Departamento de Engenharia Eltrica

Eletrnica I ELE30028

AULA 01 MSc. Ciro J. Egoavil Montero

Semicondutores

Tpicos da Unidade 1
!! Condutores !! Semicondutores !! Cristais de Silcio !! Semicondutores Intrnsecos !! Dois tipos de corrente !! Dopando um semicondutor !! Dois tipos de semicondutores extrnsecos !! O diodo no polarizao - The unbiased diode

Tpicos da Unidade 1 (Continuao)

!! Polarizao Direta - Forward bias !! Polarizao reversa - Reverse bias !! Ruptura - Breakdown !! Nveis de energia -Energy levels !! A colina de energia - The energy hill !! A barreira de potencial e a temperatura !! Diodo polarizado reversamente - Reverse-biased diode

Condutor
! Um material que permite o fluxo ou passagem de corrente; ! Exemplos: cobre, prata, ouro; ! Os melhores condutores tm um elron de valncia;

Estrutura Atomica do Cobre

Ncleo - Core ! Ncleo e orbitas internas ! Valncia ou orbita mais distante controla as propriedades eltricas ! O ncleo do tomo de cobre tem uma carga efetiva de + 1

Ncleo de Cobre

Eltron Livre !! A atrao entre o ncleo e o eltron de valncia fraca !! Um fora externa pode facilmente deslocar um eltron livre de um tomo

Semicondutor ! Um elemento com as propriedades eltricas entre as do condutores e as do isoladores

Exemplos de Semicondutores ! Semicondutores tipicamente tm 4 eltrons de valncia ! Germnio ! Silcio

Diagramas do ncleo de cobre e silcio:

Um eltron de valncia
Cobre

Quatro eltrons de valncia

Silcio

+1

+4

O Ncleo mais eltrons das orbitas internas

tomos de Silcio em um cristal compartilham eltrons.

Saturao da Valncia: n = 8
Porque eltrons de valncia esto ligados, um cristal de silcio a temperatura ambiente quase um isolador perfeito.

Dentro do cristal do silcio

! Alguns eltrons livres e lacunas so criados por energia energia trmica. ! Outros eltrons e lacunas so recombinados. ! Recombinao vria desde uns poucos nanoseconds a muitos microsegundos. ! O tempo entre a criao e recombinao de um eltron livro e uma lacuna chamada de tempo de vida.

Cristais de Silcio so dopados para fornecer portadores permanentes.

Eltron livre (tipo n)

lacuna (tipo p)

Dopagem Pentavalente

Dopagem Trivalente

Semicondutor Intrnseco
! Um semicondutor puro ! Um cristal de silcio intrnseco se cada atomo no cristal um atomo de silcio ! Dois tipos de fluxos: eltrons e lacunas

Dopagem
! Adicionar tomos de impuresas a um cristal intrnseco para alterar sua conductividade eltrica ! Um semiconductor dopado chamado de semicondutor extrnseco

Este cristal tem sido dopado com uma impuresa pentavalente.

Os eltrons livres no slicio tipo n suportam o fluxo de corrente

Este cristal tem sido dopado com uma impuresa trivalente

As lacunas no slicio tipo p suportam o fluxo de corren. Notar a corrente de lacunas oposta da direo da corrente de eltrons

Resumo dos Semicondutores ! O material mais popular o silcio. ! Cristais puros so semiconductors intrnsecos. ! Cristais dopados so semiconductors extrnsecos. ! Cristais so dopados para ser tipo n ou tipo p. ! Um semicondutor tipo n ter poucos portadores minoritarios (lacunas). ! Um semicondutor tipo p ter poucos portadores minoritarios (eltrons).

! Um semicondutor pode ser dopado para ter um exceso de eltrons livre ou lacunas ! Os dois tipos de semicondutores dopados so tipo n e tipo p

Dopar um cristal com ambos tipos de impurezas forma um diodo juno pn. Junction

Negative ion

Positive ion

Alguns eltrons vo atravessar a juno e preencher lacunas. Um par de ons criado cada vez que isso acontece Como esta carga inica se acumula, ela impede a migrao mirao atravesem a juno.

A barreira de potencial pn
! Difuso de eltron gera um par de ons chamado dipolos. ! Cada dipolo tem um campo eltrico associado. ! A juno vai para o equilibrio quando a barreira de potencial evita maior difuso. ! A 25 oC, a barreira de potencial para os diodos de silcio 0,7 V.

Cada eltron que migra atravs da juno e preenche uma lacuna efetivamente elimina as duas portadoras de corrente.

Depletion layer Isto resulta em uma regio na juno que est dimnuida de portadores e atua com um isolador.

Polarizao Direta - Forward bias

The carriers move toward the junction and collapse the depletion layer.

Se a tenso aplicada maior que a Barreira de potencial, o diodo conduz.

Polarizao Reversa - Reverse bias

os portadores movem-se fora da juno.

A camada de depleo reestablecida e o diodo est off.

Polarizao do Diodo
! Diodos de Silcio conduzem com um polarizao direta de aproximadamente 0.7 V. ! Com polarizao reversa, a camada de depleo fica maior e o diodo est off. ! Um pequena corrente de portadores minoritrios existe com polarizao reversa. ! O fluxo reverso devido a portadores trmicos chamado de corrente de saturao.

Tenso de Ruptura do Diodo - breakdown

! Os Diodos no podem resistir valores extremos de polarizao reversa. ! Em altos nveis de polarizao reversa, uma avalanche de portadores resultar devido a uma rpida movimentao de portadores minoritrios. ! Valores tpicos de tenses de breakdown desde 50 V a 1000 V.

Nveis de Energia
! Energia extra necessria para elevar um eltron para uma orbita mais externa. ! Eltrons mais longe do ncleo tm maior energia potencial. ! Quando um eltron cai para uma orbita mais baixa, perde energia na forma de calor, luz, e outra forma de radiao. ! Um LED um exemplo onde alguma parte da energia potencial convertido em luz.

A colina de Energia
! Barreira de potencial de um diodo ! Eltrons necessitam de energia suficiente para atravessar a juno ! Uma fonte de tenso externa que polarize de forma direta o diodo fornece esta energia

! Lado p de uma juno pn tem tomos trivalentes com um ncleo cargado com +3. Este ncleo atrai menos eletrons que um com ncleo +5. Juno Abrupta

Energia

Banda de Conduo Banda de Valncia Lado P Lado N

Em uma juno abrupta, as bandas do lado the p So de nveis de energia levemente maiores.. Diodos reais tm uma mudana gradual de um material para outro. A juno abrupta conceitual.

Bandas de Energia depois da camada de depleo tem sido formada

Banda de Conduo Energia Colina de Energy Banda de Valncia

Lado P

Lado N

Para um eltron tentar a difuso atravs juno, o caminho que deve percorrer se parece com uma colina de energia. Deve receber uma energia extra de uma fonte externa.

Temperatura da Juno
! A temperatura de juno a temperatura dentro do diodo, exatamente na juno pn. ! Quando um diodo est conduzindo, sua temperatura de juno maior que do ambiente. ! H uma menor barreira de potencial em elevadas temperaturas de juno. ! A barreira de potencial decresce em 2 mV para cada grau Celsius elevado.

Correntes Reversas de diodo

! Correntes Transitrias ocorrem quando a tenso reversa muda. ! IS, a corrente de saturao ou corrente de portadores minoritrios, duplica para cada 10 graus Celsius sobem na temperatura. No proporcional a tenso reversa. ! A superfcie do cristal NO ligaes covalentes completas. As lacunas que resultam produzem uma corrente de fuga da superfcie que diretamente proporcional a tenso reversa.