EL DIODO

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Material didctico para alumnos de 5 semestre, materia ELECTRNICA DE POTENCIA APLICADA, de la carrera de Ingeniera Mecnica

1. EL DIODO
BULBO: Es un DIODO que rectifica la corriente alterna en corriente directa o continua por calor. SEMICONDUCTOR Es un DIODO construido por dos cristales de Silicio, dopados con impurezas de fsforo o boro, para formar una parte llamada N (negativa) y la otra llamada P (positiva), separados por una juntura tambin llamada barrera o unin. Otro cristal muy usado es el de Germanio.

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1.1 UNIN PN

(CMO FUNCIONA EL DIODO)

Es un material tipo N (-) formado por un cristal de silicio principalmente con 4 valencias, al doparse con impurezas de fsforo (fundido a 1300C) por ejemplo, forma un nuevo cristal con valencia pentavalente (5 electrones libres). El material tipo P (+) formado por silicio con 4 valencias, que al doparse con impurezas de boro, forma otro cristal trivalente logrando huecos o receptores. Estos dos tipos de material P y N se unen para formar el DIODO, originando el flujo de electrones libres a los huecos al aplicarles un voltaje de 0.3 v.

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1.1.2 EL SEMICONDUCTOR PN

Formacin de la regin de agotamiento, en la grfica z.c.e

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1.1.2 EL DIODO IDEAL

El termino Diodo Ideal se refiere a que posee caractersticas perfectas en cualquier sentido, es un dispositivo de dos terminales.
De forma ideal un diodo conducir la corriente en la direccin definida por la flecha que se muestra en su smbolo y actuar como un circuito abierto en la direccin opuesta.
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1.1.3 POLARIZACIN Y CARACTERSTICAS

La Polarizacin en un Diodo Ideal, es aquella que toma como perfecto el sentido (directo) de la corriente para su rectificacin y en sentido inverso (Polarizacin Inversa) se comporta como un interruptor abierto como principal caracterstica.

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1.1.4. A POLARIZACIN DIRECTA

Cuando la corriente que circula por el diodo en el sentido de la flecha (o sea del nodo (+) al ctodo (k) (-) se llama polarizacin directa. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportndose prcticamente como un corto circuito, CIRCULA en AVALANCHA.

Diodo en polarizacin directa

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1.1.4.B POLARIZACIN INVERSA

Cuando no circula ninguna corriente, condicin en la cual una unin PN bloquea el paso de la corriente, se llama Polarizacin Inversa. Por lo tanto la corriente que circular del ctodo (-) al nodo (+), no puede atraviesa el diodo, y este se comporta prcticamente como un circuito abierto.

Diodo en polarizacin inversa

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1.1.5.A DIODO ZENER

Es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor el Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura.

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1.1.5.B REGIN ZENER En la regin que corresponde a la zona de ruptura, se puede observar que la tensin de ruptura Vz permanece casi constante en el intervalo de Iz mnimo y mximo, a diferencia del diodo normar, el diodo zener est para trabajar en esta regin.

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1.2.A DIODO DE GERMANIO Y SILICIO, CARACTERSTICAS Los diodos de silicio cuentan con un PIV (Voltaje Pico de Entrada) y un ndice de corriente mayor, as como un rango de temperatura ms amplio que los diodos de germanio. Los niveles de PIV para el caso de silicio se encuentran por 1000V mientras que el valor mximo para el germanio es de 400V.
El silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura pueda elevarse hasta 200C, mientras que el germanio posee un nivel mximo a 100C.
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DIODO DE GERMANIO

1.2.B DIODO DE GERMANIO Y SILICIO, CARACTERSTICAS La desventaja que tiene el silicio es la de mayor voltaje en polarizacin directa que requiere para alcanzar la regin de conduccin. Este voltaje se encuentra alrededor de 0.7Vcc para diodos de silicio y 0.3Vcc para diodos de germanio

VOLTAJE DE PIV (VOLTAJE DIODO TEMPERATURA USO PICO ENTRADA) CONDUCCIN SILICIO 1000 200 C (400 F) 0.7 V MENOR GERMANIO 400 100 C (200 F) 0.3 V MAYOR
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1.2.1 MODELO MATEMTICO DEL DIODO

El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de sus aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:
.

Donde: I ...es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD.. .la diferencia de tensin entre sus extremos. IS. es la corriente de saturacin q ..es la carga del electrn T ..es la temperatura absoluta de la unin k ..es la constante de Boltzmann n ..es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que
suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
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1.2.3 CORRIENTE DE DESPLAZAMIENTO

CORRIENTE DE DESPLAZAMIENTO. En un semiconductor los huecos y electrones libres responden a un campo elctrico. La movilidad de los electrones est relacionada con la temperatura. En los semiconductores la corriente elctrica es el resultado del movimiento de ambas cargas, esto est asociado a dos fenmenos fsicos, el primero es la corriente de Desplazamiento (corriente de fuga); esta se origina por el movimiento de las cargas cuando se aplica un campo elctrico. Cuando las cargas son aceleradas por el campo elctrico se produce un aumento de energa trmica, la cual va a fomentar el movimiento de las cargas en forma aleatoria, el otro fenmeno es la de difusin.
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1.2.3.1 FENMENO DE DIFUSIN

El fenmeno de difusin: Por regla general las cargas de electrones y huecos, se mueven de regiones de mayor concentracin a regiones de menor concentracin para favorecer el equilibrio de las cargas; este movimiento genera una corriente proporcional a su concentracin, llamado CORRIENTE DE DIFUSIN. O sea las concentraciones de impurezas (huecos y electrones) se desplazan u orientan formando regiones de polarizacin para lograr as obtener un equilibrio. En principio, al unir estos dos semiconductores comienza un movimiento de portadores, de una regin a otra. Este fenmeno se conoce como Difusin, el cual genera la corriente de difusin que es igual a la suma de la corriente de huecos y electrones.
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1.2.4 CARACTERSTICAS DE TRANSICIN Y DE DIFUSIN

En el diodo semiconductor PN existen dos efectos a considerar de capacitancia que se presenta tanto en la polarizacin inversa como en la directa. En la regin de polarizacin inversa, se presenta la capacitancia de transicin o de regin de agotamiento, mientras que para la regin de polarizacin directa tendremos la capacitancia de difusin o de almacenamiento. Al establecerse una corriente de difusin, estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de regin de agotamiento (z.c.e.).

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DIODO SEMICONDUCTOR 16

1.2.6. EFECTOS DE LA TEMPERATURA La temperatura puede ejercer un efecto marcado sobre las caractersticas de un diodo semiconductor de silicio, de forma experimental se ha encontrado que la magnitud de la corriente de saturacin inversa Is se incrementa en una proporcin doble por cada 10C en la temperatura. Para el silicio, los valores de Is son mucho menores que para el germanio a niveles de corriente y de potencia similares.

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1.3 RECTIFICACIN DE ONDA COMPLETA

Rectificacin de onda completa en un circuito se produce cuando se convierte el voltaje de entrada de una onda sinodal de CA en un voltaje fluctuante de CD en dos pulsaciones por cada ciclo de entrada.

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1.3 RECTIFICACIN DE MEDIA ONDA

El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una seal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtindola en corriente directa de salida (Vo).

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1.3.1 FUENTES DE ALIMENTACIN

Los reguladores de tensin estn presentes en las fuentes de alimentacin de corriente continua reguladas, cuya misin es la de proporcionar una tensin constante a su salida. Un regulador de tensin eleva o disminuye la corriente para que el voltaje sea estable, es decir, para que el flujo de voltaje llegue a un aparato sin irregularidades. Esto, a diferencia de un "supresor de picos" el cual nicamente evita los sobre voltajes repentinos (picos).

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1.3.1.A DIAGRAMA DE UNA FUENTE DE ALIMENTACIN

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1.3.2 REGULACIN DE VOLTAJE

La regulacin de tensin (Voltaje) consiste en evitar las variaciones de tensin que se detectan en puntos receptores de un sistema de transmisin o distribucin de energa.
El problema de la regulacin difiere segn se trate de una red de transmisin o una red de distribucin. En una red de distribucin es mantener constante el voltaje. Para lograr estas caractersticas usamos un circuito integrado 7805 para 5 Vcc, o un 7809 para 9 Vcc.
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1.3.2.A REGULACIN DE VOLTAJE

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1.4 OTROS TIPOS DE DIODOS

DIODO EMISOR DE LUZ (LED)
La conversin de energa en luz se realiza con diodos emisores llamados LEDs, que por sus siglas en ingles:
"Light-Emitting Diodes" que se emplean por lo general en pantallas de visualizacin de algunos aparatos, en la actualidad por su muy bajo consumo de energa elctrica y alta intensidad luminosa, su aplicacin se est desarrollando en la Iluminacin domestica, ornamental, e industrial. Entonces el LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra polarizado. El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente necesaria para que emita la luz vara desde 8 mA hasta los 20 mA.
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1.4.1 OTROS TIPOS DE DIODOS DIODO EMISOR DE LUZ (LED) . El LED tiene un voltaje de operacin que va
de 1.5 V a 2.2 voltios aproximadamente y la gama de corrientes que debe circular por l est entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LEDs.

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1.4.2 DIODOS INDUSTRIALES

DIODOS DE POTENCIA Uno de los dispositivos ms importantes en los circuitos de potencia son los Diodos, an con su limitacin de ser dispositivos unidireccionales.
Tambin se caracterizan por su estado de conduccin, ya que deben de ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. Una de las aplicacin mas importante es en los trenes de alta velocidad con motores de C.C. de gran capacidad de transportacin. Otra aplicacin es en la generacin de Energa Elica con la rectificacin de CA en CC, para su almacenamiento o regulacin y posteriormente de CC en CA a 127-220 volts a 60 cps para su Distribucin o Transmisin, etc.
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1.4.3 CARACTERSTICAS DE LA E. ELICA

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1.4.4 DESARROLLO DE LA ENERGA ELICA

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1.4.5 DIODOS INDUSTRIALES Y AUTOABASTECIMIENTO

Ejemplo: Diodo Industrial En Modulo Para 60 A.

EDIFICIO CON AUTO-ABASTECIMIENTO DE ENERGA ELICA

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1.4.6

APLICACIN DOMSTICA DE LA ENERGA VERDE O LIMPIA

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FIN

Varios diodos semiconductores. Abajo: Un puente rectificador.

Corte de un Aerogenerador Elctrico

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BIBLIOGRAFA (1)
Pginas de INTERNET

http:/www.wikipedia.org www.asifunciona.com www.Unicrom.com www.slideshare.net http://huarpe.com / electrnica / o1/aoinstrum.html http://olmo.pntic.mec. http://www.bibliodgsca.unam. http://www.electa.uta. Website Profesor: Jos Luis Crdenas B. Ingeniero de Ejecucin en Sonido Universidad Austral de Chile. http://www.youtube.com/watch?v=-1FawDvjoGQ&feature=player_embedded http://www.fullcustom.es/data/guias_elecdomoeco /grupoautodiscocom-manualelectronica-basica.pdf www.alldatasheet.com DATASHEET Manual de Electrnica
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BIBLIOGRAFA (2)
Pginas de INTERNET http://huarpe.com/electronica/ao1/aoinstrum http://olmo.pntic.mec. http://www.bibliodgsca.unam. http://www.lafacu.com/apuntes/informatica/manual http://www.uts.edu.au htpp:/www.cfe.org

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BIBLIOGRAFA (3)
FUENTES DE INFORMACIN 1. Boylestad. Electrnica. Teora de Circuitos. Ed. Prentice Hall. 2. BOLTON. W. Mecatrnica , Sistemas de Control Electrnico en al Ingeniera Mecnica y Elctrica. Editorial Alfa omega. Tercera edicin. Mxico. Feb.2006 3. HERNANDEZ. Jorge DUQUE. Edison. Curso practico de electrnica moderna. Compaa Editorial Tecnolgica CEKIT. 4. Foros de Electrnica. Comunidad Internacional de Electrnicos. Espaa. 5. Historia del CD. UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA.

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