INSTITUTO TECNOLGICO DE SONORA

Laboratorio de dispositivos electrnicos II

Anlisis y diseo de amplicadores multietapa con
BJT
Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica
David Adn Cervantes Ayala ID : 11162
Jorge Ramn Soto ID :06104
Raul Alejandro Carranza ID : 09539
Prof. : Jos Juan Solis Granados
Cd.Obregn ,Sonora. A 19 de febrero de 2013
Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica
ndice
1. Introduccin 2
2. Objetivos 2
3. Marco Terico 2
3.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
3.2. Tipos de acoplamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
3.2.1. Acoplamiento directo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
3.2.2. Acoplamiento capacitivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3.2.3. Acoplamiento por transformador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
4. Desarrollo Experimental 7
4.1. Procedimiento de diseo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4.1.1. Diseo de la etapa de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4.1.2. Anlisis de la etapa de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
4.1.3. Diseo de la etapa de entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
4.1.4. Anlisis de la etapa de entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
4.1.5. Anlisis del amplicador multietapas completo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
4.2. Resultados y mediciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
5. Conclusin 10
6. Bibliografa 10
ndice de guras
1. Acoplamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2. Transisrores acoplados directamente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
3. Acoplamiento capacitivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
4. Amplicador con etapa en cascada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
5. Etapa emisor comn en ca . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
6. Amplicador en ca . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
7. Amplicador con carga acoplado con transformador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
8. Amplicador multietapas con BJTs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
9. Salida del amplicador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
ndice de tablas
1
Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica
Resumen
Los amplicadores multietapa son circuitos electrnicos formados por varios transistores (BJT
o FET),que pueden ser acoplados en forma directa o mediante capacitores. Las conguraciones
clsicas son el par Darlington (alta impedancia de entrada e incremento de la ganancia de co-
rriente), el par diferencial (Relacin de rechazo en modo comn elevada), el amplicador cascode
(alta impedancia de salida). Todas estas etapas amplicadoras pueden ser integradas y encapsu-
ladas en un chip semiconductor llamado Circuito Integrado (CI). En el CI las polarizacin de las
etapas se hace usando fuentes de corriente, debido a la mayor facilidad de construccin (a travs
de transistores).La combinacin de distintas tecnologas permitir mejorar la prestacin de los
sistemas diseados.
1. Introduccin
E
r esta practica se diseo un amplifcador multietapa que proporciona una seal mxima de 10
V
pp
a una carga cuya impedancia es de aproximadamente 2k.La fuente de excitacin es un
micrfono de condensador polarizado con fuente fantasma de 48 V que proporciona una salida a
circuito abierto entre 100 y 200 mV
pp
,y su impedancia de salida es de 5k.
2. Objetivos
6 Identicar un procedimiento de diseo de amplicadores multietapa con acoplamiento capaci-
tivo,considerando los criterios relativos a la fuente de seal y a la carga.
6 Analizar las medidas de bondad del amplicador diseado.
3. Marco Terico
3.1. Introduccin
Un amplicador se describe un circuito capaz de procesar las seales de acuerdo a la naturaleza
de su aplicacin. El amplicador sabr extraer la informacin de toda seal, de tal manera que
permita mantener o mejorar la prestacin del sistema que genera la seal (sensor o transductor
usado para la aplicacin). Se llama amplicador multietapa a los circuitos o sis- temas que tienen
mltiples transistores y adems pueden ser conectadas entre s para mejorar sus respuestas tanto
en ganancia, Z
int
, Z
out
o ancho de banda. La aplicaciones pueden ser tanto de cc como de ca.
3.2. Tipos de acoplamiento
El acoplamiento establece la forma en la cual se conectan las distintas etapas amplicadores,
dependiendo de la nat- uraleza de la aplicacin y las caractersticas de respuesta que se desean.
Existen distintos tipos de acoplamiento: Acoplamiento directo, capacitivo y por transformador.
2
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Figura 1: Acoplamiento
3.2.1. Acoplamiento directo
Las etapas se conectan en forma directa, este permite una amplicacin tanto de la componente
de seal como de la componente continua del circuito. Se dice que los circuitos de cc se acoplan
directamente. La gura 2 muestra una aplicacin de acoplamiento directo.
Figura 2: Transisrores acoplados directamente
En corriente continua se tiene
R
C
(I
B
1
+ I
C
1
) + V
BE
2
+ I
E
2
R
E
2
= V
CC
(1)
I
E
2
= I
B
2
( + 1) (2)
As,
I
B
2
=
V
CC
V
BE
2
I
C
1
R
C
( + 1)R
E
2
=
I
C
2

Dado que la malla de entrada ser

V
BB
= I
B
1
R
B
+ V
BE
1
+ I
C
1

+ 1

R
E
1
(3)
Entonces
I
C
1
=
v
BB

R
B

+ V
BE
1
+
+1

R
E
1
(4)
De esta forma se determinan V
CEQ
1
y V
CEQ
2
. Note que al hacer anlisis en cc, los efectos de la
polarizacin de una etapa afectan a la otra. Por otro lado, realizando el anlisis en ca se tiene
3
Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica
v
o
= (1 + h
fe
)i
b
2
R
E
2
(5)
(h
fe
i
b
1
+ i
b
2
)R
C
= i
b
2
h
ie
+ v
o
(6)
v
i
= i
b
1
[h
ie
+ (1 + h
fe
)R
E
1
] (7)
De esta forma despejando i
b
2
de 6 y reemplazando en 5
v
o
= (1 + h
fe
)

h
fe
i
b
1
R
C
v
o
h
ie
+ R
C

R
E
2
(8)
v
o
v
i
=
h
fe
R
C
R
E
2
(1 + h
fe
)
(h
ie
+ R
C
)

1 +

1+h
fe
h
ie
+R
C

R
E
2

[h
ie
+ (1 + h
fe
)R
E
1
]
(9)
El efecto de los elementos de la primera y segunda etapa estn presentes en la ganancia del
sistema.
3.2.2. Acoplamiento capacitivo
El acoplamiento capacitivo o por condensador se usa para interconectar distintas etapas, en las
cuales slo se desea amplicar seal. La presencia del capacitor anula las componentes de cc,
permitiendo slo la amplicacin de seales en ca. Los amplicadores de ca usan acoplamiento
capacitivo. Permite mayor libertad en el diseo, pues la polarizacin de una etapa no afectar a la
otra.
Figura 3: Acoplamiento capacitivo
Extendiendo el sistema de la gura 3 a n-etapas, considerando la relacin de ganancia de cada
una de ellas se tiene que la ganancia del sistema ser
A
v
=
v
o
v
i
=

v
on
v
in

. . .

v
o1
v
i1

v
o
v
i

(10)
Considere amplicador emisor comn (sin CE), de dos etapas de la Figura 4, donde R
1
=
3k,R
2
= 1k,R
E
= 820,R
C
= 2k,V
CC
= 10V ,h
fe
= 100, hie pequeo.
4
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Figura 4: Amplicador con etapa en cascada
Note que en cc ambas etapas quedan separadas, formarn un circuito de polarizacin universal,
de esta forma el punto de operacin para cada etapa ser
V
BB
= V
CC
R
2
R
1
+ R
2
= 2,5V
R
BB
= R
1
R
2
= 750
i
C
=
V
BB
V
BE
R
BB

+
+1

R
E
= 2,15mA (11)
V
CE
= V
CC
I
C

R
C
+
+ 1

R
E

= 7,78V (12)
En ca alterna analizando cada etapa por separado se tiene, para la etapa 1 se determina la
ganancia de voltaje.Planteando las ecuaciones en el circuito de la Figura 5.
Figura 5: Etapa emisor comn en ca
v
o1
= h
fe
i
b
1
R
C
(13)
V
i
=
i
b
1
h
ie
+ R
E
(1 + h
fe
)
Luego se tiene que
A
v
1
=
v
o
1
v
i
=
h
fe
R
C
h
ie
+ R
E
(1 + h
fe
)
= 2,415
La cual ser la misma de la etapa 2,A
v
2
=
v
o
v
o1
= 2,4 de acuerdo a 10 se tiene que la ganancia
total del sistema ser
A
v
T
= A
V
1
A
V
2
= 5,83
5
Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica
Sin embargo, si se toma el amplicador completo de acuerdo a la Figura 6, se tiene
Figura 6: Amplicador en ca
v
o
= R
C
h
fe
i
b
2
i
b
2
= h
fe
i
b
1

1
h
ie
+R
E(1+h
fe)
1
h
ie
+R
E(1+h
fe)
+
1
R
1
R
2
R
C

(14)
i
b
1
=
v
i
h
ie
+ R
E
(1 + h
fe
)
(15)
De esta forma se tiene
A
v
=
v
o
v
i
= R
C
h
fe
h
fe

1
h
ie
+R
E(1+h
fe)
1 +
h
ie
+R
E(1+h
fe)
R
1
R
2
R
C

(16)
3.2.3. Acoplamiento por transformador
Este acoplamiento es muy popular en el dominio de la radio frecuencia (RF). El transformador
como carga permitir aislar las seales y adems, dependiendo de la razn de transformacin
incrementar el voltaje y corriente.En el circuito de la Figura 7 , la carga es alimentada a travs de
un transformador, la relacin de voltajes estar dada por
V
2
V
1
=
N
2
N
1
; donde el segundo trmino es
la relacin de inversa de transformacin. Los transformadores permiten aislar elctricamente las
distintas etapas.
Figura 7: Amplicador con carga acoplado con transformador
6
Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica
4. Desarrollo Experimental
4.1. Procedimiento de diseo
En el desarrollo experimental de esta
prctica se arm el circuito de la gu-
ra 8,el cual es un amplicador multieta-
pas con transistores bipolares de unin
(BJT).El circuito fue diseado para te-
ner una ganancia mnima de 100 ,con
una impedancia de carga de aproxima-
damente de 2k.
Figura 8: Amplicador multietapas con BJTs
4.1.1. Diseo de la etapa de salida
El procedimiento se resume a continuacin:
De la ecuacin de la ganancia de voltaje de la etapa de salida se despejo el valor de R
e2
R
e2
=
R
c2
R
L
10
= 100
En la etapa de salida la excursion de voltaje en el colector es
V
camax
= 2I
CQ2
(R
C
R
L
) = 10V
pp
Despejando el valor de I
CQ2
tenemos:
I
CQ2
=
10V
pp
2 (R
C
R
L
)
= 5mA
De las hojas de especicaciones del transistor P2N2222 se obtienen los valor de h
FE2
,V
CEsat
,V
BE2
para la corriente de colector de 5mA.Dndonos;h
FE2
= 160,V
CEsat
= 0,25V ,V
BE2
= 0,65V .
Se obtiene la excursin de pico mxima del transistor
V
p2
= I
CQ2
(R
C
R
L
+ R
e2
) = 5,5V
As,V
CEQ2
= V
p2
+ V
CEsat
= 5,75V
Se obtiene el valor de V
CC
de frmula siguiente
V
CC
= V
CEQ
+ I
CQ2
(R
c
+ R
e2
) = 16,25V
Este valor se ajusta al valor inmediato superior,es decir, 18 V.
7
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Calculo de R
E2
y se ajusta al valor comercial ms cercano el cual es de 330
R
E2
=
V
CC
16,25
I
CQ2
= 350
Reclculo de la I
CQ2
I
CQ2
=
V
cc
V
CEsat
[R
c
+ R
e2
+ R
E2
+ (R
C
R
L
+ R
e2
)]
= 5mA
Calculo de la R
BB
R
BB
=
h
FE2
(R
e2
+ R
E2
)
10
= 6,8k
Clculo de V
BB2
V
BB2
= I
CQ2

R
e2
+ R
E2
+
R
BB2
h
FE2

+ V
BE
= 3,0125V
Obtencin de R
12
y R
22
R
12
=
R
BB2
1
V
BB2
V
CC
= 8,2k
R
22
= R
BB2
V
CC
V
BB2
= 39k
4.1.2. Anlisis de la etapa de salida
Calculo de los valores de h
ie2
,R
i2
y A
v2
h
ie2
=
h
FE2
V
T
I
CQ2
= 832
R
i2
= R
BB2
(h
ie2
+ h
FE2
R
e2
) = 4,7k
A
v2
=
h
FE2
(R
C
R
L
h
FE2
V
T
= 9,50
4.1.3. Diseo de la etapa de entrada
1. Se elige un valor de R
c1
tal que R
c1
R
i2
R
i2
= 4,7k
2. Calculo de R
e1
R
e1
=
R
c1
R
i2
20
= 120
8
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3. En esta etapa se considera una corriente de polarizacin I
CQ1
= 2mA y utilizando las hojas
de especicaciones del transistor 2N2222 se obtienen los siguiente valores
h
FE1
= 150
V
BE1
= 0,65
4. Como la excursin de la seal es pequea en esta etapa
V
p1
= 0,55V
Proponga
V
CEQ1
= 2V
5. Deduccin de el valor de R
E1
de la ecuacin de la recta de carga de cd.
R
E1
=
V
CC
V
CEQ
I
CQ1
R
C1
R
e1
= 3,3k
6. Valores de R
11
y R
21
R
11
=
R
BB1
1
V
BB1
V
CC
= 82k
R
22
= R
BB2
V
CC
V
BB2
= 39k
4.1.4. Anlisis de la etapa de entrada
En esta etapa se calculan los valores de A
v1
y R
i1
de la siguiente manera
h
ie1
= h
FE1
V
T
I
CQ1
= 1950
A
v1
=
h
FE1
(R
C
R
L
h
ie1
+ h
FE1
R
e1
= 10,54
R
i1
= R
BB1
(h
ie1
+ h
FE1
R
e1
) = 14k
4.1.5. Anlisis del amplicador multietapas completo
Calculo de la ganancia de voltaje total del amplicador
A
vT
=
V
L
V
f
=
A
v1
A
v2
R
i1
R
i1
+ R
f
75,48 (17)
9
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4.2. Resultados y mediciones
Los resultados de las mediciones se muestran en la gura 9 y asi como su escala de voltajes
dndonos una ganancia de aproximadamente 50 donde el voltaje de entrada en 0.2 V y el salida de
0.8 V poniendo la entrada en el potenciometro. Si cambiabamos la entrada en la base del primer
transistor nos daba una entrada de 20 mV con lo cual la ganancia es de aproximadamente 200.
Figura 9: Salida del amplicador
5. Conclusin
E
r sta prctica se nos diculta el realizarla, ya que tardamos mucho para que la seal nos diera
como esperbamos, tambin batallamos para que nos diera una ganancia esperada, ya que a
nosotros nos daba una ganancia de 10 y despus de 30 lo cual es muy poca para lo esperado,
aprendimos mas lo visto en clase ya que reforzamos todo por tantas veces que tuvimos que
implementar el circuito, tambin reforzamos todo lo de diseo ya que nosotros mismos con la ayuda
de la prctica tuvimos que obtener los valores para realizar la prctica.
6. Bibliografa
Referencias
[1] Bc.trs:tr Ntsurtsk. , Electrnica:Teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Octava edicin,
Pearson Prentice Hall.
[2] Gcs:tvc A. Rc|. Rcarrrc , Electrnica Bsica Para Ingenieros, Primera edicin, El Autor.
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Pearson Prentice Hall.
[4] C.J.Stvtr:,Mtr:|r S. Rcrrr,Gcrrcr Ctrrrr:rr , Diseo Electrnico:Circuitos y Sistemas, Segunda
edicin,Pearson Prentice Hall.
10