TALLER DE BJT Y MOSFET

FRANCISCO FRAGOZO TORRES WILMER MALPICA VILLAREAL SAMID TORRES LASTRE JOHANA RAMOS NAVARRO

Trabajo presentado al Ing.: FARID MELENDEZ.

CORPORACIN UNIVERSITARIA DE LA COSTA CUC ELECTRNICA DE POTENCIA BARRANQUILLA MAYO DE 2011

INTRODUCCIN

En electrnica de potencia se utilizan diferentes clases de dispositivos semiconductores para el control y la transformacin de potencia elctrica, con la finalidad de alimentar equipos, transportar energa, y controlar el funcionamiento de mquinas elctricas, entre otras. Para cumplir tales fines la electrnica de potencia, como ya se mencion, unos dispositivos conductores, los cuales se pueden clasificar en tres grandes grupos: Dispositivos no controlados, Dispositivos semi-controlados y Dispositivos totalmente controlados. En el presente trabajo hablaremos de los Dispositivos totalmente controlados, en donde encontramos los transistores bipolares BJT (Bipolar Junction Transistor), los transistores de efecto de campo MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), los transistores bipolares de puerta aislada IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y los tiristores GTO (Gate Turn-Off Thyristor), entre otros. En el siguiente taller se detallan las caractersticas ms importantes de dos de estos dispositivos: BJT y MOSFET. En Electrnica de Potencia, los transistores generalmente son utilizados como interruptores. Los circuitos de excitacin o disparo de los transistores se disean para que trabajen en la zona de saturacin (conduccin) o en la zona de corte (bloqueo). Esto difiere de lo que ocurre con otras aplicaciones de los transistores, como por ejemplo, un circuito amplificador, en el que el transistor trabaja en la zona activa o lineal. Los transistores tienen la ventaja de que son totalmente controlados, mientras que, por ejemplo, el SCR o el TRIAC slo dispone de control de la puesta en conduccin. Los tipos de transistores utilizados en los circuitos electrnicos de potencia incluyen los transistores BJT, los MOSFET y dispositivos hbridos, como por ejemplo, los transistores de unin bipolar de puerta aislada (IGBT). A continuacin veremos los dos primeros que mencionamos.

TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR, BJT Tambin llamado transistor bipolar, en el campo de los componentes electrnicos de Potencia, es usado como un dispositivo de conmutacin, ya que, dispone de las caractersticas que lo convierten en un conmutador casi ideal. A diferencia del transistor bipolar normal, en el cual, la zona de trabajo ms importante es la lineal, en el transistor de potencia los estados ms importantes de funcionamiento son saturacin y corte. Estos dos estados se corresponden con los estados cerrado y abierto del conmutador ideal. Por otra parte, no hay mucho inters en los BJTs, pues son muy limitados, y existen otros dispositivos en el mercado de potencia con caractersticas muy superiores. Como ya mencionamos los transistores son utilizados como interruptores en los circuitos de potencia. Los circuitos de polarizacin estn diseados para que estos estn completamente saturados (activados) o en corte (desactivados). El estado de conduccin se consigue proporcionando suficiente corriente de base para llevar el BJT a saturacin. La tensin de saturacin colector-emisor tpica es de 1V a 2V para un BJT de potencia. Una corriente de base nula hace que el transistor se polarice en corte.

Los BJT de potencia estn disponibles con valores nominales de hasta 1200V y 400A. Se suelen usar en convertidores que operan hasta 10 Khz. Actualmente han sido reemplazados por los MOSFETS e IGBTs. El BJT de potencia normalmente tiene una baja. Por ejemplo si =20 y va a conducir una corriente de 60A, la corriente de base tendr que ser mayor que 3A para saturar el transistor. Para lograr estas altas corriente de base se usa la configuracin DARLINGTON donde la ganancia de corriente de la combinacin es aproximadamente igual al

producto de las ganancias individuales y puede reducir la corriente extrada del circuito de polarizacin.

Caractersticas Del Transistor Bipolar Un transistor bipolar de potencia funciona y se utiliza igual que un transistor normal, teniendo como caracterstica especial la capacidad de soportar altas tensiones e intensidades y por tanto elevadas potencias a disipar. Las caractersticas a tener en cuenta en el transistor bipolar son: IC = Intensidad mxima que puede circular por el Colector VCE0 = Tensin de ruptura de colector con base abierta, (mxima tensin C-E que se puede aplicar en extremos del transistor sin provoca la ruptura) Pmax = Potencia mxima Tensin en sentido directo Corriente de fugas Frecuencia de corte VCBO = Tensin de ruptura colector - base con base abierta VEBO = Tensin de ruptura emisor - base con base abierta VCEOSUS = Tensin de ruptura por un aumento excesivo de la corriente de colector y de la tensin C E En funcin de la polarizacin B-E, se pueden definir otras caractersticas: VCEO = Tensin de ruptura colector emisor, con base abierta. VCER = Tensin colector emisor con resistencia de base especificada. VCEX = Tensin colector emisor con circuito especificado entre base emisor. VCEV = Tensin colector emisor con tensin especificada entre base emisor.

 VCES = Tensin colector emisor con unin base emisor cortocircuitada. Caractersticas estticas Los transistores bipolares son fciles de controlar por el terminal de base, aunque el circuito de control consume ms energa que el de los SCR. Su principal ventaja es la baja cada de tensin en saturacin. Como inconvenientes destacaremos su poca ganancia con v/i grandes, el tiempo de almacenamiento y el fenmeno de avalancha secundaria. El transistor, fundamentalmente, puede trabajar en tres zonas de funcionamiento bien diferenciadas, en funcin de la tensin que soporta y la corriente de base inyectada: Corte: no se inyecta corriente a la base del transistor. ste se comporta como un interruptor abierto, que no permite la circulacin de corriente entre colector y emisor. Por tanto, en sta zona de funcionamiento el transistor est desactivado o la corriente de base no es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones en polarizacin inversa. Activa: se inyecta corriente a la base del transistor, y ste soporta una determinada tensin entre colector y emisor. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base, con una constante de proporcionalidad denominada ganancia del transistor, tpicamente representada por las siglas F o F h . Por tanto, en la regin activa, el transistor acta como un amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada mediante la ganancia y el voltaje vCE disminuye con la corriente de base: la unin CB tiene polarizacin inversa y la BE directa. Saturacin: se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la vCE y conseguir que el transistor se comporte como un interruptor cuasi ideal. La tensin que soporta entre sus terminales es muy pequea y depende del transistor. En ste caso ambas uniones estn polarizadas directamente. Se suele hablar de la tensin colector-emisor en saturacin. Zona de Transistor inverso: Unin Base-Emisor polarizada inversamente. Base- Colector polarizada directamente. Es como la zona activa, pero slo mueve los electrones de fugas, no los mayoritarios. Transistor muy malo.

En Electrnica de Potencia, obviamente, interesa trabajar en la zona de corte y en la zona de saturacin, dado que en la zona activa se disipa mucha potencia y en consecuencia el rendimiento del sistema puede llegar a ser muy pequeo. Adems, teniendo en cuenta que en Electrnica de Potencia se trabaja con tensiones y corrientes elevadas, esa disipacin de potencia debe evacuarse de algn modo, o de lo contrario podemos llegar a destruir el semiconductor por una excesiva temperatura en su interior. Los transistores bipolares de potencia presentan durante la conmutacin un fenmeno complejo conocido como efecto de segunda ruptura. Si la ruptura por avalancha se denomina primera ruptura, la segunda ruptura se puede definir como la ruptura de la unin debido a efectos trmicos localizados (creacin de puntos calientes).

rea segura de operacin SOA: Resume los valores ms importantes que no hay que sobrepasar para un correcto funcionamiento del circuito.

Zona 1: (IC (mx.) continuos). Mxima corriente que puede circular por el colector a la tensin dada. Zona 2: (DC operation dissipation limites). Mxima disipacin de potencia del dispositivo. Zona 3: (IS/B limited). Lmite producido por el fenmeno de avalancha secundaria. Zona 4: (VCEO (mx.)). Lmite debido a la tensin de ruptura del transistor.

DATASHEET BJT DE POTENCIA

MOSFET (METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS)

FIELD

EFFECT

Los MOSFET son transistores controlados por tensin. Ello se debe al aislamiento (xido de Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo. Existen dos tipos bsicos de MOSFET, los de canal n y los de canal p, si bien en Electrnica de Potencia los ms comunes son los primeros, por presentar menores prdidas y mayor velocidad de conmutacin, debido a la mayor movilidad de los electrones con relacin a los agujeros. Un tensin puerta-fuente (VGS) lo suficiente grande (VGS> VTH) activar el dispositivo, dando lugar a una pequea tensin drenador fuente (VDS). En el estado de conduccin las variaciones de VDS son linealmente proporcionales a ID, por tanto en estado de conduccin el MOSFET puede modelarse como una resistencia denominada RDS (ON).

Zona activa: ID=k (VGS-VTH)2 MOSFET ON Zona hmica. Durante la transicin pasa por la zona activa MOSFET OFF Corte

Principio de funcionamiento y estructura El terminal de puerta G (Gate) est aislado del semiconductor por xido de silicio (SiO2). La unin PN define un diodo entre la Fuente S (Source) y el Drenador D (Drain), el cual conduce cuando VDS < 0. El funcionamiento como transistor ocurre cuando VDS > 0. Cuando una tensin VGS > 0 es aplicada, el potencial positivo en la puerta repele los agujeros en la regin P, dejando una carga negativa, pero sin portadores libres. Cuando esta tensin alcanza un

cierto valor umbral (VT), electrones libres (generados principalmente por efecto trmico) presentes en la regin P son atrados y forman un canal N dentro de la regin P, por el cual se hace posible la circulacin de corriente entre D y S. Aumentando VGS, ms portadores son atrados, ampliando el canal, reduciendo su resistencia (RDS), permitiendo el aumento de ID. Este comportamiento caracteriza la llamada regin hmica. La circulacin de ID por el canal produce una cada de tensin que produce un efecto embudo, o sea, el canal es ms ancho en la frontera con la regin N+ que cuando se conecta a la regin N-. Un aumento de ID lleva a una mayor cada de tensin en el canal y a un mayor efecto embudo, lo que conducira a su colapso y a la extincin de la corriente. Obviamente el fenmeno tiende a un punto de equilibrio, en el cual la corriente ID se mantiene constante para cualquier VDS, caracterizando una regin activa o de saturacin del MOSFET. Una pequea corriente de puerta es necesaria apenas para cargar y descargar las capacidades de entrada del transistor. La resistencia de entrada es del orden de 1012 Ohms. De forma anloga a los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de trabajo bien diferenciadas: Corte: La tensin entre la puerta y la fuente es ms pequea que una determinada tensin umbral (VT), con lo que el dispositivo se comporta como un interruptor abierto. hmica: Si la tensin entre la puerta y la fuente (o surtidor) es suficientemente grande y la tensin entre el drenador y la fuente es pequea, el transistor se comporta como un interruptor cerrado, modelado por una resistencia, denominada RON. Saturacin: Si el transistor est cerrado pero soporta una tensin drenador-surtidor elevada, ste se comporta como una fuente de corriente constante, controlada por la tensin entre la puerta y el surtidor. La disipacin de potencia en este caso puede ser elevada dado que el producto tensin-corriente es alto.

Obviamente, en Electrnica de Potencia nos interesa que un MOSFET trabaje en corte o en hmica (interruptor abierto o cerrado). Cabe anotar que se puede presentar confusin en las zonas de trabajo cuando hablamos de BJT y MOSFET. Debemos tener en cuenta que la zona de saturacin de un BJT corresponde a la zona hmica del MOSFET y que la zona de saturacin de ste corresponde a la zona activa del BJT. Uno de los inconvenientes de los transistores MOSFET es que la potencia que pueden manejar es bastante reducida. Para grandes potencias es inviable el uso de estos dispositivos, en general, por la limitacin de tensin. Sin embargo, son los transistores ms rpidos que existen, con lo cual se utilizan en aplicaciones donde es necesario altas velocidades de conmutacin (se pueden llegar a tener aplicaciones que trabajan a 1MHz, algo impensable para los bipolares). Otro de los inconvenientes de este tipo de transistores es que la resistencia en conduccin RON vara mucho con la temperatura y con la corriente que circula, con lo que no se tiene un comportamiento de interruptor casi ideal como en el caso de los bipolares. Sin embargo, su ventaja ms relevante es la facilidad de control gracias al aislamiento de la puerta. El consumo de corriente de puerta es pequeo y se simplifica el diseo del circuito de disparo (driver) y control correspondiente. Para evitar los inconvenientes del MOSFET y del bipolar y aprovechar las ventajas de ambos, los fabricantes han introducido un dispositivo nuevo, denominado IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Los MOSFETs de baja tensin tienen resistencias de conduccin menores a 0,1_, mientras que los MOSFETs de alta tensin tienen de conduccin de unos cuantos ohmios. La construccin de los MOSFET produce un diodo parasito lo que se puede utilizar, a veces, en circuitos electrnicos de potencia. Los valores nominales de los transistores MOSFET llegan a alcanzar hasta 1000V y 50A teniendo unas velocidades de conmutacin mayores que los BJT usndose en convertidores que operan por encima de los 100khz.

VENTAJAS DE LOS MOSFET FRENTE A LOS BJT - La velocidad de conmutacin para los MOSFET est en el orden de los nanosegundos, por esto son muy usados en convertidores de pequea potencia y alta frecuencia. - Los Mosfet no tienen el problema de segunda ruptura (coeficiente positivo de temperatura). - Circuito de mando ms simple. - Alta impedancia de entrada. MAS VENTAJAS La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares: Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao. Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanos amperios. Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia. INCONVENIENTES DE LOS MOSFET: - Son muy sensibles a las descargas electrostticas y requieren un embalaje especial. - Es relativamente difcil su proteccin. - Son ms caros que sus equivalentes bipolares. - La resistencia esttica entre Drenador-Surtidor, es ms grande, lo que provoca mayores prdidas de potencia cuando trabaja en Conmutacin.

APLICACIONES La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son: Resistencia controlada por tensin. Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.) Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

BIBLIOGRAFA

1. Narvaja, Flavio. Elementos semiconductores de potencia. <http://examenesutn.awardspace.com/examenes/potencia/apuntes//TeoriaN arvaja/Elementos%20semiconductores%20de%20potencia(BJT)-1.pdf> [Consulta: 13 de Mayo del 2011].

2. Vaquero Lpez, Joaqun. Tema 4, Transistor Bipolar (BJT). Universidad Rey Juan Carlos < http://laimbio08.escet.urjc.es/assets/files/docencia/ECA/Tema%204%20BJT _07_08.pdf> [Consulta: 13 de Mayo del 2011].

3. Dispositivos de Electrnica de Potencia <http://tec.upc.es/el/TEMA-2%20EP%20(v1).pdf> [Consulta: 13 de Mayo del 2011].