Unidad de estado slido

Este artculo o seccin necesita referencias que aparezcan en una publicacin acreditada, como revistas especializadas, monografas, prensa diaria o pginas de Internet fidedignas. Puedes aadirlas o avisar al autor principal del artculo en su pgina de discusin pegando: {{subst:Aviso referencias|Unidad de estado slido}} ~~~~

Tarjeta Estado lido !

"# de un $sus Eee Pc %&' de ( )* !+ini P,I E-press#

.n

" estndar de /,0 pulgadas !12 mm# de factor de forma.

""3 "3$+ *asado en

". +a- '/( )4 5 6&7/ +48s.

.na unidad de estado slido o SSD !acrnimo en ingl9s de solid-state drive# es un dispositivo de almacenamiento de datos que usa una memoria no voltil, como la memoria flas:, o una memoria voltil como la "3$+, para almacenar datos, en lugar de los platos giratorios magn9ticos encontrados en los discos duros convencionales. En comparacin con los discos duros tradicionales, las unidades de estado slido son menos sensi*les a los golpes, son prcticamente inaudi*les 5 tienen un menor tiempo de acceso 5 de latencia. ;as " :acen uso de la misma interfaz que los discos duros 5, por lo tanto, son fcilmente intercam*ia*les sin tener que recurrir a adaptadores o tarjetas de e-pansin

para compati*ilizarlos con el equipo. $unque t9cnicamente no son discos, a veces se traduce errneamente en espa<ol la ="= de " como disk cuando, en realidad, representa la pala*ra drive, que podra traducirse como >unidad> o >dispositivo>. $ partir de /&'&, la ma5ora de los " utilizan memoria flas: *asada en compuertas ?$?", que retiene los datos sin alimentacin. Para aplicaciones que requieren acceso rpido, pero no necesariamente la persistencia de datos despu9s de la p9rdida de potencia, los " pueden ser construidos a partir de memoria de acceso aleatorio !3$+#. Estos dispositivos pueden emplear fuentes de alimentacin independientes, tales como *ateras, para mantener los datos despu9s de la descone-in de la corriente el9ctrica.' e :an desarrollado dispositivos que com*inan am*as tecnologas, es decir discos duros 5 memorias flas:, 5 se denominan discos duros :*ridos !@@"#, que intentan aunar capacidad 5 velocidad a un precio inferior a un ".

ndice
' "efinicin / @istoria /.' " *asados en 3$+ /./ " *asados en flas: /.6 Enterprise flash drive /.2 3aceTracA 6 $rquitectura, dise<o 5 funcionamiento 6.' 4asados en ?$?" Blas: 6./ 4asados en "3$+ 2 Ctras aplicaciones 0 Tecnologas 0.' Celda de nivel individual (SLC) 0./ Celda de nivel mltiple (MLC) 0.6 Triple bit por celda (TLC) 1 Cptimizaciones afines a " en los sistemas de arc:ivos 1.' ?TB 5 e-B$T 1./ DB 7 Eentajas e inconvenientes 7.' Eentajas 7./ ;imitaciones ( E9ase tam*i9n % Enlaces e-ternos '& 3eferencias

Definicin
.na memoria de estado slido es un dispositivo de almacenamiento secundario :ec:o con componentes electrnicos en estado slido pensado para utilizarse en equipos informticos en lugar de una unidad de disco duro convencional, como memoria au-iliar o para crear unidades :*ridas

compuestas por

" 5 disco duro.

,onsta de una memoria no voltil, en lugar de los platos giratorios 5 ca*ezal de las unidades de disco duro convencionales. $l no tener piezas mviles, una unidad de estado slido reduce drsticamente el tiempo de *Fsqueda, latencia 5 otros, diferencindose as de los discos duros. $l ser inmune a las vi*raciones e-ternas, es especialmente apto para ve:culos, ordenadores porttiles, etc.

Historia
SSD basados en RAM
@a*ra que remontarse a la d9cada de '%0& cuando se utiliza*an dos tecnologas denominadas memoria de nFcleo magn9tico 5 ,,3C . Estas memorias au-iliares surgieron durante la 9poca en la que se :aca uso del tu*o de vaco, pero con la introduccin en el mercado de las memorias de tam*or, ms asequi*les, no se continuaron desarrollando. "urante los a<os 7& 5 (&, se aplicaron en memorias fa*ricadas con semiconductores. in em*argo, su precio era tan pro:i*itivo que tuvieron mu5 poca aceptacin, incluso en el mercado de los superordenadores. En '%7(, Te-as memor5 present una unidad de estado slido de '1 Gi4 *asada en 3$+ para los equipos de las petroleras. $l a<o siguiente, torageTeA desarroll el primer tipo de unidad de estado slido moderna. En '%(6, se present el :arp P,H0&&&, :aciendo gala de '/( cartuc:os de almacenamiento en estado slido *asado en memoria de *ur*uja. En septiem*re de '%(1, anta ,lara 5stems present el 4$T3$+, que consta*a de 2 +i4 amplia*les a /& +i4 usando mdulos de memoriaI dic:a unidad contena una pila recarga*le para conservar los datos cuando no esta*a en funcionamiento.

SSD basados en flash

En '%%0, +H 5stems present unidades de estado slido *asadas en flas:. "esde entonces, los " se :an utilizado e-itosamente como alternativa a los discos duros en la industria militar 5 aeroespacial, as como en otros menesteres anlogos. Estas aplicaciones dependen de una alta tasa de tiempo medio entre fallos !+T4B#, gran capacidad para soportar golpes fuertes, cam*ios *ruscos de temperatura, presin 5 tur*ulencias. 4iT+I,3C, en '%%%, :izo gala de una serie de presentaciones 5 anuncios de unidades de estado slido *asadas en flas: de '( )i4 en formato de 6,0 pulgadas. BusionHio, en /&&7, anunci unidades de estado slido con interfaz P,I E-press capaces de realizar '&&.&&& operaciones de Entrada8 alida en formato de tarjeta de e-pansin con capacidades de :asta 6/& )4. En el ,e4IT /&&%, C,D present un " *asado en flas: de ' Ti4 con interfaz P,I E-press -( capaz de alcanzar una velocidad m-ima de escritura de 102 +48s 5 una velocidad m-ima de lectura a 7'/ +48s. En diciem*re de /&&%, +icron Tec:nolog5 anunci el primer " del mundo, utilizando la interfaz $T$ III./

Enterprise flash drive

;os enterprise flash drives !EB"# estn dise<ados para aplicaciones que requieren una alta tasa de operaciones por segundo, fia*ilidad 5 eficiencia energ9tica. En la ma5ora de los casos, un EF es un " con un conjunto de especificaciones superiores. El t9rmino fue acu<ado por E+, en enero de /&&(, para a5udarles a identificar a los fa*ricantes " que iran orientados a mercados de ms alta

gama. ?o e-isten organismos de normalizacin que acu<en la definicin de EB", por lo que cualquier fa*ricante puede denominar EB" a unidades " sin que e-istan unos requisitos mnimos. "el mismo modo que puede :a*er fa*ricantes de " que fa*riquen unidades que cumplan los requisitos EF 5 que jams sean denominados as.

RaceTrack
I4+ est investigando 5 dise<ando un dispositivo, aFn en fase e-perimental, denominado 3acetracA. $l igual que los ", son memorias no voltiles *asadas en nano:ilos compuestos por nquel, :ierro 5 vrtices que separan entre s los datos almacenados, lo que permite velocidades :asta cien mil veces superiores a los discos duros tradicionales, segFn apunta la propia I4+.6

Arquitectura, diseo

funciona!iento

,:asis a*ierto de un disco duro tradicional. !izquierda#. $specto de un dispositivo especialmente para ordenadores porttiles !derec:a#.

" indicado

e distinguen dos periodos: al principio, se construan con una memoria voltil "3$+ 5, ms adelante, se empezaron a fa*ricar con una memoria no voltil ?$?" flas:.

"asados en #A#D $lash

,asi la totalidad de los fa*ricantes comercializan sus " con memorias no voltiles ?$?" flas: para desarrollar un dispositivo no slo veloz 5 con una vasta capacidad, sino ro*usto 5 a la vez lo ms peque<o posi*le tanto para el mercado de consumo como el profesional. $l ser memorias no voltiles, no requieren ningFn tipo de alimentacin constante ni pilas para no perder los datos almacenados, incluso en apagones repentinos, aunque ca*e destacar que los " ?$?" Blas: son ms lentos que los que se *asan en "3$+. on comercializadas con las dimensiones :eredadas de los discos duros, es decir, en 6,0 pulgadas, /,0 pulgadas 5 ',( pulgadas, aunque tam*i9n ciertas " vienen en formato tarjeta de e-pansin. En algunos casos, las " pueden ser ms lentas que los discos duros, en especial con controladoras antiguas de gamas *ajas, pero dado que los tiempos de acceso de una " son inaprecia*les, al final resultan ms rpidos. Este tiempo de acceso tan corto se de*e a la ausencia de piezas mecnicas mviles, in:erentes a los discos duros. .na " se compone principalmente: %ontroladora& Es un procesador electrnico que se encarga de administrar, gestionar 5 unir los mdulos de memoria ?$?" con los conectores en entrada 5 salida. Ejecuta softJare a nivel de BirmJare 5 es con toda seguridad, el factor ms determinante para las velocidades del dispositivo. %ach'& .n dispositivo " utiliza un peque<o dispositivo de memoria "3$+ similar al cac:9

de los discos duros. El directorio de la colocacin de *loques 5 el desgaste de nivelacin de datos tam*i9n se mantiene en la memoria cac:9 mientras la unidad est operativa. %ondensador& Es necesario para mantener la integridad de los datos de la memoria cac:9, si la alimentacin el9ctrica se :a detenido inesperadamente, el tiempo suficiente para que se puedan enviar los datos retenidos :acia la memoria no voltil. El rendimiento de los " se incrementan a<adiendo c:ips ?$?" Blas: en paralelo. .n slo c:ip ?$?" Blas: es relativamente lento, dado que la interfaz de entrada 5 salida es de ( '1 *its asncrona 5 tam*i9n por la latencia adicional de las operaciones *sicas de E8 !Tpica de los ;, ?$?" H apro-imadamente /0 Ks para *uscar una pgina de 2 Gi4 de la matriz en el *Ffer de E8 en una lectura, apro-imadamente /0& Ks para una pgina de 2 Gi4 de la memoria intermedia de E8 a la matriz de la escritura 5 so*re / ms para *orrar un *loque de /01 Gi4#. ,uando varios dispositivos ?$?" operan en paralelo dentro de un ", las escalas de anc:o de *anda se incrementan 5 las latencias de alta se minimizan, siempre 5 cuando suficientes operaciones est9n pendientes 5 la carga se distri*u5a uniformemente entre los dispositivos. ;os " de +icron e Intel fa*ricaron unidades flas: mediante la aplicacin de los datos de creacin de *andas !similar a 3$I" &# e intercalado. Esto permiti la creacin de " ultrarpidos con /0& +48s de lectura 5 escritura. ;as controladoras Sandforce SF !""" Series consiguen tasas de transferencia cercanas a la saturacin de la interfaz $T$ II !rozando los 6&& +48s sim9tricos tanto en lectura como en escritura#. ;a generacin sucesora, las Sandforce SF #""" Series, permiten ms all de los 0&& +48s sim9tricos de lectura 5 escritura secuencial, requiriendo de una interfaz $T$ III si se desea alcanzar estos registros.

"asados en DRAM
;os " *asados en este tipo de almacenamiento proporcionan una rauda velocidad de acceso a datos, en torno a '& Ks 5 se utilizan principalmente para acelerar aplicaciones que de otra manera seran mermadas por la latencia del resto de sistemas. Estos " incorporan una *atera o *ien un adaptador de corriente continua, adems de un sistema de copia de seguridad de almacenamiento para descone-iones a*ruptas que al resta*lecerse vuelve a volcarse a la memoria no voltil, algo similar al sistema de :i*ernacin de los sistemas operativos. Estos " son generalmente equipados con las mismas "I++s de 3$+ que cualquier ordenador corriente, permitiendo su sustitucin o e-pansin. in em*argo, las mejoras de las memorias *asadas en flas: estn :aciendo los " *asados en "3$+ no tan efectivos 5 acortando la *rec:a que los separa en t9rminos de rendimiento. $dems los sistemas *asados en "3$+ son tremendamente ms caros.

(tras aplicaciones
;as unidades de estado slido son especialmente Ftiles en un ordenador que 5a lleg al m-imo de memoria 3$+. Por ejemplo, algunas arquitecturas -(1 tienen 2 )i4 de lmite, pero 9ste puede ser e-tendido colocando un " como arc:ivo de intercam*io !sJap#. Estos " no proporcionan tanta rapidez de almacenamiento como la memoria 3$+ principal de*ido al cuello de *otella del *us que los conecta 5 a que la distancia de un dispositivo a otro es muc:o ma5or, pero aun as mejorara el rendimiento con respecto a colocar el arc:ivo de intercam*io en una unidad de disco duro tradicional.

Tecnolo)*as

P,IHE,"3$+,5

" *asado en ?$?"

;os " *asados en ?$?" almacenan la informacin no voltil en celdas mediante puertas lgicas =L ?egadas=. $ctualmente las celdas son fa*ricadas mediante tres tecnologas distintas:

,omparacin entre ,:ips +;, 5 ;,

Celda de nivel individual (SLC)

Este proceso consiste en cortar las o*leas de silicio 5 o*tener c:ips de memoria. Este proceso monoltico tiene la ventaja de que los c:ips son considera*lemente ms rpidos que los de la tecnologa opuesta !+;,#, ma5or longevidad, menor consumo, un menor tiempo de acceso a los datos. $ contrapartida, la densidad de capacidad por c:ips es menor, 5 por ende, un considera*le ma5or precio en los dispositivos fa*ricados con 9ste m9todo. $ nivel t9cnico, pueden almacenar solamente ' *it de datos por celda.

Celda de nivel mltiple (MLC)

Este proceso consiste en apilar varios moldes de la o*lea para formar un slo c:ip. ;as principales ventajas de este sistema de fa*ricacin es tener una ma5or capacidad por c:ip que con el sistema ;, 5 por tanto, un menor precio final en el dispositivo. $ nivel t9cnico es menos fia*le, dura*le, rpido 5 avanzado que las ;,. Mstos tipos de celdas almacenan / *its por cada una, es decir 2 estados, por esa razn las tasas de lectura 5 escritura de datos se ven mermadas. Tos:i*a :a conseguido desarrollar

celdas de 6 *its2

Triple bit por celda (TLC)

?uevo proceso en el que se mantienen 6 *its por cada celda. u ma5or ventaja es la considera*le reduccin de precio. u ma5or desventaja es que solo permite '&&& escrituras0

(pti!i+aciones afines a SSD en los siste!as de archi,os

;os sistemas de arc:ivos se pensaron para tra*ajar 5 gestionar sus arc:ivos segFn las funcionalidades de un disco duro. Ese m9todo de gestin no es eficaz para ordenar los arc:ivos dentro del ", provocando una seria degradacin del rendimiento cuanto ms se usa, recupera*le por formateo total de la unidad de estado slido, pero resultando engorroso, so*re todo en sistemas operativos que dependan de almacenar diariamente *ases de datos. Para solucionarlo, diferentes sistemas operativos optimizaron sus sistemas de arc:ivos para tra*ajar eficientemente con unidades de estado slido, cuando 9stas eran detectadas como tales, en vez de como dispositivos de disco duro. Entre dic:os sistemas, destacamos:

#T$S

e-$AT

$ntes de NindoJs 7, todos los sistemas operativos venan preparados para manejar con precisin las unidades de disco duro. NindoJs Eista inclu5 la caracterstica 3ead54oost para mejorar 5 aprovec:ar las caractersticas de las unidades . 4, pero para los " tan slo optimiza*a la alineacin de la particin para prevenir operaciones de lectura, modificaciones 5 escritura, 5a que en los " normalmente los sectores son de 2 Gi4, 5 actualmente los discos duros tienen sectores de 0'/ *5tes desalineados !que luego tam*i9n se aumentaron a 2 Gi4#. Entre algunas cosas, se recomienda desactivar el desfragmentadorI su uso en una unidad " no tiene sentido, 5 reducira su vida al :acer un uso continuo de los ciclos de lectura 5 escritura. NindoJs 7 viene optimizado de serie para manejar correctamente los " sin perder compati*ilidad con los discos duros. El sistema detecta automticamente si es unidad de estado slido o disco duro, 5 cam*ia varias configuracionesI por ejemplo, desactiva automticamente el desfragmentador, el uperfetc:, el 3ead5*oost, cam*ia el sistema de arranque e introduce el comando T3I+, que prolonga la vida Ftil de los " e impide la degradacin de su rendimiento.

.$S
olaris, en su versin '&u1, 5 las Fltimas versiones de Cpen olaris 5 olaris E-press ,ommunit5 Edition, pueden usar " para mejorar el rendimiento del sistema DB . @a5 dos modos disponi*les, utilizando un " para el registro de DB Intent !DI;# o para la ;/$3,. ,uando se usa solo o en com*inacin, se aumenta radicalmente el rendimiento. ;os nuevos " inclu5en la tecnologa ), !)ar*age ,ollector#, otro mecanismo mu5 Ftil, en especial para las personas que no tienen el P, encendido todo el da, el cual consiste en programar o forzar limpiezas manuales. $ estas utilidades se las conoce como recolectoras de *asura 5 permiten de un modo manual *orrar esos *loques en desuso. Este tipo de utilidades son Ftiles si no usamos un sistema operativo como NindoJs 7 5 tam*i9n se puede usar en com*inacin con T3I+.

/enta0as e incon,enientes
/enta0as
;os dispositivos de estado slido que usan flas: tienen varias ventajas Fnicas frente a los discos duros mecnicos: $rranque ms rpido, al no tener platos que necesiten tomar una velocidad constante. )ran velocidad de escritura. +a5or rapidez de lectura, incluso '& veces ms que los discos duros tradicionales ms rpidos gracias a 3$I"s internos en un mismo ". 4aja latencia de lectura 5 escritura, cientos de veces ms rpido que los discos mecnicos. ;anzamiento 5 arranque de aplicaciones en menor tiempo H 3esultado de la ma5or velocidad de lectura 5 especialmente del tiempo de *Fsqueda. Pero solo si la aplicacin reside en flas: 5 es ms dependiente de la velocidad de lectura que de otros aspectos. +enor consumo de energa 5 produccin de calor H 3esultado de no tener elementos mecnicos. in ruido H ;a misma carencia de partes mecnicas los :ace completamente inaudi*les. +ejorado el tiempo medio entre fallos, superando / millones de :oras, mu5 superior al de los discos duros. eguridad H permitiendo una mu5 rpida =limpieza= de los datos almacenados. 3endimiento determinista H a diferencia de los discos duros mecnicos, el rendimiento de los " es constante 5 determinista a trav9s del almacenamiento entero. El tiempo de =*Fsqueda= constante. El rendimiento no se deteriora mientras el medio se llena. !E9ase "esfragmentacin# +enor peso 5 tama<o que un disco duro tradicional de similar capacidad. 3esistente H oporta cadas, golpes 5 vi*raciones sin estropearse 5 sin descali*rarse como pasa*a con los antiguos discos duros, gracias a carecer de elementos mecnicos. 4orrado ms seguro e irrecupera*le de datosI es decir, no es necesario :acer uso del $lgoritmo )utmann para cerciorarse totalmente del *orrado de un arc:ivo.

1i!itaciones
;os dispositivos de estado slido que usan flas: tienen tam*i9n varias desventajas: Precio H ;os precios de las memorias flas: son considera*lemente ms altos en relacin precio8giga*5te, la principal razn de su *aja demanda. in em*argo, esta no es una desventaja t9cnica. egFn se esta*lezcan en el mercado ir mermando su precio 5 comparndose a los discos duros mecnicos, que en teora son ms caros de producir al llevar piezas metlicas. +enor recuperacin H "espu9s de un fallo fsico se pierden completamente los datos pues la celda es destruida, mientras que en un disco duro normal que sufre da<o mecnico los datos son frecuentemente recupera*les usando a5uda de e-pertos. Eida Ftil H En cualquier caso, reducir el tama<o del transistor implica reducir la vida Ftil de las memorias ?$?", se espera que esto se solucione con sistemas utilizando memristores. +enor capacidad. $ntiguas desventajas 5a solucionadas: "egradacin de rendimiento al ca*o de muc:o uso en las memorias ?$?" !solucionado, en parte, con el sistema T3I+#.

 +enor velocidad en operaciones E8 secuenciales. !La se :a conseguido una velocidad similar#. Eulnera*ilidad contra ciertos tipo de efectos H Inclu5endo p9rdida de energa a*rupta !en los " *asado en "3$+#, campos magn9ticos 5 cargas estticas comparados con los discos duros normales !que almacenan los datos dentro de una jaula de Barada5#.