SEP INSTITUTO

DGEST TECNOLGICO DE

SNEST MATAMOROS

DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

Diodos y transistores
Investigacin Anlisis de estabilidad de los transistores

Alumno(s):

Nm. de control:

Miguel Angel Fierros Pea

11260081

Profesor: Ing.Carlos Octavio De la Cerda

H. MATAMOROS, TAM.

12 de noviembre de 2013

Las variaciones de los parmetros ,como aquellas debidas a cambios de temperaturas ,envejecimiento y sustitucin de dispositivo, provocan que la localizacin del punto de operacin de un circuito con transistores se modifique con respecto a su valor nominal .A menudo se consume una considerable esfuerzo en reducir los efectos de estos cambios en los parmetros ya que dichas variaciones pueden afectar de manera adversa el desempeo.Por ejemplo , un cambio de localizacin del punto Q puede reducir la mxima excursin simtrica sin distorsin de en la tensin de salida. En casos extremos ,estos cambios pueden saturar o poner en corto el transistor sin que este presente seal alguna de salida. Los parmetros varia debido a cambios de fuente de alimentacin , y en la temperatura, y tambin debido a las tolerancias en los procesos de fabricacin del transistor.

Estabilidad por tipo de polarizacin:

Estabilidad de la polarizacin con divisor de voltaje Para analizar un circuito con transistor polarizado utilizando un divisor de voltaje en cuanto a efectos de carga de la corriente en la base, se aplica el teorema de Thevenin. Se utilizar este mtodo para evaluar el circuito. En primer lugar, se obtiene un circuito baseemisor equivalente del circuito de la figura 5-13(a) por medio del teorema de Thevenin. Viendo hacia fuera desde la terminal base, el circuito de polarizacin puede ser redibujado como muestra la figura 5-13(b). Aplique el teorema de Thevenin al circuito a la izquierda del punto A, con VCC reemplazado por un corto a tierra y el transistor desconectado del circuito. El voltaje en el punto A con respecto a tierra es

y la resistencia es :

El equivalente Thevenin del circuito de polarizacin, conectado a la base del transistor, se muestra en el recuadro gris de la figura 5-13(c). Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla base-emisor equivalente se obtiene Sustituyendo , utilizando la ley de ohm y despejando VTH

Sustituyendo Despejando IE

Estabilidad Polarizacin del emisor

La polarizacin del emisor proporciona una excelente estabilidad de polarizacin pese a los cambios de b o temperatura. Utiliza voltaje de fuente tanto positivo como negativo. Para obtener una estimacin razonable de los valores de cd clave en un circuito polarizado por el emisor, el anlisis es bastante fcil. En un circuito npn, tal como el mostrado en la figura 5-18, la pequea corriente en la base hace que el voltaje en sta se reduzca un poco por debajo de tierra. El voltaje en el emisor es la cada de un diodo menor que ste. La combinacin de esta pequea cada a travs de RB y VBE hace que el emisor est aproximadamente a 1 V. Con esta aproximacin, la corriente en el emisor se obtiene como

VEE se introduce como un valor negativo en esta ecuacin Se puede aplicar la aproximacin de que para calcular el voltaje en el colector.

La aproximacin de que es til para solucionar fallas porque no es necesario realizar clculos detallados. Como en el caso de polarizacin por medio de divisor de voltaje, existe un clculo ms riguroso en los casos en los que se requiere un resultado ms exacto.

Estabilidad Retroalimentacin de corriente

Una polarizacin de moderada estabilidad conocida como retroalimentacin de corriente, donde la corriente de colector a travs de RE provoca una retroalimentacin negativa de tensin .El resistor de base RB provoca una retroalimentacin negativa de tensin .El resistor de base ,R B ,se conecta a la fuente ,Vcc. La ecuacin de LTK para el lazo de la corriente de polarizacin est dada por

Vcc = IBQRB + REICQ+VBE = VBE + ICQ( )

se resuelve para ICQ para obtener

ICQ =

Dividiendo entre , s e obtiene

IBQ = Ntese que el valor de IBQ es afectado por RB,RE,VBE y .Los valores especficos de estos parmetros determinan entonces el punto de operacin en reposo del transistor.

Polarizacin por tensin y por corriente

Un segundo tipo de retroalimentacin, es la retroalimentacin por tensin .Ntese que la retroalimentacin por corriente en paralelo esta aun presente debido a R E .Se obtiene un mejor desempeo cuando RE = 0 El resistor RF, se conecta entre el colector y la base. La tensin de base a tierra est compuesta entonces de dos elementos, uno que surge por la tensin de entrada y otro por la tensin de colector .Se analiza este circuito escribiendo las ecuaciones de cd entre base y colector .En lo que sigue a continuacin, se supone que la corriente de base estatatica es mucho menor que la corriente de colector esttica, y por lo tanto se pueden ignorar las ecuaciones Vcc = ICQRC+ IBQRF+VBE+ICQRE
= ICQRC+ IBQRF /

+ VBE+ ICQRE

Despejando ICQ, se tiene

ICQ =

Dividiendo entre , se obtiene

IBQ =

Notese que aparece en las ecuaciones anteriores . Por lo tanto, la variaciones en afecta la localizacin del punto Q .La expresin equivalente del sistema del polarizacin de la figura anterior para reducir el efecto de los cambios de es como sigue: RF= 0.1 (Rc+RE) Esto es un buen criterio de diseo para reducir los efectos de los cambio de sobre la localizacin del punto Q, pero no siempre es posible alcanzar este valor de diseo ya que hacerlo reduce la mxima excursin en la salida..

ESTABILIZACIN DE LA POLARIZACIN La estabilidad de un sistema mide la sensibilidad de una red a la variacin de sus parmetros. En cualquier amplificador que emplea un transistor la corriente del colector IC es sensible a cada uno de los siguientes parmetros. : Se incrementa con el incremento de la temperatura VBE: se reduce aproximadamente 2.5 mV por grado Celsius (C) de incremento de la temperatura. Ico (corriente de saturacin inversa): duplica su valor por cada 10C de incremento dela temperatura.

Cualquiera de, o todos, estos factores puede hacer que el punto de polarizacin se aparte del punto de operacin designado. La tabla 4.2 revela cmo cambian los niveles de ICO y VBE con el incremento de la temperatura para un transistor particular. A la temperatura ambiente (aproximadamente 25C) ICO _ 0.1 nA, en tanto que a 100C (punto de ebullicin del agua) ICO es casi 200 veces ms grande, en 20 nA. Con la misma variacin de la temperatura, se incrementade 50 a 80 y VBE se reduce de 0.65 a 0.48 V. Recuerde que IB es bastante sensible al nivel de VBE, sobre todo a niveles superiores al valor de umbral.

La polarizacin por medio de divisor de voltaje proporciona buena estabilidad del punto Q con un voltaje de fuente de polaridad nica. Es el circuito de polarizacin ms comn. La polarizacin del emisor en general proporciona una buena estabilidad de punto Q pero requiere voltajes de alimentacin tanto positivos como negativos. La estabilidad de la configuracin de circuito de polarizacin de la base es deficiente porque su punto Q vara ampliamente con Bcd. La polarizacin con realimentacin del emisor combina polarizacin de base con la adicin de un resistor en serie con el emisor La polarizacin con realimentacin del colector proporciona una buena estabilidad utilizando realimentacin negativa del colector a la base.

Factores de estabilidad S(ICO), S(VBE), y S ()

Un factor de estabilidad se define por cada uno de los parmetros que afectan la estabilidad de la polarizacin, como sigue:

En cada caso, el smbolo delta significa cambio de esa cantidad. El numerador de cada ecuacin es el cambio de la corriente de colector establecida por el cambio de la cantidad en el denominador. Para una configuracin particular, si un cambio de ICO no produce un cambio significativo en IC, el factor de estabilidad definido por ser demasiado pequeo. En otras palabras: Las redes que son bastante estables y relativamente insensibles a variaciones de la temperatura tienen factores de estabilidad bajos.

Conclusiones
Acerca de la estabilidad sabemos que no solamente depende de la configuracin que se elija sino que tambin se debe tomar en cuenta que los dispositivos que no siempre estarn trabajando en las mismas condiciones, con esto nos referimos a la temperatura que es una de las principales variables que afectan el funcionamiento del transistor y a sus variables internas. Por ejemplo la se incrementa por el aumento de temperatura y esto nos puede afectar en algn circuitos donde no se requiere que (beta) no cambie mucho es un aspecto en tomar en cuenta. Tambin otro aspecto a tomar en cuenta es el VBE que es el voltaje de base a emisor que se reduce aproximadamente 2.5 mV por grado Celsius (C) de incremento de la temperatura este aspecto a la ahora del diseo influye en gran magnitud porque con cualquier decimal de voltaje que se reduzca los clculos cambiaran totalmente el resultado esperado. Esto influye directamente en el punto Q de operacin haciendo que cambie. La configuracin de polarizacin del divisor de voltaje es quiz la ms comn de todas las configuraciones. Su popularidad se debe principalmente a su baja sensibilidad a los cambios de beta de un transistor a otro del mismo lote (con la misma etiqueta de transistor). Se puede aplicar el anlisis exacto a cualquier configuracin, aunque el aproximado slo se puede aplicar si la resistencia de emisor reflejada vista en la base es mucho mayor que el resistor de menor valor de la configuracin de polarizacin del divisor de voltaje conectada a la base del transistor.

Bibliografa

Boylestad Robert L. Electrnica teora de circuitos y dispositivos electrnicos, 10m Edicin-Pearson Educacin, Mxico, 2009 C. J. Savan, Diseo Electrnico, 3 Edicin Editorial Prentice-Hall

Floyd, Thomas L. Dispositivos-Electrnicos 8Edicion, Pearson educacin Mxico, 2008