Physique Electronique PDF

Conseils dutilisation
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permet aussi laccs aux exercices et leur solution exercices et leur solution exercices et leur solution exercices et leur solution.
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$ne liste des constantes ph#siques et des caractristiques des diffrents matriaux semi%conducteurs est accessible
pour la rdaction des exercices.
La liste des s#mboles permet dexpliciter chacun dentre eux. Elle renvoie s#stmatiquement la page dou lon vient.
Du Sable la
Puce
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Michel DAURIE Plan Gnral
Cliquer ici pour commencer
Physique Electronique
Introduction
Bienvenue
Dmarche Pdagogique
Objectifs
Position du problme
!n point dhistoire
Chapitre I: Le matriau semi-conducteur
Chapitre II: La jonction P-N
Chapitre III: Transistors J-FET et Bipolaire
Chapitre IV: Structure M I S et transistor M O S
Liste des Symboles
Constantes
Retour la page daccueil
Bienvenue
&e cours correspond une approche trs ph#sique du fonctionnement des composants
semi%conducteurs.
"l peut sadapter diffrents niveaux de comprhension en partant de laspect purement
descriptif dans lequel on admettra un certain nombre de relations mathmatiques
ncessaires et aller 'usqu leur dmonstration complte pour ceux qui veulent en savoir
Plan Gnral
ncessaires et aller 'usqu leur dmonstration complte pour ceux qui veulent en savoir
beaucoup plus.
&est une approche graduelle de la ph#sique des composants permettant une bonne
comprhension de leur fonctionnement ainsi que des limitations des circuits dans lesquels
ils sont utiliss.
Dmarche Pdagogique
&e support de formation a t conu dans le cadre dune pdagogie par ob'ectifs.
"l repose sur un cours plusieurs niveaux cours plusieurs niveaux cours plusieurs niveaux cours plusieurs niveaux et des exercices reprsentatifs de lensemble du savoir et du savoir faire acqurir. exercices reprsentatifs de lensemble du savoir et du savoir faire acqurir. exercices reprsentatifs de lensemble du savoir et du savoir faire acqurir. exercices reprsentatifs de lensemble du savoir et du savoir faire acqurir.
Le (
er
niveau est ncessaire la ralisation des exercices.
Les niveaux suivants correspondent des approfondissements accessibles laide de liens h#pertextes) ils ne
sont pas indispensables en (re lecture mais permettent dacqurir une vision plus globale de la discipline et font partie de la
connaissance ncessaire un "ngnieur.
&haque exercice sera associ dautres de m*me t#pe de faon proposer+
Plan Gnral
&haque exercice sera associ dautres de m*me t#pe de faon proposer+
,des correction compltes et des remarques dordre mthodologique ou conceptuelles afin de couvrir au mieux le
domaine correspondant.
,( exercice rendre
Des -&. -&. -&. -&.permettront ventuellement de tester le niveau de comprhension afin de permettre une progression
cohrente. &ette approche progressive devrait permettre lacquisition rapide dune bonne autonomie.
/oublie0 pas toutefois que vous pouve0 contacter votre tuteur via la plate%forme de diffusion 1e%mail,
forums,23.
Les ob'ectifs de ce support de formation sont indiqus sur la page suivante 4 5b'ectifs du cours 5b'ectifs du cours 5b'ectifs du cours 5b'ectifs du cours 6
Objectifs du Cours
Lobjectif gnral de ce cours est de comprendre le fonctionnement des
composants semi-conducteurs. Il doit permettre de savoir Dimensionner un
composant en vue dune application prcise et de comprendre les limitations
inhrentes ce dimensionnement.
Les objectifs du premier chapitre sont:
tudier les caractristiques des matriaux semi-conducteurs permettant dtablir les relations
explicitant le fonctionnement des composants actifs.
Plan Gnral
Les objectifs du deuxime chapitre sont:
Dcrire et caractriser la jonction P-N (diode) afin de pouvoir en tablir un modle utilisable dans les
circuits et donner des exemples dapplications.
Les objectifs du troisime chapitre sont:
tudier les composants actifs que sont le transistor J-FET et le transistor bipolaire dans loptique de
relier leurs performances aux caractristiques gomtriques et technologiques.
Les objectifs du quatrime chapitre sont:
tudier la structure M I S afin dexpliciter le fonctionnement du transistor M O S et de le caractriser.
Position du problme
Quel est mon
objectif?
De quoi est-ce
que je dispose?
Par ou vais-je passer?
"a rsolution dun problme passe gnralement par la rponse # trois questions qui sont illustres ci dessous$
Plan Gnral
- De quoi est ce que je dispose? Ce sont gnralement toutes les donnes ou des constantes physiques, lectriquesetc.
- Quel est mon objectif? Cela correspond au rsultat cherch
- Par ou vais-je passer? Pcela consiste en la dcomposition du problme en lments simples permettant de relier objectif
et donnes.
"a mthode de rsolution que nous adopterons consiste # partir du rsultat escompt %gnralement reprsent
par une e&pression mathmatique ou pouvant sy rattacher' et # dcomposer logiquement les calculs pour
redescendre jusquau& donnes$ (rriv # ce stade) il suffira de refaire le chemin inverse$
Constantes Physiques et lectriques
q (Charge lmentaire)= 1,602 10
19
Cb h (Constante de Plank)= 4,14 10
15
eV.s
m(masse de llectron)= 0,9108 10
10
kg c (Vitesse de la lumire)= 2,998 10
10
cm/s

0
(permittivit du vide)= 8,854 10
14
F/cm
N (nombre dAvogadro)= 6,03 10
23
molcules/mole
k (Constante de Boltzmann)= 8,619 10
5
eV/K U
T
=kT/q = 25,857 mV; (26 mV 300 K)
Constantes lectriques des semi*conducteurs %+,-.. /0' daprs 1$2 13E
Ge Si As Ga
Largeur de bande interdite E (eV) 0,66 1,12 1,43
Constantes Physiques gnrales
Largeur de bande interdite E
G
(eV) 0,66 1,12 1,43
Densit effective dtats (cm
3
)
- dans la bande de Conduction N
C
- dans la bande de Valence N
V
1,04 10
19
6,1 10
19
2,8 10
19
1,02 10
19
4,7 10
17
7 10
18
Concentration Intrinsque n
i
(at/cm
3
) 2,4 10
13
1,6 10
10
1,1 10
7
Mobilits pour un matriau Intrinsque (cm
2
/Vs)
- lectrons
n
- trous
p
3900
1900
1500
600
8500
400
Constante dilectrique relative (
r
)
16 11,8 10,9
Champ lectrique de Claquage (V/m) ~ 10 ~ 30 ~ 40
4sistivit en fonction du dopage$
(baque des mobilits pour le 1ilicium$
Classification Priodique des lments
Plan Gnral
!n point dhistoire
Lhistoire de la Physique des Composants et des Circuits Intgrs qui en sont un des aboutissements peut se
dcomposer en plusieurs phases.
-1833 FARADAY
Conductibilit du sulfure dArgent en fonction de la temprature
variant linverse des autres mtaux.
-1873 WILLOUGBY-SMITH
Conductibilit du Slnium variant avec lclairement
Retour la page daccueil Plan Gnral
-1874 Ferdinand BRAUN
Dcouverte du redresseur Galne
Ces diffrentes manifestations deffets semi*conducteurs ne furent e&plicits que bien longtemps aprs5
-Dbut du XX
me
Sicle
Li au dveloppement de la Physique du solide avec des noms clbres:
!n point dhistoire
1935 SCHOTTKY et MOTT
Dcouverte de la barrire de potentiel
1939 SCHOTTKY et SPENKE
Dcouverte de la couche dinversion
OHL, SCAFF et THEURER
Silicium dop (Bell Tlphone)
1943 K.L HOROWITZ
1952 Transistor oscillant 300 MHz
1954 Cration de la Schokley Semiconductor Laboratory
Mise au point de la technique MESA
1959 HOERNI et NOYCE qui avaient quitt Schokley pour
Fairchild dposent un brevet de principe sur la technique PLANAR
encore utilise ce jour. NOYCE fondera INTEL avec les
revenus de ce brevet.
1960 HOFSTEIN et HEIMANN aux USA
1943 K.L HOROWITZ
Caractrisation totale du Germanium
1947 BRATTAIN et BARDEEN
Dcouverte du transistor pointe
Mise au point du JFET
GROSVALET en France Mise au point du MOST
1962 Premier Circuit Intgr!
!n point dhistoire
!n point dhistoire
On retrouve sur ce montage amplificateur
tous les lments essentiels6 polarisation)
source dentre) rsistance de charge7
"a modlisation du transistor est tout #
fait actuelle %au 8
er
ordre'
Chapitre I6"e 2atriau semi*conducteur
I-A: Le matriau semi-conducteur Intrinsque
1- tats nergtiques des lectrons dans un atome
2- Matriau intrinsque,Densit dtats
3- Densit intrinsque, niveau de Fermi, densit des porteurs en fonction de la Temprature
I-B: Le matriau semi-conducteur extrinsque ou Dop
1- Densit des porteurs
2- Loi daction de masse
Retour la page daccueil
Plan Gnral
I-C: Semi-conducteur hors dquilire! phnomnes de conduction
1- Injection ou extraction de porteurs, dure de vie.
2- Phnomnes de transport
a)- Mobilit des porteurs
b)- Rsistivit, conductivit, loi dOhm
c)- Diffusion, relation dEinstein
3- quation de conservation des porteurs.
3- Position du niveau de Fermi
"e 2atriau semi*conducteur 9ntrinsque
" - #tats ner$tiques des lectrons dans un atome
"-" - Atome Isol
Daprs les principes fondamentaux (Heisenberg, Pauli), les tats nergtiques des lectrons dans un atome ne peuvent varier que
de faon discontinue (quantification de lnergie). Ceux-ci ne peuvent donc occuper quune suite discrte dtats caractriss par les valeurs
correspondantes de quatre nombres quantiques.
Diagramme dnergie dun atome isol
Les diffrents tats possibles sont figurs par des droites horizontales positionnes par rapport un axe gradu. Le niveau 0 en
nergie se situe linfini.
%our en sa&oir plus! clique' ici %our en sa&oir plus! clique' ici
8*(6"e 2atriau semi*conducteur 9ntrinsque
E
2p
6
Les droites du diagramme ne reprsentent pas un tat nergtique
Plan Gnral
E
1
E
2
2s
2
2p
6
Les droites du diagramme ne reprsentent pas un tat nergtique
mais un ensemble dtats trs voisins.
2 pour le niveau s
6 pour le niveau p
Influence dun apport dnergie sur un atome
Labsorption dnergie par un atome se traduit par le passage de
certains lectrons des tats nergtiques plus levs normalement inoccups.
On dit alors que latome est excit. Lors du retour lquilibre, lnergie libre
apparat sous forme de rayonnement lectromagntique de longueur donde
dfinie par :.
E
E = h
c h
h E

= =
.
:ombres quantiques et classification priodique des lments
On peut donc, partir de ces considrations, dresser un tableau faisant apparatre le nombre dlectrons possibles par couche

Couche

n

Sous couche

l

m

s
Nombre dtats
quantiques
Nombre dlectrons
par tat
Nombre dlectrons
par couche
K 1 s 0 0
+1/2, -1/2
1 2 2
La classification des lments ncessite, afin de pouvoir diffrentier lensemble dentre eux, lutilisation de quatre nombres:
Le nombre quantique principal n => 1, 2, 3, ; il dfinit la couche du tableau de Mendeleev (K, L, M, N, ),
Le nombre quantique orbital (secondaire) l => 0, 1, , n-1 ; il dfinit la sous couche (s, p, d, f, g, ),
Le nombre quantique magntique m => -l0+l ,
Le nombre quantique de spin s => +1/2 ou 1/2.
Les deux premiers nomres (n!l) d*inissent les ni&eaux dner$ie alors que lensemle des trois premiers (n! l! m) caractrisent les tats
quantiques+ Ces derniers peu&ent comporter deux lectrons de spin antiparallle+
K 1 s 0 0 1 2 2
s 0 0 1 2 L 2
p 1 -1, 0, 1
+1/2, -1/2
3 6
8
s 0 0 1 2
p 1 -1, 0, 1 3 6

M

3
d 2 -2, -1, 0, 1, 2

+1/2, -1/2
5 10

18
s 0 0 1 2
p 1 -1, 0, 1 3 6
d 2 -2, -1, 0, 1, 2 5 10

N

4
f 3 -3, -2, -1, 0,1,2,3

+1/2, -1/2
7 14

32

Exemple: Hydrogne Z=1 (1 lectron) n=1, l=0, m=0 Couche incomplte 1s
1
Hlium Z=2 (2 lectrons) n=1, l= 0, m=0 Couche complte 1s
2
Bore Z=5 (5 lectrons) n=2, l=0, 1, m= -1, 0, 1 Couche externe incomplte 1s
2
, 2s
2
, 2p
1
Silicium Z=14 (14 lectrons) n=3, l=0, 1, 2, m= -2, -1, 0,1,2 1s
2
, 2s
2
, 2p
6
, 3s
2
, 3p
2
"-, - Atomes lis! andes dner$ie
a)--ormation des andes
Pour quil y ait apparition de bandes dnergie , il faut que cette dernire puisse varier de faon continue ce qui nest pas le cas
dun atome isol. Supposons maintenant que nous ayons un ensemble de N atomes (N trs grand) suffisamment loigns de manire
ce quils puissent tre considrs comme indpendants (cas dun gaz).l Le principe dexclusion de PAULI sappliquant
sparment chacun, il existe donc autant d lectrons dans le mme tat nergtique quil y a datomes.
Si nous rapprochons ces N atomes, le principe prcit ne sapplique plus chacun sparment mais lensemble des N atomes car
ils dpendent maintenant les uns des autres. A chaque niveau permis va correspondre maintenant N niveaux pouvant contenir chacun
2 lectrons. Pour N de lordre de 10
22
cm
3
(ce qui correspond sensiblement la densit datomes dun matriau standard), on peut
considrer quil existe une bande dnergie (voir ci aprs).
Plan Gnral
E
Distance inter atomique d
0
Bande
dnergie
E
La distance inter-atomique d
0
correspondant la maille lmentaire du cristal dfinit la largeur de la bande permise. Ceci se
produit pour des distances inter-atomiques faibles (de lordre de quelques angstrms) correspondant aux principaux
matriaux.
La figure suivante illustre schmatiquement la multiplication des niveaux partir de deux niveaux uniques 2s et 2p. Lorbite 2s tant
intrieure lorbite 2p, les interactions apparaissent plus tt sur la seconde.
E E
d0
Bande Interdite
Bande Permise
Bande Permise
On remarque donc lapparition de deu& bandes permises spares par une bande interdite$
2s
2p
Distance inter-atomique
Pour visualiser le cas du Diamant, cliquer ici
Plan Gnral
)-Isolants! Semi-conducteurs! .taux
La diffrence entre ces trois lments tient essentiellement la structure de bandes de la couche externe.
d
E
d
M
Mtal
La variation dnergie est
continue
Semi-conducteur ou isolant
Existence dune bande
interdite sparant deux
bandes permises
Gap
d
sc
ou d
i
Cas du Diamant
Le Diamant est constitu de Carbone pur cristallis. Sa formule atomique est: 1s
2
2s
2
2p
2
. Les niveaux 2s et 2p correspondant la couche
externe sont appels niveaux de valence . Ils peuvent accepter au total 8 lectrons: 2 sur le niveau 2s, 6 sur le niveau 2p.
lectrons 1s (2)
lectrons 2s, 2p (4): Niveau de Valence
Atome de Carone
Latome de Carbone nen possdant que quatre, peut donc en accepter Quatre de plus et
donc se lier avec quatre atomes voisins afin de former un cristal. La couche externe sera
donc une couche pleine.
Lorsquon met en prsence un grand nombre (N) datomes de mme type et quon les
rapproche, pour des distances suffisamment faible on constate lapparition des bandes
dnergie. Lorsque la distance devient infrieure d1, les bandes se chevauchent. Les N
niveaux 2p de la bande suprieure passent dans les niveaux 2s. Si on continue a
rapprocher les atomes, les bandes se sparent nouveau (voir figure ci dessous).
Pour la distance inter-atomique relle d
2
de ce cristal, les 2N niveaux de la bande
infrieure (bande de valence) sont pleins 0K alors que les 2N niveaux 2p de la bande
suprieure (bande de conduction) sont vides.Ces deux bandes sont spares par une bande
Interdite.
E
Bande Interdite
Bande de Conduction
Bande de Valence
E
C
E
V
d
2
d
1
3N niveaux 2p
2N niveaux 2p libres
2N niveaux 2s
2N niveaux (N 2s, N2p occups)
d
Interdite.
On observe la m;me structure sur le 1ilicium et le <ermanium$
La figure prcdente montre que le Mtal possde une structure de bande continue au niveau de la couche externe. De ce fait, le moindre
apport dnergie permet de faire passer des porteurs sur des niveaux directement suprieurs (tat excit). Lapplication dun champ
lectrique leur permettra de se dplacer crant ainsi un courant lectrique.
La prsence dune bande interdite dans le diagramme dnergie signifie quil faut communiquer aux lectrons de valence une nergie
suprieure la largeur de la bande interdite pour les faire passer dans un tat excit (les places possibles se situant dans la bande de
conduction). Ils pourront alors, comme dans le cas du mtal, participer des phnomnes de conduction.
Il existe donc un seuil dnergie au dessous duquel le matriau se comporte comme un isolant. Ce seuil correspond au Gap :
E
G
= E
C
E
V
Sui&ant sa &aleur! le matriau pourra /tre Isolant ou semi-conducteur+
Par exemple, 300 K, les valeurs de E sont:
Plan Gnral
Par exemple, 300 K, les valeurs de E
G
sont:
Germanium (Ge) 0,67 eV
Silicium (Si) 1,12 eV
Arsniure de Gallium (As Ga) 1,40 eV
Diamant 6,00 eV
}
Semi-conducteurs
Isolant
Dans le cas des isolants, lnergie ncessaire pour faire passer un lectron dans un tat excit est suprieure celle assurant la
cohsion du cristal. De ce fait, il y aura destruction du matriau avant que de pouvoir gnrer des lectrons libres.
"-0 - 1partition des porteurs sur les tats quantiques! 2i&eau de -31.I+
Les rpartitions de porteurs obissent des lois qui peuvent dpendre du type de particules.
Trois types de lois peuvent tre utilises:
La statistique de BOLTZMANN qui sapplique aux gaz parfaits
La statistique de FERMI-DIRAC pour les particules de spin
demi-entier
La statistique de BOSE-EINSTEIN pour les particules de spin
entier (photons, phonons).
|
\
|
=
kT
E
n n

exp
0
__
|
\
|
+
=
kT
E
n n

exp 1
1
__
0
1 exp
1
0
__
\
|
=
kT
E
n n

Plan Gnral
\
kT
Le cas qui nous intresse correspond celui des lectrons et suit donc la statistique de FERMI-DIRAC.
La probabilit de prsence dun lectron sur un niveau nergtique E sera note . Elle est donne par la formule :
) (E
f
n
|
\
|
+
=
kT
E
E
E
F
n
f
exp 1
1
) (
Cette expression fait apparatre un niveau nergtique E
F
qui correspond une probabilit de prsence gale :
2
1
) ( =
EF
n
f
Ce niveau correspond, au zro absolu, la sparation entre les niveaux vides et les niveaux pleins. On parle parfois dnergie
moyenne ou de taux moyen de remplissage .
) (E
f
n
1/2
E
F
E
1
T = 0 K
T
1
T
2
> T
1
Si on trace la fonction correspondante, on obtient:
Pour une temprature gale 0K
Pour une temprature T
1
Pour T
2
> T
I
On pourra remarquer que, quelle que soit la
temprature:
2
1
) ( =
EF
n
f
Dans le cas de matriaux semi-conducteurs, on peut assurer que le niveau de FERMI se trouve dans la bande interdite. En effet, au
zro degr absolu, la bande de valence est pleine et la bande de conduction vide;
Plan Gnral
zro degr absolu, la bande de valence est pleine et la bande de conduction vide;
}
0 ) ( =
EC
n
f
1 ) ( =
EV
n
f
=> E
V
< E
F
< E
C
En considrant que le niveau de FERMI est situ au milieu de la
bande interdite, ce qu nous justifierons plu loin, on peut calculer la
probabilit de prsence dun lectron sur le niveau E
C
pour
diffrentes tempratures.
E&emple du 1ilicium6
E
C
E
F
E
V
1,12 eV
EG = 1,12 eV
k = 8,619 10
5
eV/k
= ) (
EC
n
f
{
5,35 10
36
80 K
3,92 10
10
300 K
5,36 10
7
450 K
Ces proailits de prsence sont donc trs *ailes et &arient normment en *onction de la temprature+
Le calcul prcdent amne une conclusion trs intressante; on peut remarquer que, quelle que soit la temprature, le terme
|
\
|
kT
E
E
F
exp
est toujours trs grand devant 1. On peut donc simplifier la fonction probabilit de prsence qui devient
|
\
|
+
=
kT
E
E
E
F
n
f
exp 1
1
) ( ===== |
\
|
kT
E
E
F
exp = ) (E
f
n
"a statistique de =E429*D94(C se ramne donc dans ce cas) # la statistique de BO"+32(::$ Ce sera
vrai pour les 1emi*conducteurs que lon pourra assimiler # des ga> parfaits de ce point de vue$
"-4 - 2otion dlectron et de trou+
Si la notion dlectron est bien connue, celle de trou est spcifique des
Plan Gnral
Si la notion dlectron est bien connue, celle de trou est spcifique des
matriaux prsentant une structure de bandes telle que celle des semi-
conducteurs.; alternance de bandes permises et interdites.
E
C
E
F
E
V
E > E
G
Supposons en effet que lon apporte au matriau une nergie E > E
G
. La
radiation va changer son nergie avec le matriau et permettre de faire
passer un lectron de la bande de valence vers la bande de conduction. Ce
dpart va donner naissance un trou dans la bande de valence.
trou
lectron
lectron
Si Trou
Lapport dnergie peut donc, en satisfaisant la condition dfinie ci dessus, casser
une liaison faisant ainsi apparatre une liaison manquante (trou) et un lectron
libre. Ces deux entits vont pouvoir, sous laction dune force extrieure (champ
lectrique), se dplacer donnant naissance des courants lectriques. Ces charges
tant de type oppos et se dplaant en sens contraire donnent naissance des
courants additifs.
? @ 2atriau 9ntrinsque) Densit dtats$
Dfinition Par matriau Intrinsque on entend un matriau idal, dpourvu de toute impuret et dont la structure cristalline est
parfaite. Le Silicium cristallise dans une structure de type Diamant cest dire Cubique faces centres dcal dun quart de
diagonale.
La caractristique principale dun semi-conducteur intrinsque est la densit des lectrons et des trous libres. Ces densits sont
gales et sont reprsentes par les lettres:
n
__
p
__
pour les lectrons, pour les trous.
A lquilibre thermodynamique on peut crire:
n
__
=
p
__
Calcul de la densit des porteurs dans les bandes permises) # lquilibre thermodynamique$
"a barre situe au dessus de la lettre indique
que lon est # lquilibre thermodynamique$
Plan Gnral
Calcul de la densit des porteurs dans les bandes permises) # lquilibre thermodynamique$
Lexistence dun porteur, dans un matriau, doit satisfaire simultanment deux contraintes:
- probabilit de prsence non nulle,
- nombre dtats possibles non nul.
Si nous nous plaons dans la bande de conduction, nous pouvons crire, autour dune nergie E: dE
n(E) reprsentant la fonction densit dtats.
Le nombre dlectrons sen dduit par une intgration. Sur la bande de conduction.
) ( * ) (
__
E E n
dE
n
d
f
n
=
dE
E
E E n
E
n d
n
C C
f
n

= = ) ( * ) (
_ _
Ce calcul fait appel des notions de mcanique quantique et pourra tre dtaill en annexe (cliquer ici pour le visualiser). Le rsultat scrit
:
) ( exp ) 2 ( *
2 2
3
3
_
kT
E E
T k m
h
n
F C
=
On peut remarquer que cette expression fait apparatre deux termes:
) ( exp
kT
E E F C
Qui est la probabilit de prsence dun lectron sur le niveau E

C
:
) (
Ec
n
f
) 2 ( *
2
2
3
3
T k m
h
N = Qui est la densit dtats sur le niveau E
C
.
+out se passe comme si la bande de conduction se ramenait # un seul niveau nergtique dnergie E
C
possdant : tats possibles$
Plan Gnral
On obtient un rsultat analogue pour les trous en changeant E
C
E
F
par E
F
E
V.
Ces relations sont toutefois des relations approches mais qui sont bien suffisantes pour dcrire le comportement des dispositifs
semi-conducteurs. En toute rigueur, la masse affecte aux particules nest pas leur masse au repos (m
0
= 9,1 10
28
g ), mais leur
masse en mouvement appele masse effective . Cette dernire, qui rsulte dun calcul compliqu, est fonction de lnergie de la
particule cest dire de sa position dans la bande.
Les valeurs moyennes couramment admises sont:
m
c
= 1,05 m
0
pour les lectrons,
m
v
= 0,62 m
0
pour les trous.
Dans la majorit des cas et sauf indication contraire, nous prendrons m
c
= m
v
= m
0.
On en dduit une densit dtats qui vaut:
N = N
c
= N
v
= 2,7 10
19
(T/300)
(3/2)
cm
3
soit 2,7 10
19
cm
3
300 K
- @ Densit 9ntrinsque) :iveau de =ermi) densit des porteurs en fonction de +/$
Compte tenu du calcul prcdent, nous avons montr que les densits de porteurs scrivaient:
) ( exp ) 2 ( *
2
2
3
3
kT
E E
T k m
h
n
F C
) ( exp ) 2 ( *
2
2
3
3
kT
E E
T k m
h
p
V F
Le produit de ces deux densits possde une proprit trs intressante. On peut en effet remarquer quil est indpendant
de la position du niveau de Fermi. Cest une constante temprature donne. Cest la loi daction de masse.
( )
kT
E
N
kT
E E
mkT
h
p n
G V C
=
=

exp * ) exp( * 2
2
*
2
2
2
3
3

Ce terme est appel: Densit 9ntrinsque et not n
i
2
* i n p n =

Plan Gnral
2
* i n p n =
Par exemple, 300 K, les valeurs de n
i
sont:
Germanium (Ge) 2,5 10
13
cm
3
Silicium (Si) 1,6 10
10
cm
-3
Arsniure de Gallium (As Ga) 1,1 10
7
cm
-3
{
Austification de la position de niveau de =ermi$
Nous avons mis lhypothse que, dans un semi-conducteur intrinsque, le niveau de Fermi se trouvait au milieu de la bande
interdite. Nous pouvons, partir des quations tablies, justifier cette hypothse. Il suffit dgaler les expressions donnant les
densits de porteurs. Nous pouvons remarquer que, si les masses effectives taient gales, le niveau de Fermi se trouverait
strictement au milieu de la bande interdite. En ralit, on obtient:
v
c
I
v
c V C
F
m
m
Ln
kT
E
m
m
Ln
kT E E
E
4
3
4
3
2
+ = +
+
=
Compte tenu des valeurs des masses effectives) ce dcalage vaut
# temprature ambiante) dans le cas du 1ilicium6
8).B 8.
*?
eC ce qui est ngligeable$
Densit des porteurs en fonction de la +emprature$
La temprature est un paramtre important car elle intervient de manire directe dans les diffrents termes de la fonction qui dfinit
la densit des porteurs dans les bandes. Toutefois, son influence peut tre diffrente suivant le type de fonction dans laquelle elle est
prsente. Lexpression de la densit intrinsque des porteurs scrit:
kT
E
N
n p n
G
i = =

exp * *
2
2
Dans cette expression, T apparat de manire explicite dans le terme exponentiel mais aussi dans le terme Densit dtats (N
2
). En
effet, si on dveloppe ce dernier, il scrit:
T
mk
h
N
3
3
2
* ) 2 ( *
4
6
(
=
Lexpression de la densit intrinsque peut donc se mettre sous la forme:
E
T
C
n
G
i
te
= exp *
*
3 2
Plan Gnral
Lexpression de la densit intrinsque peut donc se mettre sous la forme:
kT
E
T
C
n
G
i
te
= exp *
*
3 2
La sensibilit la temprature se met en vidence en calculant la variation relative
T
n
n
i
i

2
2
1
On obtient, en diffrentiant lexpression de la densit intrinsque:
)
3
(
1
2
2
2
T
k
E
T T
n
n
G i
i
+ =
On peut donc calculer cette variation relative

autour de la temprature ambiante pour les
principaux lments prcits. On obtient: {
=
T
n
n
i
i
2
2
1
Germanium (Ge) 9,63% / K
Silicium (Si) 15,4% / K
Arsniure de Gallium (As Ga) 19,04% / K
On constate donc une grande sensibilit par rapport # la temprature$
Dtail des calculs(cliquer ici)
Calcul de la sensibilit en temprature
Lexpression des densits de porteurs scrit:
kT
E
N
n
G
i = exp *
2
2
T
mk
h
N
3
3
2
* ) 2 ( *
4
6
(
= avec
soit:
kT
E
T mk
h
n
G
i
(
= exp * * ) 2 ( *
4
3
3
2
6

)
`
+
)
`
kT
E
T
mk
h T
k
E
kT
E
T
mk
h
t
n
G G G
i
exp * * ) 2 ( *
4
exp * * ) 2 ( *
4
3
3
3
2
2
3
2
6 6

La drivation de cette quation donne:
On peut dans cette quation mettre en facteur.
2
i n
|
\
|
+
)
`
T
k
E
T kT
E
T
mk
h
t
n
G G
i
2
3
3
2
3
exp * * ) 2 ( *
4
6

Il suffit donc de diviser les deux termes par pour obtenir:
2
i n
|
\
|
+ =
T
k
E
T t
n
n
G
i
2
2
2
3 1
Plan Gnral
|
\
+ =
T
k T t n
i
2 2
3 1
(pplication numrique$ Autour de la temprature ambiante:T=300 K
Germanium: EG = 0,67 eV Variation de 9,63% par degr Kelvin
Silicium: EG = 1,12 eV Variation de 15,43% par degr Kelvin
Arsniure de Gallium: EG = 1,4 eV Variation de 19,04% par degr Kelvin
k = 8,619 10
-5
eV/K
Calcul de la densit des porteurs dans les bandes
Ce calcul sentend dans des conditions dquilibre thermodynamique cest--dire pour un matriau homogne et une temprature constante.
( )
( )
e
A
t kx i
t x

= . ,
dans lequel: =2 est la pulsation, k=2/ est le vecteur donde.
La relation de PLANK permet dassocier la pulsation lnergie par:
h = = =
2
h
h E
Pour une particule libre, son nergie est purement cintique et vaut:
m
p
v
m E
2 2
1
2
2
= = On en dduit la vitesse:
dp
dE
m
p
v = =
Or, daprs le principe dincertitude de Heisenberg, on peut crire: donc, si k est constant, k = 0 et donc x est infini.
La particule nest alors pas localisable. Il est donc ncessaire dassocier la particule non pas une onde monochromatique mais un
paquet dondes de frquences trs voisines. On dit que le milieu est dispersif. La fonction donde scrit alors:
2
1
k x
En mcanique quantique, on associe une onde une particule. La fonction caractristique correspondante scrit, dans le cas dun
modle unidimensionnel:
Plan Gnral
( )
( )
( ) ( )
dk
e
f
t kx i
k
t x
k
= . , f
173
7
8
*
x
8
La position de la particule
correspond au maximum de
la fonction * dfini par:
( ) ( ) t
dk
d
x soit t kx
dk
d
k

= = 0 , 0
dans laquelle f
173
est
reprsente ci contre
La vitesse du paquet dondes vaut:
dk
d
dt
x d
v

= =
0
or: h = E soit: ( )
dk
dE E
dk
d
v
h h
1
= = comme
dp
E d
v= il sen suit: dk dp soit
dk
dE
dp
dE
= = h
h
,
1
En intgrant cette relation on obtient:
k dk p h h = =
Cette relation est connue sous le nom de 9elation de De :roglie 9elation de De :roglie 9elation de De :roglie 9elation de De :roglie
On peut tirer de tout cela la relation liant lnergie et le vecteur donde.
m
k
dk
d
m
p
v
h
= = =

soit

= = =
m
k
dk k
m
dk k
m
d
2
2
h
h h

Comme: h = E on obtient :
Pour les lectrons de la bande de conduction on aura
m
k
E
2
2 2
h
=
C E
m
k
E + =
2
2 2
h
<nralisation # trois dimensions$
Dans un espace tridimensionnel,un vecteur donde peut se dcomposer suivant les trois axes: les composantes de base scrivent:
( )
( ) x
x
x
L
n
k

=
2 ( )
( ) y
y
y
L
n
k

=
2 ( )
( ) z
z
z
L
n
k

=
2
avec: n
(x)
, n
(y),
n
(z)
nombres entiers positifs, ngatifs ou nul
Lnergie scrit alors:
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
C
z
z
y
y
x
x
n n n E
L
n
L
n
L
n
m
E z y x + |
\
|
+ + =
2
2
2
2
2
2
2
, ,
2
h
On peut donc associer 8 vecteurs donde chaque tat
nergtique. On parlera de dgnrescence dordre 8 pour
lnergie.
Calcul de la densit des tats accessibles au& lectrons$
Pour comptabiliser les tats offerts llectron sur une bande dnergie comprise entre E et E+dE, il est prfrable de se reporter
dans lespace des vecteurs donde. Si nous reportons lensemble des points permis pour lextrmit des vecteurs donde k dorigine 0,
ceux-ci forment un rseau priodique suivant les trois dimensions, de priodicit: 2/l
x
, 2/l
y ,
2/l
z
. Compte tenu de la distribution
rgulire des points, le nombre dtats possibles est proportionnel au volume.
k
z
k
x
k
y
Plan Gnral
rgulire des points, le nombre dtats possibles est proportionnel au volume.
La figure suivante montre une reprsentation des sites possible
pour les lectrons en fonction des valeurs de k. On a not avec
des couleurs diffrentes les sites possibles correspondant des
plans dfinis par des valeur de k
y
constantes.
Le nombre dtats possibles peut sexprimer par la relation:
( )
( ) ( ) ( )

3
8 2 2 2
V
L L L
N
z y x
k = |
\
|
=
Chaque tat pouvant accepter
deux lectrons de spin
antiparallle, la densit
dlectrons scrit:
( )
3
4
1
2 = =
V
Nk
k n
Il est donc proportionnel
au volume.
dE
E
E E n
E
n d
n
C C
f
n

= = ) ( * ) (
_ _
La probabilit de trouver un lectron dnergie comprise entre E et E+dE scrit:
) ( * ) (
__
E E n
dE
n
d
f
n
=
La dualit nergie vecteur donde scrit:
( ) ( ) ( ) k k E dV n dE n =
Le volume lmentaire, dans lespace des vecteurs donde est une sphre de rayon k.
0
d7
7
k
z
k
x
k
y
( )
k
Vk
3
3
4
= dou;
( ) dk
k
dVk
2
4 = ( ) ( )
2
2
2
3
4
4
1
dk
k
dk
k
dV n k k = =
or:
h
2
2 2mE
k
=
( )
( )
h
3 2
2
3
2
1
2
dE
m
E
dE nE =
en reportant dans il vient:
( )
( )
h
3 2
_
2
3
2
1
2
exp 1
1
_
dE
m
E
E
kT
E E
E
n d
n
C C
F

+
= =
Le coefficient de lexponentielle tant
toujours grand devant lunit, on peut crire:
( )
( )
kT
E E
kT
E E
F
F
+
exp
exp 1
1
En ce qui concerne la borne suprieure de lintgrale,on peut la prendre gale linfini
Plan Gnral
En ce qui concerne la borne suprieure de lintgrale,on peut la prendre gale linfini
compte tenu de la fonction exponentielle qui est dcroissante. On obtient donc:
( )( ) ( ) ( )( )

=
=
c c E
C F C
E
F
dE E
kT
E E
kT
E E m
dE E
kT
E E m
n
2
1 2
3
2
1
2
1 2
3
2
1
exp exp
2
exp
2
_
3 2 3 2
h h
En posant u = (E-Ec)/(kT), on obtient:
( )
( )
( )
( ) ( )
2
1
3 2 3 2
exp
2
exp exp
2
_ 2
3
2
3
2
1
2
1
2
3
2
3
2
1

kT
E E
kT
m
du u u
kT
E E
kT
m
n
F C
E
F C
c
h h
(1/2) vaut
2
(Intgrale dEuler).
En remplaant par et en rduisant les termes, on obtient:
h
2
h
( )
( )
kT
E E
mkT
h
n
F C
= exp
2
2
_
2
3
3

Ce rsultat fait apparatre le produit de deux termes:
( ) ( )
kT
E E
E
F C
c
n
f

exp qui reprsente la probabilit de prsence sur le niveau Ec
( ) mkT
h
N
2
2
2
3
3
=
qui reprsente la densit dtats correspondant au niveau Ec
+out se passe comme si la bande de conduction se ramenait # un seul niveau possdant : tats possibles$
8*B6"e 2atriau semi*conducteur E&trinsque
" 5 Densit des porteurs
8 @8 Niveaux dnergie introduits par les impurets et les imperfections du cristal.
Les cristaux de silicium (de germanium ou darsniure de gallium) utiliss pour la fabrication des composants et des circuits
intgrs, contiennent de nombreuses imperfections consistant en impurets ou en dfauts de cristallisation du rseau. Certaines de
ces impurets seront dailleurs introduites volontairement dans le rseau afin de confrer au matriau des proprits particulires.
Les impurets nfastes proviennent soit du matriau de base, soit de la chane de traitement permettant lobtention du cristal.
Nous avons vu dans ce qui prcde que la densit intrinsque des porteurs vaut, pour le silicium: n
i
= 1,6 10
10
cm
-3
. Pour que les
impurets puissent tre considres comme ngligeables dans ce matriau, elles doivent tre en quantit beaucoup plus faibles
(1/100, 1/1000 ), soit des densits de lordre de 10
7
ou 10
8
cm
-3
. On peut comparer ce chiffre avec le nombre datomes de
silicium par cm
3
. Celui-ci se calcule aisment partir de la connaissance du systme de cristallisation du silicium.
Le silicium cristallise dans un systme cubique faces centres dcal dun
Plan Gnral
Le silicium cristallise dans un systme cubique faces centres dcal dun
quart de diagonale. La figure ci contre montre la structure de la maille de base.
Larte du cube vaut 5,43 Angstrom. Un rapide calcul sappuyant sur la
cristallographie montre que cette structure correspond 8 atomes par maille. On
peut donc calculer le nombre datomes par cm
3
dans un cristal de silicium. Il vaut:
maille la de Volume
N
1
8 = Soit: N = 5,02 10
22
cm
-3
En comparant ce nombre celui de la densit intrinsque, on saperoit que le
degr de puret atteindre pour obtenir un matriau intrinsque est de lordre de:
10
8
/ 10
22
soit sensiblement 10
14
. Ceci est absolument inconcevable compte
tenu des oprations ncessaires pour obtenir le silicium mono-cristallin . Les
limites technologiques permettent datteindre des densits dimpurets
rsiduelles de lordre de 10
12
cm
3
.
Le matriau intrinsque, au sens tymologique du terme nexiste donc pas. Il permet toutefois de dfinir une constante
extrmement importante qui est la densit intrinsque n
i
.
"e 2atriau semi*conducteur E&trinsque
Toutes ces imperfections (impurets rsiduelles, dfauts de cristallisation,) perturbent localement la priodicit du potentiel et, de ce
fait, introduisent des niveaux nergtiques qui peuvent tre accessibles aux lectrons. Par opposition avec les niveaux correspondant au
matriau pur, nous parlerons de niveaux extrinsques . On peut gnralement admettre que ces imperfections tant en nombre
relativement faibles par rapport au nombre datomes du rseau, elles gnrent des niveaux discrets et non des bandes dnergie.
Dans tout ce qui suit, nous nous intresserons des matriaux qui satisfont cette condition (matriaux non dgnrs).
Les niveaux extrinsques peuvent se situer soit dans les bandes permises, soit dans la bande
interdite. Leur influence sur les caractristiques du matriau seront totalement diffrentes.
Les niveaux apparaissant dans les bandes permises auront trs peu deffet compte tenu de leur
dilution. Ils viennent se rajouter au niveaux intrinsque qui sont en nombre trs important par
rapport eux ( 1000 100000fois plus).
Par contre, en ce qui concerne les niveaux apparaissant dans la bande interdite, leur influence va tre trs importante. On pourra toutefois
les classer en deux catgories suivant leur position dans la bande interdite:
Plan Gnral
les classer en deux catgories suivant leur position dans la bande interdite:
- Niveaux de bords de bande ou Shallow levels ,situs quelques centimes dlectron Volt de E
C
ou E
V
,
- Niveaux profonds ou Deep levels , situs vers le milieu de la bande interdite.
La figure ci dessous montre, titre dexemple, les diffrents niveaux extrinsques qui apparaissent dans la bande interdite du
silicium. On remarquera le nombre important de niveaux et le fait que certains corps donnent naissance plusieurs niveaux.
Les niveaux profonds: Ce sont gnralement des mtaux. Ils peuvent avoir une action sur la conductivit du matriau (compensation de
leffet des niveaux de bord de bande), mais leur rle le plus important se situera au niveau de la dure de vie des porteurs en excs.
Les niveaux de bord de bande: Distants de moins de 0,1 eV de Ec ou Ev, ils peuvent interagir facilement avec les bandes permises et
conditionnent la conductivit extrinsque du matriau. Ils vont permettre de gnrer soit des lectrons soit des trous. Ce sont, pour le
silicium, surtout le Phosphore, le Bore, le Gallium, lAluminium
Nous allons, dans un premier temps, nous intresser ce deuxime type de niveaux et plus particulirement, au Bore et au Phosphore dans
le silicium. Ces deux impurets appartiennent, dans la classification priodique de lments, aux colonnes adjacentes celle du silicium:
colonne III pour le Bore, colonne V pour le phosphore. Ils possdent donc soit un lectron de plus, soit un lectron de moins que le silicium.
De plus, ils se situent trs prs des bords de bandes: 0,O44 eV de Ec
pour le Phosphore, 0,045 eV de Ev pour le Bore, (Figure ci contre).
0,44 eV
E
D
(Phosphore)
Considrons le cas du Phosphore dans le silicium.
Si on introduit une quantit relativement faible de phosphore dans le silicium, celui-ci
va se substituer des atomes de silicium. Or, il possde 5 lectrons de valence. Quatre
E
G
= 1,12 eV
Ec
Plan Gnral
0,45 eV
E
A
(Bore)
va se substituer des atomes de silicium. Or, il possde 5 lectrons de valence. Quatre
dentre-eux vont tre utiliss pour les liaisons avec les atomes voisins et le cinquime
pourra facilement tre libr compte tenu du faible cart dnergie entre le niveau E
D
et
la bande de conduction. Soit N
D
la concentration en atomes de phosphore; Un faible
apport dnergie va librer llectron excdentaire qui va passer sur le niveau de
conduction et de ce fait devenir libre. Cela se traduit par : N
D
+ nergie N
D
+
+ 1 e
-
5me
lectron
P
Si
Il y a donc apparition de deux types de charges: N
D
+
qui est un Ion positif totalement
stable car il possde 8 liaisons de valence et un lectron qui pourra trs facilement
tre libr afin de participer au processus de conduction.
Ev
Le processus est similaire avec le Bore. Ce dernier nayant que 3 lectrons de valence
peut en accepter un quatrime provenant de la bande de valence. Il devient alors Ion
ngatif stable et fait apparatre un trou. N
A
+ nergie N
A
-
+ 1 trou
Ce processus) appel D Dopage E permet de gnrer de lectrons O! des
trous et confre un caractre spcifique au matriau qui sera dit de type
: ou de type P$
Si
Liaison
manquante
B
Le processus de dopage permettant de gnrer un trou est matrialis sur la figure ci
contre. La liaison manquante due au fait que le bore ne comporte que trois lectrons de
valence permettra, lorsque cette liaison sera comble par un lectron dun autre atome de
gnrer un ion ngatif stable et un trou qui sest dplac participant ainsi au passage
dun courant lectrique. En fait, le dplacement dun trou correspond celui dun
lectron qui saute de liaison en liaison.
B-
Dplacement du trou
8 @? Etat dionisation des impurets, densit des porteurs en fonction de la temprature.
Lionisation des impurets va donc permettre de crer soit des lectrons soit des trous dans le matriau semi-conducteur. Les densits de
porteurs dans les bandes permises seront donc directement fonction de la densit des atomes dimpurets et de leur niveau dionisation. Il
est donc ncessaire de pouvoir dfinir ce degr dionisation en fonction de la temprature afin de connatre les densits de porteurs libres
existant dans le matriau.
Plan Gnral
existant dans le matriau.
La cintique dionisation des impurets en fonction de la temprature, dans un semi-
conducteur, est rgie par la statistique de Fermi-Dirac. Par exemple, considrons du silicium
dans lequel on a introduit des atomes de phosphore. Cette impuret est caractrise par
lnergie du niveau quil gnre (E
D
), et par la densit correspondante (N
D
cm
-3
).
E
D
, N
D
E
G
= 1,12 eV
Ec
Ev
Ltat dionisation des impurets va voluer en fonction de la temprature. On peut
dfinir trois zones.
Pour T voisin du zro absolu, le matriau est inerte et tous les porteurs sont figs sur
leurs niveaux. La bande de conduction est vide et la bande de valence et le niveau
donneur sont pleins.
Ds que lon apporte de lnergie, vu le trs faible cart entr E
C
et E
D
, les impurets vont sioniser faisant apparatre des lectrons dans la
bande de conduction. La densit des donneurs tant trs faible, ce niveau sera vite compltement ionis (E
C
-E
D
= 0,04 eV).
Pour observer une nouvelle volution des densits, li faudra que lnergie devienne suffisante pour gnrer des transitions bande bande
Dtermination de la loi de variation de la densit des porteurs en fonction de la temprature6
Les trois zones dfinies prcdemment permettent de dterminer les quations des assympttes la courbe Ln(n)= f(1/T).
Zone dionisation des donneurs: T ~ 0K
Lionisation des donneurs suit la statistique de Fermi-Dirac. On a donc:
) (
exp 1
1
E
kT
E E
D
p
D
F D
D D
f
N N N
=
|
\
|
+
=
+
La densit des lectrons tant gale celle des donneurs ioniss, on a donc:
ND
n
+
=
La variation assympttique est donc une droite.

Ionisation
des
Donneurs
Epuisement
des
Donneurs
Zone intrinsque
Ln(n)
0
Zone dpuisement des donneurs.
Plan Gnral
1/T
0
Zone dpuisement des donneurs.
Lorsque tous les donneurs sont ioniss, la densit des porteurs reste
constante tant que lnergie nest pas suffisante pour faire sauter des
lectrons de la bande de valence (E
G
>>E
C
-E
D
). La densit des porteurs vaut alors: Ln (n) = Ln ( N
D
).
Zone Intrinsque.
Lorsque la temprature devient suffisamment leve, il est possible de faire passer des porteurs de la bande de valence la bande de
conduction.On gnre alors des paires lectron-trou. La bande de valence permettant de crer un nombre trs important de porteurs ,
ceux issus du niveau donneur sont rapidement en quantit ngligeable et le matriau se comporte alors comme un matriau intrinsque.
1/T
2
1/T
1
Lintersection des assympttes permet de dterminer les tempratures T
1
et T
2
qui limitent les diffrentes zones. Il faut donc calculer les
valeurs correspondantes afin de positionner la temprature ambiante. Le calcul montre quelle se situe sur le plateau, dans la zone
dpuisement (cliquer ici pour le calcul complet). La courbe reprsentative est trace en bleu.
Equation des assyptFtes # la courbe "n%n',f%+'$
Dans la zone dionisation, la densit des atomes dimpurets ionises scrit:
|
\
|

|
\
|
+
=
+
kT
E E
kT
E E
F D
D
F D
D D N N N
exp
exp 1
1
Cette expression fait apparatre le niveau de Fermi dont on ne connat pas la position.
Il faut donc disposer dune deuxime quation faisant intervenir celui-ci. Cest lquation de dfinition de la densit des porteurs que nous
avons tabli au dbut de ce cours. En galant ces deux expressions, on peut liminer E
F
. On obtient alors la loi de
variation n=f(T) dans cette premire zone.
kT
E E
N
n
F C
=

exp *
On obtient:
kT
E E
N
N Ln
n
Ln
D C
D
2
) (
2
1
) (

=
On a donc une droite de pente

k
E E D C
2
Et dordonne lorigine:
) (
2
1
N
N Ln
D
La zone dpuisement des donneurs permet dcrire:

) ( ) (
N
Ln
n
Ln
D
=
Pour la zone intrinsque, le niveau de Fermi se situe au milieu de la bande interdite donc, E
F
= (E
C
-E
V
)/2. En reportant dans lquation qui
donne n, on obtient:
kT
E E
N Ln n Ln
V C
2
) ( ) (

=

On obtient aussi une droite de pente et dordonne lorigine .
k
E E V C
2
) (N Ln
La dtermination des valeurs des tempratures limites des zones se fait en galant deux deux les quations.
E E 1
E E

Plan Gnral
Pour T
1
:
T
k
E E
N
N Ln
N
Ln
D C
D D
1
2
) (
2
1
) (

= soit:
) (
1
N
N
Ln k
E E
T
D
D C
=
(pplication numrique6
:
D
, 8.
8G
cm
*-
E
C
*E
D
, .).B eC
1ilicium6 E
<
, 8)8? eC) : , ?)H 8.
8I
cm
*-
Pour T
2
:
T
k
E E
N Ln
N
Ln
V C
D
2
2
) ( ) (

=
) (
2
2
N
N
Ln
k
E E
T
D
V C
=
soit:
On obtient:
T
1
= 50 C T
2
= 636,8 C
On peut remarquer que la temprature ambiante est bien au milieu du plateau$ "e matriau est donc stable
en temprature et on peut affirmer que) # temprature ambiante) toutes les impurets sont ionises$
Compte tenu du calcul prcdent, on peut donc conclure que pour un semi-conducteur dop, temprature ambiante:
Toutes les impurets sont ionises
La densit des majoritaires est gale celle des impurets (n = N
D
pour un type N, p = N
A
pour un type P)
La densit des minoritaires est donne par la loi daction de masse qui scrit:
2
* i n p n =

, 5 Loi daction de masse
Cette relation ne fait intervenir que des constantes du matriau # une temprature donne % largeur
de bande interdite) nombre de places possibles sur les niveau&) constantes universelles')elle est donc
valable que le semi*conducteur soit dop ou non$
Plan Gnral
En rsum:
Matriau de type N
Matriau de type P
N n D
=
N
n
p
D
i
2
=
N
p
A
=
N
n
n
A
i
2
=
La connaissance de la densit des atomes dopants donne les

densits des porteurs de chaque type
Exemple:
Silicium dop N ( ni = 1,6 10
10
cm
3
): N
D
= 10
16
cm
-3
; n = 10
16
cm
-3
, p = 2,56 10
4
cm
-3
A trs basse temprature, les changes se font entre le niveau donneur (ou accepteur) et la bande voisine. Le niveau de Fermi se
situe donc entre ces deux niveaux cest--dire trs prs du niveau E
C
(ou E
V
). Le niveau de Fermi peut donc se situer dans toute
la bande interdite ( contrairement au matriau Intrinsque ou il est au milieu). Sa position se calcule partir de lquation de
neutralit qui scrit:
N p
N
n
D
A
+
+ = +
Cette quation na pas de solution analytique et se rsout donc numriquement. Elle est trs complexe.
- @ Position du niveau de =ermi
On peut avoir une ide du rsultat en traant les variations assympttiques des quatre termes de cette quation .
) (
f
N

=
) ( exp
_
kT
E E
N p
V F
=
) ( exp
_
kT
E E
N n
F C
=
Point thoriquement
Cliquer ici pour le calcul
Plan Gnral
Ces diffrents termes, reprsents en fonction de
lnergie, dans la bande interdite, se coupent en
un point qui correspond la position du niveau
de Fermi (neutralit).
Pour ce, on considre que la somme de deux
logarithmes est le logarithme du plus grand.
Ev Ec
E
A
E
D
N
A
N
D
E
F
) (
ED
p D D
f
N
N

+
=
) (
EA
n A A
f
N
N

=
N
n
A
+
N
p
D
+
+
Point thoriquement
neutre
Calcul de la position du niveau de fermi
La position exacte du niveau de Fermi est solution de lquation:
0 = + + +
+
N p
N
n
D
A
Nous pouvons expliciter les diffrents termes de cette quation; il vient:
) (
ED
p D D
f
N
N

+
=
) (
EA
n A A
f
N
N

= ) ( exp
_
kT
E E
N p
V F
= ) ( exp
_
kT
E E
N n
F C
=
) ( exp ) ( exp ) ( exp
_
kT
E E
n
kT
E E
kT
E E
N p
I F
i
V I I F

=
=
) ( exp ) ( exp ) ( exp
_
kT
E E
n
kT
E E
kT
E E
N n
F I
i
F I I C

=
=
{ }
|
\
|
=
= +
kT
E E
sh n
kT
E E
kT
E E
n p n
F I
i
F I F I
i 2 ) ( exp ) ( exp
_ _
| | | | | |
E
E
E
E
E
E
f
1
Plan Gnral
( ) N N p n
A D
+

+ = + +
|
\
|
\
|
=
|
\
|

|
\
|
+
=
kT
E
E
kT
E
E
kT
E
E
kT
E
E
E
F
I
I
A
F
A
F
A
A
n
f
exp exp exp
exp 1
1
) (
[ ]
|
\
|
\
|

|
\
|
+
= =
kT
E
E
kT
E
E
kT
E
E
E E
F
I
I
D
F
D
D
n
D
p
f f
exp exp 1
exp 1
1
1 ) ( 1 ) (
)
`
\
|
\
|
+
|
\
|
\
|
=
|
\
|
kT
E
E
kT
E
E
N
kT
E
E
kT
E
E
N
kT
E E
sh n
F
I
I
D
D
F
I
I
A
A
F I
i exp exp 1 exp exp 2
D
F
I
I
D
D
I
A
A
F I
i N
kT
E
E
kT
E
E
N
kT
E
E
N
kT
E E
sh n +
|
\
|
\
|

|
\
|
=
|
\
|
exp exp exp 2
On a donc une quation de la forme: dans laquelle A, B et C sont des constantes C B A
kT
E
E
kT
E E
sh
F
I
F I
+
|
\
|
=
|
\
|
exp
Il ny a pas de solution analytique. Il faut rsoudre cette quation numriquement.
8*C61emi*conducteur hors dquilibre) phnomnes de conduction
8* 9njection ou e&traction de porteurs) dure de vie
Un semi-conducteur est dit lquilibre thermodynamique si sa temprature est constante, sil est homogne et si les densits de porteurs
obissent la loi daction de masse: .
Lorsquon perturbe cet quilibre, on peut dfinir deux cas:
2
* i n p n =

-Extraction de porteurs:
-Injection de porteurs:
2
* i n p n <

2
* i n p n >

Le deuxime cas est le plus frquent. Linjection peut se faire de diffrentes manires:
-lvation de temprature,
-Utilisation dun rayonnement ionisant,
-Injection partir dune lectrode.
On peut classer les phnomnes dinjection en deux catgories suivant la valeur de la densit des porteurs injects par rapport la densit
des porteurs majoritaires dans le matriau.
Plan Gnral
des porteurs majoritaires dans le matriau.
-Faible niveau dinjection si la densit des porteurs injects est faible par rapport celle des majoritaires,
-Fort niveau dinjection si elle devient du mme ordre de grandeur.
On dsignera par et les densits de porteurs en excs. Les densits totales pour un matriau hors dquilibre scriront alors:
^
n
^
p
^
n n n + =
^
p p p + =

et
"-"- Phnomnes de gnration recombinaison.
Dans un matriau semi-conducteur, les densits de porteurs existant dans les bandes sont le rsultat de deux mcanismes
permanents dchange entre elles. Il sagit de la Gnration et de la Recombinaison. Les porteurs crs passent de la bande de
valence vers celle de conduction puis effectuent le chemin inverse en se recombinant. Il existe donc un flot permanent de porteurs
allant de la bande de valence vers la bande de conduction et vice et versa.
1emi*conducteur hors dquilibre) phnomnes de conduction
"-,- Dure de vie des porteurs.
Ec
Ev
g r
Les phnomnes de gnration et de recombinaison sont illustrs ci-contre.
A lquilibre thermodynamique, les densits tant constantes, on peut en
dduire que la gnration et la recombinaison sont gales: g
0
= r
0
.
Si g > r, on a augmentation de la densit des porteurs, cest dire injection.
Si g < r, on a une diminution de la densit des porteurs, cest dire extraction.
Ces mcanismes dcart par rapport lquilibre seffectuent avec une
constante de temps appele dure de vie des porteurs.

>> p n Considrons un matriau semi-conducteur de type N ( ).A lquilibre thermodynamique, ce matriau est caractris par des
densits de porteurs qui valent respectivement: et une galit entre vitesse de gnration et de recombinaison: g
0
= r
0
.

p et n
Plan Gnral

Supposons qu linstant t = t
0
, on soumette ce matriau un flux lumineux dintensit
constante tel que lnergie quil transporte soit suprieure la largeur de la bande
interdite: E = h > E
G
. Ce flux va gnrer des paires lectrons-trous et la vitesse de
gnration va augmenter (le signe ^ sur un symbole indique un accroissement par rapport
lquilibre).
0
^
0 r g g g > + =
Or, la vitesse de recombinaison est proportionnelle aux densits de porteurs dans les bandes
(un lectron se recombinant avec un trou). On peut donc crire:
n p A r = (A est une constante de proportionnalit)

= n p A r0 lquilibre, on peut crire:
Si les densits de porteurs augmentent, la vitesse de recombinaison va aussi augmenter et on atteindra un nouvel quilibre dans
lequel les densits seront gales: p = n.
La vitesse de recombinaison sous clairement vaudra: ) ( ) (
^ ^
n n p p A pn A r + + = =

Dveloppons cette expression: or, et soit: . Le matriau tant de
Type N, et si nous nous plaons dans lhypothse de faible niveau dinjection, soit: et: .
) ( ) (
^ ^ ^ ^
n p A p n n p A n p A r + + + =
^ ^
n p=

= n p A r0
2
^ ^
0 ) ( p A p n p A r r + + + =

<<n p

<<n p
^ ^ ^
) ( p n p n p

+
2
^ ^
p p n >>
Lquation prcdente devient donc: . Un nouvel quilibre sera atteint lorsque: g = r.
n p A r r
^
0

^
0 p
p
p
Supposons qu linstant t = t
1
on coupe le flux lumineux. Lexcs de
gnration devient nul et le terme de recombinaison est prpondrant.
La densit des porteurs en excs va dcrotre en fonction du temps.
Lquation qui rgit cette variation scrit:
dt
p d
r r r
^
0
^
= = Le signe indique une diminution de la densit.
Il vient: soit,
^
^
p n A
dt
p d

=
dt n A
p
p d

=
^
^
Plan Gnral
t
1

p
t
dt
p
La solution de cette quation est donc: ( ) ( ) ( )
e
p
e
p p
t
n tA
t

= =

0
^
0
^ ^
Le terme est homogne linverse dun temps. Il est appel
Dure de vie des porteurs.
n A
=
n A
1
Le temps de retour lquilibre est voisin de 3.

4ecombinaison par centres piges6
Lors de la dfinition du matriau extrinsque, nous avions dfini deux types de niveaux se situant dans la bande interdite; les niveaux de
bord de bande qui interviennent dans le mcanisme de dopage et les niveaux profonds (situs vers le milieu de la bande interdite). Ces
derniers ont un rle fondamental dans les mcanismes de gnration-recombinaison. Ils peuvent en effet servir de relais pour le passage
des lectrons et seront dautant plus efficaces quils se situent prs du milieu de la bande interdite car les probabilits dchanges avec
les bandes de valence ou de conduction (mission ou capture dlectrons) seront alors sensiblement gales
Considrons le cas dun semi-conducteur dans lequel existe un niveau pige. Ce dernier va pouvoir capturer puis rmettre de lectrons
aprs un certain temps correspondant au temps de pigeage. Les mcanismes dchange avec les bandes permises son dfinis ci dessous.
Ec
Ev
Er
(Nr)
(a) (b)
(c) (d)
Les mcanismes dchange entre les bandes et le niveau pige peuvent se modliser
par les quatre cas suivants:
-a) Capture dun lectron de la bande de conduction par un pige vide
-b) mission dun lectron vers la bande de conduction par un pige plein
-c) Capture dun trou de la bande de valence par un pige plein
-d) mission dun trou dans la bande de valence par un pige vide
Les centres piges vont servir de catalyseur la recombinaison des lectrons libres en capturant ceux de la bande de conduction
Plan Gnral
Les centres piges vont servir de catalyseur la recombinaison des lectrons libres en capturant ceux de la bande de conduction
pour les rmettre vers la bande de valence (cas a et c). Les piges peuvent aussi jouer le rle de donneur (b) ou daccepteurs (d). Le
temps pendant lequel llectron reste pig est plus ou moins long. Cest lui qui dfinit la dure de vie.
Nous allons, dans ce qui suit, modliser les diffrents changes afin den tirer une expression de la dure de vie des porteurs.
Toutefois, ce calcul est simplement indicatif car il ne met en uvre quun seul niveau pige ce qui ne reflte que partiellement la
ralit. Les rsultats obtenus sont malgr tout satisfaisants, lcart par rapport aux mesures ntant que de quelques pourcents.
Capture dun lectron de la bande de conduction par un pige vide
Le flux dlectrons capturs par centimtres cubes et secondes est proportionnel la concentration des lectrons dans la bande de
conduction et la densit de piges vides (chargs positivement). Si nous appelons C
n
le coefficient de proportionnalit, le taux de
capture R
cn
scrit:
)) ( 1 ( r n r n cn E f N n C R =

Jmission dun lectron vers la bande de conduction par un pige plein
Ce taux dpend du nombre de places vides dans la bande de conduction et du nombre de piges pleins (chargs ngativement). Le
coefficient de proportionnalit sera not En et le taux dmission Ren.
) ( ) ( r n r n en E f N n N E R =

A lquilibre, on peut considrer que ces deux mcanismes se compensent ce qui permet de dterminer la relation liant Cn et En.
Lgalit Ren = Rcn donne:
) exp( 1
1
) (
) (
) ( 1
) (
kT
E E
E f avec
E f
E f
n N
n
C E
F r
r n
r n
r n
n n
+
=
or ) exp(
) (
) ( 1
kT
E E
E f
E f
F r
r n
r n
donc,
) ( ) (
) exp(
) exp(
) (
) exp(
=
n N
n
C
n N
kT
E E
N
C
kT
E E
n N
kT
E E
N
C E n
r c
n
F r
F c
n n
Lorsque le matriau est hors dquilibre,Rcn et Ren sont diffrents; le flux dlectrons libres rellement capturs vaut:
Le terme n* reprsente la densit qui existerai dans la bande de conduction si le niveau de Fermi tait confondu avec Er.
Plan Gnral
Lorsque le matriau est hors dquilibre,Rcn et Ren sont diffrents; le flux dlectrons libres rellement capturs vaut:
)] ( )) ( 1 ( [ r n r n r n en cn n E f
n
E f n N C R R R = =

Le mme processus appliqu aux changes avec la bande de valence permet dcrire:
))] ( 1 ( ) ( [ r n r n r p ep cp p E f p E f p N C R R R = =

En rgime permanent, il y a galit entre ces deux termes (pas daccumulation ) soit, Rn = Rp.
La dure de vie scrit donc:
^
p
R R p n = =
Les constantes Cn et Cp caractrisent la capacit dun pige capturer un lectron (fig
ci contre). Elles sont fonction de la vitesse instantane de llectron (vitesse thermique
vth ~ 10
7
cm/s) et dun terme appel section efficace de capture qui traduit la
proximit du pige dans lequel doit passer llectron pour tre captur. Cette section,
note
n
ou
p
est de lordre de 10
15
10
16
cm
2
.
lectron dvi
n
lectron captur
Cn =
n
<v
th
> de mme, Cp =
p
<v
th
>
Dans lhypothse de faible niveau dinjection, lexcs de densit des porteurs est faible devant les densits dquilibre. En posant:
r th
p
n
r th
n
n
N v
et
N v
1 1
= = on obtient:

+
+
+
+
+
=
p n
p p
p n
n
n
n p
Cette expression est connue sous le nom de Formule de Hall-Schokley-Read du non des trois chercheurs qui lont tablie.
Elle peut sapproximer dans le cas de matriaux dops. On obtient:
Pour un matriau type N =
p
Pour un matriau type P =
n
Cas ou il existe plusieurs niveaux piges.
E&ercices
Plan Gnral
Le problme ne peut se traiter que dans le cas ou il nexiste aucune corrlation entre les diffrents niveaux (chacun dentre eux est
considr comme totalement indpendant des autres de manire ne prendre en compte que ses changes possibles avec les bandes).
On peut alors appliquer le raisonnement prcdent chacun dentre eux.
Tout se passe donc comme si on avait affaire des phnomnes en
parallle. La dure de vie rsultante vaut donc:
n
1
......
1 1 1 1
3 2 1
+ + + + =
Cest donc le centre situ le plus prs du milieu de la bande
interdite qui sera le plus efficace. Les autres ne jouent
pratiquement aucun rle.
Ec
Ev
E
r1
E
r2
E
r3
1

2

3
Etude de la dure de vie
Problme$
Considrons un matriau semi-conducteur (Silicium) dop phosphore dans lequel existe un niveau recombinant Er dont les
caractristiques sont:
Position par rapport la bande de conduction Ec Er = 0,375 eV
Densit dtats sur le niveau recombinant: Nr = 10
13
cm
-3
1) Ecrire lexpression de la dure de vie de Hall-Schokley-Read en fonction des deux variables qui sont:
Tracer le diagramme de bandes correspondant.
2) Donner lexpression de la dure de vie dans les diffrents cas suivants:
kT
E E
U
kT
E E
U
r I
r
F I
F

=
= ,
Plan Gnral
2) Donner lexpression de la dure de vie dans les diffrents cas suivants:
a) -
b) -
c)
AN:
n
= 10
-15
cm
2
;
p
= 10
16
cm
2
; v
th
= 10
7
cm/s.
3) Que devient la dure de vie si le centre recombinant se situe au milieu de la bande interdite?
4) Vers quelle limite tendrait la dure de vie sil ny avait pas de centre recombinant?
5) Tracer les variations assympttiques de la dure de vie en fonction de la position du niveau de fermi et dterminer les
valeurs correspondant aux intersections des assympttes. Conclusions.
0 , >> F r F U U U
0 , >> F r F U U U
0 = F U
cc
1olution$
p n
p p
p n
n
n
n p
+
+
+
+
+
=

1)-La dure de vie est donne par lexpression de Hall-Schokley-Read qui scrit:
avec: F i
F I I C F C
U n
kT
E E
kT
E E
N
kT
E E
N n =
= exp ) ( exp ) ( exp ) ( exp

F i
V I I F V F
U n
kT
E E
kT
E E
N
kT
E E
N p exp ) ( exp ) ( exp ) ( exp =
=
r i
r I I C r C
U n
kT
E E
kT
E E
N
kT
E E
N
n
=
exp ) ( exp ) ( exp ) ( exp

r i
V I I r V r
U n
kT
E E
kT
E E
N
kT
E E
N p exp ) ( exp ) ( exp ) ( exp =
En reportant ces expressions dans la formule donnant la dure de vie, on obtient:

e e
e e
e e
e e
F F
R F
F F
R F
U U
U U
n
U U
U U
p

+
+
+
+
+
=

Ec
Ev
Ei
Er
Diagramme dnergie du matriau
Plan Gnral
e e e e
n p
+ +

Cette expression va se simplifier en fonction des valeurs relatives de U
F
et U
r
.
Calcul de la valeur de Ur: 300 K, kT = 26 10
3
eV, E
G
= 1,12 eV. Ur = (Ei-Er)/kTUr = - (0,56-0,375)/26 10
-3
= -7
s et s
p n

10 100 = = En reportant les valeurs numriques, on obtient:
0 , +

e
e
car
e
e
e
e
F
R
F
F
F
R
U
U
n
U
U
n
U
U
p
or,
r th
p
p
r th
n
n
N v
et
N v
1 1
= =
0 , >> F r F U U U
Le niveau de Fermi se trouve au dessous du niveau intrinsque donc, le matriau est de type P.
Conclusion: pour un matriau de type P la dure de vie est celle des lectrons (porteurs minoritaires).
s
n

100 = =
Diagramme dnergie du matriau
2)-
Tableau des Constantes
0 , >> F r F U U U
Le niveau de Fermi se trouve au dessus du niveau intrinsque donc, le matriau est de type N.
p
U
U
U
U
n
U
U
p
donc
e
e
or
e
e
e
e
F
R
F
R
F
F
= + =

, 0 ,
Conclusion: pour un matriau de type N la dure de vie est celle des trous (porteurs minoritaires).
s
p

10 = =
0 = F U Le niveau de Fermi est confondu avec le niveau intrinsque donc, le matriau est Intrinsque.
2 2
1
1 1
1
1 1
1

n
U
p n
U
p
e e
R R
+
+
=
+
+
+
+
=

A.N:
ms 49 , 5 =
3)-1i le centre recombinant se situe au milieu de la bande interdite) !r , .$ 9l sen suit e&p%!r' ,8 dou6
s
p

10 = =
Plan Gnral
1i le centre recombinant se situe au milieu de la bande interdite) !r , .$ 9l sen suit e&p%!r' ,8 dou6
0 0 , >> F F r F U et U U U rien ne change; pour un matriau N et pour un matriau P.
p
=
n
=
0 = F U
exp(U
F
) = 1 et comme exp(Ur) =1, il sen suit:
s
n p

110 = + =
4)-1il ny avait pas de centre recombinant) tout se passerait comme si ce centre se trouvait dans une des
bandes permisesK # la limite sur E
C
ou E
C
$
La valeur de Ur devient alors: Ur = E
I
Er = E
I
E
C
= - E
G
/(2kT).
Dans le cas dun matriau intrinsque (U
F
= 0), la dure de vie devient:
s
kT
EG
p
10
13 , 1 )
2
( exp
2
1
4
= =

Cela correspond environ 3 heures et 8 minutes, ce qui est norme et inconcevable. Ce type de matriau, sil existait, ne
prsenterait quasiment aucun intrt car son comportement frquentiel serait fonction de linverse de la dure de vie (10
4
Hz!!!).
Il ne serait donc utilisable quen continu.
5)- +rac du diagramme donnant la variation de la dure de vie$
Type P: =
n
Type N: =
p
Ln () s
100
10
3
10
4
110
5,5 10
3
Pour Ur < U
F
< - (Ur+2,3), la
dure de vie varie quasi
linairement.
Pour , la
dure de vie devient constante et
gale
n
.
Pour , la dure
de vie devient constante et gale
p
.
Le terme (Ur+2,3) est d au fait
que les dures de vie du type N et
P sont dans un rapport 10. Or,
0 , >> F r F U U U
0 , 3 , 2 + >> F r F U U U
Plan Gnral
U
F
10
U
F
= Ur
U
F
= - (Ur + 2,3)
P sont dans un rapport 10. Or,
Ln(10) = 2,3.
.
Pour U
F
= Ur = 0, on obtient la
variation assympttique trace en
bleu
e
e
e
F R
F
R
U U
p
U
U
p
) (
= =

e e
e e
e e
e e
F F
R F
F F
R F
U U
U U
n
U U
U U
p

+
+
+
+
+
=

Justification des points dintersection des assympttes.
Pour Ur < U
F
< 0, la dure de vie peut se simplifier: . Lintersection des
assympttes a lieu pour:
e
F R U U
p p
) (
=

soit; . : , 0 ) ( ) (
) (
F R F R
U U
p
p
U U donne qui U U
e
Ln Ln
F R
= = =

Pour 0 > U
F
> -(Ur+2,3),
e
F R U U
p n
) (
=

. ) 3 , 2 ( : ), ( ) 10 ( ) ( ) (
) (
+ = + = =
+
R F F R
U U
p
n
U U donne qui U U Ln
e
Ln Ln
F R
On justifie donc la courbe trace ci*dessus$

Suite du cours
,- %hnomnes de transport
?*a* Mobilit des porteurs
Considrons un gaz dlectrons constitu de N lectrons libres. En labsence de force extrieure applique ( Champ lectrique), ils se
meuvent de faon alatoire. La vitesse moyenne de dplacement du nuage dlectrons scrit:
) tan tan (
1
1
moyenne vitesse la
v
et ne ins vitesse la reprsente
v v
N
v D i
i
i D

=
Cette vitesse moyenne est nulle car aucune direction nest privilgie (mouvement Brownien).
S nous appliquons une force extrieure, lquation du mouvement va scrire:

= = E q F
dt
v d
m
D) (
Cette quation a pour solution:
t
m
E q
v v D D

+ =
) 0 (
Ce rsultat nest toutefois pas satisfaisant car on saperoit que la vitesse augmente linairement avec le temps et de ce fait, le rgime
tabli nest jamais atteint. Il est donc ncessaire dintroduire une contrainte sur le dplacement des porteurs. Ce terme, appel temps
Plan Gnral
tabli nest jamais atteint. Il est donc ncessaire dintroduire une contrainte sur le dplacement des porteurs. Ce terme, appel temps
de relaxation (
R
), est li au libre parcours moyen des lectrons ainsi quau temps moyen entre deux collisions. Il rsume lensemble
des mcanismes de collisions et peut tre dfini comme tant la dure ncessaire au rtablissement de lquilibre.
Lquation du mouvement devient donc:

= = + E q F
v
dt
v d
m
R
D
D
)
) (
(
La suppression de la perturbation entrane un retour lquilibre suivant une loi qui scrit: e v v
R
t
D D

=
) 0 (
R
est donc la constante de temps de retour lquilibre.
Dans le cas gnral, la solution en rgime permanent est:

= E
m
q
v
R
D
La vitesse du porteur est donc proportionnelle au champ lectrique appliqu. La constante de proportionnalit est appele
Mobilit . Elle est note par la lettre . Elle sexprime en cm
2
/Vs
Les mobilits des deux types de porteurs diffrent principalement par la valeur des masses effectives, les lectrons tant plus mobiles que
les trous. Cela peut se comprendre intuitivement car ils sont un niveau nergtique suprieur, cest dire moins lis latome.
9nfluence du champ lectrique sur la mobilit$
Pour des champs lectriques faibles, la loi de proportionnalit est valable.
Ds que les champs lectriques deviennent importants (quelques kilovolts),
la vitesse des porteurs devient de lordre de grandeur de la vitesse
thermique et la mobilit dcrot.
Ceci est reprsent sur le graphique ci contre.
v
E (10
4
V/cm)
1 2
V
th
=10
7
cm/s
lectrons
trous
Paramtres influant sur la mobilit des porteurs$
La temprature
Laugmentation de temprature se traduit par une agitation thermique plus
importante dans le rseau cristallin et, de ce fait, le temps de relaxation va
Plan Gnral
importante dans le rseau cristallin et, de ce fait, le temps de relaxation va
diminuer car la probabilit de chocs avec les atomes augmente. Il sen suit une
diminution de la mobilit qui suit une loi empirique de la forme:
T
2
3
=
est un coefficient qui dpend de la nature du
matriau et du type de porteur
Le dopage du matriau
Les atomes dimpurets vont influer sur les trajectoires des lectrons
dans le cristal car, temprature ambiante, ils sont tous ioniss. Le
nombre de collisions va augmenter et cela va se traduire par une
diminution de la mobilit .
Le graphique ci contre montre la variation de en fonction du dopage
dans le cas du silicium.
?*b* rsistivit, conductivit, loi dOhm.
Nous venons de montrer que lorsquon applique une force extrieure (champ lectrique par exemple) un matriau semi-conducteur,
les porteurs vont se dplacer. Il y aura donc apparition dun courant lectrique.
Le courant de dplacement scrit: dans lequel, est la densit de charges: v
j
D
r
r
=
N q =
Donc: avec: E E
m
q
N q
v
N q j
R
D
r r
r
r
=
|
\
|
= =
N q
m
N q R
=
|
|
\
|
=
2
est appel conductivit du matriau et se&prime en /cm.
Le courant total de conduction scrit donc:
Lexistence de deux types de porteurs va faire apparatre deux courants qui seront additifs (porteurs de charge oppose se dplaant
en sens oppos). En effet, est proportionnel q
2
qui est positif. E j
n
n
r
r
=
et
E
j
p
p
r
r
=
E&ercices
Plan Gnral
( ) E
j j j
p n
p n
r
r r r

+ = + =
Le courant total de conduction scrit donc:
La conductivit est donc fonction des densits des deux types de
porteurs. Elle sexprime par la relation suivante.
|
\
|
+ =

p n
p n q
On a coutume de caractriser les semi-conducteurs par leur
rsistivit et non par leur conductivit. Elle scrit:
( )
|
\
|
+
= =

p n
p n q
1 1
Ce terme est donc fonction du dopage et le diagramme ci contre
montre ses variations pour les matriaux usuels. On pourra remarquer
que pour des matriaux dops, il ne dpend que des majoritaires.
4sistivit) conductivit %E&ercices'$
Exercice n 1- En considrant une erreur maximale admissible de 1% , dterminer partir de quel dopage on peut considrer que, dans le
calcul de la rsistivit, seul les porteurs majoritaires interviennent. Application numrique au cas du Germanium, Silicium et Arsniure de
gallium.On donne: Germanium n = 4500 cm
2
/V.s p = 2000 cm
2
/V.s
Silicium n = 1500 cm
2
/V.s p = 600 cm
2
/V.s
Arsniure de Gallium n = 7500 cm
2
/V.s p = 300 cm
2
/V.s
Exercice n 2- Calculer la rsistivit maximale de ces trois matriaux. Comparer cette valeur avec la rsistivit intrinsque . Conclusion.0
Exercice n 3- La puret maximale possible avec les technologies actuelles tant de 10
13
cm
3
, calculer les conductivits correspondantes
pour les trois corps tudis prcdemment.
Exercice n 4- On dope un barreau de silicium avec du phosphore. Donner le type et la valeur du dopage pour obtenir un matriau de
rsistivit = 0,6 .cm.
Plan Gnral
rsistivit = 0,6 .cm.
Quelle est la masse de phosphore ncessaire pour doper un lingot de 40 cm de long et de 15 cm de diamtre. Sachant que lon peut garantir
la pese du phosphore au 1/100me de milligramme, quelle est lerreur maximale commise sur le dopage?
Exercice n 5- A partir du semi-conducteur prcdent, on souhaite obtenir un matriau de type oppos. Quel dopant va-t-on utiliser et
quelle est la concentration et le poids ncessaire permettant dobtenir un matriau de rsistivit gale 2 cm.
Exercice n 6- Calculer le rapport du courant dlectrons et de trous correspondant au matriau de lexercice n 4. Conclusion.
Exercice n 7- On considre un barreau de silicium de 2 cm de long et 0,1 cm
2
de section . Le silicium est de type N (N
D
= 5 10
15
cm
-3
). On
applique aux bornes de ce barreau une tension de 12 Volts et on mesure un courant de 720 mA. Calculer la mobilit des lectrons.
Exercice n 8- Comparer la vitesse des lectrons dans un semi-conducteur (par exemple celui de lexercice n 4) celle des lectrons dans
un mtal qui serait parcouru par la mme densit de courant. En dduire la mobilit des lectrons dans le cuivre .
On donne: densit atomique: 5 10
22
cm
-3
.
4sistivit) conductivit %Correction des e&ercices'$
Exercice n 1- La rsistivit dun matriau semi-conducteur sexprime par la relation:
) (
1
p n p n q
+
=
La conductivit est linverse de la rsistivit. Elle vaut donc:
) ( p n p n q + =
Le matriau tant lquilibre, les densits de porteurs sont relies par la loi daction de masse
2
i
n p n =
En utilisant cette dernire relation, on peut exprimer la conductivit en fonction dun seul type de porteurs, par exemple les lectrons.
Il sen suit . En dveloppant cette relation, on obtient une quation du second degr qui permet de relier n et . ) (
2
p
i
n
n
n
n q + =
0
2 2
= +
n
p
i
n
n n
q
n
Les solutions de cette quation peuvent se mettre sous la forme: ) 4 1 1 (

2
2
2
2
p n
i
n
n
q
q
n =
2
2
2
4
p n
i
n q
Le terme est trs petit devant lunit. La racine carre est donc de la forme . Le dveloppement limit au premier
ordre de ce terme est .
1
2
1

La solution peut donc se mettre sous la forme:

(
(
= ) 4 1 ( 1
2
2

p n
i
n q
n
Plan Gnral
La solution peut donc se mettre sous la forme:
(
= )
2
4 1 ( 1
2
2
2
p n
i
n
n q
q
n
(
+ = =
2
2
2
1
p n
i
n
D
n
q
q
N n
Une seule des solutions est physiquement raliste. Cest celle qui correspond au signe +. Le signe donnerait la densit des lectrons dans
le cas ou ils sont minoritaires. On obtient donc:
2
2
2
p n
i
n q
Lerreur commise en ngligeant les porteurs minoritaires est donc gale : . Pour une erreur infrieure 1%, on aura:
10
2
2
2
2
p n
i
n q
p n i n q 10
On obtient donc: ou encore, en repassant la rsistivit: .
p n i n q
10
1
On peut donc calculer cette valeur pour chacun des matriaux les plus couramment utiliss. Ds que la rsistivit sera infrieure
cette valeur, on pourra considrer que la rsistivit dpend exclusivement de la concentration des porteurs majoritaires.
Les applications numriques sont sur la page suivante.
4sistivit) conductivit
Germanium n = 4500 cm
2
/V.s p = 2000 cm
2
/V.s n
i
= 2,5 10
13
cm
-3
< 8,33 cm
-1
2
/V.s p = 600 cm
2
/V.s n
i
= 1,6 10
10
cm
-3
< 41.1 k cm
-1
2
/V.s p = 300 cm
2
/V.s n
i
= 10
7
cm
-3
< 33,9 M cm
-1
Si la rsistivit satisfait la condition nonce ci dessus, on pourra crire:
i
A
n
n N p
1
,
2
= = =
Plan Gnral
Matriau de type P
Matriau de type N
p A A
i
A
N q N
n
n N p
1
, = = =
n D D
i
D
N q N
n
p N n
1
,
2
= = =
Dans la ralit) cette condition sera +O!AO!41 respectes et la rsistivit %ou la conductivit' ne dpendront
que de la densit des porteurs 2ajoritaires$
Exercice n 2-Si la rsistivit passe par un maximum, la conductivit passera par un minimum. Celle ci sexprime en fonction dun seul
type de porteurs par la relation (Exercice n 1):
) (
2
p
i
n
n
n
n q + =
Cette fonction passera par un minimum pour la valeur de n qui annulera la drive;
0 ) (
2
2
= = p
i
n
n
n
q
dn
d

n
p
i n n
= On obtient donc: . On peut remarquer que cette valeur est infrieure n

i
car p est infrieur n. Le matriau prsentant la
rsistivit maximale serait donc de type P. En reportant cette valeur de la densit dans lexpression de , on obtient:
p n i
i
n q
2
1
max =
Application Numrique; Germanium n = 4500 cm
2
/V.s p = 2000 cm
2
/V.s n
i
= 2,5 10
13
cm
-3
= 41,7 cm
-1
2
/V.s p = 600 cm
2
/V.s n
i
= 1,6 10
10
cm
-3
= 205 k cm
-1
2
/V.s p = 300 cm
2
/V.s n = 10
7
cm
-3
Plan Gnral
Application Numrique Germanium n = 4500 cm
2
/V.s p = 2000 cm
2
/V.s n
i
= 2,5 10
13
cm
-3
= 38,5 cm
-1
2
/V.s p = 600 cm
2
/V.s n
i
= 1,6 10
10
cm
-3
= 186 k cm
-1
2
/V.s p = 300 cm
2
/V.s n
i
= 10
7
cm
-3
= 70,2 M cm
-1
) (
1
p n i qn
+
=
La rsistivit Intrinsque sexprime par la relation:
2
/V.s p = 300 cm
2
/V.s n
i
= 10
7
cm
-3
= 169,5 M cm
-1
On pourra remarquer que le matriau le plus rsistif nest pas lintrinsqueK Cela est dL # la diffrence des
mobilits$
Exercice n 3- La puret maximale permettant dobtenir des dopages de 10
13
cm
-3
on pourra, dans le cas du Germanium, obtenir un
matriau Intrinsque. Pour les deux autres, cela ne sera pas possible. Les rsistivits limites que lon pourra obtenir seront donc:
Pour le 1ilicium
Type P
p A p n A
i
A
N q p n q N
n
n N p

1
) (
1
,
2
+
= = =
A.N : = 1 k cm
-1
Pour l(rsniure de <allium
Type N
n D p n D
i
D
N q p n q N
n
p N n

1
) (
1
,
2
+
= = =
A.N : = 417 cm
-1
Plan Gnral
Type N
n D p n D
i
D
N q p n q N
n
p N n

1
) (
1
,
2
+
= = =
A.N : = 73,5 cm
-1
Type P
p A p n A
i
A
N q p n q N
n
n N p

1
) (
1
,
2
+
= = =
A.N : =1,56 k cm
-1
"es dopages couramment utiliss en technologie tant toujours nettement suprieurs # cette valeur de 8.
8-
cm
*-
)
la rsistivit ne dpendra que des majoritaires$
Exercice n 4- La valeur de la rsistivit que lon souhaite obtenir est nettement infrieure la valeur pour laquelle on peut considrer que
seuls les porteurs majoritaires interviennent. Le phosphore tant de type N on aura donc:
n D N q
1
=
On peut tirer la valeur de N
D
de cette relation. Cela ncessite toutefois la connaissance de
n
.
On pourra rsoudre le problme en procdant par approximations successives.
- On se donne une valeur de la mobilit et on en dduit le dopage. De cette valeur du dopage on tire une valeur de mobilit
laide de labaque correspondant et on recommence le calcul jusqu obtenir deux valeurs conscutives dont lcart est infrieur
lerreur que lon peut tolrer.
Si par exemple on se fixe une
mobilit de 1500 cm
2
/Vs, on obtient
un dopage qui vaut:
n
D
q
N

1
= soit;
Plan Gnral
n q
3 15
19
10 7
1500 6 , 0 10 6 , 1
1

= cm ND
Ce dopage donne une mobilit qui vaut
sensiblement 1100 cm
2
/Vs. On peut donc
recalculer la nouvelle valeur du dopage qui
vaut: 9,5 10
15
soit une mobilit de 1050
approximativement et un nouveau dopage
de 10
16
cm
-3
. Vu lcart entre ces deux
dernires valeurs, on sarrtera l.
Il faudra donc introduire sensiblement 1 atome de Phosphore tous les 1 Million datomes de Silicium.
Dans ce type de calculs) limportant est de dterminer la puissance de 8. car on travaille sur des grands
nombres$ !ne erreur de quelques pourcents sur le rsultat est tout # fait acceptable$
Calcul du poids de Phosphore utilis.
Le lingot est cylindrique de longueur 40 cm et de diamtre 15 cm. Son volume est donc V = r
2
h = * 7,5
2
* 40 = 7068 cm
3
.
La masse atomique du silicium est de 28.1 g/mole et celle du phosphore vaut 31 g/mole (voir tableau de Mendeleev).
Le nombre datomes par mole est gal 6,02 10
23
(nombre dAvogadro).
La densit datomes de Silicium est de 5,02 10
22
cm
-3
.
La masse de phosphore utilise vaut donc: mg g MP 64 , 3 31 *
0210 , 6
10 * 7068
23
16
= =
kg g MSi 56 , 16 1 , 28 *
0210 , 6
10 02 , 5 * 7068
23
22
= = On peut rapprocher cette valeur du poids du lingot de silicium qui vaut:
Le poids du dopant est donc infiniment petit par rapport celui du lingot.
Si lerreur absolue sur la pese du Phosphore est de 1/100me de mg, lerreur relative vaut: 0,01/3,64 cest dire 2,7 10
-3
. Lerreur sur le
Plan Gnral
Si lerreur absolue sur la pese du Phosphore est de 1/100me de mg, lerreur relative vaut: 0,01/3,64 cest dire 2,7 10
-3
. Lerreur sur le
dopage sera la mme car la densit datomes dopants est directement proportionnelle au poids. Cette prcision est illusoire car les variations
du process ne permettent pas datteindre de telles prcisions.
Exercice n 5- Pour obtenir un matriau de type oppos, le dopant utilis devra tre un accepteur cest--dire appartenir la colonne III de la
classification priodique des lments. Pour le silicium, le dopant gnralement utilis est le Bore. Le processus sera le mme que celui
dcrit ci-dessus pour le phosphore. Toutefois, le matriau ntant pas intrinsque au dpart de lopration, il faudra dabord injecter une
quantit datomes de Bore gale celle du phosphore pour compenser le matriau. On obtiendra du silicium Intrinsque par
compensation . A partir de ce matriau compens, on appliquera le mme raisonnement que prcdemment.
Le nombre de trous dans ce matriau sera donc: D A N N p =
p
D A
p D A
D A
p q
N N donc et
N N q
vient il N N p comme
p q
1
:
) (
1
: ,
1
+ =
= = =
La rsistivit scrit:
On obtient NA = 10
16
+ 6,25 10
15
= 1,625 10
16
cm
-3
. Qui correspond un poids de 2,06 mg de Bore.
Exercice n 6- Le matriau tant homogne, le courant est d la conduction. On peut donc crire:
p
i
n
p
i
n
p
n
p
n
p
n
p
n
n
n
n
n
n
p q
n q
J
J
I
I
2
2
2
= = = = =
Application numrique: ce rapport vaut 0,78 10
12
ce qui revient dire que le courant de conduction est le courant d lectrons
cest--dire le courant des porteurs majoritaires.
Exercice n 7- Le courant de conduction scrit:
Donc:
S
v
n q S E n q E S S j I
D
n n
r
r r r
= = = =
S N q
I
S n q
I
v
D
D

=

=
r
A.N: v
n
= 9000 cm/s
Exercice n 8- Pour une mme densit de courant, on aura:
Plan Gnral
Exercice n 8- Pour une mme densit de courant, on aura:
3 22
. 10 5 :

= = = cm N avec
v
N q j et
v
n q j
m sc
mtal c s
r
r
r
r
Dou;
N
n
v v
obtient on
v
N q
v
n q
sc m m sc
r r r r
= = :
A.N: v
m
= 9 10
4
cm/s soit 9 m/s.
Ceci sexplique simplement par le fait que dans un mtal il y a un lectron libre par atome dou une population extrmement
importante qui se dplacera trs lentement. Il ne faut pas confondre vitesse de dplacement des porteurs et vitesse de propagation du
courant lectrique.
Suite du cours
?*c* Diffusion, relation dEinstein
Le phnomne de diffusion est un phnomne gnral en physique. Il apparat ds quil existe une diffrence de concentration entre deux
zones, les particules se dplaant des zones forte concentration vers les zones faible concentration. Ce phnomne cre un flux de
diffusion qui, dans le cas de particules charges donnera naissance un courant lectrique.
Diffusion de porteurs dans un semi*conducteur$
n
(x)
N
1
N
2
n
O
n
Considrons un semi-conducteur dans lequel la densit des
lectrons varie comme le montre la figure ci contre (il en serait
de mme avec les trous). Nous nous placerons dans lhypothse
dun modle unidimensionnel dans lequel nous considrerons
que les lectrons se dplacent uniquement suivant laxe des X.
Les lectrons seront considrs comme tant monocintiques et
le temps mis pour parcourir la distance sera trs petit par l
n
1
n
2
Plan Gnral
x
0 x
La variation de concentration va crer un flux de particules F dirig
vers les x croissants.
( )
2
2 2 2 1
2 1
N N
N N
Fx

=
= or l l
2 2
0 2
2
0 1
1
n n
N et
n n
N
+
=
+
= ( )
R
n n n
Fx
2
2
2
2
2 1 l
l
l
|
\
|

=
=
soit
or
( )
( ) 0
2
=
=
|
\
|
x dx
dn n
l
( ) ( )
( ) R x dx
dn
Fx
2
2
0
l
=
=
La constante a la dimension de cm
2
/s. Elle est appele Constante de Diffusion et note D (Dn pour
les lectrons , Dp pour les trous).
R 2
2
l
Le flux de porteurs scrit:
( ) ( ) x n x n grad D F

=
r
le temps mis pour parcourir la distance sera trs petit par
rapport leur dure de vie.
l
Soit N
1
le nombre de particules comprises entre x
0
- et x
0
et N
2
le nombre entre x
0
et x
0
+ linstant t=0+ A un instant t=t
0
(t>t
0
), on
peut considrer que statistiquement, N
1
/2 particules ont leur vitesse dirige vers la droite, de mme, N
2
/2 ont leur vitesse dirige vers
la gauche.Le flux qui en rsulte pendant le temps ncessaire pour parcourir la distance l vaut:
l l
x
0
-l x
0
+
l
Courant de Diffusion$
Les particules qui se dplacent par le biais du phnomne de diffusion sont des particules charges. Elles vont donc donner naissance
des courants lectriques. Leurs expression scrivent: soit: ( ) ( ) x F q j et x F q j p p n n
r r r r
= =
( )
( ) x n
x n
n grad D q j

=
r
( ) ( ) x x p p grad Dp q j

=
r
"es gradients de concentration tant opposs) les courants qui en dcoulent sont additifs eu gard au&
charges qui sont opposes$
1emi*conducteur inhomogne # lMquilibre thermodynamique)relation dEinstein$
Considrons le semi-conducteur dont la structure de bande est reprsente
ci contre. Le matriau tant isol et lquilibre thermodynamique, le
Plan Gnral
E
C
(x)
E
V
(x)
E
F
ci contre. Le matriau tant isol et lquilibre thermodynamique, le
courant lectrique total est nul.
La non homognit du matriau entrane lapparition dun champ
lectrique interne. Deux phnomnes antagonistes vont exister dans la
structure.
Un phnomne de diffusion d linhomognit
Un phnomne de conduction d au champ lectrique
Ces deux phnomnes vont squilibrer pour donner un courant nul.
Le champ lectrique scrit: ) (
1
x c i E grad
q
V grad

= = E
r
En tout point de la structure le courant est nul. Cela se traduit par:
0 ) ( ) ( = = x x p n j j
r r
soit:
0 ) ( = +
dx
dn
D q n q n i n x E
r
0 ) ( =
dx
dp
D q p q p i p x E
r
{
La relation de dfinition de la densit des porteurs permet dcrire: |
\
|
=
kT
E E
N n
F C x
x
) (
) ( exp
|
\
|
|
\
|
=
kT
E E
kT
E E
N n
F I x I C x x
x
) ( ) (
) ( exp exp
) (
qui scrit:
or; |
\
|
=
kT
E E
N n
x I C x
i
) ( ) (
exp
|
\
|
=
kT
E E
n n
F I x
i x
) (
) ( exp
do:
on en dduit: |
\
|
=
kT
E E
n
n Log
x
i
x
I F ) (
) ( ) (
i
x
x
n
n Log
kT E E I F
) ( ) (
) ( = soit:
] [
) (
) (
) (
) (
i
x
x
n
n Log
grad kT E grad I

=
) ( ) ( ,
) (
) ( ) ( ) (
) (
) (
) ( ] [ x x
x
x
x C I I E grad E grad or
n
n grad
kT E grad

= = donc;
6n otient une relation similaire pour les trous en chan$eant le si$ne et en rempla7ant n par p+
Si nous reportons cette expression du champ lectrique dans les quations du courant, nous obtenons:
) (
] [
|
|
n grad
( ) = +
] [
) (
) ( ) (
x
x
i
p
p grad
UT
= E
r
] [ ] [
) (
) (
) (
) (
) (
) ( ) (
1 1
x
x
x
x
x c i
n
n grad
U
n
n grad
kT
q
E grad
q
T

=
|
|
\
|
= = E
r
Plan Gnral
0 ) (
) (
) (
) (
) (
) ( ] [ = +
|
|
\
|

x n
x
x
n x n grad D q
n
n grad
U n q T
( ) 0 ) ( ) ( = +
n n x D q U n grad T
0 ) (
) (
) (
) (
) (
) ( ] [ =
|
|
\
|

x p
x
x
p x p grad D q
p
p grad
U p q T
( ) 0 ) ( ) ( =
p p x D q U p grad T
Pour que ces deux relations soient vrifies, il faut: T U

q
kT
D
D
p
p
n
n
= =
|
\
|
=
|
\
|

Cette relation est connue sous le nom de relation dEinstein.
La constante de diffusion des porteurs est donc directement lie leur mobilit.
E&ercices
9njection de porteurs) variation de rsistance %E&ercices'$
Exercice n 1- Dterminer la longueur donde maximale permettant de gnrer une paire lectron-trou dans du silicium. Mme chose pour le
Germanium et lArsniure de Gallium. Conclusions.
Exercice n 2- On considre le barreau de silicium reprsent sur la figure ci dessous;
Les caractristiques du matriau sont les suivantes:
Silicium type P (dopage: N
A
= 10
15
cm
-3
)
Longueur du barreau: 1 cm; section 4 10
-2
cm
2
.
Dure de vie des porteurs: = 10
-5
s
On donne pour le silicium: n
i
= 1,6 10
10
cm
-3
.
On applique entre les bornes de ce barreau une tension de 10 V. Calculer le courant qui circule dans cette structure.
On claire ce barreau de silicium avec une radiation de longueur donde telle que la vitesse de gnration des porteurs soit constante dans
Plan Gnral
On claire ce barreau de silicium avec une radiation de longueur donde telle que la vitesse de gnration des porteurs soit constante dans
tout le volume du matriau. Cette vitesse de gnration vaut: g = 10
17
porteurs/cm
3
.s.
Dterminer la variation relative de la rsistance du barreau sous clairement.
Exercice n 3- On considre un barreau de semi-conducteur homogne type N (dopage N
D
= 10
15
cm
-3.
) dpaisseur W, dont on claire
la face avant avec une radiation de courte longueur donde. La gnration suit une loi de la forme (fig):
En se plaant dans le cas de lhypothse de faible injection, montrer que , le systme
tant isol, il apparat entre les deux faces du semi-conducteur une diffrence de
potentiel que lon calculera.
A.N: = 0.1 cm
-1
, W = 100 m .
est une constante fonction de et sexprime en cm
-1
.
e
g g
x
0 =
e
g g
x
0 =
9njection de porteurs) variation de rsistance %1olution'$
Exercice n 1- Pour gnrer une paire lectron-trou dans un matriau semi-conducteur, il faut que lnergie du rayonnement soit suprieure ou
gale la largeur de la bande interdite, soit: G E E
c
h h E = = Or, lnergie transporte par un rayonnement sexprime par la relation:
Lnergie tant inversement proportionnelle la longueur donde, lnergie minimum correspondra la longueur donde maximum
permettant de gnrer des porteurs. La relation scrira donc:
G
G
E
c
h donne qui E
c
h

max
max
:
Applications numriques.
Le tableau des constantes donne: h = 4,14 10
-15
eV/s; c = 3 10
8
m/s;
Silicium: E
G
= 1,12 eV
max
= 1,1 m ce qui correspond au proche infra rouge
Plan Gnral
Germanium: E
G
= 0,67 eV
max
= 1,85 m ce qui correspond l infra rouge
As Ga: E
G
= 1,4 eV
max
= 0,88 m ce qui correspond au rouge fonc
On peut remarquer que pour les trois matriaux, le rayonnement visible sera efficace et que les rayonnements de grande longueur donde ne
seront pas arrts par ces matriaux. La longueur donde maximum correspond au seuil de transparence .
Plus le rayonnement sera de courte longueur donde, plus son nergie sera importante et plus la gnration sera localise au voisinage de la
surface. Cette dernire obira a une loi de la forme:
e
g g
x
0 =
Le coefficient est fonction de la longueur donde. Il vaut 0 pour max
9njection de porteurs) variation de rsistance $
Exercice n 2- La valeur du courant va se dduire de la loi dOhm: V = R*I. On peut donc calculer la rsistance du barreau qui scrit:
s
l
R =
) (
1
p n p n q
+
=
avec:
A
i
A
N
n
n et N p
2
= =
Or
) (
1
2
p A n
A
i
N
N
n
q
+
=
Dou;
En remplaant par les valeurs, on obtient: =
+
=
332
10 * 4
1
) 470 * 10 1390
10
610 * 5 . 2
(
10
* 6 , 1
1
2 1
14
14
20
19
R
Le courant vaut donc: A
R
V
I
10
* 3
332
10 2
= = =
Sous clairement, il y aura gnration de paires lectrons-trous. La variation de rsistance va donc dpendre de la variation de la densit des
porteurs. En effet, on peut crire:
Tableau des Constantes Abaque des Mobilits
porteurs. En effet, on peut crire:
R
R
donc or
R
R
;
1
,
Il faut donc calculer la conductivit en obscurit et sous clairement.
En obscurit, la conductivit (ou la rsistivit) ne dpendent que des porteurs majoritaires (quilibre thermodynamique).
Sous clairement, les conditions dquilibre ne sont plus ralises. Il faut donc faire attention.
Les densits de porteurs sous clairement scrivent: . ;
2
g p n plus de n
N
n
n n n et p N p p p
A
i
A = = + = + = + = + =
p A p n obscurit N q p n q + = ) (
Donc:
)
2
( ] ) ( ) ( [ ) ( p n p A n
A
i
p A p n
t clairemen
p n q N q n
N
n
p N q p n q
+ + + + + = + =
Et;
p A
p n
p A
p n
N
g
N q
p n q
) ( ( ) +
=
+
A.N:
10
* 95 , 3
3
=
R
R
1i # lquilibre thermodynamique seuls les majoritaires interviennent) la variation est due au& deu& types de
porteurs$ On remarque en effet que cest la somme des mobilits qui est # prendre en compte$
9njection de porteurs) variation de rsistance$
Exercice n 3- La gnration de porteurs sur la face avant va crer un excs de densit de porteurs. Le fait dutiliser une radiation de faible
longueur donde (bleu ou Ultra violet), gnre des porteurs de manire locale. Le taux de gnration va varier avec la distance par rapport la
face avant. La densit des porteurs excdentaires va dcrotre de faon exponentielle avec la distance.
Dans le cas dune hypothse de faible injection, on peut considrer que seuls les minoritaires seront perturbs.
e
g p
x
x

* 0 ) ( =
p
Le gradient de concentration qui apparat entre les deux faces du semi-conducteur
va crer un phnomne de diffusion dou un courant associ. Ce courant scrit:
( )
e
g D q
e
g d gra D q p d gra D q J
x x
p p x p pdiff

= = = 0 0 ) (
r r
La structure tant isole, le courant total est donc nul. Il existe donc un phnomne
antagoniste qui compense la diffusion. Ce phnomne correspondra un corant de
conduction qui va sopposer la diffusion.
Tableau des Constantes Abaque des Mobilits
0 W
p
( ) ( )
W
V
e
g q
e
g q v J p p x pcond
x x

* * 0 0 ) (

= = = E
r
r
r
Lexistence dun courant de conduction est lie lapparition dun champ
lectrique. Ce courant sexprime par une relation du type:
Les deux termes se compensant, on peut crire:
( ) ( )

p p p p pdiff pcond D
W
V
ou d
e
g D q
W
V
e
g q J J
x x
= = =

' * 0 0
r r
W U V T =
Soit; Cette tension fait apparatre un + sur la face avant .
0- 3quation de conser&ation des porteurs
Cette quation traduit le bilan, par unit de temps, de la variation de la densit des porteurs dans un volume lmentaire de matriau
semi-conducteur. Sa rsolution permettra de dfinir les profils des densits de porteurs excdentaires dans les semi-conducteurs et, par
consquence de calculer les diffrents courants dans les structures.
Ce bilan met en uvre les trois lments qui peuvent modifier la densit des porteurs:
La gnration,
La recombinaison,
Le passage dun courant lectrique.
Courant lectrique6 -Considrons un volume lmentaire de semi-conducteur
de dimensions x, y, z. Soit un courant de trous jp(x) circulant dans cet
lment. Le flux de trous est dfini partir du courant par la relation:
x
z
Jp(x) Jp(x+x)
x
z
0
Plan Gnral
x
y
q
j
F
x
x
p
p
) (
) (
r
r
=
Le flux en x vaut: x
x
F
F F
x
x x x
p
p p
+ = +
) (
) ( ) (
r
r r
y
x 0
Le bilan dans la direction Ox vaut:
[ ] z y x
x
F
z y F F
x
x x x
p
p p
= +
) (
) ( ) (
r
r r
On obtient des relations semblables dans les directions y et z. La variation du courant correspond donc une divergence.
<nration6 -Soit g la vitesse de gnration. Son influence par unit de temps se traduit par: g* x y z (ce terme est positif)
4ecombinaison6 -De la mme manire, le terme correspondant vaut: r* x y z (ce terme est ngatif)
La variation du nombre de porteurs par unit de temps dans le volume donn scrit donc:
z y x r g j div
q
z y x
dt
dp
p
(
+ =
r
1
soit r g j div
q dt
dp
p + =
r
1
On obtient une quation similaire pour les lectrons en remplaant p par n et en changeant le signe de la divergence.
Explicitation de la relation dans le cas gnral.
Dans le cas dun faible niveau dinjection, seuls les porteurs minoritaires seront perturbs. Pour un matriau de type N par
exemple, on pourra crire:
^
0 g g g + =
^
0
r r r + = et de plus,
p
p
r
^
^
=
Lquation de conservation scrit alors:
p
p
g j div
q dt
p d
p
^
^
^
1
+ =
r
Le courant peut tre constitu de deux termes; un terme de diffusion et un terme de conduction.On obtient donc, dans le cas gnral:
( )
( ) ( )
p
x
p p
x
x p
g p d a gr D -q p q div
q dt
p d
^
^ ^ ^
^
1
+
|
\
|
=
r
r
E
soit,
( )
( ) ( )
p
x
p
x
p
x p
g p div p D
dt
p d
^
^ ^ ^
^
+
|
\
|
= E
r
Dans les cas pratiques, le champ lectrique est gnralement nul. Cela permet de simplifier cette quation.
En rgime permanent, il ny a pas de variation en fonction du temps. On en tire:
Plan Gnral
En rgime permanent, il ny a pas de variation en fonction du temps. On en tire:
( ) ( )
p p p
x
p
x
p
D
g
D
p
p aussi crit s qui
p
g p D
^ ^
^
^
^ ^
: ' 0 = + =

On peut remarquer que la dimension du terme D
p
p
est cm
2
. On le posera gal Lp
2
. Ce terme est appel Longueur de Diffusion
p p p D L =
On pourra donc associer trois constantes aux porteurs libres dans un matriau semi-conducteur:
Une constante temporelle
Une constante inertielle ou D
Une constante spatiale L
Ces trois constantes sont relies par les relations suivantes:
p p p D L =
T U
q
kT
D
D
p
p
n
n
= =
|
\
|
=
|
\
|

et
E&ercices
Phnomnes de diffusion %E&ercices'$
Exercice n 1- Soit un chantillon de silicium de type N de rsistivit = 0,5 cm. La dure de vie des porteurs en excs est inversement
proportionnelle au dopage et vaut = 10 s pour N = 10
16
cm
-3
. On gnre la surface du semi-conducteur des porteurs en excs avec une
vitesse de gnration qui vaut: g = 10
17
cm
-2
s
-1
.
A)- La longueur de lchantillon est suppose infinie.
1)- Dterminer la loi de rpartition des trous en fonction de la distance. Calculer la densit des trous dans le plan x = 0 .
2)- A quelle distance lexcs de densit de trous devient-il gal au 110me de sa valeur en 0? Quelle est cette distance la
densit du courant de trous?
3)- Calculer la vitesse de diffusion des trous. Quelle serait la valeur du champ lectrique qui leur communiquerait la mme
vitesse?
4)- Calculer la quantit dlectricit emmagasine lors de la diffusion.
B)_ Mmes questions lorsque on place un contact Ohmique la distance W = 10
-4
cm.
Plan Gnral
B)_ Mmes questions lorsque on place un contact Ohmique la distance W = 10
-4
cm.
0
x
W
p
p
p
Phnomnes de diffusion %1olution'$
Le premier travail est dterminer la densit des porteurs lquilibre thermodynamique afin de savoir si la gnration satisfait lhypothse de
faible niveau dinjection. Le matriau est de type N et sa rsistivit vaut : = 0,5 cm. Labaque des rsistivits en fonction du dopage nous
permet de lire pour = 0,5 cm une valeur de dopage qui est sensiblement gale : N
D
= 10
16
cm
-3
.
Compte tenu de cette valeur, on en dduit:
cm
N n D
3 16
10

= =
cm
N
n
p
D
i 3 4
2
10
56 , 2

= =
Dans le plan x = 0, la densit des porteurs excdentaires injects vaut:
cm
trou lectron paire g p
3 10 7 17
0 0 /
10 10 10
= = =

On peut donc vrifier que: n p et p p << >> Cette double condition satisfait donc lhypothse de faible niveau dinjection.
On peut donc considrer que la densit des porteurs en excs obit lquation de conservation des porteurs qui scrit:
^ ^
r
Abaque de Rsistivit
Tableau des Constantes Abaque de Mobilits
p
p
g j div
q dt
p d
p
^
^
^
1
+ =
r
Les conditions particulires lies notre cas entranent:
- g = 0 dans le volume car la gnration est localise dans le plan x = 0.
-
- Le champ lectrique est nul en volume (pas de tension applique).
0
=
dt
p d
car on se place dans le cas dun rgime permanent.
Lquation se ramne donc :
0

2
2
=
p
p
p
x
d
p
d
D
0

2 2
2
=
p L
p
x
d
p
d
qui scrit
avec : p p p D L =
2
Les solutions de cette quation sont donc de la forme:
e
B
e
A p p p L
x
L
x
x + =

) (
Phnomnes de diffusion$
A) La longueur de lchantillon est suppose infinie.
1)- La dtermination des constantes dintgration satisfait aux conditions aux limites nonces ci-dessous:
0 0 ) 0 ( 0 g p p x en = = =
0 ) (( = = p x en car une distance infiniment grande, tous les porteurs sont recombins.
On en dduit donc:
0 p B A = +
0 = +

e B e A Cette deuxime relation impose que B = 0 (le terme de rflexion est nul).
Il sen suit: 0 p A =
La solution scrit donc:
e
p p p L
x
x

= 0 ) (
. Cest la solution gnrale, en physique, de tout systme que lon laisse voluer librement.
La densit du courant de trous (li la diffusion) est proportionnelle la drive de la distribution des porteurs. Elle scrit:
p D
d
x x p p D 0
Abaque de Rsistivit
Tableau des Constantes= Abaque de Mobilits
e
L
p D
q
e
p
dx
d
D q p J p p L
x
p
p
L
x
p x

= =
0
0 ) ( ) (
En x = 0, la valeur de la densit de courant est:
p
p
L
p D
q p J
0
) 0 ( =
Application Numrique: il faut donc dterminer D
p
et L
p
. Labaque de mobilits nous donne pour N
D
= 10
16
cm
-3
:
p
= 450 cm
2
/V*s
On en dduit: D
p
=
p
* U
T
= 450 * 26 10
-3
= 11,7 cm
2
/s, dou; L
p
2
= D
p
*
p
= 11,7 * 10
-7
soit, L
p
= 1,08 10
-3c
cm soit, 10,8 m.
La densit de courant dans le plan origine vaut donc: cm
A p J
2
3
10
19
) 0 ( / 33 , 17
10
* 08 , 1
10
* 7 , 11
10
* 6 , 1 = =

2)- La densit des porteurs dcrot exponentiellement. La distance pour laquelle elle sera divise par 10 se dduit de:
m x donne qui L Ln L x soit
p
e
p
p
p
p p
L
x
x p
84 , 24 : 3 , 2 10 ,
*
10
1
0
0
0
) (
= = = = =

Au del de cette distance, lexcs de densit de porteurs devient trs faible. Cela permet de relativiser linfini pour un porteur. La densit de
courant varie suivant la mme loi ce qui implique que dans un systme, si on place un contact une distance grande devant la longueur de
diffusion, la densit de courant tendra vers 0. On comprend donc que les dimensions des composants devront tre petites.
3)- Vitesse de diffusion des trous.
D
x
D
x p v p q v J
r r
) ( ) ( * = =
dans laquelle,v
D
est la vitesse de drive des porteurs.
cm V
L
L
L
v encore ou
L
D
v donne qui p
L
D
q v p q
p
p
p p
p
D
p
p
D
x
p
p
D
x /
10
* 8 , 10
*
:
3
2
) ( ) ( = = = = =

r
On en tire:
On peut remarquer que la vitesse du porteur est une constante indpendante de sa position
Le champ lectrique qui communiquerait la mme vitesse aux porteurs serait:
. / 07 , 24 : cm V soit
L
U
L
D v
soit v
p
T
p p
p
p
D
p
D
= = = = = E E E

r
r r
r
4)- Quantit dlectricit emmagasine lors de la diffusion.
ce qui est trs faible.
Elle sexprime par la relation:
p L
x
(x) L p q S dx
e
p q S dx p q S Q p
-
0
0
0
0
= = =

S est la section du barreau.
Abaque de Rsistivit
La charge par unit de surface vaut donc: cm
pCb L p q
S
Q
p
2
0 / 73 , 1 = =
Cette valeur peut paratre faible mais on verra que dans les composants, on obtient des valeurs beaucoup plus petites .
On peut exprimer cette charge en fonction du courant. Il vient;
p
p
p
p
p
p
p
p
p
p
p p
D
L
I S
D
L
L
p D
q L p S q Q or S
L
p D
q S J I
2
0
2
0
0
0
0 0 *
= = = = =
p p I Q Donc 0 , , =
La constante de temps qui intervient dans le calcul de la charge est la Dure de vie du porteur.
Dans le r$ime lire! les paramtres associs au phnomne de di**usion sont les paramtres caractristiques dus porteurs.
B) La longueur de lchantillon est finie, de dimension W.
La seule modification intervient sur les conditions aux limites de lquation de conservation. Elles deviennent:
0 0 ) 0 ( 0 g p p x en = = =
0 ) (( = = W p W x en Lannulation de lexcs de densit est due au contact Ohmique qui est recombinant.
0 p B A = +
0 = +
e
B
e
A p p L
W
L
W
Il sen suit:
{
On a donc un systme de deux quations deux inconnues rsoudre. Cela donne:
L
W
L
W
L
W
L
W
L
W
W
sh
e
p
e e
e
p
e
p
A
p p
p
2

1 1
0
1
0 0
0
=
+
= =
Abaque de Rsistivit
p
L L
L
W
L
W
L
W
sh
e e
e e
p p
p p
2
1 1
+

p
L
W
L
W
L
W
L
W
L
W
L
W
L
W
L
W
sh
e
p
e e
e
p
e e
e
p
B
p
p p
p
p p
p
2

1 1
0
1
0 0
0
=
+
= =
En reportant, on obtient.
( )
p
p
L
x W
L
x W
p
x
L
W
sh
L
x W
sh
p
e e
L
W
sh
p
p p p
= =

0
0
) (
2
Cest la solution gnrale du systme. On pourra vrifier que le passage la limite x infini nous ramne la solution en exponentielle.
La densit de courant peut donc se dduire de la loi de distribution des porteurs.
p
p
p
p
p
p
p x
L
x W
ch
L
W
sh L
p D q
L
W
sh
L
x W
sh
p
dx
d
D q p J

=
=
0
0 ) (
) (
Pour la vitesse de diffusion des porteurs, on aura: qui donne:
p
p
p
p
x x
L
x W
ch
L
W
sh L
p D q
v p q p J D

= =
0
) ( ) (

p p
p
p
p
p
p
x
x
L
x W
L
D
L
x W
sh
L
x W
ch
L
D
p q
p J
vD

=
= = coth
) (
) (
On peut remarquer que v
D
augmente avec x.
La proximit du contact ohmique se traduit donc par une acclration des porteurs. La vitesse tend thoriquement vers linfini. En
ralit, la limitation physique correspond la vitesse thermique qui vaut sensiblement 10
7
cm/s 300 K.
La quantit dlectricit emmagasine sexprime par:
Abaque de Rsistivit
La quantit dlectricit emmagasine sexprime par:
(
=
(
(
(
= =

p
p
p
W
p
p
p
W
p
p
W
(x)
L
W
ch
L
W
sh
L p q S
L
W
sh
L
x W
ch
L p q S dx
L
W
sh
L
x W
sh
p q S dx p q S Q 1

0
0
0
0
0
0

Ces expressions sont relativement compliques mais vont gnralement se simplifier dans les cas pratiques.
Dans le cas de lexercice, W = 1m. Dans toutes les expressions prcdentes, on remarque des termes faisant intervenir des
fonctions du rapport W/L
p
. Ce terme intervient sous forme de sinus ou de cosinus hyperboliques.
Ds que ce rapport sera infrieur 1/3, on pourra simplifier. En effet:
pour << , sh ; ch 1 +
2
/2 etc.
Par exemple; sh(1/3) = 0,339. On considrera donc que ds que le rapport W/L est infrieur 1/3 on peut
linariser les relations en utilisant les dveloppements limits des fonctions correspondantes.
W = 1 m; W/L = 1:10,8 = 0,0926 <<1/3.
Compte tenu de ce qui prcde, on peut donc linariser les quations. On obtient donc:
) 1 ( 0 0 ) (
W
x
p
L
W
sh
L
x W
sh
p p
p
p
x
=
Pour la distribution des porteurs La distribution est donc linaire.
Le courant, qui est la drive de la distribution , sera donc constant (les porteurs injects seront rcuprs au niveau du contact!).
W
p D q
L
W
W
p D q
L
W
L
W
L
p D q
L
x W
ch
L
W
sh L
p D q
L
W
sh
L
x W
sh
p
dx
d
D q p J
p
p
p
p
p
p
p
p
p
p
p
p
p
p x
0
2
2
0
2
2
0 0
0 ) (
)
2
1 (
)
2
1 (

) ( =
=
On peut en effet se contenter dun dveloppement limit au 1er ordre pour le cosinus hyperbolique qui tend donc vers 1 alors que dans
le cas du calcul de la charge ou intervient un terme en 1-ch, on prendra le dveloppement au second ordre.
Abaque de Rsistivit
On peut remarquer que par rapport la distance infinie, on a remplac dans lexpression du courant, la longueur de diffusion par la
dimension du barreau. Cette dernire tant beaucoup plus petite que la longueur de diffusion et intervenant en dnominateur dune fraction
fait que le courant devient plus important. De plus, il est indpendant de la distance.
En ce qui concerne la vitesse de diffusion, on a:
x W
D
W
x W
D
L
x W
ch
L
W
sh L
D
L
x W
L
D
p q
p J
v
p p
p
p
p
p
p p
p
x
x
D
= =
1
1
coth
) (
) (
On remarque le phnomne dacclration du au contact (sana oublier la limitation due la vitesse thermique).
Pour le calcul de la charge stocke, il vient:
2
2
1 1
1
0
2
2
0 0 W p q S
L
W
L
W
L p q S
L
W
ch
L
W
sh
L p q S
Q
p
p
p
p
p
p
=
(
(
|
|
\
|

(
=
On peut donc remarquer que pour passer de lespace infini au barreau court, il suffit de remplacer L
p
par W sauf dans le cas de la charge
stocke ou apparat un facteur 1:2. Ce facteur provient du dveloppement limit au second ordre
Comme dans le cas du barreau infini, on peut crire la charge comme tant le produit dun courant par un temps. Il sen suit:
p
p
p
p p
p
D
W
I
D
W
S
W
p D q
Q donc S
W
p D q
S p J I or
W p q S
Q
2 2
2 2
0 0 0
= = = = =

Le terme qui apparat sexprime en secondes. Il sagit du temps de transit entre le plan dinjection et le contact.
p D
W
2
2
Applications Numriques.
Densit de courant:
cm
A
W
p D q
p J
p
2
0
) 16 , 187

=
Vitesse de diffusion (en x = 0)
s
cm
W
D
x W
D
v
x en
p p
D 260
0
=
(
=
=
Charge stocke:
cm
pCb

S
Q W p q S
Q
2
0
08 , 0
2
= =

Abaque de Rsistivit
Charge stocke:
cm
S
2
2
Ce cas particulier est celui que lon retrouvera dans tous les composants actifs du type
bipolaire6 Diodes # jonction et transistors bipolaires$
Chapitre 996 "a jonction P:$
II-A: La 8onction %-2 idale 9 lquilire thermod:namique
1- Cration de la jonction
a)- Approche Mtallurgique
b)- Approche lectrique
2)- tude de la charge despace
a)- Calcul de la largeur de la barrire de potentiel
b)- Calcul de la hauteur de la barrire de potentiel
Plan Gnral
II-B: La 8onction %-2 idale hors dquilire: caractristique statique
1- Polarisation de la jonction
a)- Approche physique
b)- Rpartition des porteurs en excs
2- Caractristique I(V)
a)- Cas gnral
b)- Cas particulier de la diode courte
c)- Jonction dissymtrique
"a jonction P:$
II-C: La 8onction %-2 idale en r$ime d:namique; modlisation au "er ordre
1)- Thorme de superposition des tats
2)- Calcul du point de polarisation
3)- Modle quivalent de la Diode en direct
a)- Rsistance dynamique
b)- Capacit de diffusion
3)- Modle quivalent en inverse; capacit de transition
II-D: La 8onction %-2 relle; e**ets de second ordre et limitations
Plan Gnral
1)- Jonction PN en polarisation directe
a)- Rsistance srie
b)- Forte injection
2)- Jonction PN en polarisation inverse
a)- Phnomne de gnration dans la rgion de charge despace
b)- Phnomne davalanche
3)- Modlisation au second ordre
4)- Limitations
"a jonction P:$
II-3: La 8onction %-2 relle en r$ime de commutation
Rponse un signal carr
II--: Les applications de la Diode
1)- Redressement
2)- Logiques diodes.
3)- Diodes spciales: Zener, Varicap
Plan Gnral
"a jonction P: idale # lquilibre thermodynamique$
8/* Cration de la jonction
a) Approche mtallurgique.
Silicium type N
lectrons
majoritaires
Silicium type P
trous
majoritaires
Considrons deux matriaux semi-conducteurs de type oppos. Celui
de type N possde de lectrons en excs, lautre, de type P, des
trous.Ces deux matriaux tant isols et les dopages tant homognes,
les densits de porteurs sont constantes dans chaque lment.
Plan Gnral
majoritaires majoritaires
+
+
+
+
+
+
_
_
_
_
_
_
E
Mettons ces deux matriaux en contact.
Les lectrons vont diffuser des zones de forte concentration vers les zones
de faible concentration.Ils vont de ce fait se recombiner avec les trous en
crant des ions fixes dans le rseau.
Ces ions, ngatifs dans la rgion P (atome de bore ayant gagn un lectron) et
positifs dans la rgion N (atomes de phosphore ayant perdu un lectron) vont
donner naissance un champ lectrique qui a tendance sopposer la
diffusion.
Lapparition de ce champ lectrique gnre donc un phnomne de conduction qui cre un flux de porteurs oppos la diffusion.
Lquilibre sera tabli lorsque les deux phnomnes se compenseront. I y aura ce moment l une zone dpourvue de porteurs appele
zone de charge despace sparant deux zones dans lesquelles sont confins les porteurs libres.
Plan du chaptre
P
Si Si
B
D N
+
A N

Le mcanisme de cration des charges est illustr par la figure ci
contre.
Latome de Phosphore qui possdait 5 lectrons priphriques va
perdre un lectron qui va diffuser vers un atome de Bore.
Il devient alors un ion N
D
+
.
Latome de Bore qui gagne un lectron devient un ion N
A
-
.
Ces charges fixes (8 e
-
de valence) vont crer un champ lectrique.
b)- Approche lectrique.
Reprenons les deux matriaux prcdent et, raisonnons maintenant en terme de diagrammes dnergie. Ils peuvent, pour des matriaux
dops, se reprsenter suivant la figure ci contre, dans le cas ou
Plan Gnral Plan du chaptre
dops, se reprsenter suivant la figure ci contre, dans le cas ou
les matriaux sont isols.
E
VN
E
CP
E
F
E
VP
E
CN
E
F
Matriau type N Matriau type P
Pour un matriau de type N, les lectrons tant majoritaires,
le niveau de Fermi se situe prs de la bande de conduction
alors que pour un type P ou ce sont les trous qui sont
majoritaires. Il se situe alors prs de la bande de valence.
Si nous mettons ces deux matriaux en contact, la seule constante qui va exister dans ce systme sera le niveau de Fermi. Le diagramme
de bandes va donc voluer de manire ce que les niveaux de Fermi de chaque constituant salignent et, par consquence, il y aura une
dformation des bandes dnergie.
Loin de la jonction mtallurgique, on va retrouver les matriaux originels par contre, au voisinage de celle ci, il va y avoir courbure des
bandes car elles restent continues. Le passage de la rgion N la rgion P se fait graduellement, sans discontinuit.
La courbure des bandes dnergie fait apparatre une barrire de
potentiel (dou, existence dun champ lectrique) qui va
sopposer au passage des porteurs des rgions de forte
concentration vers les rgions de faible concentration.
Il existe donc deux phnomnes antagonistes:
-Un phnomne de diffusion d au gradient de
concentration,
-Un phnomne de conduction d lapparition
dun champ lectrique induit par la diffusion.
La zone centrale appele charge despace est une zone dans laquelle rgne un champ lectrique important (plusieurs kilovolts par
E
CP
E
VP
E
F
E
CN
E
VN
nergie
Potentiel
Charge despace

La zone centrale appele charge despace est une zone dans laquelle rgne un champ lectrique important (plusieurs kilovolts par
centimtre) et sera donc dpourvue de porteurs libres. Elle se caractrise par sa hauteur et sa largeur . Nous allons dans ce qui suit
dterminer les quations permettant de calculer ces deux lments caractristiques.
?/'* Jtude de la charge despace
Nous allons tablir les quations permettant de calculer la hauteur et la largeur de la zone de charge despace.
a)- Calcul de la largeur de la barrire de potentiel
Pour dfinir les caractristiques de la charge despace, nous allons utiliser des hypothses connues sous le nom d hypothses de Schokley.
Qui snoncent sous la forme suivante:
- La charge despace est limite par des plans parallles au plan de la jonction mtallurgique.
- La charge despace est dpourvue de porteurs libres
- Le champ est nul en dehors de la charge despace (donc le potentiel est constant).
Nous allons, pour tablir les quations permettant de dterminer la hauteur et la largeur de la charge despace, utiliser le modle dfini
partir des hypothses de Schokley. Nous considrerons en outre que le matriau est homogne dans le plan YZ et de ce fait, nous utiliserons
un modle unidimensionnel. La charge lectrique qui existe dans la charge despace correspond donc la reprsentation ci dessous
Entre la limite de charge despace ct N (- x
n
) et la position de la
jonction mtallurgique (x = 0), on a une charge ngative de valeur
constante en fonction de la distance eu gard au dopage uniforme du
matriau. Cette charge vaut:
= + q N
D
.
De la mme manire, cot P, entre la position de la jonction
mtallurgique et la limite de charge despace (x = x
p
), la charge est
constante et ngative. Elle vaut:
= - q N
A
-x
n
x
p
Rgion dop N
Rgion dop P
0
- qN
A
+- qN
D
= - q N
A
Lorsque dans un matriau il existe une charge, on peut lui associer un potentiel grce lquation de poisson. Cette dernire scrit:
0 = +
V
Dans le cas dun modle unidimensionnel, le Laplacien se ramne une simple drive seconde et la relation scrira donc:
0
2
2
= +
x
d
V
d
On va donc rsoudre cette quation successivement dans chacune des zones charges en tenant compte des hypothses de
Schokley, puis on crira les conditions de continuit du champ lectrique et du potentiel la traverse dune surface. Ce calcul
nous permettra non seulement dtablir la relation donnant la largeur de la charge despace, mais aussi mettra en vidence le fait
que la charge despace est globalement neutre.
Pour x compris entre x
n
et 0:
La charge scrit; = + q N
D;
Lquation de poisson est alors:
D N q
x
d
V
d
=
2
2
Lintgrale premire donne an signe prs le champ lectrique. C
x
N q
soit
C
x
N q
x
d
V
d te te
D D
+ = = + =

E E
La constante se dtermine en crivant que le champ lectrique est nul la limite de la charge despace, cest- dire pour x = - x
n
. Cela
donne:
n
D
x
N q
C
te
=
Le champ lectrique scrit donc: ) ( ) ( n
D
n
D
x x
N q
x
d
V
d
soit x x
N q
+ = + + =

E
En intgrant une deuxime fois, on obtient:
C
x x
x
N q
V
te
n
D
+ + = )
2
(
2

La dtermination de la constante dintgration se fera aussi en utilisant les conditions aux limites. Le champ tant nul lextrieur de la
charge despace, le potentiel qui en est lintgrale premire est constant. On le posera gal
n
dans la rgion N. Il sen suit:
n
n
D
te x
N q
C
+ =
2
2
n
D
n
x x
N q
V
+
=
+
) (
2
2
En reportant dans lexpression du potentiel, on obtient:

Le mme calcul fait entre 0 et x
p
donnera des quations similaires. Il suffit de changer x
n
par + x
p
et + qN
D
par qN
A
. On obtient, en
posant que la tension dans la rgion P est gale
p
::
p
A
p
A
p x x
N q
V et x x
N q
+
= =
) (
2
) (
2

E
La continuit du champ et du potentiel en 0 donne: n D p A n
d
p
A
x N x N soit x
N q
x
N q
= = = :

E (0)
Cette relation traduit la neutralit de la charge despace$
Lcriture de la continuit du potentiel en 0 donne: ) (
2
:
) (
2
) (
2
2 2
2 2
) 0 ( n D p A p n n
n
D
p
p
A
x N x N
q
soit
x
N q
x
N q
V + = + = +

Pour simplifier lcriture, on posera: = p n
On obtient donc deux relations faisant intervenir x
n
et x
p
. Il est donc facile de rsoudre le systme afin de calculer qui est la somme de ces
deux termes.
( ) n D p A x N x N = 1
( ) ) (
2
2
2 2
n D p A x N x N
q
+ =

{
A D A D
n p
A
n
D
p
N N N N
x x
N
x
N
x
+
=
+
+
= =

Lquation (1) donne: soit:
A D
D A
D
n
A D
D A
A A D
D
p
N N
N N
N
x et
N N
N N
N N N
N
x
+
=
+
=
+
=

A D
D A
N N
N N
N
+
=
*
Pour des simplifications dcriture, on pose:
Lquation (2) scrit alors:
(
(
(
|
|
\
|
+
|
|
\
|
=

2 2
2
D A
N
N
N
N
N
N
q


Lquation (2) scrit alors:
(
\
|
\
2
D
D
A
A
N N
Tous calculs faits, on obtient:

2
2
N
q

=
qui donne: =

N
q
2
Il suffit donc de calculer la hauteur de la barrire de potentiel pour, connaissant les caractristiques du matriau (dopages et constantes
caractristiques), obtenir la dimension de la charge despace.
b)- Calcul de la hauteur de la barrire de potentiel
Pour dterminer la hauteur de la barrire de potentiel, nous allons nous rfrer sa dfinition partir des diagrammes dnergie.Le
schma de bandes reprsent ci-aprs montre que la hauteur de la barrire peut se dduire de la diffrence dnergie des porteurs de
mme type de part et dautre de la charge despace.
( )
Cp Cn p n
E E
q
= =
1
Or, les densits de porteurs sont directement lies aux nergies. Nous pouvons donc exprimer la densit des porteurs dun mme
type de part et dautre de la jonction.
) ( exp
kT
E E
N n
F C
=
E
CP
E
VP
E
F
E
CN
E
VN
nergie
Potentiel
Charge despace
Lexpression des densit de porteurs scrit:

Si nous crivons cette expression pour les lectrons dans la rgion
N et dans la rgion P, il vient:
Rgion N:
) ( exp
kT
E E
N n
F CN
N
=
Rgion P:
) ( exp
kT
E E
N n
F CP
P
=
( )
Cp Cn p n
E E
q
= =
1
Or:
On en tire:
( )
p n Cn Cn Cp
q E q E E + = + =
On en tire:
p n Cn Cn Cp
En reportant cette valeur de E
Cp
dans celle donnant la densit des lectrons dans la rgion P, on obtient:
) ( exp ) ( exp ) ( exp ) ( exp
kT
q
n
kT
q
kT
E
E
N
kT
E
q E
N n
N
F Cn F Cn
P
=
+
=
) ( exp
T
N P
U
n n

=
Ce qui donne:
q
kT
U
T
=
dans lequel
est appel Tension thermodynamique et vaut 26 mV 300 K
Dans la rgion ou ils sont majoritaires,la densit des lectrons vaut: n
N
= N
D
Dans celle ou ils sont minoritaires, cette densit devient
A
i
p
N
n
n
2
=
En remplaant dans lexpression qui fait intervenir , on a:
2
) ( exp
i
D A
T
P
N
T
T
N P
n
N N
Ln U
n
n
Ln U
U
n n = =
=
Donc:
2
i
D A
T
n
N N
Ln U =
E&ercices
E&ercices sur la jonction P*:6 "a charge despace
Exercice n1) - On considre une jonction P-N dont les caractristiques sont donnes ci dessous.
Rgion N
Rgion P
x
n
x
p
Dterminer les caractristiques de la rgion de charge despace (hauteur et largeur) dans les
diffrents cas suivants:
1)- N
D
= 10
18
cm
-3
, N
A
= 10
16
cm
-3
2)- N
D
= 5 10
18
cm
-3
, N
A
= 2,5 10
16
cm
-3
On tudiera successivement le cas du Germanium et du Silicium.
Dduire de ces rsultats les dimensions lectriques des rgions N et P.
Mme question dans le cas ou les deux rgions ont des dopages identiques gaux : N = 10
16
cm
-3
.
Plan Gnral
Exercice n2) On reprend le cas de la diode correspondant lexercice prcdent (N
D
= 5 10
18
cm
-3
, N
A
= 2,5 10
16
cm
-3
). Recalculer les
dimensions lectriques des rgions dans les cas suivants:
Diode au silicium polarise par:
Une tension directe de 0,6 V
Une tension inverse de 5 V
Diode au Germanium polarise par:
Une tension directe de 0,3 V
Une tension inverse de 5 V
1olution des e&ercices sur la charge despace
Exercice n1) -
Calcul des hauteurs de barrire de potentiel lquilibre thermodynamique.
La hauteur de la barrire de potentiel se dfinit partir de lexpression:
2
i
D A
T
n
N N
Ln U =
Pour le silicium, n
i
= 1,6 10
10
cm
-3
En remplaant par les valeurs numriques, on obtient:
Cas n1)- N
D
= 10
18
cm
-3
, N
A
= 10
16
cm
-3
( )
V Ln
i
813 , 0
610 , 1
10 * 10
10 26
2
10
18 16
3
= =

Cas n2)-N
D
= 5 10
18
cm
-3
, N
A
= 2,5 10
16
cm
-3
Abaque de Rsistivit Tableau des Constantes Abaque de Mobilits
Cas n2)-N
D
= 5 10
18
cm
-3
, N
A
= 2,5 10
16
cm
-3
V 879 , 0 =
Pour le germanium, n
i
= 2,5 10
13
cm
-3
Cas n1)- N
D
= 10
18
cm
-3
, N
A
= 10
16
cm
-3
V 431 , 0 =
V 496 , 0 =
Cas n2)-N
D
= 5 10
18
cm
-3
, N
A
= 2,5 10
16
cm
-3
Calcul de la largeur de la barrire de potentiel.
La largeur, lquilibre thermodynamique, sexprime par la relation:
Dans cette relation, le terme N
*
correspond au dopage effectif. Il scrit:
=

N
q
2
D A N N N
1 1 1
*
+ =
On pourra remarquer que, lorsque les deux dopages sont trs diffrents, cest le plus faible des deux qui conditionne la dimension de
la charge despace.
Pour le silicium, n
i
= 1,6 10
10
cm
-3
Cas n1)- N
D
= 10
18
cm
-3
, N
A
= 10
16
cm
-3
N* =N
A
10 2
2
12
Plan Gnral
m
N
q

318 , 0 813 , 0
10 10 6 , 1
10 2
2
16 19
12
= = =

N
D
= 5 10
18
cm
-3
, N
A
= 2,5 10
16
cm
-3
N* =N
A
m
N
q

209 , 0 879 , 0
10 5 , 2 10 6 , 1
10 2
2
16 19
12
= = =

La rpartition des extensions de charge despace dans les rgions se fait en raison inverse des dopages.
A D A D
n p
A
n
D
p
N N N N N N +
=
+
+
= =

soit:

= =
+
= N
N
et N
N N N
N
D
n
A A D
D
p

Comme nous avons considr que N* = N

A
, toute la charge despace sera dans la rgion P. On aura donc:
W
N
= X
N
et W
P
= X
P
Cas n1)- X
P
= 2,5 0,318 = 2,182 m; cas n2)- X
P
= 2,5 0,209 = 2,291 m.
Pour le germanium, n
i
= 2,5 10
13
cm
-3
Cas n1)- N
D
= 10
18
cm
-3
, N
A
= 10
16
cm
-3
N* =N
A
m
N
q

232 , 0 431 , 0
10 10 6 , 1
10 2
2
16 19
12
= = =

N
D
= 5 10
18
cm
-3
, N
A
= 2,5 10
16
cm
-3
N* =N
A
m
N
q

157 , 0 496 , 0
10 5 , 2 10 6 , 1
10 2
2
16 19
12
= = =

La rpartition des extensions de charge despace dans les rgions se fait en raison inverse des dopages.
Plan Gnral
A D A D
n p
A
n
D
p
N N N N
x x
N
x
N
x
+
=
+
+
= =

soit:

= =
+
= N
N
x et N
N N N
N
x
D
n
A A D
D
p

Comme nous avons considr que N* = N

A
, toute la charge despace sera dans la rgion P. On aura donc:
W
N
= X
N
et W
P
= X
P
Cas n1)- X
P
= 2,5 0,232 = 2,268 m; cas n2)- X
P
= 2,5 0,157 = 2,343 m.
Si les deux rgions ont des dopages identiques, on recalcule la hauteur de la barrire. Elle vaut:0,879 V pour le Silicium et 0,496 V pour le Ge.
Pour ce qui est de la largeur, il faut calculer N* . Les deux dopages tant gaux, N* vaudra la moiti. On peut alors calculer les valeurs de .
On obtient: 0,693 mm pour le silicium et 0,416 mm pour le germanium. Il faut faire attention cette fois-ci que les extensions de charge
despace seront gales dans les deux rgions.
2 2

= = p P n N x W x W
Exercice n2)
Pour une jonction polarise, la hauteur de barrire est modifie. Elle devient:
A
V =
La tension applique est compte en valeur algbrique cest- dire, ngative pour une polarisation inverse, positive pour une
polarisation directe.
Pour le silicium, en polarisation directe, devient: = O,879 0,6 = 0,279 V.
La nouvelle largeur de barrire vaudra: 0,118 m soit sensiblement une division par deux.
Pour une polarisation inverse de 5 V la barrire devient: = 0,879 + 5 = 5,879.
La largeur devient: 0,542 m.
On pourra remarquer que la dimension varie comme la racine carre de la tension applique. Lautre paramtre qui influe sur
cette dimension est le dopage. Si le dopage diminue, la dimension de la charge despace augmente.
Plan Gnral
Pour le germanium, en polarisation directe, devient: = O,496 0,3 = 0,196 V.
La nouvelle largeur de barrire vaudra: 0,099 m soit sensiblement une division par deux.
Pour une polarisation inverse de 5 V la barrire devient: = 0,496 + 5 = 5,496.
La largeur devient: 0,524 m.
"a jonction P: idale hors dquilibre6 Caractristique statique
8/'* Polarisation de la Aonction
Considrons une diode polarise par le biais du circuit reprsent sur le schma ci-contre.
Suivant le sens de la tension V
1
, deux cas de figure peuvent se prsenter.
La tension V
1
a le ple reli la masse
La tension V
1
a le ple + reli la masse
Pour dterminer ltat de polarisation, il faut savoir si la tension applique va sajouter ou se
retrancher la hauteur de la barrire de potentiel.
Nous allons donc reprsenter ci dessous le schma de bandes dune diode et superposer celui
ci la tension de polarisation rsultant de la source externe.
Va
Polarisation en direct; cela
a'* (pproche Physique
Ec
Ev
E
F
V
Ec
Ev
E
F
Ec
Ev
E
F
Va
Polarisation en direct; cela
correspond une
diminution de la hauteur de
la barrire. La nouvelle
barrire vaut:
A
V =
Polarisation en inverse;
cela correspond une
augmentation de la
hauteur de la barrire. La
nouvelle barrire vaut:
A
V + =
b' @4partition des porteurs en e&cs
La figure ci contre montre la rpartition des porteurs dans une jonction
lquilibre thermodynamique en labsence de polarisation extrieure
applique. Les densits sont reprsentes en dehors de la charge despace.
Ln N
N
D
A
i
N
n
2
N
A
D
i
N
n
2
Charge
despace
Rgion N Rgion P
Les densits dlectrons sont reportes en rouge, celles des trous en
bleu.
Si nous appliquons une tension de polarisation aux bornes de cette
diode, celle ci va se superposer la barrire de potentiel afin soit de
laugmenter soit de la diminuer.
Pour une polarisation en direct, la hauteur de la barrire de potentiel diminue. Par consquence, sa largeur aussi. Les densits de
Pour une polarisation en direct, la hauteur de la barrire de potentiel diminue. Par consquence, sa largeur aussi. Les densits de
porteurs aux limites de la charge despace vont donc voluer car elles sont fonction de lnergie donc du potentiel. Nous considrerons
dans tout ce qui va suivre que nous sommes dans le cas dune hypothse de faible niveau dinjection cest dire que, au premier
ordre prs, nous ne perturbons que les densits de porteurs minoritaires.
Les densits de porteurs minoritaires aux limites de la charge despace sont fonction de lnergie qui elle mme dpend du potentiel
appliqu. Par exemple pour les lectrons dans la rgion P, leur densit scrit:
T
F C
F C
U
V
n
kT
qV
kT
E E
N
kT
E qV E
N n exp exp ) exp( ) exp( =
=

=
Lexcs de densit est donc:
( ) 1 exp exp = = =
T T U
V
n n
U
V
n n n n
Il en est de mme pour les trous dans la rgion N
( ) 1 exp =
T U
V
p p
A
i
N
n
2
D
i
N
n
2
Trous
excdentaires
p
lectrons
excdentaires
n
Une autre faon de dterminer lexcs de densit des porteurs la limite de la charge despace est dutiliser la relation entre les densits des
porteurs dun mme type de part et dautre de la barrire de potentiel. Cette relation scrit lquilibre et par exemple pour les lectrons:
) ( exp ) ( exp
2
kT
q
N
kT
q
n
N
n
n D N
A
i
P
= =
Lorsquon polarise la jonction, la hauteur de barrire est modifie et devient: dans lequel, Va est compt en valeur algbrique.
La relation entre les densits sobtiendra donc en remplaant dans lexpression ci dessus la tension lquilibre thermodynamique par la
nouvelle valeur hors dquilibre, soit:
A
V =
( )
(
= 1 ) ( exp ) ( exp ) ( exp ) ( exp ) ( exp ) ( exp

2
kT
V q
kT
q
N
kT
q
N
kT
V q
N
kT
q
N
kT
q
N
N
n
n
a
D D
a
D D D
A
i
p
Lexcs de densit des porteurs la limite de la charge despace sobtiendra donc en faisant la diffrence entre la densit totale (voir
expression ci dessus) et la densit lquilibre thermodynamique . On obtient donc:
A
i
N
n
2
( V
( )
) ( exp
2
kT
V q
N
N
n
n
a
D
A
i
P

= =
Cette relation scrit donc:
(
= = 1 ) ( exp
T
a
U
V
n n n n
On obtient une quation identique pour les trous en changeant
simplement n en p. Cette relation est valable quelle que soit la
polarisation (directe ou inverse). On peut remarquer en effet
que si Va est positif et grand devant U
T
, lunit est ngligeable
devant lexponentielle, si Va est ngatif, cest lexponentielle
qui est ngligeable et que la variation de densit est alors
ngative. Ceci est illustr sur le schma ci contre et explique le
fait que le courant change de sens avec la polarisation
(inversion du gradient de concentration) dune part, et dautre
part que le courant inverse thorique soit une constante car sa
valeur dpendra de lexcs de densit qui est gale, au
maximum la densit dquilibre.
Variation de la densit des
porteurs en fonction de la
polarisation
Densits
dquilibre
Polarisation
Directe
Polarisation
Inverse
?/'* Caractristique statique
Dans ce qui prcde, nous venons de montrer que, lorsquon polarise une diode, on gnre un excs de densit
de porteurs. Il existe donc un gradient de concentration et par consquence, il y aura diffusion de porteurs. La loi de rpartition des porteurs
en excs sera donne par la solution de lquation de conservation (diapositive 71) applique au cas particulier de la diode.
Cette quation scrit, dans le cas gnral,pour les trous : r g j div
q dt
dp
p + =
r
1
On obtient la mme quation pour les lectrons en remplaant p par n.
Contact
mtallique
Rgion N
p
Nous allons tudier la solution de cette quation dans
le cas de la diode reprsente ci-contre. Pour ce, nous
considrerons simplement la diffusion des trous dans la
rgion N (hypothse de faible niveau dinjection). La
contribution des lectrons dans la rgion P pourra se
dduire directement de ces calculs.
a'* Cas gnral
x W
0
C
h
a
r
g
e

d
e
s
p
a
c
e
p
p
( ) x p
dduire directement de ces calculs.
Pour pouvoir traiter cette quation, il faut connatre les
conditions correspondant notre dispositif.
La premire constatation qui simpose est que la
gnration se situe exclusivement dans le plan x=0. Il
ny a donc pas de gnration en volume et de ce fait le
terme g de lquation de conservation est nul.
La deuxime constatation est que, toute la tension
applique se retrouvant aux bornes de la charge
despace, la rgion N dans laquelle diffusent les
porteurs est quipotentielle. Il ny a donc pas de champ
lectrique dans cette zone ce qui implique que le
courant est essentiellement d la diffusion.
Tout ceci permet de simplifier lquation de conservation qui se rduit : r j div
q dt
p d
p
1
=
r
Le courant tant exclusivement d la diffusion, lquation scrit:
p
p grad D q div
q t
p
x p
) (
1
) ( =

Nous allons tudier cette quation en rgime permanent ce qui implique: 0 =
t
p
Le cas du modle unidimensionnel entrane que les drivations se font exclusivement suivant laxe des x. Il sen suit:
0
2
2
=
p
x
d
p
d
Dp
Il suffit donc de connatre les conditions aux limites en 0 et en W pour obtenir la solution de cette quation. Elles scrivent:
en x = 0;
( ) ) 1 exp( 0 0 = =
T U
V
p p p
en x = W;
( ) 0 = W p En effet, quelle que soit la distance W, le contact ohmique impose un excs de densit nul
Les dtails des calculs ont t faits prcdemment (diapositive 77 et suivantes).
( )
p
N
p
N
L
x W
L
x W
p
N
x
L
W
sh
L
x W
sh
p
e e
L
W
sh
p
p p
N
p
N
= =

0
0
) (
2
Les dtails des calculs ont t faits prcdemment (diapositive 77 et suivantes).

Le rsultat est:
Lexpression du courant est obtenue partir de la drive de la distribution. Le calcul donne:
p
N
p
N
p
p
p
N
p
N
p x
L
x W
ch
L
W
sh L
p D q
L
W
sh
L
x W
sh
p
dx
d
D q p J

=
=
0
0 ) (
) (
Un calcul identique pour les lectrons donne:
n
P
n
P
n
N
x
L
x W
ch
L
W
sh L
n D q
n J

= =
0
) (

Le courant total sera donc la somme de ces deux termes (en multipliant par la surface de la jonction). Cela donne:
( ) ( )
(
(
= + =
p
N
p
N
P
n
P
n
P
n
N
J x x J x
L
x W
ch
L
W
sh Lp
p D q
L
x W
ch
L
W
sh L
n D q
A p J n J A I
0 0
) ( ) (

Le calcul de ce courant dans le plan x = 0 donne: ( )
(
(
+ =
p
N
p
P
n
P
n
N
J
L
W
th L
p D q
L
W
th L
n D q
A I
0 0
0

En explicitant les termes n
0
et p
0
, il vient: ( ) ( ) 1 exp
2
0
(
(
+ =
T
p
N
p D
P
n
P
n A
N
i
J
U
V
L
W
th L N
D
L
W
th L N
D
n A q I
Cette expression fait apparatre deux termes. Une constante qui ne dpend que des caractristiques gomtriques et des dopages et
un terme qui fait apparatre la tension de polarisation. Le terme constant est appel courant inverse thorique. Il a pour expression:
(
(
(
+ =
p
N
p D
P
n
P
n A
N
i
J s
L
W
th L N
D
L
W
th L N
D
n A q I
2
Lexpression du courant dune diode peut donc se mettre sous la forme:
( ) [ ] 1 exp =
T
s
U
V
I I
b'* Cas particulier de la diode courte
Nous avons vu que, lorsque les dimensions des rgions son petites vis--vis des longueurs de diffusion, on peut simplifier les expressions.
En effet les termes en W/L interviennent sous forme de tangentes hyperboliques qui, pour des faibles valeurs de largument, peuvent se
linariser.
3
1
339 , 0
3
1
; , 1 nt sensibleme soit th exemple par th pour = <<
On considrera donc que si cette condition est vrifie, les quations vont se simplifier.
Lexpression du courant inverse thorique scrit dans le cas dune possible simplification:
(
+ =
N D
P
P A
N
i
J s
W N
D
W N
D
n A q I
2
W
L
W
Lth
Ce cas sera celui que lon rencontrera gnralement.
On pourra remarquer que dans ce cas, les diffrentes quations qui ont t tablies sont linarise. La distribution des porteurs suivra une
loi linaire. Cet tat de fait prsente un intrt notable car le courant qui est proportionnel la drive de la distribution est alors constant
et indpendant de la position. Ceci est reprsent sur le schma ci dessous.
P+ N
4emarques importantes6
La charge despace stend presque exclusivement du
ct le moins dop.
}
Charge despace Dimensions lectriques
Densit dquilibre des minoritaires
Jonction
mtallurgique
Densit de courant
ct le moins dop.
Les dimensions lectriques qui interviennent dans les
quations sont les dimensions effectives sur lesquelles
diffusent les porteurs. Elles se dduisent des dimensions
gomtriques et des extensions de la charge despace.
Le courant est presque exclusivement celui des
minoritaires dans la rgion la moins dope.
On peut donc conclure que tout se passe du ct le moins
dop.
c'* Aonction dissymtrique
Lexpression du courant inverse thorique fait apparatre deux termes correspondant aux courants de diffusion des porteurs minoritaires
dans chacune des rgions. Chacun de ces termes est inversement proportionnel la densit des porteurs majoritaires de la rgion
correspondante. Si la jonction est franchement dissymtrique, le courant correspondant cette dernire sera trs petit et pourra
gnralement tre nglig.
Tout se passera comme si seule la rgion la moins dope intervenait.
Pour une jonction P
+
N, le courant sera essentiellement un courant de trous qui dpendra des caractristiques de la rgion N. Il suffira
dinverser les indices relatifs la rgion ou aux porteurs pour obtenir le cas N
+
P.
Dune manire gnrale, le courant inverse thorique dpendra des lments mentionns ci dessous.
N D
P
i
J s
W N
D n
A q I
2
=
Densit des
minoritaires dans la
rgion
Dimension
lectrique de la
rgion
Constante de diffusion des
porteurs minoritaires dans la
rgion
Aire de la jonction
Charge de llectron
E&ercices
E&ercices sur la caractristique statique6 diode idale
On considre une jonction N
+
P au silicium (modle unidimensionnel) reprsente ci-dessous.
x
n
x
p
W
n
W
p
P N
+
On donne:
N
D
= 10
18
cm
-3
X
N
= 1,5 m
N
A
= 5 10
15
cm
-3
X
N
= 2,5 m
Aire de la jonction: Aj = 70 m * 70 m
. 10 10 :
3 16 6
= = cm N pour s donne on et
N
k

On se propose dtudier la caractristique I(V) de ce composant.
Pour ce, on dterminera:
Plan Gnral
Les paisseurs des charges despace lquilibre thermodynamique dans chacune des rgions afin de calculer les dimensions
lectriques.
Lexpression analytique des composantes I
SN
et I
SP
des courants inverses thoriques lis la diffusion en zone neutre.
Le rendement dinjection de cette diode.
Application numrique:
Dterminer les valeurs de tensions directes correspondant des courants de 1 A, 10 A, 100 A, 1mA, 10 mA
Tracer la caractristique de cette diode idale.
1olution des e&ercices sur la caractristique statique
Caractristiques de la zone de charge despace.
Hauteur de la barrire de potentiel:
Largeur de la barrire de potentiel:
V
n
N N
Ln U
i
D A
T 745 , 0
2
= =
m
N
q

434 , 0
2
= =

Compte tenu des valeurs de dopages, la charge despace est entirement dans la rgion P. Les dimensions lectriques sont donc:
Ct N : W
N
= X
N
= 1,5 m,
Ct P : W
P
= X
P
= 2,5 0,434 = 2,06 m.
Dtermination des composantes analytiques des courants:
Pour dterminer les expressions permettant de calculer les courants inverses dans les deux rgions, il est ncessaire de savoir si nous
Plan Gnral Abaque de Mobilits
Pour dterminer les expressions permettant de calculer les courants inverses dans les deux rgions, il est ncessaire de savoir si nous
avons affaire des rgions courtes ou non. Il faut donc calculer les longueurs de diffusion des porteurs minoritaires dans chacune des
rgions afin de les comparer aux dimensions des rgions correspondantes.
Le calcul des longueurs de diffusion ncessite la connaissance de la constante de diffusion qui est elle mme fonction de la mobilit.
Nous allons donc utiliser les abaques de mobilit comme point de dpart.
Nous allons dresser un tableau dans lequel nous noterons successivement:
La mobilit des porteurs minoritaires dans la rgion considre
La constante de diffusion correspondante en utilisant la relation dEinstein:
La dure de vie partir de la relation de proportionnalit de lnonc
La longueur de diffusion partir de la relation de dfinition
Le rapport W/L correspondant.
p p p D L =
T U
q
kT
D
D
p
p
n
n
= =
|
\
|
=
|
\
|

Rgion N Rgion P
Dopage (cm
-3
) N
D
=10
18
N
A
=5 10
15
minoritaires
(cm
2
/Vs) 140 1280
D (cm
2
/s) 3,64 33,3
(s) 10
8
2 10
-6
L (cm) 1,9 10
-4
81,6 10
-4
0,789
Rgion normale
3,18 10
-2
Rgion courte
L
W
Le tableau de la page prcdente montre que la rgion N ne pourra pas tre considre comme courte par contre, la rgion P le
sera. Les expressions des courants inverses dans chacune des rgions scriront:
A
L
W
th L N
D
n A q I
p
N
p D
P
i
J SP
17 2
10 82 , 5

=
(
(
(
= Pour la rgion N:
A
W N
D
n A q I
P A
N
i
J SN
14 2
10 46 , 6

=
(
=
Pour la rgion P:
On peut remarquer que le courant est essentiellement constitu de la composante correspondant aux lectrons dans la rgion P ce qui,
compte tenu des valeurs de dopages tait prvisible.
Rendement dinjection dune diode.
Ce terme, gnralement dsign par
E
, est le rapport du courant inverse thorique dans la rgion la moins dope, sur le courant
total la jonction. Il sera surtout utilis dans ltude du transistor bipolaire.
I
I I I
I
SN
SP SN SP
SN
E
+
=
+
=
1
1
Pour une jonction N+ P on aura: . Pour une P+ N, on inverse le rapport du dnominateur.
Ce terme est extrmement voisin de lunit et ncessitera un calcul prcis. Dans notre cas, il vaut:
E
= 1 9 10
-3
= 0,9991
Trac de la caractristique.
Lexpression du courant scrit: avec, I
S
= I
SN
. On en dduit: ( ) [ ] 1 exp =
T
s
U
V
I I
|
\
|
=
= 1
S
T
S
S
T
I
I
Ln U
I
I I
Ln U V
Il suffit donc de remplacer par les valeurs. On obtient le tableau suivant:
Courant (mA)
0,001 0,01 0,1 1 10
Tension (V)
0,43 0,49 0,55 0,61 0,67
On peut donc, partir de ceci, tracer la caractristique de cette
I
D
On peut donc, partir de ceci, tracer la caractristique de cette
diode. On pourra remarquer que la tension augmente de 60 mV
lorsque le courant est multipli par 10 ce qui donne une pente de
la caractristique trs importante et pourra justifier le fait que
souvent on approxime la caractristique de la diode une
caractristique rectangulaire (interrupteur ouvert ou ferm)..
V
D
0
Trac sur du papier semi-logarithmique, on obtient une droite de
pente 60 mV par dcade de courant pour la partie directe.
Les calculs prcdents peuvent donc se rsumer comme suit:
Cas gnral: ( ) ( ) 1 exp
2
0
(
(
+ =
T
p
N
p D
P
n
P
n A
N
i
J
U
V
L
W
th L N
D
L
W
th L N
D
n A q I
Jonction
dissymtrique (N
+
P)
( ) ( ) 1 exp
2
0
(
(
=
T
n
P
n A
N
i
J
U
V
L
W
th L N
D
n A q I
Jonction courte
( ) 1 exp
2
+ =
T N D
P
P A
N
i
J
U
V
W N
D
W N
D
n A q I
I
D
Jonction dissymtrique
courte (N
+
P)
( ) 1 exp
2
=
T P A
N
i
J
U
V
W N
D
n A q I
La caractristique correspondante, pour une diode idale est reprsente sur le graphique dessus. On peut remarquer que cet
lment prsente une caractristique non linaire. En direct elle se comporte comme un interrupteur ferm, en inverse comme un
interrupteur ouvert.
Les diodes ont t utilises en logique pour ralise des fonctions lmentaires avant lutilisation de fonctions intgres.
V
D
0
"a jonction P: idale en rgime dynamique6modle au 8er ordre
"<)- =horme de superposition des tats+
La rponse dun circuit lectronique lapplication dun signal lectrique peut savrer complique tablir. Il existe toutefois un cas pour
lequel cette tude va pouvoir se simplifier. Cela correspond ltude des systmes linaires.
Un systme sera dit linaire sil peut tre dcrit par un ensemble dquations diffrentielles linaires ce qui, pour nous sera quasiment
toujours le cas.
Supposons le cas dun circuit quelconque auquel on applique un signal tel que celui ci-dessous. Ce dernier peut se dcomposer en :
-Une composante continue reprsente par la valeur moyenne du signal en fonction du temps
-Une valeur instantane correspondant au signal valeur moyenne nulle.
v
v
V
v
t
0
V
0
v
(t)
t
0
V
0
t 0
v
(t)
{
+
Composante continue
Composante
variationnelle
La rponse dun circuit une sollicitation du type de celle que nous venons de dfinir pourra donc se dcomposer en deux parties.
-Une tude statique permettant de dterminer les valeurs des courants continus dans les mailles et des tensions continues
aux diffrents nuds ainsi que les modles quivalents des composants actifs autour de leur point de polarisation. Elle sera faite en
prenant en compte la valeur moyenne du signal dentre.
-Une tude dynamique pour la quelle on utilisera la composante variationnelle du signal. Pour cette tude, les composants
actifs seront reprsents par leur modle quivalent dtermin prcdemment lors de ltude statique.
Etude statique ou Polarisation$
Les capacits seront considres comme des circuits ouverts,
Les bobines comme des court circuits
Les sources de tension alternatives comme des court circuits (valeur moyenne nulle)
Les sources continues seront prises en compte.
Pour ltude du comportement frquentiel dun systme, on considrera gnralement trois domaines de frquence dans lesquels les
composants tels que capacits ou bobines auront des comportements diffrents. Dans les circuits que nous tudierons, les composants
passifs que nous utiliserons seront essentiellement des rsistances et des capacits.
Pour les capacits, nous ferons une diffrence entre les capacits physiques introduites dans les circuits afin de raliser des
liaisons ou utilises pour des dcouplages gnralement de fortes valeurs (lordre de grandeur est le Microfarad) et les capacits
structurelles des composants actifs correspondant aux lments du modle dynamique (lordre de grandeur est le Picofarad). Ces lments
auront des comportement diffrents dans chacun des domaines frquentiels que nous allons dfinir
Les sources continues seront prises en compte.
Ces diffrentes considrations permettent dtablir le schma quivalent statique qui permettra de calculer la polarisation et dtablir le
modle quivalent dynamique utilis par la suite dans ltude dynamique.
Etude dynamique ou frquentielle$
Domaine des Moyennes frquences:
Les capacits de fortes valeurs (liaisons et dcouplages) seront considres comme des court-circuits
Les capacits de faibles valeurs (capacits des modles des composants) seront considres comme des circuits ouverts
Les sources de tension continues seront considres comme des court-circuits (rsistance dynamique nulle).
Domaine des Basses frquences:
Les capacits de fortes valeurs (liaisons et dcouplages) interviennent
Les capacits de faibles valeurs (capacits des modles de composants) seront considres comme des circuits ouverts
Domaine des Hautes frquences:
Les capacits de fortes valeurs (liaisons et dcouplages) seront considres comme des court-circuits
Les capacits de faibles valeurs (capacits des modles de composants) interviennent
Cette dcomposition en trois >ones permet une tude beaucoup plus aise et donne des
rsultats absolument satisfaisants permettant de dcrire de faNon simple le comportement des
circuits linaires$
Cette dcomposition en trois >ones permet une tude beaucoup plus aise et donne des
rsultats absolument satisfaisants permettant de dcrire de faNon simple le comportement des
circuits linaires$
0n peut donc rsumer tout ceci de la manire suivante (on limite ltude en frquences aux moyennes frquences).
e(t)
e(t) s(t)
H(t) ?
s(t) =
E
0
E S
= C.O
Tensions continues
Courants continus
E
0
S
0
= C.C
e
(t)
+
v(t) s(t)
= C.C
= C.C
Courants continus
Modle quivalent des
composants actifs
s(t)
v(t)
C.O = Circuit Ouvert
C.C = Court Circuit
?/'* Calcul du point de polarisation
Considrons le circuit reprsent ci dessous.
Le problme consiste dterminer la valeur du courant continu I
D
circulant
dans le circuit ainsi que de la tension V
D
existant aux bornes de la diode.
On a donc deux inconnues ce qui ncessite de disposer de deux quations.
La premire quation correspondra lcriture de la loi dOhm pour la maille
considre (quation externe au composant), la deuxime sera lquation
caractristique du composant (quation interne au composant).
La rsolution de ce systme de deux quations deux inconnues nous donnera
donc la solution permettant de calculer courant et tension. Cette solution est
unique.
}
E
R
I
D
V
D
D
Les quations scrivent:
Pour la loi dOhm:
( ) [ ] 1 exp =
T
D
s D
U
V
I I
D D V I R E + =
Pour lquation de la Diode:
Ce systme dquations na pas de solution analytique car il appartient au groupe des quations transcendantes
Il faut donc trouver des mthodes de rsolution autres. Trois possibilits vont alors soffrir nous:
Une mthode Graphique
Une mthode Itrative
Une mthode Approche.
Nous allons examiner successivement ces diffrentes mthodes.
}
1
2
Mthode Graphique:
Elle consiste reprsenter les deux quations sur un mme graphique.
Une droite correspondant la loi dOhm
La loi exponentielle caractristique de la diode
I
I
D
Point de polarisation
Lintersection de ces deux lois nous donne le point de
polarisation qui permet dobtenir les valeurs de la tension V
D
aux
bornes de la diode et du courant I
D
circulant dans le circuit.
Malheureusement, le trac de la caractristique de la diode doit
se faire partir de relevs de mesures ce qui est compliqu et
trs lourd raliser. On ne dispose pas toujours du matriel
V
0
V
D
trs lourd raliser. On ne dispose pas toujours du matriel
ncessaire permettant deffectuer le relev de la caractristique.
La prcision du rsultat est lie la prcision du trac, donc pas
trs bonne.
Mthode Itrative:
Elle pratique par approximations successives en passant
successivement de la loi dOhm la caractristique de la
diode, puis de la caractristique de la diode la loi dOhm
etc. Cette mthode est assez rapide dans ce cas eu gard
la pente trs importante de la caractristique de la diode.
Le point de dpart peut-tre quelconque. Cette mthode ncessite toutefois de
connatre la valeur de Is ce que les constructeurs ne donnent gnralement pas.
Mthode Approche:
I
D
V
D
0
Elle est base sur le fait que la caractristique statique dune diode
peut, du fait de la pente trs importante de la loi I(V), sapproximer
par une caractristique rectangulaire comme le montre la figure ci
contre. Il suffira donc de se donner la valeur de la tension de coude
V
0
et de rsoudre le systme correspondant.
La valeur couramment utilise, pour le silicium, vaut: 0,6 V.
I
D
V
D
0 V
0
Exercice dapplication.
Nous allons comparer les rsultats obtenus partir de la mthode approche et de la mthode itrative pour un mme exemple
correspondant au circuit ci dessous.
I
correspondant au circuit ci dessous.
12 V
10 k
I
D
V
D
D
V
D
I
D
0
12 V
1,2 mA
La diode est caractrise par son courant inverse thorique qui vaut: Is = 10
13
A.
Si nous utilisons la mthode itrative, il faut se fixer un point de dpart.
Prenons par exemple une tension nulle aux bornes de la diode: point (1)
Le courant dans le circuit vaut: I = (E/R) = 1,2 mA.
I
D
(1) (2)
(3) (4)
(5)
Si ce courant circule dans le circuit, la tension aux bornes de la diode vaut,
point (2). V
D
= U
T
Ln (I/Is) = 0,603 V.
Si cette tension existe aux bornes de la diode, le courant circulant dans le
circuit vaut donc point (3): I = ((E V
D
)/R) = 1,1397 mA.
Pour ce courant, la tension vaut, point (4): 0,602 V.
Le nouveau courant vaut alors, point (5): I = 1,13979 mAetc.
Il nest donc pas ncessaire de pousser le calcul plus loin vu lcart entre les deux dernires valeurs. Le courant dans le circuit vaut donc:
I = 1,14 mA
Avec la mthode approche, nous pouvons crire: VD =0,6 V donc I = (E VD)/R) = 1,14 mA. Si au lieu de prendre VD = 0,6 V on
prend 0,7 (erreur de 16 % sur la tension) la variation de courant est trs faible. On obtient en effet I = 1,13 mA soit une variation relative
de 0,8 % ce qui est ngligeable. Cette mthode sera donc systmatiquement utilise pour calculer les points de polarisation.
-/'*2odle quivalent de la diode polarise en direct6
Nous allons, dans ce qui suit, nous intresser au fonctionnement dynamique, cest dire, vis vis de lapplication dun signal sinusodal.
Considrons le signal reprsent sur la figure ci contre que nous
appliquons sur le montage ci dessous.
v(t)
I
D
V
D
R
D
v(t)
t
E
0
e
~
Ltude de ce circuit peut se dcomposer en deux parties comme dcrit
prcdemment.
Nous allons donc, dans une premire phase nous intresser la rponse du circuit vis vis de la valeur moyenne du signal dentre.
Cela permettra de dterminer le point de polarisation cest dire la valeur des tensions continues aux diffrents nuds et des courants
continus dans les diffrentes branches. Pour ce, nous utiliserons la source de tension continue E
0
.
La source de tension v(t) peut se
reprsenter de la manire montre ci-
contre.
v(t)
t
E
0
e
~
I
V
La dtermination du point de polarisation se fait donc comme
prcdemment en ne prenant en compte que la valeur moyenne du
signal cest- dire E
0
.
Nous allons ensuite superposer cette valeur moyenne la variation
sinusodale. Tout se passe comme si, en fonction du temps, on
faisait varier la tension E
0
comme le montre la figure.
Lquation de la maille peut scrire tout D D V I R E + =
0
t
Lquation de la maille peut scrire tout
instant, la tension E tant comprise entre . La
droite de charge va donc se dplacer entre deux limites extrmes
comme le montre la figure.
D D V I R E + =
e E et e E
~ ~
+
Le point de fonctionnement sera en permanence lintersection de la
caractristique de la diode et de la droite de charge. Cela
reprsentera donc la partie de la caractristique en noir.
Afin de mieux comprendre ce qui se passe, nous allons faire un
agrandissement de la zone du graphique entoure par le cercle vert.
Lagrandissement autour du point de fonctionnement est reprsent sur la
figure ci-contre.
Pour de faibles variations de lamplitude de la tension sinusodale par
rapport la valeur moyenne du signal (E
0
), on pourra, sans commettre
derreur importante, considrer que lon peut approximer la courbe et sa
tangente.
a) Rsistance dynamique.
On peut donc en conclure que, pour des petites variations autour dun point de
fonctionnement, on peut linariser la caractristique de la diode et, par
consquent, considrer quelle est assimilable un lment dont la
caractristique , dans le plan I(V), est une droite.
I
0
V
0
Un tel lment est assimilable une rsistance. On parlera donc de rsistance dynamique .
La rsistance dynamique dune diode autour dun point de fonctionnement est donc le rapport entre la variation de tension et la variation
de courant au point considr (cest la valeur de la drive en ce point).
( )
( ) 0 I I
dI
dV
rd
=
=
Or, la caractristique de la diode en polarisation directe scrit: qui, en direct peut sapproximer en
considrant que lunit est ngligeable devant lexponentielle:
( ) [ ] 1 exp =
T
D
s D
U
V
I I
La drivation de lexponentielle revient une division par U
T
ce qui donne:
( ) ( )
( )
( )
O
T
T
S
T
I I T
S
T I
U
U
V
I
U
dI
dV
r soit dV
U
V
I
U
dI d = = = =
=
exp
exp
1
0
b) Capacit de diffusion.
Nous avons vu, lors de ltude de la diffusion (diapo 76) que, la polarisation entranant un excs de densit de charges, il en rsultait une
charge stocke qui pouvait se mettre sous la forme du produit dun courant par un temps:
t I Q p0 =
Le temps qui apparat dans cette relation peut-tre:
- La dure de vie dans le cas dune diode longue,
- Le temps de transit dans le cas dune diode courte.
Le courant tant une fonction de la tension, si celle-ci varie, il en sera de mme pour I, donc pour Q. On peut donc exprimer la variation de
charge induite par une variation de tension.
( )
( ) ( )
t
dV
U
V
I d
dV
t I d
dV
dQ
T
s
p
exp
0
= =
t
dV dV dV
= =
Dans le cas dune diode courte, le temps qui intervient est gal au temps de transit des porteurs et vaut . On sait que la drivation de
lexponentielle correspond une division par U
T
, ce qui donne:
D
W
2
2
D
W
U
I
dV
dQ
T 2
2
0
=
Le terme est homogne une capacit.
On lappelle Capacit de diffusion
dV
dQ
N
+
P
Le schma ci-contre montre cette variation de charge due la variation
sinusodale de tension qui entrane une modification de la densit des porteurs
injects au rythme de la modulation.
Variation de
charge due la
variation de
tension
Les calculs prcdents permettent de montrer que, pour des petites variations de tension autour dun point de polarisation, le
comportement dune diode en polarisation directe peut tre assimil celui dun circuit R C dans lequel la rsistance est donne par la
rsistance dynamique et la capacit correspond la capacit de diffusion . On pourra donc, pour ltude dynamique du montage
remplacer la diode par ce modle quivalent qui traduira parfaitement son comportement.
En dynamique
C
d
r
d
Le modle dynamique est donc reprsent sur le schma
ci-contre.
Les lments de ce modle prsentent une particularit
intressante; en effet leur produit est une constante qui ne
dpend que des caractristiques dimensionnelles et des
dopages du composant. La construction dune diode permet
de connatre son domaine dapplication du point de vue
limitation en frquence car la frquence de coupure dun
circuit R C est inversement proportionnelle la constante de
circuit R C est inversement proportionnelle la constante de
temps.
D
W
C
D
W
I
U
U
I
C d
d
T
T
d
d
r r
2 2
2 2
0
0
= =
B/'*2odle quivalent de la diode polarise en inverse) capacit de transition6
Lorsque une diode idale est polarise en inverse, le courant qui la traverse est constant et gal Is; cest dire, infiniment petit. La
rsistance dynamique correspondante est donc infinie.
En ce qui concerne les effets capacitifs, le phnomne associ Is est ngligeable. Par contre, la polarisation inverse dveloppe la charge
despace car cette dernire voit sa largeur augmenter comme la racine carre de la tension inverse applique. Cette charge despace est
dpourvue de porteurs libres et peut donc tre considre comme un isolant de permittivit relative gale 12.
Les rgions quasi neutres sont quipotentielles et donc, tout se passe
comme si les contacts extrmes se trouvaient ramens aux bornes de
la charge despace (fig ci contre). Le modle du composant est donc
quivalent une capacit appele capacit de transition et note
C
T
.
Cette capacit est donc une capacit plane compte tenu de la
gomtrie du composant et sexprime donc par une relation de la
forme:
j
T
A
C =
N
+
P
Aj tant laire de la jonction.
On peut exprimer cette capacit en fonction de la tension

applique. Lexpression sobtient en remplaant par sa valeur en
fonction de la tension. Cela donne:
( ) a
j
T
V
N
q
A
C

=
2
On peut remarquer que cette capacit dcrot lorsque la
tension inverse augmente. On exprime souvent la
capacit en polarisation inverse en fonction de la
capacit lquilibre thermodynamique. On obtient:
( ) ( )
2
1
0 |
\
|

=
a
T V T
V
C C a
C
0
C
T
Va
0
Variation de la capacit de
transition en fonction de la tension
inverse
On peut donc rsumer les modlisations possibles dune diode en fonction de son tat de polarisation par les lments reprsents ci-
dessous.
En dynamique
C
R
C
d
r
d
En dynamique
C
R
C
T
R=
8
"a jonction P*: relleK effets de second ordre et limitations
8/'* Aonction P: en polarisation directe
a)- Rsistance srie
Tous les calculs prcdents ont t faits dans le cas dun composant idal. La ralit est lgrement diffrente. Nous allons essayer, dans ce
qui suit, de mettre en vidence les lments de modlisation ncessaires permettant de satisfaire les contraintes technologiques tout en
rendant compte au mieux du comportement du composant rel.
Le premier problme qui se pose est un problme dimensionnel. Les composants que nous avons tudi avaient des dimensions de lordre
de quelques microns. Ceci tait rendu ncessaire par les conditions de diode courte qui permettaient davoir des composants de bonne
qualit. Or, la fabrication de ces diodes est une opration qui est effectue sur des plaquettes de silicium dont le diamtre se situe
actuellement entre 6 et 8 pouces soit environ de 15 20 centimtres. Il est absolument impensable de pouvoir utiliser des rondelles de tels
diamtres dont les paisseurs seraient de quelques microns.
Les plaquettes utilises en technologie classique sont du type de celles
reprsentes ci-contre.
e ~1 mm
Mplat permettant de reprer lorientation
cristalline
reprsentes ci-contre.
Cela va induire un certain nombre de modifications sur les calculs raliss
prcdemment.
Nous allons, dans un premier temps, voir quelques notions de base de la
technologie du silicium afin de comprendre comment ont volu les aspects
technologiques sur les quarante dernires annes.
Les premiers composants ont t raliss dans les annes cinquante. Les
diodes, pour des faibles puissances taient des diodes pointe constitues
dun contact mtallique sur un matriau semi-conducteur. Il tait trs
difficile de raliser des diodes courtes eu gard lpaisseur minimum de
la plaquette ncessaire pour la ralisation du composant. Les techniques
voluant, nous arrivons la diode diffuse.
Dans les annes 1960-70, les diamtres de plaquettes taient de lordre de 2 3 pouces et les paisseurs de lordre de 300 m. Nous allons donc
raisonner sur de telles dimensions.
La diode est obtenue par diffusion dimpurets dun type donn sur un
substrat de type oppos.
Pour ce, un certain nombre doprations prliminaires sont ncessaires.
La premire consiste oxyder la plaquette afin de la protger de la
diffusion (1). Sans cela, les impurets diffuseraient sur les deux faces et,
au lieu dobtenir une jonction P-N, on en aurait une sur chaque face de la
plaquette. Cette silice est obtenue par oxydation thermique du silicium.
Lopration seffectue des tempratures de lordre de 1000 1100 C,
dans un four en prsence dOxygne (soit sec soit humide).
Couche de Silice (thermique)
(1)
La plaquette ainsi oxyde est compltement protge vis vis du milieu
extrieur. Il va falloir ouvrir des zones dans cette couche afin de permettre
(3)
(4)
(5) (6)
(7)
extrieur. Il va falloir ouvrir des zones dans cette couche afin de permettre
aux impurets de diffuser dans le silicium. Ceci va se faire grce des
oprations de masquage et de photogravure (photolithographie). Cette
technique, mise au point par Noyce et Hoerni date de 1962. Elle se
dcompose de la manire suivante.
Dpt dune rsine photosensible sur la silice (2)
Interposition du masque (3)
Insolation de la rsine laide dune lumire gnralement bleue (4), la
rsine ainsi insole devient soluble dans son rvlateur.
Gravure de la silice dans les zones non protges (5) puis enlvement de la
rsine.
Diffusion des impurets en deux phases:prdpt (6) suivi dune
redistribution (7), puis enlvement de la silice sur les deux faces (8).
(2)
(3) (5) (6)
(7)
(8)
On obtient ainsi des tranches de silicium sur lesquelles
on a ralis un nombre important de diffusions
simultanment. Il faudra sparer les diffrents
composants en dcoupant les plaquettes.
Les diodes ainsi ralises se prsentent sous la forme suivante.
Nous allons dfinir les caractristiques des diodes ainsi ralises. Le
premier problme concerne la longueur de la rgion P (300 m) ce qui ne
permet pas davoir une diode courte et de ce fait, le courant au niveau du
contact sera relativement faible cause des recombinaisons.
Indpendamment de cela, un problme bien plus critique est li la
dimension de la rgion P. Cette rgion tant faiblement dope, elle
prsente une rsistivit importante et, de ce fait engendre une rsistance
srie importante qui va se retrouver en srie avec la diode idale. Cette
N
+
P
1 2 m
~300 m
srie importante qui va se retrouver en srie avec la diode idale. Cette
rsistance est de la forme:
S
R
l
=
Par exemple, pour une zone dope 10
16
cm
-3
et une surface de la rgion
N
+
gale 50 m * 50 m, la valeur de la rsistivit est sensiblement
gale 2 cm, on obtient une rsistance qui vaut:
Rs = 2,4 k
Un tel composant correspond une diode idale en srie avec une
rsistance de forte valeur ce qui correspond :
I
D
Vext
V
D
Rs
avec:
( ) [ ] 1 exp + = =
T
D
s D D s ext
U
V
I I et I R V
Une telle valeur de rsistance srie est totalement aberrante. En effet, si nous prenons une caractristique de diode idale laquelle nous
rajoutons en tout point la chute de tension dans la rsistance srie, nous allons obtenir un rsultat tel que celui prsent ci dessous.
Diode
Idale
I
D
(mA) 0,001 0,01 0,1 1 10 100
V
D
(V) 0,42 0,48 0,54 0,6 0,66 0,72
Rsistance srie (2,4 k )
Rs * I
D
(V) 0,0024 0,024 0,24 2,4 24 240
Tension extrieure
V
D +
Rs * I
D
(V) 0,4224 0,504 0,78 3 24,66 240,72
La caractristique rsultante nest plus celle dune diode mais celle dune rsistance avec un seuil.
I
D
(mA)
1
10
V (Volts)
1 5 10 15 20 25 30
Diode Idale
Diode Relle
Il faut donc satisfaire simultanment deux contraintes:
Une zone faiblement dope permettant dobtenir des longueurs de diffusion importantes vis vis de la dimension de la rgion ,
Une rsistance srie faible permettant davoir une caractristique voisine de lidal.
Ces deux contraintes tant antagonistes il a fallu trouver une solution. Celle ci consiste utiliser comme substrat un matriau trs fortement
dop (prsentant donc une rsistivit trs faible) sur lequel on fait crotre, par un procd chimique (pitaxie) une couche de matriau de
mme type possdant un dopage faible. Cest dans cette zone superficielle que lon diffusera des impurets de type oppos permettant de
raliser la jonction. La structure se prsente de la manire suivante;
N
+
Dopages (Ln)
1

2
Dopage
P
++
P
-
P
+
+
P
-
N
+
D
i
s
t
a
n
c
e
s

e
n

m
P
-
N
+
P
+
+
2

5
~
3
0
0
Dopage
rsultant
On peut donc recalculer la rsistance srie quivalente de cette nouvelle structure qui satisfait compltement les contraintes de faible
dopage et de dimension suffisamment grande pour assurer la tenue mcanique des plaquettes.
Cette rsistance totale est compose de trois parties:
Rs
toalet
=Rs
(N+)
+ Rs
(P-)
+ Rs
(P++)
Dans les mmes conditions que prcdemment, on aura:
Rsistivit de la rgion N
+
: 2,5 10
2
cm , Xn = 2,5 m (avec N
+
= 10
18
cm
-3
)
Rsistivit de la rgion P
-
: 2 cm , Xp = 2,5 m (avec P
-
= 10
16
cm
-3
)
Rsistivit de la rgion P
++
: 2,5 10
3
cm , Xp++ = 300 m (avec P
++
= 5 10
19
cm
-3
)
Le calcul donne une rsistance srie gale 13,9 . Si on reprend le tableau prcdent, on obtient:
Diode
Idale
I
D
(mA) 0,001 0,01 0,1 1 10 100
V
D
(V) 0,42 0,48 0,54 0,6 0,66 0,72
Rsistance srie (13,9 )
Rs * I
D
(V) 13,9 V 139 V 1,39 mV 13,9 mV 139 mV 1,39 V
Tension extrieure
V
D +
Rs * I
D
(V) 0,42 0,4801 0,54139 0,613 0,799 2,01
Mis part pour un courant de 100 mA ou lcart semble important, les autres valeurs sont cohrentes. Nous verrons par la suite que pour
une surface correspondant la valeur prise ici (50 m * 50 m), le courant maximum se situera aux environs de quelques milli-Ampres.
Lcart par rapport la thorie sera donc acceptable.
b)- Forte injection
Dans tout ce qui prcde, nous avons pris comme hypothse que, seule la densit des porteurs minoritaires tait affecte par la polarisation
(hypothse de faible niveau dinjection). Nous allons donc essayer de dfinir de manire prcise, la limite de validit de cette hypothse.
On considre gnralement que le fort niveau dinjection apparat ds lors que la densit des minoritaires injects devient de lordre de
grandeur de la densit des majoritaires dans la rgion correspondante soit, pour une jonction N
+
P:
A N n
Or, ( ) ( )
T A
i
T U
V
N
n
U
V
n n exp exp
2
= =
La tension correspondant lapparition du fort niveau se dduit donc directement de cette relation et donne:
( )
|
|
|
=
A
T FN
FN i
A
N
Ln U V donne qui ce
U
V
N
n
N 2 : exp
2
( )
|
\
=
i
T FN
T A
A
n
N
Ln U V donne qui ce
U
V
N
N 2 : exp
On peut donc remarquer que cette tension est fonction du dopage de la rgion correspondante.
Diffrentes thories du fort niveau existent. Elles sont souvent complexes et font largement appel aux calculs numriques.
On peut toutefois faire une approche relativement simple en considrant que la perturbation des majoritaires entrane lapparition dun
champ lectrique qui engendre un phnomne de conduction. Comme dans le cas dun semi-conducteur inhomogne, ce champ sexprime
par la relation:
] [
) (
) ( ) (
x
x
i
p
p grad
UT
= E
r
avec: p(x) = N
A
+ = N
A
+ .
) ( x p ) ( x n
On prendra comme hypothse : .
dx
p d
dx
n d
=
Nous pouvons calculer la tension apparaissant aux bornes de la rgion quasi neutre P en intgrant le camp lectrique. Cela donne:
( )

= = =
W
O
T
W
O
T
W
O
x N
p
p d
U
p
n d
U dx V
E
Lintgrale donne:
[ ] ( ) [ ] [ ]
A
T
A
T A A T
W
T N
N
n
Ln U
N
p
Ln U p N Ln N Ln U p Ln U V
1
0
+ =
(
+ = + = =
On peut remarquer lapparition du terme qui reprsente le taux dinjection . Pour , on trouve que V
N
= 0, ce qui
correspond bien aux hypothses.
A N
n
A N n <<
Connaissant le champ lectrique, nous pouvons donc calculer le courant. Il scrit: E E
r r r
n n n n n n q
dx
n d
D q
dx
n d
D q J

+ = + =
En remplaant le champ lectrique par son expression, il vient:
|
\
|
+
+ = + =
A
n T n n n
N n
n
dx
n d
D q
p
n d a gr
U n q
dx
n d
D q J
r
r

En faisant apparatre le taux dinjection, on obtient:
|
|
|
\
|
+
+ =
A
A
n n
N
n
N
n
dx
n d
D q J
r
La densit du courant vaut donc:
|
|
|
\
|
+
+ =
A
A
n n
N
n
N
n
W
n
D q J
r
En trs forte injection, le terme est grand devant lunit. Il sen suit que tend vers 1 dou une expression du courant qui
scrit alors:
A
A
N
n
N
n
+
A N
n
W
n
D q J n n
2 =
Dans le cas dune diode courte, on peut considrer que la distribution des porteurs est linaire. Il sen suit:
W
n
dx
p d
dx
n d
= =
Nous allons donc exprimer ce courant en fonction de la tension extrieure applique. Cette tension est constitue de deux termes. La tension
qui apparat aux bornes de la charge despace et qui intervient directement dans lquation caractristique du courant (dans le terme
exponentiel), et celle qui, du fait de la forte injection, apparat aux bornes de la zone quasi-neutre (V
N
).
Nous allons donc chercher relier V
N
la tension V de la loi exponentielle.
[ ] [ ]
A
T
A
T N
N
n
Ln U vers tend niveau fort trs qui
N
n
Ln U V
1 + =
Nous avons vu sur la planche prcdente que V
N
scrit:
Or, do;
T U
V
n n exp =
[ ] V
N
n
Ln U
N
U
V
n
Ln U
N
n
Ln U V
A
T
A
T
T
A
T N + =
(
(
= =
exp
On a donc: V
N
~ V.
La tension extrieure tant la somme des deux,vaut donc: Vext = 2 V.
I
D
La tension extrieure tant la somme des deux,vaut donc: Vext = 2 V.
La relation courant tension fort niveau scrit donc:
T
ext
n j
T
n j j n
U
V
W
n D A q
W
U
V
n
D A q A J I
2
exp
2
exp
2 = = =
Tout ceci peut se schmatiser par la figure ci-contre.
I
D
V
D
0
Loi thorique
Fort niveau
Rsistance srie
Par exemple, pour une diode N
+
P ( 10
18
10
16
) la tension de fort niveau est
voisine de:
V
n
N
Ln U V
i
A
T FN 65 , 0 2
|
\
|
=
Le fort niveau apparat gnralement avant leffet de la rsistance srie.
?/'* Aonction P: en polarisation inverse
a)- Phnomne de gnration dans la rgion de charge despace
La caractristique de la diode idale en inverse fait apparatre un courant Is indpendant de la tension applique. En ralit, les mesures
montrent quil existe un courant beaucoup plus important que celui dfini par la thorie, mais aussi qui varie avec la tension inverse.
Il a donc fallu se poser le problme de manire prendre en compte des phnomnes qui paraissaient tre ngligeables en premire
approche. Le seul lment qui volue lorsquon polarise en inverse est la dimension de la charge despace.
Nous avons suppos, dans ce qui prcde, que la charge despace tait totalement dpourvue de porteurs libres. Cela est une approximation
qui, si elle est satisfaisante en direct ou le nombre de porteurs en excs est important,ne lest plus en polarisation inverse.
Nous allons donc essayer de dterminer le taux de gnration dans la rgion de charge despace. Ce taux de gnration correspond une
gnration thermique (n
i
).
4etour sur le tau& de recombinaison %diapositive BH'$
)] ( )) ( 1 ( [ r n r n r n en cn n E f
n
E f n N C R R R = =

))] ( 1 ( ) ( [ r n r n r p ep cp p E f p E f p N C R R R = =

4etour sur le tau& de recombinaison %diapositive BH'$

Nous avons montr que les taux de recombinaison pouvaient se mettre sous la forme:
Ces deux expressions font apparatre la probabilit de prsence dun lectron sur le niveau recombinant.
Plaons nous dans le cas particulier dun niveau recombinant situ au milieu de la bande interdite (cas le plus frquent). Les sections
efficaces de capture des lectrons et des trous seront alors gales et les densits n* et p* sont alors gales n
i
. Nous pouvons alors
dterminer lexpression de la probabilit de prsence des lectrons en considrant que, dans des conditions dquilibre, Rn = Rp.
En posant Cn = Cp = C, on obtient:
i
i
r n
n p n
n n
E f
2
) (
+ +
+
=
En reportant cette valeur dans Rn ou Rp, on obtient:
i
i
i
i
r n
n p n
n p n
n p n
n p n
N C R
2
1
2
2 2
+ +
=
+ +
Si nous calculons ce taux de recombinaison dans la rgion de charge despace, nous pouvons crire que:
2
i i
n p n que mme de n p et n << <<
Il sen suit: or, dans des conditions dquilibre, Rn = - Gn. Le taux de gnration dans la rgion de charge despace vaut
donc:
2
1
i
n
n
R

2
i
n
n
G
Ce taux de gnration va donner naissance un courant lectrique car les porteurs gnrs vont tre entrans par le champ lectrique
important qui rgne dans cette zone. Le courant sera donc proportionnel la charge de llectron et au volume de la charge despace. Il
important qui rgne dans cette zone. Le courant sera donc proportionnel la charge de llectron et au volume de la charge despace. Il
vaut:
2
i
j n j
n
A q G A q Ig =
Il dpend de la tension par le biais de . Lexpression en fonction de la tension scrit:
( ) V
N
q
n
A q Ig
i
j =

2
2
Ce courant est effectivement trs grand devant le courant inverse thorique et on pourra considrer que, en inverse, il est prpondrant.
b)- Phnomne davalanche
Cest un phnomne caractristique de la zone de charge despace. Il peut tre destructif, sil nest pas contrl, ou utilis, notamment
dans les diodes Zener,qui sont utilises en tant que rfrences de tension, quand on a conu les diodes pour.
E
Les porteurs, gnrs par effet thermique dans la charge despace, vont tre
acclrs par le champ lectrique important qui y rgne. Ils vont de ce fait
acqurir une nergie cintique importante. Si on augmente la tension inverse
applique, le champ augmente avec. Il va arriver un moment ou lnergie
cintique acquise par les porteurs sera suffisante pour leur permettre dioniser
par chocs. Le phnomne devient donc cumulatif et, pour une trs faible
augmentation de la tension, on observe une augmentation trs importante du
courant.
On considre gnralement que, compte tenu de la valeur du champ lectrique,
les porteur se dplacent entre chocs leur vitesse limite cest--dire, la vitesse
thermique.
Le courant sexprime alors en fonction du courant de gnration dans la
rgion de charge despace par une relation empirique faisant intervenir un
rgion de charge despace par une relation empirique faisant intervenir un
coefficient appel Coefficient de Multiplication qui scrit:
( )
m
BR V
V
M
=
1
1
Le courant, dans la zone davalanche scrit: I = M I
g
V
BR
est la tension de claquage (Breakdown),
m est un coefficient qui dpend de la technologie (2<m<6)
{
La caractristique inverse peut tre reprsente par la figure ci-contre
I
V
V
BR
Zone davalanche La zone davalanche prsente une rsistance dynamique trs faible et
pourra donc tre utilise comme rfrence de tension la condition de
contrler le courant car on risque lemballement thermique qui serait
destructif pour le composant.
Calcul de la rsistance dynamique dans la zone davalanche.
Cette rsistance peut-tre value de la manire suivante:
Il existe, dans la zone davalanche, au voisinage de la tension de claquage, un courant qui peut devenir grand, cest dire une densit de
charges mobiles importante. Ces charges transitant dans cette zone peuvent-tre associes une variation de potentiel. En effet, on peut
appliquer lquation de Poisson aux charges mobiles. Cette dernire peut scrire:
mobiles
dx
V d
=
2
2
Les lectrons se dplaant dans la charge despace la vitesse limite (v
th
), on peut crire lexpression du courant sous la forme:
th j mobiles v A I =
On peut donc en tirer lexpression de la charge qui vaut donc:
th j
mobiles
v A
I
=
La diffrence de potentiel engendre par cette charge traversant la charge despace peut donc scrire:
th j th j th j
mobiles
v A
I
v A
x I
V dx
v A
I
dx V
2 2
2
0
2
2
0
2
=
(
= = =

On peut donc valuer la rsistance correspondante qui scrit: cest dire,
I
V
r =
th j v A
r
2
2
=
-/'* 2odlisation au second ordre
Compte tenu de tout ce qui prcde, la modlisation de la diode voluera en fonction du domaine de tension inverse ou directe. On peut
rsumer les diffrents domaines par la figure suivante.
Rsistance
srie
Fort niveau
dinjection
Gnration dans la rgion
I
Diode idale
Gnration dans la rgion
de charge despace
Zone davalanche
V
0
V
BR
B/'* "imitations
Elle pourront tre fonction du domaine de polarisation (directe ou inverse) mais certaines seront identiques quelles que soient les
polarisations.
Trois types de limitations existent
En courant,
En tension,
En puissance.
Celle en tension napparatra quen polarisation inverse alors que les deux autres peuvent exister aussi bien en direct quen inverse.
Limitation en Puissance.
Directement lie la puissance que peut dissiper la diode, elle est fonction de lenvironnement ainsi que du botier. Elle traduit la
capacit du composant vacuer les calories dues leffet Joule. Le passage dun courant dans le composant sous une tension donne
induit une puissance consomme qui va lever la temprature interne. La temprature maximale de fonctionnement dune jonction est
de 200 C. Il est donc ncessaire dvacuer les calories afin de rester au dessous de cette valeur. Ce sera le rle du botier.
Il est caractris par une Rsistance Thermique qui permettra de calculer la puissance maximum dissippable dans des conditions
donnes. La relation liant cette rsistance thermique et la puissance maximale est:
th
A j
R
T T
P

=
max
max avec:
{
T
jmax
= Temprature maximale de jonction (200 C)
Ta = Temprature ambiante
R
th
= Rsistance thermique du botier
Le lieu Pmax = constante dans le plan I(V) est une hyperbole appele Hyperbole de dissippation maximum . Le point de
fonctionnement devra se situer entre les axes et cette hyperbole.
I
V
0
Hyperbole de
dissippation maximum
La figure ci contre montre le trac de cette limite (les chelles sont
diffrentes en direct et en inverse).
Limitation en Courant.
Lie aux caractristiques du matriau, sa valeur va dpendre des
dimensions gomtriques du composant.
En rgime permanent, le silicium supporte des densits de courant
de lordre de 100 A/ cm
2
. Cette limite tend tre augmente de
manire significative avec les volutions technologiques qui
permettent dobtenir des matriaux de trs bonne qualit (la limite
de 100 A tend actuellement vers plusieurs centaines dampres au
cm
2
).
Cest la plus contraignante de ces deux limitations qui sera prise en
Limitation en
courant
Cest la plus contraignante de ces deux limitations qui sera prise en
compte.
Limitation en Tension.
Cette limitation interviendra exclusivement en inverse. Elle sera due au champ lectrique dans la rgion de charge despace. Le silicium,
comme tous les matriaux cristalliss, va pouvoir supporter un champ lectrique interne maximum au del duquel les liaisons atomiques
vont tre casses. Ce champ est appel gnralement Champ disruptif not E
CR
.
Pour le silicium, sa valeur est de 30 V/m.
Le champ maximum dans la rgion de charge despace sexprime en fonction de la tension inverse applique. On va donc pouvoir dfinir
une tension maximum admissible qui dcoulera de cette contrainte.
Le champ maximum scrit:
*
max
N q
= E
Dans lexpression prcdente, la dimension de la charge despace est fonction de la tension applique. On peut donc relier le champ
lectrique la tension inverse et donc calculer la tension correspondant au champ maximum admissible. Cette tension est gnralement
note V
BR
. Elle vaut:
) (
*
2 *
BR C V
N q
N q
=

R E
ce qui donne:
=
* 2
2
N q
V
CR
BR
E
On pourra remarquer que cette tension est inversement proportionnelle au dopage. Pour obtenir des tensions de claquage
importantes, il faudra utiliser des matriaux peu dops.
E&ercices
Une autre limitation en tension peut exister dans les composants semi-conducteurs. Elle est lie la dimension de la charge despace.
Nous avons vu que pour diminuer la rsistance srie de la diode,
on utilisait un substrat fortement dop sur lequel on faisait crotre
une couche faiblement dope. Laugmentation de la tension
inverse se traduit par un largissement de la charge despace qui
peut recouvrir compltement la zone faiblement dope. On dira
alors quil y a percement de la diode . Ce phnomne nest pas
destructif mais la diode na plus du tout les mmes
caractristiques car au lieu davoir une diode N
+
P, on a alors une
diode N
+
P
++
ce qui est totalement diffrent.
Ce sera, l aussi, la plus faible de ces deux tensions qui sera
prendre en compte.
P
++
P
-
Charge despace
N
+
E&ercice sur la jonction P: relle
Exercice n 1)- On considre la jonction PN reprsente sur le schma ci contre.
(les dimensions sont donnes en microns)
P
++
P
-
N
+
2
1
0
2
9
0
On donne:
N
+
= 10
18
cm
-3
P
-
= 10
16
cm
-3
P
++
= 10
19
cm
-3
Aj = 0,1 mm
2
= k/N et = 10
-6
pour N = 10
16
cm
-3
On dsire tracer la caractristique relle de cette jonction . Pour ce, on tudiera
conscutivement la polarisation directe puis inverse.
Plan Gnral
P
1)- Etude en polarisation directe.
Dterminer le courant inverse thorique de cette diode.
Calculer la valeur du courant correspondant lapparition du fort niveau dinjection.
Calculer la rsistance srie de cette diode.
Quelles sont les valeurs de la rsistance dynamique et de la capacit de diffusion correspondant une tension directe de 0,6 V.
2)- Etude en polarisation inverse.
Dterminer la valeur de la tension thorique de percement
Calculer le champ maximum la jonction et en dduire la tension de claquage. Quelle est la valeur du courant inverse pour cette tension.
Dterminer la rsistance de la diode en inverse ainsi que la valeur de la capacit pour une tension gale 10 V.
Calculer la rsistance dynamique dans la zone davalanche; tracer la caractristique rsultante.
1olution de le&ercice sur la jonction P: relle
La dtermination du courant inverse thorique ncessite de savoir si la diode est courte ou non. Pour ce, il est ncessaire de calculer les
dimensions lectriques des rgions ainsi que les longueurs de diffusion des porteurs minoritaires dans ces rgions.
Caractristiques de la zone de charge despace.
Hauteur de la barrire de potentiel:
Largeur de la barrire de potentiel:
V
n
N N
Ln U
i
D A
T 813 , 0
2
= =
m
N
q

318 , 0
2
= =

Compte tenu des valeurs de dopages, la charge despace est entirement dans la rgion P. Les dimensions lectriques sont donc:
Ct N : W
N
= X
N
= 2 m,
Ct P : W
P
= X
P
= 10 0,318 = 9,682 m.
Caractristiques des porteurs dans les diffrentes rgions:
Rgion N
+
Rgion P
-
Rgion P
++
mino (cm
2
/Vs) 150 1175 110
majo (cm
2
/Vs) 275 425 75
D (cm
2
/s) 3,9 30,55 2,86
(s) 10
-8
10
-6
10
-9
l (m) 1,97 55,27 0,534
W/l 1,01
Non courte
0,181
Courte
543
Non courte
Caractristiques des porteurs dans les diffrentes rgions:
Compte tenu des valeurs du tableau prcdent et des dopages des rgions, le courant inverse thorique scrira:
A
W N
D
n A q I
P A
N
i
J S
13 2
10 25 , 1

=
(
=
Apparition du fort niveau dinjection:
Il est caractris par le moment ou la densit des minoritaires injects devient gale celle des majoritaires de la rgion correspondante.
A N n
Or, ( ) ( )
T A
i
T U
V
N
n
U
V
n n exp exp
2
= =
La tension correspondant lapparition du fort niveau se dduit donc directement de cette relation et donne:
( )
|
|
|
=
A FN i N
Ln U V donne qui ce
V
n
N 2 : exp
2
Plan Gnral Abaque de Mobilits Abaque de Rsistivits
( )
|
\
|
=
i
A
T FN
T
FN
A
i
A
n
N
Ln U V donne qui ce
U
V
N
n
N 2 : exp
Application numrique: V
FN
= 0,694 V
Le courant correspondant cette valeur se dduit de lquation de la diode:
( ) [ ] 1 exp =
T
s
U
V
I I
Compte tenu de la valeur de la tension, on peut ngliger lunit devant lexponentielle. Il sen suit: mA I 45 , 8 =
Rsistance srie de la diode.
Elle est constitue de trois termes: Rs
toalet
=Rs
(N+)
+ Rs
(P-)
+ Rs
(P++)
Ces trois rsistances sont de la forme: R = *l/s. les rsistivits des rgions valent:
Rgion N
+
2,5 10
2
cm
Rgion P
-
1,5 cm
Rgion P
++
10
2
cm
La rsistance srie vaut donc: = + + =

74 , 1 ) 10 290 10 10 682 , 9 5 , 1 10 2 10 5 , 2 (
10
1 4 2 4 4 2
3
S R
Diode
Idale
I
D
(mA) 0,001 0,01 0,1 1 10 100
V
D
(V) 0,412 0,472 0,532 0,592 0,652 0,712
Rsistance srie (1,74 )
Rs * I
D
(V) 1,74 V 17,4 V 174 V 1,74 mV 17,4 mV 174 mV
Tension extrieure
V
D +
Rs * I
D
(V) 0,412 0,472 0,532 0,594 0,669 0,886
Modlisation autour du point correspondant une tension directe de 0,6 V.
Pour cette tension applique, le courant vaut: 1,31 mA.
La rsistance dynamique vaut donc = = =

7 , 19
10 31 , 1
10 26
3
3
I
UT
d r
Plan Gnral Abaque de Mobilits Tableau des constantes
La capacit de diffusion sen dduit par:
10 31 , 1 I
pF
D
W
C
D
W
C
d
d d d
r
r 28 , 8
2 2
2 2
= = =
En polarisation inverse.
Tension thorique de percement: elle correspond la tension pour laquelle la charge despace recouvre entirement la rgion P- cest
dire la valeur de tension correspondant = 10 m.
( ) V
X
N
q
V V
N
q
X
p
p p p 800
2
2
2
= = =
Le champ maximum la jonction sexprime par la relation: dans laquelle d est une fonction de V. Donc:
*
max
N q
= E
=
* 2
2
N q
V
CR
BR
E
avec Ecr = 30 V/m . On obtient: V VBR 31 , 27 =
Le claquage apparatra donc par effet davalanche pour une tension inverse de sensiblement 27 V.
Courant inverse la limite du claquage.
Cest la valeur du courant de gnration dans la rgion de charge despace. Il est directement proportionnel au volume de la charge despace
et scrit:
2
i
g
n
Aj q I =
Il sera plus facile, afin de tracer la caractristique inverse, dexprimer Ig en fonction de sa valeur lquilibre thermodynamique. Il vient:
( ) ( )
2
1
0 1 |
\
|
=
V
I I g v g
avec V compt en valeur algbrique.
Le calcul donne ( ) pA ou A Ig 7 , 40 10 7 , 40
12
0

=
la limite du claquage, cette valeur vaut:
( ) A I V g
9
2
1
12
28 10 41 , 1
813 , 0
31 , 27
1 10 7 , 40

=
|
\
|
+ =
Rsistance de la diode pour V = -10 V.
Rsistance de la diode pour V = -10 V.
Compte tenu des valeurs prcdentes, on peut affirmer qu en polarisation inverse, le courant correspond au courant de gnration dans la
charge despace. Son expression en fonction de la tension est:
( ) V
N
q
n
A q Ig
i
j =

2
2
La rsistance dynamique est obtenue en drivant cette expression par rapport la tension:
( )
2
1 2
1
2 2
V
q
N
n A
dIg
dV
r
i
j
|
\
|
= =

Pour V = -10 V on obtient:

r = 1,45 10
11
ce qui correspond a une rsistance quasi infinie
La capacit de transition vaut pour cette tension:
( )
pF ou F
V
N
q
Aj Aj
CT 6 , 8 10 6 , 8
2
12
=

= =
La rsistance dynamique dans la zone davalanche est donne par:

th j v A
r
2
2
=
La dimension de la charge despace correspond une tension de 27,31 V et vaut: 1,87 m.
La rsistance vaut donc: 1,75 .
On peut donc, compte tenu de ces diffrentes valeurs, tracer la caractristique relle de la diode.
"a jonction P : en rgime de commutation$
4ponse # un signal carr
Considrons le circuit reprsent sur la figure ci-dessous auquel on
applique un signal carr du type de celui reprsent ci contre.
v(t)
I
D
V
D
R
D
t
v
-Ei
E
D
0 t
0
t
1
Nous allons chercher tablir les quations permettant de reprsenter les volutions de la tension aux bornes de la diode et du courant
dans cette dernire en fonction du temps. Pour ce, il est ncessaire de pouvoir modliser la diode dans les diffrentes phases du
processus de commutation:
1)- t < t
0
; v(t) = -Ei la diode est bloque.
2)- t
0
- < t < t
0
+ ; v(t) passe de -Ei E
D
la diode passe dun tat bloqu un tat conducteur.
3)- t
0
< t < t
1
, v(t) = E
D
la diode est conductrice.
4)- t
1
- < t < t
1
+ ; v(t) passe de E
D
-Ei la diode passe dun tat conducteur un tat bloqu.
Il faut donc modliser notre circuit dans chacune de ces phases.
1)- La diode est bloque.
Dans cette phase, t < t
0
, la diode tant bloque, le courant dans le circuit est nul. La tension se retrouve donc entirement aux bornes de
la diode. Cette dernire peut se reprsenter par sa capacit de transition qui scrit:
( ) I
j
T
E
N
q
A
C
+
=
2
La modlisation du circuit correspond alors une rsistance R en srie avec une capacit C
T
. Cest donc ce modle qui va tre la
base de ltude qui suit.
2)- La diode se dbloque.
Le passage de ltat bloqu ltat conducteur va se faire en deux phases.
Une premire phase pendant laquelle la diode sera toujours bloque. Elle correspond la charge de la capacit de transition
et existera durant le temps pendant lequel la tension aux bornes de la diode sera comprise entre Ei et la tension de seuil V
0
de
la diode (V
0
~0,6 V).
Une deuxime phase pendant laquelle la diode sera conductrice.
Dans la premire phase de la commutation, la tension dentre va passer, de manire quasi instantane, de la valeur Ei la valeur E
D
.
La capacit de la charge despace va donc voluer en fonction du temps puisque la tension aux bornes de la diode va suivre la tension
dentre tout au moins tant que la diode sera bloque.
Cette volution de la tension entrane une volution de la capacit qui varie donc avec le temps. Doit-on prendre en compte la capacit
au dpart (pour v(t) = -Ei), la fin de la priode de blocage (v(t) = V
0
); pour pouvoir faire un calcul de manire relativement simple,
on calcule une valeur moyenne de la capacit pendant cette priode de blocage. Celle ci sexprime par une relation qui scrit:
( )
dV
V
N
q
A
V E
C
j
V
Ei
i
T

+
=
2
1
0
0
qui scrit: ( ) ( )
0
0
2
1
0
2
1
0
2
2
1
2
1
V
Ei
j
i
V
Ei
j
i
T V
N
q
A
V E
dV V
N
q
A
V E
C

+
=
+
=
on obtient donc:
( ) ( )
(
+
+
=
2
1
0
2
1
0
2
2
1
V Ei
N
q
A
V E
C
j
i
T
Tout se passe donc comme si on avait un circuit R C aux

bornes duquel on applique un signal variant de Ei E . La
bornes duquel on applique un signal variant de Ei E
D
. La
capacit C
T
va donc se charger travers la rsistance R
suivant une loi du type:
B e A V
T C R
t
t D + =

) (
A et B sont dtermines partir des conditions initiales et
finales qui sont:
i t D E B A V t t pour = + = ) ( 0 0 ,
( ) i D D D E E A E B V t pour + = = = ) ( ,
( ) D
C R
t
i D t D E e E E V Donc
T
+ + =

) ( , ,
V
D
E
D
-E
i
t
t
0
V
0
Mais, ds que la tension aux bornes de la diode atteint V0, celle ci se
met conduire et impose ses bornes une tension constante. Le
modle devient celui de la diode polarise en direct.
t
d
La diode va donc mettre un temps t
d
t
0
avant de conduire. Ce
temps est gnralement appel temps de dlai . A partir de l,
le modle de la diode devient constitu de la rsistance dynamique
et de la capacit de diffusion. Tout se passe comme si cette
capacit C
D
se chargeait la valeur E
D
.
V
D
E
D
-E
i
t
t
0
V
0
r
d
C
d
E
D
I
D
V
D
R
C
T
Modle pour
V
D
< V
0
Modle pour
V
D
>V
0
R
E
D
I
D
V
D
C
D
rd
Nous pouvons, dans un mme temps tracer la variation du courant.
Lorsque la tension dentre passe de Ei E
D
, la capacit se
comporte comme un court circuit. Le courant est donc maximum
et vaut(Ei+E
D
)/R. La capacit va ensuite se charger et le courant
va dcrotre jusqu (E
D
V
0
)/R.
I
t
I = (E
D
+ Ei)/R
I = (E
D
V
0
)/R
3)- La diode conduit.
Nous venons de voir que, lorsque la diode conduit, elle peut tre reprsente par son modle quivalent en polarisation directe cest
dire, la capacit de diffusion en parallle avec la rsistance dynamique. Cette capacit de diffusion a emmagasin une charge qui
correspond la tension E
D
. Le courant qui circule dans la diode permet de calculer la valeur de la rsistance dynamique.
Le systme est stable tant que la tension dentre nvolue pas.
4)- La diode se bloque.
Comme pour le dblocage, le blocage de la diode va soprer en deux
phases.
Une premire pendant laquelle la diode va se comporter comme un
gnrateur. Cette phase va lui permettre dvacuer les charges stockes
Modle pour
V
D therique
>V
0
R
-E
i
I
D
V
D
C
D
rd
gnrateur. Cette phase va lui permettre dvacuer les charges stockes
par la capacit de diffusion. Le courant va donc sinverser alors que la
tension conservera la mme valeur.
Cette phase va durer tant que la charge stocke naura pas t
compltement vacue cest- dire tant que la tension qui existerait
thoriquement aux bornes de la capacit de diffusion sera suprieure V
0
.
E
i
I
D
V
D
R
C
T
Modle pour
V
D
< V
0
Pendant toute cette phase, le courant va demeurer constant et gal :
I = -(V
0
+ Ei)/R. la variation de courant linstant ou la tension
dentre commute de E
D
Ei sera la mme que lors de la commutation
de Ei E
D
.
Ds que la tension thorique aux bornes de la diode devient gale V
0
, la diode se bloque. Le modle redevient celui du fonctionnement en
inverse cest dire la capacit de transition. La fin du processus de commutation correspond la dcharge de la capacit de transition qui
va passer de V
0
Ei. Le courant va alors tendre exponentiellement vers 0.
On peut rsumer tout ceci sur la figure ci-dessous.
V
t
0
-Ei
E
D
t
0
V
0
r
d
C
d
R C
T
t
1
Temps de dblocage
I
t
0
Temps de recouvrement inverse
t
ri
R
E E
I
i D+
=
Temps de dblocage
R
V E
I
D 0
=
"es applications de la diode$
8/'* "e redressement
De loin la plus importante des applications de la diode. Elle est lie au fait que, dans tout systme lectronique, lalimentation est toujours
une tension continue. Or, la distribution de puissance se fait sous forme alternative. Il sera donc ncessaire de convertir les signaux
alternatifs en signaux continus.
La tension alternative dont on dispose est valeur moyenne nulle donc, ne prsente pas de composante continue. Il va donc falloir, dans un
premier temps faire en sorte dobtenir un signal valeur moyenne non nulle. Cest le but de lopration de redressement.
Pour ce, nous allons utiliser une diode qui possde une caractristique I(V) non linaire. Cette dernire va se comporter comme un
interrupteur et laissera passer le courant pendant lalternance de tension qui la rendra conductrice. On obtiendra ainsi une tension redresse
mono alternance qui prsente une valeur moyenne.
v
Si nous appliquons un signal
sinusodal v(t) lentre du montage
v
R
v(t)
D
R
t
v(t)
v
r
sinusodal v(t) lentre du montage
reprsent ci contre, la diode sera
conductrice si la tension dentre est
suprieure sa tension de seuil cest
dire sensiblement 0,6 V.
La tension de sortie vr suivra donc
la tension dentre avec un dcalage
de 0,6 V tant que celle ci sera
suprieure au seuil.
Ds que lentre passe au dessous du
seuil, le courant sannule et la
tension de sortie est nulle. On
obtient donc un signal redress
mono alternance prsentant une
valeur moyenne.
Redressement double alternance, pont de Gratz.
Le redressement simple alternance prsentant un rendement faible, on a fait voluer le systme afin de le rendre plus efficace. On a
donc substitu la simple diode un ensemble de quatre diodes montes en pont. Ce montage est reprsent ci dessous.
v(t)
v
t
v
r
v
R
t
v(t)
On obtient donc une amlioration notable du rendement. Ce systme est utilis dans tous les redresseurs; on lui adjoindra une capacit en
parallle avec la rsistance afin dobtenir une valeur quasi continue ainsi quun ensemble de rgulation permettant de compenser
instantanment des variations pouvant apparatre au niveau de lutilisation. Ce montage est la base des alimentations stabilises.
?/'* "ogiques # diodes$
Trs utilises dans les annes 1960, elles sont tombes en dsutude avec le dveloppement des circuits intgrs, mais le principe de base
subsiste notamment dan les logiques TTL qui en sont une volution. Le principe de base est reprsent sur le schma suivant:
E
R
D
1
e
1
Les tensions e
1
et e
2
sont des signaux logiques dont les valeurs sont +5 V et
5 V.
La tension dalimentation E est gale 10 V et la rsistance R vaut 1 k.
Nous allons dterminer les tats possibles de la sortie afin de dfinir quelle
est la fonction logique ainsi ralise. Pour ce, il faut prendre en compte
quatre tats possibles de entres:
e
1
= e
2
= +5 V
e
1
= e
2
= -5 V
D
2
e
2
e
1
s
e
1
= +5 V, e
2
= -5 V
e
1
= - 5 V, e
2
= +5 V
Les deux derniers cas sont identiques; nous avons donc trois cas analyser.
1)- e
1
= e
2
= +5 V; les deux diodes conduisent car la tension leurs bornes est thoriquement suprieure 0,6 V (+5 V sur la cathode et + 10 V
sur lanode). La tension de sortie est donc gale la tension dentre dcale de 0,6 V soit: s = 5,6 V ( 1 logique).
2)- e
1
= e
2
= -5 V; les deux diodes conduisent car la tension leurs bornes est thoriquement suprieure 0,6 V (-5 V sur la cathode et + 10
V sur lanode). La tension de sortie est donc gale la tension dentre dcale de 0,6 V soit: s = -4,4 V ( 0 logique).
3)- e
1
= +5 V, e
2
= -5 V o e
1
= - 5 V, e
2
= +5 V
Il va falloir, dans ce cas faire une hypothse sur ltat des diodes. Trois cas sont possibles:
Les deux diodes sont bloquescette hypothse est irraliste compte tenu de ce qui vient dtre crit (tension > 0,6 V).
Les deux diodes conduisent les anodes sont communes (mme potentiel) il est donc impossible que deux diodes ayant
des tensions diffrentes sur leurs cathodes puissent tre conductrices simultanment.
Lune conduit lautre est bloque; cest la seule hypothse plausible. La diode qui conduit sera celle qui a la tension
maximum ses bornes, cest a dire celle sur laquelle on applique la tension de 5 V. On vrifie rapidement que la sortie vaut
alors 4,4 V ce qui correspond bien un blocage pour lautre. La sortie est alors au 0 logique.
La table de vrit qui en dcoule est donc
e
1
e
2
s
0 0 0
1 1 1
0 1 0
1 0 0
La fonction ainsi ralise correspond une fonction et .
s , e
8
et e
?
, e
8
O e
?
-/'* "es diodes spciales$
La diodes Zener.
Lors de ltude du claquage des diodes, nous avons montr quau voisinage de la tension de claquage, la tension augmentait trs
rapidement pour de trs faibles variations de tension. On dispose alors dune quasi rfrence de tension la condition de contrler le
phnomne afin dviter un emballement thermique qui serait destructif pour le composant.
Ce phnomne est de trs bonne qualit pour des dopages correspondant des tensions de claquage situes entre 5 et 6 V. De plus, on
associe souvent une diode en direct avec une diode zener . Ceci prsente un avantage important car leffet zener prsente un
coefficient de temprature positif alors que pour une diode en direct, le coefficient de temprature est ngatif. On a donc des dispositifs
parfaitement stables en temprature. Il suffira pour ce de raliser deux jonctions en srie. La figure suivante montre la ralisation d ce
dispositif.
Diode zener compense en temprature et

sa ralisation technologique
N
P
N+
Les diodes zener existent en diffrentes tensions.

Pour des tensions importantes de lordre de la dizaine de volts et plus, on utilise plusieurs diodes en srie montes dans un mme
botier.
La diodes Varicap .
Les diodes de type Varicap (diodes capacit variable) sont des diodes conues pour amplifier fortement la variation de capacit en
fonction de la tension inverse applique. Elles sont donc bases sur la variation de la dimension de charge despace en fonction de la
tension applique.
Pour amplifier le phnomne, on utilise des dopages dont le profil est tel que la dimension varie de faon maximale pour une variation
de tension donne. Ces profils varient gnralement suivant des fonctions du type hyperboliques. On parle de jonctions hyper-abruptes.
Ces dispositifs sont souvent utiliss pour piloter des oscillateurs dont on fait driver la frquence, au rythme dun signal basse
frquence, autour dune frquence centrale (modulation de frquence).
La reprsentation symbolique est montre ci contre.
Le montage classique dutilisation est reprsent ci dessous.
C
L
C
Signal
Basse
frquence
V
t
C
0
C

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Conseils dutilisation

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Qui est la probabilit de prsence dun lectron sur le niveau E

On peut donc calculer cette variation relative

La variation assympttique est donc une droite.

On a donc une droite de pente

La zone dpuisement des donneurs permet dcrire:

La connaissance de la densit des atomes dopants donne les

Lquation prcdente devient donc: . Un nouvel quilibre sera atteint lorsque: g = r.

Le temps de retour lquilibre est voisin de 3.

= exp ) ( exp ) ( exp ) ( exp

exp ) ( exp ) ( exp ) ( exp

En reportant ces expressions dans la formule donnant la dure de vie, on obtient:

On justifie donc la courbe trace ci*dessus$

Les solutions de cette quation peuvent se mettre sous la forme: ) 4 1 1 (

La solution peut donc se mettre sous la forme:

= On obtient donc: . On peut remarquer que cette valeur est infrieure n

Pour que ces deux relations soient vrifies, il faut: T U

Plan Gnral Plan du chaptre

Plan Gnral Plan du chaptre

En reportant dans lexpression du potentiel, on obtient:

Plan Gnral Plan du chaptre

Lexpression des densit de porteurs scrit:

Comme nous avons considr que N* = N

Comme nous avons considr que N* = N

= 1 ) ( exp ) ( exp ) ( exp ) ( exp ) ( exp ) ( exp

Les dtails des calculs ont t faits prcdemment (diapositive 77 et suivantes).

"a jonction P: idale hors dquilibre6 Caractristique statique

On peut exprimer cette capacit en fonction de la tension

Plan Gnral Plan du chaptre

4etour sur le tau& de recombinaison %diapositive BH'$

Pour V = -10 V on obtient:

La rsistance dynamique dans la zone davalanche est donne par:

Tout se passe donc comme si on avait un circuit R C aux

Diode zener compense en temprature et

Les diodes zener existent en diffrentes tensions.

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