorias importantes. Tienen elevadas tensiones inversas (de 50 -120 V), las ltimas investigaciones han permitido ya modelos con tensiones inversas superiores a 350 V Peak. Los diodos se representan de la manera que se observa en la siguiente figura.
Hemos visto las caractersticas de un diodo semiconductor. Vimos que cuando la juntura se polariza en forma directa circula una corriente intensa, limitada solamente por la carga externa conectada en serie con el diodo, comportndose ste como una llave cerrada. Mientras que cuando se polariza en sentido inverso, no circula prcticamente ninguna corriente, equivaliendo el comportamiento del diodo al de una llave abierta.
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Si la tensin llegara a alcanzar un valor denominado "tensin inversa de ruptura" (breakdown), la corriente inversa aumentara fuertemente con un pequeo aumento de la tensin. La tensin inversa obliga a los portadores minoritarios a atravesar la unin a una velocidad que depende de la tensin total de la unin y de la movilidad de los portadores. Si la tensin aplicada es lo suficientemente grande, los portadores se movern con tal velocidad que, al encontrarse con los tomos del cristal, rompern las uniones covalentes, creando portadores de cargas suplementarios. A su vez, estos nuevos portadores pueden alcanzar la suficiente velocidad como para romper las uniones de otros tomos, y as sucesivamente. Como resultado, la corriente crece notablemente con un pequeo aumento de la tensin. Cuando se alcanza la tensin de ruptura, la corriente inversa puede ser lo suficientemente grande como para daar el dispositivo, a menos que sea limitada por una resistencia adecuada.
Diodos Zener
Un segundo mecanismo de ruptura, es el de tipo Zener. Este se debe, no a colisiones entre portadores e iones fijos, sino a una ruptura directa de las uniones a causa de la fuerza producida por la existencia de intensos campos elctricos en la unin. Este mecanismo entra en funcionamiento con tensiones inferiores a los 6 V en diodos dopados intensamente. Los fabricantes de diodos han aprovechado esta limitacin para fabricar diodos especiales que trabajan en esta zona de ruptura, denominndolos DIODOS ZENER. Se ha intentado optimizarlos para obtener una curva caracterstica prcticamente vertical en la regin de ruptura El smbolo modificado del diodo que se muestra en la siguiente figura es el que se usa para los diodos zner. Hay disponibles diodos zner discretos con tensiones de ruptura especificadas con una tolerancia de 5%. En la prctica, existen dos mecanismos que pueden causar la ruptura inversa. Para diodos con una tensin de ruptura superior a 6 V, el responsable es un efecto conocido como avalancha. Por ello, los diodos con tensiones de disrupcin ms elevadas se llaman, consecuentemente, diodos de avalancha. Por debajo de los 6 V, un fenmeno de la Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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mecnica cuntica, conocido como efecto tnel, es el responsable de la ruptura. Hablando estrictamente, los diodos zner son aqullos que se encuentran en el margen inferior de valores de ruptura. Sin embargo, en la prctica, ambos trminos se utilizan de manera indistinta para todos los diodos de ruptura.
RECTIFICADORES en la INDUSTRIA
Los diodos semiconductores desempean un importante papel en el control de potencia. Para obtener de ellos el mayor rendimiento, es preciso conocer bien su funcionamiento y los problemas que plantea su aplicacin. En el ao 1947 un grupo de cientficos de los Laboratorios BELL, John Bardeen, William Shockley y Walter Brattain, descubrieron uno de los primeros Semiconductores que podra reemplazar al TUBO, y ese sera el DIODO hecho de GERMANIO (ubicado en la tabla peridica dentro del grupo de los Metaloides), que teniendo una cierta cantidad de impurezas podra trabajar como rectificador. La energa elctrica se transporta ms fcilmente en forma de corriente alterna. No obstante, existen numerosas aplicaciones de la electricidad (recubrimientos electrolticos, otros procesos qumicos, traccin, etc.) que requieren corriente continua. Entonces resulta de gran importancia una conversin adecuada y eficaz de la c.a. en c.c. La primera solucin del problema la constituy el convertidor rotativo, y hacia principios de este siglo eran de uso habitual los rectificadores de vapor de mercurio. Los dispositivos de estado slido aparecieron ms tarde, en forma de rectificadores de xido de cobre (hacia 1920) y de diodos de selenio (hacia 1930). Las deficiencias de tales dispositivos consistan en que su corriente directa era relativamente baja y su tensin inversa ms bien reducida. Despus de la segunda guerra mundial se obtuvieron los diodos PN de germanio y de silicio con estructura en dos capas. Estos dispositivos permitan el paso de ms corriente, pero presentaban limitaciones en la tensin inversa. Estas limitaciones fueron eliminadas con los diodos de silicio con estructura en tres capas, las cuales se fabricaban a medida para las exigencias de la conversin de altas potencias de c.a. en c.c. La introduccin de una tercera capa poco impurificada, casi intrnseca, aumenta las posibilidades de manejo de elevadas tensiones inversas, sin que por ello sufran detrimento las propiedades de conduccin de corriente que ofrecen las capas exteriores P y N, con gran proporcin de impurezas. Estos diodos de tres capas pueden conducir centenares de amperios y bloquear centenares de voltios, como conviene a los actuales sistemas de conversin de c.a. en c.c. de elevada potencia.
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En los ltimos aos las investigaciones realizadas sobre el comportamiento al paso de la corriente elctrica en los materiales llamados semiconductores, han producido notables aplicaciones que hace solo algunos aos eran impensadas. Desde que apareci la primera aplicacin en 1915 con el detector de galena, hasta 1939-40, se puede decir que fue un periodo de incertidumbre, luego en 1948, apareci el transistor de puntas; en 1950 el transistor de Shockley; en 1953 el diodo de tnel; en 1958 el tecnetrn, y en 1960 los circuitos integrados, etc. Quiz ninguna tcnica ha hecho tan rpidos progresos como la de los semiconductores. El ms conocido de estos elementos es el transistor que, sin embargo, no es ms que un brillante representante de un amplio grupo de dispositivos. En gran parte, estos progresos han sido posibles por las pacientes investigaciones para encontrar nuevos mtodos de purificacin de los materiales, llegando a purezas jams logradas, del orden de diez mil millones de tomos del cuerpo investigado, por un tomo solamente de impureza. Por medio de los mtodos qumicos y fsicos habituales es imposible descubrir estos residuos tan nimios de impurezas. Ha sido necesario idear nuevos procedimientos de anlisis basados en los fenmenos elctricomagnticos, fotomagneto-elctricos, etc Antes de 1940, los fenmenos que se desarrollaban en los semiconductores eran, desde muchos puntos de vista, bastante misteriosos. La conductibilidad elctrica de estos cuerpos, siendo notablemente inferior a la de los metales, no era suficientemente alta para considerarlos como aislantes; adems, en muchos casos aumentaba rpidamente la conductibilidad con la temperatura, lo que constitua un fenmeno desconocido en los metales. Actualmente, en el vasto campo de los semiconductores se emplean mezclas de xidos de metales: cobre, uranio, manganeso, nquel, cobalto, hierro, etc., segn sea su aplicacin y el fenmeno que se desee utilizar, pues en unos su resistencia elctrica varia con el calor, en otros con el potencial elctrico empleado, en otros an con la luz o con la cantidad de flujo magntico a que estn sometidos. Tambin son muy empleados el selenio, el silicio, el germanio, etc., asi como combinaciones, tales como antimoniouro de indio, seleniuro de cadmio, sulfuro de plomo, etc. Igualmente se utilizan mezclas de xidos tales como el xido ferrosofrrico o magnetita y combinaciones oxigenadas de titanio, Magnesio, Cromo, Circonio, etc. El Titanato de cinc y el Aluminato de Magnesio, etc. , se emplean principalmente para la fabricacin de los llamados termistores, cuyo nombre deriva de la contraccin del trmino ingls thermal-resistor (resistencia trmica) o resistencias NTC ( Negative Temperature Coefficient ).
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TIPOS DE RECTIFICADORES
Los rectificadores tienen valores muy diferentes de resistencia segn sea la polaridad de la corriente. Se usan materiales tales como el xido de cobre, el selenio, el silicio, el germanio, etc. Dentro de este grupo hay que citar los que, adems, varan con la tensin que se les aplica (diodos de Zener, protectores de contactos y sobretensiones) El funcionamiento de los rectificadores slidos, o sea, de semiconductores, se basa, como ya hemos dicho, en la gran resistencia que presentan al paso de la corriente en un sentido, con diferencias de 5.000 a 25.000 veces ms que en sentido opuesto, segn los materiales. Existen varias clases de rectificadores, a saber:
Rectificadores de xido de cobre

Estos rectificadores estn constituidos por una capa de xido cuproso formado sobre una placa de cobre limpiado qumicamente y oxidado en atmsfera de aire a temperatura de 1.000 C. durante diez o veinte minutos para formar una capa de xido cuproso de aproximadamente 0,1 m/m, sometida despus durante algunos minutos a 550 C. y enfriada bruscamente en agua. En esta segunda fase se ha formado una capa de xido negro que debe ser eliminado por accin qumica. Para establecer el contacto sobre la superficie del xido, se les recubre con una capa metlica depositada por proyeccin a pistola, evaporacin o deposicin galvanoplstica. La corriente circular fcilmente de la capa de contacto al cobre, pero no en sentido contrario Este tipo es muy empleado para rectificadores en los aparatos de medidas elctricas por su gran estabilidad y baja resistencia, pero no puede soportar tensiones inversas superiores a 2 o 3 voltios por placa; tambin se recomienda no sobrepasar la temperatura de 50 C. si se quiere lograr larga duracin.
Rectificadores de sulfuro de cobre

Tambin existen rectificadores de sulfuro de cobre al magnesio, que se montan en la fabricacin sobre placas de magnesio. Son mucho ms livianos que los de xido de cobre y pueden soportar algo ms de temperatura, pero son menos eficaces.
Rectificadores de xido de plomo

En este tipo llamado Ploxid, el disco o placa de cobre oxidado ha sido sustituido por plomo tambin oxidado. Cuando la corriente pasa en sentido xido-plomo encuentra una resistencia de unos 40 ohmios, mientras en sentido contrario la resistencia es de unos 200.000 ohmios (200 K OHM).
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Rectificadores de selenio
Su composicin y formacin es distinta a la de los rectificadores de cobre, pues requieren la accin de la corriente elctrica para formar la pelcula rectificadora, y estn compuestos por una placa de hierro recubierta por una cara con una fina capa de selenio el cual, despus de un tratamiento trmico, es recubierto por una capa de un metal blando que, forma el otro electrodo. La corriente circular fcilmente del hierro al selenio, pero en sentido contrario encontrar una gran resistencia. La temperatura mxima de trabajo es de 75 C., la carga continua aproximada que pueden soportar sin refrigeracin es de unos 50 mA por centmetro cuadrado. Las tensiones inversas que pueden soportar oscilan de 14 a 24 voltios, aunque ltimamente y con nuevas tcnicas de fabricacin han aparecido tipos con tensiones inversas bastante mayores. Modernamente, para reducir el peso y evitar algunos otros inconvenientes, ha sido sustituido el hierro de las placas sustentadoras por aluminio con unas capas de plata y nquel. Para lograr la deposicin homognea y sin impurezas de la fina capa de selenio, se utiliza el procedimiento llamado de mentalizacin por alto vaco. Nunca se debe hacer trabajar prolongadamente a estos rectificadores a una corriente continua inversa mxima, pues sta tiende a incrementar lentamente las corrientes inversas llegando a alcanzar valores peligrosos. Por esto hay que tomar siempre valores inferiores a los indicados como mximos en las tablas de los fabricantes. En corriente alterna no se presenta este efecto y por tanto pueden soportar indefinidamente las corrientes mximas.
Si estn destinados a cargadores de bateras es conveniente colocar un interruptor en el circuito de salida; de lo contrario se descargara la batera cuando se produjera un fallo de corriente en la red, o en caso de paro del rectificador sin desconexin de las bateras. Es importante sealar que en esta clase de rectificadores, una dbil variacin de la tensin alterna provoca una variacin mucho ms importante de la intensidad rectificada, Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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que puede constituir una sobrecarga peligrosa. Se puede indicar a ttulo de orientacin que una elevacin del 5% de la tensin alterna puede llegar a aumentar la intensidad rectificada en un 30% o ms, segn el montaje. Al proyectar un rectificador es necesario consultar con el fabricante las cargas mximas de seguridad admisibles y contrastarlas en la prctica, teniendo en cuenta que la temperatura de las placas nunca debe llegar a los 70 C. o ms; de lo contrario su destruccin ser rpida. Hay que procurar la mxima refrigeracin, pues cuanto ms fras trabajen dichas placas mejor ser su rendimiento y duracin. El gran nmero de publicaciones aparecidas sobre los rectificadores de Germanio y Silicio ha podido hacer pensar que estos nuevos rectificadores pueden considerarse perfectos y que quedaran eliminados rpidamente los de selenio. Sin embargo, los conocimientos adquiridos estos ltimos aos en la fsica de los slidos y la necesidad de enfrentarse con la competencia, han conducido a mejoras muy importantes en los rendimientos del Selenio, pudindoseles comparar ventajosamente en algunos aspectos con los de Germanio y Silicio.
Rectificadores de germanio
El germanio fue descubierto por Winkler en 1886, quien le dio el nombre en homenaje a su patria. El germanio tiene especial inters histrico porque su existencia fue prevista 15 aos antes por Mendeleieff (1871) en su famosa escala de clasificacin peridica de los elementos existentes en la naturaleza, con el nombre de (Ekasilisium). Ese cuerpo, cuyas propiedades fsicas y qumicas apenas eran conocidas hace unos aos, puede considerarse en la actualidad como la substancia slida cuyas propiedades han sido estudiadas ms detalladamente.
Fig.4 Rectificadores de Germanio para grandes intensidades con Refrigeracin por lquidos y por aire.
Aparece como una impureza del c arbn en una proporcin de 0,002% y al quemarse el cok se aumenta su concentracin, llegando al 1% en el polvo que queda en las grandes chimeneas de las grandes instalaciones siderrgicas. Su aspecto es parecido al estao, pero su precio es tan elevado Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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como el oro. En estado puro es aislante, para su empleo en los transistores, que requiere una gran pureza, se ha llegado a la proporcin de 1 por 10.000.000 siendo uno de los materiales de mayor pureza conseguidos. Al adicionarle pequeas cantidades de otras sustancias sus propiedades qumicas y elctricas varan totalmente. Estas propiedades hacen que se empleen para la rectificacin, o deteccin, habindose llegado a construir rectificadores de germanio de grandes intensidades y con rendimientos de un 99 %, mientras que con las vlvulas slo se ha llegado a un mximo de un 80 %. Existen tipos de alta conductibilidad para grandes intensidades y bajas tensiones, y tipos de alta resistencia inversa para pequeas intensidades y ms altas tensiones. El rectificador de germanio tiene la gran ventaja de su elevado rendimiento y reducido espacio. Podra calificrsele de ideal si no fuera por su gran sensibilidad a las temperaturas un poco altas de ambiente.
Diodos de germanio para baja potencia

Esta clase de rectificadores consta de un trocito o cristal de germanio y una punta de contacto de hilo de tungsteno, encerrados ambos en una cpsula hermtica o botella de vidrio.
El hecho de que un cristal de germanio, con una reducida rea en la punta de contacto sobre su superficie, acte como rectificador, puede explicarse suponiendo la existencia de una capa barrera natural, formada en el momento de hacerse la unin fsica en la superficie de contacto del cristal, la cual desaparece cuando se aplica tensin positiva (+) al hilo de tungsteno y una tensin negativa (-) al cristal germanio de tipo N, y en cambio presenta una gran resistencia si se le aplican tensiones inversas.
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Fig.2 Curva caracterstica de un detector de Germanio. En la figura puede apreciarse la curva caracterstica del funcionamiento de estos diodos; cuando la tensin inversa excede de un cierto valor, la resistencia decrece repentinamente. El potencial a que se produce este fenmeno se denomina de inversin. Los diodos de germanio se dividen en dos grupos: Los de tipo de alta tensin inversa, fabricados con germanio de gran pureza. Los de baja resistencia que contienen germanio provisto de impurezas apropiadas.
Sus aplicaciones son ilimitadas en radio, televisin, instrumentos de medida, etc.
Rectificadores de silicio
En los ltimos aos los rectificadores de gran potencia han pasado de elementos de laboratorio al servicio de la industria con grandes ventajas, en precio, volumen y conservacin. Se han construido ya rectificadores de silicio de 50 kW, lo que permite reemplazar a los antiguos rectificadores de vapor de mercurio de descarga gaseosa.
Aunque las propiedades del silicio eran conocidas desde muchos aos, hasta 1957, en que fue conseguido el silicio extrapuro, no fue posible su Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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Fig.5 - Rectificadores de silicio para tensiones elevadas.
adopcin para grandes potencies. La pureza es la clave del xito de dichos rectificadores, pues con ellos se han realizado uniones cuya punta de Corriente inversa se aproxima a los 2.000 V. Dichos rectificadores funcionan por el mismo principio que los de Germanio, pero como ya hemos dicho, poseen mayores resistencias a la corriente inversa, lo que permite utilizarlos a muy altas tensiones El SILICIO no se encuentra libre en la naturaleza. El hombre emple ya la slice en tiempos prehistricos (pedernal), abundantsimo compuesto de silicio, pero ste no fue reconocido como elemento hasta el siglo pasado y en el ao 1823 fue aislado por primera vez por Berzelius. Se sabe desde hace mucho tiempo que el silicio serva para rectificadores pero resultaba difcil conseguir una elevada pureza, por ser un material que fcilmente reacciona con otros componentes, como son los crisoles de grafito o de cuarzo, etc. Con recursos fsicos y tecnolgicos se han podido vencer las dificultades principales, obtenindose ya silicio de gran pureza, si bien con adiciones de otros materiales para determinar la conductibilidad, en forma anloga a como se hace en el germanio.
Fig.6 Curva caracterstica de un rectificador de silicio. Las ventajas principales del silicio son que puede soportar temperaturas mas altas, normalmente 100 C y en algunos casos 200 C. Pueden tambin soportar corrientes inversas de varios cientos de voltios por elemento, (2.000 PIV (Peak Inverse Voltage) y 800 Vef(Voltage efective)). Es ms insensible a las atmsferas dainas, pero tambin presenta mayor Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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resistencia al paso de la corriente, pues la tensin de difusin en el silicio es de 0,6 a 0,7 V, mientras que en el Germanio slo es de 0,2 a 0,3 V y, en consecuencia, el rendimiento para bajas tensiones tambin es inferior. Para la misma densidad de corriente, su temperatura ser ms elevada, lo que es una desventaja en contrapartida a sus grandes ventajas. No es conveniente trabajar con temperaturas altas, porque las prdidas con Corrientes inversas aumentan considerablemente y porque es necesario dejar un margen de seguridad para las sobrecargas. Su resistencia a los cortocircuitos es menor que en los de Germanio, como consecuencia de su mayor resistencia. Tambin son peligrosos los cambios alternativos de temperatura, pues las dilataciones que originan pueden producir grietas en los cristales de silicio muy frgiles y quebradizos; en los de germanio este riesgo no es tan grande, y en los de selenio es mucho menor. En muchos aspectos el rectificador de Silicio es mejor que el de Germanio. Se le construye con placas de pocos milmetros cuadrados, montadas de forma que pueden disipar el calor generado en su interior, siendo sta la principal limitacin de su carga, pues, por lo dems, este material admite grandes intensidades. El material de recubrimiento o contacto normalmente usado es el Indio con una capa de Molibdeno, que tiene una dilatacin muy similar a la del Silicio, para compensar las tensiones mecnicas producidas por las temperaturas.
Caractersticas de Potencia de los Diodos

Un diodo de potencia debe cumplir los siguientes requisitos: No ofrecer prcticamente resistencia al paso de la corriente en sentido directo, es decir, presentar una pequea cada de tensin directa; Comportarse prcticamente como un circuito abierto para la corriente que circule en sentido inverso, es decir, presentar poca corriente de fuga; Permitir una elevada densidad de corriente, y Soportar una elevada tensin inversa y de este modo evitar la necesidad de disponer varios elementos en serie y circuitos complicados en aplicaciones de alta tensin. Adems, los diodos de potencia de estado slido han de tolerar elevadas temperaturas de la unin, de lo cual depende la carga imponible al diodo. En la tabla siguiente se muestran los valores correspondientes a los diversos tipos de rectificadores, y puede observarse como los dispositivos de tres capas son los que ms se aproximan al rectificador ideal. El diodo de silicio en tres capas soporta mayores temperaturas ambiente de trabajo y, por tanto, permite la utilizacin de mayores cargas que el correspondiente dispositivo de germanio. Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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Las particularidades de los diodos de potencia en tres capas pueden resumirse del modo siguiente: Mnima prdida de potencia, pues la cada de tensin directa y la corriente de fuga inversa presentan valores irrisorios en condiciones normales de funcionamiento. Adems no se necesita potencia de caldeo para el funcionamiento del diodo. Notable compacidad, ya que la densidad de corriente permisible y la tensin inversa son elevadas. Gran seguridad de uso, que permite esperar una duracin ilimitada dentro de los lmites de utilizacin recomendados. No puede decirse lo mismo de los rectificadores termoinicos, pues la duracin del ctodo es de por s limitada.
Dispositivo rectificador
Cada Dens. de Tensin Temp. Rendim tensin corriente inv. mx. de . mx. trabajo aproxi directa (A/cm2) (V) (V) (C) m. (%) 90 97 20.000 1 1 100 100 30 50 ~ 800 ~ 4.000 ~ 45 70 150 120 200 95 90 90 99 99
Convertidor rotativo Rectificador mecnico Rect.vapor de mercurio 15 a 20 Rect. xido de cobre Diodo de selenio Diodo de Ge (3 capas) Diodo de Si (3 capas) ~ 0,6 ~1 0,5 1
SEMICONDUCTORES FOTOSENSIBLES
La interaccin de la radiacin electromagntica con los tomos de un material semiconductor produce una gran variedad de fenmenos que a su vez han sido aprovechados ventajosamente en la fabricacin de diversos dispositivos denominados optoelectrnicos, entre ellos los diodos detectores de radiacin, clulas solares, diodos emisores de luz (LEDs), lseres, etc. Un semiconductor fotosensible o "dispositivo optoelectrnico" es un mecanismo que puede ejercer una de las siguientes acciones: Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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Detectar la luz, o en todo caso, ser sensible a su accin. Emitir o modificar luz coherente o no coherente. Utilizar la luz para el propio funcionamiento interno.
En otras palabras, son dispositivos para cuyo funcionamiento deben concurrir fenmenos pticos y fenmenos electrnicos.
La radiacin luminosa
La luz es un tipo de energa llamada energa radiante, que se desplaza en el espacio en forma de onda electromagntica, igual que las ondas que se producen en un estanque cuando se tira una piedra al agua. Las ondas se mueven en todas direcciones a partir del punto de origen. Las diversas fuentes de radiacin electromagntica (ondas de radio, microondas, radiacin infrarroja, luz visible, radiacin ultravioleta, rayos X, etc) se diferencian por su frecuencia y su longitud de onda. La luz es producida por la emisin de energa que realiza el tomo de un material cuando se le excita suministrndole energa trmica, qumica u otro tipo de energa. Las partculas emitidas reciben el nombre de fotones, y la luz consiste en un flujo de estos fotones. Cuando la energa interacciona con algn material, tiene lugar un proceso de conversin de energa. Cuando un material convierte una fraccin de energa en luz, se tiene una "fuente luminosa". Analizaremos solo las fuentes de luz a semiconductores. De ellas el elemento que ms se utiliza es el diodo semiconductor LED (diodo de emisin de luz).
Diodos Fotoemisores (LED)

Elctricamente, es un dispositivo de dos terminales que conduce, como todos los diodos, en una sola direccin. La mayora de las junturas PN emiten una cierta cantidad de radiacin en condiciones de polarizacin directa. Sin embargo, el rendimiento de la salida de radiacin frente a la potencia elctrica de entrada es normalmente baja, siendo difcil detectar la radiacin.
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Un diodo fotoemisor es un dispositivo con una juntura PN que se ha diseado especficamente para emitir radiacin en una cierta porcin del espectro cuando se le aplica tensin de polarizacin directa. El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra polarizado. El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.
Principio de Funcionamiento:
En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente cerca de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y electrones (al paso de la corriente). Esta recombinacin requiere que la energa que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N una parte de esta energa se convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP). La radiacin se produce como resultado de la recombinacin de electrones y huecos dentro de la pequea regin de carga espacial alrededor de la juntura. Esta recombinacin es similar a lo que sucede cuando un electrn de nivel energtico alto pasa a un nivel energtico inferior. La longitud de onda de la radiacin emitida depende del salto de energa del material sustrato y de los niveles de energa de los materiales de impurezas.
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Existen diodos que emiten radiacin en la zona infrarroja del espectro, mientras que otros cubren la zona del espectro visible (LEDs). Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo, mbar, azul y algunos otros. Las aplicaciones de los LEDs van desde dispositivos electroluminiscentes, indicadores de encendido, de potencia de salida, lecturas de tarjetas, conmutacin electro-ptica, ilumincin, comunicaciones, alarmas, circuitos de control, etc.
Cristales Lquidos
Es importante considerar que se puede controlar no slo la fuente y el detector de energa luminosa, sino tambin el medio por el que sta se transmite. Los cristales lquidos (LCD), ms que fuentes de luz, son filtros de luz, no emite ningn tipo de radiacin. Simplemente controla el medio a travs del cual se propaga la luz. Esto se obtiene utilizando dos placas polarizantes entre las que hay un estrato de cristal lquido. Cuando se aplica una tensin entre las placas polarizantes, la direccin de polarizacin del cristal lquido vara de tal forma que la luz puede ser reflejada por el cristal o pasar a travs de l. Cuando no se aplica ninguna tensin, las molculas del cristal lquido, representadas en forma ovalada en la figura siguiente, se orientan de tal forma que la luz atraviesa el material. Cuando se aplica una tensin, los cristales entre los planos conductores se desorientan de tal forma que la luz se refracta, como se ve en la figura (b). El resultado es que la regin del display a la que se aplica la polarizacin aparece opaca. Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
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Si uno de los planos se pone detras del display, absorbe la luz que lo atraviesa y, por eso, el rea sin polarizacin le parece negra al observador. Se puede notar un contraste producido por la diferente reflectividad de la zona de la derecha y de la izquierda. Estructurando de forma adecuada los planos de polarizacin, se pueden obtener nmeros, letras o smbolos especiales, segn la disposicin de los electrodos, dirigidos por circuitos de control. La mayor ventaja de estos displays LCD es que la potencia que consumen es muy pequea (pocos microvatios), ya que no producen luz y las tensiones de funcionamiento son bajsimas. Por lo tanto, pueden ser controlados directamente por cualquier circuito lgico de baja tensin, por circuitos integrados multifuncin o por microprocesadores. El mayor inconveniente es que tiene que haber luz ambiente para poder determinar el contraste. Adems, los resultados empeoran con la temperatura. Las bajas temperaturas hacen ms lento el tiempo de respuesta y las altas temperaturas pueden causar prdidas en la difusin que produce la polarizacin. Los displays de cristal lquido se utilizan en calculadoras de mesa y en relojes, porque absorben muy poca potencia elctrica.
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Lser
Los lser se incluyen en el grupo de fuentes de luz de semiconductores, porque tambin emplean materiales monocristalinos. La principal caracterstica de la luz que produce un laser es que los rayos luminosos estn en fase (coherentes), viajan en el espacio en la misma direccin y son esencialmente de la misma longitud de onda o color (monocromticos). Como consecuencia, un rayo lser no diverge de modo significativo durante su propagacin, e incluso, en el aire, mantiene una elevada densidad de energa. En sntesis, el lser produce una luz coherente a una sola frecuencia, con un haz muy fino, y tiene muchas aplicaciones en las comunicaciones, en los procesos industriales, en las tcnicas mdicas y quirrgicas y en la investigacin. Ultimamente se han introducido en el mercado videodiscos que se pueden leer solamente con el lser. Como no existen contactos entre el disco y el aparato lser, el disco se puede escuchar muchas veces sin que se produzcan las distorsiones que a la larga causa la utilizacin de la aguja en los surcos de los discos tradicionales.
Celdas Fotoconductivas
Son diodos en los cuales la resistencia disminuye a medida que aumenta la cantidad de luz incidente sobre la superficie del material. El material fotosensible, sulfuro de cadmio o sulfoseleniuro de cadmio, se deposita normalmente en forma de serpentina sobre un sustrato cermico, conectndose en cada extremo a un electrodo. Se protege el rea fotosensible, de la humedad mediante una ventana de vidrio y una caja metlica. En funcionamiento normal la celda fotoconductiva se conecta en serie con la fuente de alimentacin. Si el flujo luminoso incidente aumenta, entonces aumentar la corriente en el circuito. Una de las caractersticas ms importantes de una fotocelda es su resistencia en funcin del flujo lumnico.
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SIMBOLOGIA GENERAL
NOMBRE SIMBOLO NOMBRE SIMBOLO
Diodo Rectificador
Diodo Zener
Diodo Led
Fotodiodo
Diodo Tunel
Diodo Schottky
Transistor BJT
Transistor BJT
Transistor JFET
Transistor JFET
Transistor MOSFET DEPLEXION
Transistor MOSFET DEPLEXION
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Transistor MOSFET
ACUMULACION
Transistor MOSFET
ACUMULACION
Transistor MOSFET DOBLE PUERTA
Rectificador Controlado de Silicio (SCR) (TIRISTOR)
Triodo Alternativo de Corriente (TRIAC)
Diodo Alternativo de Corriente (DIAC)
Transistor Uniunin (UJT)
Transistor Unionin Programable (PUT)
Conmutador Unilateral de Silicio (SUS)
Conmutador Bilateral de Silicio (SBS)
Optoacoplador (Optotriac)
Regulador Integrado
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Cap 1

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Semiconductores Rectificadores monofsicos y trifsicos Transistores Amplificadores y osciladores Amplificadores Operacionales Rectificadores Controlados Electrnica de Potencia Tcnicas Digitales

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OBJETIVOS DEL LIBRO:

Diseo electrnico, Iberoamericana, 1992.

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OBJETIVOS DEL CAPITULO 1

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El procesamiento de la informacin y la electrnica de potencia

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Fig.5 - Rectificadores de silicio para tensiones elevadas.

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Transistor MOSFET DEPLEXION

Transistor MOSFET DEPLEXION

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Transistor MOSFET DOBLE PUERTA

Rectificador Controlado de Silicio (SCR) (TIRISTOR)

Triodo Alternativo de Corriente (TRIAC)

Diodo Alternativo de Corriente (DIAC)

Transistor Uniunin (UJT)

Transistor Unionin Programable (PUT)

Conmutador Unilateral de Silicio (SUS)

Conmutador Bilateral de Silicio (SBS)

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