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Universidad Latina Prof.: Juan Carlos Portuguez Laboratorio de Electrónica 1

Experimento 4: Curvas características del BJT

I Objetivo General

Al finalizar el experimento y su análisis, el estudiante estará en capacidad de obtener las curvas características de salida de transistores bipolares (BJT) y sus parámetros más importantes

II Objetivos Específicos

Al terminar el laboratorio y su análisis, el estudiante estará en capacidad de:

1. Obtener las curvas características del transistor del BJT.

2. Explicar el funcionamiento de transistor BJT.

3. Determinar los parámetros más importantes del transistor BJT a partir de sus

curvas características en emisor común.

4. Representar transistores BJT mediante modelos de CD y CA adecuados para el

análisis de circuitos.

III Cuestionario Previo

1? ¿Qué

representa la tensión U R M ?

2. ¿Cuál es la sensibilidad de corriente equivalente del canal vertical (Y) del

trazador de curvas en el modo SIGNAL?

3. ¿Qué función desempeña el diodo D 1 en el circuito de la figura 1?

4. ¿En cuál cuadrante del ORC aparecerán las curvas características de salida

(colector- emisor) según el circuito de medición de la figura 1?

1. ¿Qué función cumple la resistencia

R M

en el circuito de la figura

5. Investigue y dibuje en su cuaderno de laboratorio la forma esperada de las

curvas características de salida de los transistores a usar en el experimento.

6. ¿Qué significan los términos emisor común, colector común, base común en el

contexto de los circuitos con transistores bipolares?

7. ¿Cuáles son los parámetros importantes de la característica de salida (colector-

emisor) de un transistor en emisor común?

8. Obtenga de las hojas de datos de los transistores a usar, la distribución de

patillas.

9.

características del BJT.

Investigue

como

utilizar

el

trazador

de

curvas

para

medir

IV Materiales y Equipo

1 Fuente CD

1 multímetro

1 generador de funciones (sinusoidal, rectangular, triangular)

1 ORC

1 Placa de montaje experimental (protoboard”)

1 Transistor 2N3904/KN3904 o equivalente

1 Diodo rectificador de silicio 1N4001 o equivalente

Resistencias de 1/4 W

Alambre aislado 26/24AWG, alicates de punta, cortadora de cable Cables con terminales de banana Enchufe aislador de tierras (tapón aislador o cable sin pata de tierra)

de 100 ,

10 k

y

100 k

V Procedimiento

Es importante antes de comenzar que:

las

curvas

mida y anote el valor real de las resistencias empleadas,

verifique la condición de los diodos a emplear,

aisle la tierra del osciloscopio (use el enchufe aislador) respecto a la tierra del generador. Confirme con una medición de continuidad usando el multímetro.

Parte Ia. Obtención manual de las curvas de transistores bipolares (BJT)

Familia de curvas características de salida del BJT en configuración de emisor

común.

I C

=

f (U CE )| IB=CTE

1.

Monte, en la placa experimental, el circuito de medición de la figura

1. Use

acople de CD en el ORC en conexión como trazador X-Y. Use el multímetro para las mediciones de CD.

V en onda

sinusoidal o triangular. Verifique la polaridad del diodo.

3. Ajuste la tensión de la fuente para obtener una corriente de base que lleve al

transistor a su zona de saturación y otra que lo lleve a su zona de corte. Mida y grafique la curva característica de salida (colector-emisor) en emisor común para estas corrientes y también para dos corrientes intermedias.

2. Ajuste la frecuencia del generador a

60 Hz y la amplitud

a

5

Ajuste la frecuencia del generador a 60 Hz y la amplitud a 5 Figura 1: Circuito

Figura 1: Circuito de medición para la Parte Ia.

4. Aumente lentamente la tensión del generador y observe y anote los cambios en la curva característica de salida. ¿Qué fenómeno ocurre y a qué tensión comienza?

VI

Evaluación

1. Determine con ayuda de las curvas obtenidas los siguientes parámetros del

transistor para el punto de operación (PO) I B = 200 µA y U CE = 2 V.

1.1. Resistencia estática y dinámica base-emisor:

= 2 V. 1.1. Resistencia estática y dinámica base-emisor: 1.2. Ganancias de corriente estática y dinámica

1.2. Ganancias de corriente estática y dinámica de emisor común:

V. 1.1. Resistencia estática y dinámica base-emisor: 1.2. Ganancias de corriente estática y dinámica de emisor

1.3. Resistencia estática y dinámica colector-emisor:

1.3. Resistencia estática y dinámica colector-emisor: 2. Investigue y explique la dependencia de los parámetros del

2. Investigue y explique la dependencia de los parámetros del transistor con

respecto a la temperatura.

3. Investigue y documente los modelos de representación del transistor bipolar

para pequeña señal en CA.

4.

¿A qué se debe el fenómeno observado en el punto

4

de la parte Ia.?

¿Por

qué debe evitarse esto en el trabajo normal de un transistor bipolar?

5. ¿Cómo se puede medir la tensión de saturación de colector-emisor UCEs at las curvas de salida de un transistor en emisor común?

en

6. ¿Cómo podría medirse la familia de curvas características de entrada (base-

emisor) para un transistor bipolar en conexión de emisor común con U CE =cte.?

Dibuje el circuito de medición.