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Anlise da Vida til de Bancos de Capacitores Submetidos a Tenses No Senoidais

M. D. Teixeira, Arteche EDC, R. A. Peniche, COPEL, G. Paulillo e A. R. Aoki, LACTEC, O. O. Pereira e R. B. Biazon, CLFSC
falhas operacionais precoces, reduzindo, sobremaneira, a confiabilidade de sistemas de energia. A presena de harmnicos em um sistema eltrico pode representar alterao nos valores de pico e eficaz da tenso de alimentao, sujeitando os capacitores a esforos dieltricos e trmicos acima das condies previstas em projeto. Diante do fato apresentado, urge a necessidade do prvio conhecimento da expectativa de vida de bancos de capacitores, quando alimentados por sistemas de suprimento fora dos padres considerados ideais, visando a otimizao dos recursos destinados manuteno das redes eltricas. Dentro desta premissa, o presente trabalho visa quantificar a vida operacional do referido equipamento perante distores na forma de onda da tenso. Mais precisamente, esta investigao sustenta-se na obteno de modelos matemticos que traduzam o tempo de vida destes equipamentos sob ao de algum tipo de esforo, qual seja: dieltrico, trmico ou ambos, face s distores harmnicas impostas. II. ENVELHECIMENTO DO MATERIAL ISOLANTE DE BANCOS DE CAPACITORES SUBMETIDOS A REDES DISTORCIDAS A definio dos esforos, que podem imputar falhas em bancos de capacitores, torna-se imperativo para adoo de medidas mitigadoras que possam reduzir os danos em seus sistemas de isolamento, e tambm na sntese de modelos matemticos que retratem o perfil da vida operacional daqueles. Assim, a seguir, sero apresentados os principais fatores, esforos, associados a distores harmnicas, que influenciam diretamente na degradao do material isolante e, por conseguinte, na falha operacional de banco de capacitores. A. Esforos Dieltricos Conforme foi abordado anteriormente, os bancos de capacitores submetidos a redes com forte poluio harmnica, esto sujeitos ao envelhecimento de seu material isolante e conseqente falhas operacionais precoces. Um dos fatores que contribui para essa degradao conhecido como esforo ou solicitao dieltrica. A solicitao dieltrica do material isolante est associada ao valor de pico da tenso de alimentao imposta ao equipamento. A maioria dos equipamentos eltricos possui um valor limite de suportabilidade dieltrica, acima do qual, ocorre acelerao da degradao do sistema de isolamento. Esta situao agrava-se, sobremaneira, para os bancos de capacitores, devido os problemas de ressonncias paralelas passveis de ocorrer conforme a configurao do sistema, e que podem causar substanciais sobretenses.

ResumoDentre os diversos equipamentos que compe o sistema eltrico, os bancos de capacitores so aqueles mais susceptveis a falhas devido s distores harmnicas. Neste sentido, o presente estudo vislumbra estimar a vida til de bancos de capacitores conectados em redes eltricas com forte presena de componentes harmnicas. Para tanto, foram realizados testes laboratoriais em diferentes tipos de capacitores para a sntese de uma equao matemtica indicativa da vida til destes equipamentos. Palavras-chavesDistores harmnicas, capacitores, vidatil, modelos probabilsticos.

I. INTRODUO estimao e quantificao da vida til de equipamentos eltricos tm ganhado relevncia crescente nos ltimos anos, em funo da enorme quantidade de recursos financeiros empregados na substituio ou reparo destes por parte das concessionrias do setor eltrico. Esta preocupao tornou-se mais acentuada na medida em que equipamentos eltricos, projetados para operar em sistemas com condies de alimentao prximas do considerado ideal, passaram a perfazer sistemas substancialmente poludos, no tocante aos fenmenos associados qualidade da energia eltrica, principalmente s distores harmnicas. Dentre os diversos equipamentos sujeitos as perdas de vida til, devido conexo em sistemas de energia com qualidade aqum da considerada nominal, destacam-se, sobremaneira, os bancos de capacitores. Estes dispositivos, largamente utilizados em indstrias e concessionrias de energia para a correo do fator de potncia e suporte de tenso, tm sua operao fortemente afetada quando da presena de distores harmnicas na tenso de suprimento [1, 2, 3, 4 e 5]. O tempo de vida operacional de bancos de capacitores, ou qualquer equipamento eltrico est intimamente associado durabilidade do seu material isolante. Quando submetidos a determinados esforos, dieltricos ou trmicos, a composio qumica e as propriedades fsicas do sistema de isolamento podem sofrer alteraes irreversveis traduzidas na forma de

Este trabalho foi patrocinado pelo Programa de P&D da Companhia Luz e Fora Santa Cruz. Mateus D. Teixeira pertence ao Departamento Comercial da Arteche EDC, Curitiba, Brasil (e-mail: mdt@arteche.com.br). Rodrigo A. Peniche trabalha atualmente na COPEL, Curitiba, Brasil. Gilson Paulillo e Alexandre R. Aoki pertencem ao Departamento de Eletromecnica do LACTEC, Curitiba, Brasil (e-mail: peniche@lactec.org.br). Rodolfo B. Biazon e Osvanil O. Pereira pertencem Companhia Luz e Fora Santa Cruz, Piraju, Brasil (e:mail: opereira@santacruz.srv.br).

Matematicamente, a solicitao dieltrica do material isolante dos bancos de capacitores pode ser calculada pela expresso:

V =

VH V1

(1)

e recaram sobre os efeitos de esforos trmicos na composio qumica destes materiais. Segundo abordado por [2], o efeito da temperatura sobre os equipamentos eltricos est associado, principalmente, ao aumento das reaes qumicas dos materiais isolantes e, por conseguinte, sua deteriorao precoce. A velocidade das reaes qumicas tratada pela conhecida equao de Arrhenius, apresentada a seguir.

Sendo que: VH Tenso de alimentao considerando a poluio harmnica; V1 Tenso de alimentao considerando somente a componente em 60 Hz. B. Esforos Trmicos Quando um banco de capacitores opera sob elevadas temperaturas, como ocorre normalmente, seu material isolante fica sujeito deteriorao trmica, reduzindo o seu tempo de vida operacional. De maneira semelhante ao que acontece com a solicitao dieltrica, o material isolante dos bancos de capacitores possui um limiar de suportabilidade trmica, acima do qual a degradao do sistema de isolamento gradativamente acelerada, dependendo do valor da temperatura. Este limite trmico, via de regra, est associado com a temperatura ambiente. Isto posto, o esforo trmico do material isolante dos bancos de capacitores pode ser representado conforme a equao a seguir:

RC = R e
' C

W ] k

(3)

Onde: Rc, velocidade de reao qumica do material, sob ao de esforos trmicos; R'c, velocidade de reao qumica do material, sob condies normais; W, energia de ativao da reao qumica; k, constante de Boltzman; , temperatura absoluta em K. Fazendo B = W/k, a equao anterior pode ser reescrita como:

Rc = R e
' C

B ]

(4)

T=

(2)

Sendo que: 0 Temperatura de referncia (ambiente); Temperatura de trabalho. III. MODELOS DE VIDA TIL Um modelo de vida til de um sistema ou material isolante consiste da relao matemtica entre um determinado esforo eltrico, trmico ou ambos e o seu tempo de falha. O desenvolvimento de modelos matemticos de vida til e respectivas implementaes computacionais tm sido amplamente reportados na literatura internacional afeta ao tema, nos ltimos anos. Conforme abordada anteriormente, a preocupao de concessionrios, fabricantes e consumidores, do setor de energia eltrica, proporcionou um aumento considervel na explorao deste tpico devido as grandes perdas financeiras decorrentes da falha precoce de equipamentos. Na seqncia, aps uma ampla pesquisa, ser apresentado um resumo dos principais modelos de vida til propostos para ilustrar o comportamento operacional de banco de capacitores submetidos aos esforos anteriormente definidos. A. Modelos Trmicos As primeiras investigaes sobre a degradao de materiais isolantes aconteceram na primeira metade do sculo passado,

Partindo, pois, da equao (4), pode-se afirmar que o tempo para um determinado material isolante alcanar o seu limite de vida inversamente proporcional velocidade de reao qumica deste material. Matematicamente, tem-se que:
B

LT = LT 0 e

(5)

Onde: LT, vida til do material isolante, sob ao de esforos trmicos; LT0, vida til do material, sob condies de temperatura ambiente; Introduzindo o esforo trmico T apresentado na equio (2), a equao (5) torna-se:

LT = LT 0 e ( BT )

(6)

A partir deste modelo pode-se correlacionar a expectativa e vida til de bancos de capacitores, ou qualquer outro equipamento, com a sua respectiva temperatura de trabalho. B. Modelos Eltricos No tocante aos esforos dieltricos, a vida operacional pode ser representada pela formulao abaixo [2].

LD = LD 0 [V ]

(7)

LC = LD = LD 0 V

(9)

Onde: V Esforo dieltrico do material isolante, eq. (1); LD e LD0 Vida til do equipamento sob a ao de esforos e em condies normais de operao, respectivamente; n Constante dependente das condies ambientais. O valor da constante n obtido atravs de ensaios experimentais de vida til. A influncia da solicitao dieltrica sobre a vida operacional dos bancos de capacitores pode ser representada pela figura 1.
Expectativa de Vida de Capacitores

Analogamente, quando existe apenas solicitao trmica, o modelo que define o perfil da vida operacional do equipamento deve considerar somente o efeito correspondente;

LC = LT = LT 0 e ( BT )

(10)

A expresso de G(E,T) que satisfaz as condies acima apresentadas, pode ser definida por:

45 40 35 30 Tempo [a n os] 25 20 15 10 5 0 0 .95 1 1.0 5 1.1 1.15 Sobr et en sa o [pu] 1.2 1.25 1.3

G (V , T ) = V bT
Onde: b, coeficiente obtido atravs de ensaios laboratoriais.

(11)

Finalmente, conforme [2], fazendo as devidas substituies, chega-se ao modelo de vida til genrico que considera a ao dos esforos trmicos e eltricos.

L = L0 [V ]

( n bT )

e ( BT )

(12)

Fig. 1. Curva da Vida til de Bancos de Capacitores submetidos a esforos dieltricos, segundo [4]

C. Modelos Multi-Esforos A influncia simultnea dos esforos trmico e eltrico na degradao de banco de capacitores tem sido motivo de profundas investigaes. Em [2] o autor reporta que quando um determinado material isolante submetido a um esforo eltrico a uma elevada temperatura, este est sujeito ao combinada destes fenmenos. A sntese de modelos de vida til deve ento considerar a sinergia entre estes fenmenos, ou seja, G(V,T). Por conseguinte, a partir dos modelos de vida til trmico e eltrico apresentados nas sees anteriores, pode-se, inicialmente, concluir que:

Sendo que L0 considerada a vida til do banco sem as aes dos esforos trmicos e dieltricos. Graficamente, o comportamento da vida til considerando a ao de vrios esforos encontra-se representado pela figura 2.

LC = LT LD G (V , T )

(8)

(V) Fig. 2. Perfil da vida til considerado a ao simultnea dos esforos trmico e eltrico, conforme as equaes (12) e (13)

Sendo que: Lc representa a vida til do material isolante submetido a mltiplos esforos; G(V,T) representa a sinergia entre os modelos trmico e eltrico. Partindo da equao (8) algumas importantes consideraes podem ser extradas para a composio do modelo multiesforos. Quando o equipamento no se encontra submetido a um esforo trmico (T = 0), sua vida til ser definida pela parcela correspondente ao esforo eltrico;

IV. MODELO DE VIDA PROBABILSTICO O tratamento estatstico de dados sobre o envelhecimento tornou-se uma vereda importante na avaliao da durabilidade de materiais isolantes submetidos a esforos contnuos [3], [4]. Atualmente, o envelhecimento do material isolante de bancos de capacitores e outros equipamentos, submetidos a esforos dieltricos e/ou trmicos, so representados estatisticamente pela distribuio de Weibull bi-paramtrica, cuja formulao encontra-se descrita na seqncia.

4
t

Expectativa de Vida de Capacitores

F (t ) = 1 e

(13)

3 R= R= R= R= 0 .1% 10 % 50 % 90 %

Tenso [pu]

Onde: F(t) Probabilidade de falha; - Parmetro associado vida til; - Parmetro associado aos esforos aplicados. A partir do modelo de vida dieltrico possvel sintetizar uma expresso genrica probabilstica para representar o perfil da vida operacional de bancos de capacitores. Por exemplo, tomando-se o modelo representado em (7) e substituindo na expresso (13), tem-se o modelo de vida probabilstico para materiais isolantes de bancos de capacitores:
t 1 n LD 0 V
(V )

2.5

1.5

0 .5

0 1 10

10

10

10

10

Tempo [Horas]

F (t , V ) = 1 e

(14)

Fig. 4. Curvas de vida til de bancos de capacitores para diferentes porcentagens de confiabilidade

Desta forma, a expresso (14) fornece a probabilidade de ocorrer uma falha operacional de bancos de capacitores em um determinado tempo t. A figura 3 apresenta o perfil da vida operacional de bancos de capacitores, para diferentes probabilidades de falha.
10
1

V. ESTUDOS EXPERIMENTAIS DE ENVELHECIMENTO O objetivo principal dos testes laboratoriais foi submeter os bancos de capacitores a nveis de distoro harmnica que representassem situaes de ressonncia. Tais ensaios foram realizados em clulas capacitivas monofsicas de MT, em escala reduzida, fabricadas especificamente para estes fins. Tambm foram utilizadas clulas tipo PPM (Polipropileno Metalizado) compradas diretamente no mercado.

Expectativa de Vida de Capacitores

P = 5% P = 63% P = 90 %

Ten so [pu] 10
0

10

10

10 Te mpo [Ho r a s]

10

Fig. 3. Curvas de vida til de bancos de capacitores para diferentes probabilidades

Fig. 5. Capacitor MT fabricado em escala reduzida especialmente para os testes.

Outra grande funcionalidade dos modelos de vida probabilsticos diz respeito ao ndice de confiabilidade do sistema de isolamento perante estes esforos. Este indicador obtido atravs da seguinte manipulao:

R(t,V ) = 1 F (t,V ) = e

t 1 n LD 0 V

(V )

(15)

Semelhantemente ao resultado apresentado anteriormente, a curva de vida pode ser expressa para diferentes valores de confiabilidade R(t, V), conforme apresentado pela figura 4.

As tenses de suprimento foram providas por uma fonte de alimentao programvel HP6834A, trifsica, com potncia de 4,5kVA. O nvel de tenso adotado para o funcionamento do dispositivo foi 127 V. importante destacar que a fonte programvel permite, quando for o caso, a aplicao dos diversos itens de qualidade, de forma controlada, tenso de alimentao. O arranjo experimental utilizado para a realizao dos trabalhos encontra-se ilustrado na figura 6.

Pode-se notar pelos resultados, que apesar da pequena queda nos valores da capacitncia, aps 100 horas de ensaio, h uma tendncia de reduo contnua nestes valores de capacitncia. Acreditasse que esta reduo poderia ser maior com o aumento das amplitudes das harmnicas, bem como o tempo de ensaio. A figura 8 mostra o comportamento da corrente em capacitores PPM para as amostras 2, 5 e 8, durante 24 horas de experimento.
Fig. 6. Arranjo laboratorial utilizado para os testes
3,5 H3 H5 H7 Nom inal

Este arranjo permitiu a automao do ensaio atravs de software especfico e configurado para possibilitar a leitura da capacitncia remanescente a cada determinado perodo de tempo. Vale mencionar que nem todos os ensaios, inicialmente especificados puderam ser realizados com emprego da fonte geradora de harmnicos, pois a mesma limitada ao nvel de 400 V. A tabela 1 mostra os sinais impostos aos capacitores. As linhas grifadas representam os nveis em que a fonte de tenso no suportou a sobrecarga. Deve-se comentar tambm que as componentes harmnicas foram sobrepostas tenso fundamental com ngulo zero, a fim de se representar o pior caso.
TABELA I COMPOSIES HARMNICAS EMPREGADAS NOS ENSAIOS Amostra Composio Harmnica 1 1,5V1 2 1V1 + 0,3V3 3 1V1 + 0,6V3 4 1V1 + 0,9V3 5 1V1 + 0,3V5 6 1V1 + 0,6V5 7 1V1 + 0,9V5 8 1V1 + 0,3V7 9 1V1 + 0,6V7 10 1V1 + 0,9V7

3 2,5 Corrente (A) 2 1,5 1 0,5 0 00:00:00 01:12:00 02:24:00 03:36:00 04:48:00 06:00:00 07:12:00 08:24:00 09:36:00 10:48:00 12:00:00 13:12:00 14:24:00 15:36:00 16:48:00 18:00:00 19:12:00 20:24:00 21:36:00 22:48:00 00:00:00

Hora

Fig. 8. Correntes RMS nos capacitores PPM

De forma a compensar a baixa potncia da fonte geradora de harmnicas, tomou-se por verdadeiras as afirmaes contidas em [4 e 5] de que no processo de degradao dos capacitores a freqncia do sinal pouco relevante, sendo a magnitude do sinal de tenso o principal agente depreciativo. Assim, utilizando um varivolt convencional para gerao dos sinais de tenso, foram realizados alguns ensaios, contemplando somente nveis de tenso fundamental, os quais podem ser visualizados na tabela 2.
TABELA II NVEIS DE TENSO FUNDAMENTAL EMPREGADOS NOS ENSAIOS Amostra Nvel de Tenso (V) 1 330 2 440 3 550 4 660

Deve ser dito que em todos os casos foram feitos ensaios tanto com clulas de MT em escala reduzida, quanto para clulas tipo PPM (BT). A figura 7 apresenta os resultados para os testes com as clulas de MT.
Amostra 1 Amostra 5 28,8 28,6 Capacitncia (uF) 28,4 28,2 28 27,8 27,6 27,4 27,2 00:00 14:00 35:00:00 68:00:00 100:00:00 Amostra 2 Amostra 6 Amostra 3 Amostra 8 Amostra 4

Horas de ensaios

Para estes ensaios deve-se mencionar que praticamente no houve alteraes dos nveis de capacitncia e tg aps 100 horas para as clulas de MT. Contudo, houve duas falhas permanentes das clulas PPM a 550 V e 660 V, aps 98 horas e 66 horas, respectivamente. Em ambos os casos houve a fuso do material isolante devido a altas temperaturas no interior do capacitor, que podem ter sido causadas pela sobrecorrente circulante. A figura 2 resume o fato observado. As figuras 9 (a) e (b) mostram o dieltrico fundido da clula capacitiva e o raio-X do capacitor, respectivamente. Comparando estas ocorrncias com o modelo probabilstico para a confiabilidade de capacitores, verifica-se a grande proximidade das curvas geradas com as ocorrncias de falha, apesar de certo conservadorismo do modelo proposto.

Fig. 7. Resultados dos testes para composies harmnicas

VIII. BIOGRAFIA
Mateus Duarte Teixeira nasceu em Viosa, MG. Se graduou em Engenharia Eltrica pela Universidade Federal de So Joo del Rei (UFSJ) em Janeiro de 2001. Obteve seu titulo de mestre em Cincias pela Faculdade de Engenharia Eltrica da Universidade Federal de Uberlndia (UFU) em Julho de 2003. Sua experincia profissional inclui o Instituto de Tecnologia para o Desenvolvimento LACTEC onde atuou como pesquisador de 2003 a 2007, e a Arteche EDC, onde gerente de desenvolvimento de negcios na rea de qualidade de energia. Suas reas de interesse incluem qualidade de energia, compensao reativa, eficincia energtica e gerao distribuda. Rodrigo Antnio Peniche natural de Ijaci, MG. Engenheiro Eletricista graduado pela Universidade Federal de So Joo del Rei (UFSJ) em 2002 e mestre em cincias pela Universidade Federal de Uberlndia (UFU) em 2004. Atuou, como pesquisador no Instituto de Tecnologia para o Desenvolvimento (LACTEC), em projetos de pesquisa e desenvolvimento relacionados qualidade da energia, gerao distribuda e operao de redes de energia eltrica. Atualmente trabalha na Companhia Paranaense de Energia COPEL na rea de planejamento do sistema de distribuio em 69/138 kV. Alexandre Rasi Aoki nasceu em Bauru, So Paulo, em 13 de Novembro de 1974. Graduou-se pela Escola Federal de Engenharia de Itajub, atual UNIFEI, em 1996. Obteve seus ttulos de Mestrado e Doutorado por esta mesma escola em 1999 e 2003 respectivamente. Sua experincia profissional inclui a Universidade Federal de Itajub e o Instituto de Pesquisa para o Desenvolvimento - LACTEC, onde atualmente gerente da Diviso de Sistemas Eltricos. Sua principal rea de interesse envolve o desenvolvimento de sistemas inteligentes para aplicao em sistemas eltricos de potncia. Osvanil Oliveira Pereira, Mestre em Engenharia Eltrica pela Universidade Federal de Santa Catarina (1999) na rea de Eletrnica de Potncia e Acionamento Eltrico, Graduado em Engenharia Eltrica pela Universidade Estadual Paulista "Jlio de Mesquita Filho" - Faculdade de Engenharia de Ilha Solteira (1996), foi engenheiro na LEMAG Industrial - Itaja/SC no perodo de 1999 2000 participando de projetos de subestaes de transmisso e distribuio, transferindo-se em 2000 para o Grupo Votorantim, atravs da Companhia Luz e Fora "Santa Cruz", na rea de planejamento do sistema eltrico. Atualmente ocupa o cargo de Gerente Regional junto a Santa Cruz, a qual foi transferida no final de 2006 para a CPFL Energia. Rodolfo Belinato Biazon, graduado em Engenharia Eltrica pela Universidade Federal de Uberlndia em 1.999, no mesmo ano ingressou como engenheiro eletricista no Grupo Votorantim, atravs da Companhia Luz e Fora "Santa Cruz", na rea de eficincia energtica e pesquisa e desenvolvimento onde ocupa atualmente o cargo de gestor.

(a)

(b)

Fig. 9. Capacitor danificado a 660 V. (a) Material isolante fundido na base da clula capacitiva; (b) Raio-X mostrando a regio afetada pela alta temperatura.

VI. CONCLUSO Os resultados e conceitos apresentados neste artigo, apesar de ainda bastante embrionrios, revelam que o modelo de vida-til probabilstico, apesar de conservador, pode ser empregado satisfatoriamente quando se deseja estimar a vidatil de capacitores submetidos a tenses no senoidais. Entretanto, diferentemente de outros trabalhos, nota-se que o pico de tenso, apesar de bastante prejudicial ao material dieltrico, no o principal causador de falhas em capacitores. Pelas anlises preliminares, a temperatura o agente decisivo na depreciao do dieltrico. Neste sentido, a ao depreciativa das freqncias harmnicas se faz notada, uma vez que aumenta sobremaneira o valor rms de corrente circulante pelo capacitor, elevando a temperatura do mesmo. Alm disso, os ensaios mostraram uma grande robustez dos capacitores impregnados a leo comparados queles do tipo PPM. Para trabalhos futuros, pretende-se utilizar uma fonte de sinais com maior capacidade de potncia para a realizao de novos ensaios, a fim de se obter maiores amplitudes das componentes harmnicas, bem como a ampliao da faixa de freqncia. VII. REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS
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[4]

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