Ing. Mario R.

Modesti
Componentes semiconductores
Semiconductores
Teora de la fsica de los semiconductores
Puede considerarse que cualquier tomo est compuesto por un ncleo situado en
el centro del mismo y electrones que lo rodean girando en rbitas diferentes.
El ncleo contiene neutrones que no poseen carga elctrica y protones que poseen
carga positiva. Los neutrones y protones tiene esencialmente el mismo peso,
llamndose peso atmico relativo del elemento al peso combinado de todos los
neutrones y protones que contiene un tomo.
El nmero de protones del ncleo determina el nmero atmico del elemento y la
carga positiva neta del ncleo.
Si un elemento cualquiera tiene el nmero atmico usual pero un peso atmico
diferente debido que contiene un nmero anormal de neutrones, recibe el nombre
de istopo ( deuterio - agua pesada).
En un tomo elctricamente neutro, el nmero de electrones orbitales es igual al
nmero de protones del ncleo, pues la carga del electrn es igual a la de un
protn, si bien el protn es aproximadamente 1800 veces ms pesado.
Si un tomo neutro pierde uno o ms electrones orbitales , adquiere carga positiva,
en cambio si gana electrones, adquiere carga negativa.
Para que los electrones que rodean al ncleo cargado positivamente no caigan
sobre el debido a la atraccin entre cargas de signos opuestos, deben girar en torno
suyo.
Cualquiera de dichos electrones giratorios tiene una cierta energa total asociada
con el, en parte es cintica, y en parte es potencial.
Supongamos elementos como el Ge o el Si que son los empleados para la
construccin de semiconductores.
Un tomo de Ge posee 32 protones en el ncleo y 32 electrones orbitando
distribuidos en diferentes capas orbitales. La capa externa posee 4 electrones. y son
stos los que determinan las propiedades qumicas y elctricas del elemento.
A la capa que contiene a estos electrones ( la ms externa), se la denomina capa
de valencia, y los electrones tambin son de valencia. Los electrones de valencia
sirven para ligar tomos entre si en un sistema qumico.
El Si tambin dispone de 4 electrones de valencia pero con una distribucin
diferente al Ge en las otras capas.
Las rbitas sin ocupar, situadas por encima de las de valencia, se llaman niveles de
excitacin. El comunicarle a un electrn una energa suficiente puede hacerle saltar
a un nivel de excitacin, y aqu, los electrones se encuentran tan dbilmente ligados
a sus rbitas que la aplicacin de un campo elctrico puede desplazarlos.
Existen diversos niveles de valencia en diferentes materiales, y los primeros niveles
de excitacin estn englobados en la banda de conduccin.
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La conduccin no puede producirse ms que si se aplica un campo elctrico
suficiente para elevar algunos electrones de la banda de valencia a la banda de
conduccin. La excitacin de un electrn de la banda de valencia a la banda de
conduccin, deja una vacante en la banda de conduccin denominada hueco.
Los elementos pueden ser clasificados de acuerdo a sus propiedades conductivas
en:
- Conductores
- Aisladores
- Semiconductores
Los semiconductores lo son de acuerdo a la cantidad de energa que debe recibir
un electrn para saltar entre la banda de valencia y la banda de conduccin.
En los aisladores el intervalo es grande, en los conductores ( ej. Cu), las bandas
casi se solapan, y en los semiconductores el intervalo es relativamente estrecho.
La banda de valencia de un tomo de Si posee 4 electrones de valencia, cuando el
elemento se encuentra en forma cristalina, los electrones se alinean con los
electrones de valencia de los tomos adyacentes, conformando los enlaces
covalentes, ligando los tomos en estructuras geomtricas en el interior del cristal.
En un semiconductor puro hay pocos electrones disponibles para la conduccin
cuando la temperatura es baja, pues son pocos los que disponen de la energa
suficiente para saltar a la banda de conduccin. cuando la temperatura aumenta la
resistencia ohmica del material disminuye, y los electrones de valencia reciben
energa cintica suficiente para que algunos salten a la banda de conduccin.
La conductividad del Si aumentar si aumenta el nmero de portadores , por el
contrario disminuir, si disminuye.
Se utiliza un mtodo para controlar la conductividad de los semiconductores , la
adicin de ciertas impurezas que modifican las caractersticas conductivas.
Consideremos la adicin de una diminuta porcin de arsnico a una masa de Ge
fundido. Cuando el lquido solidifica en un cristal, los tomos de arsnico se
distribuirn en modo uniforme por toda la estructura cristalina. Como hay muchos
ms tomos de Ge que de arsnico, cada uno estar rodeado de 4 tomos de Ge, y
los dems tomos de Ge rodeados de otros 4 tomos de Ge.
El arsnico tiene valencia 5 en lugar de los 4 del Ge, entonces 4 electrones
formarn enlaces covalentes con el Ge, y el quinto quedar dbilmente ligado y sin
ningn lugar particular a donde ir. Ser necesaria una pequea cantidad de energa
para desplazar este electrn a la banda de conduccin, pero al desplazarse no deja
atrs ningn hueco.
Pueden emplearse otras impurezas pentavalentes como P o antimonio para obtener
un Ge/Si rico en electrones dbilmente ligados, se denominara tipo N, y las
impurezas pentavalentes se denominan tomos donadores.
Tambin es posible crear Ge/Si tipo P, que es rico en huecos aadiendo diminutas
porciones de impurezas trivalentes en la masa fundida., las impurezas tpicas o
tomos aceptores pueden ser Al y galio, ahora tendremos enlaces covalentes
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covalentes incompletos a los que faltan un electrn, en este caso el portador de
corriente es un hueco( falta de electrn), resultando una abundancia de cargas
positivas.
La adicin controlada de impurezas se denomina dopado.
La diferencia fundamental entre Ge y Si es el ancho de del intervalo de energa
entre las bandas de valencia y conduccin.
Con la teora de semiconductores se inaugura la era del estado slido, punto de
quiebre en la tecnologa electrnica abandonando casi completamente las vlvulas
gaseosas.
Componentes usados en electrnica
Diodos de unin
http://voltio.ujaen.es/esp/index.htm
Componente semiconductor bsico utilizado principalmente para convertidores AC -
CC , limitadores como rectificador, y otras aplicaciones muy puntuales en el caso
del diodo de Ge como detector en radiorreceptores.
Compuesto bsicamente por una nica unin PN constituyendo nodo y catodo
respectivamente.
La caracterstica elctrica ms importante es la de permitir circulacin de corriente
en modo unidireccional
P N
A K
Existen dos modos de polarizar la juntura as constituida, la primera o directa
permite la circulacin de corriente y la segunda o inversa no. El efecto es el
achicamiento o ensanchamiento de la barrera en la juntura ( regin vaca de
portadores) disminuyendo o aumentando la resistencia a la circulacin de corriente.
P N
+ -

P N
-
+
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En el caso de polarizacin directa los valores clsicos de cada de tensin directa
son 0.6/0.7[V] para el Si, y 0.2/0.3[V] para el Ge.
La tensin inversa tiene un lmite que depende de las especificaciones del
componente, cuando se aumenta la tensin inversa, la corriente de fuga inversa es
baja, hasta un punto en que la corriente aumenta abruptamente hasta hacerse
incontrolable ( efecto avalancha), producindose la destruccin del componente por
exceso de potencia.
Varicaps
La regin vaca en la juntura es un aislador por lo que puede considerarse el
dielctrico de un condensador. Las regiones P y N del diodo tiene portadores y
buenas propiedades conductivas, pueden ser considerados como armaduras.
Como el ancho de la regin vaca depende de la tensin de polarizacin inversa del
diodo, tendremos un condensador cuya capacidad depende de la tensin de
polarizacin inversa.
Los valores tpicos de capacidad para diodos de unin es de 3 a 100 [pF]. Se utiliza
el Si, debido que tiene corriente de prdida en inverso mucho menor que el Ge.
Diodo zener
Se utilizan como reguladores de tensin , son de Si, y utilizan la curva caracterstica
inversa de polarizacin. Polarizado directamente tiene un comportamiento similar a
un diodo ordinario.
En polarizacin inversa tiene una corriente de fuga muy baja,
La diferencia con un diodo comn es que el punto de avalancha se encuentra en un
punto determinado por el dopado de la juntura, se denomina punto zener y la
pendiente es menor que en un diodo comn.
Existen diodos zener para diferentes valores, ej:3.3/3.6/......../68/75[V], obviamente
la potencia de disipacin debe tener diferentes rangos tambin.
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Diodo schottky
Diodo con buenas caractersticas de respuesta, empleado para aumentar la
velocidad de conmutacin de otros dispositivos.(TTL Schottky).
Diodo led
El diodo led (luminiscent emited diode) diodo emisor de luz, a los efectos elctricos
se polariza como un diodo de unin, est encapsulado en cpsulas de colores o
transparente que permite la emisin de luz en diferentes espectros, tambin
infrarrojos.
Existen encapsulados de diferentes colores ( rojo, verde, amarillo, azul).
Fotodiodo
El fotodiodo est constituido por una junta PN, polarizada inversamente, y cuando
recibe el impacto de luz , vara su corriente inversa. La cpsula est dotada de una
lente encargada de focalizar el rayo luminoso en la unin.
Las fuentes de luz fuente de luz, pueden ser infrarroja y tambin ultravioleta.
Transistores de doble unin (BJ T)
Constituidos por tres zonas dopadas, tiene dos uniones conformando los tpicos
transistores NPN, PNP, de acuerdo a configuracin de las junturas.
De acuerdo a la case constructiva, es posible obtener los dos diferentes tipos que
difieren entre s en la polarizacin de trabajo.
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El transistor es un componente que permite siendo adecuadamente polarizado,
proporcionar amplificacin, por medio de fenmenos fsicos que en su estructura
cristalina interactan entre si.
El efecto que se exterioriza es: con una pequea corriente de base es posible
comandar una considerable corriente de colector. La relacin entre ambas
corrientes se denomina coeficiente de amplificacin
h
I
I
FE
C
B
=
Existen diferentes tipos de montaje, colector, emisor y base comn, cada uno
dispone de parmetros diferentes que permiten distintas aplicaciones, y requieren
polarizaciones diferentes tambin.
Aplicaciones tpicas:
- Amplificador de tensin
- Amplificador de corriente
- Interruptor electrnico
Transistores de efecto de campo ( FET )
El FET (Field Effect Transistor) es un dispositivo de estado slido perteneciente a la
familia de los unipolares, es decir tiene una sola unin, y funciona aprovechando la
conductividad de una zona denominada canal.
Hay disponibles dos tipos de FETs de acuerdo a la tecnologa empleada; (JFET), o
transistor de efecto de campo de unin, y (MOSFET) transistor de efecto de campo
metal-xido semiconductor.
Transistor de efecto de campo de unin (J FET)
Se construyen transistores de canal N y canal P, de acuerdo al dopado del canal.
Disponen de una regin dopada P o N respectivamente en los laterales del canal.
Entre surtidor y drenador existe conductividad ohmica, el valor es funcin de las
dimensiones del canal y el dopado, mientras que el gate y el canal conforman una
unin PN. La corriente de salida fluye por D a S y se controla por medio del G.
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Aplicando tensin inversa al GS se puede estrangular el canal disminuyendo de
sta manera la corriente circulante por el mismo.
Es importante notar que en este dispositivo, el control se produce mediante una
tensin inversa en un circuito de entrada de gran resistencia y por lo tanto con una
corriente de entrada insignificante.
Encuentra muchas aplicaciones en circuitos lineales como amplificadores, etc., y en
numerosos circuitos no lineales para procesar seales analgicas.
Transistor de efecto de campo metal-xido semiconductor (MOSFET)
Se puede representar por un circuito equivalente compuesto por un JFET con el
circuito de gate constituido por un condensador de baja capacidad en serie en la
unin GS.
Efectivamente el circuito de gate se construye aislando el gate mismo del canal
mediante un estrato de xido de Si que se comporta como dielctrico. El efecto de
campo se manifiesta por induccin electrosttica mediante la capacidad formada
entre gate-xido-canal.
Este tipo de construccin presenta respecto al JFET un nuevo aumento de
resistencia de entrada, debido al aislamiento del circuito de entrada en gate, puede
llagara a valores de 10
15
[ ] .
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Tambin se los conoce por IGFET ( MOS de compuerta aislada), existen varios
tipos de componentes MOSFET con distintas cualidades.
Transistores Power MOS
El transistor MOS convencional tiene respecto al tr bipolar la ventaja de una
elevadsima resistencia de entrada debido a al aislacin del puente, por ello el MOS
es un transistor gobernada por tensin y no por corriente.
Sin embargo debido a la estructura horizontal, el recorrido de la corriente drenador
surtidor es largo y estrecho por lo que la resistencia de conduccin es elevada, por
lo que lo hace un dispositivo inadecuado para corrientes elevadas de drenador
Transistor VMOS
Es el primer prototipo para la realizacin de los power MOS
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El chip del transistor se realiza en una ranura con forma de V recubierta
posteriormente con un aislante , bioxido de Si.
Dispone de algunos inconvenientes que fueron superados por la tecnologa UMOS.
Transistor U-MOS
Tanto en VMOS como UMOS, las dimensiones del canal son siempre relativamente
pequeas, lo que causa la elevada resistencia y limita el empleo de estos
componentes en grandes corrientes.
Transistor D-MOS
La tecnologa de circuitos integrados sirvi para permitir realizar chips con miles de
MOS verticales en paralelo, aumentando considerablemente la seccin del canal y
disminuyendo considerablemente la resistencia del canal.
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Cada fabricante desarrolla su particular geometra de puente , tomando los DMOS
diferentes nombres , por ej :
HXFET, SIP-MOS, T-MOS, Z-MOS, etc.
Transistores unijuntura ( UJ T)
Es un dispositivo utilizado para los circuitos de disparo, gatillado de dispositivos de
conmutacin de potencia.
Cuando no circula corriente de emisor, la barra de Si utilizada como base acta
como un simple divisor resistivo, permitiendo que una parte de la tensin de
polarizacin positiva aparezca en emisor. Si la tensin aplicada de emisor es menor
que sta circula por el mismo una pequea corriente de fuga , cuando la supera
circular corriente de emisor de acuerdo a la malla polarizadora.
Est constituido por una nica juntura PN con efecto canal. Entre terminales B1 y
B2 presenta una resistencia normal denominada Rbb que depende del dopado y
seccin. ( alrededor de 5/10 [Kohm]).
La resistencia presentada por la zona N fue dividida en dos resistencias Rb1 y Rb2
en serie respecto al emisor , la primera puede considerarse variable.
V
RB1
=
+
V
R
R R
BB
B
B B
1
1 2
=
+
R
R R
B
B B
1
1 2
El parmetro n se define como Coeficiente de Stand Off y su valor como puede
apreciarse es siempre menor que uno.
Diac
Es un diodo de avalancha bidireccional que puede conmutar on/off de cualquiera de
las dos polarizaciones. Su construccin es muy similar a la de un transistor bipolar
pero difiere sustancialmente en el dopado.
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Los diacs se utilizan particularmente como dispositivos de disparo en los circuitos de
control de fase con triacs.
Tiristores
Son dispositivos de estado slido usados principalmente como interruptores, cuyo
estado biestable depende de la realimentacin asociada a una estructura PNPN.
Los ms comunes son del tipo SCR( Silicon Controller Rectifier ) o rectificadores
controlados de Si, unidireccionales y los TRIACS bidireccionales.
Ambos tienen caractersticas y capacidades especficas que los hacen
particularmente para la conmutacin y control de potencia
SCR
Se usa en la conmutacin de DC y AC. Se requiere una corriente de disparo de
gate para iniciar la regeneracin de portadores, se denomina corriente de
enganche. La reduccin de circulacin de corriente principal de circulacin principal
produce el apagado, cuando disminuye de un valor denominado corriente de
retencin. El modo de lograrlo es invertir la polaridad de la tensin principal
pasando por cero.
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Triacs
Se usa en la conmutacin de AC, a diferencia de los SCRs, el triac no puede
apagarse invirtiendo la polaridad de la tensin principal ( entre terminales
principales)
Termistor
Elemento semiconductor con coeficiente de temperatura negativo NTC (Negative
Temperature Coeficient), positivo PTC (Positive Temperature Coeficient); de valor
elevado y tiene una curva E/I lineal a temperatura cte.
En intervalos amplios tienen caractersticas no lineales, encuentran principal
aplicacin en la compensacin de temperatura y en sensores.
IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
http://www.semikron.co.za/igbtmos.htm
/ GTO
varistores
fototransistores
displays
diodos p/ci