CAPTULO 1

INTRODUCCIN

1.1. Propiedades de ZnO El xido de zinc (ZnO) es un material semiconductor tipo II-VI, que en aos recientes ha generado un gran inters debido a sus propiedades fsicas (Norton et al., 2004), en el desarrollo de componentes para aplicaciones optoelectrnicas. Sus propiedades pticas y elctricas han sido investigadas ampliamente, llegando a ser considerado en la actualidad un material optoelectrnico con cualidades muy promisorias para utilizarse en numerosas aplicaciones tecnolgicas: sensores de gas en forma de pelculas delgadas, varistores, lsers ultravioleta y visible, y componentes de celdas solares (Norton et al., 2004; Chopra et al., 1983; Dayan et al., 1998, Kiriakidis y Katsakaris, 2004). Muchos semiconductores binarios del tipo II-VI cristalizan tanto en la estructura de blenda de zinc como en wurzita hexagonal, en donde cada anin se encuentra rodeado de cuatro cationes en las esquinas de un tetraedro, y viceversa. Esta coordinacin tetradrica es la tpica del enlace covalente con hibridacin sp3. Sin embargo, estos materiales tambin poseen un carcter sustancialmente inico (. zgr et al., 2005). Las estructuras cristalinas que presenta el ZnO son la wurzita, la blenda de zinc y la de sal de roca, que se muestran en la figura 1. En condiciones ambientales normales la fase ms estable es la wurzita. La estructura de blenda de zinc puede ser obtenida creciendo el ZnO sobre sustratos con estructura cristalina cbica, y la estructura de sal de roca (NaCl) puede obtenerse a presiones relativamente altas (. zgr et al., 2005). Como en cualquier semiconductor, los defectos puntuales afectan las propiedades elctricas y pticas de ZnO. Kohan et al. y Van de Walle calcularon recientemente las energas de formacin y la estructura electrnica de los defectos puntuales nativos e hidrgeno en ZnO (. zgr et al., 2005). Los resultados de los clculos para vacancias de oxgeno y zinc, sitios intersticiales y antisitios en ZnO se muestran en la figura 2. Existen dos sitios intersticiales posibles en ZnO tipo wurzita:

Figura 1. Estructuras cristalinas de ZnO: (a) sal de roca cbica, (b) blenda de zinc cbica y (c) wurzita hexagonal. Las esferas sombreadas en gris y negras representan tomos de Zn y O, respectivamente (. zgr et al., 2005).

Figura 2. Energa de formacin calculada para los principales defectos puntuales intrnsecos en ZnO como funcin del nivel de Fermi. (a) Condiciones de Zn abundante y (b) condiciones de O abundante (. zgr et al., 2005).

uno est coordinado de manera tetradrica y el otro de manera octadrica. Puede observarse que dependiendo de la presin parcial de Zn, los dos defectos ms comunes en ZnO son las vacancias de zinc y oxgeno. Las vacancias de oxgeno (Vo) tienen una energa de formacin menor comparada con la que poseen los intersticios de Zn (Zni), por lo que deben ser ms abundantes en condiciones de abundancia de Zn. En condiciones de abundancia de O, las vacancias de Zn (VZn) deben ser dominantes (. zgr et al., 2005). El ZnO tiene una banda de energa prohibida de 3.37 eV y una alta energa de enlace excitnica de 60 MeV. Debido a estas propiedades, el ZnO es un material promisorio como emisor de luz ultravioleta (UV) y como posible dispositivo utilizando efectos excitnicos, inclusive a temperatura ambiente. Es un semiconductor transparente atractivo para posibles aplicaciones novedosas en circuitos integrados de electrnica transparente, tecnologa que se espera pueda reemplazar a las existentes (R. Yamikova et al., 2006). Un espectro tpico de fotoluminiscencia (FL) de ZnO a baja temperatura contiene lneas excitnicas agudas e intensas en la regin UV del espectro ptico con una o ms bandas anchas en la regin visible. En numerosos trabajos estas bandas son atribuidas a defectos intrnsecos, como las vacancias de zinc y oxgeno, y oxgeno intersticial (M. A. Reshchikov et al., 2007). La figura 3 muestra un espectro de FL de dos muestras de ZnO sintetizadas por evaporacin trmica de Zn metlico a 900 C en atmsfera de argn en un horno tubular horizontal. La muestra 1 fue sintetizada con un flujo de argn de 1 L min-1, y la muestra 2 con un flujo de 5 L min-1. Para ambas muestras se observa una fuerte y aguda emisin a 380 nm (3.26 eV), atribuida a la emisin cerca del borde de banda (NBE, por sus siglas en ingls), caracterstica del ZnO (Q. Wan et al., 2004). La muestra 1 presenta una emisin dbil en el verde a 510 nm (2.43 eV), mientras que la muestra 2 presenta una emisin relativamente fuerte a 510 nm, ya que al sintetizar ZnO bajo un flujo mayor de argn, la concentracin de vacancias de oxgeno aumentan respecto a la muestra 1. Vanheusden et al. (1996) encontraron que la emisin en el verde se debe a una vacancia de oxgeno monoionizado y resulta de la recombinacin radiativa de un hueco fotogenerado con un electrn ocupando la vacancia de oxgeno (Q. Wan et al., 2004).

Figura 3. Espectro de fotoluminiscencia (FL) de dos muestras de ZnO sintetizadas con un flujo de argn de 1 L min-1 (muestra 1) y con un flujo de argn de 5 L min-1 (muestra 2), medido a temperatura ambiente. Las muestras se excitaron con un lser de He-Cd de 325 nm. Se observa un pico agudo en el UV (3.22 eV) y un pico ancho en el verde (2.43 eV) (Q. Wan et al., 2004).

1.2. Termoluminiscencia La tcnica de luminiscencia trmicamente estimulada, comnmente llamada termoluminiscencia (TL), es ampliamente aceptada como una tcnica til y confiable para el estudio de defectos en materiales aislantes y semiconductores, pero la aplicacin ms exitosa y difundida de la TL es en el campo de la dosimetra de radiaciones; es decir, para detectar y cuantificar dosis de radiacin, como son las radiaciones nucleares (McKeever y Chen, 1997). La descripcin tradicional de la TL inicia con la absorcin de energa proveniente de una fuente de radiacin ionizante por un material semiconductor o aislante. La absorcin causa la excitacin de electrones y huecos libres con el subsecuente atrapamiento de estos portadores de carga en defectos (estados de atrapamiento) dentro del material. Despus de remover la fuente de excitacin, la muestra se calienta y la energa trmica causa la liberacin de los portadores de carga de un signo (por decir, electrones) los cuales son ahora capaces de recombinarse con portadores de carga de signo opuesto. Si la recombinacin es radiativa, se tiene la TL. Dicho formalmente, los fenmenos de relajacin trmicamente estimulada dentro de los cuales se encuentra includa la termoluminiscencia, requieren la excitacin del sistema desde un estado de equilibrio termodinmico mediante la absorcin de energa externa, hasta un estado metaestable. Esta perturbacin es seguida de la relajacin trmicamente estimulada del sistema para regresar a su condicin de equilibrio (McKeever y Chen, 1997). Con el fin de establecer modelos del fenmeno de la TL se deben considerar las definiciones y suposiciones adicionales siguientes (McKeever y Chen, 1997): a) Todas las transiciones dentro o fuera de los estados localizados involucran el trnsito de la carga (electrones o huecos) a travs de las bandas deslocalizadas. b) Se adopta la definicin usual de estado o nivel de atrapamiento, o trampa, como aquellos en los cuales la probabilidad de excitacin trmica de este nivel a la banda deslocalizada respectiva es mayor que la probabilidad de recombinacin de la carga atrapada con un portador de carga libre de signo opuesto. De manera anloga un centro de recombinacin es definido como aquel en el cual la probabilidad de recombinacin con un portador de carga de signo opuesto es mayor que la probabilidad de excitacin trmica del portador atrapado. Se puede definir como nivel de demarcacin el nivel de energa en el
6

cual las dos probabilidades son iguales. As tenemos un nivel de demarcacin para electrones EDn, y uno para huecos EDp. c) Las transiciones de los electrones de la banda de conduccin (E Ec) hacia trampas de electrones de energa de activacin E, donde Ec > E > EDn, son no radiativas, generando fonones. De manera similar, las transiciones de huecos de E Ev a trampas de huecos en EDp > E > Ev, son tambin no radiativas. En donde Ec es el nivel de energa situado por debajo de la banda de conduccin y Ev es el nivel de energa situado sobre la banda de valencia. d) Las transiciones de electrones libres de E Ec hacia huecos atrapados como sitios de recombinacin con energa E, tal que EF (nivel de Fermi) > E > EDp, o las de huecos libres de E Ev hacia electrones atrapados como centros de recombinacin en EDn > E > EF, son radiativas, emitiendo fotones. e) Una vez que la trampa es desocupada, los portadores liberados ya no podrn distinguir entre esta trampa y todas las dems trampas del mismo tipo. Para cualquier funcin arbitraria de densidad de estados N(E), se pueden generalizar las ecuaciones de Adirovitch (1956), Haering y Adams (1960), y Halperin y Braner (1960) y escribir una serie de ecuaciones que describen el flujo de carga dentro y fuera de las bandas deslocalizadas durante la estimulacin trmica (McKeever y Chen, 1997):
dnc = Ec pn( E )N ( E ) f ( E )dE dt E Dn ncn n( E ) N ( E )(1 f ( E ))dE
EDn EF Ec

ncn mn( E ) N ( E )(1 f ( E ))dE

EDp

y dnv = EDppp ( E )N ( E )(1 f ( E ))dE dt Ev nvp p ( E ) N ( E )( f ( E ))dE

Ev EDp

nvp np ( E ) N ( E )( f ( E ))dE
EF

EDn

donde n(E) y p(E) son las secciones eficaces de captura del reatrapamiento de los portadores libres; mn(E) y np(E) son las secciones eficaces de recombinacin para los portadores libres; pn(E) y pp(E) son las probabilidades para la excitacin trmica de los portadores de carga atrapados (McKeever y Chen, 1997), y estn dadas en general por:
7

p = se ( E / kT ) , donde k es la constante de Boltzmann y T es la temperatura. El factor pre-exponencial s es conocido como la frecuencia de intento de escape y es interpretada como el nmero de veces por segundo que un electrn interacta con la red, multiplicado por una probabilidad de transicin , multiplicado por un trmino en el cual se incluye el cambio de entropa S asociado con la transicin de la trampa hacia la banda deslocalizada (Glasstone et al., 1941; Curie, 1960). De lo anterior, se tiene que s se puede escribir como (McKeever y Chen, 1997):
s = e
S k

Por lo tanto se puede esperar que s tenga un valor similar a la frecuencia vibracional de la red (1012 1014 s-1). El factor de frecuencia puede ser igualado a la seccin eficaz de captura del estado metaestable (Bube, 1960) de la siguiente manera (McKeever y Chen, 1997):
s = Ns ,

donde Ns es la densidad de estados efectiva en la banda deslocalizada, y es la velocidad trmica del portador libre (McKeever y Chen, 1997). En la descripcin del fenmeno de TL con el modelo ms simple varios autores (Adirovitch, 1956; Halperin y Braner, 1960) supusieron slo dos tipos de estados localizados, uno llamado trampa de electrn discreta en Et, donde Ec > Et > EDn, y un centro de recombinacin (hueco atrapado) discreto en E, donde EDp > E > Ev. Quiz la suposicin ms importante introducida en el modelo ms simple es la del cuasiequilibrio (QE, por sus siglas en ingls):

dnc dn dm << , . dt dt dt En esta suposicin se requiere que la concentracin de electrones libres en la banda de conduccin sea cuasi-estacionaria, de tal forma que
dnc dt

se puede considerar

despreciable, lo cual quiere decir que la carga libre jams se acumula en la banda de conduccin durante la estimulacin trmica, lo cual lleva a (McKeever y Chen, 1997):
dn dm . = dt dt

Randall y Wilkins (1945a,b) desarrollaron un modelo para explicar la TL, en el que supusieron la probabilidad de reatrapamiento despreciable durante la estimulacin

trmica, es decir una cintica de primer orden. De acuerdo con este modelo, se obtiene que la intensidad de TL en funcin de la temperatura, ITL(T) est dada por (McKeever y Chen, 1997):
ITL (T ) = n 0 se
Et kT ( s )
T

Et d

T0

k e

. (i)

Garlick y Gibson (1948), en sus estudios de fosforescencia, consideraron el hecho de que un portador de carga libre tiene la probabilidad tanto de ser reatrapado, como la de recombinar en un centro de recombinacin (Furetta y Kitis, 2004). La ecuacin que describe el modelo de segundo orden para la intensidad de TL en funcin de la temperatura, ITL(T) se define como (McKeever y Chen, 1997) :
ITL (T ) = n0 s ' e
2 Et

kT

[1 + (

n0 s'

)e
T0

Et k

d ]2 . (ii)

La figura 4 muestra las transiciones permitidas (excitacin trmica, reatrapamiento y recombinacin) en el modelo simple de una trampa / un centro de recombinacin de TL, para el caso de los electrones como portadores de carga libres. E es la profundidad de trampa o energa de activacin, N (cm-3) es la concentracin total de trampas, A (cm3 s-1) es la probabilidad reatrapamiento, n (cm-3) es la concentracin de electrones atrapados, m (cm-3) es la concentracin de centros de recombinacin activos y Am (cm3 s-1) es la probabilidad de recombinacin (McKeever y Chen, 1997). En el caso del modelo de primer orden de Randall y Wilkins, la probabilidad de de recombinacin (Am) es mayor que la probabilidad de atrapamiento (A) (McKeever y Chen, 1997). En el modelo de segundo orden de Garlick y Gibson, un electrn que escapa hacia la banda de conduccin tiene la misma probabilidad ya sea de ser reatrapado o de recombinar con una trampa de hueco, es decir, un centro de recombinacin (Furetta y Kitis, 2004). El efecto prctico del orden de la cintica sobre la forma del pico de brillo se ilustra en la figura 5, en donde se comparan dos curvas de brillo, en las cuales se encuentra involucrado un solo tipo de trampa. En el caso de la cintica de segundo orden, la temperatura a la cual se sita el mximo de la curva de brillo (TM) crece en el orden de 1 % mayor respecto a la TM del pico de brillo de primer orden.

Figura 4. Transiciones permitidas (excitacin trmica, reatrapamiento y recombinacin) para el modelo simple de una trampa / un centro de recombinacin de TL (McKeever y Chen, 1997).

10

Figura 5. La curva I muestra el pico de TL que se obtiene graficando la ec. (i), que se obtiene en el modelo de Randall y Wilkins, y la curva II es la grfica que se obtiene de la ec. (ii), para cintica de segundo orden (modelo de Garlick y Gibson). En la curva I, el factor de frecuencia es s = 1010 s-1. En la curva II, el factor pre-exponencial es s = 10-11 m3s-1. En ambos casos, se consider una energa de activacin E = 0.4 eV. Ambas curvas fueron normalizadas a una intensidad mxima de uno (McKeever y Chen, 1997).

11

La principal diferencia es que la luz es producida a temperaturas mayores a TM debido a que el reatrapamiento retarda la liberacin de los electrones. Aunque los modelos de TL predicen que la curva de brillo es un pico como los mostrados en la figura 5, en la prctica normalmente se obtienen curvas con ms de un mximo, ya que participan ms de un tipo de centro de atrapamiento, que dan lugar a varios picos de brillo que se superponen. Desde los trabajos pioneros sobre TL, ha quedado establecido que sta tcnica es particularmente sensible a las impurezas presentes dentro del material. En la mayora de los casos se desconoce la funcin desempeada por las impurezas, pero su presencia es considerada esencial para que ocurra la TL. En trminos generales, se cree que las impurezas dan lugar a niveles de energa localizados dentro del gap, que son cruciales para el proceso de TL (McKeever, 1985). Las teoras sobre la TL que han sido desarrolladas a la fecha permiten obtener parmetros cinticos de la TL del material termoluminiscente, por ejemplo los niveles de energa de las trampas localizadas en el gap, mediante una serie de experimentos y el anlisis numrico de los mismos. Resulta de gran utilidad separar las curvas de emisin termoluminiscente en sus componentes (deconvolucin de las curvas de TL), para efectuar ajustes numricos de los parmetros de la muestra estudiada y obtener informacin de la cintica del proceso. Diferentes mtodos de anlisis de los datos obtenidos estn ampliamente documentados (Furetta, 2003). Una variedad de materiales luminiscentes, tanto sintticos como naturales, han sido caracterizados con el propsito de evaluar la factibilidad de utilizarlos como dosmetros termoluminiscentes (TLD), que se puedan aplicar en varias reas de dosimetra, tanto de dosis bajas, como es el caso de dosimetra ambiental y dosimetra clnica, como en aplicaciones que involucran dosis de radiacin altas. Pueden encontrarse aplicaciones que involucran dosis consideradas altas, es decir, dosis mayores a 100 Gy, dentro de instalaciones de reactores nucleares, plantas de esterilizacin de alimentos y en pruebas de materiales (Chen y McKeever, 1997; McKeever et al., 1995). Un material determinado puede o no ser de utilidad en dosimetra de radiaciones dependiendo de la clase de radiacin que se pretende medir y del rango de valores de dosis de inters. Por ejemplo, si el propsito es detectar y medir dosis muy bajas, entonces se requiere de un material dosimtrico con una alta sensibilidad; es decir, que presente una intensidad de TL fcilmente detectable an siendo expuesto a dosis
12

pequeas. En dosimetra de dosis altas, una caracterstica de gran relevancia es que la respuesta termoluminiscente en funcin de la dosis no exhiba comportamiento sublineal tendiente a la saturacin, ni superlineal en el rango de inters, ya que en esos casos se tiene el riesgo de subestimar o sobreestimar la dosis real absorbida por el dosmetro. Muchos materiales, particularmente los dosmetros termoluminiscentes convencionales, presentan una notable superlinealidad a niveles de dosis altas, y por esto mismo es que el nmero de materiales disponibles para estas aplicaciones (dosimetra de dosis altas) es limitado (Chen y McKeever, 1997; McKeever et al., 1995). Actualmente, uno de los retos ms importantes en el campo del desarrollo de materiales para TLD, es fabricar o encontrar materiales con una dosis de saturacin alta, ya que esta define el lmite superior de las dosis que pueden medirse.

1.2.1. Termoluminiscencia de ZnO y ZnO Dopado

El ZnO exhibe TL al ser irradiado con diferentes tipos de fuentes y una notable dureza a la radiacin (De Muer y Maenhout-van der Vorst, 1968; Diwan et al., 1984; Bhushan et al., 1984; Coskun et al., 2004). Adems, es inerte bajo condiciones medioambientales, no txico, y no es soluble en agua. A pesar de estas caractersticas, no hay mucha informacin relacionada con la potencial aplicacin del ZnO en dosimetra termoluminiscente. La falta de inters por utilizar ZnO como material dosimtrico es debido al menos a dos factores principales: por una parte est la variedad de otras importantes aplicaciones que tiene en optoelectrnica, y por otra la baja eficiencia de la emisin de TL de las muestras previamente estudiadas reportada en la literatura (De Muer y Maenhout-van der Vorst, 1968; Diwan et al., 1984; Bhushan et al., 1984). D. de Muer y Maenhout-van der Vorst (D. de Muer y Maenhout-van der Vorst, 1968) estudiaron las propiedades termoluminiscentes de polvo de ZnO sin tratar trmicamente y el polvo de ZnO tratado trmicamente a 950 C durante 1 h
(19)

. Estos

autores no detectaron TL en polvo de ZnO sin tratamiento trmico, al medir la TL en el intervalo de temperatura entre -180 C y 200 C. El polvo de ZnO tratado trmicamente revel una curva de brillo trmico con emisin entre -180 C y -70 C, que se resolvi en cinco picos con mximos localizados, respectivamente, en: -161 C, -144 C, -129 C, -117 C y -101 C. Cruz-Vzquez et al. (Cruz-Vzquez et al., 2005) reportaron la caracterizacin termoluminiscente de pastillas de polvo de ZnO al ser expuestas a radiacin .

13

Observaron dos picos de emisin termoluminiscente principales, uno de mayor intensidad alrededor de 220 C y otro de menor intensidad a 140 C, aproximadamente. El comportamiento de la TL integrada en funcin de la dosis fue lineal en el rango de 25 Gy a 300 Gy. Las primeras caracterizaciones de la TL de estas muestras al ser expuestas a partculas beta, han revelado que poseen caractersticas apropiadas para considerar su aplicacin en dosimetra de radiaciones. Umapada Pal et al. (Pal et al., 2006) llevaron a cabo un estudio de las propiedades termoluminiscentes de polvos de ZnO y ZnO dopado con Yb, al ser expuestos a radiacin . La intensidad de la TL en las curvas de brillo del ZnO dopado con Yb disminuy en comparacin con la de ZnO sin dopar, pero el polvo dopado mostr una TL con menos desvanecimiento, y una curva de brillo caracterstica ms simple. En ambos casos, se report un comportamiento dosimtrico lineal en el rango de dosis de 0 a 100 Gy (figuras 6 y 7). Diwan et al. (Diwan et al., 1984) obtuvieron la TL de ZnO en polvo dopado con Cu y La. Estos autores reportaron dos picos principales localizados a 69 C y 287 C al exponer el material durante 1 min a radiacin UV, se utiliz como fuente una lmpara de Hg de baja presin; y un pico principal a 327 C con un hombro a 177 C, al exponer la muestra a radiacin de una fuente de
60

Co. Diwan et al. atribuyen estos picos

termoluminiscentes a la presencia del elemento La como impureza (figura 8). De acuerdo a Metin Bedir et al. (Bedir et al., 2006), en pelculas delgadas de ZnO dopado con Cu, los tomos de oxgeno adsorbido en la superficie de la pelcula delgada y en las fronteras de grano, actan como centros de atrapamiento. El Cu puede penetrar en la red de ZnO como Cu intersticial (Cui) o en sitios de Zn de manera sustitucional (CuZn), generando niveles de atrapamiento. Los defectos causados por el O y el Cu pueden cambiar la forma de la curva de brillo y la intensidad de los picos termoluminiscentes. En la figura 9 muestra las curvas de brillo termoluminiscentes obtenidas al variar la razn [Cu] / [Zn]. Cuando esta razn es mayor a 3 la intensidad de TL disminuye significativamente, lo que sugiere un mecanismo de TL donde existen al menos dos niveles de atrapamiento, uno que acta como competidor y otro como la trampa activa. La literatura documenta que el ZnO es un material fotoconductor, y se ha reportado que la TL, la luminiscencia persistente y la fotoconductividad estn relacionados (Aguirre de Carcer et al., 1991). En relacin a sus propiedades

14

Figura 6. Curvas de brillo de TL obtenidas despus de irradiacin con partculas beta a las dosis indicadas. (a) ZnO sin dopar y (b) ZnO dopado con Yb (Pal et al., 2006).

15

Figura 7. Dependencia del rea de pico con la dosis. (a) ZnO sin dopar y (b) ZnO dopado con Yb (Pal et al., 2006).

16

Figura 8. Curvas de brillo termoluminiscente de ZnO dopado con Cu y La, bajo diferentes tipos de excitacin. La curva de brillo situada en la parte superior de la grfica se obtuvo despus de excitar con radiacin de 60Co; la curva de brillo situada en la parte inferior se obtuvo despus de excitar con radiacin UV de una lmpara de Hg de baja presin. (Diwan et al., 1984).

17

Figura 9. Curvas de brillo termoluminiscente de pelculas delgadas de ZnO dopado con Cu, con diferentes razones de [Cu] / [Zn]: (a) 0, (b) 1.0, (c) 1.5, (d) 3.0 y (e) 5.0 (Bedir et al., 2006).

18

luminiscentes, el ZnO no ha sido investigado para desarrollarlo como fsforo luminiscente de largo trmino, es decir, til para almacenar informacin como producto de haber recibido energa de alguna fuente, de manera que se pueda liberar en forma de luz en una etapa posterior de lectura.
1.3. Deconvolucin de Curvas de Brillo Termoluminiscente para una Distribucin Continua de Trampas

La aplicacin de la tcnica de deconvolucin de curvas de brillo (GCD, por sus siglas en ingls) para la descomposicin de una curva termoluminiscente en sus picos individuales es ampliamente utilizada desde 1980 (Kitis y Gomez-Ros, 2000). Hornyak y Chen han calculado los picos de brillo termoluminiscente, suponiendo una cintica de primer orden y una distribucin continua de estados de atrapamiento distribuidos de manera uniforme sobre un rango finito de energa E = E2E1. La expresin para I(T) encontrada por Hornyak y Chen es:
I (T ) = n0 s s e kT exp{ E E 1
E2 E T

T0

exp( kT ' )dT '}dE .

Se puede incluir el trmino de energa promedio Eprom, llamado tambin energa de activacin efectiva, Eeff de la distribucin continua de los niveles de atrapamiento, entonces se puede encontrar la condicin para el mximo. Suponiendo que dln(I)/dT = 0; y llevando a cabo una aproximacin numrica propuesta por Chen y Kirsh (Chen y Kirsh, 1981) se tiene que:
E dI (T ) n 0 s s E exp = TE 2 dT E E 1 kT kT E s E 2 + exp dE kT kT
E2

De acuerdo al teorema del valor medio para las integrales: E1 < Eeff < E2; y llevando a cabo el criterio de la primera derivada se llega a:

Eeff
kT
2 m

= s exp(

Eeff ). 2 kTm

En esta ecuacin se tiene la condicin para el mximo. Posteriormente se lleva a cabo el ajuste del modelo con el algoritmo propuesto por Kitis y Gomez-Ros (Kitis y Gomez-Ros, 2000). El procedimiento de ajuste de curva se realiza utilizando el programa MINUIT (James y Roos, 1977).

19

1.4. Luminiscencia pticamente Estimulada

El fundamento de la luminiscencia pticamente estimulada (OSL, por sus siglas en ingls) es estimular una muestra previamente irradiada, con luz de una longitud de onda seleccionada, a la vez que se registra su emisin a longitudes de onda diferentes a la utilizada para estimular. Existen distintos modos de estimulacin, conocidos como OSL de onda continua (CW-OSL, por sus siglas en ingls), OSL de modulacin lineal (LMOSL, por sus siglas en ingls) la OSL de pulsos (POSL, por sus siglas en ingls) (McKeever, 2001). Enseguida se describe en trminos generales en qu consiste cada una de las variantes de la OSL. 1) CW-OSL: La muestra (previamente expuesta a radiacin) es iluminada con una fuente de intensidad constante y se monitorea simultneamente la emisin luminiscente durante la estimulacin. La OSL es observada al instante que la fuente de iluminacin es encendida y es usualmente de la forma de un decaimiento del tipo exponencial (figura 10), hasta que todas las trampas son desocupadas y entonces la luminiscencia estimulada cesa. La emisin de OSL integrada, es decir el rea bajo la curva de decaimiento, menos el fondo se grafica y es utilizado para determinar la dosis de la radiacin absorbida. 2) LM-OSL: La estimulacin ptica se lleva a cabo de tal manera que la intensidad de la luz con que se estimula la luminiscencia se incrementa linealmente con el tiempo. La respuesta de OSL observada al inicio crece linealmente a medida que la intensidad de la luz de estimulacin aumenta, hasta que la concentracin de cargas atrapadas disminuye significativamente, y es cuando la intensidad de OSL decrece de manera no lineal hasta cero, as, la seal de OSL resulta en la forma de un pico (figura 11). 3) La OSL de pulsos resulta cuando la fuente de estimulacin es pulsada a una frecuencia de modulacin particular y con un ancho de pulso particular, apropiado respecto al tiempo de vida de la luminiscencia observada. En esta variante de la OSL la emisin se mide slo entre los pulsos en lugar de medir durante los pulsos. En este sentido, la discriminacin entre la luz de excitacin y la luz de la emisin se obtiene por resolucin de tiempo, en lugar de la resolucin por longitud de onda (figura 12). Se necesita menor filtracin ptica con este mtodo respecto a la CW-OSL o la LM-OSL.

20

1.4.1. El Modelo ms Simple: Una Trampa / Un Centro de Recombinacin

El modelo ms simple de OSL supone que la luz estimula n electrones atrapados hacia la banda de conduccin (nc) a una velocidad f, seguido de una recombinacin hacia m huecos atrapados o centros de recombinacin para generar OSL de intensidad IOSL. La ecuacin de velocidad que describe el flujo de carga es (McKeever y Chen,1997): dnc dn dm = + dt dt dt la cual se deriva de la condicin de la neutralidad de carga nc + n = m Con las suposiciones de cuasiequilibrio (dnc/dt << dn/dt, dm/dt y nc << reatrapamiento despreciable se tiene n, m) y

IOSL =
cuya solucin es

dm dn = = nf dt dt

IOSL = n0 f exp{tf } = I 0 exp{t / } En donde n0 es la concentracin inicial de los electrones atrapados al tiempo t = 0, I0 es la intensidad de luminiscencia inicial a t = 0, y = 1/f es la constate de decaimiento. La velocidad de excitacin f est dada por el producto de la intensidad de excitacin y la seccin eficaz de fotoionizacin (f = ) (McKeever y Chen,1997).

21

Figura 10. (a) Ejemplos de curvas de decaimiento de CW-OSL simuladas a diferentes temperaturas. (b) Curvas de decaimiento de CW-OSL simuladas variando la intensidad de estimulacin. (c) Comportamiento en funcin con la dosis absorbida (McKeever, 2001).

22

Figura 11. Curvas de LM-OSL para cuarzo irradiado, seguidas del tratamiento trmico post-irradiacin llevado a cabo a las temperaturas indicadas (McKeever, 2001).

23

Figura 12. Ejemplos de curvas de POSL de tres muestras de Al2O3:C irradiado (McKeever, 2001).

24