Electronique Analogique

Markus Liniger
2000/01
1

Le 23 Dcembre 1947, le premier amplificateur sans vide et sans cathode chauffe tait
labor dans un laboratoire de Bell. Une pice en polystyrne (K) de forme triangulaire
tait presse laide dun ressort sur une base B de germanium.
Sur deux des surfaces de la pice des feuillets en or taient colls (E,C). A laide dun cir-
cuit appropri on a pu mesurer une amplification de tension dun facteur cent environ et,
ds le lendemain on construisait un oscillateur. Son bon fonctionnement liminait tous les
doutes : ctait bien un amplificateur.
Comment pouvait-on appeler cette nouvelle invention ? Les dveloppeurs John Berdeen
et Walter Brattain ont pens lui donner le nom de varistor ou de thermistor . Ce fut
finalement John Piercel qui proposa transistor car ce terme indique que le courant qui
passe par une faible rsistance entre lmetteur E et la base B, coule presque sans affai-
blissement par une plus grande rsistance entre la base B et le collecteur C. Le courant
est cependant transfr dune rsistance (resistor) lautre.

Le symbole utilis aujourdhui est le dessin du prototype rduit lessentiel. La base des
transistors nest plus quune lectrode, la base mcanique pour la fabrication du transistor
est le collecteur.







Photograph of the DELTT (Double Electron Layer Tunneling Transistor) transistor, seen
from above. The semiconductor epitaxial layers, which contain the two layers of electrons,
are sufficiently thin (0.25 microns) that light can penetrate them, rendering gates on both
sides of the device visible. The top and back depletion gates allow independent contact to
the two electron layers, while the top control gate turns the transistor on and off. (Source
and drain contacts are outside the photo margins.)














2
Le Transistor ........................................................................................................................ 4
1.1 Les transistors bipolaires ....................................................................................... 5
1.1.1 Gnralits ..................................................................................................... 5
1.1.2 Caractristique et valeurs limites des transistors ........................................... 6
1.1.3 Le comportement en signaux faibles et les paramtres quadriples .............. 7
1.1.4 Point de repos ou point de fonctionnement .................................................... 9
1.1.5 Le schma quivalent .................................................................................... 9
1.1.6 Montage metteur commun ........................................................................... 9
1.1.6.1 Schma de base et schma quivalent .................................................. 9
1.1.6.2 Calcul de lamplification dans le schma de base ................................. 10
1.1.6.3 Le choix et le rglage du point de repos ............................................... 13
1.1.6.4 La droite de charge statique .................................................................. 15
1.1.6.5 Montage metteur commun avec contre-raction de courant ............... 17
1.1.6.6 Montage metteur commun avec contre-raction de tension ............... 19
1.1.6.7 Dimensionner des capacits ................................................................. 20
1.1.7 Montage base commune .............................................................................. 23
1.1.7.1 Montage base commune avec contre-raction ..................................... 26
1.1.8 Montage collecteur commun ou metteur suiveur ........................................ 29
1.1.9 Caractristiques des trois montages fondamentaux .................................... 30
1.1.10 Dfinition et transformation des paramtres quadriples ............................. 31
1.1.11 Transformation des paramtres h du transistor............................................ 32
1.1.12 Schma quivalent avec lments parasites (Giacoletto) ............................ 33
1.1.13 Amplificateur diffrenciateur ......................................................................... 35
1.1.13.1 Exploitation symtrique ......................................................................... 36
1.1.13.2 Mode commun ...................................................................................... 36
1.1.13.3 Dimensionnement et rsultats de la simulation ..................................... 38
1.1.14 Amplificateur de Darlington .......................................................................... 41
1.1.15 Miroir de courant .......................................................................................... 43
1.1.16 Amplificateur Push-pull ................................................................................ 44
1.1.17 Amplificateur plusieurs tages .................................................................. 46
1.2 Transistors effet de champs ............................................................................. 49
1.2.1 Transistors effet de champs jonction (JFET) .......................................... 49
1.2.1.1 Notions fondamentales ......................................................................... 49
1.2.1.2 Les caractristiques du N-JFET ............................................................ 50
1.2.1.3 Fichier de SPICE .................................................................................. 52
1.2.1.4 Schma quivalent du JFET ................................................................. 53
1.2.1.5 Montage source commune .................................................................... 54
1.2.1.6 Montage drain commun ........................................................................ 56
1.2.1.7 Montage grille commune ....................................................................... 57
1.2.1.8 Interrupteur analogique JFET ............................................................ 57
1.2.1.9 Rsistance variable ............................................................................... 58
1.2.2 Transistors effet de champs mtal-oxyde semi-conducteurs (MOSFET)
..................................................................................................................... 59
1.2.2.1 Notions fondamentales ......................................................................... 59
1.2.2.2 Polarisation et application dun MOSFET appauvrissement .............. 60
1.2.2.3 Polarisation et application dun MOSFET enrichissement .................. 62
2 Amplificateur oprationnel .......................................................................................... 63
2.1 Proprits et structure dun amplificateur oprationnel ....................................... 63
2.2 La structure et les caractristiques techniques de lamplificateur oprationnel ... 64
2.3 Dveloppement des proprits des circuits de base ........................................... 66
2.3.1 Lamplificateur inverseur .............................................................................. 66
3
2.3.2 Lamplificateur non-inverseur ....................................................................... 68
2.3.3 Lamplificateur oprationnel rel, tension et courant offset .......................... 70
2.3.3.1 Le schma quivalent de lamplificateur oprationnel rel. ................... 70
2.3.3.2 Compensation de la tension diffrentielle rsiduelle et des courants
offset. .................................................................................................... 71
2.3.3.3 La rponse frquentielle........................................................................ 73
2.4 Exemples et applications ..................................................................................... 73
2.4.1 Lamplificateur inverseur .............................................................................. 74
2.4.2 Le convertisseur courant-tension avec inversion ......................................... 74
2.4.3 Lamplificateur non-inverseur ....................................................................... 75
2.4.4 Le suiveur de tension ................................................................................... 75
2.4.5 Le convertisseur courant-tension sans inversion ......................................... 75
2.4.6 Ladditionneur analogue ............................................................................... 76
2.4.7 Lamplificateur diffrentiateur ....................................................................... 76
2.4.8 Lintgrateur ................................................................................................. 77
2.4.9 Le diffrentiateur .......................................................................................... 78
2.4.10 Le limiteur..................................................................................................... 79
2.4.11 Le redresseur ultra-linaire ....................................................................... 80
2.4.12 Le comparateur (Schmitt-Trigger) ................................................................ 80
2.4.13 Lamplificateur logarithmique........................................................................ 81
3 Termes, outils ............................................................................................................. 83
3.1 Le facteur de transfert et la fonction de transfert ................................................. 83
3.2 Dcibel, Neper et niveau ..................................................................................... 84
3.3 Rseaux linaires et non-linaires ...................................................................... 85




4
Le Transistor

Les transistors sont des semi-conducteurs avec trois contacts. Ils servent lamplification
ou la commutation de signaux. On distingue le transistor bipolaire et le transistor effet
de champs, rpartis eux-mmes dans plusieurs types. Les transistors europens sont
classs daprs la dsignation Pro-Electron, qui est explique ci-dessous.

La premire lettre dsignera le matriel de base :

A Germanium ou similaire (largeur de bande 0.6 ... 1.0eV)
B Silicium ou similaire (largeur de bande 1.0 ... 1.3eV)
C Arsniure de gallium ou similaire (largeur de bande > 1.3eV)
D Antimoniure de indium ou similaire (largeur de bande < 0.6eV)
R Matriaux pour opto-lments (par exemple sulfite de cadmium)

La deuxime lettre dsignera le type et la fonction :

A diode M gnrateur effet Hall (circuit ferm)
B diode de capacit N opto-coupleur
C transistor AF P dtecteur de radiation
D transistor de puissance AF *) 0 gnrateur de radiation
E diode en tunnel R thyristor
F transistor HF S transistor de commutation
G diodes micro-ondes et sim. T thyristor de puissance *)
H diode champs magntiques U trans., commut., puissance *)
K Gnrateur effet Hall X diode multiplicatrice
(circuit ouvert) Y diode de puissance *)
L transistor de puissance HF *) Z diode Z ou similaire

*) R
thG
<15C/W

Pour les transistors standards, ces deux lettres sont suivies dun numro trois chiffres
(100 ... 999). Pour ceux de types professionnels, ces deux lettres sont suivies dune troi-
sime et dune numrotation deux chiffres (10 ... 99).
5
1.1 Les transistors bipolaires
1.1.1 Gnralits

Les transistors bipolaires sont fabriqus partir de silicium ou germanium et portent le
nom du matriel de base (Transistor silicium ou transistor germanium). En gnral, ils
sont constitus de deux diodes en srie montes en inverse avec une couche semi-
conductrice commune. Daprs leur polarisation, on les appelle transistor pnp ou npn (fig.
1.1).


Le transistor est aliment avec des lments passifs et des sources externes qui crent
une polarisation directe pour la diode base base-metteur et une polarisation inverse pour
la diode metteur-collecteur (fig. 1.2).

I
C
E
I
I
B
U
CE
U
BE


Fig. 1.2 Polarisation des tensions et courants (transistor npn)

Les proprits du transistor pnp (complmentaire) sont trs similaires. Il faut seulement
renverser la polarisation des sources. Nous nous limiterons par la suite ltude du tran-
sistor npn.

Le transistor est un lment amplifiant car le courant du collecteur I
C
est quelque cent fois
plus fort que le courant de base I
B
; tous deux tant approximativement proportionnels.
Dans un circuit le transistor est couramment utilis selon trois montages diffrents
(connexion de principe). En fonction du connecteur qui sert la fois dentre et de sortie,
on nomme le montage avec amplificateur metteur commun , base commune ou
collecteur commun .

P
N
P
C
B
E

N
P
N
C
B
E

Fig. 1.1 Construction schmatique et symbole du transistor
6
1.1.2 Caractristique et valeurs limites des transistors
Les proprits des transistors sont dcrites avec les valeurs limites, les caractristiques et
les paramtres quadriples. Les valeurs limites donnent les valeurs maximales du transis-
tor (tensions, courants, puissance, temprature etc. voir exemple BC108B). Ces valeurs
sont reprsentes par les caractristiques du transistor (fig. 1.3).

0 10 20 30
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
K
o
l
l
e
k
t
o
r
s
t
r
o
m

I
C

[
A
]
Kollektor-Emitter Spannung U
CE
[V]
Verlustleistung 1W
Maximale Spannung U
CE
Maximaler Kollektorstrom I
C

Fig. 1.3 Valeurs limites du transistor.

Les proprits lectriques sont dcrites par les caractristiques (signal fort). Pour les si-
gnaux faibles on applique la thorie des quadriples.

Les caractristiques les plus importantes sont (exercice) :

- la caractristique de transfert I
C
(I
B
, U
CE
=const.),
- la caractristique dentre I
B
(U
BE
, U
CE
=const.) (fig. 1.4) et
- la caractristique de sortie I
C
(U
CE
, I
B
=const) (fig. 1.5).

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
0
10
20
30
40
50
60
AI
C
AI
B
K
o
l
l
e
k
t
o
r
s
t
r
o
m

I
C

[
m
A
]
Basisstrom I
B
[A]
I
C
=f(I
B
)

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0
50
100
150
200
AU
BE
AI
B
B
a
s
i
s
s
t
r
o
m

I
B

[

A
]
Basis-Emitter Spannung U
BE
[V]
Basistrom I
B
=f(U
BE
)

Fig. 1.4 La caractristique de transfert et la caractristique dentre

7
0 5 10 15 20 25
0
10
20
30
40
50
60
AI
C
AU
CE
K
o
l
l
e
k
t
o
r
s
t
r
o
m

I
C

[
m
A
]
Kollektor-Emitter Spannung U
CE
[V]
I
C
=f (U
CE
), Parameter I
B


Fig. 1.5 Le rseau de la caractristique de sortie

1.1.3 Le comportement en signaux faibles et les paramtres quadriples
Dans une plage restreinte, les courbes des caractristiques peuvent tre linarises. Les
valeurs absolues des courants et tensions sont ensuite remplaces par des variations dif-
frentielles, qui dcrivent le transistor dans la proximit du point de repos (ltat sans si-
gnal dentre, donn par I
C0
et U
CE0
)

La drive partielle du courant de collecteur en fonction de la tension de base est nomme
admittance de transfert direct S. On la trouve dans la caractristique de sortie avec le
paramtre tension de base U
BE
:

BE
C
const U
U
I
S
CE
c
c
=
=
[A/V] (1.1)

Dans la caractristique de sortie on trouve la rsistance diffrentielle de sortie r
CE



C
CE
const U
CE
I
U
r
BE
c
c
=
=

C
CE
const I
CE
I
U
r
B
c
c
=
=
[O] (1.2)


La rsistance diffrentielle dentre r
BE
est tire de la caractristique dentre


B
BE
const U
BE
I
U
r
CE
c
c
=
=
[O] (1.3)

Lamplification du courant statique B et dynamique | sont aussi des valeurs importan-
tes

8

B
C
I
I
B =
B
C
const U
I
I
CE
c
c
=
=
| (1.4)

La contre raction interne A
r
et ladmittance inverse S
r
sont souvent ngligeables dans
des applications de basses frquences mais elles jouent un rle important dans le domai-
ne des hautes frquences


CE
BE
const I
r
U
U
A
B
c
c
=
=
(1.5)


BE
r
CE
B
const U
r
r
A
U
I
S
BE

=
c
c
=
=
. (1.6)

Quatre des diffrentiels mentionns dcrivent les proprits du transistor dans le dtail et
mnent aux paramtres quadriples laide de la drive totale.


CE
CE
B
BE
BE
B
B
dU
U
I
dU
U
I
dI
c
c
+
c
c
=
(1.7)

CE
CE
C
BE
BE
C
C
dU
U
I
dU
U
I
dI
c
c
+
c
c
=
ou

|
|
.
|

\
|
|
|
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
CE
BE
CE
r
BE
C
B
dU
dU
r
S
S
r
dI
dI
1
1

(1.8)

Dans la figure (1.8) la matrice contient les paramtres Y du transistor. Dans les applica-
tions, ceux-ci sont souvent remplacs par les paramtres H (hybride, mixte). Ces derniers
donnent la tension dentre et le courant de sortie en fonction du courant dentre et de la
tension de sortie.


|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
CE
B
e e
e e
C
BE
dU
dI
h h
h h
dI
dU
22 21
12 11
(1.9)

On remplace les diffrentiels par les grandeurs alternatives


CE e B e c
CE e B e BE
u h i h i
u h i h u
22 21
12 11
+ =
+ =


Lindice e montre que les paramtres sont valables pour le montage metteur commun. A
laide de la thorie des quadriples (ou avec un calcul algbrique), on remplace les para-
mtres Y par les paramtres H (exercice) .

9
1.1.4 Point de repos ou point de fonctionnement
Les proprits du transistor dpendent fortement de son tat statique donn par le courant
moyen I
C
et sa tension moyenne U
CE
. Ce courant de repos et cette tension de repos sont
mesurs sans signal dentre. Ceci donne un point sur la caractristique, dfini comme
tant le point de repos.

Le point de repos est tabli daprs le cahier des charges pour le circuit et en fonction des
contraintes supplmentaires. Il est fix avec des composantes externes. Il est important de
sassurer quil ne change que dans des limites donnes si linfluence de la temprature fait
varier les proprits du transistor.


1.1.5 Le schma quivalent
On dsigne un circuit lectrique comme schma quivalent, sil possde les mmes pro-
prits que loriginal. Il est souvent compos dlments de base tels que les rsistances,
les sources, les capacits ou les inductances.

Le schma quivalent du transistor se base sur des paramtres quadriples. La figure 1.6
montre lexemple du schma quivalent dun transistor en montage metteur commun ex-
prim avec les paramtres Y.
Si ladmittance inverse peut tre nglige, la partie de lentre du schma quivalent se
simplifie pour ne laisser que la rsistance dentre. Pour des frquences leves, cette
simplification nest plus valable et le schma est amliorer avec des lments parasitai-
res (p. ex. capacits)


Fig. 1.6 Le schma quivalent du transistor (paramtres Y)

1.1.6 Montage metteur commun
1.1.6.1 Schma de base et schma quivalent
Dans le schma de principe du montage metteur commun (figure 1.7) une rsistance R
C

conduisant le courant I
C
produit une chute de tension qui reprsente le signal de sortie.
Souvent, une rsistance R
G
reprsentant la rsistance de la source du signal dentre est
prise en compte.

10

Fig. 1.7 Transistor en montage metteur commun

La figure 1.8 montre le schma quivalent utilisant les paramtres H du transistor et com-
plt par les rsistances R
G
et R
C
.


Fig. 1.8 Le schma quivalent (paramtres H)


1.1.6.2 Calcul de lamplification dans le schma de base
Dans ce cas simple, les valeurs intressantes (amplification, impdance dentre et de
sortie) sont faciles dterminer.
Le courant dentre i
1
est


B
G
i
h R
u h u
i =
+

=
11
2 12 1
1
(1.10)

et la tension de sortie u
2
devient, sous condition que i
2
=0 (attention au signe de ic= h
22
.
i
B
et
u
2
!) :

C
C
B
R
h
R
h
i h u
+
=
22
22
21 2
1
1
(1.11)

Aprs lintroduction de (1.10) dans (1.11) et une transformation algbrique, on trouve pour
lamplification :
11
22
22
21
22
22
21 12 11
22
22
21
1
2
1
1
1
1
1
1
h R
R h
R h
h
R h
R h
h h h R
R h
R h
h
u
u
G
C
C
C
C
G
C
C
+
+
~
+
+
+
= (1.12)
11

La thorie des quadriples fournit le mme rsultat. Il se base sur la mise en cascade
des trois quadriples A
1
, A
2
et A
3
. Le calcul utilise les paramtres A dfinis comme :


2 22 2 21 1
2 12 2 11 1
i a u a i
i a u a u
=
=
(1.13)

Pour le premier quadriple on trouve :



|
|
.
|

\
|
=
1 0
1
1
G
R
A (1.14)

Les paramtres H du transistor sont transforms en paramtres A.



|
|
.
|

\
|A
=
1
1
22
11
21
2
h
h H
h
A (1.15)

Et le troisime quadriple est dcrit par



|
|
|
.
|

\
|
=
1
1
0 1
3
C
R
A (1.16)

Le rsultat final est le produit des trois quadriples qui donne

|
|
|
|
.
|

\
|
+
+
+
+ + A
=
1
1
1
22
11
11
22
21
3 2 1
C
G
C
G
G
R
h
R h
R
R h
h R H
h
A A A (1.17)

Si i
2
=0 (circuit ouvert la sortie ou pas de charge) lamplification est de


C
G
G
R
R h
h R H
h
a u
u
+
+ + A

= =
11
22
21
11 1
2
1
(1.18)

12
Limpdance dentre du circuit complet (cest dire incluant la rsistance de la source),
est donne par le rapport u
1
et i
1
(pour i
2
=0)



C
C
G
G
i
e
R
h
R
R h
h R H
a
a
i
u
r
1
22
11
22
21
11
0
1
1
2 +
+
+ + A
= = =
=
(1.19)

Si le terme h
12
h
21
est ngligeable, limpdance dentre devient la somme de R
G
et r
BE
=h
11


G
i
e
R h
i
u
r + = =
=
11
0
1
1
2
(1.20)

La rsistance dentre du transistor (sans la rsistance R
G
) se rduit

11
22
11
0
1
1
1
2
h
h R
h H R
i
u
r
C
C
i
e
~
+
+ A
= =
=
. (1.20a)

La rsistance de sortie avec lentre court-circuite (mais avec R
G
) est donne par


C
G
G
G
a
R
R h
h R H
R h
a
a
r
+
+ + A
+
= =
11
22
11
11
12
(1.21)

ou, si R
G
est ngligeable par


C
R
a
R
h
H
h
r
G
11
11
0
+ A
=
=
(1.21a)
13
1.1.6.3 Le choix et le rglage du point de repos
Les rsultats montrs ci-dessus sont valables pour des applications signal faible, c. d.
pour des petites variations autour du point de repos donn par I
C0
et U
CE0
.

Le choix du point de repos dpend des devoirs du circuit dimensionner et dautres
contraintes:

- La tension et puissance de lalimentation
- Limpdance du gnrateur et de la charge
- Etage faible bruit oui/non?
- Lamplification de tension maximale
- Lamplification de puissance maximale
- Amplitude maximale la sortie
- Facteur de distorsion (distorsions non linaires)
- Gamme de frquence

Les proprits du transistor et les exigences au circuit mentionnes ci-dessus donnent la
base pour le choix du point de repos, donn par le courant de collecteur I
C0
et la tension
collecteur-metteur U
CE0
. Les dtails seront montrs plus tard dans les applications.

La polarisation peut tre effectue laide dune ou plusieurs sources externes. Lune
fournit la tension metteur-collecteur, lautre la tension de repos base-metteur (fig. 1.7).
Parce quil est plus conomique dutiliser une seule source, on polarise la base avec des
lments supplmentaires. Dans la figure 1.9 deux possibilits sont prsentes (mais pas
recommandes)



Fig. 1.9 Montages possible pour obtenir la polarisation de la base

Dans les deux cas le signal est branch lentre et la sortie par les condensateurs CIN
et COUT. Cela permet de conserver les niveaux dc (courant directe) du transistor qui res-
tent non perturbs par les lments externes.
Les deux capacits forment deux filtres passe haut quil faut choisir daprs la frquence
infrieure donne par le cahier des charges.

Dans le circuit gauche le pont de base fixe la tension de base U
BE0,
mais il y a deux d-
savantages :
- la caractristique dentre du transistor varie cause des tolrances de fabrication.
14
- la tension de base U
BE
pour un courant I
C
donn dpend de la temprature (approxi-
mative 2 mV/C).
Une augmentation de la temprature de 10C et une amplification de 200 produiraient une
variation de la tension U
CE
de

AU
CE
= 0.002 V/C
.
1OC
.
200 = 4 V. (1.22)

Le circuit avec une seule rsistance donnerait un courant de base

I
BA
= (U
CC
-U
BE0
)/R
1
~ U
CC
/R
1
. (1.22a)

Dans ce montage linfluence de la variation de la tension U
BE
produit par un changement
de la temprature est ngligeable parce que U
CC
>>U
BE0
. En revanche, les variations de
lamplification du courant B sont beaucoup plus importantes en raison de la variation de
temprature (1%/C) et des variations des conditions de fabrication des transistors (facteur
de 0.5 et 2 fois la valeur moyenne, dun transistor un autre).
Les deux mthodes ne sont pas recommandes pour un circuit qui est indpendant de la
temprature et des tolrances de la fabrication du transistor.
Une meilleure possibilit utilise une contre-raction pour stabiliser le point de repos. Elle
est effectue par une rsistance R
E
supplmentaire qui produit une chute de tension qui
diminue limportance de tous les effets mentionns (fig. 1.10)


Fig. 1.10 Stabilisation du point de repos par une contre-raction

Leffet de la contre-raction se base sur le mcanisme suivant :
Si la tension U
BE
sagrandit par AU
BE
, le courant I
C
qui est augment par AI
C
~S
.
AU
BE
~I
E

produit au long de la rsistance R
E
une chute de tension supplmentaire de AI
E
.
R
E
. Celle-
ci diminue linfluence de AU
BE
et ainsi cette contre-raction stabilise le point de repos.
Lamplification avec contre-raction scrit :


E
C
E
C
R
R
S R
R
A ~
+
~
/ 1
(1.23)

15
Une tude plus approfondie de ce circuit avec contre-raction sera donne plus bas par
les formules drives.

Il ne faut pas que cette contre-raction rduise lamplification du signal alternatif utile, aus-
si une capacit C
E
est ajoute pour court-circuiter la rsistance R
E
et ainsi annuler
linfluence de R
E
pour les frquences dsires. Attention ces deux lments forment un
troisime filtre passe-haut.
A laide des rsultats sur leffet de temprature (1.22) et de lapproximation pour
lamplification rduite (1.23) on trouve une estimation pour le rapport R
C
/R
E
.

R
C
/R
E
= 3 10. (1.24)

Si lon admet que les signaux sont pour la plupart symtriques (limitation symtrique), il
suit que la tension la rsistance R
C
doit tre gale la tension de repos U
CE0
diminue
de 0.5V 1V.

U
RC
= U
CE0
0.5 1 V (1.24a)

La rsistance R
C
dpend de diffrentes contraintes telles que la tension dalimentation,
limpdance de sortie ou dentre, la puissance du signal etc.
Une fois dfini, le pont de base peut tre calcul laide du schma quivalent courant
direct (fig. 1.11a).



Fig. 1.11 Schma quivalent courant direct

Si lon veut sassurer quune certaine variation du courant de base influence peu la tension
de la base, on choisit le courant par le pont pour quil soit environ dix fois plus fort que le
courant de base I
B0
. On peut mieux dterminer linfluence des diffrents lments en rem-
plaant le pont par son schma quivalent (thorme de Thvnin) comme montr dans la
figure 1.11b.

1.1.6.4 La droite de charge statique
Le rpartition de la tension entre le transistor et les deux rsistances R
C
et R
E
est facile
dmontrer sur la caractristique de sortie du transistor I
C
-U
CE
(fig. 1.12a). Pour le transis-
tor, le courant est dcrit par la fonction

) , ( const I U f I
B CE C
= = . (1.25)

16
La chute de tension la somme des deux rsistances R
C
et R
E
est donne par la loi
dOhm (fig. 1.12b). Un courant approximativement identique (I
E
~ I
C
=I
R
) circule par les
trois composants (le transistor et les deux rsistances) et la somme des tensions est U
CC
:


R B C CE R CE CC
I R const I I U U U U + = = + = ) , ( (1.26)

Il suit la soi-disant droite de charge statique

R
U
I
R
U U
I
CE CE CC
R
=

=
max
(1.27)

0 5 10 15 20 25
0
10
20
30
40
50
60
K
o
l
l
e
k
t
o
r
s
t
r
o
m

I
C

[
m
A
]
Kollektor-Emitter Spannung U
CE
[V]
I
C
=f (U
CE
), Parameter I
B


0 5 10 15 20 25
0
10
20
30
40
50
60
S
t
r
o
m

I
R

[
m
A
]
Spannung U
CE
=U
CC
-U
R
[V]

Fig. 1.13 Caractristique de sortie et droite de charge statique (voir 1.27)

Ces fonctions sont traces dans une mme reprsentation. En cherchant lintersection
entre les deux fonctions, on trouve facilement les deux tensions (interpoler entre les carac-
tristiques)
U
CE
et U
R
pour un courant I
C
donn (fig. 1.14). (exercice)

0 5 10 15 20 25
0
10
20
30
40
50
60
U
CC U
RA
U
CEA
I
CA
K
o
l
l
e
k
t
o
r
s
t
r
o
m

I
C

[
m
A
]
Kollektor-Emitter Spannung U
CE
[V]
I
C
=f (U
CE
), Parameter I
B


Fig. 1.14 Droite de charge statique sur la caractristique de sortie du transistor


17
1.1.6.5 Montage metteur commun avec contre-raction de courant
A laide de la thorie des quadripoles on peut calculer les grandeurs caractristiques dun
circuit avec un transistor. La base pour ce calcule est le schma quivalent montr dans la
figure 1.15, qui se compose de quatre quadriples.


Fig. 1.15 Schma quivalent du circuit avec contre-raction de courrant


Procd :

1. Combiner le transistor avec la rsistance R
E
(paramtre Z connecter en srie)
- Dcrire la rsistance R
E
par les paramtres Z Z
RE

- Transformer les paramtres H du transistor en paramtres Z Z
T

- Z
2
=Z
T
+Z
RE

2. Connecter en cascade le quadriple Z
2
avec la rsistance du collecteur R
C
(multi-
plication des paramtres A)
- Rsultat de 1 transform en paramtres A A
2

- Dcrire la rsistance R
C
par les paramtres A A
RC

- A
4
=A
2
.
A
RC

3. Rsultat de 2 combin en cascade avec les rsistances R
Bl
//R
B2

- A
5
=A
RB
.
A
4


Exercice
Contrlez le rsultat thorique de ce problme ci-dessus

Exercice
Dterminez pour les trois cas diffrents lamplification de tension et limpdance dentre
et de sortie du montage metteur commun sans charge (R
Charge
=)
R
E
non court-circuit (C
E
pas prsent),
R
E
court-circuit par la capacit C
E
(correspond au cas sans rsistance R
E
)
et avec R
E1
court-circuit par la capacit C
E
en srie avec une rsistance supplmentaire
R
E2
=R
C
/30.


Dans cet exercice trois cas differents etaient etudis. Ces rsultats sont complts par
une discussion plus gnrale qui se base seulement sur ltage transistor et la rsistance
18
R
E
. Leffet de la contre-raction est montr en comparant les paramtres H du circuit com-
bin avec ceux du transistor. Le calcule est fait en pas intermdiaire:

H
T
Z
T
, Z
2
=Z
T
+Z
RE
, Z
2
H
2
.

Les rsultats sont complments par les formules approximatives qui sont valables sous
les conditions h
12
<<1 et R
E
h
22
<<1.


Paramtre H
2


Formule exacte

Approximation

Effet de R
E


2
h
11
( )( )
22
12 21
11
1
1 1
h R
h h R
h
E
E
+
+
+

( )
21 11
1 h R h
E
+ +
Limpdance dentre est
fortement augmente

2
h
12

22
22 12
1 h R
h R h
E
E
+
+


22 12
h R h
E
+
La contre-raction de ten-
sion est fortement aug-
mente

2
h
21

22
22 21
1 h R
h R h
E
E
+

21
h
Lamplification de courant
est lgrement rduite
2
h
22

22
22
1 h R
h
E
+


22
h
Ladmittance de sortie est
lgrement rduite
(1.28)

On trouve lamplification de tension si lon connecte la rsistance R
C
en cascade ( laide
des paramtres A). Lamplification est donne par la valeur inverse de a
11
:

22
22 12
22
22
22 21
22
11
1
1
h R
h R h
h R
h R
h R h
h R H
a
C
E
C
E
E
E
+

|
|
.
|

\
| +
+
+
+ A
= (1.29)

Si R
E
h
22
<<1 est valable, la formule (1.29) peut tre simplifie


C
E
C
E
C
R
R
R
R
R h
h
a ~ ~
21
11
11
(1.30)

Sans contre-raction le paramtre a
11
qui est la valeur inverse de lamplification devient :


12
22
22
21
22 11
22
12
22 21
11
1 1
1 h
h R
h R
h
h h
h R
h
h R h
H
a
C
C
C C

|
|
.
|

\
| +
=
|
|
.
|

\
|
+
A
= (1.31)


19
1.1.6.6 Montage metteur commun avec contre-raction de tension
Une autre possibilit pour la stabilisation du point de repos consiste alimenter la base
avec la tension du collecteur via une rsistance R
f
(feedback).


Fig. 1.16 Montage emetteur commun avec contre-raction de tension

Cette variante est nomme contre-raction de tension, parce que le signal de la boucle de
retour est proportionnel la tension de sortie (collecteur). Comme la discussion ci-
dessous le montre, ce signal agit contre la variation de la tension dentre (tension de ba-
se).
En effet, si la tension de base saugmente, le courant du collecteur saccrot, la chute de
tension au long de la rsistance R
C
sagrandit et la tension du collecteur dcrot. En
consquence la tension de contre-raction rduit leffet du signal dentre.
On peut dterminer leffet de la contre-raction laide de la thorie de quadriples appli-
que sur le schma quivalent (fig. 1.17). Dans le cas prsent, on admet que la rsistance
R
E
est court-circuite par la capacit C
E
.


Fig. 1.17 Schma quivalent avec contre-raction de tension

Le calcule se fait en suivant les tapes :

H
T
Y
T
, Y
2
=Y
T
+Y
Rf
, Y
2
H
2


On peut comparer les rsultats pour le circuit sans R
C
et R
2
(comme dans le cas 1.28)
avec les proprits du circuit sans contre-raction: Les approximations donnes sont va-
lables sous les conditions h
12
<<1 et h
11
<<R
f
.
20


Paramtre H
2


Formule exacte

Approximation

Effet de la rsistance R
f


2
h
11
f
R h
h
11
11
1+


11
h
Limpdance dentre est
lgrement augmente

2
h
12

f
f
R h
R h h
11
11 12
1+
+

f
R
h
h
11
12
+
La contre-raction de ten-
sion est fortement aug-
mente

2
h
21

f
f
R h
R h h
11
11 21
1+

21
h
Lamplification de courant
est lgrement rduite

2
h
22

( )( )
11
12 21
22
1 1
h R
h h
h
f
+
+
+
f
R
h
h
21
22
1+
+
Limpdance de sortie est
augmente
(1.32)

Pour le calcul de lamplification il faut prendre en considration la rsistance du collecteur
R
C
(produit des paramtres A). Lamplification est la valeur inverse de a
11
,


H
R R
R R
h
R h h
a
A
f C
f C
f
A +
|
|
.
|

\
| +

= =
11
11 21
11
1
(1.33)

Si les conditions R
f
h
21
<<h
11
et Ah<<h
11
/(R
C
//R
f
) sont valables (contrlez, exercice!), la for-
mule est rduite

f C
f
C
R R
R
h
R h
A
+
~
11
21
.
(1.34)


1.1.6.7 Dimensionner des capacits
Si lon veut supprimer la contre-raction par la rsistance R
E
pour les signaux alternatifs
courants, il faut court-circuiter les frquences de la bande passante de la capacit C
E
. Le
dimensionnement de la capacit produit un effet sur lamplification. On remplace dans la
formule :

22
22 12
22
22
22 21
22
11
1
1
1
h R
h R h
h R
h R
h R h
h R H
a
A
C
E
C
E
E
E
+

|
|
.
|

\
| +
+
+
+ A
= = (1.35)

la rsistance R
E
par le montage en parallle de R
E
//C
E


E E
E
E
R C j
R
Z
e +
=
1
(1.36)


21

10
0
10
2
10
4
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Frequenz
V
e
r
s
t

r
k
u
n
g

2
0
l
g

1.18 Leffet de la capacit C
E
sur lamplification

Lamplification montre dans la figure 1.18 varie entre deux niveaux constants
- pour les frquences basses la contre-raction est maximale et lamplification est de
E C
R R A = .
- Pour les frquences suffisamment leves, la contre-raction est supprime et
lamplification est de
11 21
h R h A
C
= .
- Entre ces deux niveaux, lamplification peut tre approche dans la prsentation log-
log par une droite (20lgA est proportionnel lg(f)).
- Ces trois intervalles sont limits par les frquences f
1
(ca. 1 Hz) et f
2
(ca. 100 Hz)
- On trouve pour la frquence f
1
:
E
E
C f
R
1
2
1
t
= .
Ces faits permettent de dterminer la valeur de la capacit C
E
:

( ) ( )
1
lg lg
lg lg
1 2
11 21
=

f f
R R h R h
E C C
ou
1
2
11
21
f
f
h
R h
E
= . Il suit

11 2
21
2 h f
h
C
E
t
= (1.37)






Fig. 1.19 La capacit de couplage lentre et la sortie du circuit metteur commun.
22

Les capacits de couplage lentre et la sortie de ltage (fig. 1.19) forment avec les
impdances voisines des filtres passe-haut. La capacit lentre C
1
, la rsistance de sor-
tie du gnrateur R
G
et limpdance dentre de ltage R
TE
forment un filtre RC avec une
frquence de coupure f
C
qui permet de dterminer la capacit par

( ) ( )
TE G B B u
R R R R f
C
+
=
// // 2
1
2 1
1
t
(1.38)

Pour le passe-haut la sortie, la capacit C
2
, la rsistance de la charge R
C
et limpdance
de sortie de ltage R
TA
sont importantes et on trouve

( ) ( )
L C TA u
R R R f
C
+
=
// 2
1
2
t

(1.39)

Si les trois capacits sont choisies daprs les formules (1.37) (1.39), les effets des filtres
se superposent et la frquence de coupure infrieure augmente. Pour garder la frquence
f
C
, on pourrait agrandir les valeurs C
i
dun facteur 3 (pour n filtres de n ) .

i i
C n C = (1.40)

Mais il est prfrable quune seule capacit soit responsable du filtrage et que les autres
naient que peu dinfluence. On choisit souvent la plus grande des capacits pour cet effet.
Avec cette mthode, le dphasage produit par la somme des filtres autour de la frquence
de coupure reste faible.
Les formules expliques dans ce chapitre permettent de dimensionner tous les lments
dun tage metteur commun (exercice).











23
1.1.7 Montage base commune
Dans le montage base commune (Fig. 1.20) la base sert de borne commune l'entre et
la sortie. Le signal d'entre est appliqu entre l'metteur et la base. Le signal de sortie
est disponible entre le collecteur et la base.


Fig. 1.20 Transistor en montage base commune

Quelques caractristiques de ce circuit peuvent tre dduites par de simples raisonne-
ments. Le gain en tension (ou amplification de tension) est de module gal celui du mon-
tage metteur commun, car les signaux sont mesurs entre les mmes bornes. L'imp-
dance d'entre est rduite d'un facteur gal au gain en courant, car, pour la mme tension
l'entre, le courant ne circule plus dans la base mais dans lmetteur. L'avantage de ce
montage rside dans ses proprits en haute frquence qui sont abordes ci-dessous.
Le calcul des caractristiques du montage base commune est bas sur le schma quiva-
lent suivant (quadriple):


Fig. 1.21 Schma quivalent du montage base commune (quadriple)

Les paramtres h du schma quivalent (Fig. 1.21) possdent un indice supplmentaire
pour les distinguer du montage metteur commun.

La transformation des paramtres du quadriple, donns le plus souvent pour le montage
metteur commun, est explique au moyen de l'exemple des paramtres h. On cherche
les paramtres h du montage base commune partir de ceux du montage metteur com-
mun.
Pour cela on considre les deux montages fondamentaux suivants (Fig. 1.22).

24


Fig. 1.22 Montages metteur commun et base commune

Par comparaison des deux circuits, il dcoule:


BE EB
u u = (1.41)

BE CE CB
u u u = (1.42)

C C
i i = (1.43)
) (
C B E
i i i + = (1.44)

Pour le montage base commune on a (avec les paramtres inconnus h
11b
h
22b
):


CB b E b EB
u h i h u
12 11
+ = (1.45)

CB b E b C
u h i h i
22 21
+ = (1.46)

du montage metteur commun on connat:


CE e b e BE
u h i h u
12 11
+ = (1.47)

CE e B e C
u h i h i
22 21
+ = (1.48)

On remplace d'abord les courants et tensions dans les quations du montage metteur
commun (1.47 et 1.4) par ceux du montage base commune (Equations 1.41 et 1.44).


EB e CB e E e C e EB
u h u h i h i h u
12 12 11 11
+ = (1.49)

EB e CB e E e C e C
u h u h i h i h i
22 22 21 21
+ = (1.50)

Aprs regroupement des termes:
( )
CB e E e C e e EB
u h i h i h h u
12 11 12 12
1 + = (1.51)
( )
EB e CB e E e e C
u h u h i h h i
22 22 12 21
1 + = + (1.52)

on peut introduire 1.52 dans 1.51, respectivement 1.51 dans 1.52


CB
h
e e e
e e
E
h
e e e
e
EB
u
h h H
h H
i
h h H
h
u
b b

12 11
21 12
12
21 12
11
1 1 + A +
A
+
+ A +
= (1.53)
25

CB
h
e e e
e
E
h
e e e
e e
C
u
h h H
h
i
h h H
h H
i
b b

22 21
21 12
22
21 12
21
1 1 + A +
+
+ A +
A
= (1.54)

En comparant les coefficients avec ceux de 1.45 et 1.46, on trouve les paramtres du
montage base commune.

N
h
h
N
h H
h
N
h H
h
N
h
h
e
b
e e
b
e e
b
e
b
22
22
21
21
12
12
11
11
=
A
=
A
= =
(1.55)

e e e
h h H N
21 12
1 + A + =

La figure 1.23 reprsente un montage base commune complet, avec les rsistances de
polarisation fixant le point de fonctionnement (Exercice).


Fig. 1.23 Schma du montage base commune

Cette forme inhabituelle de reprsentation a t choisie pour montrer que, pour le calcul
des rsistances, on peut faire les mmes raisonnements que pour le montage metteur
commun. Les caractristiques de ce circuit dcoulent du schma quivalent correspon-
dant (Fig. 1.24) et de la thorie des quadriples (avec l'hypothse que les condensateurs
peuvent tre remplacs par des court-circuits).


Fig. 1.24 Schma quivalent du montage base commune
26
Le gain en tension se calcule par (Voir 1.18):

b
C
b C b
C b
h
R
h R H
R h
u
u
A
11 11
21
1
2
~
+ A

= = avec la rsistance de charge
L C C L
R R R R // : (1.56)

et pour l'impdance d'entre, respectivement de sortie on obtient:

E
C b
C b b
i
e
R
R h
R H h
i
u
r //
1
22
11
0
1
1
2
+
A +
= =
=
avec charge
L C C L
R R R R // : (1.57)


C
b E b
E b
a
R
h R H
R h
r //
22
11
+ A
+
= avec
G E E G
R R R R // : 0 = (1.58)


1.1.7.1 Montage base commune avec contre-raction
Les caractristiques du montage base commune peuvent tre stabilises par une contre-
raction comme pour le montage metteur commun. Pour cela, une rsistance R
B
doit tre
insre entre la base et le point milieu du diviseur de tension (Fig. 25a).



Fig. 1.25a Contre-raction avec R
B
Fig. 1.25b Contre-raction avec R
E1


Le calcul des caractristiques du circuit se fait de manire analogue celui du montage
metteur commun et conduit aux mmes rsultats.

27

Paramtre H
2
Formule exacte Approximation Effet de la rsistance R
B


2
h
11
( )( )
b B
b b B
b
h R
h h R
h
22
12 21
11
1
1 1
+
+
+


( )
b B b
h R h
21 11
1+ +
L'impdance d'entre
augmente fortement

2
h
12

b B
b B b
h R
h R h
22
22 12
1+
+


b B b
h R h
22 12
+
La tension de contre-
raction augmente forte-
ment

2
h
21

b B
b B b
h R
h R h
22
22 21
1+

b
h
21

Le gain en courant est
faiblement diminu

2
h
22

b B
b
h R
h
22
22
1+


b
h
22

L'admittance de sortie est
faiblement diminue
(1.59)

Pour le calcul du gain en tension, la rsistance de collecteur R
c
est branche en cascade.
Le gain est donn par l'inverse de a
11
.


b C
b B b
b C
b B
b B b
b B b
h R
h R h
h R
h R
h R h
h R H
a
22
22 12
22
22
22 21
22
11
1
1
+

|
|
.
|

\
| +
+
+
+ A
= (1.60)


b
C e
B
C
b
h
R h
R
R
h
a
12
21
11
11
+ + ~

De l il vient:
b C e B b
C
h R h R h
R
A
12 21 11
+ +
~ . (1.61)

Les expressions pour l'impdance d'entre et pour le gain contiennent le terme

( )
e
B
b B
h
R
h R
21
21
1 ~ + . (1.62)

L'approximation est possible grce
e
e
e e e
e e
b
h
h
H h h
h H
h
21
21
21 12
21
21
1 1 +

~
A + +
A
= et

e e
e
b
h h
h
h
21 21
21
21
1
1
1 1 ~
+

+ ~ + .

On remarque ainsi que l'effet de R
B
peut tre remplac par une rsistance R
E1
en srie
avec h
21e
. Sa valeur doit par contre tre diminue d'un facteur gal au gain en courant h
21e

(montage metteur commun). En pratique, dans les applications haute frquence, seul ce
circuit est utilis comme montage base commune car la faible rsistance de contre-
raction diminue beaucoup l'influence des capacits parasites. En outre, les caractristi-
ques du circuit sont bien indpendantes de la temprature et de la dispersion des compo-
sants. Ceci est d au fait que le paramtre h
21e
intervenant dans l'impdance d'entre et
dans le gain est ngligeable au premier ordre (Fig.1.25b). (Voir exercice 5)
28

Des capacits C
1
et C
2
sont utilises pour le couplage d'entre, respectivement de sortie.
(Borne positive ct circuit). Une troisime capacit C
B
coupe l'effet de contre-raction du
diviseur de tension de la base dans la plage de frquence dsire.


( )
2 1 21 11
// // 2
1
B B e b u
B
R R h h f
C
t
= (1.63)
( )
E TE G u
R R R f
C
// 2
1
1
+
=
t
(1.64)
( )
L C TA u
R R R f
C
+
=
// 2
1
2
t
(1.65)
Pour que la frquence de coupure infrieure puisse tre garantie, les capacits doivent
tre augmentes raisonnablement comme pour le montage metteur commun.
29
1.1.8 Montage collecteur commun ou metteur suiveur

Dans le montage collecteur commun, on applique le signal d'entre entre la base et le col-
lecteur. La rsistance d'metteur sert fixer le point de fonctionnement (Fig. 1.26).


Fig. 1.26 Transistor en montage collecteur commun

La tension d'metteur U
E
est gale la tension d'entre U
R2
diminue de la tension base-
metteur (env. 0,6 V). La tension de sortie suit donc la tension d'entre la diffrence
prs dinfimes variations de la tension base-metteur U
EB
(I
B
). C'est pour cette raison que
ce montage s'appelle metteur suiveur. Le gain en tension est dune valeur pratiquement
gale 1. Les autres caractristiques dcoulent galement du schma quivalent et de la
thorie des quadriples (Fig. 1.27).


Fig. 1.27 Schma quivalent du montage collecteur commun (quadriple)

L'application des thormes sur les quadriples donne les rsultats suivants pour les im-
pdances d'entre et de sortie ainsi que pour le gain de tension (1.18) (Exercice):

2 1
22
11
// //
1
B B
c
c c
e
R R
R h
R H h
r
+
A +
= avec
L E
R R R // = (1.66)


E
c C
c
a
R
R h H
R h
r //
22
11
+ A
+
= avec
2 1
// //
B B G
R R R R = (1.67)
30


R H h
R h
A
c c
c
A +
=
11
21
avec
L E
R R R // = (1.68)



1.1.9 Caractristiques des trois montages fondamentaux

Emetteur
commun
Fig. 1.7
Collecteur com-
mun
Fig. 1.26
Base commune

Fig. 1.23

rsistance d'entre
en alternatif
r
e

quation

2 1 11
// //
B B e
R R h

2 1
21 11
// //
) (
B B
E e e
R R
R h h +


E
e
e
R
h
h
//
21
11

Valeurs
typiques
0.4 ... 5 kO 200 ... 500 kO 50 ... 200 O

rsistance de sortie
en alternatif
r
a


quation

e C
h R
22
1 //
E
e
B B e
R
h
R R h
//
//
21
2 1 11
+


e C
h R
22
1 //
Valeurs
typiques
10 ... 100 kO 100 ... 500 O 50 ... 200 kO

gain en tension A
u

quation

e C
e
e
h R
h
h
22
11
21
1 //

e E e
E e
h R h
R h
11 21
21
+


e C
e
e
h R
h
h
22
11
21
1 //
Valeurs
typiques
100 ... 1000 <1 100 ... 1000

gain en courant
A
i


quation

e C
e e
h R
h h
22
22 21
1
1
+


( )
e E
e e
h R
h h
22
21 22
1
1 1
+
+


e
e
h
h
21
21
1+

Valeurs
typiques
20 ... 500 20 ... 500 <1

gain en puissance

quation
e
C
e
h
R
h
11
2
21
~

e
h
21
~

u
A ~
Valeurs
typiques
2000 ... 50000 20 ... 500 100 ... 1000
Dphasage (fr-
quences basses)

180

0

0
Application Circuits stan-
dards pour ap-
plication BF et
HF
Convertisseur
d'impdances,
tages d'entre
BF
Amplificateurs
HF, spciale-
ment pour f
>100 MHz



31
1.1.10 Dfinition et transformation des paramtres quadriples



|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
2
1
22 21
12 11
2
1
i
i
z z
z z
u
u



|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
2
1
22 21
12 11
2
1
u
u
y y
y y
i
i


|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
2
1
22 21
12 11
2
1
u
i
h h
h h
i
u



|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
2
2
22 21
12 11
1
1
i
u
a a
a a
i
u


12 21 22 11
x x x x x = A


z


y

h

a


z

22 21
12 11
z z
z z

y
y
y
y
y
y
y
y
A A

A
11 21
12 22

22 22
21
22
12
22
1
h h
h
h
h
h
h

A

21
22
21
21 21
11
1
a
a
a
a
a
a
a A



y
z
z
z
z
z
z
z
z
A A

A
11 21
12 22


22 21
12 11
y y
y y

11 11
21
11
12
11
1
h
h
h
h
h
h
h
A

12
11
12
12 12
22
1
a
a
a
a
a
a
a

h
22 22
21
22
12
22
1
z z
z
z
z
z
z

A

11 11
21
11
12
11
1
y
y
y
y
y
y
y
A

22 21
12 11
h h
h h

22
21
22
22 22
12
1
a
a
a
a
a
a
a

A



a
21
22
21
21 21
11
1
z
z
z
z
z
z
z

A

21
11
21
21 21
22
1
y
y
y
y
y y
y

21 21
22
21
11
21
1
h h
h
h
h
h
h

22 21
12 11
a a
a a










32
1.1.11 Transformation des paramtres h du transistor

Montage metteur commun


=
e
h
11

b b b
b
h h h
h
A + +
21 12
11
1


c
h
11


=
e
h
12

b b b
b b
h h h
h h
A + +
A
21 12
12
1


c
h
12
1

=
e
h
21

b b b
b b
h h h
h h
A + +
+ A
21 12
21
1
) (


) 1 (
21c
h +

=
e
h
22

b b b
b
h h h
h
A + +
21 12
22
1


c
h
22


= A
e
h
b b b
b
h h h
h
A + +
A
21 12
1


c c c
h h h A + +
21 12
1

Montage collecteur commun


=
c
h
11

b b b
b
h h h
h
A + +
21 12
11
1


e
h
11


=
c
h
12

b b b
b
h h h
h
A + +
+
21 12
21
1
1


e
h
12
1

=
c
h
21

b b b
b
h h h
h
A + +

21 12
12
1
) 1 (


) 1 (
21e
h +

=
c
h
22

b b b
b
h h h
h
A + +
21 12
22
1


e
h
22


= A
c
h
b b b
h h h A + +
21 12
1
1


e e e
h h h A + +
21 12
1

Montage base commune


=
b
h
11

e e e
e
h h h
h
A + +
21 12
11
1

c
c
h
h
A
11


=
b
h
12

e e e
e e
h h h
h h
A + +
A
21 12
12
1

c
c c
h
h h
A
+ A
21


=
b
h
21

e e e
e e
h h h
h h
A + +
+ A
21 12
21
1
) (

c
c c
h
h h
A
A
12


=
b
h
22

e e e
e
h h h
h
A + +
21 12
22
1

c
c
h
h
A
22


= A
b
h
e e e
e
h h h
h
A + +
A
21 12
1

c
c c c
h
h h h
A
A + +
21 12
1






33
1.1.12 Schma quivalent avec lments parasites (Giacoletto)
Le schma quivalent utilis jusquici nest plus adquat pour lanalyse du comportement
du transistor pour de hautes frquences. On pourrait ajouter au schma dcrit par les pa-
ramtres quadriples h des lments supplmentaires comme des rsistances, des capa-
cits ou des inductances. Mais avec deux sources et plusieurs composantes additionnel-
les, son application deviendrait trop lourde. On le remplace donc par un schma quiva-
lent avec une source qui est propre la considration prvue. Il est nomm daprs son
inventeur modle de Giacoletto .

Les lments parasites sont des rsistances de volume dans lmetteur, le collecteur et la
base, ainsi que des admittances de fuites entre les jonctions metteur-base et collecteur-
base, et enfin des capacitances de diffusion entre les connexions. Pour des frquences
trs leves il faut prendre en considration les inductances des connexions. Le schma
quivalent complt est montr dans la figure 1.28.


Fig. 1.28 Schma quivalent daprs Giacoletto

Les lments, compars ceux de lancien schma quivalent sont:

r
BB
rsistance de volume de base
E B BB
r r
' '
1 . 0 ~
r
BE
rsistance interne base-metteur
e BE E B
h r r
11 '
= ~
C
D
capacitance de diffusion ) 100 ... 10 ( ~ pF I C
C D

S
i
admittance interne S
h
h
h
h h
S
e
e
e
e e
i
= ~
+
=
11
21
11
12 21

r
BC
rsistance interne base-collecteur
e
e
r
C B
h
h
S
r
12
11
'
1
= ~ (1.69)
r
BC
rsistance interne collecteur-metteur
e e
e
CE CE
h H
h
r r
22
11
1
' ~
A
= ~
C
CB
capacit de transition 2.5 pF

Lanalyse du filtre passe-bas lentre (r
BE
et C
D
) donne un premier rsultat.
Lamplification de courant devient gale 1, si laffaiblissement produit par ce filtre com-
pense lamplification de courant basse frquence h
21B
(avec source haute impdance) :


34

D E B
E B
B
B
C j r
r
i
i
e +
=
'
' '
1
1
il suit
E B D
e
B
B e
B
C
r C j
h
i
i h
i
i
h
'
21
' 21
21
1
1
'
e +
= = =

La frquence pour cette condition et nomme frquence de transition f
T


21
' h vaut 1 si
e D
e
E B D
e
T
h C
h
r C
h
f
11
21
'
21
2 2 t t
~ = . (1.70)

Le filtre passe-bas, form par la rsistance r
BE
et la capacit C
D
dfinit par son point de 3
dB la frquence f
|
.

Si
2
1 '
21
21
=
e
e
h
h
on a
E B D
E B D
r C
f r C
'
'
2
1
1
t
e
|
= = (1.71)

La combinaison de (1.69) avec (1.70) permet de dfinir le produit Gain*Bande Passante.


| |
| f f h f
e T
= =
21
(1.72)

Si on alimente le transistor avec une source de basse-impdance, le circuit RC form par
r
BB
et C
D
devient dominant.


( )
( ) ( )
' '
' ' '
// 1 1 //
1 //
BB E B D
BE E B
D BE
D E B
BE
E B
r r C j
r r
C j r
C j r
u
u
e e
e
+
= = (1.73)

Parce que
E B BB
r r
' '
1 . 0 ~ le rapport de tension dans (1.72) a une valeur de 3 dB la fr-
quence


|
f f
S
10 ~ (1.74)

Les trois frquences de coupure remplissent linquation


T S
f f f << <<
|
. (1.75)

Conclusions
Dans le montage metteur commun, aliment par une source de haute impdance,
cest--dire avec un courant indpendant de la charge, on trouve la frquence de coupure
f

. Le mme circuit montre une frquence de coupure f

S
qui est 10 fois plus leve, si la
source est de basse impdance.

Cette mme frquence de coupure f
S
est applicable pour le montage base commune ali-
ment par une source de basse impdance. Si on utilise une source de haute impdan-
ce (avec un courant metteur indpendant de la charge) la frquence de coupure est la
frquence de transition f
T
.

La frquence de coupure du montage collecteur commun varie selon limpdance de la
source entre f
|
et f
T
.


35
1.1.13 Amplificateur diffrenciateur
Le schma fondamental de lamplificateur diffrenciateur (appel aussi amplificateur diff-
rentiel) est compos de deux transistors symtriques avec les metteurs relis. Il possde
deux entres et deux sorties et peut tre utilis pour lamplification de signaux continus et
alternatifs.

Fig. 1.29 Schma de principe de lamplificateur diffrenciateur

La rsistance metteur R
E
est souvent remplace par une source de courant constant (mi-
roir de courant) qui amliore la suppression du signal pour le mode commun (common
mode rejection).
On distingue diffrents modes damplification :
- Lamplification du signal en mode symtrique (entre entre les bases, sortie entre
les collecteurs)
- Lamplification du signal en mode commun (entre entre les bases relies et la
masse, sortie entre les collecteurs)
- Lamplification dun signal asymtrique (entre entre une base et la masse, sortie
entre le collecteur du mme transistor et la masse)

Si lon est intress par la diffrence de signal entre les deux entres, le signal en mode
commun prsente un signal non dsir qui doit tre supprim. Dans ce cas, on utilise
lexpression common mode rejection qui est dfinie par laffaiblissement de ce signal
perturbateur (entre entre les bases relies et la masse, sortie entre les collecteurs).



36
1.1.13.1 Exploitation symtrique

Fig. 1.30 Schma quivalent pour le mode symtrique

A laide du schma quivalent (fig. 1.30) on peut dduire lamplification, la rsistance
dentre et la rsistance de sortie du circuit. Si le circuit est parfaitement symtrique, il faut
prendre en compte lannulation des courants des deux transistors dans la rsistance
dmetteur. On trouve alors :

2 1 0 2 1 2 2 1 1
, , , u u u u u u u u u
BE BE
+ = = = = et (1.76)

2 1
11
21
2 2
11
21
1 1
, ,
RC RC diff
C
BE RC
C
BE RC
u u u
h
R h
u u
h
R h
u u = ~ ~ (1.77)

( )
11
21
2 1
11
21
2
11
21
1
h
R h
u u
h
R h
u
h
R h
u u
C C C
diff
+ = = (1.78)

11
21
0
0
h
R h
u
u
A
C
diff
S
= = (1.79)

0
S
A est lamplification du signal mesur symtrique lentre et la sortie.

Limpdance dentre et limpdance de sortie sont approximativement :


11
0
2h
i
u
r
B
E
~ = et (1.80)

|
|
.
|

\
|
=
C a
R
h
r //
1
2
22
. (1.81)

1.1.13.2 Mode commun
Le mme schma quivalent est utilis pour lanalyse du mode commun. Dans ce cas les
courants des deux transistors sadditionnent dans la rsistance R
E
et, sous la condition
davoir un circuit parfaitement symtrique, la tension entre les deux collecteurs est nulle.
En ralit les paramtres des transistors et les valeurs des rsistances sont lgrement
diffrentes. Par la suite, ces diffrences seront exprimes par
x
pour chaque paire
dlments x.
37



Fig. 1.31 Schma quivalent pour le mode commun


Dans la discussion qui suit on considre seulement les termes qui influencent fortement
les rsultats et on applique les simplifications suivantes :

( )( )
( )( )
3 2 1
3
2 1
2 1 2 1
1
1 1
1 , 1 1 1 , 1
1
1
, 1 1 A A + A ~
A +
A + A +
A + A + ~ A + A + A ~
A +
~ A +

Pour dterminer lamplification du signal commun (common mode) et limpdance dentre
et de sortie on utilise les expressions :


( )
11
2 1 2 1
11 11
2
2
11
1
1
2
1
,
h
u
i i i i
h
u
i
h
u
i
BE
B B B B
BE
B
BE
B
= + ~
A +
= = (1.82)


( ) ( ) ( ) ( ) ( )( )
( )
11
21
21 2 1 21 21 2 21 1
1
2
1 1 1 1
h
h u
R
h i i R h i h i R u
BE
E
B B E B B E RE
+
~
+ + ~ A + + + + =
(1.83)


( )( )
( )
11
21
11
21
2
11
21
1
1
1 1
,
A +
A + A +
= =
RC C
BE RC
C
BE RC
h
R h
u u
h
R h
u u (1.84)

( )
11 21
11
21
2 1
A A + A = =
RC
C
BE RC RC diff
h
R h
u u u u (1.85)

Il suit lamplification du mode commun (common mode amplification)


( )
( )
( )
( )
21 11
11 21 21
11
21
11 21
11
21
1
1 2
1
2 1
h R h
R h
h
h
R
h
R h
u u
u
u
u
A
E
RC C
E
RC
C
RE BE
diff diff
CM
+ +
A A + A
=
+
+
A A + A
=
+
= = (1.86)

limpdance dentre est donne par

38
( )
21
11
11
21 11
11
21
1
1
2
1
2 1
2 2
1
2 1
2
h R
h
h
h
R
h
i
h
h
R u
i
u
r
E E
B
E BE
B
e
+ + =
|
|
.
|

\
| +
+ =
|
|
.
|

\
| +
+
= = (1.87)

et limpdance de sortie se calcule par


|
|
.
|

\
|
=
C a
R
h
r //
1
2
22
. (1.88)

1.1.13.3 Dimensionnement et rsultats de la simulation
Le dimensionnement est relativement simple. Dans le cas dun amplificateur courant direct
o lutilisation de capacits de couplage nest pas possible, les deux entres ont le poten-
tiel zro. On choisit souvent comme alimentation deux sources de mme tension V
CC
et
V
EE
et lon repartit les tensions comme daprs (1.89):

2
RE
CE RC
U
U U = = (1.89)

Par la rsistance dmetteur R
E
circule la somme des deux courants de collecteur c..d. le
double du courant par une R
C
. Sous ces conditions les trois rsistances R
C1
, R
C2
et R
E

deviennent gales. Les rsistances du pont de polarisation des bases ont aussi la mme
valeur et sont choisies dix fois plus grandes que les trois rsistances R
C1
, R
C2
et R
E
. Un
circuit typique est montr dans la figure 1.32.


Fig. 1.32 Amplificateur diffrentiateur avec entre et sortie (entre U
C1
et U
C2
) symtriques

39


Fig. 1.33 Signaux de sortie et facteur de transfert de lamplificateur daprs la figure 1.32

Le circuit prsent dans la figure 1.34 permet lanalyse (simulation et mesure) de la sup-
pression du mode commun. Si les deux parties taient exactement gales le mode com-
mun du signal serait supprim. Seules les asymtries entre les lments et transistors
produisent une common mode rejection finie. La mthode de simulation Monte Car-
lo permet ltude de cet effet. On laisse varier les valeurs des composantes et les carac-
tristiques des transistors arbitrairement et excuter plusieurs simulations. Le rsultat
avec une variation uniforme entre plus et moins 10 % et prsent dans la figure 1.35 (
gauche).
Comme montr par la formule (1.86) la suppression du mode commun est li la valeur
de la rsistance metteur R
E
. En remplaant R
E
par un circuit miroir de courant (voir
1.1.15), la suppression du mode commun sera beaucoup plus forte grce la haute imp-
dance de ce circuit. La figure 1.35 ( droite) montre les rsultats obtenus par cette mtho-
de.


Fig. 1.34 Le miroir de courant la place de la rsistance metteur R
E


40

Fig. 1.35 Amplification du mode commun, circuit de la figure 1.32 ( gauche), circuit de la
figure 1.34 ( droite)

Lamplification du signal asymtrique est proportionnel la valeur de la rsistance collec-
teur R
C
. Le remplacement de cette rsistance par une impdance dynamique (fig. 1.36)
augmente lamplification de 40 dB denviron 60 dB (fig. 1.33 et 1.36)




Fig. 1.36 Miroir de courant la place des rsistances de collecteur

Souvent on alimente lamplificateur diffrentiateur de faon asymtrique (fig. 1.37). Mais
ce circuit ne permet pas la suppression du mode commun. Une autre variante utilise seu-
lement une sortie par rapport la masse ; elle est appele single ended amplifier . Ce
circuit possde une amplification rduite (-6 dB) en comparaison avec lamplificateur diff-
rentiateur classique mais il permet la sortie asymtrique (entre symtrique sortie
asymtrique).

41

Fig. 1.37 Entre asymtrique Fig. 1.38 Sortie asymtrique



Fig. 1.39 Lamplification symtrique de lamplificateur single-ended



Fig. 1.40 Amplification mode commun de lamplificateur single-ended



1.1.14 Amplificateur de Darlington
Lamplificateur de Darlington est constitu de deux ou plusieurs metteurs suiveurs en
cascade (fig. 1.41). Lamplification de tension vaut cependant presque un. Il possde une
trs haute amplification de courant ( peu prs le produit des amplifications de courant
individuelles), une trs haute impdance dentre et une basse impdance de sortie.
- Amplification de tension ( ) dB A 2 . 0 1 ~
42
- Amplification de courant
2 1
| | | = (1.90)
- Impdance dentre
e e
R r
2 1
| | ~
- Impdance de sortie
2 , 11
2
1 1 , 11
2 , 11
/
e
e
e a
h
R h
h r ~
+
+ =
|
|
avec
2 1
// //
B B Q
R R R R =



Fig. 1.41 Amplificateur de Darlington et son facteur de transfert

La simulation permet de dterminer limpdance dentre en fonction de la frquence. On
introduit une petite rsistance (p. ex. 1 Ohm) pour mesurer le courant et on trouve :
Compte tenu du pont de base
RQ
B
e
i
u
r
1
= et
pour lamplificateur de Darlington propre
1
1 '
B
B
e
i
u
r = .



Fig. 1.42 Amplificateur de Darlington et dtermination de limpdance dentre

Pour mesurer limpdance de sortie puis effectuer la simulation de cette mesure, on ali-
mente la sortie avec un signal sinusodal, on mesure ensuite le courant avec une rsistan-
ce R
m
. Limpdance de sortie se calcule alors daprs le rapport :
43
Rm
e
a
i
u
r = . Lentre peut rester ouverte, peut tre court-circuite ou encore tre munie dune
rsistance de source. Il est seulement important de ne pas surcharger la sortie avec un
signal de trop haute amplitude.



Fig. 1.43 Circuit Darlington et dtermination de limpdance de sortie


1.1.15 Miroir de courant
Dans beaucoup dapplications de hautes valeurs de rsistance sont ncessaires. Dans
lamplificateur diffrentiateur par exemple, une grande rsistance metteur R
E
permet une
forte suppression du mode commun. Un autre exemple est fourni par la rsistance collec-
teur R
C
dont lamplification dpend directement. Il est connu que limpdance de sortie
dun transistor montre une haute impdance et ce qui permet de crer une haute imp-
dance dynamique. Ce circuit porte le nom de miroir de courant .


Fig. 1.44 Miroir de courant

La polarisation de la base se fait laide dune diode, qui a caractristique I
BE
=f(U
BE
) (fig.
1.44 gauche) ou une caractristique similaire. Dans les circuits intgrs cette diode est
souvent remplace par un transistor Q2, qui a la mme caractristique que Q1 parce quils
sont fabriqus avec le mme processus. Le courant passant par la diode D1 ou par le
44
transistor Q2 doit tre gal au courant par le transistor Q1. Ainsi le dimensionnement de la
rsistance R est fix.


1
1
Q
D
I
U VCC
R

= (1.91)

Un changement de la caractristique de la diode la suite dune variation de temprature
est le mme pour ces deux semi-conducteurs et le courant par ces lments reste prati-
quement inchang.

1.1.16 Amplificateur Push-pull
Les montages amplificateurs dcrits jusquici appartiennent la classe A des amplifica-
teurs. Ils sont caractriss par le fait quun seul transistor amplifie le signal linairement.
Un dsavantage de cette classe est leur faible rendement ; seulement une petite partie de
la puissance totale de ltage est utilisable dans la charge. Pour les tage de puissance on
a dvelopp le montage push-pull qui est consist de deux transistors complmentaires
monts en cascade (figure 1.45).
Dans cette configuration, chaque transistor amplifie une demi-onde du signal ou plus g-
nral la partie positive et la partie ngative. Par les deux transistors passe seulement une
faible composante transversale du courant. Le rendement est nettement meilleure (environ
75%). Cet amplificateur est de la classe B. Dans les applications hautes frquences, on
utilise aussi des amplificateur de la classe C qui travaillent par impulsions et ont souvent
un circuit rsonnant parallle comme lment de charge. Celui, laide de sa slectivit,
produit un signal sinusodal en sortie.
Dans lamplificateur classe B seulement un des deux transistors est tour tour actif, lun
tire et lautre pousse. Cela explique le nom push-pull . Le schma de principe montr
dans la figure 1.45 possde la dsavantage dtre sensible aux variations de temprature,
car le changement de la tension base-metteur influence directement la polarisation des
transistors.


Fig. 1.45 Amplificateur Push-Pull

Si la tension de polarisation est trop faible, ltage produit autour du passe-zro du signal
des distorsions non-linaires (degr descalier, figure 1.46, gauche). Plus la tension de la
45
polarisation augmente et plus la composante transversale du courant devient grande. La
distorsion non-linaire disparat mais le rendement de ltage se diminue (figure 1.46
droite). Les mmes effets se produisent si la tension base-metteur varie en raison dun
changement de temprature.



Fig. 1.46 Leffet dune variation des rsistances RE1 et RE2 (de 160 180 Ohm)

Une meilleure mthode consiste utiliser une diode pour produire la tension de polarisa-
tion (ou un transistor connect comme une diode, figure 1.47). Il sagit dune variante du
miroir de courant dcrit plus haut. La composante transversale du courant est choisie en-
tre 2 et 5 % du courant de charge maximale.





Fig. 1.47 Gnration de la tension de polarisation laide dune diode ou dun transistor
connect comme diode

Les rsultats des simulations faits pour ces deux mthodes illustrent linfluence de la tem-
prature sur la composante transversale du courant (figure 1.48). Si lon utilise une diode
ou un transistor, le courant reste pratiquement constant; dans le cas de rsistances, le
courant saugmente par un facteur 7 pour une variation de la temprature entre 0 et 60
degrs. Le courant a t mesur laide dune rsistance R
mes
=1 Ohm.


46


Fig. 1.48 La composante transversale du courant ( gauche daprs figure 1.45, droite
daprs figure 1.47) pour des tempratures de 0 30 et 60 degrs.

1.1.17 Amplificateur plusieurs tages
Un amplificateur est souvent compos de plusieurs tages:

- un tage dentre, qui est construit pour produire quun bruit faible,
- un circuit dattaque, qui est suffisant puissant pour alimenter ltage de puissance et
- ltage de puissance ou de sortie, qui possde une faible rsistance de sortie et
produit la puissance demande avec un bon rendement.

Lexemple dun amplificateur pour des signaux alternatifs (couplage avec capacits) est
montr dans la figure 1.49. Ltage dentre est ralis par un amplificateur single-
ended , suivi dun amplificateur dattaque et dun tage de sortie de type push-pull. Le
facteur de transfert (en dB et en degrs) est prsent par la figure 1.50.


Fig. 1.49 Amplificateur de courant alternatif plusieurs tages

47

Fig. 1.50 Facteur de transfert de lamplificateur de figure 1.49

Lapplication des rsistances dynamiques permet une plus grande amplification. Le sch-
ma, le facteur de transfert et limpdance dentre et de sortie sont montrs sur les figures
151 154.


Fig. 1.51 Amplificateur plusieurs tages avec rsistances dynamiques

48

Fig. 1.52 Facteur de transfert



Fig. 1.53 Impdance dentre Fig. 1.54 Impdance de sortie











49
1.2 Transistors effet de champs
Le transistor bipolaire est le composant essentiel de llectronique linaire. Son fonction-
nement repose sur deux types de charges, les trous et les lectrons. Do son qualificatif
bipolaire. Le fonctionnement du transistor unipolaire dpend dun seul type de charge, les
trous ou les lectrons.
Le transistor effet de champs est un exemple de transistor unipolaire. On distingue le
transistor effet de champs jonction JFET et le transistor effet de champs mtal-
oxyde MOSFET.
1.2.1 Transistors effet de champs jonction (JFET)

1.2.1.1 Notions fondamentales
Le FET jonction est constitu partir dun barreau de silicium dop (fig. 1.55a). Si le do-
page est fait dun matriau semi-conducteur N, il sagit dun FET canal N.


Fig. 1.55 FET jonction canal N et son symbole graphique

Pour former un FET jonction, deux lots de type P sont raliss dans les flancs du bar-
reau de type N. La partie infrieure du dispositif sappelle la source parce que des lec-
trons libres pntrent dans le dispositif par cet endroit. La partie suprieure sappelle le
drain parce que les lectrons libres quittent le dispositif par cet endroit. Dans la plupart
des ralisations du JFET, la composition est symtrique et lon peut changer la source
et le drain. Les deux rgions P sont connectes intrieurement et sappellent la grille
(grid). Les lectrons libres doivent passer par cet troit canal lorsquils migrent de la sour-
ce au drain. La largeur du canal est importante : elle dtermine le courant qui traverse le
FET jonction.
La figure 1.55b reprsente le symbole graphique dun N-JFET. Le mince trait vertical re-
prsente le canal N ; on relie la source et le drain ce trait. Comme la grille et le canal
forment une diode PN, la flche de la grille pointe vers le canal.

Fig. 1.56 Polarisation dun N-JFET et ses couches de dpltion ou dappauvrissement qui
contrlent la largeur du canal

50
Si le dopage du barreau est de type P il suit un JFET canal P. Par la suite on tudiera
seulement le JFET canal N. On peut noter, que les rsultats sont aussi valables pour le
type P, il faut seulement remplacer tous les signes + par - et vice versa.

On branche une alimentation positive V
DD
entre le drain et la source (fig. 1.56). La grille est
polarise ngative. Plus la tension est ngative, plus le canal est troit et le courant est
diminu. On polarise toujours la grille dun JFET en inverse pour empcher tout cou-
rant de grille.

1.2.1.2 Les caractristiques du N-JFET
Les caractristiques du N-JFET BF245A sont prsentes dans les figures suivantes :

- La caractristique dentre (fig. 1.57) montre un trs faible courant si la diode gril-
le-canal est polarise en inverse (10 20 pA). Pour une tension positive, le courant
saugmente trs fortement.
- La caractristique de transfert ou transconductance (fig. 1.58) dcrit le courant
de sortie I
D
en fonction de la tension dentre U
GS
. Elle est une partie de parabole.
Son quation est

2
0
1
|
|
.
|

\
|
=
GS
GS
DS D
U
U
I I avec (1.92)

I
DS
courant I
D
avec la grille court-circuite (s pour short)

U
GS0
tension U
GS
qui bloque le courant et produit I
D
=0 (aussi U
P
, p de pinch-off)



Fig. 1.57 Caractristique dentre Fig. 1.58 Caractristique de transfert

Dans lexemple (fig.1.58) on trouve :

le courant maximal I
DSS
=3.75mA pour la tension U
DS
=10V et

la tension de blocage U
GS0
=-2V.

- La caractristique de drain ou de sortie montre deux rgimes diffrents (fig.
1.59).
o Entre 0 et environ 1 V le courant de drain I
D
dpend peu prs linairement
de la tension drain-source U
DS
. Cette partie des caractristiques est prsen-
51
te en dtail dans la figure 1.60 et est appele rgime ohmique. Pour la ten-
sion drain-source U
DS
<U
GS
-U
GS0
le courant est donn par

( ) ( )
2
0
2
0
2
DS DS GS GS
GS
DS
D
U U U U
U
I
I = (1.93)

o Au dessus de cette limite le courant reste presque constant et le JFET agit
comme une source de courant. La faible pente des caractristiques de drain
est un effet de la longueur du canal et peut tre dcrite par un facteur sup-
plmentaire.

( )
DS
GS
GS
DS D
U
U
U
I I +
|
|
.
|

\
|
= 1 1
2
0
avec (1.94)

: modulation par la longueur du canal

o La drive de lquation (1.94) donne la conductance de sortie du JFET

2
0
22
1
|
|
.
|

\
|
=
c
c
=
GS
GS
DS
DS
D
U
U
I
U
I
y (1.95)

o La valeur rciproque de y
22
est la rsistance de sortie r
DS
du JFET

2
0
0
1
|
|
.
|

\
|

=
GS GS
GS
DS
DS
U U
U
I
r

(1.96)



Fig. 1.59 Caractristiques de drain ou de
sortie
Fig. 1.60 Caractristiques de drain pour faible
tension U
DS




52








Fig. 1.61 N-canal JFET Fig. 1.62 P-canal JFET


1.2.1.3 Fichier de SPICE
Les simulations sont base sur le programme SPICE Simulation Program with Integra-
ted Circuit Emphasis invent par luniversit de Berkely dans les annes 70. Par la suite,
SPICE a t perfectionn par diffrents fournisseurs (Pspice= SPICE pour PC, MICRO-
CAP II, Touchstone, Menthor, CADANCE, HP Advanced Design System etc). Les compo-
santes comme les transistors bipolaires ou les transistors effet de champs sont dcrits
par des fichiers SPICE avec des paramtres standardiss. Ce fichier pour le JFET
BF245A est prsent dans la figure 1.63 et la figure 1.64 propose une liste des param-
tres. Les paramtres VT0 (pinch-off tension), BETA (courant drain-source pour U
GS
=0,
I
DSS
) et LAMBDA se trouvent aussi dans la formule 1.93 :

BF245A MCE 3/9/98
*Ref: Motorola Small-Signal Databook, Rev. 5 DL126/D
*30V 0.1A 15.8ohm TO-92B 1,3,2
.MODEL BF245A NJF (VTO=-2 BETA=0.9M LAMBDA=6m RD=2.21
+ RS=1.99 IS=26.3F PB=1 FC=.5 CGS=2.12P CGD=2.52P)

Origin: Mcejfets.lib
Fig. 1.63 SPICE File du JFET BF245A (corrig)

53

Fig. 1.64 Liste des paramtres du fichier SPICE


1.2.1.4 Schma quivalent du JFET
Le schma quivalent du JFET pour signaux faibles est plus simple que celui du BJT par-
ce que le gain en tension inverse est ngligeable (fig. 1.65).


Fig. 1.65 Schma quivalent du JFET

Le JFET BF245 est dcrit par les paramtres :

- r
GS
rsistance gate-source 10
11
O
- S transconductance S=S(u
GS
) 0.25 4 mA/V
- r
DS
rsistance de drain-source 40 kO
54

Ces paramtres dpendent du point de repos ou du courant drain I
D
. La valeur de trans-
conductance S est la drive de la caractristique de transconductance I
D
(U
GS
).

|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|

c
c
=
0
max
0 0
2
0
1 1
2
1
GS
GS
GS
GS
GS
DSS
GS
GS
DSS
GS
U
U
S
U
U
U
I
U
U
I
U
S (1.97)

Alors S est maximale pour U
GS
=0.


1.2.1.5 Montage source commune
Le signe de la tension grille-source dun JFET est toujours inverse au signe de la tension
drain source. On peut cependant utiliser une deuxime alimentation ou profiter de la chute
de tension au long de la rsistance R
S
(fig. 1.66, gauche). La dernire mthode a
lavantage de diminuer les effets de la variation des paramtres du JFET.

-2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0
0
1
2
3
4
5
6
7
Min
Max
Mean
1/RS
Automatische Arbeitspunkteinstellung
Spannung Gate-Source UGS [V]
D
r
a
i
n
s
t
r
o
m

I
D

[
m
A
]

Fig. 1.66 Polarisation automatique avec rsistance de source

Mais ces effets ne sont pas ngligeables. La figure 1.66 droite montre la mthode graphi-
que pour dterminer le point de repos. Il est donn par lintersection de la caractristique
dentre avec la droite 1/R
S
qui dcrit la chute de tension produite par le courant I
D
au long
de la rsistance R
S
.


D
GS
S
I
U
R = (1.98)

Les trois caractristiques dentre dmontrent la forte variabilit des paramtres du JFET
BF245A et leurs effet sur le point de repos (I
DQ
=0.26 1.24 mA).
La figure 1.67 reprsente une des meilleures faons de polariser un JFET (le mme prin-
cipe que celui utilis pour la polarisation dun transistor bipolaire). Avec le diviseur de ten-
sion on augmente la tension de la grille par rapport la masse et cela permet le choix
dune rsistance R
S
plus grande. La variation du courant I
DQ
est nettement rduite.


D
GS
B B
B DD
S
I
U
R R
R U
R
|
|
.
|

\
|

+
=
2 1
2
(1.99)
55


-2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0
0
1
2
3
4
5
6
7
Min
Max
Mean
1/RS
Automatische Arbeitspunkteinstellung
Spannung Gate-Source UGS [V]
D
r
a
i
n
s
t
r
o
m

I
D

[
m
A
]

Fig. 1.67 Polarisation automatique avec diviseur de tension et rsistance de source R
S


Lutilisation de la source de courant (transistor bipolaire) la place de la rsistance R
S

permet une rduction supplmentaire de linfluence des paramtres du JFET (fig. 1.68).

-2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0
0
1
2
3
4
5
6
7
Min
Max
Mean
ID=const
Automatische Arbeitspunkteinstellung
Spannung Gate-Source UGS [V]
D
r
a
i
n
s
t
r
o
m

I
D

[
m
A
]

Fig. 1.68 Polarisation avec miroir de courant

A laide du schma quivalent montr dans la figure 1.65 on trouve lexpression pour le
gain dun tage source commune :


GS D
u S i = et R i u
D DS
= avec
L D GS
R R r R // // = (1.100)

R S A = (1.101)

La rsistance dentre r
e
: O = =
11
10
GS e
r r . (1.102)

La rsistance de sortie r
a
:
DS D a
r R r // = (1.103)

Les figures (1.69) et (1.70) prsentent deux applications du montage source commune et
les rsultats obtenus.

56


Fig. 1.69 Montage source commune, polarisation avec R
S




Fig. 1.70 Montage source commune, polarisation avec source de courant


1.2.1.6 Montage drain commun
Lamplificateur drain commun ressemble un amplificateur metteur suiveur et porte
cependant le nom de source suiveur (fig. 1.71).





Fig. 1.71 Montage drain commun et son schma quivalent

De la figure (1.71 droite) on dduit

( )
DS S GS GS
r R u S u u //
1
+ = et ( )
DS S GS
r R u S u //
2
=

Lamplification de tension devient
57


( )
( )
S
S
DS S GS GS
DS S GS
R S
R S
r R u S u
r R u S
u
u
A
+
~
+
= =
1 //
//
1
2
, (1.104)

limpdance dentre tend vers linfini ~
e
r ou (1.105)
avec les rsistances du diviseur de tension
2 1
//
G G e
R R r = et (1.106)
limpdance de sortie se calcule daprs
S
R r
S s
1
// = (1.107)


1.2.1.7 Montage grille commune
Limpdance dentre dun amplificateur grille commune est faible. En raison de sa faible
impdance dentre on nutilise ce montage que dans quelques applications.


1.2.1.8 Interrupteur analogique JFET
La commutation blocage-saturation (fig. 1.72) et vice versa est lune des principales appli-
cations dun JFET.




0 5 10 15 20 25 30
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
JFET als Schalter
Spannung drain-source [V]
D
r
a
i
n
s
t
r
o
m

[
m
A
]
Sttigung
Sperrung
UGS=0

Fig. 1.72 JFET utilis comme commutateur, points de saturation et blocage

La rsistance du commutateur dans la rgion de blocage (indice B) devient

O = = = 196
89 . 1
56 . 0
,
,
,
mA
V
I
U
r
B D
B DS
passant DS
(1.108)










58
1.2.1.9 Rsistance variable
On appelle aussi la rgion de la saturation dun JFET la rgion ohmique parce quun JFET
satur sy comporte comme une rsistance (fig. 1.60).





Fig. 1.73 Mesure de la rsistance dans la rgion ohmique (U
GS
=-1.5 0 V)

Une application frquente pour cette rsistance variable est le rglage de lamplification
dans un circuit oscillateur. Le signal de sortie de loscillateur est redress, filtr et branch
la grille du JFET. Celui-ci agit comme rsistance dans le circuit de contre-raction. Un
signal trop grand la sortie produit une tension plus positive u
GS
, rduit la rsistance du
JFET et aussi lamplification du circuit. Le signal de sortie est diminu.


Fig. 1.74 Oscillateur avec rglage de lamplification





59
1.2.2 Transistors effet de champs mtal-oxyde semi-conducteurs (MOSFET)

1.2.2.1 Notions fondamentales
La figure (1.75a) reprsente un transistor MOS canal N, un barreau conducteur de mat-
riau N rgion P sur la droite et grille isole sur la gauche. Les lectrons libres circulent
de la source au drain via le matriau N. On appelle la rgion P le substrat ; elle rduit le
chemin de la conduction un canal troit. La grille mtallique est isole du matriau N par
une mince couche de dioxyde de silicium (SiO
2
, verre). Le courant de grille est ngligea-
ble. Dans la plupart des applications, le substrat est reli la source. Habituellement, le
fabricant effectue cette connexion lintrieur du dispositif (fig. 1.75b).



Fig. 1.75 Transistor MOS dpltion ou appauvrissement

La tension grille commande la largeur du canal. Plus la tension grille est ngative (fig.
1.76a), plus le courant drain est petit. Comme le fonctionnement grille ngative dpend
de lappauvrissement ou dpltion du canal en lectrons libres, on appelle le fonctionne-
ment grille ngative le rgime dappauvrissement ou de dpltion.


Fig. 1.76a MOSFET en rgime
dappauvrissement ou de dpltion
Fig. 1.76b MOSFET en rgime
denrichissement (enhancement)

Une tension grille positive augmente le nombre dlectrons libres qui traversent le canal.
Plus la grille est positive, plus le courant drain est grand. On appelle le fonctionnement
grille positive le rgime denrichissement (enhancement). On distingue aussi MOSFET du
type dappauvrissement sil conduit une tension grille zro (fig. 1.77) et MOSFET du type
denrichissement si le courant drain est zro pour la tension grille gale zro (fig.1.78). Le
premier est appel aussi normalement passant, le deuxime normalement ouvert.
60
Remarquer la petite diffrence dans le symbole entre ces deux types : la ligne verticale qui
reprsente le canal est interrompue dans le cas de dpltion.
Il existe aussi un transistor MOS appauvrissement ou dpltion et canal P. Le fonction-
nement du transistor MOS canal P est complmentaire. Dans les caractristiques il faut
seulement changer le signe des tensions et des courants. La flche dans le symbole poin-
te vers lextrieur.









Fig. 1.77 MOSFET dpltion Fig. 1.78 MOSFET enrichissement



1.2.2.2 Polarisation et application dun MOSFET appauvrissement
Comme un transistor MOS appauvrissement peut fonctionner en rgime
dappauvrissement et en rgime denrichissement, on peut rgler son point de repos
U
GS
=0 (fig. 1.79). On pouvait aussi polariser les MOSFET par diviseur de tension, par
source de tension et automatiquement avec une rsistance de source.
61





Fig. 1.79 Polarisation du MOSFET Fig. 1.80 Schma quivalent du circuit fig. 1.79

A partir du schma quivalent (fig. 1.80) on peut dduire les formules suivantes :

- Limpdance dentre et donne par la rsistance R
G
parce que limpdance grille-
source est beaucoup plus grande et peut tre nglige.

G GS G a
R r R r ~ = // (1.109)

- Limpdance de sortie se dtermine par

D DS a
R r r // = (1.110)

- Lamplification se calcule par le produit de la valeur de transconductance S et la r-
sistance donne par le circuit parallle des trois rsistances r
DS
, R
D
et R
L
.

( )
L D DS
R R r S A // // = (1.111)

Le facteur de transfert du circuit donn dans la figure (1.79) est reprsent dans la figure
(1.81). Le gain est beaucoup plus faible que le gain obtenu par des transistors bipolaires.


Fig. 1.81 Lamplification du circuit de la figure 1.79

62
1.2.2.3 Polarisation et application dun MOSFET enrichissement
La polarisation dun transistor MOS enrichissement se fait par le branchement de la grille
au drain par une rsistance R
G
(fig. 1.82).



Fig. 1.82 Polarisation dun MOSFET enri-
chissement
Fig. 1.83 Facteur de transfert du circuit
montr dans figure 1.82

Une plus grande amplification avec mme une plus petite tension dalimentation est obte-
nue en utilisant une charge dynamique (figures 1.84 et 1.85).



Fig. 1.84 Amplificateur avec une charge ac-
tive
Fig. 1.85 Facteur de transfert du circuit
montr dans figure 1.84


63

2 Amplificateur oprationnel
2.1 Proprits et structure dun amplificateur oprationnel
Lamplificateur diffrentiateur ou amplificateur oprationnel (ampliop) est un composant
fonctions multiples dans les circuits lectroniques (amplificateur des faibles signaux, am-
plificateur de courant continu, filtres actifs). Il sagit des circuits intgrs qui sont compo-
ss dun grand nombre de semi-conducteurs (transistors, diodes, diodes zener) et des
composantes passives (rsistances, capacits). Grce la technique utilise (intgration
monolithique) le circuit est fabriqu sur un seul substrat, et souvent un botier comprend
plusieurs ampliop.

Les principales caractristiques dun ampliop sont :
- Une haute amplification de tension (>100 dB)
- Une haute impdance dentre (1 M, ou beaucoup plus grand sil sagit dun am-
pliop avec des transistors effet de champs lentre)
- Une faible impdance de sortie (< 100 )
- Une grande amplification de puissance
- La gamme de frquence couvre le courant continu quelques MHz ou, selon le
type quelques GHz
- Lamplification en tension dcrot rgulirement de 20 dB par dcade
- Lamplificateur oprationnel est quip de deux entres une positive et une nga-
tive (inverseuse). A la sortie il produit la diffrence amplifie des deux tensions aux
entres. Cela lui donne le nom damplificateur diffrentiateur ou moins prcis-
ment d amplificateur diffrentiel .
- Lampliop est le plus souvent aliment par deux alimentations symtriques mais on
peut aussi le brancher une seule tension. Dans ce cas la masse se trouve au mi-
lieu de cette tension et est fixe par deux rsistances.
- La correction de la rponse frquentielle est ralise par des lments internes ou
par un circuit externe


Fig. 2.1 Symbole de lamplificateur oprationnel et les tensions des signaux et de
lalimentation

64
2.2 La structure et les caractristiques techniques de lamplificateur oprationnel
Le circuit de lamplificateur oprationnel contient normalement un tage dentre, un tage
de couplage ou circuit dattaque et un tage de sortie. La technique ressemble celle tu-
die dans le chapitre amplificateur diffrentiateur.


Fig. 2.2 Schma de lamplificateur classique A741

65

Fig. 2.3 Les caratristiques les plus importantes de lampliop a741




Fig. 2.4 La rponse frquentielle de lampliop LM324 sans contre-raction (open loop)

66

2.3 Dveloppement des proprits des circuits de base
Comme mentionn dans lintroduction, les amplificateurs oprationnels possdent une
amplification de tension trs leve. Dans la plupart des applications cette amplification
est rduite la valeur dsire laide de la contre-raction. On ralise la contre-raction
en branchant le signal de sortie partiellement lentre inverseuse.
Il existe ensuite diffrentes mthodes pour raccorder le signal lamplificateur:

- Entre entre - et la masse : amplificateur inverseur
- Entre entre + et la masse : amplificateur non-inverseur
- Entre les deux entres : amplificateur diffrentiateur

Dans les calculs qui suivent, les variables reprsentent des tensions et courants alterna-
tifs. Daprs les conventions ils devraient tre dcrits par des lettres minuscules avec des
indices pour la distinction. Malheureusement le programme Protel ne permet pas
dcrire des indices. Sans cette possibilit on ne peut pas distinguer la variable de lindice
(p. ex. tension base-metteur uBE). On a choisi la suite des lettres majuscules pour les
variables tensions et courants alternatifs (p. ex. Ube).
2.3.1 Lamplificateur inverseur
Dans lapplication damplificateur inverseur, le signal dentre est branch lentre inver-
seuse.


Fig. 2.5 Circuit de principe damplificateur inverseur

Les quations suivantes pour les mailles et les nuds sont valables :

0 = + +
f e d
I I I (2.1)

i d d d o o o f a i d o
R I U et U A U parceque R I U R I A = = = 0 (2.2)

( ) 0 = +
a n i d f f
U R R I R I (2.3)
67

( ) 0 = +
e n i d e e
U R R I R I (2.4)

Ce systme de quatre quations linaires contient cinq variables et ne possde cependant
pas une solution. Mais il permet par exemple de dterminer lamplification A=U
a
/U
e
et
limpdance dentre R
E
=U
e
/I
e
.

( )
( )
|
|
|
|
|
.
|

\
|
=
|
|
|
|
|
|
.
|

\
|

|
|
|
|
|
.
|

\
|
+
+

0
0
0
0
0 1 0
0 0 1
0 0 1
1 1 1 0 0
f
e
d
e
a
e n i
f n i
o i o
I
I
I
U
U
R R R
R R R
R R A
(2.5)

Pour lamplification A ( vide ou sans charge) on trouve :

( )
( )( ) ( )
e
f
i e o n f i o e n i f o
f i o n i o
e
a
R
R
R R A R R R R R R R R R
R R A R R R
U
U
A

~
+ + + + + + +
+
= = (2.6)


Limpdance dentre devient :


( )( )
( )
e
o f n i o
n i f o
e
a
e
E
R
R R R R A
R R R R
R
U
U
R ~
+ + + +
+ +
+ = =
1
(2.7)

Les approximations sont valables si A
o
>>1. Celui-ci nest plus rempli pour une frquence
assez leve. Dans ce cas, il faut appliquer la formule exacte.
Pour dterminer limpdance de sortie R
A
=U
a
/I
a
, la tension lentre est mise zro et le
circuit est complt par la rsistance de charge R
L
.


Fig. 2.6 Schma pour dterminer la rsistance de sortie

La tension de sortie est de
68

A a a
R I U U =
0
(2.8)

La tension de sortie diminue proportionnellement avec le courant de sortie et on trouve
pour limpdance de sortie


a
a
a
I
U
R = (2.9)

Le schma donn dans la fig 2.6 permet de tirer les quations suivantes

0 = + +
f e d
I I I (2.10)

( ) 0 = +
a a f o i d o
U I I R R I A (2.11)

( ) 0 = + +
a e f d f f
U R I I R I (2.12)

( ) ( ) 0 = + + +
e f d n i d
R I I R R I
(2.13)

Et limpdance de la sortie R
A
devient

( ) ( )
( )( ) ( )
o
o
o
e
f
o
n i e n e i f o e i o
n i e n e i f
o A
A
A
R
A
R
R
R
R R R R R R R R R R A
R R R R R R R
R R
+
=
+
~
+ + + + + +
+ + + +
=
1
1
(2.14)
2.3.2 Lamplificateur non-inverseur
On branche le signal dentre lentre + de lamplificateur non-inverseur.
Lamplification du circuit est fixe laide des deux rsistances R
e
et R
f
qui dterminent le
montant de la contre-raction.


Fig. 2.7 Circuit de principe damplificateur non-inverseur
69

A laide du schma donn dans la fig 2.7 on trouve les quations suivantes :

0 = + +
n f e
I I I (2.15)

i d o d o o
R I A U A U = = faites attention
e d
I I = (2.16)

0 =
a o f i e o
U R I R I A (2.17)

( ) 0 = +
e e i e n f e e
R I R I R I I U (2.18)

( ) 0 = +
n f e f f o f i e o
R I I R I R I R I A (2.19)

Il suivent lamplification et limpdance dentre

( )
( )( ) ( )
( )
n
n f
n i o
n f i o
n i o o f n o n f e i
o n n f i o
e
a
R
R R
R R A
R R R A
R R A R R R R R R R R
R R R R R A
U
U
A
+
=
+
~
+ + + + + +
+ +
= = (2.20)

Lexpression pour lamplification est donne approximativement par les deux rsistances
R
f
et R
n
.



Fig. 2.8 Calcul de limpdance de sortie

A
A
R
R R
R
R A
R R R
R R A
R R R R
I
U
R
o
i
n f
n
i o
n f o
n i o
n n e i
e
e
E
=
+
~
+ +

+ + + = = (2.21)

Limpdance dentre, dj remarquablement grande, saugmente par le facteur A
o
/A.
70
Pour dterminer limpdance de sortie pour lentre court-circuite, on fixe U
e
=0 (court-
circuit entre R
e
et la masse) et dfinit le courant de sortie I
a
(fig. 2.8).

On trouve les quations :

0 = + +
n f e
I I I (2.22)

( ) 0 = +
a o f a i e o
U R I I R I A (2.23)

( ) 0 = + +
n n f o f o a i e o
R I R R I R I R I A (2.24)

( ) 0 = +
n n i e e
R I R R I (2.25)

qui permettent de calculer limpdance de sortie

( )( )
( )( ) ( )
( )
o
o
n o
n f o
o f n o n f i e n i o
n f n f i e
o
a
a
A
A
A
R
R A
R R R
R R R R R R R R R R A
R R R R R R
R
I
U
R =
+
~
+ + + + + +
+ + +
= =
(2.26)

Limpdance de sortie dun amplificateur oprationnel est dj faible. La contre-raction
diminue limpdance de sortie en plus par le rapport
0
A
A
.
2.3.3 Lamplificateur oprationnel rel, tension et courant offset
Le schma quivalent de lamliop rel se distingue de lampliop idal par des lments
supplmentaires que lon na pas encore pris compte. En particulier il ne faut pas oublier
que les bases des transistors dentre ne sont pas connectes en interne et ont besoin
dune liaison en courant direct avec le potentiel appropri (souvent la masse)
Il est cependant illicite de brancher les entres de lamplificateur par capacits (er-
reur typique commise par les dbutants !)

2.3.3.1 Le schma quivalent de lamplificateur oprationnel rel.
Le schma quivalent de lamplificateur oprationnel (fig. 2.9) contient des lments sup-
plmentaires comme les source de courant et tension, des composants non-linaires et
des capacits qui dterminent la frquence de coupure suprieure (passe-bas).

71

Fig. 2.9 Schma quivalent de lamplificateur oprationnel rel

Dans la fig. 2.9, diffrents points sont remarquer :
1. La source de tension V
OB
(polarit indtermine) dcrit la tension doffset diffren-
tielle. Elle donne le montant et le signe de la tension de drive, de la tension diff-
rentielle rsiduelle due aux variations de la temprature et au mode commun.
2. Les sources de courant i
OA
et i
OB
reprsentent les courants doffset des deux tran-
sistors lentre (courant de base).
3. Les deux sources de courant bruit i
NA
et i
NB
dcrivent les perturbations alatoires
produites par les effets thermiques (ne pas confondre avec les effets de tempra-
ture sous point 1).
4. e
NB
produit un bruit en srie avec la source de tension offset V
OB
.
5. Cette capacit est responsable pour leffet passe-bas de 20 dB par dcade (voir
aussi 2.3.3.3).
6. La rsistance variable dcrit la variation de lamplification due au vieillissement, va-
riation de la temprature et tension dalimentation.
7. Ces lments reprsentent de faon fortement simplifie les non-linarits du cir-
cuit dentre.
8. Ces diodes zener dcrivent les effets non-linaires du circuit de sortie et les effets
de la saturation de ltage sortie.
9. Z
AG
et Z
BG
symbolisent les impdances dentre mode commun, Z
AB
celle du mode
diffrentiel. Tous les trois sont des impdances dynamiques.

2.3.3.2 Compensation de la tension diffrentielle rsiduelle et des courants offset.
Sans mesures prventives, les courants dentre ou courants offset et les tensions offset
produisent un signal de sortie mme si le signal dentre reste zro. Avec un choix ap-
72
propri des rsistances aux entres de lamplificateur, on peut rduire ces effets consid-
rablement.
Les courants de base des deux transistors dentre provoquent des chutes de tension aux
rsistances R
e
, R
f
et R
n
. Si les deux tensions sont diffrentes, il rsulte une tension diff-
rentielle lentre et amplifie aussi la sortie. Dans une approche grossire les deux
courants de base sont gaux. Si les deux courants passent par rsistances de mme va-
leur les chutes de tension sont gales et sannulent.






( )
f e Q n
R R R R // + = (2.27)

Fig. 2.10 Compensation des courants offset (ampliop inverseur)





( )
n f v e Q
R R R R R // + = + (2.28)

( )
3
//
3
e
n f
Q e v
R
R R
R R R
s
+ s

Fig. 2.11 Compensation des courants offset (ampliop non-inverseur)

La tension offset est produite par les petites asymtries entre les deux branches de
lamplificateur diffrentiateur. A laide dun potentiomtre on peut rgler la tension diffren-
tielle rsiduelle zro (fig. 2.12).


Fig. 2.12 Rglage de la tension diffrentielle rsiduelle zro

73

2.3.3.3 La rponse frquentielle
Lamplification sans contre-raction atteint au dessous de la frquence de coupure inf-
rieure (quelques 10 Hz) environ 10 dB (fig. 2.13).



Fig. 2.13 Schma quivalent de lampliop pour des frquences leves et la rponse fr-
quentielle

Au dessus de la frquence de coupure infrieure lamplification diminue de 20 dB par d-
cade (passe-bas premier ordre). Elle devient 1 ou zro dB pour la frquence de transition.
Cela permet de dfinir le produit gain-bandwidth . Ce produit est constant entre la fr-
quence de coupure infrieure et la frquence de transition et permet une simple caractri-
sation de lamplificateur. Dans lexemple mentionn le produit vaut 1 MHz. Au dessus de
la frquence de transition lamplification dcrot plus fortement, le plus souvent de 40 dB
par dcade ou de faon encore plus prononc pour des frquences plus leves (60 dB
par dcade)
2.4 Exemples et applications
Dans les exemples suivants lamplificateur oprationnel est considr comme idal. Sous
cette condition, les calculs se simplifient remarquablement. Lamliop idal remplit les con-
ditions suivantes :
- Pour les frquences examines, il possde une amplification infinie. Cela permet de
dduire que la tension entre les entres est zro (U
d
=0). Autrement, la tension de
sortie tait infinie.
- Limpdance dentre est infinie (courant dentre I
d
=0).
- Limpdance de sortie est ngligeable est na aucune influence sur lamplification.
- On renonce compenser le courant offset et la tension offset. Mais il faut quand
mme prendre en compte les rsultats de la discussion sous 2.3.3.2

74
2.4.1 Lamplificateur inverseur
Le signal est branch lentre ngative (inverseuse). Lentre positive est connecte la
masse.



0 ~
=
=
A
e E
e
f
R
R R
R
R
A
(2.29)
Fig. 2.14 Lamplificateur inverseur

Si on exige que lamplification soit trs grande, les rsistances sont souvent trs grandes
dans le circuit de contre-raction. Le circuit montr dans la fig. 2.15 permet un choix de
rsistances beaucoup moins hautes.





( ) ( )
0
2
2 1
2
2 1 2 1
~
=
+
~
+ +
=
A
e E
e
f
e
f
R
R R
R R
R R R
R R
R R R R R
A


(2.30)
Fig. 2.15 Lamplificateur inverseur avec diviseur de tension dans le circuit de contre-
raction.

2.4.2 Le convertisseur courant-tension avec inversion



=
=
= =
= =
aus
ein
E
A
A
E
R
R
R R
R U
I
S
I
R
U
I
1
(2.31)
Fig. 2.16 Le convertisseur courant-tension avec inversion

75
2.4.3 Lamplificateur non-inverseur



0
1
=
=
|
|
.
|

\
|
+ =
+
=
aus
ein
n
f
E A
n f
n
A E
R
R
R
R
U U
R R
R
U U
(2.32)
Fig. 2.17 Lamplificateur non-inverseur

2.4.4 Le suiveur de tension




0 =
=
=
aus
ein
A E
R
R
U U
(2.33)
Fig. 2.18 Le suiveur de tension



2.4.5 Le convertisseur courant-tension sans inversion



=
=
= =
=
aus
ein
E
A
A E
R
R
R U
I
S
R I U
1
(2.34)


Fig. 2.19 Le convertisseur courant-tension sans inversion


76
2.4.6 Ladditionneur analogue



|
|
.
|

\
|
+ =
= +
= +
2
2
1
1
2
2
1
1
2 Re 1 Re
e
E
e
E
f A
f
A
E
E
E
E
f
R
U
R
U
R U
R
U
R
U
R
U
I I I
(2.35)
Fig. 2.20 Ladditionneur analogue




Fig. 2.21 Lexemple dun additionneur analogue





2.4.7 Lamplificateur diffrentiateur




f e
e
A
n f
n
E E
e
f
E A E
R R
R
U
R R
R
U U
R
R
U U U
+
=
+
=
= =
1
1
2 1
1
1 2
: 0
: 0


Principe de superposition:
( )
( )
1
1
2 1
1
2
e
f
E
n e e
f e n
E A
R
R
U
R R R
R R R
U U
+
+
= (2.36)

Pour entres symtriques:
2 1 e f e n
R R R R =
( )
2 1 1 2
; ;
e e n f E E
e
A
R R R R R U U
R
R
U = = = =
Fig. 2.22 Lamplificateur diffrentiateur


77


Fig. 2.23 Exemple dun amplificateur diffrentiateur: Suppression du mode commun

2.4.8 Lintgrateur



}
}
=
= = =
dt U
RC
U
dt i
C
U U
R
U
i
E A
C C A
E
c
1
1
;
(2.37)

Pour signaux sinusodaux:
CR j
U
U
E
A
e
=

Fig. 2.24 Lintgrateur



Fig. 2.25 Intgration de signal sinusodal et rectangulaire

78
2.4.9 Le diffrentiateur



dt
dU
RC R i R i U
dt
dU
C i dt i
C
U U
E
C R A
E
C C C E
= = =
= = =
}
1
(2.38)
Pour signaux sinusodaux:

E A
RCU j U e =
Fig. 2.26 Le diffrentiateur



Fig. 2.27 Diffrentiateur avec oscillations fortes



Fig. 2.28 Diffrentiateur avec capacit C
P
supplmentaire, oscillations amorties

79
2.4.10 Le limiteur




R
R
U
U
U U
A
U
U
U U
V U
Diode
E
A
D A
E
A
D A
D
= >
= <
~
0
7 . 0
(2.39)
Fig. 2.29 Le limiteur




Fig. 2.30 Limiteur avec diodes



Fig. 2.31 Limiteur avec diodes zener

80
2.4.11 Le redresseur ultra-linaire





e
f
E A E
A E
R
R
U U U
U U
= <
= >
: 0
0 : 0
(2.40)
Fig. 2.32 Le redresseur ultra-linaire



Fig. 2.33 Exemple dun redresseur ultra-linaire



2.4.12 Le comparateur (Schmitt-Trigger)




2 log : 4
1 log : 3
: 2
: 1
min
max
ana
ana
U U U U instabil U U
U
R R
R
U U U
A A E E
A
n f
n
Eein E
= + > + =
+
= + <<
(2.41)

Fig. 2.34 Le comparateur (Schmitt-Trigger)

max
min
A
n f
n
Eaus
A
n f
n
Eein
U
R R
R
U
U
R R
R
U
+
=
+
=

n
n f
R
R R
A
+
>
0

81



Fig. 2.35 Exemple dun comparateur (Schmitt-Trigger)

2.4.13 Lamplificateur logarithmique




|
|
.
|

\
|
=
0
0
lg
I R
U
U U
e
a
(2.42)
A I
C mV U
13
0
0
10 3 . 1
) 20 ( 61

~
=


Fig. 2.36 Lamplificateur logarithmique



Fig. 2.37 Exemple et signal de sortie dun amplificateur logarithmique (R=330 / 3300 Ohm)

82
1E-3 0.01 0.1 1 10
350
400
450
500
550
600
650
700
R=330 O
R=3.3 kO
Ausgangsspannung des l ogarithmischen Verstrkers
B
e
t
r
a
g

d
e
r

A
u
s
g
a
n
g
s
s
p
a
n
n
u
n
g

i
n

m
V
Eingangsspannung in V (logarithmischer Massstab)

Fig. 2.38 Signal de sortie trac avec chelle logarithmique



83
3 Termes, outils
3.1 Le facteur de transfert et la fonction de transfert

Le facteur de transfert A() dcrit le rapport entre le signal de sortie S
2
() (effet) et le
signal dentre S
1
(cause). (ne pas confondre avec la fonction de transfert H(s)).

( )
( )
( ) e
e
e
1
2
S
S
A = (3.1)

Les grandeurs A(), S
1
() et S
2
() sont des fonctions complexes.

La valeur rciproque A() sappelle coefficient daffaiblissement D()

( )
( )
( )
( ) e
e
e
e
2
1 1
S
S
A
D = = (3.2)

Lattnuation q est la valeur logarithmique du coefficient daffaiblissement D ou du facteur
de transfert A (signe !).


1
2
2
1
log log
S
S
S
S
q = = (3.3)

Les grandeurs A, D sont des fonctions de frquence et il est intressant den avoir une
reprsentation graphique. Pour cette tche il existe deux mthodes, le diagramme de Ny-
quist et le diagramme de Bode.

-0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0.2
Realteil
I
m
a
g
i
n

r
t
e
i
l

Fig. 4.1 Diagramme de Nyquist du facteur de transfert

Dans le diagramme de Nyquist la fonction complexe de A ou de D est prsente avec la
frquence comme paramtre.

84
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
Frequenz
V
e
r
s
t

r
k
u
n
g
,

2
0
l
g
(
|
D
|

10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
-3.5
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
Frequenz
P
h
a
s
e

i
n

R
a
d
i
a
n

Fig. 4.2 Diagramme de Bode du facteur de transfert (module et phase separs)

Dans le diagramme de Bode la fonction complexe de A ou de D est dessine dans deux
diagrammes spars comme fonction du module (appel attnuation a ou amplification
v) et de la phase (appele rponse en phase b). Dans les deux reprsentations on choi-
sit le plus souvent lchelle logarithmique pour laxe de frquence .

3.2 Dcibel, Neper et niveau
Les units pour lamplification ou pour lattnuation en chelle logarithmique sont Neper
(Np) ou Dcibel (dB), selon la base utilise (e ou 10).

Dfinition: dB
P
P

1
2
lg 10 (dcibel) (3.4)

N
U
U

1
2
ln (Neper) (3.5)

On peut aussi exprimer le rapport entre deux tensions en dcibels:

1
2
1
2
1
2
1
2
2
2
1
2
lg 10 lg 20 lg 10 lg 10
R
R
u
u
R
u
R
u
P
P
= = (3.6)

Important: Lunit Neper est base sur le rapport de deux tensions et les dcibels sur le
rapport de deux puissances. Le facteur de conversion (20 lg(e)= 8.686) est
seulement applicable, si les tensions taient mesures au long des imp-
dances identiques.


Le niveau donne lintensit dun signal par rapport une valeur de rfrence. Dans la pra-
tique, les systmes les plus courants sont les suivants :



85


Niveau de rfrence


Formule

Dsignation

watt


W
P
1
log 10


dBW

milliwatt


mW
P
1
lg 10


dBm

mikrovolt


V
U
1
lg 20


dBV
(4.7)

3.3 Rseaux linaires et non-linaires

Dans un rseau linaire (circuit compos) la relation entre le signal de sortie et le signal
dentre est donne par la fonction linaire :


1 2
kU U = (3.8)

Cette relation nest plus valable dans un rseau non-linaire, qui possde p. ex. la carac-
tristique de transfert ( )
1 2
U f U = montre dans la figure 4.3.


-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
bertragungskennlinie
Eingangsspannung U1
A
u
s
g
a
n
g
s
s
p
a
n
n
u
n
g

U
2
begrenzend
ideal

Fig. 4.3 Caractristique de transfert

A la sortie dun circuit non-linaire on constate gnralement la somme ou la diffrence de
multiples des frquences appliques lentre du circuit. Ce sont le plus souvent des
86
composantes non dsires (exceptions : multiplication de la frquence, modulation et
mixage).


,... 2 , 1 , 0 ,... 2 , 1 , 0
2 1
= = m et n avec mf nf (3.9)

Leur amplitude est dcrite laide du facteur de distorsion k
n
. Il dsigne le rapport de
lamplitude de lharmonique avec la frquence f n et la premire harmonique avec la fr-
quence f .

,... 2 , 1 , 0
) (
) (
= n
f u
f n u
(3.10)

Si lon est intress par une mesure globale, on utilise alors le coefficient de distorsion
harmonique totale k, dfinit par


1
2
2
u
u
k
i
i

=
= ou souvent aussi par (3.11)

=
=
1
2
2
2
i
i
i
i
u
u
k (3.12)

Pour de faibles valeurs de k les deux dfinitions sont quivalentes. On dtermine le coeffi-
cient de distorsion harmonique totale laide dun pont de distorsion. Celui consiste en un
filtre coupe-bande (pour supprimer la premire harmonique) et un voltmtre qui mesure la
valeur efficace. On talonne lappareil en mesurant le signal total (gale 100%) et on me-
sure aprs le signal sans premire harmonique en appliquant le filtre. Le rapport donne le
coefficient de distorsion harmonique totale daprs la formule (4.12).