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4.

- Amplificador multietapa: Efecto de realimentacin negativa

Objetivos Los amplificadores multi-etapa permiten obtener caractersticas de amplificacin que no es posible obtener con una etapa bsica. Esta prctica tiene como objetivo el anlisis de un amplificador constituido por dos tipos diferentes de etapas bsicas (EC y EC) conectadas en cascada. La respuesta en frecuencia y limitaciones en la amplitud mxima sern tambin consideradas. Por ltimo, se aade a este amplificador una realimentacin para estudiar su efecto sobre las caractersticas amplificadoras del circuito.

I.- Anlisis de un amplificador multi-etapa A) Realizar el montaje en el laboratorio del amplificador multietapa de la figura P4.1 sin incluir RF. Determinar tericamente la VCE e IC de cada transistor.

Obsrvese como el acoplo es directo entre las dos etapas. Una buena aproximacin es despreciar la IB2 frente a la IC1 de forma que IC1+IB2IC1

Figura P4.1. Amplificador multi-etapa.

B) Calcular tericamente la ganancia en tensin del amplificador. Comprobar el resultado con EWBMS.

Analizar individualmente cada etapa bsica y obteniendo su modelo equivalente en tensin. Calcula el modelo del amplificador completo.

C) Obtener de forma experimental el modelo equivalente en tensin. D) Determinar de forma terica y experimental la frecuencia de corte inferior de este amplificador. Comprobar el resultado con EWBMS.

Identificar los condensadores externos y aplicar el mtodo de las constantes de tiempo.

II.- Anlisis de un amplificador realimentado E) Realimentar este amplificador multietapa con la red de realimentacin formado por la resistencia RF de 100k. Medir la IC y VCE de los transistores y comparar estos valores con los valores del apartado A). Medir experimentalmente la AVf y Zif y la Zof Comprobar el valor de AVf con EWBMS.
Por qu RF puede alterar el punto de trabajo de los transistores?

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B) Visualizacin en el osciloscopio de vo y vi.

5.- Anlisis de una fuente de intensidad: Carga activa

Objetivos Las fuentes de corriente son unos de los circuitos de polarizacin ms utilizados en circuitos integrados. En esta prctica se van a analizar dos tipos de fuentes de corriente: un espejo de corriente y una fuente de corriente Widlar. La primera proporciona niveles de intensidad de salida ms altos que la segunda, pero su resistencia de salida es mucho menor. Estas limitaciones son observadas al medir experimentalmente las caractersticas de ambas fuentes. Por ltimo, se analiza un amplificador que utiliza un espejo de corriente como carga activa que pone de manifiesto los problemas de polarizacin y la alta ganancia que se pueden obtener con este tipo de estructuras.

I.- Espejo de corriente A) Realizar el montaje en el laboratorio el espejo de corriente de la figura P5.1. Calcular R1 para que Io sea del valor asignado en la prctica. Comprobar ese valor con EWBMS.

Utilizar como mximo dos resistencia (en serie o paralelo) para fijar R1. Importante: Es posible que se detecten discrepancias respecto a los valores tericos debido a las diferencias que pueden existir entre los transistores.

B) Utilizando una resistencia variable de 50k, representar grficamente la Io en funcin de RL.

El valor de RL no debe superar al de R1. Si esto sucediera el transistor de la derecha entra en saturacin y el circuito dejara de comportarse como fuente de corriente. Calcular el valor terico de RL que hace entrar en saturacin al transistor?

C) Calcular tericamente el modelo equivalente Norton de la fuente. Medir experimentalmente los parmetros del equivalente Norton a partir de dos puntos de operacin: Vo=1 V y Vo=10 V.

Es necesario realizar dos medidas experimentales para extraer el modelo equivalente Norton ya que ste est constituido por dos variables, la corriente y la impedancia equivalentes.

VCC R1

VCC RL Io Vo

2N3904

2N3904

RE

RL=250k RE=100 VCC=15 V

Figura P5.1.Espejo de corriente.

Figura P5.2. Fuente de Widlar

II.- Fuente de corriente Widlar D) Realizar el montaje en el laboratorio de la fuente de corriente Widlar de la figura P5.2. Calcular R1 para que Io sea del valor asignado en la prctica. Comprobar ese valor con EWBMS.

Utilizar como mximo dos resistencia (en serie o paralelo) para fijar R1.

E) Utilizando una resistencia variable de 250k, representar grficamente la Io en funcin de RL.


Obsrvese que esta fuente de corriente es mucho ms estable para diferentes valores de RL. Por qu?

F)

Comparar ambas fuentes de corriente y comentar sus ventajas e incovenientes.

III.- Amplificador con carga activa G) Utilizando como parmetro la corriente de colector de todos los transistores asignada a la prctica, determinar de manera terica el valor aproximado de la tensin OFFSET necesaria para la correcta polarizacin del circuito de la figura 5.3. H) Realizar el montaje del circuito y calcular el valor de R1 para obtener la corriente de colector anterior. Variando el potencimetro DC OFFSET del generador obtener una tensin DC en vo cercano a VCC/2; este ajuste resulta un poco costoso. A continuacin medir la componente en continua de la base del transistor NPN; este valor debe ser

prximo a la tensin OFFSET terica obtenida anteriormente. Medir la corriente de colector de los transistores a travs de las resistencias R1 y RE.

El generador de seal permite aadir una componente DC a una seal alterna de salida a travs del potencimetro DC OFFSET. Para reducir al mnimo la amplitud de salida en alterna, es necesario, adems, pulsar el botn de atenuacin 20dB del generador de seal. No olvidar en el osciloscopio poner el conmutador en DC para medir esa componente de salida DC.

Figura P5.3. Amplificador con carga activa

I)

Calcular la ganancia terica aproximada de este amplificador. Comprobar el resultado con EWBMS. Medir experimentalmente la ganancia en tensin (vo/vi) procurando evitar el recorte de la tensin de salida.

Se trata de un amplificador en EC con resistencia de emisor y carga activa. Este tipo de circuitos pueden lograr fcilmente ganancias de varios miles imposibles de medir en el laboratorio con el material de instrumentacin que se dispone. Para ello, se ha incluido la resistencia RE que limita la ganancia del circuito.

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A) Medicin de Io para Vo=VCC/2. D) Medicin de Io para Vo=VCC/2. I) Visualizacin en el osciloscopio de vi e vo.

6.- Anlisis de una etapa diferencial

Objetivos El amplificador diferencial es un circuito muy verstil que sirve como etapa de entrada tpica de los amplificadores operacionales y en circuitos integrados tan diversos como en comparadores y circuitos lgicos ECL. En esta prctica se realiza el montaje y anlisis de un amplificador diferencial sencillo donde se va a estudiar sus caractersticas de amplificacin de modo comn y modo diferencial.

Figura P6.1. Amplificador diferencial.

I.- Anlisis de un amplificador diferencial A) Realizar el montaje en el laboratorio del amplificador diferencial de la figura P6.1. Calcular el valor de R1 para que vo1 y vo2 en DC tengan el valor asignado a la prctica.

Conectar vi1 y vi2 a masa y medir las tensiones de salida. Un amplificador diferencial est basado en la simetra. Este amplificador realizado con transistores discretos puede perder este factor y, por consiguiente, sus caractersticas tan particulares. Los resultados de la prctica no sean los esperados debido a la divergencia en los transistores y a la tolerancia de las resistencias. Por ejemplo, se puede observar que la tensin DC de vo1 y vo2 se diferencie en unas pocas dcimas de voltio.

B) Aplicar una tensin DC a la entrada (la otra conectar a masa) y obtener la VTC del circuito tanto para tensiones de entrada positivas como negativas; representar el resultado de ambas salidas en una misma grfica. No superar la tensin de entrada los 6 V.

La VTC o Voltaje Transfer Characteristic permite caracterizar la salida frente a la entrada. Para ello, se utiliza la fuente de alimentacin variable DC conectada a la entrada y se representa grficamente la Vo frente a la Vi. En la VTC de un amplificador diferencial, los puntos de inters estn localizados alrededor de vi=0, tanto para tensiones positivas como negativas. Si la fuente de entrada no proporciona la suficiente sensibilidad utilizar un divisor de tensin a la entrada. No se debe superar la tensin de entrada de 6 V para evitar alcanzar la tensin de ruptura del transistor. Si observamos las hojas de caractersticas del 2N3904, laV(BR)EB= es de 6.0 V. Este parmetro corresponde a la tensin de ruptura en inversa de la unin BE. Si superamos este valor, se produce un fenmeno de avalancha que puede daar irreversiblemente al transistor.

C) Calcular de manera terica y prctica la ganancia en modo diferencial. Para ello, aplicar una tensin a vi1 con vi2=0. La ganancia en modo diferencial viene dada
Ad = v o1 v o2 v i1

Para poder obtener experimentalmente el numerador de esta ecuacin, vo1-vo2, utilizar la posibilidad que existe en el osciloscopio de restar dos seales analgicas. Comprobar el desfase de vo2 y vo1 respecto a la entrada vi1.

D) Calcular terica y prctica la ganancia en modo comn. Para ello, conectar ambas entradas a una misma tensin vs. La ganancia en modo comn viene dada por

v v A c = o1 = o2 vs vs

Comprobar el desfase de vo2 y vo1 respecto a la entrada vi1.

E) Calcular la relacin de rechazo en modo comn (CMRR) definida en decibelios como

CMRR = 20 log10

Ad Ac

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C) Visualizacin en el osciloscopio de vo1 y vi1. D) Visualizacin en el osciloscopio de vo1 y vi1.