OBJETIVOS: Identificar los diferentes tipos de diodos semiconductores. Interpretar el cdigo marcado por el fabricante sobre el dispositivo.

o. Verificacin de las caractersticas tcnicas de los diodos.

INTRODUCCIN. Materiales semiconductores. El silicio es por mucho el material semiconductor ms comn que se utiliza en los dispositivos electrnicos semiconductores e circuitos integrados, adems del silicio hay otras clases de materiales semiconductores como lo son el arseniuro de galio y compuestos relacionados se usan en dispositivos de muy alta velocidad y dispositivos pticos. Material Intrnsecos Los semiconductores intrnsecos estn construidos cuidadosamente mediante un proceso de refinado, esto se debe para que all un nivel muy bajo de impurezas, sea lo ms puro posible del material Material Extrnsecos

Los materiales semiconductores que son sometidos al proceso de dopado se conocen como materiales extrnsecos, hay dos clases de materiales extrnsecos que se utilizan para la fabricacin de dispositivos semiconductores, estos materiales son los llamados tipo n y tipo p.

Diodo Semiconductor El diodo semiconductor un dispositivo electrnico de estado slido creado por la unin de un material tipo n a un material tipo p. Este dispositivo posee una polaridad, su lado positivo llamado ctodo y su lado negativo llamado nodo, como se muestra en la Ilustracin 1en esta misma Ilustracin se puede observar cmo est formado el diodo por su tipo de material p y n, a la vez su forma fsica.

Ilustracin 1 Diodo Semiconductor

La curva caracterstica del diodo semiconductor nos indica cuando a este se le aplica una tensin V y puede operar de dos formas llamadas: Polarizacin directa o Polarizacin inversa. Polarizacin Directa

Cuando se le aplica una tensin V positiva a travs del material tipo p y una tensin negativa a travs del material tipo n, se dice que el dispositivo est en una condicin de polarizacin directa, o el dispositivo est encendido. Polarizacin Inversa

Cuando se le aplica una tensin V negativa a travs del material tipo p y una tensin positiva a travs de material tipo n, se dice que el dispositivo est en una condicin de polarizacin inversa.

Ilustracin 2Curva Caracterstica del Diodo Semiconductor

MATERIALES Y EQUIPOS. Fuente de alimentacin (DC) 1-Resistencia 1k, 1/2W 1- Resistencia 10k, 1/2W 1- Resistencia 470, 1/2W 2-Multmetros 1-Diodo de Germanio 1N100A 1-Diodo LED (mediano), cualquier color

1-Diodo de Silicio 1N4001

DESARROLLO EXPERIMENTAL Objetivo A. Obtener los parmetros ms importantes de diferentes tipos de diodos con la ayuda del manual NTE, o las hojas de datos tcnicos.
Tabla 1 Parmetros de Diodos Semiconductores.

Cdigo Tipo de material (Ge/Si) (mA) PRV(V) P(mW) max (C) Trr

1N4007 Si

1N100A Ge

1N4747 Si

BAT47 Si

BZX55C5V1 Si

1000 100 3000 175 2s

40 100 80 90

1000 20 5000 200

350 20 330 125 10ns

100 5.4 500 200

Aplicaciones rectificador Detectores de audio TV

rectificador Crtos de rectificador alta frecuencia

Objetivo B. Identificar las terminales del diodo de silicio, auxilindose con la ayuda del multmetro. Se ajusta el multmetro en el selector para medir semiconductores. La punta positiva del medidor se coloca en el nodo y la punta negativa en el ctodo, luego se toma el valor que indica el multmetro. Se cambia la posicin de las puntas del medidor y se vuelve a realizar la medida. Esto se realiza para los diodos que se muestran en la Ilustracin 3. Hay que tener en cuenta que el rango de voltaje para los diodos de silicio se encuentra entre 0.4 y 0.7 voltios, mientras que en los diodos de germanio se encuentran entre 0.2 y 0.3voltios.

Ilustracin 3 Diodos Utilizados

Objetivo C. Obtener las curvas caractersticas del diodo de silicio en polarizacin directa e inversa. La curva caracterstica del diodo 1N4001 se obtiene utilizando el trazador de curvas I-V del simulador Multisim, este analizador se localiza en la parte derecha del interfaz del Multisim. Despus que obtenemos el trazador se conecta al diodo como se muestra en la Ilustracin 4.En la Ilustracin 5 se muestra el resultado de la curva simulada, como se observa adems de obtener la curva caracterstica del diodo 1N4001 se obtuvo el valor del voltaje umbral del diodo el cual fue de 597.015 mV, lo cual anteriormente mencionado pertenece al rango de los diod os de Silici o.

Ilustra cin 5 Curva del Diodo 1N4001

Ilustracin 4 Trazador I-V

Ahora se proceder a armar el circuito de la Ilustracin 6, ya confeccionado el circuito se ejecuta en la simulacin, lentamente se aumenta V1 hasta que el ampermetro registre la lectura de 80 A, y se mida el voltaje (travs de diodo) correspondiente a esa lectura (voltaje en directo). De esta manera se procede a tomar las mediciones solicitadas en la tabla 2.El valor de R1 es constante1k.

Ilustracin 6 Circuito con Diodo 1N4001

Tabla 2 Valores de voltaje y corriente en polarizacin directa (Simulacin).

(mA) (V)

0.080 0.4048

0.1 0.4192

0.2 0.4521

0.4 0.4880

0.6 0.5090

0.8 0.5239

1 0.5354

1.5 0.5564

2 0.5713

La simulacin del circuito de la Ilustracin 6 se puede observar que su grafica de polarizacin directa, su umbral empieza desde la tensin de 0.4192 V. Los dems voltajes (simulacin) se muestran en la tabla 2.

Ilustracin 7Curva Diodo 1N4001 (Simulado)

Al haber obtenido los datos del diodo en polarizacin directa, se procede a modificar el circuito de la Ilustracin 6 invirtiendo el diodo D1, de esta manera queda en posicin de polarizacin inversa. Mediante la simulacin se obtuvo como resultado una tensin de 9.999V en el diodo con una corriente de 1.776A Objetivo D. Obtener y comparar los tiempos de conmutacin de los diodos diferentes. Se arma el siguiente circuito de la Ilustracin 8, configurando el generador de funciones con una frecuencia de 100kHz, un voltaje 10Vmm, forma de onda cuadrada, el valor de R2 equivale a 1k. El procedimiento para obtener los tiempo de recuperacin inverso (trr) tanto para del diodo de Silicio y el diodo Schottky, se conectara el canal 1 del osciloscopio a la entrada del generador de funciones, esto se debe ya que as se observara la onda de la seal de entrada, el canal 2 del osciloscopio de conecta al nodo del diodo, de esta manera obtendremos la seal de salida y se podr comparar las seales como se muestra en la grfica de referencia obtenida de la gua de laboratorio Ilustracin 9, el rango de trr del diodo de Silicio se encuentra en los s, en cambio el trr del diodo Schottky ns.

Ilustracin 8 Circuito utilizado para los trr (Silicio y Schottky)

Ilustracin 9 Grfica de referencia trr

Objetivo E. Se procede a confeccionar el circuito de la Ilustracin 10, se ajusta V1 al valor de 10V correspondientemente, luego se tomaran los valores de la corriente y voltaje del Diodo Emisor de Luz (LED), en la confeccin del circuito utilice un LED mediano de color verde.

Ilustracin 10 Circuito Diodo LED

Ilustracin 11

RESULTADOS

Objetivo B. Se ajust el multmetro en el selector para mediciones de dispositivos semiconductores, al conectar el diodo de silicio el positivo al ctodo y el negativo al nodo, se obtuvo el voltaje de 0.520V, se determin que el diodo est en conduccin y a su vez que es de Silicio. Se invierte el diodo conectando el positivo al nodo y el negativo al ctodo, no se obtuvo medida alguna ya que el diodo est en corte.
Ilustracin 13 Diodo de Silicio en corte Ilustracin 12 Diodo de Silicio en Conduccin

En este caso el diodo a analizar es de encapsulado de cristal (Ge), cuando est en conduccin marco una tensin de 0.225 V, cuando se invirti no marco ninguna tensin, quiere decir que est en corte.
Ilustracin 14 Diodo de Ge en conduccin

Ilustracin Voltaje Diodo Germanio

15 de

Objetivo C. Curva Caracterstica del diodo de Silicio Tabla 3 (mA) 0.080 (V) 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.5 2 Las mediciones de voltajes que se obtuvieron del diodo 1N4001, se muestran en la tabla 3.

0.4740 0.4820 0.5090 0.5380 0.5550 0.5690 0.5794 0.5897 0.5980

Ilustracin 16 Circuito Objetivo C y Tabla 3.

Ilustracin 17 Curva Diodo 1N4001 Datos Reales.

Se nota una gran diferencia entre los datos simulados y los datos reales, hay que tomar nfasis que en las simulaciones los datos que se obtiene son valores ideales. En la grfica obtenida de los datos reales Ilustracin 17 del diodo 1N4001 se puede observar que su umbral parte desde el valor de 0.482V.

Al haber obtenido los datos del diodo en polarizacin directa, se procede a modificar el circuito de la Ilustracin 6 invirtiendo el diodo D1, de esta manera queda en posicin de polarizacin inversa. Mediante la medicin real se obtuvo como resultado una tensin de 10.02V en el diodo con una corriente de 0.9A

Ilustracin 18 Polarizacin Inversa Diodo Silicio.

Objetivo D. Obtener y comparar los tiempos de conmutacin de dos diodos diferentes. Se analizan dos tipos de diodos el de Silicio y el Diodo Schottky. Se arma el circuito sealado en la Ilustracin 8, ya armado el circuito se procede a regular el generador de funciones a 10Vmm y a una frecuencia de 100kHz de onda cuadrada.

Ilustracin 19 Generado de Funciones

El tiempo de recuperacin inverso (trr) del diodo de Silicio medido en la experiencia de laboratorio fue de 4.4s

Ilustracin 20 Osciloscopio Diodo de Silicio

El tiempo de recuperacin inversa del diodo Schottky medido en la experiencia de laboratorio fue de 520ns. El tiempo de recuperacin del diodo Schottky es mucho ms rpido que el de Silicio, por esto est diodo es utilizado en aplicacin por ejemplo circuitos de alta frecuencia.

Ilustracin 21 Osciloscopio Diodo Schottky

Objetivo E. Caractersticas del Diodo LED Se procede a confeccionar el circuito de la Ilustracin 10, se ajusta V1 al valor de 10V correspondientemente, luego se tomaran los valores de la corriente y voltaje del Diodo Emisor de Luz (LED), en la confeccin del circuito utilice un LED mediano de color verde. R1 10k 470 2.795V 3.111V 716mA 14.53mA Luminosidad media Alta

Ilustracin 22 Diodo LED luminosidad media.

Ilustracin 23 Diodo LED luminosidad alta.

A simple vista se puede observar que la luminosidad de un diodo LED vara dependiendo del tipo de resistor que este utilice, ya sea en este circuito o cualquier otro. En clase se aprendi que todo LED deben de tener una resistencia en serie cuando se le aplique una tensin.

La ecuacin para saber qu tipo de resistencia debe tener un LED dependiendo de la tensin que se le aplique es la siguiente.

CONCLUSIONES

Mediante el desarrollo del laboratorio y de este informe puedo llegar a la conclusin de que los diodos son dispositivos electrnicos importantes en el desarrollo o fabricacin de distintos aparatos elctricos y electrnicos. Los diodos son de gran versatilidad, sirven como circuitos limitadores que son de mucha importancia y muy fundamentales en los osciladores sostenidos. En el desarrollo del laboratorio, me llamo mucho la atencin de la forma de operar del diodo Schottky, esta clase de diodos especiales que no almacenan cargas, sea que conmuta muy rpidamente a comparacin de los dems diodos por lo tanto se emplean para frecuencias altas alrededor de los 10MHz en adelante, su aplicacin la mayora en ordenadores. El diodo LED es uno de los ms comunes, ya que tienen un sin nmero de aplicaciones diferentes, pero en esta experiencia la importancia del diodo LED fue que nos ayud a interpretar que variando la resistencia de serie del circuito se observaba que su luminosidad cambia, esto quiere decir que cada vez que se utilice un diodo LED en un circuito debe ir acompaado de un resistor.

BIBLIOGRAFIA https://www.ssl-id.de/leds-and-more.de/catalog/diffus-matt-4000p-1209.html http://www.alldatasheet.com/datasheetpdf/pdf/21957/STMICROELECTRONICS/BAT47.html Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, 10 Edicin Robert L. Boylestad & Louis Nashelsky.