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Septiembre de 2009
Oblea –
Escala: nivel de oblea (~300 mm).
Se pulen las obleas hasta eliminar todos
sus defectos. La superficie queda lisa
como la de un espejo. Intel compra de
Corte del lingote – otras empresas esas obleas ya listas para
la fabricación. El proceso altamente
Escala: nivel de oblea (~300 mm).
avanzado de High-K/Metal gate de 45 nm
Se corta el lingote en discos de silicio de Intel usa obleas con un diámetro de 300
individuales llamados obleas (wafers). milímetros. Cuando Intel comenzó a
fabricar chips, la empresa imprimía
circuitos en obleas de 50 mm. Ahora la
empresa usa obleas de 300 mm, lo que
resulta en un menor costo por chip.
Exposición –
Escala: nivel de oblea (~300 mm). Exposición –
Aplicación de la capa
fotoresistente – El acabado fotoresistente se expone a la luz ultravioleta Escala: nivel de transistor (~50-200 nm)
(UV). La reacción química activada por esta etapa del Aunque generalmente se construyan
Escala: nivel de oblea (~300
proceso es semejante a lo que le ocurre a la película de centenas de microprocesadores en una
mm).
una cámara en el momento en que se presiona el botón única oblea, de ahora en adelante esta
El líquido (aquí, de color azul) del obturador. El acabado fotoresistente expuesto a la
que se derrama en la oblea historia ilustrada se concentrará apenas en
luz UV se volverá soluble. La exposición se realiza una pequeña pieza de un microprocesador:
mientras ésta gira es un usando fotomáscaras, que actúan como plantillas en
acabado fotoresistente similar en un transistor o partes de un transistor.
esa etapa del proceso. Cuando se usan con una luz Un transistor actúa como un conmutador,
al usado para la fotografía de UV, las fotomáscaras crean varios patrones de circuito
películas. La oblea gira que controla el flujo de corriente eléctrica en
en cada capa del microprocesador. Un lente (el del un chip de computadora. Los investigadores
durante esta etapa para medio) reduce la imagen de la fotomáscara. Por lo
permitir una aplicación muy de Intel desarrollaron transistores tan
tanto, lo que se imprime en la oblea suele ser cuatro pequeños que sería posible poner cerca de
fina y homogénea de la capa veces menor linealmente que el patrón de la
fotorresistente. 30 millones de ellos en la cabeza de un
fotomáscara. alfiler.
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Ataque Químico
Implantación de iones –
Aplicación de la capa fotoresistente
Escala: nivel de transistor (~50-200 nm) Eliminación de la capa
–
Por medio de un proceso llamado implantación de fotoresistente – Escala: nivel de
Escala: nivel de transistor (~50-200 transistor (~50-200 nm)
nm). iones (una forma de un proceso llamado dopado),
las áreas expuestas de la oblea de silicio se Tras la implantación de iones, la capa
Se aplica y se expone la capa bombardean con varias impurezas químicas, fotoresistente se eliminará y el
fotoresistente (de color azul) y la capa llamadas iones. Los iones se implantan en la material dopado (de color verde)
fotoresistente expuesta se lava antes ahora tiene átomos externos
oblea de silicio para alterar el modo como el silicio
de la próxima etapa. La capa conduce la electricidad en esas áreas. Los iones implantados (nótense las pequeñas
fotoresistente protegerá el material se disparan sobre la superficie de la oblea a una variaciones de color).
que no debe recibir la implantación de velocidad muy alta. Un campo eléctrico acelera
iones. los iones a una velocidad de más de 300.000 km/
hn
Galvanización –
Transistor listo –
Escala: nivel de transistor (~50-200 nm). Después de la Galvanización –
Escala: nivel de transistor (~50-200
En esta etapa, la oblea se coloca en una Escala: nivel de transistor (~50-200
nm).
solución de sulfato de cobre. Los iones nm).
Este transistor está casi listo. Se
de cobre se depositan en el transistor En la superficie de la oblea, los iones
realizaron tres perforaciones en la
por medio de un proceso llamado de cobre se depositan como una
capa de aislamiento (de color
galvanización. Los iones de cobre viajan delgada capa de cobre.
magenta) en la parte superior del
desde el polo positivo (ánodo) al polo
transistor. Estas tres perforaciones se
negativo (cátodo), que está
rellenarán con cobre, que hará las
representado por la oblea.
conexiones con otros transistores.
Pulido –
Escala: nivel de transistor (~50-200
nm). Capas de metal – Escala: nivel de transistor (seis transistores combinados ~500 nm).
Se pule el exceso de material. Se crean múltiples capas de metal para la interconexión (como cables) entre los varios
transistores. Los equipos de arquitectura y proyecto que desarrollan la funcionalidad
de los respectivos procesadores determinan cómo esas conexiones necesitan
“cablearse” (p.ej.: procesador Intel® Core™ i). Aunque los chips de las computadoras
parezcan extremadamente planos, pueden tener, en realidad, más de 20 capas para
formar un circuito complejo. Si observa la imagen ampliada de un chip, verá una red
intrincada de líneas de circuitos y transistores que parecen un sistema futurista de
carreteras en múltiples capas.
Procesador –
Empaquetado –
Escala: nivel de empaquetado
Pastilla individual – Escala: nivel de empaquetado (~20 mm).
(~20mm).
Escala: nivel de pastilla (~10 mm). El sustrato, la pastilla y el disipador de calor
Procesador completo (en este caso, un
Ésta es una pastilla individual que se se colocan juntos para formar un procesador
procesador Intel® Core™ i7). Un
cortó en la etapa anterior (corte). La completo. El sustrato verde forma la
microprocesador es el producto
pastilla mostrada corresponde al interfase eléctrica y mecánica para que el
manufacturado más complejo del
procesador Intel® Core™ i7. procesador interactúe con el resto del
planeta. En realidad, pasa por
sistema de la computadora. El disipador de
centenas de etapas, en los ambientes
calor plateado es una interfase térmica en la
más limpios del mundo (las fábricas de
que se colocará una solución de
microprocesadores). En esta historia
enfriamiento. Eso dejará el procesador frío
ilustrada se muestran apenas algunas
durante la operación.
de estas etapas.