UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA INGENIERA ELECTRNICA ANALGICA NOMBRE: Hernn Augusto Pogo Len PRACTICA # 10 1.- TEMA: 2.

- OBJETIVO: Disear y calcular 2 polarizaciones diferentes para el transistor BJT con y sin !. "resistencia de e#isor$ 3.- MARCO TERICO %!&'()*D+(T) !% D! T'P)% * , P +n cristal de ger#anio o de silicio -ue contenga to#os de i#purezas donantes se lla#a se#iconductor negati.o/ o tipo n/ para indicar la presencia de un e0ceso de electrones cargados negati.a#ente. !l uso de una i#pureza receptora producir un se#iconductor positi.o/ o tipo p/ lla#ado as1 por la presencia de 2uecos cargados positi.a#ente. +n cristal sencillo -ue contenga dos regiones/ una tipo n y otra tipo p/ se puede preparar introduciendo las i#purezas donantes y receptoras en ger#anio o silicio fundido en un crisol en diferentes fases de for#acin del cristal. !l cristal resultante presentar dos regiones diferenciadas de #ateriales tipo n y tipo p. La fran3a de contacto entre a#4as reas se conoce co#o unin pn. Tal unin se puede producir ta#4i5n colocando una porcin de #aterial de i#pureza donante en la superficie de un cristal tipo p o 4ien una porcin de #aterial de i#pureza receptora so4re un cristal tipo n/ y aplicando calor para difundir los to#os de i#purezas a tra.5s de la capa e0terior. Al aplicar un .olta3e desde el e0terior/ la unin pn act6a co#o un rectificador/ per#itiendo -ue la corriente fluya en un solo sentido ".5ase ectificacin$. %i la regin tipo p se encuentra conectada al ter#inal positi.o de una 4ater1a y la regin tipo n al ter#inal negati.o/ fluir una corriente intensa a tra.5s del #aterial a lo largo de la unin. %i la 4ater1a se conecta al re.5s/ no fluir la corriente. Polarizacion del transistor.

4.- ES UEMA: (on !. 7cc 8 297.

%in !

7cc 8 297.

!.- C"LCULOS CON RE

VBB = 29 X 9 K = 2.9=V 9@ K >9 K "9 K $ RB = = >.9: K >9 K + 9 K VBB VBE 2.??V @.?V IB = = = 9uA RB + RE " B +<$ >.9 K + 2 K "<?<$ IC = IB B B IC = "<?<$"9uA$ = @.AmA. VCE = 29 <mA"<@ K + 2 K $ = <>.=<V VB = 2 K "<mA$ + @.? = 2.92V VC = 2 K "<mA$ +<>.=< = <:.2V VE = 2 K " IC $ = <.;<V VCB = VC VB = <:.2 2.92 = <=.:;V

SIN RE

VCC VBE 29 @.? = = 9<.?uA RB >?@ K IC = 9<.?uA"<;@$ = A.=@:mA. VCE = VCC IC " RC $ IB = VCE = 29 A.>:mA"<K $ VCE =<9.?>V VCC = VCE + IC " RC $ VCE = @ VCC IC = = 29mA RC IC = @ VCE = 29V VC = VCE =<9.?>V VB = @.?V VCB =<9.= @.? =<>.:V

#.- MEDICIONES %'* ! 7B 7( 7! 7B! 7(! 7(B 'B '( ()* ! 7B 7( 7! 7B! 7(! 7(B 'B '( 7BB $.- GR"%ICOS %'* ! &edidos 2.>7 <9.>7 <.;7 @.:7 <=.97 <2.A7 :u.A @.A9#.A 2.>7 (alculados 2.927 <:.27 <.;<7 @.:7 <>.=<7 <=.:;7 9u.A. @.A#.A 2.9=7 &edidos @.:7 <9.:7 @ @.:7 <9.:7 <=.;7 9<.:u.A. A.29#.A (alculados @.?7 <9.?>7 @ @.? <9.?>7 <>.:7 9<.?u.A A.>:#.A

 ()* !

&. 'CONCLUSIONES !n el desarrollo de esta prctica coincidieron los datos calculados con los #edidos para cada uno de los circuitos con resistencia de e#isor co#o sin resistencia de e#isor. %in la resistencia de e#isor la corriente de colector salio A.29#.A. y an los datos calculados la resistencia de colector salio A.>:#.A./ el .olta3e colector e#isor salio en los datos #edidos <9.:7 y en los calculados <9.?>7. (on la resistencia de e#isor la corriente de colector en los datos #edidos salio @.A9#.A. y en los datos calculados la corriente de colector salio @.A#.A. , el .olta3e colector e#isor salio en los datos #edidos <=.97 y e los calculados <>.=<7. (.- BIBLIOGRA%A ELECTRO ANALGICA DE BOLESTAD