Mosfet: El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar

o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET. El trmino 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET es actualmente incorrecto debido a que el material de la compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino. En sus inicios se utiliz aluminio para fabricar la compuerta, hasta mediados de 1970 cuando el silicio policristalino comenz a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, debido a que es complicado incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes metlicos en la compuerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por otros materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de tensiones ms pequeas. Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente est conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo.

Estructura del MOSFET en donde se muestran las terminales de compuerta (G), sustrato (B), surtidor (S) y drenador (D). La compuerta est separada del cuerpo por medio de una capa de aislante (blanco). Funcionamiento: Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p. Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad.

Modos de operacin: La operacin de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de operacin, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la presente discusin se utiliza un modelo algebraico que es vlido para las tecnologas bsicas antiguas, y se incluye aqu con fines didcticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos computacionales que exhiben un comportamiento mucho ms complejo. Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: Corte: Cuando VGS < Vth En donde Vth es la tensin de umbral del transistor De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin el dispositivo se encuentra apagado. No hay conduccin entre el surtidor y el drenador, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto. Un modelo ms exacto considera el efecto de la energa trmica descrita por la distribucin de Boltzmann para las energas de los electrones, en donde se permite que los electrones con alta energa presentes en el surtidor ingresen al canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una corriente de subumbral, que es una funcin exponencial de la tensin entre compuerta-surtidor. La corriente de subumbral est descrita aproximadamente por la siguiente expresin:

En donde ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth, VT = kT/q es el voltaje trmico, n = 1 + CD/COX

En donde CD es la capacitancia de la regin de agotamiento, y COX es la capacitancia de la capa de xido

NMOS en modo de corte. La regin blanca indica que no existen portadores libres en esta zona, debido a que los electrones son repelidos del canal. Regin Lineal: Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS Vth ) Al polarizarse la puerta con una tensin mayor que la tensin de umbral, se crea una regin de agotamiento en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (huecos en PMOS, electrones en NMOS) en la regin de agotamiento, que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dar lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de compuerta. La corriente entre el drenador y el surtidor es modelada por medio de la ecuacin:

Donde

es la movilidad efectiva de los portadores de carga,

Es el ancho de compuerta, Es la longitud de compuerta y Es la capacitancia del xido por unidad de rea.

NMOS en la regin lineal. Se forma un canal de tipo n al lograr la inversin del sustrato, y la corriente fluye de drenador a surtidor. Saturacin: Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS Vth ) Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debido al campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales. En esta regin la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuacin:

Estas ecuaciones son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores MOSFET, pero no tienen en cuenta un buen nmero de efectos de segundo orden, como por ejemplo:

Saturacin de velocidad: La relacin entre la tensin de puerta y la corriente de drenador no crece cuadrticamente en transistores de canal corto.

Efecto cuerpo o efecto sustrato: La tensin entre fuente y sustrato modifica la tensin umbral que da lugar al canal de conduccin

Modulacin de longitud de canal.

NMOS en la regin de saturacin. Al aplicar una tensin de drenador ms alta, los electrones son atrados con ms fuerza hacia el drenador y el canal se deforma.

Aplicaciones: La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin. Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta

Seguidor de Corriente con Mosfet: En la figura siguiente se muestra un seguidor de corriente con carga resistiva implantado a partir de un mosfet incremental de canal n. Debido a que la corriente de compuerta es cero, iD e iL son exactamente iguales a iIN. Por lo tanto, la salida se convierte en: Vout= VDD iDRD = VDD RdiIN. Configuracin seguidor de corriente con Mosfet:

En el caso del BJT, VGS tiene un valor constante Vf para el caso en que iIn>0. En el caso del Mosfet, VGS Flucta en funcin del valor de iD. En la regin de corriente constante VGS, estar definido por en el valor:

Se puede obtener la ecuacin anterior resolviendo la ecuacin p-i del Mosfet en corriente constante en funcin de VGS. En forma similar en la regin del trodo VGS estar definida por el valor:

Donde VDS est dada por: VDS=Vout +VGS= VDD- iInRD+VGS El mecanismo mediante el cual se ajusta VGS va iIN se debe a las propiedades de la fuente de corriente de entrada. A diferencia de una fuente de voltaje, una fuente de corriente ideal incrementa su voltaje de terminal hasta que la

carga consume la corriente requerida. En el circuito de la figura de la configuracin de seguidor de corriente con mosfet, el voltaje a travs de la fuente iIn se eleva por arriba de Vss, hasta que VGS queda establecido en el valor que haga iD=iIn.