Djeriou Salim

MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE
LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
UNIVERSITE FERHAT ABBAS DE SETIF
FACULTE DE TECHNOLOGIE
DEPARTEMENT DELECTROTECHNIQUE

MEMOIRE

Prsent pour lobtention du diplme de

MAGISTER EN ELECTROTECHNIQUE
Option : MACHINES ELECTRIQUES
Par
DJERIOU SALIM

Thme
Simulation dun systme photovoltaque
alimentant une machine asynchrone

Soutenu le 03/07/ 2011

Devant le Jury :
RADJ EAI HAMMOUD M.C. Universit FAS Prsident
KHEMLICHE MABROUK M.C. Universit FAS Rapporteur
KHODJ A DJ ALAL EDDINE M.C. Universit Msila Examinateur
HACHEMI MABROUK M.C. Universit FAS Examinateur
HARMAS MOHAMED NAGUIB M.C. Universit FAS Examinateur

A Mes parents, Mes frres et surs
Je ddie ce mmoire tous mes amis

Salim

Ddicace

e remercie ALLAH le Tout-puissant de mavoir donner le courage, la volont et la
patience de mener terme ce prsent travail.
J e tiens exprimer mes vifs remerciements et tmoigner ma profonde gratitude Dr.
KHEMLICHE Mabrouk, Matre de confrence luniversit Ferhat Abbas de Setif, qui m
honor de son encadrement et qui a accept la lourde tche de promoteur. J e lui exprime
galement ma profonde reconnaissance pour son dvouement davoir bien voulu me faire
profiter pleinement de ses comptences scientifiques et encore de ses ides par les quelles il ma
orient pour laccomplissement de ce travail.
J e remercie, Dr. KHodja Djalal Eddine & Dr. Barkati Sad, Matres de confrences
luniversit de Msila, pour leur comprhension, leur gentillesse et pour leur aide au cours de la
ralisation du mmoire.
J e tiens galement remercier Dr. Radjeai Hammoud, Matre de confrences luniversit
Stif qui ma fait l'honneur dtre le prsident du jury de ce mmoire. J 'adresse aussi mes vifs
remerciements Hachemi Mabrouk, Matre de confrences luniversit de Stif, Harmas M
ed

Naguib Matre de confrences, qui mont fait l'honneur d'tre les examinateurs de ce travail.
J e remercie galement Mr. Baali Radhouane & Djeriou Ali (EMP), Mr. Zorig Assam (univ-
Setif), Mr. Mehrez Zahraoui (ENP), Mr. Hadjab Moufdi & Mr. Redwane Sadouni (univ-Sidi Bel
Abbs), Mr. Zemouri Tahir (USTHB), Mr. Abdesslam (univ-Msila) et Mr. Fegriche
Abderrahmane & Bensaadia Labib (univ- Boumerds), pour leur aide, et leur entire
disponibilit.
J adresse mes vifs remerciements et ma profonde gratitude tous ceux qui ont contribu de
prs ou de loin laboutissement de ce travail, je tiens vivement leur dire merci.
J
Remerciement
Sommaire
PageIII

Table des matires

Table des matires.. III
Nomenclature. VI
Liste des figures et des tableaux..... VIII
INTRODUCTION GENERALE....... 1

CHAPITRE I : MODELISATION DUN GENERATEUR
PHOTOVOLTAQUE

I.1 Introduction ... 3
I.2 Gnrateur photovoltaque. 3
I.3 Effet photovoltaque ... 4
I.4 Cellules photovoltaques ... 4
I.4.1. Modle dune cellule photovoltaque une diode .. 6
I.4.2. Modlisation de la cellule photovoltaque .. 7
I.5 Puissance dune cellule PV ... 9
I.5.1. Puissance maximale dune cellule PV . 9
I.6 Constitution d'un gnrateur photovoltaque . 9
I.6.1. Association en srie .... 10
I.6.2. Association en parallle .. 10
I.7 Dveloppement du modle mathmatique du module PV. 11
I.7.1. Simulation dun gnrateur photovoltaque . 12
I.8 Caractristique lectrique dun gnrateur photovoltaque ... 12
I. 9 Comportement dun gnrateur photovoltaque ... 13
I.9.1. Influence de la temprature et lensoleillement sur le rendement ... 13
I.9. 2. Influence de lensoleillement .. 13
I.9.3. Influence de la temprature .. 14
I.9.4. Influence de la temprature sur les courbes I(V) et P(V) 15
I.10 Protection des cellules 16
I.11 Conclusion .....

16
CHAPITRE II : CONVERTISSEURS DC-DC DANS LES SYSTEMES PV
ET POURSUITE DU POINT DE PUISSANCE MAXIMALE

II.1 Convertisseurs DC-DC dans les systmes PV... 17
II.1.1 Introduction ...... 17
II.1.2.Types des convertisseurs DC-DC..... 17
II.1.3 Convertisseur Cuk ....... 18
II.1.3.1 Formes d'ondes..... 21
II.1.3.2 Dimensionnement des composants... 24
II.1.3.2.1 Calcul des inductances... 24
II.1.3.2.2 Calcul des capacits... 24
II.1.3.3 Choix de la diode. 25
II.1.3.4 Principe du PWM 25
Sommaire
PageIV
II.1.3.5 Rsultats de Simulation... 26

II.2 Poursuite du point de puissance maximale. 29
II.2.1 Introduction... 29
II.2.2 Algorithme de perturbation et dobservation 29
II.2.2.1 Algorithme P&O simple... 29
II.2.2.2 Algorithme P&O amlior.... 30
II.2.2.3 Commande MPPT.... 31
II.2.2.4 Commande directe .. 31
II.2.2.5 Commande directe de la sortie 31
II.2.2.6 Limitations du MPPT...... 31
II.2.2.7 Simulations du MPPT avec une charge rsistive . 33
II.2.2.8 Rsultats de simulation 34
II.2.3 Mthodes contre raction de tension. 36
II.2.3.1 Mthode tension de rfrence fixe... 36
II.2.3.2 Simulations du MPPT sur une charge inductive quelconque autour
de la puissance maximale de GPV.....
37
II.2.3.3 Rsultats de simulation 37
II.3 Conclusion.

39
CHAPITRE III : ETUDE DU COMPORTEMENT DE LA MAS EN
PRESENCE DUN DEFAUT AU GPV

III.1 Introduction. 40
III.2 Modlisation de la MAS. 40
III.2.1 Hypothses simplificatrices. 40
III.2.2 Equations gnrales de la machine . 41
III.2.2.1 Equations des tensions . 41
III.2.2.2 Equations des flux.. 41
III.2.2.3 Equations mcaniques . 42
III.2.3 Modlisation de Park de la machine asynchrone 42
III.2.3.1 Principe de la transformation de Park . 42
III.2.3.2 Equations des tensions . 43
III.2.3.3 Equations magntiques.. 43
III.2.3.4 Equation mcanique. . 43
III.2.4 Expression du couple lectromagntique ... 44
III.3 Choix du rfrentiel ... 44
III.3.1 Rfrentiel li au champ tournant .. 44
III.3.2 Rfrentiel li au stator ... 45
III.4 Modlisation de la machine asynchrone alimente en tension .. 45
III.4.1 Mise en quation dtat ... 45
III.4.2 Equations mcaniques 47
III.5 Modlisation de lalimentation de la MAS . 47
III.5.1 Modlisation de londuleur de tension triphas .. 47
III.5.2 Commande de londuleur par la stratgie triangulo-sinusodale 49
III.6 Simulation du comportement du systme en tat sain ... 50
III.6.1 les paramtres de la machine asynchrone .. 50
III.6.2 Schma de Simulation du comportement du systme 51
III.6.3 Interprtation des courbes ... 53
III.7 Simulation du comportement du systme en cas de dfaut 53

Sommaire
PageV
III.8 Interprtation des rsultats . 55

III.9 Conclusion . 56

CHAPITRE IV : DIAGNOSTIC DUN GENERATEUR
PHOTOVOLTAQUE PAR RESEAUX DE NEURONES ARTIFICIELS
(RNA)

IV.1 Introduction. . 57
IV.2 Terminologie propre au diagnostic 57
IV.3 Les approches usuelles de dtection .. 61
IV.3.1 Approche avec modle .. 62
IV.3.1.1 Diagnostic de dfauts par observateurs.. 62
IV.3.1.2 Diagnostic de dfauts par redondance analytique.. 63
IV.3.1.3 Diagnostic de dfauts par estimation paramtrique 63
IV.3.2 Approche sans modle. 63
IV.3.2.1 Diagnostic de dfauts par reconnaissance des formes 63
IV.3.2.2 Diagnostic de dfauts par systmes dinfrence flous 64
IV.3.2.3 Diagnostic de dfauts par rseaux de neurones artificiels.. 64
IV.4 Synthse des RNA et simulation sous MATLAB.. 66
IV.4.1 Description du rseau de neurone utilis. 66
IV.4.2 tude du rseau de neurone utilis . 67
IV.4.2.1 Construction du bloc de rseaux de neurones ... 67
IV.4.2.2 Acquisition des donnes (base dapprentissage) ... 67
IV.4.2.2.1 Rsultats d'essais du rseau sur le GPV 67
IV.4.2.2.2 Conception du RNA sous Simulink.. 68
IV.4.2.3 Test du rseau. 68
IV.5 Interprtation des rsultats . 69
IV.6 Conclusion... 70
CONCLUSION GENERALE .. 71
BIBLIOGRAPHIES .. 72

Nomenclature
PageVI
Nomenclature

E : Eclairement (w/m2)
Em : Eclairement maximal (w/m2)
Err : Erreur absolu (%)
FF : facteur de forme
I : Courant dbit par le gnrateur PV (A)
Iop : Courant optimal (A)
Iph : Photo courant (A)
Io : Courant de saturation (A)
Isc : Courant de court circuit (A)
G : Irradiation (w /m
2
)
GPV : Gnrateur photovoltaque
K : Constant de Boltzmann (J/k)
MPP : Maximum power point
MPPT : Maximum power point tracking
ns : Nombre de modules en sries
np : Nombre de modules en parallles
PV : Photovoltaque
P&O : Perturbation & Observation
Pop : puissance optimale (W)
q : Charge de llectron (coulomb)
R : Rsistance ()
Rs : Rsistance srie ()
Rp : Rsistance shunt ()
T : Temprature (C)
Tc : Temprature de cellule (C)
Tr : Temprature de rfrence (C)
V : Tension aux bornes du panneau PV (V)
Voc : Tension en circuit ouverte (V)
Vop : Tension optimal (V)
V0 : Tension de sortie de lhacheur (V)
Vth : Tension thermique (V)
T : Priode (s)
ts : Temps (s)
(s), (r), (e) : indice respectifs du stator, du rotor et dentrefer
d : axe d du repre tournant (d, q)
q : axe q du repre tournant (d, q)
: axe du repre statorique (, )
: axe du repre statorique (, )
n : grandeur nominale
Rs, ls : rsistance et inductance propre dune phase statorique
Rr,lr : rsistance et inductance propre dune phase rotorique
Ms : coefficient de mutuelle inductance entre deux phases de stator
Mr : coefficient de mutuelle inductance entre deux phases de rotor
Nomenclature
PageVII
Msr : maximum de linductance mutuelle entre dune phase de stator et une phase du
rotor
Ls : inductance cyclique statorique
Lr : inductance cyclique rotorique
Tr : constante de temps rotorique
M : inductance mutuelle cyclique entre stator et rotor
p : nombre de paires de ples
J : moment d'inertie ramen sur l'axe moteur
fr : coefficient de frottement visqueux
xs , xs : grandeurs statoriques lies au repre fixe au stator
xrd , xrq : grandeurs rotoriques lies au repre tournant (d, q)
xsd , xsq : grandeurs statoriques lies au repre tournant (d, q)
vsa, vsb, vsc : tensions statoriques simples
CRT : Contre raction de tension

: position du rotor
s

: angle lectrique entre l'axe d du rfrentiel tournant et le rfrentiel fixe li au
stator
r

: angle lectrique entre l'axe d du rfrentiel tournant et le rfrentiel fixe li au
rotor

: vitesse angulaire mcanique du rotor

: vitesse angulaire lectrique du rotor.
s

: vitesse des axes d, q dans le repre statorique.
r

: vitesse des axes d, q dans le repre rotorique.
Cem : couple lectromagntique dlivr par le moteur
Cr : couple rsistant, ou de charge
x

: driv de la grandeur x (=dx/dt).
[P] : matrice de transformation de Park
m : indice de modulation.
r : coefficient de rglage en tension
Wij : poids de la connexion du neurone j vers le neurone i

Liste des figures et des tableaux
Page vIII

1. Liste des figures
Figure I.1 : Composantes principales dune chane photovoltaque 4
Figure I.2 : Conduction dans les matriaux semi-conducteurs 5
Figure I.3 : Reprsentation schmatique d'une pile solaire jonction PN standard 5
Figure I.4 : Schma quivalent de la cellule solaire une diode 6
Figure I.5 : Puissance maximale idale et pratique 10
Figure I.6 : Cellules connectes en srie avec leur caractristique courant-tension 10
Figure I.7 : Cellules connectes en parallle avec leur caractristique courant-
tension
11
Figure I.8 : Caractristique I(v) dun gnrateur photovoltaque 13
Figure I.9 : Courbes I(V) dun panneau divers ensoleillements T=25 14
Figure I.10 : Courbes P(V) dun panneau divers ensoleillements T=25. 14
Figure I.11 : Courbes I(V) dun gnrateur PV pour diffrentes tempratures
G=1000Wm
2

15
Figure I.12 : Courbes P(V) dun gnrateur PV pour diffrentes tempratures
G=1000Wm
2

16
Figure II.1 : Circuit lectrique dun convertisseur DC-DC de type Cuk 19
Figure II.2 : Circuit quivalent du convertisseur Cuk avec S ferm 19
Figure II.3 : Circuit quivalent du convertisseur Cuk avec S ouvert 20
Figure II.4 : Tension de linductanceI
1
dans un convertisseur Cuk 21
Figure II.5 : Tension de linductance I
2
Figure II.6 : Courant moyen du condensateur C
2
Figure II.7 : Courant de l'inductanceI
1
Figure II.8 : Courant d'inductanceI
2
Figure II.9 : Tension du condensateur C
1
Figure II.10 : Principe du PWM (DC/DC) 25
Figure II.11 : Circuit lectrique dun convertisseur DC-DC de type Cuk 26
Figure II.12 : Tension dentre du convertisseur Cuk 27
Figure II.13 : Tension de sortie du convertisseur Cuk 27
Figure II.14 : Courant dentre du convertisseur Cuk 28
Figure II.15 : Courant de sortie du convertisseur Cuk 28
Figure II.16 : Organigramme de lalgorithme de perturbation et dobservation (P&O) 30
Figure II.17 : Schma fonctionnel du MPPT avec une commande directe 32
Figure II.18 : Organigramme de lalgorithme perturbation et observation contrle
direct
33
Figure II.19 : Schma du convertisseur Cuk contrl par MPPT 34
Figure II.20 : Tension de sortie du convertisseur Cuk (P&O) 34
Figure II.21 : Tension dentre du convertisseur Cuk (P&O) 35
Figure II.22 : Puissance dentre du convertisseur Cuk (P&O) 35
Figure II.23 : Principe de la mthode contre raction de tension avec rfrence 36
Figure II.24 : Organigramme de lalgorithme tension de rfrence fixe. 37
Figure II.25 : Tension de sortie du convertisseur Cuk 38
Figure II.26 : Tension dentre du convertisseur Cuk 38
Figure III.1 : Reprsentation des enroulements de la MAS triphas dans lespace
lectrique
41
Page IX
Figure III.2 : Schma dun onduleur de tension triphase alimentant le stator de la

MAS
45
Figure III.3 : Interrupteur bidirectionnel de paire transistor-diode 48
Figure III.4 : Principe de la MLI Sinus-Triangle (DC/AC) 49
Figure III.5 : Bloc de simulation de lalimentation de la MAS. 51
Figure III.6 : Rsultat de simulation de lalimentation (GPV)-Onduleur-MAS en tat
sain lors d'une application d'un couple rsistant (Cr =15N.m) (t=1.4 s).
53
Figure III.7 : Rsultat de simulation de la MAS en cas de court circuit de la tension
dalimentation (t=1.8 s), avec une charge de (Cr =15N.m) (t=1.4 s).
55
Figure IV.1 : Anomalies et Observations classes par criticit croissante. 60
Figure IV.2 : principales mthodes utilises en diagnostic des systmes physiques 62
Figure IV.3 : Larchitecture du rseau neuronal propos. 66
Figure IV.4 : Evaluation de lerreur quadratique en fonction du nombre ditrations
dapprentissage (en utilisant la mthode de rtro propagation du
gradient).
68
Figure IV.5 : Rseau de neurones artificiel sous Simulink 68
Figure IV.6 : Evolution du courant statorique et de la tension de sortie du GPV sur
diffrents tats de fonctionnement (en appliquant un court circuit).
69
2. Liste des tableaux

Tableau I.1 : Caractristiques lectriques du module photovoltaque BP SX 150. 12
Tableau II.1 : Rapports de transformation des principaux convertisseurs DC-DC. 18
Tableau III.1 : Les paramtres de la machine asynchrone. 50
Tableau IV.1 : Classification des diffrents dfauts. 61
Tableau IV.2 : Classification des diffrents dfauts 67
Tableau IV.3 : Les diffrents dfauts. 69

Introductiongnrale
Page1

Introduction gnrale

Par nergie renouvelable, on entend des nergies issues du soleil, du vent, de la
chaleur de la terre, de leau ou encore de la biomasse. A la diffrence des nergies fossiles, les
nergies renouvelables sont des nergies ressource illimite qui regroupent un certain
nombre de filires technologiques selon la source dnergie valorise et lnergie utile
obtenue.
Aujourdhui lnergie solaire fournit un bon rendement de conversion nergtique,
alors que le rendement dun systme fond sur la combustion dun minerai fossile est au
mieux de 30 35% [1].
Dans le temps prsent, cette utilisation doit tre encourage par des mesures
appropries et une politique nergtique des tats. Dans les pays industrialiss, les lois sur les
nergies renouvelables ont permis de booster fortement le march du photovoltaque.
LAlgrie, pays du soleil et de lespace, peut sinspirer de ces programmes pour une
exploitation grande chelle de lnergie solaire. Elle a les moyens humains et financiers la
mesure de ces programmes. Lenjeu est grand, et vital. LAlgrie est dans le monde lun des
pays de fort potentiel dexportation de lnergie lectrique solaire [2].
Le gnrateur photovoltaque est le seul convertisseur direct pour transformer la
lumire en nergie lectrique [3], et offre la possibilit de produire de l'lectricit directement
partir dune ressource renouvelable et largement disponible. Leurs dveloppements
constituent de ce fait, un enjeu majeur dans la perspective dun approvisionnement
nergtique compatible avec la contrainte d'environnement local et global. Le champ
dutilisation des systmes photovoltaques est large avec beaucoup de configurations
autonomes et relies au rseau de distribution. Les applications de l'nergie solaire incluent le
pompage deau, rfrigration, climatisation, sources lumineuses, vhicules lectriques,
centrales photovoltaques, utilisation militaire, domaine spatial [4], et dans les systmes
hybrides [5].
Une caractristique importante des panneaux solaires est que la puissance maximale
disponible est fournie seulement en un seul point de fonctionnement dfini par une tension et
un courant connus, appel point de puissance maximale. En outre, la position de ce point nest
pas fixe mais elle se dplace en fonction de lirradiation et de la temprature des cellules
solaires ainsi que de la charge utilise [5]. A cause du cot relativement onreux de ce genre
dnergie, on doit extraire le maximum de puissance des panneaux solaires. Cela ncessite un
mcanisme de poursuite de ce point afin que la puissance maximale soit gnre en
permanence [1]. Plusieurs algorithmes sont proposs dans la littrature, une attention
particulirement a t porte sur la mthode des perturbations et observations.
Le diagnostic industriel a une valeur imprative dans l'objectif de mettre la lumire sur
quelques dfaillances des matriels des systmes industriels.
Introductiongnrale
Page2

La ncessit de dtecter et localiser une dfaillance cause des besoins de lindustrie et
la complexit des systmes fait appel plusieurs techniques de diagnostic qui possdent des
caractristiques diffrentes et qui permettent de rsoudre les problmes.

Le systme de diagnostic a comme tche, la dtection des symptmes et l'analyse des
donnes, ou l'interprtation des informations. Pour avoir accs ce diagnostic, nous devons
avoir comme source une intelligence artificielle.
L'axe principal de notre recherche rside dans le diagnostic par les rseaux de
neurones artificiels.

Lobjectif de ce travail tant de diagnostiquer et de simuler lassociation dun panneau
photovoltaque avec un convertisseur DC/DC alimentant une machine asynchrone partir
dun convertisseur DC /AC.
De ce fait, le prsent mmoire est subdivis en quatre chapitres dont le contenu est
succinctement rsum ci-dessous.
Nous aborderons dans le premier chapitre le principe de fonctionnement dun panneau
photovoltaque, sa modlisation mathmatique et ses caractristiques.
Le deuxime chapitre reprsentera une tude prliminaire des principaux
convertisseurs DC-DC utiliss dans les chaines de conversion photovoltaques. Ce chapitre
ferra lobjet aussi dune modlisation de ces convertisseurs et on prsentera les principaux
algorithmes de recherche du point de puissance maximale de la source photovoltaque.
Lalgorithme de poursuite bas sur la commande directe sera lobjet dune application sur les
diffrents convertisseurs tudis auparavant.
Dans le troisime chapitre nous dtectons les dfauts de lassociation moteur-onduleur
une alimentation dun gnrateur photovoltaque. Commenant par la modlisation de la
machine dans le repre de Park puis lassociation de la MAS-Onduleur de tension ltat sain
et en prsence des dfauts puis leurs rsultats de simulation laide du logiciel
Matlab/Simulink.

Et pour parvenir au quatrime chapitre, qui se rsume dans la manire avec laquelle
nous prsentons le diagnostic du systme photovoltaque prenons des dfauts du gnrateur
photovoltaque et leurs influences sur la machine asynchrone, en appliquant la mthode des
rseaux de neurones artificiels.
En fin, on terminera par une conclusion gnrale discutant les rsultats obtenus et les
perspectives entreprendre dans les futurs travaux.

Chapitre I Modlisation dun gnrateur photovoltaque
Page S

Chapitre I

Modlisation dun gnrateur
photovoltaque

I.1. Introduction
Le soleil fournit une nergie colossale la terre (10.000 fois lnergie ncessaire) sous
forme lumineuse. Mais le problme rside en ce que la forme sous laquelle nous la recevons
nest pas ncessairement celle sous laquelle elle est utilisable. Cest pourquoi, nous devons
utiliser des processus de conversion. Par exemple, les cellules solaires photovoltaques
permettent de convertir lnergie lumineuse du soleil en nergie lectrique. Lappauvrissement
des sources nergtiques traditionnelles (ptrole...) due une utilisation accrue de celles-ci et
laugmentation considrable du prix du ptrole, entranent que ltude des nergies renouvelables
revt une importance cruciale pour les annes venir.
Llectricit solaire est une importante source dnergie renouvelable qui pourrait tre
une alternative aux autres sources classiques afin de satisfaire les larges besoins dnergie dans
le futur. Cette nergie trouve tout son avantage dans des applications de petite et moyenne
consommation dans des rgions isoles et loin des lignes de distribution lectrique.
Dans le cadre de notre tude, nous nous sommes concentrs sur la production dlectricit
partir de lnergie photovoltaque. Dans ce chapitre nous dtaillons les lments ayant traits
cette ressource et sa transformation en nergie lectrique.
I.2. Gnrateur photovoltaque
Le gnrateur photovoltaque est un ensemble dquipements mis en place pour exploiter
lnergie photovoltaque afin de satisfaire les besoins en charge. En fonction de la puissance
dsire, les modules peuvent tre assembls en panneaux pour constituer un "champ
photovoltaque". Reli au rcepteur sans autre lment, le panneau solaire fonctionne "au fil du
soleil", c'est--dire que la puissance lectrique fournie au rcepteur est fonction de la puissance
d'ensoleillement. Elle est donc son maximum lorsque le soleil est au znith et nulle la nuit[1].
Mais, trs souvent, les besoins en lectricit ne correspondent pas aux heures
d'ensoleillement et ncessitent une intensit rgulire (clairage ou alimentation de
rfrigrateurs, par exemple). On quipe alors le systme de batteries d'accumulateurs qui
permettent de stocker l'lectricit et de la restituer en temps voulu[1].
Un rgulateur est alors indispensable pour protger les batteries contre les surcharges ou
les dcharges profondes nocives sa dure de vie.
Pour un certain nombre d'applications, le courant continu produit, par le gnrateur
photovoltaque, est convertit l'aide d'un onduleur en courant alternatif.

Page 4

Figure I.1: Composantes principales dune chane photovoltaque

I.3. Effet photovoltaque
Lnergie photovoltaque (PV) est la transformation directe de la lumire en lectricit. A
lencontre de lnergie solaire passive, qui utilise les lments structuraux dun btiment pour
mieux le chauffer (ou le refroidir), et de lnergie solaire active, qui utilise un caloporteur
(liquide ou gazeux) pour transporter et stocker la chaleur du soleil (on pense au chauffe-eau),
lnergie photovoltaque nest pas une forme dnergie thermique. Elle utilise une photopile pour
transformer directement lnergie solaire en lectricit.
Leffet photovoltaque, cest--dire la production dlectricit directement de la lumire,
fut observe la premire fois, en 1839, par le physicien franais Edmond Becquerel. Toutefois,
ce nest quau cours des annes 1950 que les chercheurs de la compagnie Bell-Lab, aux tats-
Unis, parvinrent fabriquer la premire photopile, llment primaire dun systme
photovoltaque [1].
I.4. Cellules photovoltaques
Lutilisation des cellules solaires dbute dans le domaine spatial. Les recherches ont
permis damliorer leurs performances et leur taille mais il faudra attendre la crise nergtique
de 1973 pour que les gouvernements et les industriels investissent dans la technologie
photovoltaque et ses applications terrestres.
La cellule est compose dun matriau semi-conducteur qui absorbe lnergie lumineuse
et la transforme directement en courant lectrique. Un semi-conducteur est un matriau dont la
concentration en charges libres est trs faible par rapport aux mtaux. Pour quun lectron li
son atome (bande de valence) devienne libre dans un semi-conducteur et participe la
conduction du courant, il faut lui fournir une nergie minimum pour quil puisse atteindre les
niveaux nergtiques suprieurs (bande de conduction).
Cest lnergie du " bande gap ", Eg en lectron-volt (eV). Cette valeur seuil est propre
chaque matriau semi-conducteur et va de 1.0 1.8 eV pour les applications photovoltaques.
Elle est de 1.1 eV pour le silicium cristallin, et de 1.7 eV pour le silicium amorphe. La figure I.2
montre le phnomne de conduction dans les matriaux semi-conducteurs[2].

Convertisseur
Continu-continu
(Hacheur)
Batterie
Convertisseur
Continu alternatif
(Onduleur)
Charge
courant
continu
Charge
courant
alternatif

Gnrateur
photovoltaque
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arges libres
s positifs et
rront contri
mes de gril
'une pile sol
n
e
c
-
lisation dun
mi-conducte
artie rflch
ellule. Les p
ibrer un l
ues de signe
de part et d
dopage par
cture cristal
lectron ex
dans le rs
et type P) d
s (lectrons
ngatifs. L
ibuer au c
lle, contacts
laire jonct
c
gnrateur ph
eurs
hi, une autre
photons ab
ectron nga
es opposs e
autre de la
r des impur
lline semi- c
xcdentaire,
seau cristall
de part et d
s et trous),
Les charges
courant de
s avant et a
tion PN stan
photo
hotovoltaque
Page S
e partie sera
sorbs dont
atif, laissant
et recueillir
cellule.
rets. Deux
conductrice
libre de se
lin donnera
autre de la
un champ
lectriques
la cellule
arrire, sont

ndard [2]
on
S
a
t
t
r
x
e
e
a
a
p
s
e
t
Page 6
I.4.1. Modle dune cellule photovoltaque une diode

Le choix du modle cinq paramtres, permet deffectuer une analyse et une valuation
des performances du module photovoltaque, les plus proches de la ralit.
Ce modle reprsente la cellule solaire comme source de courant qui modlise la
conversion du flux lumineux en nergie lectrique. La rsistance monte en srie R
S
reprsente
la rsistance de contact et de connexion, une autre rsistance en parallle dite la rsistance
shunt R
P
reprsente le courant de fuite. Une diode en parallle qui modlise la jonction PN
(figure I.4) [1] :

Figure I.4: Schma quivalent de la cellule solaire une diode
A partir du circuit quivalent de la figure I.4, on peut crire :
I
Ph
=I
D
+I+I
R
P
(I.1)
Le courant qui passe dans la rsistance R
P
est donn par :
I
R
P
=
V+IR
5
R
P
(I.2)
Le courant dans la diode est donn par :
I
D
=I
s
[e
(v+IR
5
)
nV
t
-1] (I.3)
avec I
s
: courant de saturation de la diode donn par :
I
s
=KTe
-
E
g
KT
(I.4)
O :
v
t
=
KT
q
tension thermique la temprature T.
q : charge de llectron (1 .6021u
-19
C)
K : constante de Boltzmann (1.3811u
-23
J/k)
K
1
: constante (1.2 Acm
2
K
3
)
n : facteur de non idalit de la jonction
T : temprature effective de la cellule en degr Kelvin
E
g
: nergie de gap (pour le silicium cristallin est gale 1.12 ev )
Donc lexpression de la caractristique I(I) est :
I=I
P
h
-I
s
[e
(V+IR
s
)
nV
t
-1]-
V+IR
5
R
P
(I.5)
I
ph
I
I
Rp
R
p
R
s
I
I
Page 7
I.4.2. Modlisation de la cellule photovoltaque

Rappelons lquation donnant la caractristique I(I) de la cellule base sur le circuit
quivalent une diode :
I=I
P
h
-I
s
[e
(V+IR
s
)
nV
t
-1]-
V+IR
5
R
P
(I.6)
- Calcul de I
P
h

Le courant de court-circuit I
cc
reprsente le courant maximum gnr par la cellule. Il est
produit lorsquelle est soumise un court circuit I = u . Comme R
s
<<R
p
, on peut admettre que
I
ph
I
cc
pour (G=1000Wm
2
). Lquation (I.6) devient :
I=I
cc
-I
s
[e
(V+IR
s
)
nV
t
-1]-
V+IR
5
R
P
(I.7)
- Calcul de I
s

La tension en circuit ouvert I
C0
est calcule lorsque le courant est nul [3], comme suit:
v
CO
=nv
T
ln(1 +
I
CC
I
s
) (I.8)
Comme I
cc
>>I
s
, il est possible aussi de calculer v
C0
par la relation suivante :
v
CO
=nv
T
ln(
I
CC
I
s
) (I.9)
Le courant de saturation inverse de rfrence de la diode I
sr
est donn par :
I
sr
=I
ccr
[e
V
CO
nV
TeI
-1] (I.10)
I
1c]
: la tension thermique pour une temprature de rfrence I
c]

Si lon suppose que la rsistance parallle est infinie (R
p
=) lquation (I.7) se simplifie :
I = I
cc
- I
s
[ e
(V+IR
s
)
nV
t
-1] (I.11)
O
I : le courant fourni par la cellule.
I: la tension aux bornes de la cellule.
- Calcul de la rsistance srie dans le point V
u

La diffrentiation de lquation (I.11), donne :
uI=0-I
S
(
dV+R
5
dI
nV
t
) e
(V+IR
s
)
nV
t
(I.12)
Ce qui en rsulte :
Page 8
R
s
=-
dV
dI
-
nV
t
I
5
c
(V+IR
s
)
nV
t

(I.13)
En circuit ouvert la tension est v = v
co
et lquation (I.14) devient:
R
s
=-
dV
dI

V
0c
-
nV
TeI
I
s
c
V
co
nV
TeI
(I.14)
O
dv
dI

v
0c
est la pente de la courbe I(v) dans le point V= I
C0
(calcule partir de la courbe I(v)
dans la fiche technique du module puis divise par le nombre de cellules en srie) [4].
On rcrit lquation (I.12) sous la forme suivante :
f(I)=I
cc
I-I
s
[e
(V+IR
s
)
nV
T
-1] (I.15)
La mthode de Newton est utilise gnralement pour rsoudre lquation non linaire
(I.16). Rappelons que la mthode de Newton est exprime par [5] :
x
n+1
=x
n
-
I(x
n
)
I
(x
n
)
(I.16)
O :
f
i
(x
n
) Drive de la fonction f(x
n
) .
x
n
Valeur actuelle de x.
x
n+1
: Valeur prochaine de x.
Lapplication de la mthode de Newton permet de calculer la valeur du courant I pour
chaque itration par :
I
n+1
=I
n
I
cc
I
n
-I
s
|c
_
V+R
s.
I
nV
T
]
-1]
-1-I
s
_
R
s
nV
T
].|c
_
V+I
n
.R
s
nV
T
]
]
(I.17)
Les quations tablies jusqu' prsent ne sont valables que pour un mode de
fonctionnement spcifique en termes dclairement et de temprature. Pour gnraliser la
modlisation pour diffrents clairements et tempratures, nous utilisons le modle qui dplace
la courbe de rfrence de nouveaux emplacements.
Alors la nouvelle valeur du courant de court circuit I
cc
pour une irradiation G et une
temprature T donnes est calcule selon lquation suivante :
I
cc
(u, T) = I
ccr
G
1000
|1 +a(T -T
rcI
)] (I.18)
Avec :
I
ccr
: le courant de court-circuit mesur sous une irradiation 1000Wm
2

a: le coefficient de variation du courant en fonction de la temprature (a=0.65e-3) .
T
rcI
: la temprature de rfrence, 298K (25C).
Page 9
Le courant de saturation de la diode dpend de la temprature. Sa valeur pour une temprature T

donne est calcule par:
I
s
(T) = I
sr
(T
rcI
) (
T
T
eI
)
3
n
e
[
-qE
g
nR
(
1
T
-
1
T
eI
)
(I.19)
I.5. Puissance dune cellule PV
Dans des conditions ambiantes de fonctionnement fixes (clairement, temprature, vitesse
de circulation de l'air ambiant, etc), la puissance lectrique P(W) disponible aux bornes d'une
cellule PV est :
P = vI (I.20)
P(W) : Puissance fournie par la cellule PV.
v(v) : Tension mesure aux bornes de la cellule PV.
I(A) : Intensit dbite par la cellule PV.
I.5.1. Puissance maximale dune cellule PV
Pour une cellule solaire idale, la puissance maximale P
max,IdaIc
correspondrait donc la tension
de circuit ouvert v
co
multiplie par le courant de court-circuit I
cc
:
P
max,IdaIc
=v
co
I
cc
(I.21)
P
max,IdaIc
(W): La puissance fournie par la cellule PV.
v
co
(v): La tension de circuit ouvert mesure aux bornes de la cellule PV.
I
cc
(A): Lintensit de court-circuit dbite par la cellule PV.
En pratique, la courbe caractristique d'une cellule PV est plus "arrondie" (figure I.5), et
la tension au point de puissance maximale I
PMux
est infrieure la tension de circuit ouvert I
co
,
de mme que le courant fourni I
PMux
est infrieur, pour cette mme tension, au courant de
court-circuit I
cc
. Lexpression de la puissance en ce point est donne par:
P
Max
=v
PMax
I
PMax
(I.22)
I.6. Constitution d'un gnrateur photovoltaque
Afin daugmenter la tension dutilisation, les cellules PV sont connectes en srie.
La fragilit des cellules au bris et la corrosion exige une protection envers leur environnement
et celles-ci sont gnralement encapsules sous verre. Le tout est appel un module
photovoltaque.
Les modules peuvent galement tre connects en srie et en parallle pour
construire le champ photovoltaque afin daugmenter la tension et lintensit dutilisation.
Toutefois, il est important de prendre quelques prcautions car lexistence de cellules
moins efficaces et locclusion dune ou plusieurs cellules (dues de lombrage, de la
poussire, etc...), peuvent endommager les cellules de faon permanente.
Page 1u

Figure I.5 : Puissance maximale idale et pratique
I.6.1. Association en srie
En additionnant des cellules (modules) identiques en srie, le courant de la branche reste
le mme mais la tension augmente proportionnellement au nombre de cellules (modules) en srie
[1].
Figure I.6 : Cellules connectes en srie avec leur caractristique courant-tension
I.6.2. Association en parallle
En additionnant des cellules (modules) identiques en parallle, la tension de la branche est
gale la tension de chaque cellule (module) et lintensit augmente proportionnellement au
nombre de cellules (modules) en parallle dans la branche [1].
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Tension du module (V)
C
o
u
r
a
n
t

d
u

m
o
d
u
l
e

(
A
)
Pmax,ideal
Pmax
Icc
Ip max
Vco
Vpmax
Page 11

Figure I.7 : Cellules connectes en parallle avec leur caractristique courant-tension
I.7. Dveloppement du modle mathmatique du module PV
Les principales quations utilises dans le modle mathmatique du module sont les
suivantes [6] :
`
1
1
1
1
I
M
= n
p
I
I
ccM
= n
p
I
cc
v
M
= n
S
v
v
coM
= n
s
v
co
I
sM
= n
p
I
s
(I.23)
Avec :
M: indice affect au module.
n
s
: nombre de cellules en srie.
n
p
: nombre de cellules en parallle.
Ce qui donne pour un module :
I
M
= I
ccM
- I
sM
[ e
(V
M
+I
M
R
sM
)
n
s
nV
T
-1] (I.24)
Avec :
R
sM
=
n
s
n
R
s
: rsistance srie du module.
En circuit ouvert et (T=T
rcI
) partir de lquation (I. 24) le courant I
sM
peut scrire pour un
module comme suit :
I
srM
=
I
ccM
| c
(V
coM
)
nn
s
V
teI
-1 ]
(I.25)
Avec :
I
srM
: Courant de saturation rfrence du module.
I
ccrM
: Courant de court circuit rfrence du module.
Pour gnraliser la modlisation pour diffrents clairements et tempratures, nous
utilisons le modle qui dplace la courbe de rfrence de nouveaux emplacements.
La nouvelle valeur du courant de court circuit du module I
ccM
pour une irradiation G et
une temprature T donnes est calcule selon lquation suivante :
I
ccM
(u, T) = I
ccrM
G
1000
|1 +a(T -T
rcI
)] (I.26)
Page 12
Le courant de saturation dpend I

sM
de la temprature. Sa valeur pour une temprature T donne
est calcule par :
I
sM
(T) = I
srM
(T
rcI
) (
T
T
eI
)
3
n
e
[
-qE
g
nR
(
1
T
-
1
T
eI
)
(I.27)
I.7.1. Simulation dun gnrateur photovoltaque
Pour raliser cette simulation, nous avons choisi un groupe des modules photovoltaques
BP SX 150S de BP Solaire. La srie SX de BP Solaire fournit une puissance photovoltaque
rentable destine un usage gnral par exploitation directe des charges courant continu, ou
des charges courant alternatif sur les systmes munis donduleur [7]. Le gnrateur choisi est
compos de 8 modules connectes en srie et 7 modules connectes en parallle. Les
caractristiques lectriques de module photovoltaque sont donnes dans le tableau (I.1):

Puissance maximale (P
mux
) 150 w
Tension P
mux
(I
Pmux
) 34.5 V
Courant P
mux
(I
pmux
) 4.35 A
Tension circuit ouvert (I
C0
) 43.5 V
Courant de court circuit de rfrence (I
CC
) 4.75 A
Coefficient de temprature de I
C0
-16020 mV /C
Coefficient de temprature de I
CC
(a) 0.0650.015% / C
Coefficient de temprature de la puissance
-0.50.05%C
Temprature nominale dopration de la cellule (NOCT)
472 C
Tableau I.1 : Caractristiques lectriques du module photovoltaque BP SX 150
I.8. Caractristique lectrique dun gnrateur photovoltaque
La caractristique courant-tension illustre dans la figure (I.8) dcrit le comportement du
gnrateur photovoltaque sous linfluence des conditions mtorologiques spcifiques (niveau
dclairement G=1000 wm
2
et temprature ambiante T=25C).
La courbe I(I) du module photovoltaque passe par trois points importants qui sont :
- Le courant de court-circuit I
ccM
en C.
- La tension de circuit ouvert v
coM
en S.
- La puissance maximale P
max
en M.
Il est difficile de donner un caractre source de courant ou de tension un gnrateur
photovoltaque sur toute ltendue de la caractristique courant-tension. Par consquent, le
gnrateur photovoltaque est considr comme une source de puissance avec un point P
max
o la
puissance se trouve maximale. Il est donc intressant de se placer sur ce point pour tirer le
maximum dnergie et ainsi exploiter au mieux la puissance crte installe. Il est important de
Page 1S
noter que certains rgulateurs solaires ralisent une adaptation dimpdance afin qu chaque
instant on se trouve proche de ce point P
max
.

Figure I.8: Caractristique I(v) dun gnrateur photovoltaque
I.9. Comportement dun gnrateur photovoltaque
De par sa constitution, un gnrateur PV aura un comportement plus ou moins optimis
et pourra ainsi produire plus ou moins de puissance.
I.9.1. Influence de la temprature et lensoleillement sur le rendement
On peut remarquer que la caractristique I(v) dun panneau photovoltaque dpend
fortement de l'insolation et de la temprature. Ceci devient trs vident en valuant l'quation
(I.26) pour des valeurs choisies de la temprature et de linsolation et en traant les rsultats.
I.9. 2. Influence de lensoleillement
Une baisse de lensoleillement provoque une diminution de la cration de paires lectron-
trou avec un courant chang lobscurit. Le courant du panneau solaire tant gal la
soustraction de la photo courant et du courant de diode lobscurit, il ya une baisse du courant
solaire I
CCM
proportionnelle la variation de lensoleillement accompagne dune trs lgre
diminution de la tension IcoH et donc un dcalage du point P
max
du panneau solaire vers les
puissances infrieures
Les graphes suivants reprsentent les caractristiques P(V) et I(V) respectivement dun
gnrateur photovoltaque pour une temprature constante (T=25C) et un ensoleillement
variable.

0 100 200 300 400 500 600
0
5
10
15
20
25
30
35
40
tension(V)
c
o
u
r
a
n
t
(
A
)
Caractristique I(V) dun gnrateur photovoltaque l'aide des modulesBP SX 150S
C
M
S
Page 14

Figure I.9: Courbes I(V) dun panneau divers ensoleillements T=25C

Figure I.10: Courbes P(V) dun panneau divers ensoleillements T=25C.

Il est clair que la valeur du courant de court-circuit est directement proportionnelle
lintensit du rayonnement. Par contre, la tension en circuit ouvert ne varie pas dans les mmes
proportions, mais reste quasiment identique mme faible clairement.
Ceci implique donc que :
- La puissance optimale de la cellule (Pmax) est pratiquement proportionnelle lclairement.
- Les points de puissance maximale se situent peu prs la mme tension.
I.9.3. Influence de la temprature
On s'aperoit que le courant dlivr par chaque cellule dpend de la temprature interne
de la jonction PN qui constitue la cellule PV. Si on considre le rchauffement d'un module PV
0 100 200 300 400 500 600
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
BP SX150S Photovoltaic Module P-V Curve
1000W/m2
800W/m2
600W/m2
tension(V)
c
o
u
r
a
n
t
(
A
)
0 100 200 300 400 500 600
0
5000
10000
15000
BP SX150S Photovoltaic Module P-V Curve
1000W/m2
800W/m2
600W/m2
tension(V)
p
u
i
s
s
a
c
e
(
W
)
Page 1S
de 25C 50C et si l'on considre en premire approximation que la temprature face arrire de
chaque cellule est proche de la temprature de la jonction PN, alors on peut considrer
l'influence de la temprature. On s'aperoit que la tension de circuit ouvert dcrot en fonction
d'une augmentation de la temprature. Par consquent, on perd de la puissance disponible aux
bornes du module PV.
I.9.4. Influence de la temprature sur les courbes I(V) et P(V)
La figure (I.11) prsente des courbes I(V) et P(V) pour diffrentes tempratures de
fonctionnement du module photovoltaque une irradiation constante.
Nous remarquons que la temprature une influence ngligeable sur la valeur du courant
de court-circuit. Par contre, la tension en circuit ouvert baisse assez fortement lorsque la
temprature augmente. On en dduit donc que le panneau peut fournir une tension correcte,
mme faible clairage, par consquent la puissance extractible diminue. Lors du
dimensionnement dune installation, la variation de la temprature du site sera imprativement
prise en compte. Il est important de savoir que la puissance du panneau diminue environ de 0,5%
par chaque degr daugmentation de la temprature de la cellule au dessus de 25 C.
Enfin, il est important de noter que, lorsque lclairement est plus faible que 100 W/m
2
,
la tension du panneau varie son tour. Elle baisse avec lclairement (variation logarithmique).
Seules les photopiles au silicium amorphe permettent un fonctionnement dans ces conditions,
grce une tension encore assez leve. Cest pour cette raison que le silicium amorphe peut tre
utilis sous clairage artificiel, contrairement au silicium cristallin. Ceci va beaucoup contribuer
dans notre choix de cellules.

Figure I.11 : Courbes I(V) dun gnrateur PV pour diffrentes tempratures G=1000Wm
2

0 100 200 300 400 500 600
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
25C
50C
75C
100C
tension(V)
c
o
u
r
a
n
t
(
A
)
carctristique I(V) l'aide des modules BP SX 150S
Page 16

Figure I.12 : Courbes P(V) dun gnrateur PV pour diffrentes tempratures G=1000Wm
2

I.10. Protection des cellules
Un problme persiste en montant les cellules solaires en srie ou en parallle pour
gnrer une tension ou un courant suffisant pour le fonctionnement du systme. En effet,
lorsquune ou plusieurs cellules sont ombres par un quelconque objet ou lorsquil existe des
dfaillances de quelques-unes, ces cellules deviennent des consommatrices de puissance et non
des gnratrices ce qui cause des pertes dnergie. Pour remdier ce problme on prend
quelques cellules voisines et on les shunte par une diode en parallle appele Bypass diode.
Ces diodes viteront que le courant ne passe travers ces cellules lorsque leur tension tombe au-
dessous de la tension de seuil de la diode [5]. On place aussi une diode en srie avec le panneau
pour viter le retour du courant des autres panneaux monts en parallles lorsquun panneau est
mal ensoleill.

I.11. Conclusion
Lnergie solaire photovoltaque provient de la transformation directe dune partie du
rayonnement solaire en nergie lectrique. Cette conversion dnergie seffectue par la
cellule photovoltaque base sur un phnomne physique appel effet photovoltaque. La tension
gnre peut varier en fonction du matriau utilis pour la fabrication de la cellule.
Lassociation de plusieurs cellules en srie et/ou parallle donnent lieu un module
photovoltaque qui a une caractristique courant-tension non linaire prsentant un point de
puissance maximale.
Les performances dun module photovoltaque sont fortement influences par les
conditions climatiques, particulirement lirradiation solaire et la temprature du module. Nous
avons opt pour le modle une diode pour simuler le fonctionnement du module
photovoltaque pour diffrentes conditions dirradiation et de temprature. Le principal intrt de
ce modle rside dans sa simplicit et sa facilit de mise en uvre partir des caractristiques
techniques donnes par le constructeur.

0 100 200 300 400 500 600
0
5000
10000
15000
25C
50C
75C
100C
tension(V)
p
u
i
s
s
a
n
c
e
(
W
)
caractristique P(V) l'aide des modules BP SX 150S
Chapitre II Convertisseurs DC-DC dans les systmes PV
Page 17

Chapitre II

Convertisseurs DC-DC dans les systmes PV
et Poursuite du point de puissance
maximale

II.1Convertisseurs DC-DC dans les systmes PV
II.1.1 Introduction
Lutilisation des convertisseurs DC-DC permet le contrle de la puissance lectrique dans
les circuits fonctionnant en courant continu avec une trs grande souplesse et un rendement
lev. Dans les systmes photovoltaques les convertisseurs DC-DC permettent de poursuivre le
point de fonctionnement optimum.
Dans ce chapitre nous allons voir le principe de fonctionnement des convertisseurs DC-
DC dont le rle primordial est de transformer une puissance continue dentre fixe en une
puissance continue de sortie variable. Le dimensionnement de ces convertisseurs est galement
envisag [8].
II.1.2. Types des convertisseurs DC-DC
Il y a un plusieurs topologies des convertisseurs DC-DC. Ils sont classs par catgorie
selon que la topologie isole ou non isole. Les topologies isoles emploient un transformateur
disolement fonctionnant haute frquence, elles sont trs employes souvent dans les
alimentations dcoupage. Les topologies les plus connues dans la majorit des applications
sont le Flyback, en demi-pont et en pont complet. Dans les applications photovoltaques (PV),
les systmes de couplage avec le rseau lectrique emploient souvent ces types de topologies
quand l'isolement lectrique est prfr pour des raisons de sret [4].
Les topologies non isoles ne comportent pas de transformateurs disolement. Elles sont
gnralement utilises dans lentrainement des moteurs courant continu [4]. Ces topologies
sont encore classes en trois catgories :
- Abaisseurs (Buck);
- Elvateurs (Boost);
- Elvateurs - Abaisseurs (Buck-Boost).
La topologie Buck est employe pour les faibles tensions. Dans les applications PV, le
convertisseur Buck est habituellement employ comme chargeur de batteries et dans des
systmes de pompage de leau.
La topologie Boost est employe pour augmenter la tension. Les systmes de production
de lnergie emploient un convertisseur boost pour augmenter la tension de sortie au niveau du
service avant l'tage de londuleur. Puis, il y a des topologies capables daugmenter et de
Page 18
diminuer la tension telles que le Buck-Boost, le Cuk, et le Sepic. Les convertisseurs DC-DC
peuvent tre vus comme des transformateurs DC-DC.
Le tableau II.1 rsume les principaux rapports de transformation en fonction du rapport
cyclique pour les diffrentes structures de convertisseurs statiques avec et sans isolement
galvanique. O D dsigne le rapport cyclique du convertisseur et K le rapport de transformation
du transformateur disolement [9].

Convertisseur
Rapport de
transformation en fonction de
(D)

Isolement
galvanique

Buck

D

Non

Boost

1
1 -

Non

Buck-Boost

-
1 -

Non

Cuk

-
1 -

Non

SEPIC

1 -

Non

Flyback

K
1-

OUI

Push-pull

KD

OUI

Forward

KD

OUI
Tableau II.1: Rapports de transformation des principaux convertisseurs DC-DC
II.1.3 Convertisseur Cuk
Un convertisseur Cuk utilise un condensateur pour stocker l'nergie. Le convertisseur
Cuk tient son nom de son inventeur; et le premier dcrire cette topologie dans un article [10].
Le Cuk est constitu de deux inductances, de deux condensateurs, d'un interrupteur
(gnralement un transistor) et d'une diode. Le schma de base d'un convertisseur Cuk est
reprsent par la figure (II.1).
Un inconvnient subsiste concernant linversion du signe de la tension de sortie par
rapport celle de lentre. Par sa structure, le convertisseur Cuk peut travailler avec des tensions
de sortie plus petites ou plus grandes que la tension dentre.
Le fonctionnement de base dun convertisseur Cuk en mode de conduction continue
est lobjet de cette section. En rgime permanent, les tensions moyennes des inductances sont

Page 19
nulles, ainsi en appliquant la loi des mailles autour de la boucle extrieure du circuit reprsent
sur la figure (II.1) on trouve :
I
C1
= I -I
0
(II.1)

Figure II.1: Circuit lectrique dun convertisseur DC-DC de type Cuk

A l'tat initial linterrupteur (S) est bloqu, la diode (D) est passante, et le condensateur
(C
1
) est charg [6]. L'opration du circuit peut tre divise en deux modes.
Mode 1: Quand linterrupteur est ferm, le circuit est reprsent sur la figure II.2
La tension du condensateur (C
1
) bloque la diode (D) par polarisation en inverse.

Figure II.2: Circuit quivalent du convertisseur Cuk avec S ferm

Le condensateur (C
1
) dcharge son nergie dans la charge travers la boucle forme par
linterrupteur (S), C
2
, R, et I
2
. Les inductances sont supposes assez grandes, ainsi que les
ondulations de leurs courants sont ngligeables [4]. Ce qui donne :
-I
C1
= I
L2
(II.2)
Mode 2 : Quand linterrupteur est ouvert, le circuit est reprsent sur la figure II.3

I
0
V
I
I
L2
I
0
I
C2
I
C1
I
L1
I
L2
I
L2
I
I
L1
S
V
I
0
I
0
I
C2
Page 2u

Figure II. 3: Circuit quivalent du convertisseur Cuk avec S ouvert

Le condensateur (C
1
) se charge par la tension d'entre (I) travers linductance (I
1
).
L'nergie stocke dans l'inductance (I
2
) est transfre la charge par la boucle constitue par
, C
2
, I
2
et R [4]. On peut crire donc :
I
C1
= I
L1
avec I
L1
= I (II.3)
Comme le phnomne est priodique, le courant moyen du condensateur C
1
est nul.
Ainsi, des quations (II.2) et (II.3) [4], il vient :
|I
C1
|
S
ON
] I + |I
C1
|
S
OFF

] (1 -)I = u (II.4)
O : D est le rapport cyclique, et T est la priode de commutation.
Lquation (II.4) se simplifie :
-I
L2
I + I
L1
(1 -)I = u (II.5)
Ce qui conduit :
I
L1
I
L2
=
1-
(II.6)
En supposant que le convertisseur est idal, la puissance moyenne fournie par la source
doit tre gale la puissance moyenne absorbe par la charge [4].
P = P
0
(II.7)
Ce qui donne I
L1
= I
0
I
L2
(II.8)
Il vient donc :
I
L1
I
L2
=
v
0
v
(II.9)
A partir des quations (II.6) et (II.9), la tension de sortie du convertisseur Cuk est :
I
0
=
-
1-
I (II.10)
Durant lintervalle de conduction du transistor S, les quations suivantes sont vrifies :
I
L1
= I (II.11)
I
L2
= I
C1
-I
C2
(II.12)
I
C1
= -I
L2
(II.13)
I
0
V
I
I
L2
I
0
I
C2
I
C1
I
L1
I
L2
Page 21
I
C2
= I
L2
-
v
C2
R
(II.14)
Durant lintervalle de conduction de la diode, les quations sont vrifies :
I
L1
= I -I
C1
(II.15)
I
L2
= -I
C2
(II.16)
I
C1
= I
L1
(II.17)
I
C2
= I
L2
-
v
C2
R
(II.18)
II.1.3.1 Formes d'ondes
Les figures suivantes donnent les formes donde des grandeurs du convertisseur Cuk sur
une priode de commutation [11].

Figure II.4: Tension de linductance I
1
dans un convertisseur Cuk
A partir de la figure (II.4), la valeur moyenne de I
I1
est :
|I
L1
|
mo
= I +
(I -I
C1
) = u (II.19)
Avec
= (1 -)

Figure II.5: Tension de linductance I
2
A partir de la figure (II.5), la valeur moyenne de la tension I
L2
est :
|I
L2
|
mo
= (I
C1
-I
C2
) +
(-I
C2
) = u (II.20)
I
I (1 -)I
I -I
C1
t
I
L1
(t)
0
DT T
-I
C2
I (1 -)I
I
C1
-I
C2
t
I
L2
(t)
Page 22
t

Figure II.6: Courant moyen du condensateur C
2
A partir de la figure (II.6), la valeur moyenne de I
C2
est :
|I
C2
|
mo
= I
L2
-
v
C2
R
= 0 (II.21)

Figure II.7: Courant de l'inductance I
1
A partir de la figure (II.7), durant lintervalle de conduction du transistor S, nous avons :
d
L1
(t)
dt
=
v
L1
(t)
L
1
=
v
L
1
(II.22)
d
L2
(t)
dt
=
v
L2
(t)
L
2
=
v
C1
-v
C2
L
2
(II.23)

Figure II.8: Courant d'inductance I
2
I
L1
I
I
1
I -I
C1
I
1
I I
t
i
L1
(t)
I
L1
I
L2
I
I
t
i
L2
(t)
I
L2
I
C1
-I
C2
I
2

-I
C2
I
2

0
I
L2
-
v
C2
R
= 0
I (1 -)I
I
c2
(t)
0
Page 2S
A partir de la figure (II.8), durant lintervalle de conduction de la diode, nous avons :

d
L1
(t)
dt
=
v
L1
(t)
L
1
=
v-v
C1
L
1
(II.24)
d
L2
(t)
dt
=
v
L2
(t)
L
2
=
-v
C2
L
2
(II.25)

Figure II.9: Tension du condensateur C
1
A partir de la figure (II.9) et durant lintervalle de conduction de transistor S, nous avons:
dv
C1
(t)
dt
=

C1
(t)
C
1
=
-I
L2
C
1
(II.26)

Par contre durant lintervalle de conduction de la diode, nous avons:
dv
C1
(t)
dt
=

C1
(t)
C
1
=
I
L1
C
1
(II.27)
A partir de lquation (II.22), on peut crire:
I
L1
=
v 1
L
1
(II.28)
De lquation (II.23), il vient: I
L2
=
(v
C1
-v
C2
)1
L
2
(II.29)
En utilisant lquation (II.26), il vient: I
C1
=
I
L2
1
C
1
]
(II.30)
Et partir des quations (II.19), (II.20) et (II.21) on a :
I
C1
=
v
(II.31)
I
C2
=
v
(II.32)
I
L2
=
v
C2
R
(II.33)
En remplaant lquation (II.33) dans lquation (II.30) et les quations (II.31), (II.32) dans
lquation (II.29) Ce qui nous donne en dfinitive :
I
C1
=
v
2
(1-)C
1
]R
(II.34)
I
L2
=
v
]L
2
(II.35)
I
C1
-I
L2
C
1

I
L1
C
1
I I
t
I
C1
I
C1
(t)
Page 24
I
L1
=
v
]L
1
(II.36)
I
0
=
I
L2
8 C
2
]
=
v
8 C
2
L
2
]
2
(II.37)
II.1.3.2 Dimensionnement des composants
La figure II.11 reprsente le schma dun convertisseur Cuk reli la sortie du panneau
photovoltaque (PV) dont le point de puissance maximale est dfini par une tension V=360 V et
un courant I=29.45 A.
Calculons la tension de sortie, le rapport cyclique et le courant de sortie, sachant que la
rsistance de charge est R=15.08 .
La puissance consomme par la charge est : P
0
=
v
0
2

R

La puissance P
0
doit tre gale la puissance maximale fournie par le panneau photovoltaique
P
0
= 1u6uu w , R = 1S.u8 la tension de sortie est gale : I
0
= 4uu I
partir lquation (II.10) : = u.S2
Et partir lquation (II.6), le courant de charge est :
I
0
=
(1-)I

=
(1-0.525)29.45
0.525
= 26.64 A
II.1.3.2.1 Calcul des inductances
La taille de linductance dpend de londulation du courant de l'inductance fixe
gnralement 5% du courant moyen de linductance [4].
A partir de lquation (II.36), linductance I
1
calcule par :
I
1
=
v
]I
L1

I
L1
= I
L1
(u.uS) = I(u.uS) = 29.4S (u.uS) = 1.47 A
Pour = u.S2S, I = S6uI, = Su kEZ, on trouve :
I
1
=
360 (0.525)
50 10
3
(1.47)
= 2.S67mE
Et partir de lquation (II.35), linductance I
2
est calcule par :
I
2
=
v
]I
L2

I
L2
=I
L2
(u.uS) = I
0
(u.uS) = 26.64 (u.uS) = 1.SS2 A
Donc :
Pour = u.S2S, I = S6uI, = Su kEZ, on trouve :
I
2
=
360 (0.525)
50 10
3
(1.332 )
= 2.8S7 mE
II.1.3.2.2 Calcul des capacits
Les capacits des condensateurs sont calcules en supposant que les ondulations de
tension ne dpassent 5% de leurs valeurs moyennes.
A partir de lquation (II.34), la capacit C
1
est calcule par :
Page 2S
C
1
=
v
2
(1-)v
C1
]R

I
C1
= I +I
0
= S6u +4uu = 76u I
I
C1
= 76u (u.uS) = 2S I
Pour I = S6u I, = u.S2S , = Su kEZ, R = 1S.u8 , I
C1
= 76uI , on trouve :
C
1
=
360 (0.525)
2
(1-0.525) 23 50 10
3
15.08
= u.12u F
A partir de lquation (II.37), la capacit C
2
est calcule par :
C
2
=
I
L2
8 v
0
]

I
0
= u.uS 4uu = 2u I
Pour I
L2
= 1.SS2A , = u.S2S, I
0
= 4uu I , = Su kEZ , on trouve :
C
2
=
1.332
8 20 50 10
3

= u.166S F
II.1.3.3 Choix de la diode
Quand linterrupteur de puissance est bloqu la diode conduit et permet le passage du
courant pour linductance. Les critres les plus importants pour le choix de la diode sont :
La rapidit de la commutation, la tension de claquage, le courant qui la traverse, sa
tension inverse ce qui va rduire au minimum la dissipation de puissance [10].
II.1.3.4 Principe du PWM
Dans les convertisseurs DC-DC, la tension de sortie doit tre rgule pour tre
constamment gale une tension de rfrence, du fait que la tension dalimentation V et les
caractristiques de la charge peuvent varier.
Une mthode pour rguler la tension de sortie I
0
(t) afin dobtenir une tension moyenne
I
0mo
fixe consiste ajuster en permanence le rapport cyclique de commande de linterrupteur
=
t
ON
1
sans modifier T.
Cette mthode qui consiste faire varier la largeur des impulsions de commande de
linterrupteur est appele mthode de Modulation de Largeur dImpulsion (MLI) ou encore
PWM (Pulse Width Modulation).
Le signal de contrle de linterrupteur S devra tre labor par comparaison entre le
rapport cyclique D et une tension en dents de scie I
S
comme suit :

Figure II.10: Principe du PWM (DC/DC)

Comparateur
I
S
S
Page 26
.
- Lorsque > VDS : S = 1, linterrupteur S est command la fermeture (tat ON).
- Lorsque < VDS : S = 0, linterrupteur S est command louverture (tat OFF).
II.1.3.5 Rsultats de Simulation
La figure II.11 montre le schma du circuit du Cuk alimentant une charge rsistive R.

Figure II.11: Circuit lectrique dun convertisseur DC-DC de type Cuk

La simulation du Cuk a t ralise en utilisant les paramtres suivants :
Tension dentre I = S6u I
Courant dentre I = 29.4S A
I
1
= 2.S67mE
I
2
= 2.8S7 mE
R = 1S.u8
C
1
= u.12u F
C
2
= u.166S F
= u.S2S
= Su kEZ
PWM D
PV
Page 27

Figure II.12: Tension dentre du convertisseur Cuk

Figure II.13: Tension de sortie du convertisseur Cuk

0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
temps(s)
t
e
n
s
i
o
n

d
'
e
n
t
r
e
(
V
)
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
temps(s)
t
e
n
s
i
o
n

d
e

s
o
r
t
i
e
(
V
)
Page 28

Figure II.14: Courant dentre du convertisseur Cuk

Figure II.15 : Courant de sortie du convertisseur Cuk

Les rsultats de simulation montrent que la tension de sortie illustre par la figure II.13
est conforme celle calcule thoriquement. La tension dentre est proche de leur valeur
calcule thoriquement, ceci est d linfluence des pertes dans les composants de puissances
non prisent en compte lors du dimensionnement des convertisseurs.

0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
33.25
33.25
33.25
33.25
33.25
33.25
33.25
temps(s)
c
o
u
r
a
n
t

d
'
e
n
t
r
e
(
A
)
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
0
5
10
15
20
25
30
temps(s)
c
o
u
r
a
n
t

d
e

s
o
r
t
i
e
(
A
)
Page 29
II.2 Poursuite du point de puissance maximale

II.2.1 Introduction
Les cellules photovoltaques sont utilises pour fournir de lnergie dans de nombreuses
applications lectriques. Pour obtenir la puissance maximale du panneau solaire, lalgorithme de
poursuite du point de puissance maximale (Maximum Power Point Tracking : MPPT) est utilis
pour contrler les variations de la caractristique courant-tension des cellules. A noter que la
caractristique dune cellule est affecte par lclairement et la temprature.
Notre systme doit donc pouvoir voluer, rapidement et efficacement, en fonction des
changements dilluminations et variation du point de puissance maximale (Maximum Power
Point : MPP) [8]. Une possibilit aurait t de fixer un point de fonctionnement, en abaissant la
tension du panneau et dans un mme temps en augmentant le courant. Or ceci nest plus valable
lorsque le point de puissance maximale change. Ainsi le systme MPPT doit suivre le point de
fonctionnement optimal du panneau [3].
Dans le domaine de la conversion d'nergie, la commande MPPT contrle le
convertisseur DC-DC assurant l'interface de puissance du gnrateur photovoltaque et la charge.
Cette commande permet au gnrateur d'nergie de fournir une puissance maximale [12].
Dans ce contexte plusieurs mthodes de poursuite et algorithmes ont t mises en
application, chacune prsente des avantages et des inconvnients. Ce chapitre donne une
prsentation gnrale des deux mthodes de poursuite du point de puissance maximale les plus
rpandues.
II.2.2 Algorithme de perturbation et dobservation
II.2.2.1 Algorithme P&O simple
Cest lalgorithme de poursuite du PPM le plus utilis, et comme son nom lindique, il est
bas sur la perturbation du systme par laugmentation ou la diminution de I
c]
ou en agissant
directement sur le rapport cyclique du convertisseur DC-DC, puis lobservation de leffet sur la
puissance de sortie du panneau. Si la valeur de la puissance actuelle P(k) du panneau est
suprieure la valeur prcdente P (k-1) alors on garde la mme direction de la perturbation
prcdente sinon on inverse la perturbation du cycle prcdent. La figure II.16 donne
lorganigramme de cet algorithme.
Avec cet algorithme la tension de fonctionnement I est perturbe chaque cycle du
MPPT. Ds que le MPP sera atteint, V oscillera autour de la tension idale I
mp
de
fonctionnement. Ceci cause une perte de puissance qui dpend de la largeur du pas d'une
perturbation simple.
Si la largeur du pas est grande, l'algorithme MPPT rpondra rapidement aux changements
soudains des conditions de fonctionnement, mais les pertes seront accrues dans les conditions
stables ou lentement changeantes [13].
Si la largeur du pas est trs petite, les pertes dans les conditions stables ou lentement
changeantes seront rduites, mais le systme ne pourra plus suivre les changements rapides de la
temprature ou de l'insolation.
Linconvnient de la mthode P&O est lorsquune augmentation brutale de
lensoleillement est produite on aura une augmentation de la puissance du panneau, lalgorithme
prcdent ragit comme si cette augmentation est produite par leffet de perturbation prcdente,
alors il continue dans la mme direction qui est une mauvaise direction, ce quil loigne du vrai
point de puissance maximale.
Page Su
Ce processus continu jusqu la stabilit de lensoleillement o il revient au vrai point de

puissance maximale. Ceci cause un retard de rponse lors des changements soudains des
conditions de fonctionnement et des pertes de puissance [12].
II.2.2.2 Algorithme P&O amlior
Pour remdier linconvnient de la mthode P&O simple, une version amliore de
lalgorithme P&O est propose. On introduit une nouvelle condition la branche Oui de la
condition AP(k) > u . Si AP(k) est positif dans les deux cycles prcdents de perturbation ou
si la direction de perturbation tait dans la mme direction dans les deux cycles prcdents, alors
la prochaine perturbation sera inverse par rapport la prcdente sans prise en compte de la
direction de variation de la puissance [13].

Figure II.16 : Organigramme de lalgorithme de perturbation et dobservation (P&O)

Dbut
Nesuiei I(k), v(k)
P(k) = I(k)v (k)
P(k) = P(k) - P(k -1)
v(k - 1) = v(k)
P(k - 1) = P(k)
Diminuer la tension Augmenter la tension Diminuer la tension
P(k)
v(k) > u v(k) > u
v(k) = v(k) - v(k - 1)
Augmenter la tension
Oui
Non
Oui
Oui
Non
Non
Page S1
II.2.2.3 Commande MPPT

Comme expliqu dans la section prcdente, l'algorithme MPPT indique un contrleur
de MPPT comment dplacer la tension d'opration. Puis, il est la tche d'un contrleur de MPPT
d'apporter la tension un niveau dsir et de la maintenir. Il y a plusieurs mthodes employes
pour raliser le MPPT [4].
II.2.2.4 Commande directe
Suivant la figure II.17, cette mthode de contrle est plus simple et emploie seulement
une boucle d'avertissement, et elle effectue l'ajustement du rapport cyclique dans l'algorithme
MPPT.
La rsistance vue par le PV est la rsistance d'entre du convertisseur. Dans un
convertisseur Cuk, la rsistance dentre est exprime en fonction de la rsistance de charge par :
R
n
=
I
s
I
s
=
(1-)
2
2
R
cb
(II.38)
R
ch
: la rsistance de la charge
D: le rapport cyclique du convertisseur Cuk.
Selon lquation (II.6), laugmentation de D diminuera la rsistance d'entre (R
n
), ainsi la
tension d'opration du PV se dplace vers la gauche. De mme, la diminution de D
augmentera (R
n
), ainsi la tension d'opration se dplace vers la droite. Lalgorithme de
poursuite (P&O) prend la dcision comment dplacer la tension d'opration.
La rponse temporelle de l'tage de puissance et de la source de PV est relativement lente
(10 50 millisecondes selon le type de charge) [4].
II.2.2.5 Commande directe de la sortie
Cette mthode est une variante de la commande directe exigeant uniquement deux
capteurs lun pour la tension et lautre pour le courant de sortie. Les deux mthodes mentionnes
ci-dessus emploient des capteurs d'entre ce qui permet davoir une commande prcise du point
de fonctionnement du module. Cependant, elles exigent habituellement d'autres capteurs pour
dtecter l'tat de surtension et de surintensit de la charge. La ncessit de quatre capteurs rend
difficile la rduction du cot du systme.
Cette mthode dtecte la variation de puissance du PV ct sortie du convertisseur et
utilise le rapport cyclique comme variable de contrle.
La figure II.18 montre l'organigramme de l'algorithme en question. Il perturbe le rapport
cyclique et mesure la puissance de sortie du convertisseur. Si la puissance augmente, le rapport
cyclique est encore perturb dans la mme direction; dans le cas contraire la direction sera
renverse [4].
II.2.2.6 Limitations du MPPT
L'inconvnient principal du MPPT est qu'il n'y a aucun contrle de la sortie tandis qu'il
dpiste un point de puissance maximum. Il ne peut pas rgler l'entre et la sortie en mme
temps.
En ralit le convertisseur DC-DC utilis dans le MPPT n'est pas 100% efficace. Le gain
d'efficacit du MPPT est grand, mais le systme doit tenir compte des pertes d'efficacit du
convertisseur DC-DC. Il y a un compromis tenir en compte entre l'efficacit et le cot. Il est
Page S2
galement ncessaire de chercher d'autres mthodes d'amlioration de l'efficacit telles que

l'utilisation d'un traqueur du soleil [4].

Figure II.17:Schma fonctionnel du MPPT avec une commande directe

Convertisseur
DC-DC
PWM
Algorithme MPPT avec rapport cyclique
I I
Panneau
PV
Charge
Page SS

Figure II.18: Organigramme de lalgorithme perturbation et observation contrle direct
II.2.2.7 Simulations du MPPT avec une charge rsistive
La figure II.19 montre le schma bloc du systme simul. Il comprend le module BP SX
150 S avec une irradiation G=1000 wm
2
et de temprature T=25qui alimente un
convertisseur DC-DC (Cuk), Ce dernier est contrl par lalgorithme MPPT et alimente son
tour une charge rsistive R= 16 . Le MPPT utilis est base de contrle direct de la sortie.

Dbut
Mesurer de I
0
(k), I
0
(k)
P
0
(k) = I
0
(k)I
0
(k)
P
0
(k) = P
0
(k)-P
0
(k - 1)
P
0
(k -1) = P
0
(k)
B(k -1) = B(k)
Diminuer le
rapport cyclique
Diminuer le
rapport cyclique
Augmenter le
rapport cyclique
Augmenter le
rapport cyclique
B(k) -B(k -1) > u
P
0
> u
B(k) -B(k -1)) > u
0ui Non
0ui
0ui
Non
Non
Page S4

Figure II.19 :Schma du convertisseur Cuk contrl par MPPT
II.2.2.8 Rsultats de simulation
Les figures suivantes reprsentent les rsultats de simulation de lassociation panneau-
convertisseur DC-DC pour G=1000 wm
2
avec T=25C
:

Figure II.20 :Tension de sortie du convertisseur Cuk (P&O)
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
temps(s)
t
e
n
s
i
o
n

d
e

s
o
r
t
i
e
(
V
)
MPPT
PWM
I
o
I
0
Panneau
Page SS

Figure II.21:Tension dentre du convertisseur Cuk (P&O)

Figure II.22:Puissance dentre du convertisseur Cuk (P&O)

0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
0
100
200
300
400
500
600
temps(s)
t
e
n
s
i
o
n

d
'
e
n
t
r
e
(
V
)
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
0
5000
10000
15000
temps(s)
p
u
i
s
s
a
n
c
e
(
W
)
Page S6
Les rsultats de simulation montrent que les tensions sont trs proches de leurs valeurs
calcules thoriquement, ceci est d linfluence des pertes dans les composants de puissances
non prisent en compte lors du dimensionnement des convertisseurs.
II.2.3 Mthodes contre raction de tension
Dans ce cas on se repose sur le contrle de la tension de fonctionnement des panneaux par
la comparaison de cette tension avec une tension de rfrence. Cela gnre une tension derreur
qui fait varier le rapport cyclique de la PWM de commande afin dannuler cette erreur.

II.2.3.1 Mthode tension de rfrence fixe
A cause de la dpendance de la tension du panneau avec lensoleillement et la temprature,
la tension de puissance maximale est dvie, alors la tension de rfrence doit tre corrige pour
diffrents ensoleillements et tempratures au long des priodes de lanne [13]. Dans cette
mthode la tension de rfrence est prdfinie. Elle correspond la tension moyenne de
lintervalle des points de puissances maximales releves par des tests sous diffrentes conditions
densoleillement et de temprature.
Afin de gnrer le maximum de puissance on fait varier simplement les diffrents facteurs
de pondration lors de la mise au point.
La figure II.23 prsente le schma synoptique de cette mthode.

Figure II.23: Principe de la mthode contre raction de tension avec rfrence
La partie commande pour objectif de dterminer les valeurs de consigne pour la valeur
de la tension de sortie du hacheur ainsi que pour le courant circulant dans ce dernier.
Plusieurs contraintes doivent tre appliques au systme de commande de ce hacheur de
manire assurer un fonctionnement correct.
Nous dfinissons le mode de fonctionnement pour le rgulateur de tension. dans ce mode,
seul le rglage de la tension par le contrle du rapport cyclique de la commande de
linterrupteur.la valeur de la tension U reste dans les limites imposes [U
min
,U
max
]= [350.450].
pour fixer la tension de sortie une rfrence, on effectue un test sur la valeur de cette tension et
on validera un rapport cyclique (commande) suivant son niveau [2].

Convertisseur
DC -DC
Charge
PWM
I
c]
D
I
Panneau
Page S7

Figure II.24: Organigramme de lalgorithme tension de rfrence fixe.

II.2.3.2 Simulations du MPPT sur une charge inductive quelconque autour de la puissance
maximale de GPV
La figure II.23 montre le schma bloc du systme simul. Il comprend le gnrateur PV
avec une irradiation G=1000 wm
2
qui alimente un convertisseur DC-DC (Cuk,). Ce dernier est
contrl par lalgorithme MPPT et alimente son tour une charge inductive quelconque. Le
MPPT utilis est base de contrle direct de la sortie.

II.2.3.3 Rsultats de simulation
Les figures suivantes reprsentent les rsultats de simulation de lassociation panneau-
convertisseur DC-DC pour G=1000 wm
2
avec T=25C
:

D = 0,5
D = 0,001
Dbut
Capture de V
entre
et V
sortie

V
entre
= V
ref

V
entre
>V
ref

D = D + D D = D - D
D= 0,1 D= 0,9
D = D + D D = D - D
Oui Oui
Oui
Oui
Non
Non Non
Page S8

Figure II.25:Tension de sortie du convertisseur Cuk (CRT)

Figure II.26:Tension dentre du convertisseur Cuk (CRT)

0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
0
100
200
300
400
500
600
temps(s)
t
e
n
s
i
o
n

d
e

s
o
r
t
i
e
(
V
)
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
0
100
200
300
400
500
600
temps(s)
t
e
n
s
i
o
n

d
'
e
n
t
r
e
(
V
)
Page S9
Daprs les rsultats de simulation obtenus, on remarque que la poursuite du point de

puissance maximale base sur lalgorithme de commande directe de la sortie est performante soit
du cot poursuite du point de puissance maximale du systme photovoltaque soit du ct de
rgler la tension dsire du sortie ;car le rgulateur gre le systme suivant les fonctions dcrites
prcdemment.la tension de sortie se stabilise la tension de rfrence voulue aprs un rgime
transitoire caus par laccumulation dnergie dans la bobine.
II.3 Conclusion
Dans ce chapitre nous avons prsent toutes les quations qui rgissent le fonctionnement
et le principe de fonctionnement des convertisseurs de type Cuk .
Les rsultats de simulation ont montr la validit de la mthode adopte pour le
dimensionnement des composants. Puis, nous avons mis en vidence la conception dun systme
photovoltaque optimis et par nature difficile. En effet, ct source, pour un panneau
photovoltaque, la production de puissance varie fortement en fonction de lclairement, de la
temprature, mais aussi du vieillissement global du systme. Nous avons montr galement que
tel panneau fonctionne le plus souvent possible dans son rgime optimal, la solution
communment adopte est dintroduire un convertisseur statique qui jouera le rle dadaptateur
source-charge. La commande MPPT permet de faire fonctionner un panneau photovoltaque de
faon produire en permanence le maximum de sa puissance.

Chapitie III Etuue uu compoitement ue la NAS en pisence uun ufaut au uPv
Page 4u

Chapitre III
Etude du comportement de la MAS en
prsence dun dfaut au GPV

III.1 Introduction
Entrainer des charges vitesse variable, tout en contrlant la vitesse ou le couple, est devenu
incontournable dans les industries modernes. De la montre au concasseur, en passant par
llectromnager, les systmes de traction, de levage, les applications sont innombrables et varis,
de mme que les solutions techniques. Toutefois, depuis une vingtaine dannes, les entrainements
par moteurs lectriques connaissent un essor important. Ceci est du en grande partie aux progrs
raliss dans le domaine de la commande des machines a courant alternatif, et est grce au
dveloppement de la technologie des composants de llectronique de puissance, et lapparition des
processus numriques a frquence leve et a forte puissance de calcul [14, 15].
Dans ce chapitre, on prsentera, dans une premire partie, la modlisation dune machine
asynchrone associe un convertisseur statique (un onduleur MLI).
La simulation du comportement de la machine asynchrone en tat sein, ainsi en cas de
dfaillance la fin de ce chapitre.
III.2 Modlisation de la MAS
Les modles des machines lectriques les plus utiliss sont bass sur la thorie unifie des
machines lectriques classiques, dite encore thorie gnralis. Cette thorie est base sur la
transformation de Park, qui rapporte les quations lectriques statoriques et rotoriques un systme
cartsien daxes, d, q [16].
III.2.1 Hypothses simplificatrices
Les phnomnes physiques inhrents au fonctionnement du systme peuvent tre partiellement
ou totalement pris en compte dans un modle. Ils dcoulent plusieurs niveaux de modlisation lis
aux hypothses simplificatrices associes [14].
On adopte les hypothses suivantes [17]:
entrefer constant,
circuit magntique non satur et permabilit constante,
pertes ferromagntiques ngligeables,
la constance des inductances propres . . .,
La figure (III.1) tir du [17] reprsente la distribution spatiale des enroulements statoriques et
rotoriques dune telle machine asynchrone.
Chapitie

Fig

III.2.2 E
III.2.2.1
Par
machine
: = Ri
On ddu
|:
subc
]
et rotori
|:
ubc
]
Le rotor
III.2.2.2
La matr
=
rabc
sabc

III
gure III.1: R
Equations
1 Equation
r application
e, la loi des
+
d
dt
uit pour len
= |R
s
]|i
su
iques:
= |R
]|i
ub
r tant en co
2 Equation
rice des flux
[ ] [
[ ] [
=
rs
s
M
M L

Reprsentati
gnrales d
ns des tensio
n de la loi d
mailles se

nsemble des
ubc
] +JJt
bc
] +
d|
rcb
dt
ourt-circuit
ns des flux

x rels fait a
]
[ ]

rabc
sabc
r
sr
i
i
L
M

ion des enro
de la machi
ons
de Faraday
exprime par

s phases,

sta
t|1
subc
]

bc
]
= |u]
ses tension

apparaitre qu

Etuue uu com
oulements d
ine
y lun des
la relation

atoriques

s sont nulle

uatre sous-m

mpoitement u
de la MAS t
six enroule
[17] :

es.

matrices di

ue la NAS en
triphas dan
ements stato

inductances

pisence uu
ns lespace
oriques et ro

s [17] :

un ufaut au u
Pag

lectrique
otoriques d

(III

(III

(III.

(II
uPv
e 41
de la
I.1)

I. 2)

3)

I.4)

Page 42
Finalement :
[ ] [ ][ ] ( ) [ ][ ] [ ][ ] { }
rabc sr sabc s sabc s sabc
i M i L dt d i R v + + = /
(III.5)
[ ] [ ][ ] ( ) [ ] [ ] [ ][ ] { }
rabc r sabc
t
sr sabc r rabc
i L i M dt d i R v + + = /

(III.6)

III.2.2.3 Equations mcaniques
Lquation fondamentale de la mcanique dcrivant la dynamique du rotor de la
machine [14] :

=
= +
. p
C C f
dt
d
J
r em r

(III.7)

avec :
J : moment dinertie du rotor,

: vitesse angulaire mcanique du rotor,

r
f

: coefficient de frottement visqueux,

em
C : couple lectromagntique dlivr par le moteur,

r
C : couple rsistant, ou de charge,
: vitesse angulaire lectrique du rotor.
III.2.3 Modlisation de Park de la machine asynchrone
III.2.3.1 Principe de la transformation de Park
La transformation directe de Park est dfinie par la matrice [P]. Aux vecteurs originaux [v abc],
[i abc] et [ abc], la transformation de Park fait correspondre les vecteurs [v dq0], [i dq0] et
[ dq0]. La transformation de Park est applique de manire identique au vecteur de tensions, de
courants, et de flux [x dqo]= [xo xd xq]t . Le vecteur xo reprsente la composante homopolaire,
normale au plan form par les vecteurs x a , x b , et x c . Les vecteurs x d et x q
reprsentent les vecteurs diphass qui correspondent aux vecteurs x a , x b , et x c [14 ,15 ].
La transformation de Park est dfinie par :
[ ] [ ] [ ]
abc dq
x P x =
0

(III.8)

O [P] est la matrice de passage direct, elle est donne par :
[ ]
+
+
=
2 / 1 2 / 1 2 / 1
) 3 / 2 sin( ) 3 / 2 sin( sin
) 3 / 2 cos( ) 3 / 2 cos( cos
.

c P

(III.9)

Page 4S
Avec ) (
s
= pour le stator, ou ) (
r
= pour le rotor. c est une constante qui peut prendre soit
les valeurs (2/3) ou 1 pour la non conservation de puissance, soit la valeur (2/3) pour une
conservation de puissance [18].
Dans notre cas, nous prendrons : c= (2/3)
On remarque que
s
et
r
sont naturellement lis par la relation rigide :
= ) (
r s

(III.10)

On dduit par drivation :
= = = p
dt
d
r s

) (

(III.11)

o:

s
: vitesse des axes d, q dans le repre statorique,

r
: vitesse des axes d, q dans le repre rotoriques.
III.2.3.2 Equations des tensions
Les quations de Park statoriques et rotoriques scrivent :
( )
( )
( )
( )
= + + =
= + =
+ + =
+ =
0 / ) / (
0 / ) / (
/ ) / (
/ ) / (
rd r rq rq r rq
rq r rd rd r rd
sd s sq sq s sq
sq s sd sd s sd
dt d dt d i R v
dt d dt d i R v
dt d dt d i R v
dt d dt d i R v

(III.12)

avec :
=
=
dt d
dt d
r r
s s
/
/

(III.13)

III.2.3.3Equations magntiques
+ =
+ =
+ =
+ =
sq rq r rq
sd rd r rd
rq sq s sq
rd sd s sd
Mi i L
Mi i L
Mi i L
Mi i L

(III.14)

III.2.3.4 Equation mcanique

( ) 24 . =
r r em
f C C
dt
d
J

(III.15)

Page 44
III.2.4 Expression du couple lectromagntique

Le couple lectromagntique peut prendre diverses formes, en fonction des variables que lon
limine (o p est le nombre de paires de ples) [15]:
( ) 25 . ) ( =
sd rq sq rd
r
em
i i
L
pM
C

(III.16)

III.3 Choix du rfrentiel
Il y a trois transformations de rfrentiel qui sont couramment employes dans la simulation des
machines lectriques. Dans chaque cas il s'agit d'assigner une vitesse particulire au rfrentiel pour
obtenir une transformation donne. Ces transformations se font dans les rfrentiels suivants [19]:
rfrentiel (d, q) fix au stator ou stationnaire :
0 =
dt
d
s
=
dt
d
r

(III.17)
La transformation dans le rfrentiel (d, q) fix au stator ou stationnaire porte aussi le nom de
transformation de Clarke ou transformation (, ). Ce rfrentiel tant fixe, la vitesse est nulle.
Comme la vitesse est nulle, langle du rfrentiel demeurera constant et sa valeur est arbitraire. Nous
avons choisi de travailler avec un angle nul [19].
rfrentiel (d, q) fix au rotor :
=
dt
d
s
, 0 =
dt
d
r

(III.18)
La vitesse du rfrentiel ainsi que sa position angulaire deviennent celles du rotor.
rfrentiel (d, q) synchrone :
s
s
dt
d
= ,
r s
r
dt
d

= =

(III.19)
Ce rfrentiel tourne la vitesse du champ tournant du stator.

Le choix de transformation de rfrentiel est essentiellement dict par les variables de phase que
nous voulons observer ainsi que I application.
Si les variables de phases au stator et au rotor ne nous intressent pas, la machine peut tre
simule dans le rfrentiel synchrone sans qu'aucune transformation ne soit ncessaire. Si l'on dsire
simuler cette machine dans des conditions quilibres mais que cette fois, on dsire observer les
courants de phase statoriques, la transformation dans le rfrentiel stationnaire est celle qui requiert
le moins de calculs. Si par contre on s'intresse aux courants de phase rotoriques, la transformation
dans le rfrentiel fix au rotor sera la plus avantageuse [19].
III.3.1 Rfrentiel li au champ tournant
En substituant (III.17)

dans(III.12) on obtient les quations de la machine asynchrone dans le
repre (d, q) li au champ tournant :
Page 4S
= + + =
= + =
+ + =
+ =
0 ) ( ) / (
0 ) ( ) / (
) / (
) / (
rd s rq rq r rq
rq s rd rd r rd
sd s sq sq s sq
sq s sd sd s sd
dt d i R v
dt d i R v
dt d i R v
dt d i R v

(III.20)

L'avantage d'utiliser ce rfrentiel, est d'avoir des grandeurs constantes en rgime permanent. Il
est alors plus ais de faire la rgulation [19].
III.3.2 Rfrentiel li au stator
Pour obtenir les quations de la machine asynchrone dans le rfrentiel (d, q) li au stator, il
suffit donc de substituer dans le systme dquations du rfrentiel (d, q) arbitraire (III.12) les
valeurs (III.17), et en remplaant d par et q par . Dans ces conditions, on obtient
le systme dquations (III.21) :

= + =
= + + =
+ =
+ =
0 ) / (
0 ) / (
) / (
) / (

r r r r r r
r r r r r r
s s s s
s s s s
dt d i R v
dt d i R v
dt d i R v
dt d i R v

(III.21)

Cest le repre le mieux adapt pour travailler avec les grandeurs instantanes, il possde des
tensions et des courants relles et peut tre utilis pour tudier les rgimes de dmarrage et de
freinage des machines courant alternatif
III.4 Modlisation de la machine asynchrone alimente en tension
III.4.1 Mise en quation dtat
Une caractristique importante du modle est la nature des variables d'tat. Dans la plupart des
modles de machines lectriques, les variables d'tat sont gnralement les courants circulant dans
les divers enroulements de la machine ou les flux de ces mmes enroulements. Le choix devrait tre
dict par le systme d'quations qui requiert le moins de calcul [19].
Pour une machine asynchrone alimente en tension, les tensions statoriques v
s
et v
s

reprsentent les variables de commande, et nous considrons les courants statoriques ) , (
s s
i i , les
flux rotoriques ) , (

r r
et la pulsation mcanique

comme variables dtat, le couple
rsistant
r
C tant comme perturbation. .
On cherche obtenir un systme dquation crit sous forme :

=
+ =
CX Y
BU AX X
(III.31)
avec :
X : vecteur dtat,
Y : vecteur de sortie,
(III.22)
Page 46
A : matrice dvolution dtat du systme,

B : matrice de commande (dentre),
U : vecteur du systme de commande,
C : matrice dobservation.

Les quations d'tat de la partie lectrique de notre modle s'obtiennent en substituant les flux
de (III.14) dans les quations des tensions (III.21)

puis en isolant les drives des courants et des
flux. On obtient alors le systme dquations (III.23) suivant :
( ) 32 .
1
1
1
1
+ =
=
+ + + =
+ + + =

r
r
r s
r
r
r r
r
s
r
r
s
s
r
r
r s s
s
s
r r
r
s s
T
i
T
M
T
i
T
M
v
L T
k
k i i
v
L
k
T
k
i i
par identification :

( ) 33 .
0 0 1 0
0 0 0 1
,
0 0
0 0
1
0
0
1
,
1
0
1
0
0
0
= C
L
L
B
T T
M
T T
M
T
k
k
k
T
k
A
s
s
r r
r r
r
r

avec :
), (
1
2
r r
s
s s r
T L
M
R
L
et
L L
M
k + = =

r s
L L
M
2
1 = : Facteur de dispersion,

r
r
r
R
L
T = : Constante du temps rotorique.

(III.24)
(III.23)
Chapitie

III.4.2 E
De
celle du
=
em
dt
d
J
C
III.5 M
Les
largeme
matire
perform
cesse gr
base d'a
d'excut
III.5.1 M
Un
interrup
bche a
court-ci
manire
Le
donn p
F
Pour sim
la
la
III
Equations
(III.15), le
u mouvemen
+ +
r r
s r
r
f C
i
L
pM
(

Modlisation
s onduleurs
ent utiliss
de semi-co
mants. En se
randissante
architecture
ter en temp
Modlisatio
onduleur d
pteurs. Pour
avec une dio
ircuitage de
e complme
schma str
par la figure
Figure III.2 :
mplifier lt
commutatio
chute de te

mcanique
expression d
nt sont donn
=
em
s r
C
i )

n de lalime
de tension
dans les s
onducteur o
econd lieu,
des process
e reconfigur
s rel des al
on de lond
de tension t
r chaque int
ode de rcup
la source, l
entaire [14,
ructurel de
e (III.2) :
: Schma d
tude, on sup
on des inter
nsion aux b

es
du couple
ne par :

entation de
n, associs
systmes d'e
ont permis
l'volution
seurs de sig
rable (FPG
lgorithmes c
duleur de te
triphas est
terrupteur e
pration. Po
les interrupt
21,17].
londuleur
un onduleu
pposera que
rrupteurs es
bornes des in
Etuue uu com
lectromagn

la MAS
aux machin
entranemen
la ralisati
n des techn
gnaux (DSP
A,"Field P
complexes
ension triph
constitu d
est form pa
our assurer
teurs k
11
et k
de tension
ur de tension
[21] :
st instantan
nterrupteurs
mpoitement u
ntique expr

nes coura
nt industrie
ion de conv
iques num
P, "Digital S
Programmab
de contrle
has
de trois cell
ar un transi
la continuit
k
12
, k
21
et k
alimentant
n triphase
e,
s est nglige
ue la NAS en
rim dans n

ant alternat
els. En prem
vertisseurs
riques, not
Signal Proce
ble Gate A
des conver
lules (bras)
istor (ou un
t des coura
k
22
, k
31

et k
3
t le stator d
alimentant
eable,
pisence uu
notre rfren

tif, sont de
mier lieu, l
statiques d
tamment l'u
essing") et
rray"), perm
rtisseurs [20
de commu
n thyristor)
ants alterna
32
doivent
du moteur a
le stator de
un ufaut au u
Pag
ntiel (, )

(III.
nos jours
les progrs
e plus en p
utilisation s
des systme
met dsorm
0].
utation de d
mont en t
atifs et vite
tre contrl
asynchrone

e la MAS
uPv
e 47
), et
25)

trs
s en
plus
sans
es
mais
deux
te-
er le
de
est
Chapitie

la
Do on
On
k
ci
, on
=
=
=
31
21
11
1
1
1
f
f
f
avec :
f
ci

f
ci

Lo
nuds
par les t
=
=
=
cn
bn
an
f v
f v
f v
Les tens
=
=
=
u
u
u
sca
sbc
sab
Pou
statoriqu
+
sb sa
v v
Les tens
III
charge triph
n prsente c
F
dfinit la f
a :
30
20
10
1
1
f
f
f

=1 si linte
=0 si linte
onduleur est
a , b
tensions sui
c
c
c
U f
U f
U f
31
21
11

sions compo
(
(
(
31
21
2 11
f f U
f f U
f f U
c
c
c
ur une cha
ues simples
0 = +
sc b
v

sions simple

has est qu
chaque paire
igure III.3 :
fonction de

errupteur es
errupteur es
t aliment p
et c de
ivantes :

oss dlivr
)
)
)
11
31
21
f
f
f

arge triphas
s sont relis

es sont lie

uilibre, cou
e transistor-
: Interrupteu
connexion

t ferm,
t ouvert.
par un gnr
londuleur

es par cet o

s quilibr
par :

es aux tensio
Etuue uu com
upl en toi
diode par u
ur bidirectio
f
ci
(c {1, 2

rateur photo
triphas par

onduleur son

e, coupl

ons compos
mpoitement u
ile avec un n
une seule int
onnel de pa
2, 3}, i {

ovoltaque,
r rapport au

nt donns p

en toile

ses par :
ue la NAS en
neutre isol
terruptrice b

aire transist
1, 2}) comm

damplitude
u point milie

par :

avec un n

pisence uu
.
bidirectionn
tor-diode
me ltat de

e U
c
. Les
eu fictif n

neutre isol

un ufaut au u
Pag
nelle.
e linterrupt

(III.
s potentiels
n sont don

(III.

(III.2
, les tensi

(III.
uPv
e 48
teur
26)

des
nns
27)
28)
ions
29)

Page 49
=
=
=
) (
3
1
) (
3
1
) (
3
1
sbc sca sc
sab sbc sb
sca sab sa
u u v
u u v
u u v

(III.30)
Aprs arrangement les quations des deux systmes (II.28) et (II.30), on obtient le systme
matricielle suivant :

31
21
11
2 1 1
1 2 1
1 1 2
3
f
f
f
U
v
v
v
c
sc
sb
sa

(III.31)
Pour dterminer les fonctions f
ci
, on prsentera dans ce qui suit la stratgie de commande de
londuleur.

III.5.2 Commande de londuleur par la stratgie triangulo-sinusodale
La MLI Sinus-Triangle utilise le principe d'intersection entre une rfrence sinusodale de
frquence f, appele modulante, et un signal triangulaire de haute frquence f
p
, appele la porteuse
P, pour dterminer les instants de commutation. Le schma de principe est donn par la figure
(III.4) [20].

Figure III.4: Principe de la MLI Sinus-Triangle(DC/AC)

Les signaux de rfrence sont dfinis par [22]:
3 , 2 , 1 ,
3
) 1 ( 2 2 sin ) ( =
= j j ft V t V
m refj

(III.32)
La porteuse est donne par [21]:
Page Su
( )
( )
+
+
+ +
+
+
=
] ) 1 ( ,
2
1
[ 3 4
4
]
2
1
, [ 1 4
4
) (
p p
p
pm
p p
p
pm
p
T n T
n
t si n
T
t
V
T
n
nT t si n
T
t
V
t V

(III.33)
avec : T
p
priode de V
p

La commande MLI est caractrise par les deux paramtres [16] :
lindice de modulation m gal au rapport de la frquence de modulation sur la frquence de
rfrence,
Le coefficient de rglage en tension r gal au rapport de lamplitude de la tension de
rfrence la valeur crte (U
c
/2) de londe de modulation.
Notez que laugmentation de m rejette les premiers harmoniques non nuls vers les frquences
leves et donc facilite le filtrage. Mais m est limit par le temps de commutation des interrupteurs
du londuleur et donc par la largeur minimale des impulsions [16].
Alors, le choix de m procde dun compromis entre la neutralisation des harmoniques et le
rendement de londuleur, dans notre travail nous avons prend m=100. Tandis que, par action sur r
on peut faire varier la valeur efficace du fondamental de la tension de sortie.
III.6 Simulation du comportement du systme en tat sain
III.6.1 paramtres de la machine asynchrone
Pour toute simulation dans ce mmoire, nous avons adopt une machine asynchrone de puissance
5.5Kw dont les caractristiques suivantes :
La tension nominale : U=220/380V.
Le courant nominal : 21/12A.
Frquence du rseau : 50 Hz.
Vitesse nominale : Nn= 2930 tr/mn.
Nombre de paires de ples : p = 1.
Rsistance statorique : Rs = 2.25 Ohm.
Inductance cyclique statorique : Ls = 0.1232 H.
Rsistance rotorique : Rr = 0.70 Ohm.
Inductance cyclique rotorique : Lr = 0.1122 H
Inductance mutuelle cyclique : M = 0.1118 H.
Constante de temps rotorique : Tr = 0.1600 s.
Constante de temps statorique : Ts = 0.0546 s.
Coefficient de dispersion : =0.1133.
Moment dinertie : J =0.038 kg.m2.
Tableau III.1 : les paramtres de la machine asynchrone

Page S1
III.6.1 Schma de Simulation du comportement du systme

La figure (III.5) illustre le schma bloc de lalimentation (GPV) Onduleur- MAS fait par le logiciel
Simulink sous Matlab.

Figure III.5 : Bloc de simulation de lalimentation de la MAS
La figure (III.6) donne les rsultats de simulation du systme (gnrateur PV-Onduleur-Mas)
en tat sain (rgime de fonctionnement normal), tel quon a illustr : la tension de sortie de GPV, le
courant statorique, le flux rotorique, le couple lectromagntique et la vitesse de rotation de la MAS
en prsence de la charge.

(a) Tension de sortie du GPV(V)

0 0.5 1 1.5 2
-100
0
100
200
300
400
500
600
temps(s)
t
e
n
s
i
o
n

d
e

G
P
V

(
V
)
Page S2

(b)Rponse du courant statorique i
ds
(A)

(c) Rponse du flux rotorique
rd
(Wb)

(d) Rponse du couple lectromagntique C
em
(N.m)
0 0.5 1 1.5 2
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
temps(s)
c
o
u
r
a
n
t

i
d
s
(
A
)
0 0.5 1 1.5 2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
temps(s)
f
l
u
x

f
d
r
(
W
b
)
0 0.5 1 1.5 2
-5
0
5
10
15
20
25
30
temps(s)
c
o
u
p
l
e
(
N
m
)
Page SS

(e) Rponse de la vitesse de rotation w (rad/sec)
Figure III.6: Rsultat de simulation de lalimentation(GPV)-Onduleur-MAS en tat sain lors d'une
application d'un couple rsistant (Cr =15N.m) (t=1.4 s).

III.6.2 Interprtation des courbes
On note que la vitesse de rotation est atteigne la vitesse nominale (300 rad/s) dans un temps
lent, lapplication dune perturbation linstant (t=1.4s) provoque une chute de la vitesse. Ainsi que
les oscillations du couple ont apparu lors du dmarrage. Ces oscillations sont dues principalement la
prsence des harmoniques dans les tensions dlivres par londuleur.
III.7 Simulation du comportement du systme en cas de dfaut
On va tudier les dfauts de la tension dalimentation, tels que le court circuit du gnrateur
photovoltaque.
On va crer un court circuit sur le gnrateur PV linstant (t=1.8s). Lvolution de la tension
dalimentation (GPV), courant statorique, du flux rotorique, du couple lectromagntique et de la
vitesse de rotation de la MAS alimente par un onduleur triphas en prsence de la charge (Cr=
15N.m) (t=1.4s), sont illustrs la figure (III.7).

0 0.5 1 1.5 2
-50
0
50
100
150
200
250
300
350
temps(s)
v
i
t
e
s
s
e
(
r
a
d
/
s
e
c
)
Page S4

(a) Tension de sortie du GPV(V)

(b) Rponse du courant statorique(A)

(c) Rponse du flux rotorique(Wb)
0 0.5 1 1.5 2
0
100
200
300
400
500
600
temps(s)
t
e
n
s
i
o
n

d
e

G
P
V
(
V
)
0 0.5 1 1.5 2
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
temps(s)
c
o
u
r
a
n
t

i
d
s
(
A
)
0 0.5 1 1.5 2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
temps(s)
f
l
u
x

r
o
t
o
r
i
q
u
e

f
d
r
(
w
b
)
Page SS

(d) Rponse du couple lectromagntique C
em
(N.m)

(e) Rponse de la vitesse de rotation w (rad/sec)
Figure III.7 : Rsultats de simulation de la MAS en cas de court circuit de la tension dalimentation
(t=1.8 s), avec une charge de (Cr =15N.m) (t=1.4 s).

III.8 Interprtation des rsultats
Les rsultats de simulation sont prsents dans les Figures [III.6, III.7]. Ces dernires
reprsentent les courbes dvolution des diffrents paramtres : tension, courant, flux, couple et
vitesse.
Le caractre des graphes montre, en phase de dmarrage, que le moteur subit un allongement du
rgime transitoire.
Dans les rgimes anormaux, les grandeurs lectriques sont caractrises par une variation brusque
au moment de lapplication du dfaut (1.8 Sec). Il est signaler que le dfaut de court circuit de
tension influe sur les comportements mcaniques du moteur, cette influence est caractrise par une
chute de la valeur de la vitesse, ainsi que la variation (oscillation) du couple lectromagntique.
0 0.5 1 1.5 2
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
25
30
temps(s)
c
o
u
p
l
e
(
N
m
)
0 0.5 1 1.5 2
0
50
100
150
200
250
300
350
temps(s)
v
i
t
e
s
s
e
(
r
a
d
/
s
)
Page S6
III.9 Conclusion
On a prsent dans ce chapitre la modlisation de la machine asynchrone triphase, en mettant
en exigence la complexit et la non linarit du modle. Par la suite, et en se basant sur un ensemble
dhypothses simplificatrices, le modle de la MAS dans le repre de Park a t tabli dans le but de
linariser le systme et faciliter l'tude. Puis, on a abord la modlisation de la partie d'alimentation,
le principe de fonctionnement et de commande de l'onduleur de tension triphase a t prsent en
donnant le principe de MLI triangulo-sinusodale.
Dans la dernire partie, on a prsent la simulation de la machine asynchrone dans les deux cas :
tat sain et dautre en prsence de dfaut.
Aprs ltude du comportement de la machine asynchrone en tat sain et en tat dfaillant,
nous consacrons le dernier chapitre ltude des rseaux de neurones artificiels pour la dtection des
dfauts de la partie d'alimentation (gnrateur photovoltaque).
ChapitreIV Diagnostic dun gnrateur photovoltaque par rseaux de neurones artificiels
Page57

Chapitre IV
Diagnostic dun gnrateur photovoltaque
par rseaux de neurones artificiels (RNA)

IV.1 Introduction.
Parmi les mthodes dveloppes pour acqurir les connaissances partir dexemples, les RNA
sont particulirement intressants. En effet, ils font preuve de grandes capacits pour gnraliser les
connaissances contenues dans la base dexemples. De plus, ils sont peu sensibles aux donnes
approximatives et la prsence de donnes incorrectes dans la base dexemple utilise lors de leur
apprentissage.
Lapproche alternative a t propose ds lorigine. Biomimtique, le connexionnisme
(lutilisation des rseaux de neurones formels) proposait de construire un systme directement
inspir de ce que lont savait alors de la structure du cerveau. Lide consiste dire que
lintelligence est partie intgrante du cerveau ; en consquence, si lon parvient en reproduire la
structure et la dynamique, on aura ralis un artefact dot dintelligence.
IV.2 Terminologie propre au diagnostic
Il semble intressant, de rappeler les principaux termes utiliss en diagnostic des systmes. La
terminologie suivante sera adopte :
a) Systme physique
Un systme physique est un ensemble dlments (composants, constituants) interconnects ou
en interaction organiss pour raliser une fonction [24].
b) Composant
Un composant est une partie du systme choisie selon des critres lis la modlisation. En tout
premier lieu, le comportement de rfrence de ce composant est bien adapt dans le sens o il peut
tre dfaillant ou servir de support la propagation des pannes dans le systme. Un composant doit
tre simple modliser dans le sens o cela doit tre naturel : il peut sagir dun composant
(physique ou logique) complet du systme ou dune partie parfaitement dlimite de ce composant,

Page58
dun groupe de composants. Le comportement du composant lmentaire nest pas dcomposable ou

alors cette dcomposition nest pas souhaite, il constitue une brique du comportement du
systme [23].
c) Modle
Un modle dun systme physique est une description de sa structure et une reprsentation
comportementale ou fonctionnelle de chacun de ses composants. Une reprsentation
comportementale est constitue de relations entre diverses variables du systme, appeles
classiquement relations de causes effets. Une reprsentation fonctionnelle est plus abstraite
puisquelle ne sadresse quaux objectifs prsums que le systme physique doit remplir. Le niveau
structurel, quant lui, sappuie sur la structure relle du systme physique et dcrit les
interconnections entre ses diffrents lments ou constituants. Les niveaux comportemental et
fonctionnel comprennent des relations entre des grandeurs physiques (variables) et permettent de
mettre en vidence la prsence dun vnement anormal ou anomalie. Le niveau structurel, quant
lui, permet de dterminer llment affect par le dfaut. Lintrt de cette dcomposition est de
rappeler que, puisquun modle contient toute linformation relative un systme physique, il est
utilisable ensuite par la procdure de diagnostic [23].
d) Dfaut
On considre comme dfaut tout cart entre la caractristique observe sur le dispositif et la
caractristique de rfrence, lorsque celui-ci est en dehors des spcifications [24].
Un dfaut n'implique pas ncessairement une dfaillance[23]
e) Dfaillance
Une dfaillance dfinit une anomalie fonctionnelle au sein dun systme physique, cest--dire
caractrise son incapacit accomplir certaines fonctions qui lui sont assignes [24].
Les dfauts incluent dans les dfaillances mais la rciproque n'est pas vraie. Un systme peut
remplir sa fonction tout en prsentant une anomalie de comportement. Par exemple, une machine
lectrique peut produire un bruit anormal tout en entranant correctement une charge, en supposant
que telle soit sa fonction. Le bruit anormal est un dfaut qui peut permettre de prsager d'une
dfaillance venir. La recherche de dfauts est donc fondamentale en diagnostic [23].

Page59
f) Cause de dfaillance
La norme dfinit la cause de dfaillance par les circonstances lies la conception, la
fabrication ou lemploi et qui ont entran la dfaillance [24, 25].
g) Dgradation
Une dgradation est ltat dun ensemble qui prsente [24, 25] :
une perte de performances dune des fonctions assures par lensemble.
un sous-ensemble lui-mme dgrad, voire dfaillant (sans consquence fonctionnelle sur
lensemble).
h) Sret de Fonctionnement
La sret de fonctionnement est galement appele Science des dfaillances . Cette
discipline intervient non seulement au niveau du produit fini (systme existant) mais aussi au niveau
conceptuel pour la ralisation dun systme ou la connexion de plusieurs sous-systmes (surtout sils
sont de natures diffrentes). La sret de fonctionnement consiste connatre, valuer, prvoir,
mesurer, et matriser les dfaillances des systmes [24].
i) Panne
La panne est linaptitude dun dispositif accomplir une fonction requise. Il est clair que ds
lapparition dune dfaillance, caractrise par la cessation du dispositif accomplir sa fonction, on
dclarera le dispositif en panne. Par consquent, une panne rsulte toujours dune dfaillance [10].
j) Symptme
Caractre distinctif d'un tat fonctionnel anormal [23].
k) Rsidu
Un rsidu est un signal potentiellement indicateur de dfauts. Il reflte la cohrence des donnes
vis--vis du modle comportemental du systme [26].
l) Diagnostic
Un diagnostic est un tat expliqu dun systme physique compatible avec les informations
disponibles sur le comportement rel du systme et avec le modle de comportement de rfrence
Page60
disponible. Habituellement, le diagnostic est exprim par les tats des composants ou les tats des
relations de description du comportement [23].
m) Perturbation
Entre du systme physique qui nest pas une commande. Autrement dit, cest une entre non
contrle.
La figure (IV.1) reprsente les anomalies suivant leur criticit. Il existe galement une criticit
croissante entre dfaillance et panne. De la non conformit (ou anomalie) dans le cas dune
dfaillance, on passe une inaptitude accomplir une fonction dans le cas dune panne [23].

Figure IV.1: Anomalies et Observations classes par criticit croissante.

Page61
Ces notions sont illustres partir de l'exemple dun moteur devant assurer une fonction de
ventilation (tableau 1.1).

Dfinition
illustre
vnement (exemple)
Ecart au
Comportement
nominal
(courant, vitesse)
Aptitude
Remplir la
Fonction de
ventilation
Perturbation
Variation de temprature extrieure
(normal)
Petit Totale
dfaut Fort chauffement (anormal) Moyen Totale
Dfaillance
Dclenchement intermittent dun relais
thermique stoppant le ventilateur jusqu
ce quune rparation soit effectue
Grand Partielle
Panne
Suite aux forts chauffements rptitifs,
les isolants sont progressivement
endommags: un court-circuit apparat; le
moteur ne peut plus tourner jusqu ce
quune rparation soit effectue.
Grand Nulle
Tableau IV.1: Illustration des dfinitions laide dun moteur de ventilateur.

IV.3 Les approches usuelles de dtection
Dans ce paragraphe, on va prsenter les principales mthodes utilises en diagnostic de
systmes physiques, savoir [14]:
Mthodes bases sur les modles analytiques,
Mthodes sans modle analytique.
Les principales mthodes de diagnostics sont organises sur la figure (IV.2) :

Page62

Figure IV.2: Principales mthodes utilises en diagnostic des systmes physiques
IV.3.1 Approche avec modle
Ces mthodes reposent sur l'utilisation de modles du processus surveiller incluant ou non
l'influence des dfauts et des perturbations sur l'tat et la sortie. La sortie du modle est compare
aux donnes accessibles pour former un rsidu exploit pour alimenter un mcanisme ddi la
dtection des dfauts. Selon ce mcanisme de diagnostic, on distingue [27]:

la surveillance par les observateurs,
la surveillance par redondance analytique (espace de parit),
la surveillance par estimation paramtrique [27].
IV.3.1.1 Diagnostic de dfauts par observateurs
Les observateurs sont gnralement utiliss dans la synthse des lois de commande des
machines induction. Ils sont senss pour fonctionner dans le contexte d'un systme sans dfaut : ils
sont donc choisis et calculs en fonction de critres de stabilit et de performance. Un dfaut se
traduisant par la rupture des hypothses d'quilibre du modle, il peut se rvler dans la rupture des
Mthodes de diagnostic
Approche sans
modle
Approche
modle
Reconnaissance des
formes
Espace de parit
Systmes
dinfrence flous
Observateurs
Rseaux de
neurones artificiels
Estimation
paramtrique
Page63
grandeurs observes par rapport aux grandeurs mesures. La comparaison de la sortie relle avec la
sortie observe peut donc fournir des informations exploitables pour la dtection et la localisation
des dfauts. On utilise gnralement les observateurs de Luenberger, les observateurs entres
inconnues ou les observateurs grand gain...etc. [27].
IV.3.1.2 Diagnostic de dfauts par redondance analytique
Comme pour les observateurs, la redondance analytique et la projection dans l'espace de parit
sont bases sur l'exploitation des rsidus issus du modle de bon fonctionnement.
La philosophie de cette approche est d'exploiter la redondance analytique existant dans les quations
d'tat lorsque celles-ci sont crites sur un horizon d'observation. Le vecteur de rsidus est alors
gnre en projetant les mesures observes sur cet horizon dans un espace appel espace de parit
[27].
IV.3.1.3 Diagnostic de dfauts par estimation paramtrique
Dans la plupart des cas pratiques les paramtres de processus ne sont pas partiellement connus
ou ne sont pas connus du tout. Puis, ils peuvent tre dtermins avec des mthodes destimation
paramtrique en mesurant l'entre et les signaux de sortie si la structure modle de base est connue
[28].
Cette approche possde lavantage dapporter de linformation sur la taille des dviations.
Toutefois, un des inconvnients majeurs de la mthode rside dans la ncessit davoir un systme
physique excit en permanence. Ceci pose des problmes pratiques dans le cas de procds
dangereux ou fonctionnant en mode stationnaire. De plus, les relations entre les paramtres
mathmatiques et physiques ne sont pas toujours inversibles de faon unitaire, ce qui complique la
tche du diagnostic bas sur les rsidus [27].
IV.3.2 Approche sans modle
IV.3.2.1 Diagnostic de dfauts par reconnaissance des formes
La Reconnaissance des Formes est un des nombreux aspects de l'intelligence artificielle ou plus
exactement de l'intelligence calculatoire. A partir d'un ensemble de donnes ou d'informations
apprises, elle offre la possibilit d'interprter toute nouvelle observation (ou forme) [29].
Les mthodes de diagnostic qui utilisent la reconnaissance des formes sont peut nombreux ce
jour. Un vecteur de paramtres, appel vecteur de forme, est extrait partir de plusieurs mesures.
Page64
Les rgles de dcisions adoptes permettent de classer les observations, dcrites par le vecteur de
forme, par rapport aux diffrents modes de fonctionnement connus avec et sans dfaut [30].
Pour classer ces observations, il faut obligatoirement tre en mesure de fournir les donnes pour
tel ou tel mode de fonctionnement (fonctionnement avec rotor sain 0% de charge ou alors
fonctionnent avec barre casse 100% de charge par exemple). Pour cela, il faut disposer dune
base de donnes, ce qui permettra ensuite de construire la classe correspondante au dfaut cre
(possibles pour les machines de petites et moyennes puissances). Une autre voie consisterait
calculer les paramtres du vecteur de forme en effectuant des simulations numriques de la machine
tudie (indispensable pour les moteurs de fortes puissances). Dans la dernire configuration, il faut
un model comportemental de la machine relativement prcis pour obtenir des paramtres les plus
proches possibles de la ralit [30].
IV.3.2.2 Diagnostic de dfauts par systmes dinfrence flous
Pendant les vingt dernires annes, les systmes dinfrence floue (SIF) dont les bases relvent
de la thorie des ensembles flous de Zadeh sont devenus trs populaires. Les applications dans le
traitement du signal, la modlisation, la commande, la supervision de procds et la prise de
dcision sont en effet autant dapplications qui dmontrent la capacit des SIF traiter des
problmes non linaires grce lutilisation de connaissances expertes.
La structure de base dun SIF est constitue de [23] :
un univers de discours qui contient les fonctions dappartenance des variables dentre et de
sortie des classes. Ces fonctions peuvent avoir diffrentes formes, les plus usuelles tant les
formes triangulaires, trapzodales, et gaussiennes,
une base de connaissance qui regroupe les rgles liant les variables dentres et de sorties sous
la forme SiAlors ,
un mcanisme de raisonnement qui base son fonctionnement sur la logique du modus ponens
gnralis. Les SIF peuvent tre qualifies de mthode bote grise
IV.3.2.3 Diagnostic de dfauts par rseaux de neurones artificiels
Ces dernires annes, la surveillance et la dtection de dfauts des machines lectriques se sont
dplaces des techniques traditionnelles aux techniques d'intelligence artificielle (IA) Les tendances
de recherches prouvent que les techniques (IA) auront un plus grand rle dans le systme
Page65
diagnostique de moteurs lectriques avec la praticabilit, la sensibilit, la fiabilit, et lautomation

[31].
Quand la connaissance sur le procd surveiller nest pas suffisante et que le dveloppement
dun modle de connaissance du procd est impossible, lutilisation de modle dit bote noire
peut tre envisage. Pour cela des rseaux de neurones artificiels (RNA) ont t largement utiliss
[23]. Dernirement, les rseaux de neurones ont connu une utilisation large en ce qui concerne la
modlisation, la commande et la surveillance des systmes industriels [32].
Un rseau de neurone est en fait un modle de calcul dont la conception est trs
schmatiquement inspire du fonctionnement de vrais neurones humains. Cette technique est place
dans la famille des mthodes de lintelligence artificielle quils enrichissent en permettant de
prendre des dcisions sappuyant davantage sur la perception que sur le raisonnement logique
formel [33].
Dans les annes 1940, les neurologues Warren Sturgis McCulloch et Walter Pitts menrent les
premiers travaux sur les rseaux de neurones. Ils constiturent un modle simplifi de neurone
biologique communment appel neurone formel. Ils montrrent galement thoriquement que des
rseaux de neurones formels simples peuvent raliser des fonctions logiques, arithmtiques
complexes [33].
De manire gnrale, lutilisation des RNA se fait en deux phases. Tout dabord, la synthse du
rseau est ralise et comprend plusieurs tapes : le choix du type de rseau, du type de neurones, du
nombre de couches, des mthodes dapprentissage [23].
Pour identifier des dfauts dans un systme, le diagnostic ralis par rseaux de neurones doit
disposer dun nombre suffisant dexemples de bon fonctionnement et de dfauts pour pouvoir les
apprendre. Pendant la phase dapprentissage, les exemples sont prsents au rseau en entre avec
les diagnostics correspondants la sortie. Le rseau sauto-organise, apprenant relier les exemples
montrs aux diagnostics. Aprs lapprentissage, le rseau ne reconnat pas seulement les exemples
appris mais galement des paradigmes leur ressemblant, ce qui correspond une certaine robustesse
par rapport aux dformations de signaux par le bruit.
Cependant, linconvnient majeur est darriver dterminer une mthodologie pour matriser les
problmes inhrents, qui sont principalement le choix de la structure, de la taille du rseau et des
algorithmes dapprentissage pour un problme prcis [33].
Page66
Par contre, la principale raison de leur intrt en diagnostic industriel est leur facult et de
mmorisation dun grand volume dinformation [33]. Leur faible sensibilit aux bruits de mesure,
leur capacit rsoudre des problmes non linaires et multivariables, stocker la connaissance de
manire compacte, apprendre en ligne et en temps rel, sont de proprits qui les rendent
attrayants pour cette utilisation [23].
Leur emploi peut alors se faire trois niveaux [23]:
comme modle du systme surveiller en tat normal et gnrer un rsidu derreur entre les
observations et les prdictions,
comme systme dvaluation de rsidus pour le diagnostic,
ou comme systme de dtection en une tape (en tant que classificateurs).
IV.4 Synthse des RNA et simulation sous MATLAB
IV.4.1 Description du rseau de neurone utilis
Le rseau de neurones propos est un rseau multicouche de (1-5-1) dont larchitecture adopte
est illustre sur la figure (IV.3).

Figure IV.3 : Larchitecture du rseau neuronal propos.
Chaque neurone est connect l'ensemble des neurones de la couche suivante par des
connexions dont les poids sont des nombres rels quelconques. On note w
x;y
le poids de la connexion
entre les neurones x et y.

Page67
IV.4.2 tude du rseau de neurone utilis [14,32]

Il y avait trois tudes principales :
construction du bloc RNA,
acquisition des donnes (base dapprentissage),
test de rseau.
IV.4.2.1 Construction du bloc de rseaux de neurones [14,26]
La figure (IV.3) montre bien que notre rseau est constitu de trois couches savoir :
Une couche dentre compose dun seul neurone, dont le rle est de transmettre la valeur
dentre qui correspond la tension de sortie du GPV variable (V0) vers la couche suivante
appele couche cache.
Une couche cache dote de cinq neurones avec des fonctions dactivations choisies de type
sigmode.
une couche de sortie, cette couche est compose dune seule neurone, la sortie de neurone
soit 0 ou 1.

IV.4.2.2 Acquisition des donnes (base dapprentissage)
Avant la construction du systme du bloc RNA, on doit tout d'abord accder la base
d'apprentissage. Celle-ci peut se mettre sous forme de tableau (matrice). Ce dernier est constitu de
vecteurs qui reprsentent la couche d'entre du RNA, o chaque vecteur est constitu de 1 paramtre
[14].
On construit une base de donnes trs riches (fonctionnements normaux et anormaux), qui
possdent beaucoup d'informations sur le dfaut. Pour cette phase on a ralis les taches suivantes:
la machine a t simule en rgime normal (tat sain),
la machine a t simule en rgime anormale (en prsence de dfauts : court circuit du GPV),
puis nous a vous pris les valeurs dans chaque cas y compris ltat sein.
En fait, pour passer l'tape de classification nous disposons du dfaut y compris ltat sain (le
tableau IV.1).
Catgorie Type de dfaut Symbole Code
1 tat sain ES 0
2 Court circuit CC 1
Tableau IV.2: Classification des diffrents dfauts

IV.4.2.2.1 Rsultats d'essais du rseau sur le GPV
On a effectu un apprentissage automatique l'aide du logiciel Matlab jusqu' lobtention d
erreur quadratique plus petite de 7.69704e-014 (voir figures IV.4) aprs 56 itrations.
Page68

Figure IV.4: Evaluation de lerreur quadratique en fonction du nombre ditrations dapprentissage

IV.4.2.2.2 Conception du RNA sous Simulink
La conception du RNA sous Simulink est reprsente sur la figure (Figure IV.5)

Figure IV.5 : Rseau de neurones artificiel sous Simulink
IV.4.2.3 Test du rseau
Alors que les tests de gnralisations concernent la vrification des performances d'un rseau de
neurones et sa capacit de gnralisation. Une fois le rseau calcul, il faut toujours procder des
tests afin de vrifier que notre rseau ragit correctement.

Page69
Instants
dapplication
Type de dfaut
t =1s Court circuit
t =1.8s rgime normal
Tableau IV.3 : Diffrents dfauts
Cette fois-ci, nous avons appliqu des dfauts des instants diffrents sur le RNA (tableau IV.3)
La figure (IV.6) reprsente le rsultat du test, donn par la rponse de tension de sortie du GPV
et le courant statorique sur diffrents tats de fonctionnement.

Figure IV.6: Evolution du courant statorique et de la tension de sortie du GPV sur diffrents tats de
fonctionnement (en appliquant un court circuit).
IV.5 Interprtation des rsultats
D'aprs les rsultats obtenus dans la phase du test, on constate que les sorties du rseau suivent
conformment aux sorties dsires prtablies auparavant.
En effet, il est vident que les tests du rseau de neurone sur les exemples ont donn de meilleurs
rsultats, car tous les types de fonctionnement (le dfaut et le fonctionnement normal) ont t
identifis exactement par le rseau; cela peut tre expliqu par les rsultats obtenus dans la phase
d'apprentissage (dont les valeurs des erreurs quadratiques moyennes sont proches de zro).
CC ES
0 0.5 1 1.5 2
-100
0
100
temps(s)
c
o
u
r
a
n
t

i
d
s
(
A
)

0 0.5 1 1.5 2
0
500
1000
temps(s)
t
e
n
s
i
o
n

d
e

G
P
V
(
v
)
0 0.5 1 1.5 2
0
0.5
1
temps(s)
s
o
r
t
i
e

d
e

R
N
A
Page70
IV.6 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons tudi le rseau de neurones qui utilise des entres simples telles
que les valeurs de tension dalimentation (gnrateur photovoltaque).
Par ailleurs, pour la mise en uvre du rseau de neurones, on a tout dabord pass par plusieurs
tudes paramtriques (choix du type de rseau, choix des entres, choix des sorties...). Ces tudes
ont t prcdes par lopration dacquisition des donnes, qui a pour but dtablir la base
dapprentissage de rseau.
Nous venons de voir dans ce chapitre que les rseaux de neurones peuvent tre utiliss pour le
diagnostic des dfaillances dans les systmes photovoltaques. Lefficacit de ces architectures a t
dmontre par des exemples de simulation et des rsultats satisfaisants ont t obtenus.
Conclusiongnrale
Page71

Conclusion gnrale

Dans ce travail, il sagit de modliser, de simuler et de diagnostiquer un gnrateur
photovoltaque associ un convertisseur DC-DC contrl par MPPT, destin entrainer une
machine asynchrone travers dun convertisseur DC-AC. Pour ce faire, nous avons commenc
par une tude gnrale sur la conversion photovoltaque, suivie de llaboration dun modle
mathmatique pour le panneau PV en se basant sur un circuit quivalent une diode. Lobjectif
tait la simulation du fonctionnement du gnrateur et ltude de linfluence de la temprature et
lirradiation sur sa caractristique courant-tension. A lissue des simulations effectues, nous
avons constat une forte dpendance des performances du module photovoltaque en fonction
des conditions climatiques, particulirement lirradiation solaire et la temprature du module.
Afin dextraire le maximum de puissance disponible aux bornes du gnrateur et de la
transfrer la charge, la technique utilise classiquement est dutiliser un tage dadaptation
entre le gnrateur PV et la charge. Cet tage joue le rle dinterface entre les deux lments en
assurant travers une action de contrle, le transfert du maximum de puissance fournie par le
gnrateur pour quelle soit la plus proche possible de la puissance maximale. La solution
frquemment adopte est lincorporation dun convertisseur statique qui joue le rle dadaptateur
source-charge command directement par la technique PWM. Le choix de la structure de
conversion est fonction de la charge alimenter. La deuxime partie de ce mmoire tait lobjet
de dimensionnement des convertisseurs DC-DC communment utiliss dans les chaines de
conversion photovoltaque. Ltude par simulation effectue a montr la validation du calcul
thorique des lments passifs constituant ces convertisseurs.
Pour fonctionner un gnrateur photovoltaque de faon produire en permanence le
maximum de sa puissance, le convertisseur DC-DC associ doit tre contrl par un algorithme
traqueur du point de puissance maximale. A cet effet, nous nous sommes intresss
particulirement lapplication de lalgorithme bas sur la perturbation et lobservation et
lalgorithme de contre raction de tension dans le contrle des convertisseurs DC-DC. Les
rsultats de simulation ont mont de bonnes performances en termes de poursuite de la puissance
maximale fournie par le panneau photovoltaque.
Ensuite, on a effectu la modlisation de lensemble moteur-convertisseur statistique et
leur commande afin de rvler le comportement de la machine vis--vis des diffrentes
dfaillances qui peuvent surgir sur cet ensemble.
Dans lobjectif dappliquer les rseaux de neurones artificiels pour la dtection des
dfauts du gnrateur photovoltaque, cela a t ralis grce un logiciel utilisant MATLAB
comme logiciel de simulation, et la rgle de rtro propagation comme rgle d'apprentissage des
RNA.
Pour une ventuelle continuit du prsent travail, il est possible dnumrer quelques
perspectives comme suite de cette tude dont on peut citer:
- Exploitation de nouveaux algorithmes MPPT;
- Introduction dautres types de convertisseurs DC-DC;
- Application dans les domaines de pompage et de production de lnergie lectrique.
Bibliographie
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ANN in FPGA Devices, ID code IT40131. CSECS2010, WSEAS, December 2010,
Athens, Greece.

Page74
Rsum: Le fonctionnement optimal et continu des mcanismes industriels ne peut tre envisag
sans la prsence dun systme qui permet de prvenir ltat prcoce les anomalies qui peuvent surgir
au niveau des diffrents organes des quipements, et de diagnostiquer rapidement les pannes. A cet
effet, une application des rseaux de neurones artificiels pour la dtection des dfauts dun systme
photovoltaque a t labore. Le travail prsent dans ce mmoire concerne la modlisation, le
diagnostic dun panneau photovoltaque associ un convertisseur DC-DC contrl par MPPT;
destin entrainer une machine asynchrone travers dun convertisseur DC-AC. Un gnrateur
photovoltaque peut fonctionner dans une large gamme de tension et de courant de sortie mais il ne
peut dlivrer une puissance maximale que pour des valeurs particulires du courant et de la tension. En
effet la caractristique I(V) du gnrateur dpend de lclairement solaire et de la temprature. Ces
variations climatiques entranent la fluctuation du point de puissance maximale. A cause de cette
fluctuation, on intercale souvent entre le gnrateur et le rcepteur un ou plusieurs convertisseurs
statiques commands permettant de poursuivre le point de puissance maximale. Ces commandes
connues sous le nom de MPPT (Maximum Power Point Tracking), sont associes au convertisseur
DC-DC, lequel assure le couplage entre le gnrateur PV et la machine asynchrone en forant le
premier dlivrer sa puissance maximale et dtecter des dfauts du gnrateur photovoltaque par
RNA (Rseaux de Neurones Artificiels).
Mots cl s: Photovoltaque, Convertisseur, MPPT, Rseaux de Neurones Artificiels, Machine
Asynchrone, Diagnostic de Dfauts.

Abstract: Optimum operation and continuous industrial mechanisms can be contemplated without the
presence of a system that prevents the state early anomalies that may arise in the various organs of
equipment, and quickly diagnose faults. For this purpose, an application of artificial neural networks
to detect defects in a photovoltaic system was developed.
The work presented in this paper concerns the modeling, the diagnosis of a photovoltaic panel
associated with a DC-DC converter controlled by MPPT, intended to lead to an induction motor
through a DC-AC. A photovoltaic generator can operate over a wide range of voltage and current
output, but it can deliver maximum power for the particular values of current and voltage. Indeed, the
characteristic I (V) of the generator depends on the solar irradiance and temperature. These climatic
variations cause fluctuations in the maximum power point. Because of this fluctuation is often
interposed between the generator and the receiver one or more controlled static converters to continue
the maximum power point. These commands known as MPPT (Maximum Power Point Tracking), are
associated with DC-DC converter, which ensures the coupling between the PV generator and the
asynchronous machine by forcing the first to deliver its maximum power and detect defects in the
photovoltaic panel with ANN (Artificial Neural Networks).
Keywords: Photovoltaic, Converter, MPPT, Artificial Neural Networks, Asynchronous Machine,
Faults Diagnosis.

:

.
.
DC-DC MPPT .
DC-AC ) (
.
I(V)

MPPT DC-DC
.
: .

Djeriou Salim

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MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE

II.1.3.5 Rsultats de Simulation... 26

III.8 Interprtation des rsultats . 55

Liste des figures et des tableaux

Liste des figures et des tableaux

Figure III.2 : Schma dun onduleur de tension triphase alimentant le stator de la

2. Liste des tableaux

Chapitre I Modlisation dun gnrateur photovoltaque

I.4.1. Modle dune cellule photovoltaque une diode

Chapitre I Modlisation dun gnrateur photovoltaque

I.4.2. Modlisation de la cellule photovoltaque

Le courant de saturation de la diode dpend de la temprature. Sa valeur pour une temprature T

Le courant de saturation dpend I

Chapitre II Convertisseurs DC-DC dans les systmes PV

Chapitre II Convertisseurs DC-DC dans les systmes PV

A partir de la figure (II.8), durant lintervalle de conduction de la diode, nous avons :

II.2 Poursuite du point de puissance maximale

Ce processus continu jusqu la stabilit de lensoleillement o il revient au vrai point de

II.2.2.3 Commande MPPT

galement ncessaire de chercher d'autres mthodes d'amlioration de l'efficacit telles que

Daprs les rsultats de simulation obtenus, on remarque que la poursuite du point de

III.2.4 Expression du couple lectromagntique

A : matrice dvolution dtat du systme,

III.6.1 Schma de Simulation du comportement du systme

ChapitreIV Diagnostic dun gnrateur photovoltaque par rseaux de neurones artificiels

dun groupe de composants. Le comportement du composant lmentaire nest pas dcomposable ou

diagnostique de moteurs lectriques avec la praticabilit, la sensibilit, la fiabilit, et lautomation

IV.4.2 tude du rseau de neurone utilis [14,32]

dition, Presses internationales

[16] : G. Grellet et al., Actionneurs lectriques, principes modles commande, Edition

des Formes : Application A Un Ensemble Convertisseur-Machine Asynchrone, Thse

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