INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITCNICO SANTIAGO MARIO ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA EXTENSIN MATURN

PROYECTO N2

EXPANDIR UNA MEMORIA RAM

Profesor: Ing. Carlos Titus Materia: Sistemas Digitales II Lapso: 2013- II

Realizado por: Br. Jesiel Brito C.I.:22.722.871 Br. Jess Cabeza C.I.:21.351.004 Semestre: Seccin: VII Nocturno - D

Maturn, Diciembre de 2013

Memoria RAM

NDICE Pag. INTRODUCCIN ...................................................................................................... 1 MATERIALES A USAR ............................................................................................ 2 DESARROLLO TERICO ....................................................................................... 3 i DESARROLLO PRCTICO .................................................................................... 5 CONCLUSION.......................................................................................................... 12 REFERENCIA BIBLIOGRFICA ........................................................................ 13 ANEXOS .................................................................................................................... 14

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INTRODUCCIN

RAM es el acrnimo ingls de Random Access Memory Module (memoria de acceso aleatorio memoria de acceso directo).

Se trata de una memoria de semiconductor en la que se puede tanto leer como escribir informacin. Es una memoria voltil, es decir, pierde su contenido al desconectar la energa elctrica. Se utiliza normalmente como memoria temporal para almacenar resultados intermedios y datos similares no permanentes. Se dicen "de acceso aleatorio" o "de acceso directo" porque los diferentes accesos son independientes entre s

Las RAMs se dividen en estticas y dinmicas. Una memoria RAM esttica mantiene su contenido inalterado mientras est alimentada. En cambio en una memoria RAM dinmica la lectura es destructiva, es decir que la informacin se pierde al leerla, para evitarlo hay que restaurar la informacin contenida en sus celdas, operacin denominada refresco

Las memorias se agrupan en mdulos, que se conectan a la placa base de la computadora. Segn los tipos de conectores que lleven los mdulos, se clasifican en Mdulos SIMM (Single In-line Memory Module), con 30 72 contactos, mdulos DIMM (Dual In-line Memory Module), con 168 contactos y mdulos RIMM (RAMBUS In-line Memory Module) con 184 contactos.

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MATERIALES A USAR

Circuito Integrado 7404 BUFFER TRI-ST DUAL 74LS244 Memoria RAM 6264LP-70 Cables Jumper Machos Dipswitchs Pulsador Resistencias SIP 6 pin 1Kohm Resistencias 1/4 Protoboard Cables UTP Leds

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DESARROLLO TERICO

1- SIMM

"Single In-Line Memory Modulo", es un formato para mdulos de memoria 3 RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM. Estos mdulos se insertan en zcalos sobre la placa base. Los contactos en ambas caras estn interconectados, esta es la mayor diferencia respecto de sus sucesores los DIMMs.

2- DIMM

"Dual In-Line Memory Modulo", son un pequeo circuito impreso que contiene chips de memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los mdulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado estn unidos con los del otro. Estos a su vez se dividen en tres tipos segn el tipo de DDR (Double Data Read):

3- DDR

Son mdulos de memoria RAM compuestos por memorias sincrnicas SDRAMM, disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por canales distintos. Los mdulos DDR soportan una capacidad mxima de 1GB.

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4- DDR2

Son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta, mejorando simultneamente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR tradicional (si una DDR a 200MHz reales entregaba 400MHz nominales, la 4 DDR2 por esos mismos 200MHz reales entrega 800MHz nominales). En la DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los mdulos de memoria.

5- DDR3

El principal beneficio es la habilidad de hacer transferencias de datos 8 veces ms rpido, esto permite obtener velocidades ms altas que las DDRs anteriores. Sin embargo, no hay una reduccin de latencia, la cual es ms alta. Adems la DDR3 permite usar integrados de 512MB a 8GB, siendo posible fabricar mdulos de hasta 16GB.

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DESARROLLO PRCTICO

En esta seccin colocaremos todos y cada uno de los pasos realizados en la simulacin para poder expandir nuestra memoria RAM. 5

Primero que nada, procedimos a utilizar Proteus, Proteus es una compilacin de programas de diseo y simulacin electrnica, desarrollado por Labcenter Electronics que consta de los dos programas principales: Ares e Isis, y los mdulos VSM y Electra.

Paso #1

Luego de abrir el programa, seleccionar New Project y ejecutar el modo ISIS. Procedimos a tomar de la lista de materiales las memorias a usar, que en este caso seleccionamos 2 memorias RAM 6264LP-70, esta memoria utiliza 13 posiciones de direccionamiento y 8 bit de datos.

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Paso #2

En este paso procedemos a poner en paralelo estas dos memorias junto a un Dipswitch, usamos 6 posiciones de direccionamiento y 8 bits de datos. 6

Una vez montado el circuito, procedimos a agregarle los Leds a las memorias, es decir los Leds en las 6 posiciones y los Leds en los 8 direccionamiento. Para luego as poder visualizar los bits.

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Una vez montado el circuito procedimos con el siguiente paso.

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Paso 3

En este paso procedimos a agregarle el buffer el cual fue realizado con el SN74LS244 junto a otro Dipswitch para las 8 Datas. 8

Luego de haber terminado con este paso procedimos a agregarle resistencias de 1K y alimentacin a las salidas de los Dipswitch, esto se hace para poder obtener un Cero 0 lgico cuando pasemos el switch a tierra.

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Luego de terminar de montar las resistencias de 1k en cada Dipswitch procedimos con el siguiente paso.

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Paso 4

En este paso procedimos a colocarle un Dipswitch de 1 canal, el cual lo usaremos para crear el selector de memoria este Dipswitch debe tener una configuracin con compuertas NOT y una resistencia con alimentacin como 1 0 hicimos en los pasos anteriores. Adems tambin tendr un led el cual nos indicara cuando la memoria este activa.

Luego de colocar el Switch, procedimos a colocarle un pulsador el cual ser de escritura y lectura con este podremos guardar en la memoria los bits que coloquemos

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Luego de seguir cada uno de los pasos. Obtenemos el circuito final. El cual podemos apreciar en esta imagen.

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CONCLUSION

Como vimos a lo largo del trabajo pudimos realizar satisfactoriamente el objetivo planificado, en este caso expandir una memoria RAM. Al realizar este trabajo detalladamente podemos apreciar con exactitud cada uno de los pasos a seguir 1 2 para poder llegar a este circuito, en la simulacin con Proteus luego de realizarla. No tuvimos problemas ya que este funciono normalmente y hacia lo que se quera. Expandir y guardar bits.

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REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS

http://www.monografias.com/trabajos11/memoram/memoram.shtml 1 3 http://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_de_acceso_aleatorio

http://www.masadelante.com/faqs/memoria-ram

http://www.datasheetcatalog.com/

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ANEXOS

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