lectricit photovoltaque

Filires et march
par

Jean-Claude MULLER
Membre du Programme interdisciplinaire nergie du CNRS Institut dlectronique du solide et des systmes InESS (UMR 7163, CNRS-ULP)

1. 1.1

1.2

1.3

1.4

Matriaux et lires technologiques .................................................. La lire silicium.......................................................................................... 1.1.1 Matire premire de silicium............................................................. 1.1.2 Silicium monocristallin ...................................................................... 1.1.3 Silicium polycristallin gros grains, nomm silicium multicristallin ...................................................................................... 1.1.4 Silicium en ruban autosupport ........................................................ Silicium en couches minces........................................................................ 1.2.1 Silicium nanocristallin et amorphe ................................................... 1.2.2 Mariage de lamorphe et du cristallin ............................................... Autres matriaux en couches minces mergeants................................... 1.3.1 Matriaux base de tellurure de cadmium...................................... 1.3.2 Matriaux base de slniure de cuivre indium (CIS).................... Apparition de nouveaux matriaux et concepts ....................................... 1.4.1 Cellules multi-spectrales .................................................................... 1.4.2 Composs organiques ....................................................................... 1.4.3 Apparition de nouveaux concepts .................................................... March du photovoltaque..................................................................... Les diffrents types de march photovoltaque ........................................ Installations cumules : forte prdominance de la production dlectricit connecte au rseau ............................................................... Adaptation du produit au march .............................................................. Perspectives davenir du photovoltaque ..........................................

BE 8 579 2 2 3 3 3 4 4 4 5 5 5 5 5 6 6 6 6 7 7 8 8 9

2. 2.1 2.2 2.3 3.

Rfrences bibliographiques .........................................................................

vant la n de la premire moiti de ce sicle, la conversion directe de la lumire du soleil en lectricit grce au photovoltaque (PV) devrait franchir le seuil qui le rendra comptitif par rapport aux autres sources de production dlectricit. Dans le dossier [BE 8 578], les principes de la conversion photovoltaque ont t donns. Ils incluent des notions relatives lnergie transmise par le soleil, des lments de physique des semi-conducteurs, les mcanismes de conduction de charges lectriques, les caractristiques lectriques fondamentales du dispositif photovoltaque et son usage en tant que gnrateur de courant. En conclusion, une application pratique donne une valuation rapide du dimensionnement dune installation photovoltaque. Dans les pages suivantes, on sintresse aux diffrentes lires dlaboration du dispositif photovoltaque. En effet, il reste des verrous technologiques lever relatifs la fabrication des cellules solaires, qui sont trop gourmandes en nergie et qui ont des rpercussions sur lenvironnement : si la cellule photovoltaque produit de llectricit sans aucun rejet dans latmosphre, beaucoup de procds actuels de fabrication sont proches de ceux de la microlectronique et mettent en jeu trop doprations qui ncessitent lusage de produits chimiques

Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite. Editions T.I.

BE 8 579 1

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE ___________________________________________________________________________________________________________

et de gaz extrmement toxiques. La dernire partie est consacre des exemples dapplications du photovoltaque en sites isols ou connects des rseaux, ainsi qu lvolution du march et des prix du kilowattheure photovoltaque lhorizon 2040.

(0)

c-Si a-Si CIS Cz EMC FZ H IT mc-Si MWc pc-Si p-i-n pm-Si p-n RCC Sc-Si

Silicium microcristallin Silicium amorphe Chalcognures Tirage Czochralski Croissance lectromagntique Tirage par zone flottante Htrostructure Silicium multicristallin Mgawatt crte, puissance mesure midi Silicium polycristallin Structure zone intrinsque Silicium polymorphe Structure jonction plane Structure contacts arrires Silicium monocristallin

Rendement (%)

Abrviations

40 35 30 25 20 15 10 5 0 1940 1960 1980 2000 2020 CIS a-Si Si cristallin Films minces Si

Nouv Mat

Organique

2040

2060 Annes

Figure 1 volution des rendements des diffrentes lires de cellules photovoltaques : base de silicium cristallin, de couches minces (silicium amorphe, polycristallin et chalcognures), de matriaux organiques et nouveaux concepts [1]

Ruban de Si 0,9 % a Si a Si sur c Si 3,4 % 4% CdTe CIS 0,5 % 0,4 % c Si sur c Si 1,8 % Mono c Si 26,9 %

1. Matriaux et lires technologiques

Nous avons reprsent sur la gure 1 les volutions des rendements de conversion des meilleures cellules de laboratoire pour les diffrentes lires dlaboration de dispositifs photovoltaques. La plus ancienne est la lire du silicium cristallin (Sc-Si), avec des premires cellules ralises par Bel Lab. (USA) en 1954, en mme temps que la ralisation des premires diodes et transistors. Elle reste toujours la voie la plus avance sur le plan technologique et industriel. Pour les cellules base de plaquettes en silicium cristallin, les rendements en laboratoire sont de 24,7 % et on atteint les limites thoriques du silicium. Pour les rendements sur de grandes surfaces, lavenir passe par une rduction drastique des cots et une constante augmentation des rendements industriels au-del des 16 17 % actuels. Les couches minces base de silicium amorphe (a-Si) et de cuivre-indium-slnium (CIS) ont commenc tre tudies dans les annes 1970, avec une industrialisation trop rapide et dcevante pour la premire, et une progression du rendement de conversion plus prometteuse pour la seconde. Pour ces lires, les rendements industriels stagnent autour des 10 %. L objectif majeur reste laugmentation des rendements de conversion pour le silicium (amorphe, polymorphe, micro- et poly-cristallin) ainsi que pour les matriaux composs base de chalcognures (CIGS). Les lires base de lms minces de silicium polycristallin et base de matriaux organiques sont encore au stade du laboratoire et peinent obtenir des rendements la hauteur des esprances (courbes dvolution escomptes pour les performances en trait plein ou pointill sur la gure 1). En effet, pour les cellules base de matriaux organiques, le rendement de conversion est de 3,5 % en dbut de vie.

Multi : mc Si 61,8 %

Figure 2 Illustration de la prpondrance des matriaux base de silicium cristallin dans la production de cellules. Source AIE [2]

Les cellules du futur, base de matriaux nano-structurs, restent au niveau du concept, et une recherche fondamentale de base est encore ncessaire.

1.1 La lire silicium

Comme prs de 95 % des cellules sont base de silicium cristallin (gure 2), nous donnons au lecteur un minimum de connaissance de ce matriau et de ses procds de fabrication. Le silicium est lun des lments les plus abondants sur terre, parfaitement stable et non toxique. lavenir dautres matriaux contribueront lenrichissement de la gamme des produits PV disponibles et stimuleront ce march trs prometteur. Aujourdhui ils sont au stade prindustriel, au niveau de la recherche ou mme de la validation des concepts. Nous prsenterons brivement ces nouveaux matriaux.

BE 8 579 2

Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite. Editions T.I.

tiwekacontentpdf_be8579

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24

__________________________________________________________________________________________________________

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE

1.1.1 Matire premire de silicium

la base de toute lindustrie lectronique moderne, le silicium est obtenu par rduction de la silice dans un four lectrique arc plus de 200 C. On obtient ainsi un matriau dit mtallurgique , dont la puret est denviron 98 %. Ce produit est puri par chlorination 300 C, ce qui donne du silicium sous forme gazeuse (trichlorosilane ou silane). Aprs pyrolyse et rduction par de lhydrogne 1 100 C, le matriau obtenu est sous la forme dune poudre de haute puret ; les traces dimpurets rsiduelles sont infrieures au ppm. Il sert alors de produit de dpart pour la croissance de lingots, qui sont utiliss dans les industries de la microlectronique et photovoltaque. Cette matire premire cote de plus en plus chre en raison de la forte augmentation de la demande. De ce fait de grands groupes chimiques se proccupent de dvelopper un matriau de qualit solaire avec des techniques de purication simplies [3].

1.1.3 Silicium polycristallin gros grains, nomm silicium multicristallin

Dans un polycristal, les monocristaux sont spars les uns des autres par des zones perturbes, les joints de grains. Chaque cristal de plus petite dimension na pas la mme orientation que son voisin. On privilgie les techniques de croissance qui assurent la formation dune structure colonnaire avec de gros cristaux (dnomm silicium multicristallin, mc-Si) an de limiter les effets nfastes des joints de grains. Cette technique par solidication directionnelle a t initie par Wacker ds 1975 [5]. Une variante de cette technologie de croissance, le procd Polix [6] de Photowatt, est reprsente sur les gures 4 et 5. Des blocs de plus de 250 kg sont ainsi obtenus par refroidissement contrl du silicium en fusion dans un moule de nature approprie (souvent en quartz). Cette mthode est plus rapide et moins coteuse en nergie quune croissance dun lingot Cz ou FZ (24 48 h contre quelques semaines pour ces derniers). An de diminuer le bilan nergtique de la croissance de lingots de silicium, de nouveaux matriaux produits par coule continue en creuset lectromagntique sont en cours dindustrialisation au Japon et en France [7]. Cependant le matriau multicristallin est dune part contraint et disloqu, et dautre part contamin par des impurets rsiduelles de la matire premire de silicium. Cette dernire est en partie constitue par des rebuts de lindustrie de la microlectronique, cest--dire de silicium monocristallin Cz ou FZ. Les rendements de conversion industriels, qui taient de lordre de 8 10 % avant 1980, sont actuellement de 16 17 % pour de grandes plaquettes de 12,5 12,5 ou 15 15 cm2. Ces progrs sexpliquent par lamlioration constante de la qualit des matriaux et par laccroissement des connaissances de neutralisation des dfauts et des impurets rsiduelles [8]. Actuellement, on sait parfaitement passiver les effets nfastes de la plupart des dfauts cristallographiques. Par exemple, le dpt par plasma dune couche de 70 nm de SiN (H) assure une diminution des pertes par rexion (effet anti-reet), et neutralise galement des dfauts de surface et de volume par lhydrogne. Les atomes dhydrogne se xent sur les liaisons pendantes (ou brises) du silicium. On peut galement dbarrasser partiellement les plaquettes de silicium de leurs impurets mtalliques rsiduelles lors dun traitement thermique haute temprature : par un effet de migration, les impurets se dplacent vers des sites situs en dehors des zones actives, o elles sont piges. Ce phnomne est plus connu sous sa dnomination anglaise : getter [9].

1.1.2 Silicium monocristallin

Il est possible davoir des monocristaux par la mthode Czochralski (note Cz), qui consiste tirer un cristal parfaitement cristallin de 30 cm de diamtre, long de plus de 1 m, partir dun germe plong dans un bac de silicium fondu. Cependant, en partant de 1 kg de minerai de silice, on nobtient pas plus de 100 g de silicium monocristallin pour une dpense nergtique considrable, de lordre du MWh. Le reste est perdu dans les diffrentes phases de purication. De plus, la moiti du cristal part en poussire au cours de la dcoupe en tranches de 300 m dpaisseur. Le silicium ainsi obtenu est de type p, cest--dire dop avec du bore, par apport de poudre. La concentration est comprise entre 1016 et 1017 atomes cm3, de faon prsenter une rsistivit de lordre de 0,1 1 cm. Ce choix rsulte dun compromis entre une rsistivit la plus faible possible et un dopage modr an dviter la dgradation de la longueur de diffusion des porteurs photognrs. Par la suite, on cre une barrire de potentiel ncessaire la collecte des charges, cest--dire la structure mettrice des cellules photovoltaques. Cette tape nest pas dtaille dans le cadre de cette prsentation (gure 6 du dossier [BE 8 578]). Il existe une seconde mthode : on chauffe jusqu la fusion une zone que lon dplace le long dun lingot. On rcupre le silicium, ainsi puri, et que lon nomme FZ. Avec les matriaux Cz et FZ, dits de la micro-lectronique, il est possible dobtenir un rendement de conversion record en laboratoire : 24,7 % (Universit de New South Walles, Australie [4]), soit suprieur de huit points ceux de lindustrie. L architecture de la cellule la plus performante au monde est reprsente sur la gure 3.

Spires radiofrquences (chauffage) Doigts Double couche antireflets Pyramides inverses Creuset en quartz Isolation n Bain de silicium Isolation thermique amovible Silicium de type p p+ p+ Contact arrire Oxyde Oxyde mince (20 nm) p+ 1re tape : fusion 2e tape : cristallisation Support graphite Lingot solidifi

n+

Figure 3 Structure de la cellule de laboratoire la plus performante. Source Photovoltaics Special Research Center UNSW [4]

Figure 4 Principe de croissance par solidication directionnelle du type Polix [6] dvelopp par Photowatt S.A. FR

Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite. Editions T.I.

BE 8 579 3

tiwekacontentpdf_be8579

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE ___________________________________________________________________________________________________________

Lingot cristallis 20 kg

Dcoupe des briques

20 cm
cm

Dcoupe des plaquettes (sciage fil)

,5 12

Assemblage des modules 12,5 cm Figure 5 Principales tapes de fabrication du matriau, de la cellule et du module de la St Photowatt. S.A. FR

12,5 cm

~ 80 cm

Toutefois, le sciage de ces grands blocs reste une opration onreuse, car elle conduit une perte non ngligeable de matire. Llaboration du silicium volue vers des plaquettes ultra-minces (actuellement aux alentours de 200 m chez Photowatt). La limitation mcanique des plaques due leur manipulation se situe environ 100 120 m. Lalternative consiste gnrer des gomtries diffrentes ne ncessitant aucune opration de dcoupe.

1.2 Silicium en couches minces

La technologie en couches minces de silicium cristallin dpos sur un support consiste apposer une couche mince de silicium polycristallin, de 10 40 m dpaisseur, sur divers substrats de silicium mtallurgique peu puri, quartz, cramique ou mtal. Les rendements de conversion sont du mme ordre que ceux dune cellule sur un matriau massif, moyennant un connement optique et un champ arrire rpulsif pour les porteurs minoritaires. Du fait de la plus faible distance parcourue par les photons, on se contente dune puret moindre pour le matriau de base. Toutefois, le point dterminant pour le dveloppement de cette mthode est le cot de la matire premire de silicium.

1.1.4 Silicium en ruban autosupport

Les techniques de production de silicium en rubans autosupports ont t trs sduisantes sur le plan technologique. La plus connue est base sur leffet de la capilarit entre deux lvres de carbone. Initi aux USA par Mobil-Tyco dans les annes 1975 [10], ce procd est actuellement le seul tre produit industriellement, en Allemagne par RWE Schott Solar. Dautres mthodes utilisent des techniques de croissance de ruban sur un lm ou une maille de carbone. Ces rubans ont connu de nombreux dveloppements au niveau de la recherche et, pour certains dentre eux, jusqu la conception de chanes de production pr-industrielles. Un exemple de croissance de silicium en ruban est donn sur la gure 6. Cependant, la vitesse de croissance linaire est lente, gnralement de quelques cm/min quelques dizaines de cm/min. Elle est impose par les critres de solidication qui dterminent la taille des grains et la puret du matriau par la sgrgation des impurets.

1.2.1 Silicium nanocristallin et amorphe

Depuis les annes 1970 (gure 1), des recherches intensives ont t entreprises pour utiliser du silicium non cristallis, cest--dire ltat amorphe, dont les liaisons pendantes sont satures par hydrognation. Ce matriau prsente trois avantages majeurs : un fort coefficient dabsorption, qui autorise de trs faibles paisseurs de lordre du micron et qui diminue ainsi le risque de pnurie de silicium ; une faible consommation nergtique durant le cycle de production avec un temps de retour nergtique infrieur un an ; une aptitude tre dpos en grandes surfaces unitaires, de lordre du mtre carr, dun seul tenant. Par contre, ses deux points faibles sont le rendement de conversion et la dgradation sous lumire (instabilit dite de StaeblerWronski). Ils sont de mieux en mieux surmonts par des artices technologiques tel que la superposition de deux structures p-i-n en tandem , ou de trois couches actives trs minces. On rduit ainsi la dgradation sous lumire de 30 % prs de 10 %. La structure la plus simple dune cellule en silicium amorphe (gure 7) se compose dune zone dope datomes de bore, intrinsque et dope datomes de phosphore (p-i-n). Chaque lment peut tre directement connect en srie sans besoin de liaisons externes. Comme les rendements industriels stagnent depuis des annes sous la barre des 10 %, cette lire voit ses parts de march diminuer. De ce fait, elle soriente davantage vers les petits systmes dits grand public .

Ruban de silicium solidifi

Bain de silicium fondu

Lvres en carbone

Creuset en graphite

Figure 6 Procd EFG de tirage de rubans de silicium par capillarit travers un gabarit de carbone [10] permettant lobtention de tubes octogonaux de silicium (avec un gabarit de forme octogonale). (Source RWE Schott Solar)

BE 8 579 4

Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite. Editions T.I.

tiwekacontentpdf_be8579

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24

160 cm

Fabrication des cellules

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24

__________________________________________________________________________________________________________

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE

Silicium amorphe Lumire

Grille Ni / Al MgF2 (0,1 m) ZnO (0,5 m) CdS (30 nm) Cu (In,Ga) Se2 (2 m) Mo (0,5 m)

Verre Conducteur transparent Couche p Couche i Couche n Mtal Connection des lments Lumire

+ Verre

Figure 9 Vue en coupe dune cellule base de CuInSe [12]

1.3.1 Matriaux base de tellurure de cadmium

Jusqu une date rcente, il tait admis que la lire base de sulfure de cadmium et de tellure de cadmium (CdS-CdTe) reprsentait lune des approches les plus prometteuses pour le photovoltaque terrestre. La valeur 1,45 eV de la bande dnergie interdite du CdTe est idalement adapte au spectre solaire. En outre, son trs grand coefcient dabsorption (gure 5 de larticle [BE 8 578]) fait que la quasi totalit du spectre est absorbe sur une profondeur de 2 m, autorisant ainsi lutilisation de matriaux relativement impurs, dont la longueur de diffusion des porteurs minoritaires ne dpasse pas quelques m. Les rsultats de rendement de conversion sont trs encourageants : plus de 10 % sur une grande surface. Cependant, les problmes denvironnement associs lutilisation du cadmium freinent les tentatives de dveloppement de cette lire.

Verre SnO2 a-Si Al Encapsulant Figure 7 Cellule base de silicium amorphe structure p-i-n, et vue en coupe dun module (Source Solems)

1.3.2 Matriaux base de slniure de cuivre indium (CIS)

Avec un coefcient dabsorption 100 1 000 fois plus fort que celui du silicium cristallin (dans la gamme de 1.1 2.6 eV), le dislniure de cuivre et dindium (CIS) est un matriau trs prometteur. Ce compos de type I-III-VI, de structure chalcopyrite, a un rendement thorique de lhtrojonction (n)CdS-(p)CuInSe2 qui se situe autour de 25 %. Les cellules base de composs chalcopyrites quaternaires du type Cu(Ga,In)(Se,S)2 ont rcemment atteint des rendements de conversion record de 18,8 % en laboratoire. Malgr les difcults connues pour matriser cette lire grande chelle, un rendement de 12,8 % a t obtenu sur le plan industriel (gure 9).

lectrode

TCO p type a-Si : H i type a-Si : H

~10 nm

~200 m n-type c-Si : H ~20 nm i type a-Si : H n type a-Si : H TCO lectrode Figure 8 Htro-structures base de a-Si/silicium cristallin (structure HIT de Sanyo) [11]

1.4 Apparition de nouveaux matriaux et concepts

Les lms minces sont des outsiders srieux, capables en principe de pulvriser les performances combines de rendement et de cot du Si cristallin massif. Leur dveloppement passe par un travail de recherche relativement long avant denvisager une industrialisation substantielle, probablement vers la n du premier quart du 21e sicle. On notera que les cellules de trs haut rendement (silicium, composs III-V) ainsi que les systmes concentration restent des sujets intressants, mais ils noffrent pas de dbouchs substantiels en Europe. Quant aux cellules exotiques , elles ont un intrt du point de vue de la recherche fondamentale, mais les plus sduisantes dentre elles, les piles lectrochimiques base de TiO2 et de colorants (dite cellule de Grtzel [13]), ont peu de chance de dboucher grande chelle tant quelles comporteront un lectrolyte liquide et prsenteront certaines instabilits. Enn, les cellules base de matriaux organiques ne concerneront que des applications dans le domaine de dispositifs bas cot jetables ou usage phmre, tant que leur dure de vie restera sous la barre des 1 000 heures.

1.2.2 Mariage de lamorphe et du cristallin

L avenir des couches de silicium amorphe passera, probablement, par un mariage avec le silicium cristallin. En effet, les htro-structures base de a-Si/silicium cristallin (structure HIT de Sanyo [15], gure 8) ont des rendements de laboratoire de plus de 21 % et de 16 % en production industrielle. Elles devancent actuellement les dispositifs base de silicium amorphe simple structure p-i-n (gure 2).

1.3 Autres matriaux en couches minces mergeants

Les recherches intensives entreprises depuis de nombreuses annes sur dautres matriaux que ceux base de silicium aboutissent peu peu au stade de lindustrialisation.

Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite. Editions T.I.

BE 8 579 5

tiwekacontentpdf_be8579

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE ___________________________________________________________________________________________________________

1.4.1 Cellules multi-spectrales

Un empilement inni de cellules, chacune tant adapte une longueur donde, donnerait un rendement limite de 86,8 %, et un empilement de trois cellules offrirait dj un rendement maximum de 63,8 % [14]. La ralit est tout autre : les meilleurs rsultats exprimentaux sont de 36,9 % avec une structure triple du type InGaP/ GaAs/Ge [15].

2. March du photovoltaque
Aprs avoir gagn le march des applications professionnelles en sites isols et des services aux populations rurales des pays en dveloppement, llectricit solaire a lespoir de safrmer comme source complmentaire des sources dnergie lectrique classiques partout dans le monde, avant le milieu de ce sicle. Elle contribuera alors dune faon non ngligeable la matrise de leffet de serre (accords de Kyoto signs en 1997). La production industrielle annuelle mondiale de modules photovoltaques (gure 11) est en croissance quasi-exponentielle : environ 35 % de croissance en moyenne du march par an durant les huit dernires annes, avec un record de 66 % en 2004. Elle a atteint 1 638 MWc en 2005 [2]. Cest 20 fois plus de modules quil y a 15 ans, et les prvisions lhorizon 2010 donnent une multiplication par cinq de la production. Malgr limmense chemin parcouru, llectricit solaire na pas encore franchi le seuil lui permettant dtre comptitive par rapport aux autres sources de production dlectricit. Leffort apporter doit amliorer dun facteur trois aussi bien le cot du watt install que le cot du kilowattheure produit. En 25 ans, le prix de revient du watt photovoltaque a considrablement baiss : suprieur 100 francs par watt en 1975, il est aujourdhui tomb aux environs de 2 par watt pour les modules PV. Le prix de vente du module photovoltaque est de 2,6 par watt en 2005, est en baisse constante de 10 15 centimes deuro par watt et par an. Le cot dun systme install de lordre de 3 kW (cest-dire denvirons 30 m2 voir [BE 8 578]) connect un rseau est de 5 6 par watt et de 8 10 par watt pour un systme en site isol avec stockage par batteries.

1.4.2 Composs organiques

La production dnergie lectrique utilisant des matriaux organiques semi-conducteurs reste un d technologique majeur, en terme de rendement et de stabilit : les cellules sont stables sur 500 heures seulement. Si ces problmes sont rsolus, le cot de production de ces produits serait faible, et leur mise en forme relativement facile. Les enjeux conomiques sont vidents et lutilisation de ce type de matriaux pour la prparation de dispositifs photovoltaques plastiques est un thme de recherche en plein essor. Nanmoins, lefcacit de ces systmes pour la conversion de lnergie lumineuse en nergie lectrique reste pour le moment modeste. Longtemps dtenu par lUniversit de Linz en Autriche [16], le record de rendement est de 3,5 % avec une stabilit ne dpassant pas 500 heures (gure 10). Il a t rcemment port 5 % et 5,7 % par dautres quipes de recherches, sans prcision sur la stabilit.

1.4.3 Apparition de nouveaux concepts

De nouvelles voies exploratoires sont engages : elles portent sur lintgration de nanocristallites (minraux ou organiques) dans diffrentes couches fonctionnalises pour convertir par luminescence les photons UV (trop nergtiques et peu efcaces pour la conversion photovoltaque) en photons ayant une longueur donde dans le domaine du spectre visible [17].

1 400 MWc 1 200

ITO : couche d'oxyde d'indium - tain h (400 nm) Substrat de verre Al

1 000 80 60 40 20
1992

Contact sur ITO Drivs du fullerne C60

0 Contact sur l'lectrode d'aluminium

1994

1996

1998

2000

2002

Annes Reste du monde Japon Total

C12H25O C12H25O

Me N

USA Europe

Source : Universit de Linz, Autriche

Figure 10 Vue en coupe dune cellule souple base de matriaux organiques (Source Universit de Linz, Autriche [16])

Figure 11 volution du march mondial du photovoltaque avec une priode de faible puis de forte croissance (en 2004, la production a atteint 1 260 MWc avec un taux record de croissance de 66 % et en 2005, 1 638 MWc, en hausse moyenne de 30 35 % par an depuis 8 ans) [2]

BE 8 579 6

Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite. Editions T.I.

tiwekacontentpdf_be8579

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24

2004

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24

__________________________________________________________________________________________________________

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE

2.1 Les diffrents types de march photovoltaque

La technologie du photovoltaque ne sest dveloppe que trs lentement par la conqute progressive de niches de marchs dans les pays dvelopps, travers des applications professionnelles (bornes tlphoniques dappels durgence, tldtection, alarme, balisage et surtout relais de tlcommunication). Les prots raliss sur les premires niches ont permis de dvelopper, au fur et mesure, des marchs plus vastes. Avec la croissance davant les annes 1998 (gure 11), il aurait fallu attendre 25 ans pour que la production mondiale annuelle atteigne 5 000 MW/an, soit lquivalent de 0,005 % de la consommation mondiale dnergie primaire prvue pour cette poque. Autrement dit, la conversion photovoltaque de lnergie solaire serait reste un gadget ou, au mieux, une source nergtique pour les sites isols. Des actions politiques denvergure taient donc ncessaires et attendues. Elles sont venues de lAllemagne, puis du Japon et plus rcemment de lUnion Europenne travers des programmes volontaristes qui ont dynamis la recherche et lindustrie photovoltaque. On assiste actuellement de nombreuses exprimentations de systmes intgrs larchitecture et une diffusion massive dinstallations prives connectes au rseau (programme du NEDO) comme le programme de 100 000 toits PV en Allemagne et de 70 000 toits PV connects au rseau au Japon. Les applications du photovoltaque couvrent tous les types de demandes nergtiques. Les premiers marchs pour les pays dvelopps sont les sites isols, comme lalimentation en lectricit des relais de communications, des balises, des dispositifs de scurit et autres systmes par le biais dun stockage sur batteries (gure 12). Ils reprsentent actuellement prs de 20 % des parts du march du PV. Les besoins des pays en voie de dveloppement ne reprsentent que 15 % du march et ils concernent le pompage de leau, lclairage, la rfrigration, ... (gure 13). Soutenus par des programmes daide de la Banque Mondiale, des ONG..., ils font galement partie des applications pionnires. Depuis une dizaine dannes, on assiste lmergence dun nouveau march pour les pays dvelopps : la production dcentralise dlectricit. Elle est devenue en quelques annes le secteur prpondrant, avec 60 % des parts du march, essentiellement sous forme de toits photovoltaque connects aux rseaux (gure 14), plutt que sous la forme de centrales lectriques (gure 15).
Figure 14 Exemple de toits photovoltaques connects au rseau dans une banlieue dAmsterdam pour une production dcentralise dlectricit Stations de pompage Dispensaire

Figure 13 Exemples dapplications pionnires en site isol du photovoltaque

Centrale de Tolde Puissance fournie : 1 MW

Centrale de Californie Puissance fournie : 8 MW

Figure 15 Exemples de production dlectricit photovoltaque centralise Balise

Scurit

2.2 Installations cumules : forte prdominance de la production dlectricit connecte au rseau

Si le photovoltaque veut reprsenter un jour une part signicative de la production dlectricit en Europe, celle-ci devra se faire, linstar de la rvolution de la micro-informatique, partir dune multitude de producteurs - consommateurs privs diffus, mais relis aux rseaux existants, plutt que par des centrales solaires de grandes tailles. En effet, le photovoltaque est avant tout une source nergtique dcentralise et disponible la porte de chacun.

Figure 12 Exemples dapplications du photovoltaque en site isol

Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite. Editions T.I.

BE 8 579 7

tiwekacontentpdf_be8579

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE ___________________________________________________________________________________________________________

Selon les estimations les plus rcentes de lAgence internationale de lnergie (AIE) [2], la moiti de la puissance effectivement installe est produite au Japon (1 200 MWc), un tiers en Allemagne (800 MWc), 15 % aux tats-Unis (350 MWc), et le reste par les autres pays du monde, dont la France (20 MWc). La position de lHexagone sexplique par le retard pris dans le secteur du connect au rseau du fait de lengagement prolong dans la voie des applications en sites isols. Le centre nvralgique de la production mondiale de modules photovoltaques se situe dornavant dans la rgion dOsaka, avec les socits du silicium cristallin Sharp, Kyocera, Sanyo, Mitsubishi et la socit du silicium amorphe Kaneka. Les capacits de production sont considrables [18] : le leader mondial Sharp a produit prs de 500 MWc en 2005, Kyocera 160 MW et Q-cell en Allemagne 200 MW. Ce dernier annonce un doublement de la production pour 2006. Notre producteur national Photowatt rtrograde sans cesse dans le classement, faute de march en France. Il est actuellement aux alentours de la 10e place, au coude coude avec une entreprise tawanaise et chinoise. Dans le domaine des grandes centrales photovoltaques, les tats-Unis dmarrrent les premiers ds les annes 1985 avec de centrales de 1 6 MWc, en Californie. Ils ont t suivis par lItalie et par lEspagne avec laide de la Communaut Europenne. Une douzaine de centrales de 100 kW 3 MWc ont t connectes au rseau europen au cours des 10 dernires annes. La premire centrale franaise de 100 kW a t inaugure en mai 2005, Chambry.

/kWh

1,0 900 h/a: 0,60 /kWh 0,8 1800 h/a: 0,30 /kWh 0,6

0,4

0,2

0 1990

2000

2010

2020

2030

2040 Annes

Cot de l'lectricit Photovoltaque

2.3 Adaptation du produit au march

La production industrielle annuelle mondiale de modules photovoltaques a t de plus de 1 600 MWc en 2005. Elle est sur le bon chemin avec une progression de la production mondiale de modules qui devrait rester, selon lassociation europenne des industries photovoltaques (EPIA) [19], sur la pente des 30 % par an jusquen 2015, puis passer un rythme un peu moins soutenu de 25 % par an. Avec ces estimations, nous devrions atteindre une production de modules PV en 2030 de 300 GWc par an, cest--dire lquivalent en puissance de 300 racteurs nuclaires de 1 000 MW et de 36 racteurs au moins en production dnergie sur lanne (environ 1 000 heures de fonctionnement par an pour le PV et plus de 8 000 h pour le nuclaire). En ce qui concerne le cot du kWh produit, il est estim, pour lanne 2000, entre 30 centimes deuro pour lEurope du Sud et 60 centimes pour lEurope du Nord [20]. On nest plus trs loin de lintersection avec le cot plafond du kWh de pointe pour lEurope du Sud, et dici 2020 pour lEurope du Nord. Pour tre comptitif avec le cot du kWh nuclaire 3 centimes deuros, il faudra attendre les annes 2030-2040 (gure 16).

Du rseau en pointe Du rseau de base

Figure 16 volution prvisible du prix du kWh PV jusquen 2040 selon ltude dEPIA pour PV Track [19]

lmergence de nouveaux concepts de cellules base de matriaux polymres ou de colorants. Actuellement, ces dernires prsentent respectivement des rendements en laboratoire de 3 10 %, avec encore des problmes de stabilit. linverse, dautres experts, dont le professeur T. Saitoh pionnier du silicium cristallin au Japon, prsentent la lire base de silicium cristallin comme ternelle . Le dveloppement des billes de silicium, de 0,6 mm de diamtre imprimes sur un substrat souple daluminium (St SSP de Photowatt Int., Canada), ainsi que les potentialits des matriaux nano- ou micro-cristallins sont des bons exemples des capacits du silicium rebondir ds lmergence de technologies concurrentes. Le march mondial est en plein essor et le cumul des installations devient important. Au point que la part de llectricit photovoltaque dans la production mondiale sort du bruit de fond : 0,03 % de la production mondiale en 2005. La part dlectricit produite en sites isols dune part (habitat isol, pompage de leau, balises maritimes, relais tlphoniques) et en sites connects au rseau dautre part (centrales et surtout toits photovoltaques) ne cessent de crotre. lhorizon 2020, le photovoltaque pourrait reprsenter prs de 1 % de la consommation mondiale dlectricit et plus de 14 % lhorizon 2040. Sa part devrait galement dpasser les prvisions de production dlectricit dorigine nuclaire. On peut donc esprer que le photovoltaque participera dune faon non ngligeable la rduction des gaz effet de serre (gure 17). Rappelons que la convention des Nations-Unis sur les changements climatiques imposera pour les pays industrialiss, pour le milieu de ce sicle, une rduction par quatre des missions de CO2.

3. Perspectives davenir du photovoltaque

An de rester comptitifs dans les vingt ans venir, les matriaux base de silicium cristallin voluent sans cesse (pour plus de dtail se rfrer louvrage [21]) vers : soit des substrats de plus en plus minces ou obtenus par coule continue ; soit des films minces de Si cristalliss sur des substrats trangers ou transfrs par pelage sur un verre ou un plastique. Pour lhorizon 2025, la plupart des experts entrevoient une perce signicative de la production industrielle des lms minces. Il sensuivra un largissement de la gamme des produits PV, avec

BE 8 579 8

Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite. Editions T.I.

tiwekacontentpdf_be8579

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24

__________________________________________________________________________________________________________

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE

54% 20% 26% 38%

19%
TWh

40 000

30 000

20 000

10 000

0 2001

2010

2020

2030 Annes

2040

Hydrolect. Gothermie

Petite Hydro. Solaire therm.

Biomase Energ. marine

Eolienne Energ. fossiles

PV

Figure 17 volution prvisible de la part des EnR (et du PV en jaune) selon une tude dEUREC [20]

Rfrences bibliographiques
[1] GOETZBERGER (A.), LUTHER (J.) et WILLEKE (G.). Proc. 12th Intl PVSEC Conf, Jeju, Korea, p. 5 (2001). World Energy Outlook. IEA Annual Report (2005&2006). WEIDHAUS (D.), SCHINDLBECK (E.) et HESSE (K.). Trichlorosilane based silicon feedstock for the photovoltaic industry. Silicon for the Chemical Industry VII. Norway Eds. (2004). GREEN (M.A.), WANG (A.), ZHENG (G.F .), ZHANG (Z.), WENHAM (S.R.), ZHAO (J.), SHI (Z.) et HONSBERG (C.B.). Proc. 12th EC PVSEC Amsterdam, p. 776 (1994). AUTHIER (B.H.). German Patent (DOS), No. 25 0883 (1975). FALLY (J.), GUIGNOT (D.) et GOEFFRON (L.). Proc. 7th EC PV SEC, Sevilla, p. 754 (1986). KANEKO (K.), MISAWA (T.) et TABATA (K.). Proc. 21rst IEEE PVSC Kissimmee, p. 674 (1981). [8] ROHATGI (A.), YELUNDUR (V.), JEONG (J.), RISTOW (A.) et EBONG (A.). 10th Workshop on crystalline Silicon Solar Cell Materials and Process (CO), p. 12 (August 2000). MULLER (J.C.) et MARTINUZZI (S.). Journal of Material Research V 13, 2721-2731 (1998). RAVI (K.V.) et al. Proc. 11th IEEE PVSC Scottsdale (Arizona), p. 280 (1975). TAGUCHI (M.) et al. HIT Cells-High Efciency crystalline Si cells with Novel Structure. Prog. Photovolt : Res. Appl., 8, 503 (2000). GUILLEMOLES (J.F .) et al. ADEME-CNRS Annual Seminar on PV materials and processes. Sophia-Antipolis, p. 45 (2003). OREGAN (B.) et GRTZEL. A low cost, high efciency solar cell based on dye-sensitized colloidal TiO2 lms. Nature, 353 (1991). MARTI et al. Sol. E. mat. Sol. C 43, p. 203 (1996). Spectra Lab. PV Solar Energy Conversion. Proc. 3rd World Conf., Osaka (Japan) (2003). [16] SHAHEEN (S.E.), BRABEC (C.J.), SARICIFTCI (N.S.), PADINGER (F .), FROMHERZ (T.) et HUMMELEN (J.-C.). Appl. Phys. Lett. 78, 841-843 (2001). VRCEK (V.), SLAOUI (A.) et MULLER (J.-C.). Silicon nanocrystals as light converter for solar cells, Thin-Solid-Films. 451-452, 384-388 (2004). La Lettre du Solaire. CYTHELIA (Avril 05). Prsentation de ltude du Groupe PV Track avec les industriels dEPIA A Vision for PV Technology up to 2030 and beyond EC Meeting: Future Vision of PV, Brussels, 28 Sept. (2004). tude prospective effectue par Agency. BE-1040 Bruxelles (2004). Eurec

[2] [3]

[9] [10] [11]

[17]

[18] [19]

[4]

[12]

[5] [6] [7]

[13]

[20] [21]

[14] [15]

MULLER (J.-C.) et SIFFERT (P .). Silicon for Photovoltaics, in Silicon : Evolution and Future of a Technology, Eds by P . Siffert & E. Krimmel, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg, pp. 73-92 (2004).

Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite. Editions T.I.

BE 8 579 9

tiwekacontentpdf_be8579

Ce document a t dlivr pour le compte de 7200082905 - bibliotheque universitaire // 195.83.66.24