Captulo

Transistores Bipolares

l trmino transistor es la contraccin de transfer resistor, es decir, de resistencia de transferencia. El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que se utiliza como amplificador o conmutador electrnico. El transistor se utiliza, por tanto, como amplificador, como oscilador, como rectificador y como conmutador on-off. Es un componente clave en nuestra civilizacin ya que toda la electrnica moderna los utiliza en: circuitos integrados, microprocesadores, controladores de motores elctricos de corriente continua y, actualmente, estn integrados a todos los dispositivos electrnicos de utilizacin diaria: radios, televisores, grabadores, etc.

Contenido 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 Resea histrica Conceptos bsicos Constitucin fsica Modelo de comportamiento Estados del transistor 4.5.1 Estado activo directo. Configuracin emisor comn 4.5.2 Estado cortado 4.5.3 Estado saturado 4.5.4 Estado activo inverso 4.6 Modulacin de la anchura de la base del transistor. Efecto Early 4.7 Variacin de la ganancia de corriente 4.8 Bibliografa

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Electrnica analgica: Anlisis y diseo

4.1 Resea histrica

(1910-1989) William Bradford Shockley, fsico estadounidense, premiado con el Nobel y coinventor del transistor. Naci en Londres de padres estadounidenses. Trabaj en los laboratorios de la Compaa Telefnica Bell desde 1936 hasta 1956, ao en que fue nombrado director de la Shockley Transistor Corporation en Palo Alto, California (su propia empresa). Dio conferencias en la Universidad Stanford desde 1958 y fue profesor de ingeniera en 1963. Sus investigaciones sobre los semiconductores le llevaron al desarrollo del transistor en 1948. Por esta investigacin comparti en 1956 el Premio Nobel de Fsica con sus asociados John Bardeen y Walter H. Brattain. (1902-1987) Walter Houser Brattain, fsico y premio Nobel estadounidense, nacido en Amoy, China. Despus trabaj como fsico en la divisin de radio del Instituto Nacional de Modelos y Tecnologa. En la poca en que trabajaba all, l y los fsicos estadounidenses William Shockley y John Bardeen inventaron un pequeo dispositivo electrnico llamado transistor. Se anunci por primera vez en 1948 y se termin en 1952. Por su trabajo con los semiconductores y por el descubrimiento del transistor, Brattain comparti con Shockley y Bardeen en 1956 el Premio Nobel de Fsica.

(1908-1991) John Bardeen, fsico y premio Nobel estadounidense, naci en Madison (Wisconsin) y estudi en las universidades de Wisconsin y Princeton. Como fsico investigador (1945-1951) en los Laboratorios Telefnicos Bell, fue miembro del equipo que desarroll el transistor. Por este trabajo, comparti en 1956 el Premio Nobel de Fsica con dos compatriotas, los fsicos William Shockley y Walter H. Brattain. En 1972 comparti nuevamente el Premio Nobel de Fsica con los fsicos estadounidenses Leon N. Cooper y John R. Schrieffer por el desarrollo de una teora que explicaba la superconductividad. Bardeen fue el primer cientfico que gan dos premios Nobel en la misma disciplina. (1922-2004) James M. Early, ingeniero estadounidense. Se doctor en Ingeniera elctrica en la Universidad de Ohio en 1951, a partir de entonces, estuvo 18 aos trabajando en los Laboratorios de la compaa Bell. Posteriormente trabaj para Fairchild, donde invent diferentes dispositivos que concluyeron con la cmara CCD. Early desarroll los transistores para el primer satlite de comunicaciones Americano, el Telstar I.

A mediados de los 50, Raytheon Manufacturing Company distribua comercialmente el primer transistor de Germanio, al precio de 99 centavos de dlar. El modelo fue el CK722. La foto muestra uno de ellos, que se fabric la semana 17 del ao 1956 (617). An hoy, se sigue esta nomenclatura en la fabricacin de los circuitos integrados, indicando la semana y el ao de fabricacin de los mismos.

(1921) John Louis Moll, se doctor en Ingeniera Elctrica en la Universidad estatal de Ohio en 1952, trabajando en multitud de empresas como RCA, BTL, Fairchild, Hewlett-Packard, etc. Su trabajo ms conocido es el modelado del transistor bipolar realizado junto a Jewell J. Ebers.

(1921) Jewell James Ebers, contribuy de forma decisiva al modelo del transistor bipolar junto con John L. Moll. El IEEE estableci en 1971 un premio en su honor. El primer ganador de este galardn fue su compaero de desarrollo del modelo del transistor bipolar John L. Moll.

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4.2 Conceptos bsicos Antecedentes Para comprender algunas de las ecuaciones que conforman el funcionamiento del transistor, se hace necesario recordar algunas ecuaciones y relaciones previas. Relacin de Einstein

Dp p

Dn kT = VT = n q

Dp, Dn = Constante de difusin de huecos y electrones. n, p = Movilidad de electrones y huecos. VT = Tensin trmica = 25.84mV 26mV a 300K. k = Constante de Boltzman 1.38x10-23 J/K. T = Temperatura absoluta 27C = 300K. q = Carga del electrn 1.602x10-19 C.

Ecuacin del diodo, ley del diodo o ecuacin de Shockley Teniendo en cuenta la suma de corrientes de electrones y huecos, la corriente que circula por un diodo viene definida por:
V VVF DP DP VFT iF = An q e 1 = I s e T 1 + N d LP N a LN 2 i

A = rea de Silicio. ni2 = Concentracin de huecos o electrones. (Ley de accin de masas: Producto de huecos y electrones libres es constante). LP, LN = Longitudes de difusin de huecos y electrones. Nd, Na = Concentraciones de tomos donadores y aceptores. = Parmetro dependiente del material (1 para el Germanio y 2 para el Silicio).

4.3. Constitucin fsica Descripcin cualitativa

Una de las muchas clasificaciones que pueden realizarse de los transistores, es la debida a las dos grandes familias que los componen, es decir, Bipolares y no bipolares. Cada una de estas familias estn, a su vez, subdivididas en los dos tipos de impurezas que se les aade a los materiales semiconductores, tipo P o tipo N.

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Figura 4.1: Clasificacin constructiva de los transistores

BJT: Transistores Bipolares de Unin. FET: Transistores de Efecto de Campo. JFET: Transistores de Efecto de Campo de Unin. MESFET: Transistores de Efecto de Campo de MEtal Semiconductor. MOSFET: Transistores de Efecto de Campo de Metal-Oxido-Semiconductor.

Si atendemos a la forma en la cual se fabrican los transistores, el siguiente grfico ilustra muy bien las variables a las que estn sometidos la obtencin de transistores bipolares. Por un lado, los materiales que dopan al Silicio puro y, por otro lado, la concentracin de stas impurezas. Si controlamos adecuadamente estos valores, podremos construir un transistor bipolar que cumpla con los requisitos vlidos para el funcionamiento de los mismos, a saber:
f/cm3

Fsforo
Boro: 3 electrones Exceso de huecos Fsforo: 5 electrones Exceso de electrones

1020

1017 1015

Boro

Fsforo

Distancia a la superficie

E N+

B P-

C N

Figura 4.2: Grfico de concentraciones de portadores de un transistor NPN. (Escalado)

El emisor debe estar mucho ms dopado que la base.

La longitud de la base debe ser mucho ms pequea que la longitud de difusin de los portadores mayoritarios del emisor.

Sin estas dos premisas, no conseguiremos un elemento de tres uniones NPN o PNP en el cual se produzca el efecto transistor.

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N-

P+

P-

N+

Colector (P) Base (N) Base (P)

Colector (N)

PNP

Emisor (P)

NPN

Emisor (N)

Figura 4.3: Dibujo esquemtico de un transistor PNP y NPN con sus terminales identificativos. (No a escala)

En el transistor esquematizado en la figura 4.2, existen dos uniones NP, que se comportan de manera individual como dos diodos, siguiendo su ecuacin de comportamiento la ecuacin del diodo. Sin embargo al estar unidas las tres regiones de esta forma, aparece un nuevo fenmeno debido a que las uniones estn dentro de una misma red cristalina y pueden comunicarse. Este efecto nuevo es el efecto transistor.
En un transistor sin polarizar, es decir, en ausencia de voltajes, el potencial que deben tener los electrones del emisor para poder atravesar la regin de la base es tan alto que, slo aquellos con una alta energa cintica sern capaces de llegar hasta el colector. Figura 4.4.
Emisor N Base Colector

+ + + +

+ + + +

Potencial de electrones x

Figura 4.4: Regiones de deplexin de un transistor sin polarizar

Si polarizamos las regiones como se indica en la figura 4.5a, se produce un cambio en los potenciales de barrera de las uniones. Se reduce el ancho de deplexin de la regin BE y se aumenta el de BC, con el consiguiente cambio en los potenciales de los electrones. Figura 4.5b. Como consecuencia de ello, los electrones son inyectados desde el emisor en la base del transistor, donde se convierten en portadores minoritarios. Gran parte de estos electrones se difunden por la base y llegan hasta el colector, atrados por el alto potencial existente, el resto se recombinan con los huecos mayoritarios de la base. Los electrones que alcanzan el colector lo hacen en una cantidad llamada factor de transporte o t. Este valor debe ser lo ms cercano a la unidad que sea posible. Para compensar la recombinacin de electrones durante su travesa por la base, y la disminucin de t, se hace la regin de la base muy estrecha.
Emisor Base Colector

IE

E IB VBE

IC

P -

++ ++ N ++ ++

Potencial de electrones

B
a)

VCB

b)

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Electrnica analgica: Anlisis y diseo

Figura 4.5: Regiones de deplexin de un transistor polarizado en Directa-Inversa

Estos electrones que llegan desde el emisor ms los correspondientes a la polarizacin inversa BC, conforman el total de la intensidad de colector, IC. Una pequea corriente de base, IB, recoge los electrones recombinados en su travesa y genera nuevos huecos para permitir el funcionamiento del dispositivo de forma continuada, figura 4.6. A esta configuracin se la denomina activa directa.
N P
iE

N
t(iE) = F iE

Corriente total del emisor

iE

Corriente de electrones
Recombinacin Corriente de Corriente de huecos saturacin inversa

Corriente total del colector

Corriente total de la base

Figura 4.6: Flujo de corrientes y cargas en un transistor polarizado en Directa-Inversa

Al reducir el potencial de barrera de la unin base emisor se produce una recombinacin indeseable de huecos de la base hacia el emisor. Para lograr que esta fraccin sea lo ms pequea posible, el denominado rendimiento de la inyeccin, ; se dopa al emisor con mayor cantidad de impurezas que la base. Esta caracterstica est recogida matemticamente en la ecuacin del diodo. Al estar polarizada inversamente la unin base-colector, lnea punteada de la figura 4.6, aparece una componente de saturacin inversa entre BC. Esta componente es de pequeo valor comparado con los electrones que llegan al colector, F IE. Resumiendo, una parte importante de los electrones que salen del emisor llegan al colector. Al parmetro que indica esa proporcin se la denomina alfa directa, F.
iC = t ( iE ) = F iE

F =t

Este parmetro, F, es muy importante dentro del funcionamiento en directa del transistor. Su valor tiene oscilaciones entre 0.98 y 0.999.

4.4. Modelo de comportamiento Descripcin cuantitativa

Los investigadores Ebers y Moll introdujeron una descripcin general del transistor til para todas las configuraciones del mismo. A este modelo de comportamiento se le denomin Modelo Ebers-Moll. Figura 4.7.

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R iDC
iE E

F iDE
iC C

iDE B

iB

iDC

Figura 4.7: Circuito equivalente del Modelo de Ebers-Moll

Aplicando la primera ley de Kirchoff al colector, nos queda iC = F iDE iDC Donde iDC es la corriente de la unin base-colector como diodo y F IDE es el efecto transistor de esta unin. Si sustituimos estos valores en la ecuacin del diodo, sin tener en cuenta las polarizaciones de las uniones, nos queda

iC = F I ES eVBE / VT 1 I CS eVBC / VT 1

Ec. 4.1

Donde IES e ICS son las corrientes de saturacin inversas de las respectivas uniones. Si hacemos trabajar el transistor con la unin colector-base en directa y la unin emisor-base en inversa, esto es, en modo activo inverso, los electrones inyectados desde el colector son recogidos por la base y el emisor. De la misma forma que existe una alfa directa existe una alfa inversa, R. De la misma forma que F, R, es el producto de un rendimiento de inyeccin por un factor de transporte. Aplicando la primera ley de Kirchoff al emisor del modelo de Ebers-Moll, nos queda

iE = I ES eVBE / VT 1 R I CS eVBC / VT 1

Ec. 4.2

Dado que el transistor est construido para una alfa directa grande, la alfa en inversa deber ser pequea. Adems, el colector est poco dopado con respecto a la base para limitar la expansin de la regin de deplexin dentro de la base. Normalmente se encuentra entre valores de 0.05 a 0.5. De esta circunstancia se intuye que hay una relacin entre la alfa directa y la inversa. A esta relacin, cuya explicacin cae fuera del estudio que nos ocupa, se la denomina ley de reciprocidad. F I ES = R I CS = I S Como se ha comentado anteriormente el valor de F es muy prximo a la unidad, con lo que el valor de IS es muy similar al valor de IS de la ecuacin del diodo. Sustituyendo el valor de este parmetro, IS, en las ecuaciones 4.1 y 4.2, nos quedan definidas las ecuaciones de Ebers-Moll.

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Electrnica analgica: Anlisis y diseo

iC = I S eVBE / VT 1 IS

IS

(e (

VBC / VT

) )

Ec. 4.3

iE =

(e

VBE / VT

1 I S eVBC / VT 1

Ec. 4.4

Queda claro en la figura 4.6 que la corriente de emisor se desdobla en la corriente de base y la corriente de colector. Por lo tanto

iE = iC + iB

Ec. 4.5

Por otro lado, si contemplamos todos los estados de conduccin de las uniones del transistor, nos queda
Modo de funcionamiento Activo directo Activo inverso Cortado Saturado Pol. Base-Emisor Directa (VBE V) Inversa (VBE V) Inversa (VBE V) Directa (VBE V) Pol. Base-Colector Inversa (VBC V) Directa (VBC V) Inversa (VBC V) Directa (VBC V)

Tabla 4.1: Definiciones de los estados del transistor

4.5. Estados del transistor 4.5.1. Estado activo directo. Configuracin emisor comn

En este modo de funcionamiento el transistor trabaja como una fuente de corriente controlada por corriente.
IC IB

Segn vimos en la figura 4.6 IC = F IE y, teniendo en cuenta la ecuacin 4.5, nos queda
VCE

VBE

I C = F (I B + I C )

I C ( 1 F ) = I B F Ec. 4.6

IE

Figura 4.8: Configuracin en emisor comn

IC =

F I B = F I B 1 F

A este parmetro F o , se le denomina ganancia de corriente en directa o Beta Forward. Es un parmetro de fcil medicin en los transistores, con un valor comprendido entre 20 y 800. Se dice que un transistor est en la configuracin activa directa cuando la tensin VBE est comprendida entre 0.5-0.7V y la tensin VCB es mucho mayor que este valor.

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Figura 4.9: Circuito emisor comn

Figura 4.10: Curvas de colector de la configuracin emisor comn (1mA mx.)

Saturacin

Z on

iva t c aA

Zona de corte
Figura 4.11: Zonas de trabajo del transistor

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Electrnica analgica: Anlisis y diseo

Figura 4.12: Zonas de funcionamiento del transistor y su comportamiento

Modelo de gran seal

Los modelos de gran seal se utilizan para estudiar la polarizacin de los componentes en corriente continua. El valor de la tensin base-emisor corresponde con la tensin de un diodo estndar, es decir, VBE = 0.7V.
B VBE E C ib F

Figura 4.13: Modelo de gran seal del transistor en emisor comn

4.5.2. Estado cortado

Si las dos uniones se encuentran polarizadas en inversa, se dice que el transistor est en corte. En esta situacin, el transistor se considera abierto. Algunos fabricantes ofrecen el dato de ICB0, indicado para polarizacin inversa del diodo colector-base con emisor desconectado. Este dato se utiliza para situaciones de funcionamiento en corte a altas temperaturas.

4.5.3. Estado saturado

En este estado el transistor deja de funcionar como tal, de hecho, no son vlidas las ecuaciones anteriores de funcionamiento del transistor. Cuando las dos uniones estn polarizadas en directa, existe una cada de 0.8V entre base-emisor y una diferencia de potencial de 0.2V entre colector-emisor. En este punto, el transistor se comporta como un cortocircuito entre C-E, con la citada cada de 0.2V.

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0.8V E

0.2V

Figura 4.14: Estado de saturacin de un transistor bipolar

4.5.4. Estado activo inverso

Si permutamos los terminales de emisor y colector obtendremos la configuracin activo-inverso. Con ello, la unin colector-base queda polarizada a 0.7V y la fuente de corriente dependiente est ahora en sentido emisor-colector. Figura 4.15.
B E

0.7V C

R iB

Figura 4.15: Funcionamiento activo-inverso

En estas circunstancias, la corriente de emisor viene definida por R iB, donde

R =

R 1 R

Denominndose el valor de R, beta inversa del transistor. Aplicando la ecuacin 4.5, nos queda iC = iE iB = ( R + 1) iB Esta ecuacin describe las curvas del colector de esta configuracin. Teniendo en cuenta que R +1 << F las curvas de la figura 4.16 estn mas juntas que sus homnimas de la figura 4.10. Los valores de estas curvas son de bajo valor debido a la configuracin inversa de la unin colector-base.

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Electrnica analgica: Anlisis y diseo

Figura 4.16: Curvas del transistor activo inverso

4.6. Modulacin de la anchura de la base del transistor. Efecto Early

Al estar polarizado el transistor en activa directa, la unin colector-base se estrecha y la zona de unin base-emisor prcticamente desaparece, figura 4.5b. Con este fenmeno, la cantidad de electrones que circulan por el colector es mayor, el valor de F se acerca a la unidad y la corriente de base disminuye. Igualmente, tambin se ve afectado el valor de la ganancia de corriente F. Si continuamos aumentando el valor de la tensin inversa entre la unin colector-base, este fenmeno se ve incrementado, hasta un valor en el cual crece tanto iC, que acaba por destruir el transistor. A esta tensin VA, se la denomina tensin Early, debido a la persona que la descubri. Este fenmeno se muestra ms acentuado en la configuracin emisor comn. De forma grfica podemos observar esta tensin en la continuacin de las curvas de la base en sentido -VCE. Todas las curvas de la corriente de base se unen en un valor de tensin negativa, la citada VA o tensin Early. Antes de que alcancemos el valor de la tensin Early, el cambio que se produce en la corriente de colector afecta a la ecuacin 4.6. Quedando sta como
VCE iC = f ( VCE ,iB ) = 1 + V A iB

Ec. 4.7

Como se observa, dado el alto valor de la tensin Early respecto de las tensiones de polarizacin que vamos a utilizar tiene un efecto casi despreciable en los clculos que realicemos. Por tanto, no se contemplar en las ecuaciones salvo indicacin expresa.

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Figura 4.17: Representacin grfica del Efecto Early. Tensin Early = 126V

En los clculos por ordenador se suele incluir este efecto para aumentar la precisin de los mismos. Para ello, aadimos al modelo del transistor de Ebers-Moll una resistencia de salida, ro. Que se define como 1 iC = puntoQ ro vCE

Derivando la ecuacin 4.7 y evalundola respecto del punto de funcionamiento en continua, nos queda 1 1 = IB ro V A Teniendo en cuenta la ecuacin 4.6 y siendo VCE << VA, nos queda

ro =

VA IC

Como se ha comentado, esto supone aadir una resistencia de alto valor entre colector y emisor en el modelo del transistor. Esta circunstancia no perjudica el clculo que se realice si despreciamos la misma. Al disminuir el ancho efectivo de la base, y por ello las corrientes de base y colector, se produce un fenmeno de interactuacin entre el circuito de entrada, la base del transistor, y el circuito de salida, es decir, el colector. A este hecho se le denomina de realimentacin interna dentro del transistor. Por ello, se hace necesario modificar el modelo de gran seal en emisor comn de la figura 4.13.

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Electrnica analgica: Anlisis y diseo

F VCE B
+ -

C ib F VBE

ro

VCE

Figura 4.18: Modelo en emisor comn teniendo en cuenta el Efecto Early

4.7. Variacin de la ganancia de corriente

Como se ha comentado anteriormente, es variable, sin embargo, la ganancia de corriente en directa, , definida como /(1-) es bastante sensible a las pequeas variaciones de , a la temperatura y al propio valor de las corrientes. Por si esto fuese poco, adems es dependiente de la fsica del transistor. Podemos comprobar como pequeos cambios en afecta bastante a la ganancia de corriente. Si = 0.99 Si = 0.999

= 0.99/(1-0.99) = 99 = 0.999/(1-0.999) = 999

Figura 4.19: Variacin de con T (-20C +27C y 125C) e IC. 2N3055

Figura 4.20: Variacin de con T (-20C +27C y 125C) e IC. BC547

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Log F

Log IC Log IB VBE

Figura 4.21: Grfico de Gummel-Poon: Variacin de con la VBE (0.35-0.85V)

Bibliografa

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