Universidad Latina Prof.

: Juan Carlos Portuguez Laboratorio de Electrnica 1

Experimento 4: Curvas caractersticas del BJT

Objetivo General

Al finalizar el experimento y su anlisis, el estudiante estar en capacidad de obtener las curvas caractersticas de salida de transistores bipolares (BJT) y sus parmetros ms importantes II Objetivos Especficos

Al terminar el laboratorio y su anlisis, el estudiante estar en capacidad de: 1. Obtener las curvas caractersticas del transistor del BJT. 2. Explicar el funcionamiento de transistor BJT. 3. Determinar los parmetros ms importantes del transistor BJT a partir de sus curvas caractersticas en emisor comn. 4. Representar transistores BJT mediante modelos de CD y CA adecuados para el anlisis de circuitos. III Cuestionario Previo 1. Qu funcin cumple la resistencia RM en el circuito de la figura 1? Qu representa la tensin URM ? 2. Cul es la sensibilidad de corriente equivalente del canal vertical (Y) del trazador de curvas en el modo SIGNAL? 3. Qu funcin desempea el diodo D1 en el circuito de la figura 1? 4. En cul cuadrante del ORC aparecern las curvas caractersticas de salida (colector- emisor) segn el circuito de medicin de la figura 1? 5. Investigue y dibuje en su cuaderno de laboratorio la forma esperada de las curvas caractersticas de salida de los transistores a usar en el experimento.

6. Qu significan los trminos emisor comn, colector comn, base comn en el contexto de los circuitos con transistores bipolares? 7. Cules son los parmetros importantes de la caracterstica de salida (colectoremisor) de un transistor en emisor comn? 8. Obtenga de las hojas de datos de los transistores a usar, la distribucin de patillas. 9. Investigue como utilizar el trazador de curvas para medir las curvas caractersticas del BJT. IV Materiales y Equipo 1 Fuente CD 1 multmetro 1 generador de funciones (sinusoidal, rectangular, triangular) 1 ORC 1 Placa de montaje experimental (protoboard) 1 Transistor 2N3904/KN3904 o equivalente 1 Diodo rectificador de silicio 1N4001 o equivalente Resistencias de 1/4 W de 100 , 10 k y 100 k Alambre aislado 26/24AWG, alicates de punta, cortadora de cable Cables con terminales de banana Enchufe aislador de tierras (tapn aislador o cable sin pata de tierra) Procedimiento

Es importante antes de comenzar que:

mida y anote el valor real de las resistencias empleadas, verifique la condicin de los diodos a emplear, aisle la tierra del osciloscopio (use el enchufe aislador) respecto a la tierra del generador. Confirme con una medicin de continuidad usando el multmetro.

Parte Ia. Obtencin manual de las curvas de transistores bipolares (BJT) Familia de curvas caractersticas de salida del BJT en configuracin de emisor comn. IC = f (UCE)|IB=CTE

1. Monte, en la placa experimental, el circuito de medicin de la figura 1. Use acople de CD en el ORC en conexin como trazador X-Y. Use el multmetro para las mediciones de CD. 2. Ajuste la frecuencia del generador a 60 Hz y la amplitud a sinusoidal o triangular. Verifique la polaridad del diodo. 5 V en onda

3. Ajuste la tensin de la fuente para obtener una corriente de base que lleve al transistor a su zona de saturacin y otra que lo lleve a su zona de corte. Mida y grafique la curva caracterstica de salida (colector-emisor) en emisor comn para estas corrientes y tambin para dos corrientes intermedias.

Figura 1: Circuito de medicin para la Parte Ia.

4. Aumente lentamente la tensin del generador y observe y anote los cambios en la curva caracterstica de salida. Qu fenmeno ocurre y a qu tensin comienza?

VI

Evaluacin 1. Determine con ayuda de las curvas obtenidas los siguientes parmetros del transistor para el punto de operacin (PO) I B = 200 A y UCE = 2 V. 1.1. Resistencia esttica y dinmica base-emisor:

1.2. Ganancias de corriente esttica y dinmica de emisor comn:

1.3. Resistencia esttica y dinmica colector-emisor:

2. Investigue y explique la dependencia de los parmetros del transistor con respecto a la temperatura. 3. Investigue y documente los modelos de representacin del transistor bipolar para pequea seal en CA. 4. A qu se debe el fenmeno observado en el punto 4 de la parte Ia.? Por qu debe evitarse esto en el trabajo normal de un transistor bipolar? 5. Cmo se puede medir la tensin de saturacin de colector-emisor UCEsat las curvas de salida de un transistor en emisor comn? en

6. Cmo podra medirse la familia de curvas caractersticas de entrada (baseemisor) para un transistor bipolar en conexin de emisor comn con UCE =cte.? Dibuje el circuito de medicin.