Laser puits quantique

Emmanuel Rosencher PHY 567

1. Gain et oscillation laser 2. Gain dans un puits quantique 3. Condition de Bernard-Durrafourg 4. Seuil de transparence et doscillation 5. Diode laser 6. Caractristiques des lasers semiconducteurs 7. Industrie des lasers semiconducteurs
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EMISSION STIMULEE ET AMPLIFICATION OPTIQUE

Absorption

mission spontane

mission stimule

Amplification optique

Albert Einstein 1917

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EMISSION STIMULEE ET MICROREVERSIBILITE QUANTIQUE REGLE DOR DE FERMI

Le taux de transition par seconde induit par un champ lectromagntique F de pulsation

(t ) = W cos t = q F z W cos t
entre deux niveaux quantiques

i f

est donn par:

Gi f =

2h

2 f qF z E f Ei = h i 2 i qF z E f E i = h f

) )
(

absi f = op Ni em f i = op N f

G f i = 2h

= absi f em f i

= op N i N f

)
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AMPLIFICATION OPTIQUE ET INVERSION DE POPULATION

f i

= op Ni

f i

= op Ni N f

) )

f i

= = op N f Ni

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LOSCILLATION LASER

Miroir

Miroir

Intensit de londe

Amplificateur optique

SOUS LE SEUIL
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LOSCILLATION LASER

Miroir

Miroir Amplificateur optique

Intensit de londe

AU DESSUS DU SEUIL: NON STATIONNAIRE

6/43

LOSCILLATION LASER

Miroir

Miroir Amplificateur optique

Intensit de londe

AU DESSUS DU SEUIL: STATIONNAIRE GAIN = PERTE CLAMPAGE DU GAIN

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CONDITIONS DOSCILLATION LASER (1)

Rflectance r e Rflectance r s

rs Em e 2i k L eL

Em ei k L eL / 2

Em +1 = rers Em e 2i k L eL

Em

rs E m ei k L eL / 2

Etat stationnaire:

Em+1 = Em
re rs e L ei 2 kL = 1
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Condition doscillation laser:

CONDITIONS DOSCILLATION LASER: PHASE (2)

Condition sur la phase

2 kL = 2 m m = m
isl
c = m isl 2 L nop

= 2 = k c
nop

Intervalle spectral libre

gain

frquence

isl

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CONDITIONS DOSCILLATION LASER: AMPLITUDE (2)

Condition sur lamplitude:

re rs e

( p )L = 1
Absorption parasite

Il y a oscillation laser ds que les gains contrecarrent exactement les pertes

1 s = p + 1 ln 2 L Re Rs
Tant que

= + p m

< s

pas doscillation laser Oscillation laser

== s

A ltat stationnaire, le gain ne peut excder les pertes: Le gain est clamp sa valeur seuil Remarque utile:

Re = Rs = 1 T

m T L

*
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Laser puits quantique

1. Gain et oscillation laser 2. Gain dans un puits quantique 3. Condition de Bernard-Durrafourg 4. Seuil de transparence et doscillation 5. Diode laser 6. Caractristiques des lasers semiconducteurs 7. Industrie des lasers semiconducteurs

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SCHEMAS DES PRINCIPES

n
L p

EFc

EFv

I
Aspect structure de bandes
AlGaAs GaAs GaAs AlGaAs

n
InGaAs

Aspect technologique

Aspect lectromagntique intgrale de recouvrement

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DIFFICULTE LIEE AU CONTINUUM DETATS

f i
Condition dinversion sur des tats discrets

= op N i N f N f > Ni

Condition dinversion sur un continuum

(h ) = 0 ( fv (h ) fc (h ))

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ETATS DANS LES PUITS QUANTIQUES (RAPPEL)

E
e1 ( z )

E1

h2 k// 2 Ec (k // ) = E1 + 2 m c

e1
E

k //
HH 1
h 2 k// 2 Ev (k // ) = HH 1 2 m v

hh1
hh1 ( z )

e1 solution de lquation de Schrdinger

h 2 k // 2 2 mc

2 2 h d e1 ( z ) + V ( z )e1 ( z ) = e1.e1( z )

2 mc dz 2

nergie cintique des lectrons se dplaant librement dans la direction parallle aux puits

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ETATS JOINTS (RAPPEL)

Un photon dnergie donne h joint deux tats des bandes de valence Ec (h ) et de conduction Ec (h )

h 2 k 2 Ec (h ) = E1 + 2 mc

Ec (h ) Ev (h ) = h = E1 HH 1 +
avec

h 2 k 2 2 mr

E1
E

1 = 1 + 1 mr mc mhh

HH 1

r k

Ec (h ) = E1 + (h E ) mr
m

Ev (k ) = HH 1

h 2 k 2 2 mhh

Ev (h ) = HH 1 (h E ) m r
m

hh

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PROBABILITES DOCCUPATION DES ETATS JOINTS ET QUASI-NIVEAUX DE FERMI

Quasi-niveaux de Fermi

f c (h ) = f F (Ec (h )) =

1 E (h ) EFc 1 + exp c kT

E Fc

E1

f v (h ) = f F (Ev (h )) =

1 E (h ) EFv 1 + exp v kT

HH 1

E
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GAIN OPTIQUE DUN PUITS QUANTIQUE

Cours LED

(h ) = 0 ( f v (h ) f c (h ))
avec

(h ) = 0 ( f c (h ) f v (h ))
f v (h ) =
1 Ev ( h ) EFv kT 1+e

f c (h ) =

1 Ec (h ) E Fc kT 1+e

Ev (h ) EF Ec (h )E F v c kT kT e e (h ) = 0 Ev (h )E F Ec (h ) EF v c kT kT 1+ e 1+ e

On voit que

>0

si

Ec (h ) E Fc < Ev (h ) E Fv
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Laser puits quantique

1. Gain et oscillation laser 2. Gain dans un puits quantique 3. Condition de Bernard-Durrafourg 4. Seuil de transparence et doscillation 5. Diode laser 6. Caractristiques des lasers semiconducteurs 7. Industrie des lasers semiconducteurs

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CONDITION DE BERNARD-DURRAFOURG
Ec (h ) E Fc < Ev (h ) E Fv
Sont amplifis les photons dnergie telle que :

E < Ec (h ) Ev (h ) < E Fc E Fv
= h

La structure amplifie des photons ds que la densits n et p sont suffisantes pour que Seuil damplification

E Fc E Fv = E

Ev (h ) E F v k T e

f c (h ) f v (h ) EFc EFv

Ec (h ) E F c k T e

EFc EFv

+1

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E
E Fc

e1
E

hh1

E Fv

E
f c (h ) f v (h )

0
E

EFc EFv

EFc EFv 0

h
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Laser puits quantique

1. Gain et oscillation laser 2. Gain dans un puits quantique 3. Condition de Bernard-Durrafourg 4. Seuil de transparence et doscillation 5. Diode laser 6. Caractristiques des lasers semiconducteurs 7. Industrie des lasers semiconducteurs

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PRINCIPES DIRECTEURS DES CALCULS Il faut trouver pour quelle densit de porteur ntr et ptr la condition de Bernard Durrafourg est atteinte, cest dire:

E Fc (ntr ) E Fv ( ptr ) = E
Pour cela, il faut: 1- calculer EFc et EFv en fonction de n et p 2- Condition dinversion (ou Seuil de transparence): Calculer le gain maximal en fonction de n et p et trouver quand G> 0 3- Seuil doscillation: Calculer le gain maximal en fonction de n et p et trouver quand G> P PC
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COMMENT CALCULER LA POSITION DES QUASI-NIVEAUX DE FERMI (1) mc = c E h 2

n=

1 dE c E EFc E1 1 + exp[ kT ]
densit critique

EFc E1 n = nc ln 1 + e kT

E1

nc = c kT

PC

HH 1 EFv 1 p = pc ln 1 + e kT p = v dE E E Fv 1 + exp[ kT ] pc = v kT densit critique

HH1
Une fois connue la densit de porteurs dans les puits imposs par le courant lectrique, les quasi-niveaux de Fermi sen dduisent

m v = v

h 2

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COMMENT CALCULER LA POSITION DES QUASI-NIVEAUX DE FERMI (2)

EFc E1 n = nc ln 1 + e kT HH 1 EFv p = pc ln 1 + e kT

E Fc E1 = kT ln e n / nc 1

avec

nc = c kT pc = v kT

HH 1 E Fv = kT ln e p / pc 1

) avec

nc E1 HH 1

EFc pc

EFv
n p

PC

nc 1012 cm 2

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GAIN MAXIMAL DUN PUITS QUANTIQUE (1)

PC

f c (h ) f v (h )

max
EFcEFv
E
1 +1
h

E1
E

HH 1

r k

Gain maximal pour

h = E

do

Ec (h ) = E1

et Ev (h ) = HH 1
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GAIN SPECTRAL MAXIMAL DUN PUITS QUANTIQUE Pour tout niveau de pompage, le gain spectral maximal est obtenu au gap:

1 1 max = 0 ( f c (E ) fv (E )) = 0 E1 E Fc HH1 EFv kT kT 1 + e 1 + e

E Fc E1 = kT ln e n / nc 1

PC

HH 1 E Fv = kT ln e p / pc 1

)
n / nc

max = 0 f g (n )

avec f g (n ) = 1 e

e n / pc

f g (n ) = 1 e n / nc e n / R nc

avec

R = mv / mc
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Seuil de transparence et seuil doscillation

Condition de Bernard-Durrafourg Transparence atteinte ds que

f g (ntr ) = 1 e ntr / nc e ntr / Rnc = 0

p + m

Seuils doscillation :

f g (ns ) = 1 e ns / nc ens / Rnc = s 0 0

max

f g (n )

+1

s
n

ntr
1
Exemple :

ns

R =1

ntr = ln 2 nc

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Laser puits quantique

1. Gain et oscillation laser 2. Gain dans un puits quantique 3. Condition de Bernard-Durrafourg 4. Seuil de transparence et doscillation 5. Diode laser 6. Caractristiques des lasers semiconducteurs 7. Industrie des lasers semiconducteurs

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Diode laser
I
quation de la baignoire sous le seuil:
d n = G (R r dt I n + Rnr ) = q tot
I: densit de courant n: densit surfacique

EFc

EFv
A ltat stationnaire:

I=

qn tot

I
Sous le seuil n croit linairement avec I la densit de photons stimuls s 0

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CLAMPAGE DU GAIN ET DES PORTEURS

Exemple: Au seuil: s > 0

I s ns = q tot

ns = 2 1012 cm 2
tot =1 ns

I s = 300 A / cm 2

Au dessus du seuil, le gain est clamp

max = 0 1 e n / nc e n / Rnc = s

n = ns

A mesure que le courant augmente, la densit de porteurs est clampe, la densit de photons croit dans la cavit, lnergie lectrique ne sert plus augmenter la densit de porteurs mais celle des photons: lmission stimule devient prpondrante
I q

= ( Rr + Rnr ) + Rst = s + Rst tot

n
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Taux dmission stimul

3 1 rst = dIq d s dIq d s ( cm .s ) q tot n I

I ( A / cm 2 )

w
L

rst taux dmission stimule par unit de volume Rappel sur lmission stimule:

???

Pout (W / cm 2 )

rst = Bcv Dj ' S fc (h) (1 fv (h)) s

dx = c' dt

s: densit de photons par unit de volume (cm -3) Pendant dt

x + dx

Entre x et x + dx, (par unit de volume)

ds = s ( x + dx ) s ( x ) == s dx ds = rst dt

Cet apport est du lmission stimule pendant dt

rst = c' s
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Densit de photons stimuls

3 1 rst = dIq d s = dIq d s = c ' s ( cm .s ) q tot n I

Au dessus su seuil, le gain est clamp

s
n

s = q d 1 (I I s ) c ' s
cm -3
s

ns

Is

rendement quantique

s = 1 m + p

)
Is

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Puissance de sortie
Pout = (nergie du photon) x (densit de photons) x (volume du mode) x (taux d chappement)

Taux dchappement:

c' T c' m L

c/L

d (c' ) Pout = (h ) (s ) L w m

d
n

s = q d 1 (I I s ) c ' s s = 1 m + p

ns

m Pout = h (J Js ) q m + p

P out

Js

J = L wI

Courant total

PC

Js
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Laser puits quantique

1. Gain et oscillation laser 2. Gain dans un puits quantique 3. Condition de Bernard-Durrafourg 4. Seuil de transparence et doscillation 5. Diode laser 6. Caractristiques des lasers semiconducteurs 7. Industrie des lasers semiconducteurs

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LES CARACTERISTIQUES DU LASER A SEMICONDUCTEUR

Puissance mise

laser

LED

nergie des photons

Caractristiques Spectre mis trs pur Faisceau trs fin Frquence de modulation lev (> 30 GHz) Technologie non planaire cot lev

Applications Tlcommunications Lecteurs de disques CD et DVD Pointeurs laser Tlmtres

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FORME DU FAISCEAU ISSU DUNE DIODE LASER

=
Thorie des faisceaux gaussiens

2W0

W0

l arg

= /dm = /larg
2

dm
Divergence anisotrope Optique anamorphose
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Laser puits quantique

1. Gain et oscillation laser 2. Gain dans un puits quantique 3. Condition de Bernard-Durrafourg 4. Seuil de transparence et doscillation 5. Diode laser 6. Caractristiques des lasers semiconducteurs 7. Industrie des lasers semiconducteurs

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recherche mdical matriaux shows

MARCHE DES LASERS

imprimantes pompes dfense CDs tlcom

2000 2001

14 12 Milliards de $ 10 8 6 4 2 0 1997 1998 1999 2000 2001 1,4 1,8 1,71 1,75 2,14 3,18 9,36 6,6 2,2 2,6

1000

2000

3000

Millions de $

non diode diode

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Gammes des diodes lasers

GaN/AlGaN Bleu-UV CD, DVD
7

AlN Bande interdite 0 K (eV)

6 5 4 3 2 1 0 5.0

GaP/AlGaP Rouge Pointeurs

GaN

AlP GaP Si

AlAs InN GaAs InP InAs

GaAs/AlGaAs 0.8 1 m Lecteur CD

InP/InGaAs 1.4 1.6 m Tlcom.

5.5

6.0

6.5
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Maille du cristal (Ang.)

Exemple dapplications: le lecteur de disque compact CD et DVD

Longueur donde Capacit de stockage Encyclopdia Univ.

785 nm 0.15 GB/cm2 0.6 m2

405 nm 0.6 GB/ cm2 0.15 m2

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Exemple dapplications: les tlcommunications optiques

Seule le laser permet de faire entrer la lumire dans un guide donde

4 m !!!

Encyclopedia Universalis 1 000 GigaBit en 1/10 s sur 3000 km

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DIODES LASER DE PUISSANCE: APPLICATION AU POMPAGE DE LASER SOLID E

14000 12000 nergie (cm -1) 10000
0.8 m 1.06 m 4 2 4 4

H 9/2

F5/2 F3/2

8000 6000
4

15/2

4000 2000

I 13/2
4 I 4 11/2

9/2

(a)

Nd:YAG
P

810 nm

Nd 3+ :YAG

corps noir

(a) (b)

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APPLICATIONS A LA DETECTION SPECTROSCOPIQUE

1.748

Longueur donde (m)

1.736

HCl Nombre donde (cm-1)

43/43

dtecteur