Lo ms brillante de la energa

Semiconductores de potencia
Primera parte: Bases y aplicaciones
Stefan Linder

Durante los ltimos 10 a 15 aos, y a raz del rpido progreso alcanzado en la tecnologa de semiconductores, los interruptores de potencia de silicio se han convertido en dispositivos muy eficientes, fiables y de cmoda aplicacin. Estos dispositivos han arraigado firmemente en aplicaciones de alta tensin y alta intensidad para controlar potencias de salida de entre un megavatio y varios gigavatios. Los dispositivos semiconductores de potencia han puesto en marcha una revolucin tranquila, en el curso de la

cual se estn perfeccionando soluciones electromecnicas mediante la adicin de electrnica de potencia, o incluso son sustituidas por completo por sistemas electrnicos de potencia. Este artculo, dirigido a lectores con ciertos conocimientos de este tema, es la primera de dos partes que Revista ABB dedicar a los semiconductores de alta potencia. En esta parte presentamos diferentes clases de dispositivos, especialmente el IGBT e IGCT. Comparamos sus venta-

jas y desventajas especficas, as como algunos aspectos importantes relativos a su aplicacin. En la segunda parte analizaremos aspectos trmicos y cuestiones relativas al diseo del encapsulado. Adems, intentamos hacer un pronstico sobre los desarrollos futuros y sobre la importancia que tendrn en este campo de la alta potencia materiales de amplio salto de banda como el SiC (carburo de silicio), el GaN (nitruro de galio) y el diamante.

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a introduccin de la tecnologa de transmutacin de neutrones en los aos setenta del pasado siglo hizo posible la fabricacin de dispositivos semiconductores de potencia con tensiones de bloqueo de ms de 1.000 V. Slo esta tcnica permite producir silicio con la homogeneidad de dopado requerida. Por aquel entonces, en esta categora de tensiones el tiristor era el nico dispositivo cuya tecnologa se dominaba correctamente. Sin embargo, el nmero de aplicaciones era muy limitado, ya que este dispositivo no permita el corte de corriente en un instante cualquiera. En los aos ochenta y noventa se unieron al tiristor varios dispositivos con capacidad de corte: el tiristor de corte de puerta o GTO (Gate Turn-Off Thyristor) y, posteriormente, el transistor bipolar con puerta aislada o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y el tiristor conmutado con puerta integrada o IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor). Estos dispositivos incrementaron notablemente el espectro de definiciones de tareas explotables eficientemente. Gracias a estos dispositivos, los accionamientos elctricos de velocidad variable en el rango de megavatios representan hoy da la ms avanzada tecnologa y sera imposible imaginar la transmisin de energa elctrica y los sectores de estabilizacin de redes, donde las aplicaciones alcanzan sobradamente el rango de los gigavatios, sin la existencia de soluciones basadas en componentes semiconductores de potencia. Durante los diez ltimos aos, el IGBT y el IGCT (que sustituyeron al GTO) han sido perfeccionados en cuanto a prdidas, resistencia a la tensin, capacidad de transporte de corriente (SOA = Safe Operating Area, rea de funcionamiento seguro) y facilidad de uso. En conse-

cuencia ha perdido vigencia el viejo paradigma, admitido todava a finales de los noventa, segn el cual los IGBT son adecuados para salidas de pequea potencia y los IGCT para potencias mayores. Los IGBT se usan ahora con excelentes resultados en aplicaciones con salida superior a 300 MW [1]. Sin embargo, de esto no se puede concluir que el IGCT perder su razn de ser como resultado del avance del IGBT, como lo demuestra el fuerte crecimiento de aplicaciones de ste, sobre todo en el rango de tensiones medias. La decisin acerca de cul es el componente ms adecuado para una aplicacin deseada depende de diversos factores tcnicos, que se aclararn en cierta medida en este artculo. No obstante, en este contexto no debe subestimarse el know-how y la experiencia del usuario al hacer la seleccin correcta. Dado que la eficiencia y fiabilidad de los dispositivos semiconductores depende estrechamente de las condiciones de servicio y del diseo fsico del sistema (elctrico, trmico, mecnico), los usuarios, siempre que sea posible, utilizarn plataformas con las que tienen abundante experiencia.

la conductividad del sustrato, ha de reducirse continuamente conforme aumenta la tensin de ruptura buscada. En consecuencia, componentes que en estado activo pueden confiar en la conductividad de su substrato (los componentes unipolares o de portadores mayoritarios, como el MOSFET de potencia y el diodo Schottky), presentan capacidades de bloqueo superiores a 2001.000 V en estado de conduccin, demasiado altas para funcionar econmicamente (el lmite depende del tipo de componente y de la aplicacin). Consecuentemente, los semiconductores de potencia de silicio de ms de 600 V se suelen disear como dispositivos modulados por conductividad (plasma). El interior de un dispositivo de este tipo est saturado con un gran nmero de portadores de cargas positivas y negativas

Estructuras de componentes y zonas de dopado del IGCT y del IGBT a y comparacin cualitativa de las distribuciones de plasma en estado de conduccin b
G IGCT (estructura de tiristor) A K n p np

Concentracin

Ha perdido vigencia el viejo paradigma segn el cual los IGBT son adecuados para salidas de pequea potencia y los IGCT para potencias mayores.
Objetivos del diseo del IGBT y del IGCT Introduccin

G E n

IGBT
C np nodo p

Ctodo
b

plasma del IGCT p n p plasma del IGBT nDopado

El dopado del cuerpo de silicio de los semiconductores de potencia, es decir,

Los semiconductores se han hecho omnipresentes en una amplia gama de aplicaciones, entre ellas la transmisin de energa a las aplicaciones de traccin b b y los accionamientos industriales c
a b c

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(huecos y electrones) durante la fase conductora, siendo la conductividad del semiconductor mucho mayor que la del sustrato. Tales componentes se denominan frecuentemente componentes bipolares en la industria de semiconductores de potencia, aunque el uso de esta expresin no es estrictamente correcto desde el punto de vista tcnico (esto se discutir ms adelante, en la segunda parte de este artculo, que se publicar en el prximo nmero de Revista ABB). El plasma ha de ser extrado del dispositivo durante el corte para recuperar la capacidad de bloqueo. Esto se lleva a cabo mediante la tensin de recuperacin, por medio de la cual se crea un campo elctrico que conduce los elec2

trones, cargados negativamente al nodo y los huecos, cargados positivamente, al ctodo. En consecuencia, sigue circulando corriente mientras aumenta la tensin; durante el corte las prdidas se disipan en forma de calor.
Optimizacin de las prdidas de potencia en conduccin y en corte por ajuste de la distribucin del plasma

Interior de un IGBT/IGCT durante el corte

Ctodo t t+t nodo

campo elctrico

El objetivo comn del diseo de interruptores para semiconductores de potencia de alta tensin (cuyos tipos ms conocidos son el IGBT y el IGCT) es optimizar la combinacin de la potencia en estado de conduccin y las prdidas en corte. En trminos prcticos, esto significa que el semiconductor debe tener la mnima cada de tensin posible en la fase de conduccin (es decir, debe crearse un plasma denso) sin que se originen prdidas excesivamente altas en corte cuando se suprime el exceso de carga.

plasma t p

n p

t+t n
-

Se crea un campo elctrico en la unin pn en el lado del ctodo y se expulsa el plasma. Cuanto ms cerca estn del ctodo los portadores de carga, menor es la tensin con la que se eliminan.

El grosor mnimo de un semiconductor de potencia est predeterminado por la capacidad deseada de bloqueo y por la intensidad del campo de ruptura del silicio.
La figura 1 muestra la distribucin tpica del plasma de los componentes IGBT e IGCT. La principal diferencia entre ellos es que el IGCT crea un plasma denso cerca del ctodo, mientras que el exceso de densidad de carga en el IGBT cae de forma relativamente brusca del nodo al ctodo. Ms adelante, en esta misma seccin, explicamos la causa de este fenmeno. La importancia de esta distribucin de portadores de carga se ilustra considerando el proceso de corte: durante el corte, el componente recupera su capacidad de bloqueo creando un campo elctrico desde la unin pn en el lado del ctodo hasta la zona n- 2 . La tensin de recuperacin cubre el plasma desde el ctodo hasta el nodo. Los portadores de carga cerca del ctodo son suprimidos a una baja tensin y, por tanto, generan bajas prdidas en corte, mientras que los portadores prximos al nodo fluyen fuera del dispositivo a una tensin alta, originando altas prdidas.

Dependencia geomtrica de la conductividad del plasma y prdidas de corte dentro del IGBT

n p

Plasma n-

Ctodo Prdidas de corte de cada portador de carga

nodo

Resistencia especfica del plasma

Esta consideracin aclara por qu la distribucin del plasma del tiristor suele considerarse un ideal, tambin deseable para el IGBT: la cada de tensin en el modo de conduccin est determinada fundamentalmente por la regin de densidad mnima de plasma, lo que explica por qu un IGBT tiene prdidas de conduccin mayores que un tiristor comparable. As pues, si se puede aumentar satisfactoriamente el plasma del IGBT en el ctodo, las prdidas de estado activo se reducen sin que se originen prdidas en corte considerablemente mayores 3 . La causa principal de la baja densidad del plasma en el ctodo del IGBT es un dbil efecto de almacenamiento de portadores: los huecos inyectados originalmente por el nodo pueden entrar con relativa facilidad en la zona p en el lado del ctodo y desde ah abandonar sin obstculos el componente a travs del contacto (requerido) del emisor con la zona p (vase 1 ). En contraste, debido a la falta de contacto con la zona p, el tiristor no tiene un efecto importante de almacenamiento de portadores. La barrera de potencial de la unin pn en el contacto del ctodo impide la entrada de huecos en la zona n. Dos conceptos diferentes se han propuesto en general para mejorar la distribucin del plasma en el IGBT: una opcin muy eficaz consiste en aplicar el principio trinchera [2], en el que se impide que los huecos encuentren la zona p mediante un ingenioso diseo geomtrico de la estructura del ctodo. Alternativamente se puede generar una dbil barrera de potencial por medio de una capa de dopado en frente de la zona p para mantener los huecos alejados de la misma [3]. Una explicacin detallada de estos mtodos puede encontrarse en la literatura, por ejemplo en [4]. Los IGBT modernos, diseados segn alguno de estos planteamientos bsicos, presentan correlaciones entre las prdidas en conduccin y las prdidas en corte, que se aproximan mucho a las de los IGCT. Aunque en el futuro sern posibles algunas mejoras, los ltimos diseos (por ejemplo, el SPT+ de ABB [8]) han sido optimizados en tal medida que ya no se esperan grandes pasos adelante.
Reduccin de prdidas mediante la reduccin del grosor

En comparacin con 1 , es evidente que el IGCT tiene una mejor distribucin del plasma.

Concentracin

Concentracin

La reduccin del grosor de los componentes es el parmetro ms eficaz para

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reducir las prdidas totales. Las razones son sencillas: la resistencia del dispositivo en estado de conduccin decrece como consecuencia del menor grosor y, al mismo tiempo, hay menos plasma global en el dispositivo durante la fase conductora, razn por la que se producen menos prdidas durante el corte. El grosor mnimo de un semiconductor de potencia est predeterminado por la capacidad deseada de bloqueo y por la intensidad del campo de ruptura del silicio. En 4 se muestran dos dispositivos diferentes diseados agresivamente con la misma capacidad de bloqueo: Es evidente que la mxima capacidad de bloqueo para un elemento de grosor dado se obtiene con una distribucin de intensidad de campo lo ms prxima posible al lmite de ruptura en todo el grosor. El gradiente de la intensidad de campo dE/dx 1 se puede ajustar por medio de la concentracin de dopado en el silicio. En la prctica existen lmites para el diseo agresivo de la distribucin de la intensidad de campo y, por consiguiente, para el grosor mnimo de los dispositivos: 1. Si la concentracin de dopado del semiconductor es muy baja, el campo elctrico se extiende sobre todo el grosor del componente, incluso a baja tensin. Por tanto, todo el plasma puede ser eliminado a una tensin ms baja durante el corte. Aunque tericamente esto es deseable (puesto que las prdidas de corte disminuyen), tambin hace que la corriente se interrumpa bruscamente al alcanzar una cierta tensin (el punto en el que se elimina el plasma del dispositivo). Este efecto se conoce como ruptura brusca (snap-off). La alta variacin di/dt genera sobretensiones en inductancias parsitas y puede iniciar oscilaciones no deseadas en combinacin con las capacitancias. La figura 5 muestra ejemplos de un corte de alimentacin deseable (suave) y una forma de onda desfavorable (dura). La inductancia parsita difiere mucho ms en semiconductores de potencia para altas intensidades que en pequeos componentes discretos. En primer lugar, la inductancia de fuga es mayor debido a los conjuntos, fsicamente mayores y, en segundo trmino, el semiconductor experimenta una solicitacin mucho mayor a travs de una inductancia parsita dada. Para ilustrar esto se compara un
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hipottico chip IGBT discreto de 50 A con un mdulo de 1.000 A ensamblado con 20 chips discretos de 50 A. Se supone que la inductancia parsita en el circuito con el chip discreto es de 20 nH, y la del mdulo 100 nH. El clculo de la energa inductiva almacenada (Eind = LI2/2) muestra que, con la intensidad nominal, cada chip del mdulo experimenta una carga inductiva 100 veces mayor que la del chip discreto (2,5 mJ frente a 25 J). Esto indica que los componentes utilizados para altas salidas de potencia se han de dimensionar para un comportamiento de conmutacin mucho ms suave que los chips empleados para pequeos montaje de circuitos impresos. En trminos prcticos, los ingenieros han de hacer los componentes ms gruesos de lo que tericamente sera necesario. Esto implica naturalmente prdidas adicionales, segn se muestra en el ejemplo de 5 .

de bloqueo a alta tensin, estos portadores se multiplican a modo de avalancha debido a la alta intensidad de campo en el componente. Esto causa una ruptura muy localizada del componente, que puede daar el dispositivo de forma irreparable. Por consiguiente, los fabricantes han desarrollado normas para el dimensionado, segn las cuales los componentes se han de disear con respecto al grosor y la distribucin de la intensidad de campo, para que la proba-

Diferentes diseos verticales de un semiconductor de potencia en el ejemplo de estructura de tiristor

G K n G A K n p Tipo B nn p p Tipo A nA p

El semiconductor debe tener la mnima cada de tensin posible en la fase de conduccin sin que se originen prdidas excesivamente altas en corte cuando se suprime el exceso de carga.
Adems de la concepcin con un cierto grosor adicional, la ruptura brusca se puede reducir mediante una hbil distribucin de dopados en el lado del nodo del componente. Los fabricantes emplean diferentes nombres para conceptos que son similares (al menos en su accin), por ejemplo, SPT (Soft Punch Through, Suave Perforacin) [5] o FS (Field Stop, Parada de Campo) [6]. Debe sealarse tambin que para los usuarios es ms importante que nunca limitar en lo posible las inductancias parsitas en sus sistemas, debido al diseo ms agresivo de los componentes modernos. 2. La segunda limitacin es atribuible a la radiacin csmica. Si una partcula nuclear del espacio con alta energa, por ejemplo, un protn, choca contra un ncleo de silicio, la energa liberada genera una altsima cantidad de electrones y huecos. Si el dispositivo est en modo

Lmite de fallo Campo elctrico (E) Tipo B

Tipo A p n p nn p

La tensin a travs del dispositivo es proporcional al rea situada bajo el campo elctrico. La seccin central (n-) se suele denominar zona de deriva en componentes unipolares y base n- en componentes bipolares.

Efecto de la ruptura brusca durante el corte de un gran mdulo IGBT de 3,3 kV/1.500 A bajo la influencia de una alta inductancia parsita
Intensidad [kA] 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 0 1 2 Tiempo [s] 3 4 Tipo 1 (delgado) Tipo 2 (grueso) L = 300 nH

El Tipo 1 de IGBT es considerablemente menos grueso que el Tipo 2 (340 m frente a 380 m, vase tambin 6 ).

Tensin [kV],

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bilidad de destruccin por radiacin csmica se limite a un grado aceptable. Esta norma especifica aproximadamente 1-3 FIT (fallos por unidad de tiempo) por cm2 de rea superficial de componente, que corresponde a entre 1 y 3 fallos por cada mil millones de horas de operacin y cm2. La prueba de la tasa de fallos de nuevos componentes se suele obtener hoy da mediante bombar-

Comparacin de grosores tericos mnimos calculados para el componente

Lmite terico Lmite tcnico Componentes avanzados 800 700 Espesor del elemento [m] 600 500 400 300 200 100 0 1 2 1200 V 1700 V

deo de protones o neutrones en aceleradores, que simula con suficiente exactitud el efecto de la radiacin csmica natural. Los componentes de alta tensin de ltima generacin estn ya cerca de los lmites prcticos en cuanto a grosor. En 6 se ilustra la posicin de los ltimos componentes en relacin con los lmites tericos calculados. Aunque tericamente sera posible una nueva reduccin del grosor por debajo del nivel actual, sera a expensas de una ruptura brusca ms severa o de prdidas en corte considerablemente superiores. Actualmente, parece dudoso que los usuarios lleguen a aceptar tales dispositivos.
Aumento de la capacidad de corte (Safe Operating Area, SOA)

La intensidad de salida til de un semiconductor de potencia est limitada por la capacidad de la tecnologa de encapsulado para disipar prdidas de potencia y por la mxima intensidad que puede controlarse con seguridad durante el corte. La segunda parte de este artculo tratar con detalle la tecnologa de encapsulado, mientras que aqu se tratarn los aspectos SOA. Durante los aos 90 se daba por sentado que un evento de ruptura por avalancha dinmica representaba una condicin de funcionamiento poco seguro. Tal ruptura se produce si la densidad de potencia (calculada como la intensidad a desconectar multiplicada por la tensin del enlace de CC) alcanza aproximadamente 150 kW/cm2. A partir de consideraciones tericas no es posible mantener la conclusin de que la ruptura por avalancha dinmica es insegura. Por el contrario, el efecto es autolimitante [4] y, por tanto, puede considerarse inofensivo. En consecuencia, para los fabricantes tiene sentido elevar el lmite de destruccin de los componentes al mximo nivel posible. Ya se han demostrado con xito densidades de potencia de ms de 1 mW/cm2 en todos los componentes modernos (IGCT, IGBT y diodos). Un ejemplo, que demuestra que grandes componentes pueden controlar con seguridad potencias muy altas de salida, se muestra en 7 . Debido a las limitaciones trmicas, hoy en da apenas es posible operar con componentes a una potencia eficaz de ms de unos 100 kW/cm2. Sin embargo,

Tensin de ruptura especificada [kV]

Suponiendo que no existe un grosor adicional y que la ruptura se produce a temperatura ambiente, los grosores tcnicos mnimos aproximados (valores factibles prcticamente, sin considerar el comportamiento elctrico) y los grosores de componentes avanzados (las reas rojas representan los diferentes valores de varios fabricantes).

est justificada la cuestin de si un margen SOA superior a este lmite tiene importancia prctica. La respuesta es afirmativa por las razones siguientes: En dispositivos semiconductores de potencia de gran superficie no se puede asumir que la corriente fluye uniformemente por el semiconductor. Irregularidades en la refrigeracin, diferentes inductancias de acoplamiento y propiedades ligeramente distintas de los semiconductores pueden originar diferencias importantes de temperatura y cargas elctricas no homogneas, estas ltimas especialmente durante la conexin y desconexin [7]. Los mrgenes grandes de potencia pueden evitar el fallo de los componentes en tales condiciones. Varios grandes fabricantes de equipos pudieron probar una relacin causal entre los mrgenes de potencia y la fiabilidad del campo, incluso con los componentes operando en condiciones nominales, dentro de los lmites de las especificaciones. Una gran tolerancia para la ruptura por avalancha dinmica evita que surjan sobretensiones ms all de las tensiones nominales especificadas (vase 7 ). Un margen grande de potencia SOA puede servir para afrontar condiciones de sobrecarga muy poco frecuentes (por ejemplo, condiciones de averas). Generalmente, las grandes cargas disipadas durante tales sucesos pueden tolerarse, ya que el corte slo suele ocurrir una vez.
Aumento de la mxima temperatura de la unin

2500 V

3300 V

4500 V

6500 V

Desconexin de un IGCT con un rea activa de 40 cm2 bajo condiciones SOA, sin circuito de proteccin
Intensidad [kA] 6 5 4 3 2 1 0 0 2 4 6 Tiempo [s] 8 10 Ruptura por avalancha dinmica

La ampliacin de los lmites de temperatura est estrechamente relacionada con las propiedades de la tecnologa de encapsulado, que se discuten con ms detalle en la segunda parte de este artculo.
Comparativa IGCT e IGBT

Autofijacin

La densidad de potencia de conmutacin es superior a 500 kW/cm2. La ruptura por avalancha reduce en primer lugar la pendiente de la rampa de tensin y a continuacin limita automticamente la sobretensin.

La menor potencia de conduccin del IGBT se suele citar como una ventaja esencial de este dispositivo en comparacin con el IGCT. La diferencia en potencia de conduccin es atribuible al hecho de que el IGBT est controlado por una entrada MOS, mientras que el IGCT es un dispositivo controlado por la intensidad. En la prctica, sin embargo, la necesidad de diferente potencia slo es crucial en un pequeo nmero de aplicaciones, dado que la potencia de conduccin es lo bastante baja como para
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Tensin [kV],

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obtenerla con un esfuerzo aceptable. Por otro lado, la diferencia ms importante entre un IGCT y un IGBT desde el punto de vista de la aplicacin est en el hecho de que el IGBT puede ser controlado por la tensin de puerta durante la conexin/desconexin, mientras que los transitorios de conmutacin en el IGCT estn gobernados nicamente por la dinmica interna del componente. Esta diferencia, que puede parecer poco importante a primera vista, tiene consecuencias trascendentales para la topologa del circuito y para aplicaciones que exigen la conexin en paralelo y/o en serie.
Diferencias en topologa de circuitos

Debido a la estructura interna del tiristor IGCT, el dispositivo genera corriente muy rpidamente durante el encendido, es decir produce una acusada variacin di/dt que genera una solicitacin inaceptable en los diodos auxiliares. Debido a ello, es preciso restringir siempre la variacin di/dt en circuitos IGCT por medio de un circuito limitador. En inversores de fuente de tensin, esta solucin suele consistir en una pequea inductancia en serie con el interruptor 8 . Aunque ello aumenta la complejidad del circuito, tiene varias ventajas:
8

1. En inversores de fuente de tensin sin limitacin di/dt externa (como los circuitos tpicos IGBT), dicha limitacin ha de tener lugar mediante control del propio dispositivo de conmutacin, lo que causa prdidas sustanciales de conexin. En inversores con altas tensiones, la combinacin de las prdidas de conexin del interruptor y las prdidas de recuperacin del diodo constituyen entre el 40 y 60 por ciento de las prdidas totales del inversor, dependiendo de la frecuencia de conmutacin. Prdidas de conexin notablemente menores tienen lugar en un interruptor de silicio utilizado con un limitador di/dt pasivo, liberando al dispositivo de carga trmica y, en consecuencia, permitiendo en principio una mayor potencia de salida para el inversor. Sin embargo, debe sealarse que a pesar de todo se producen prdidas, dado que se transfieren al circuito de circulacin libre del limitador de di/dt (ocurren en la resistencia Ri y en el diodo Di de 8 ). La interpretacin de que un inversor con un circuito limitador di/dt genera siempre menos prdidas totales que un inversor IGBT convencional es, por tanto, incorrecta.

CC se puede descargar activando todos los interruptores y dispersarla en todos los semiconductores (se puede dimensionar la inductancia Li para mantener la intensidad de cortocircuito dentro de lmites seguros).
Conexin en paralelo y en serie

Circuito de prueba de fase de un IGCT

di/dt circuito limitante

Li
+ -

Ri VDC

Di

IGCT

En dispositivos semiconductores de potencia de gran superficie no se puede asumir que la corriente fluye uniformemente por el semiconductor.
2. La segunda ventaja es que, como resultado de la limitacin di/dt pasiva, la intensidad slo puede aumentar con relativa lentitud cuando se produce una avera (por ejemplo, un cortocircuito en el puente inversor o en la carga). Por consiguiente, existen dos estrategias efectivas para afrontar tales sucesos: (a) Si la avera se detecta a tiempo, es posible hacer una desconexin normal; (b) La energa almacenada en el enlace de

Dcirc. libre

Lcarga

Dado que no se puede influir externamente en los transitorios de conmutacin de un IGCT, el circuito de control de puerta ha de accionar el conjunto del dispositivo de forma simultnea para garantizar un proceso de desconexin homogneo y, por tanto, seguro. La diferencia de tiempo tolerable es inferior a 100 ns, lo que significa que los IGCT slo se pueden operar en paralelo o en serie con un esfuerzo relativamente grande. En ambos casos, los circuitos amortiguadores, activos o pasivos, han de compensar incluso las diferencias ms pequeas de tiempos de conmutacin entre los IGCT (causadas por los errores de tiempo de control y por condiciones locales como la temperatura). Si no se consigue esto, se pueden sobrecargar los dispositivos IGCT individuales. El coste y la complejidad de estos circuitos amortiguadores son, generalmente, demasiado altos en comparacin con los de la alternativa IGBT. Para finalizar, los IGCT funcionan mejor en aplicaciones en las que cada funcin de conmutacin es realizada por un solo dispositivo. En la segunda parte de este artculo sobre semiconductores de alta potencia, que se publicar en Revista ABB 1/2007, trataremos diversos aspectos del diseo de encapsulados. Adems estudiaremos el potencial de los materiales de amplio salto de banda.

El gradiente de intensidad mximo permitido por el inductor Li durante la activacin es di/dtmax = UDC/Li. Los elementos Di y Ri forman un circuito de circulacin libre para Li y limitan la sobretensin durante el corte del IGCT.

Stefan Linder ABB Switzerland Ltd, Semiconductors Lenzburg, Suiza stefan.linder@ch.abb.com

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