Prctica No.1: Dispositivos semiconductores diodos y sus caractersticas reales.

Objetivo: Que el alumno conecte y describa el funcionamiento diferentes diodos semiconductores e interprete su curva caracterstica. de

Objetivos particulares: Identificar las terminales de distintos tipos de diodos mediante el multmetro. Determinar el estado del diodo (conduccin y no conduccin) aplicando la polarizacin directa e inversa. Construir la curva caracterstica (real) de los diodos semiconductores. Material y Equipo: 4 Diodos de Silicio IN4004.
4 Diodos de Germanio 1N34. 4 Diodos LED de diferentes colores. 4 Diodos Zener a 9 Volts a1 Watt. 4 Resistencias de 330 y 4 de 1K a de Watt 1 Potencimetro de 10 K. Tabilla de experimentos (Protoboard). Multmetro digital. Osciloscopio. Generador de funciones. Cable para Protoboard. 3 Puntas de osciloscopio.

Marco terico: Unas cuantas dcadas que han seguido a la introduccin del transistor, hacia finales de los aos cuarenta, han sido testigos de un cambio asombroso en la industria de la electrnica. La miniaturizacin que se ha lograda nos ha dejado sorprendidos de sus alcances. Sistemas completos aparecen ahora sobre una oblea de silicio, miles de veces ms pequea que un solo elemento de las redes iniciales. El tipo ms simple de dispositivo constituido como un semiconductor es el diodo que desempea un papel importante en los sistemas electrnicos; Con sus caractersticas que son muy similares a la de un interruptor, aparece en una amplia variedad de aplicaciones que van desde las ms sencillas a las ms complejas. El diodo semiconductor se forma uniendo un material tipo P con uno tipo N, construidos de la misma base: germanio (Ge) o silicio (Si), mediante tcnicas especiales. En el momento en que son unidos los dos materiales, los electrones y los huecos en la regin de la unin se combinan, dando por resultado una falta de

portadores en la regin cercana a la unin. A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se le llama regin de agotamiento o de empobrecimiento, o barrera de unin, debido a la disminucin de portadores en ella.

Figura 1. En la figura 1, se muestra el smbolo y el aspecto fsico de un diodo rectificador, la flecha que simboliza el nodo representa la direccin del "flujo convencional de corriente y el ctodo se identifica con una banda en los diodos pequeos. La aplicacin de un voltaje a travs de sus terminales permite tres posibles polarizaciones: Sin polarizacin (VD = 0V); Polarizacin directa (VD > 0) y Polarizacin inversa (VD < 0) Un diodo semiconductor tiene polarizacin inversa cuando se asocia el material tipo P a un potencial negativo y el material tipo N a un potencial positivo. La polarizacin directa se da cuando se aplica un voltaje positivo al material tipo P y un potencial negativo al material tipo N. A la corriente que existe bajo las condiciones de polarizacin inversa se le llama corriente de saturacin inversa (Is). Mediante el empleo de la fsica del estado slido se ha llegado a encontrar que la corriente a travs del diodo semiconductor es una funcin del voltaje aplicado entre sus terminales, de la siguiente manera: ID= IS [e KV/T1] Dnde: ID: es la corriente en el diodo, medida en amperes. IS: es el valor de la corriente de saturacin inversa, es del orden de los nanoamperes o de microamperes. K: es una constante que depende tambin del material del dispositivo, 11600/ con =1 para Ge (Germanio) y =2 para Si (Silicio). T: es la temperatura ambiente expresada en K, (K = C + 273). Semiconductor tipo N Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).

Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones. El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero. Semiconductor tipo P Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre. As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

Polarizacin directa del diodo pn. En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa del diodo pn. En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su

orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.

Desarrollo experimental: a)Por observacin, identifique el nodo y Ctodo de los distintos diodos que est utilizando, dibuje y anote sus observaciones. Diodo Silicio, Germanio y Zener: Observamos que el anodo en el diodo se ve por una rayita, y la parte que no lo tiene es el catodo.

b) Empleando un multmetro digital, como primera prueba, en la funcin de ohms compruebe el inciso anterior, conectando el hmetro en los extremos del diodo en polarizacin directa y polarizacin inversa, como se indica en la figura 2, reportando en cada caso la resistencia medida:

Figura 2.

Diodo Silicio

2.47 M

6.82 K

Diodo Germanio

Diodo Zener 26.6

c) Con un multmetro digital en funcin de "diodo", realice la medicin del voltaje de conduccin (V0) en polarizacin directa y polarizacin inversa de cada elemento. Silicio Germanio Zener 0.519 V 0.303 V 0.719 v

d) Arme el circuito que se muestra en la figura 3, utilizando un diodo de Silicio, verificando que los instrumentos se conecten en la polaridad indicada.

e) Partiendo de cero volts, aumente gradualmente la tensin de la fuente V1 en incrementos de 0.3 volts hasta que el diodo alcance su voltaje de conduccin, anote los valores de VD e ID, en la tabla 1, calcule la resistencia esttica para cada tensin y voltaje del diodo. Tabla 1. ID VD

0 0

0.411 0.234 0.488 0.761 1.04 1.33 1.61 1.9 2.19 0.258 0.365 0.411 0.438 0.458 0.473 0.485 0.496 0.505

mA V

Invierta la polaridad del diodo y repita el inciso anterior, explique el resultado.

Si se invierte la polaridad de un diodo, se bloquea el paso de corriente. Generalmente los diodos tienen una franja plateada o gris que marca al lado positivo del diodo. Tambin depende de que tipo de diodo sea, porque si es un diodo zenner lo que va a hacer es que si la corriente aumenta demasiado va a bloquear el paso de corriente; es muy til cuando se van a realizar circuitos, ayudando a que no se daen en caso de que la corriente vare.

f) Realice el procedimiento del inciso e), con una de carga RL de 1 K, como se muestra en lafigura 4, mida el voltaje del diodo VD, la corriente ID y registre sus datos en la tabla 2.

Tabla 2. ID VD

6.6 0

6.7 0.29

6.7 0.59

6.7 0.9

6.7 1.2

6.7 1.5

6.7 1.8

6.8 2.1

6.8 2.4

6.8 2.7

mA V

g) Repita el inciso d) y e), empleando el Diodo Emisor de Luz (LED), como se muestra en la figura 5 y anote las mediciones en la tabla 3.

Tabla 3. ID VD

0 0

0 0.3

0.001 0.157 0.407 0.668 0.932 1.2 1.47 1.73 0.598 0.742 0.792 0.831 0.867 0.901 0.933 0.965

mA V

h) Construya las grficas de la curva caracterstica de los diodos en polarizacin directa con los valores obtenidos de las tablas anteriores.

DIODO SILICIO
2.5 2 1.5 ID 1 0.5 0 0 0.1 0.2 0.3 VD 0.4 0.5 0.6

DIODO GERMANIO
0.0000008 0.0000007 0.0000006 0.0000005 0.0000004 0.0000003 0.0000002 0.0000001 0 0 0.5 1 VD 1.5 2 2.5 3 ID

DIODO EMISOR DE LUZ

2 1.8 1.6 1.4 1.2 ID 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 VD 0.8 1 1.2

g) Arme el circuito de la figura 6, utilizando un diodo de Germanio.

Ajuste el valor de la fuente de alimentacin a 8 Volts y utilizando la resistencia variable de 10K, ajuste esta resistencia desde su valor mximo hasta un valor en el que se puedan conducir el diodo. Obtenga los diferentes valores de voltaje en las terminales del diodo al variar la resistencia, hasta obtener valore de la tensin de conduccin, registre los valores. Con el generador de funciones y con el osciloscopio, realice el siguiente circuito y determine la resistencia promedio para diferentes diodos 1N4004, 1N34, diodo Zener y LED.

El generador de seales debe tener las siguientes especificaciones. Tipo de Diodo Silicio 1N4004 Germanio 1N34 Zener LED Rojo LED Verde Silicio 1N4004 Silicio 1N4004 Amplitud (Vpp) 5V 4V 10 V 5V 4V 10 V 5V Frecuencia (Hz) 60 100 30 10 5 200 150 DC LEVEL (OFFSET) 2.5 V 1V 0V 0V 2V 0V 0V Tipo de Seal Senoidal Triangular Senoidal Senoidal Triangular Senoidal Cuadrada

Dibuje las grficas de la seal de entrada y la seal de voltaje en la resistencia de 1K, expliquecada una de las grficas, tome fotos de cada circuito.

Conclusiones Es importante conocer la polarizacion correcta de los diodos, ya que al armar un circuito para que conduzca va de anodo a catodo, un diodo solo permite la circulacin de la corriente en un solo sentido, que para cargas elctricas positivas es desde el electrodo "A" de mayor potencial elctrico (denominado nodo), hacia el electrodo "K" de menor potencial (denominado ctodo). Por lo tanto un diodo es en general un componente unidireccional. Al comparar el resultado de tablas, graficas y valores tomados con el mutimetro observamos que la funcion principal del diodo es permitir el paso de la corriente, por que que puedo concluir que observamos dos estados del diodo, polarizacion directa(donde el circuito conduce pero de forma ilimitada), polarizacion inversa(no conduce el circuito, por lo que se comporta como un circuito abierto) y en lo general cada uno de estos estados tienen aplicacin en diferentes aspectos en la electronica. Referencias Bibliograficas 1. Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos, L. Boylestad, Louis Nashelsky pag 62. 2. El ABC de las mquinas elctricas: Instalacin y control de motores, Gilberto Enrquez Harper pag 292. 3. Electrnica, principios y aplicaciones, Charles A. Schuler pag. 24 4. Electrnica bsica, Angel Zetina pag. 341 5. Electrnica y dispositivos electrnicos, Arthur Lemuel Albert pag.38 6. http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/diodo.pdf 7. http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_1.htm