TEMA 3

Tecnologa y fabricacin de CIs

Tcnicas de Crecimiento, EPITAXIAL

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I. Crecimiento EPITAXIAL : Introduccin
EPITAXIA: es el crecimiento ordenado de una capa monocristalina que mantiene una relacin definida con respecto al substrato cristalino inferior. EPI: sobre TAXIS: ordenacin

Substrato de partida

Substrato ms Capa epitaxial

Utilidad del crecimiento epitaxial fabricacin de capas semiconductoras de calidad. Para muchas aplicaciones la oblea es nicamente un soporte mecnico
Sobre ella se crecen una o ms capas de un material que preserva la estructura del monocristal y de conductividad apropiada (epitaxia) La epitaxia es un modo de controlar de manera precisa el perfil de dopaje para optimizar dispositivos y circuitos y el grosor de la capa epitaxial puede variar desde 0.1 m hasta 100 m segn la aplicacin
De menor espesor para aplicaciones de alta velocidad De mayor espesor para aplicaciones de potencia

Se caracteriza por realizarse a temperatura inferior a la de fusin del material Ejemplo: crecimiento epitaxial: regin p (base del transistor bipolar y regin central del MOSFET)
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I. Crecimiento EPITAXIAL : Introduccin
EPITAXIA: es el crecimiento ordenado de una capa monocristalina que mantiene una relacin definida con respecto al substrato cristalino inferior.

Substrato de partida

Substrato ms Capa epitaxial

Ejemplo: crecimiento epitaxial: regin p (base del transistor bipolar y regin central del MOSFET)
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I. Crecimiento EPITAXIAL : Introduccin
El crecimiento epitaxial, puede dividirse en dos categoras muy amplias:
Homoepitaxia: la capa que se crece es qumicamente similar al substrato:
Es la epitaxia ms simple e involucra la extensin de la red del substrato en una red de material idntico (autoepitaxia u homoepitaxia), Si sobre Si GaAs sobre GaAs. AlGaAs sobre GaAs: hay una desadaptacin de la constante de red del 0.13 % (homoepitaxia)

Heteroepitaxia: la capa que se crece difiere en trminos qumicos, estructura cristalina, simetra o parmetros de red con respecto al substrato.
Materiales III-V ternarios o cuaternarios sobre GaAs (AlGaAs sobre GaAs, GaN sobre SiC) GaAs sobre Si: existe un 4.5 % de desadaptacin en la constante de red Silicon on Insulator (SOI) Silicon on Shaphire (SOS)

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I. Crecimiento EPITAXIAL : Introduccin
tecnologa

Inters de las tcnicas epitaxiales:

El crecimiento epitaxial, es una tcnologa estandard en la fabricaicn de dispositivos de Silicio. Permite la fabricacin de dispositivos elctrnicos y fotnicos extraordinariamente avanzados.
Tecnologa de crecimiento de heteroestructuras lser Tecnologas de semiconductores para diseo de circuitos integrados Crecimiento de dispositivos y estructuras semiconductoras
Fotodetectores Fotodiodos Transistores de alta frecuencia Permite la fabricacin de materiales cristales sobre pelcula delgada.

El control extremo del espesor en los mtodos epitaxiales actuales permite el estudio de fenmenos qumicos y fsicos.

tiles a la bsqueda de nuevos materiales semiconductores: de investigacin

nivel

ciencia

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I. Crecimiento EPITAXIAL : Introduccin
Clasificacin de las tcnicas de crecimiento epitaxial Todas ellas basadas en el transporte fsico del material semiconductor hacia la oblea calentada (en fase lquida, en fase de vapor, etc.)
Tcnica VPE: epitaxia en fase de vapor Su forma ms genrica es la CVD (chemical vapor deposition) que no slo sirve para realizar el crecimiento del monocristal sino tambin para depositar otro tipo de pelculas (aislantes y conductoras)

LPE (liquid phase epitaxy): epitaxia desde la fase lquida MBE (molecular beam epitaxy): epitaxia de haces moleculares

Desabsorcin del precursor Transporte en superficie Desabsorcin de los productos de la reaccin

absorcin del precursor

diffusion superficial
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nucleation y crecimiento de islas

Crecimiento de escalones

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I. Crecimiento EPITAXIAL : Introduccin
La calidad de la capa epitaxial, depende de la difusividad de la superficie y de una serie de factores experimentales (limpieza de la superficie, velocidad de deposicin, T, etc)

Baja movilidad superficial

amorphous island growth

Alta movilidad superficial

step growth

Amorfo a cristal

Isla a crecimiento de escalones

Temperatura de crecimiento
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II. Crecimiento EPITAXIAL : Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Histricamente: es la epitaxia ms antigua y la ms simple
Fue utilizada por primera vez por H. Nelson (1963) para el crecimiento de uniones p-n de GaAs.

Se utiliza principalmente para crecer materiales compuestos (ternarios y cuaternarios) muy uniformes, delgados y de elevada calidad. Involucra el crecimiento de capas epitaxiales sobre substratos cristalinos por precipitacin directa desde la fase lquida. Cristalizacin de las fases a partir de una solucin.
Se basa en la SOLUBILIDAD de un soluto en un disolvente a una T dada. El substrato (la oblea donde se quiere crecer la capa) de pone en contacto con una solucin:
Con un solvente previamente escogido saturada del material semiconductor A una Temperatura apropiada En condiciones prximas al equilibro entre la disolucin y el substrato, se puede crecer el semiconductor sobre el substrato de manera lenta y uniforme.

Las velocidades de crecimiento tpicas son de 0.1- 1 m/minuto. El crecimiento se controla mediante un enfriamiento de la mezcla. Puede producirse un dopaje mediante la adicin de dopantes.
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II. Crecimiento EPITAXIAL : Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Sistema LPE
Es necesario partir del diagrama de fases del GaAs relacin entre la composicin de las fases lquida y slida a diferentes Temperaturas. Es caracterstico que a la composicin de la fase slida siempre la corresponde un 50 % de tomos de cada grupo 50 % Ga y 50 % As.
lquido GaAs + lquido GaAs + lquido

Montaje experimental
Un contenedor de grfico dentro de un tubo de cuarzo que se introduce en un horno. El horno permite calentar la solucin hasta la temperatura deseada: T0. Se hace circular H2 (hidrgeno purificado) Para eliminar las pelculas de xido del material solvente (xido de Galio) Dos regiones para depositar el substrato y la mezcla Al alcanzar T0 el horno se inclina y la fase lquida cubre al substrato Despus se reduce la T y como consecuencia, crece la capa epitaxial sobre la superficie del substrato. El proceso termina cuando el horno regresa a la posicin inicial, y la fase lquida se retira de la superficie del substrato
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Diagrama de fases del GaAs

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II. Crecimiento EPITAXIAL : Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Caso particular del GaAs (procedimiento de Nelson) para el crecimiento de una capa de GaAs PASO n 1: SATURACIN DEL FUNDIDO.
prepar una solucin saturada de As en Ga (T saturacin: 850 C) (punto a del diagrama) poniendo en contacto el Ga fundido y unos cristales de GaAs. A la solucin de Ga slo pasa la cantidad de tomos de As que corresponda a la solubilidad de As en el Ga a una T dada El n de tomos de As = n de molculas de GaAs que pasan a formar parte de la fase lquida.

Si la solucin se enfra lentamente (paso de el punto (a) al punto (b)) unos pocos grados (T=5-20C)
La mezcla se vuelve supersaturada (demasiados tomos de As para esa T).

PASO n 2: INTRODUCCIN DEL SUSTRATO. Se gira el sistema para que la disolucin lquida moje a la oblea de GaAs sobre la que queremos hacer el crecimiento (T<1238C, luego la oblea no se funde). PASO n 3. CRECIMIENTO DEL MONOCRISTAL .
Al mojar la oblea, los tomos de As se incorporan al GaAs y lgicamente el disolvente pierde tomos de As La solucin se vuelve ms rico en Ga (movimiento (b) a (c) hacia la izda) y disminuye su punto de fusin. Si se reduce la Temperatura lentamente se crece una capa de monocristal de GaAs sobre la semilla

El proceso termina cuando el horno regresa a la posicin inicial, y la fase lquida se retira de la superficie del substrato
(c)

(a) (b)
GaAs + Ga (liquido)

NOTA: Este sistema serva para realizar crecimientos epitaxiales de una sola capa.
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II. Crecimiento EPITAXIAL : Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Para obtener crecimientos epitaxiales de diferentes capas se utiliza LPE: SISTEMA HORIZONTAL:
El montaje contiene un bote de grafito de tipo panal. Se compone de dos partes: tronco y deslizador
El tronco (fijo) en cuyas cavidades se alojan las fases lquidas de diferentes composiciones (con GaAs, con AlGaAs, etc.) El deslizador tiene una cavidad en la cual se deposita el substrato, y se desliza en relacin con el tronco

Este sistema se mueve de modo que el substrato se pone en contacto con cada una de las fases lquidas contenidas en las cavidades.

La composicin de la capas epitaxiales cristalizadas depende de la T y composicin de las fases lquidas Es necesario conocer los diagramas de fase, ya sean soluciones ternarias o cuaternarias. El espesor de las capas puede regularse variando el intervalo de la T en el que se realiza el proceso de cristalizacin o variando el volumen de la fase lquida.
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II. Crecimiento EPITAXIAL : Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Caractersticas de las capas crecidas
Las capas crecidas mediante este mtodo se caracterizan por tener un tiempo de vida media de minoritarios elevados (pocas impurezas profundas): se utiliza mucho en la realizacin de dispositivos optoelectrnicos: lseres de heteroestructuras de capas mltiples de GaAs y AlGaAs El control del crecimiento de la capa desde la fase lquida puede realizar mediante un enfriamiento controlado de la disolucin o mezcla Las velocidades de crecimiento LPE son extremadamente bajas La introduccin de impurezas se reduce fuertemente. Se puede realizar un dopaje mediante un aadido de impurezas a la disolucin. Es un mtodo utilizado principalmente para el crecimiento de materiales SC compuestos III-V en los cules el Ga o In son el elemento tipo III, dado que estos metales forman soluciones a temperaturas bajas.

Ventajas LPE
Es un proceso simple que requiere un equipo modesto Se puede realizar en condiciones normales de laboratorio Menos costosa y mayor velocidad de crecimiento que la MBE Baja concentracin de defectos Excelente control de la estequiometria

Desventajas LPE
Las condiciones de solubilidad restringen en gran manera al nmero de materiales a los cuales es aplicable esta tcnica. El control de la morfologa (orientacin cristalina) es muy difcil La calidad superficial es pobre
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II. Crecimiento EPITAXIAL : Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Ejemplos industriales de tcnica LPE: Modelo: LPE_3750/4750:
Este reactor utiliza una tcnica de una barquilla sobre grafito para producir semiconductores de alta calidad a velocidades relativamente elevadas. Un sistema automtico de control proporciona uniformidad al proceso de run a run. Un PC utiliza un Display Grfico para desarrollar procesos de procedimientos y tcnicas de crecimiento. El tubo del proceso puede ser entonces enfriado rpidamente, mediante un sistema especial de enfriamiento para aumentar la velocidad. Un sistema especial, mantiene una sobrepresin, asegurando un proceso libre de contaminacin ambiental. Consta de numerosos sensores y monitores limitadores para proporcionar un apagado en caso de cumplirse las condiciones especficas de operacin.

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III. Crec. EPITAXIAL: Vapour Phase Epitaxy (VPE)
Se utiliza actualmente para Si y GaAs Es un proceso en el que una capa slida delgada se sintetiza partiendo de una fase gaseosa mediante una reaccin qumica. El propsito de la epitaxia es crecer una capa de Silicio de grosor uniforme y en la cul se puedan controlar las propiedades elctricas y proporcionar un substrato perfecto en el procesado del dispositivo para cada tipo de aplicacin. Este tipo de epitaxia tiene lugar a alta temperatura Caractersticas:
Diferentes especies qumicas que van a formar la capa epitaxial (Si, Ga, As, tambin pueden transportar dopantes) se transportan en forma de vapor (fase gaseosa) a travs de compuestos qumicos gaseosos (normalmente por H2) a la T de reaccin, hacia la oblea En la oblea se depositan en la superficie del material para formar la capa epitaxial mediante la correspondiente reaccin qumica Estos compuestos se depositan ordenadamente siguiendo la cristalografa del substrato o de la oblea

Puede llevarse a cabo a presin atmosfrica, evitando la necesidad de realizar un sistema de vaco y reduciendo la complejidad Tasas de crecimiento elevadas
Veremos la epitaxia de Silicio La de GaAs no la vamos a estudiar debido a su mayor complejidad.

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III. Crec. EPITAXIAL: Vapour Phase Epitaxy (VPE)
La tcnica VPE en Silicio Tiene lugar en reactores como los que se observan en la Figuras inferiores. El corazn de un epi-reactor es la cmara de reaccin, fabricada tpicamente en cuarzo
Dentro de la cmara hay un crisol en forma de barquilla que sirve de apoyo de los substratos (grafito recubierto de carburo de silicio). Se calienta hasta 900-1250 C (no se alcance el punto de fusin del Si). Tiene entradas y salidas de gases de modo que puedan fluir en su interior. Estos gases contienen compuestos de silicio voltiles y algunos compuestos dopantes. Todos los productos son gaseosos y las reacciones tienen lugar aproximadamente a 1200C. Esta alta temperatura es necesaria par que los tomos de dopantes adquieran la energa suficiente para moverse y formar los enlaces covalentes.

La geometra del reactor se utiliza segn la manera de sujetar las obleas. Fundamentalmente dos:
El disco (tarta, o tipo de oblea nico) las obleas estn dispuestas horizontalmente.. El de forma piramidal (o tipo de barril) las pirmides truncadas mantienen las obleas dentro de cavidades situadas en sus caras prcticamente verticales Tiene la ventaja de procesar un gran nmero de obleas al mismo tiempo.

Configuraciones de reactores de crecimiento epitaxial: reactor horizontal (a), reactor vertical (b), y reactor en barril (c)
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III. Crec. EPITAXIAL: Vapour Phase Epitaxy (VPE)
La tcnica VPE en Silicio: El proceso de crecimiento es muy simple:
Desde el punto de vista qumico:
Se utiliza un gas para depositar el material : silano (SiH4), tetracloruro de Si (SiCl4), triclorosilano (SiHCl3). Se utiliza un segundo gas para el dopaje) las fuentes: fosfina (PH3), diborano (B2H6), arsina (SbH3 )
Durante la deposicin epitaxial, los tomos dopantes se descomponen y forman parte de la capa. La epitaxia proporciona una manera de controlar precisamente el perfil de dopaje para optimizar dispositivos y circuitos.

Desde el punto de vista de la cintica: la velocidad de crecimiento y el dopaje son proporcionales al flujo de gas. Desde el punto de vista estructural: se deposita una fina pelcula en toda la superficie de la oblea.
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Materiales fuentes de Silicio

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III. Crec. EPITAXIAL: Vapour Phase Epitaxy (VPE)
La tcnica VPE en Silicio: En general, los diferentes pasos que ocurren en un proceso VPE son:
Transporte de especies gaseosas hacia la superficie de crecimiento. Procesos superficiales: absorcin, difusin en superficie, incorporacin en cluster de islas o en kinks. Deabsorcin de los reactivos desde la superficie de deposicin y transporte de las mismas de nuevo a la fase gaseosa. La dependencia con la temperatura de la velocidad de crecimiento tiene un comportamiento general, que se establece dependiendo de cual de los pasos previamente comentados es el paso determinante.
A bajas temperaturas es la cintica de la reaccin el paso que limita la velocidad de crecimiento, dando lugar a velocidades de crecimiento que dependen fuertemente de la temperatura. A temperaturas elevadas, el transporte de gases es el que marca la velocidad. Para temperaturas intermedias, depende fuertemente del tipo de gas utilizado y del tipo de la configuracin geomtrica del reactor.
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Representacin esquemtica de la Epitaxia de Silicio.

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III. Crec. EPITAXIAL: Vapour Phase Epitaxy (VPE)
Modelo UHV-CVD-5000: (Vaco ultra alto_ CVD) Utilizacin para procesado multi-oblea de capas epitaxiales dopadas, incluyendo materiales como Si y SiGe.
Aplicaciones: componentes de SiGe (amplificadores de RF y microondas, conmutadores, HBTs discretos, MMICs de bajo ruido) utilizados en aplicaciones de comunicaciones sin hilos: como telfonia mvil, pagers, reces de rea local (LAN), telemetra y sensores.

Caractersticas:
El reactor de horno interior de fuente trmica consiste en un sistema de calor con tres regiones controlado por precisin. Se obtienen rangos de temperatura de 1050 C. Las lneas de proceso de gas incluyen vlvulas de aislamiento con tubos especiales. El sistema de control consiste en un sistema automtico controlado por ordenador con una capacidad de control manual: capacidad de modificar las variables del sistema (flujo de canales, regin de la reaccin, temperatura, presin del reactor, etc.), mostrar el estado del sistema en tiempo real, etc.

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IV. Crec. EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy (MBE) v La tcnica Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Hoy en da es la tcnica ms prometedora, sobre todo en el rea de heteroestructuras (crecimiento epitaxial) donde se requiere un control preciso sobre impurezas mltiples y de deposicin de capas muy delicadas. Vlida para Si y GaAs

El esquema del sistema epitaxial MBE puede observarse en la figura, est compuesto por:
Las celdas de efusin contienen los materiales a ser depositados o crecidos epitaxialmente. La oblea: se mantiene a una T controlada (400 C900 C, temperatura baja) Se bombardea por los haces de los materiales que estn en las celdas de efusin de manera que las molculas que la alcanzan puedan crecer sobre la superficie con la orientacin cristalogrfica del substrato Gira constantemente para conseguir capas uniformes. La cmara presenta condiciones de vaco extremo (10 10 torr.) y est llena de nitrgeno para impedir la contaminacin e interacciones entre compuestos

La velocidad de crecimiento es aproximadamente 1nm/sec (es muy baja) lo que permite la variacin gradual de la composicin del material
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Caractersticas generales de un sistema MBE tpico

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IV. Crec. EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Las celdas de efusin contienen los materiales a ser depositados o crecidos epitaxialmente, donde se realiza su evaporacin trmica controlada:
Son pequeos crisoles, generalmente fabricados en cuarzo, o Nituro de Boro Pyrolitico (PNB) o Grafito Pyrolitico(PG). Tienen uno o dos filamentos arrollados junto con termopares de modo que estn sujetos a unos controles exhaustivos de temperatura.
Se disean para la evaporacin de compuestos y la sublimacin en rangos de temperatura de 200 C hasta 1400 C

Materiales MBE III-V Standard son: Al, Ga, In.

Tambin puede utilizarse como una fuente de dopantes (Si o Be) Se puede mantener una presin de vapor fija para cada uno de los materiales

Tienen una pequea abertura de cara a la oblea.

Para definir interfaces qumicas, los haces atmicos pueden ser obturados on/off a gran velocidad.

Celdas de efusin dentro de una cmara de vaco dirigiendo haces de Al, Ga, As y dopantes hacia un substrato de GaAs mjmm@usal.es

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IV. Crec. EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Las mayores ventajas de la tcnica MBE son :
La versatilidad y simplicidad de su principio de operacin. El entorno de vaco ultra-alto (UHV) da lugar a que los haces de tomos o molculas sean direccionados hacia el cristal del substrato donde se forma la capa cristalina. Este entorno de UHV hace posible que puedan aplicarse:
Tcnicas de medida y caracterizacin in situ (espectroscopa de masas, espectroscopa de electrones Auger (AES), espectroscopia de masa de iones secundarios (SIMS), microscopa de visualizacin electrnica (SEM), difractmetros, etc.) para estudiar los procesos fundamentales que tienen lugar en el crecimiento del cristal. Monitorizacin y herramientas de diagnstico.

Realizacin de un grabado por chorro de iones (limpieza in situ ) previamente a la realizacin del crecimiento epitaxial, etc. Posibilidad de introducir gran variedad de dopantes y gran control de su perfil de dopado. No hay reacciones qumicas complejas. Gran calidad de los substratos obtenidos.

Los inconvenientes de la tcnica MBE:

Elevado coste del equipo y su complejidad. Bajas velocidades de crecimiento Slo es posible realizar el crecimiento de una nica oblea cada vez.
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IV. Crec. EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy (MBE)
MBE posee diferentes sistemas de monitorizacin y caracterizacin de la capa epitaxial.
Sistema de difraccin de reflexin de electrones muy energticos (RHEED)
Informa acerca de la limpieza de la superficie del substrato. Se generan un haz de electrones que se hacen incidir en la muestra en diferentes ngulos con energas tpicamente de 5 15 keV. Inicialmente, la superficie es lisa y las condiciones de difraccin se satisfacen por lo que aparecen picos elevados en las seales de la difraccin. Para crecer una capa completa debemos ir cubriendo una capa en el cul existe un gran desorden superficial lo cual da lugar a una reduccin en el mximo de las intensidades de las difracciones. La amplitud de las oscilaciones decrece con el nmero de capas crecidas: se puede calibrar el grosor del material crecido.

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IV. Crec. EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy (MBE)

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IV. Crec. EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy (MBE)

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IV. Crec. EPITAXIAL: Molecular Beam Epitaxy (MBE)

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V. Defectos
La perfeccin cristalina de la capa epitaxial nunca supera la del substrato y normalmente es inferior. Defectos comunes que ocurren en capas epitaxiales:
(1) representacin esquemtica de una dislocacin inicialmente presente en el substrato y que se extiende dentro de la capa epitaxial. (2) Los precipitados de impurezas en la superficie del substrato son una clase de defecto superficial que da lugar una stacking fault (3) Precipitado de impurezas por contaminacin causado por la continuacin del proceso epitaxial (4) Crecimiento de montculos, pirmides y otras formas de crecimiento pueden estar relacionadas al proceso o al proceso de finalizacin del crecimiento de la oblea (5) stacking fault en una interseccin de la superficie del substrato y que se extiende hacia la capa epitaxial

Fotografa de los defectos en obleas actuales:

(1) Dislocaciones como grabados circulares (agujeros) en una regin de deslizamiento de una oblea (100) (2) stacking fault epitaxial (3) Dislocaciones en una oblea (111) (4) Crecimiento de un montculo en una oblea (111)
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