2.5.4 Importancia y aplicaciones semiconductores y las aleaciones.

de

los

Semiconductores Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son elementos perteneciente al grupo IV de la Tabla Peri dica (!ilicio, "ermanio, etc. "eneralmente a estos se le introducen #tomos de otros elementos, denominados impure$as, de %orma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impure$a introducida. &tra caracter'stica que los di%erencia se re%iere a su resistividad, estando (sta comprendida entre la de los metales ) la de los aislantes. *isposici n esquem#tica de los #tomos de un semiconductor de silicio puro, +o e,isten electrones ni huecos libres. La disposici n esquem#tica de los #tomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en la %igura de arriba, Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de los n-cleos ) los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos. La %uer$a que mantiene unidos a los #tomos entre s' es el resultado del hecho de que los electrones de conducci n de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro #tomos vecinos. . temperaturas ba/as la estructura normal es la que se muestra en la %igura de arriba en la cual no se observa ning-n electr n ni hueco libre ) por tanto el semiconductor se comporta como un aislante. Estos cuatro electrones se encuentran %ormando uniones covalentes con otros #tomos vecinos para as' %ormal un cristal, que es la %orma que se los encuentra en la naturale$a. !i esta estructura se encuentra a una temperatura mu) ba/a o en el cero absoluto, el cristal tendr# tan poca energ'a que no har# posible la conducci n el(ctrica. .l aumentar la temperatura (a temperatura ambiente por e/emplo) ciertos electrones adquieren su%iciente energ'a para romper el enlace del que %orman parte ) 0saltar0 al siguiente orbital. Esto provoca la %ormaci n de un espacio vac'o, que por carencia de electrones, posee carga positiva, a este espacio se lo denomina hueco.

El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre #tomos liber#ndose un cierto n-mero de electrones. En cambio, a la temperatura ambiente (12314 grados 5.) algunas de las %uertes uniones entre los #tomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor ) como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la %igura siguiente se representa esta situaci n. La ausencia del electr n que pertenec'a a la uni n de dos #tomos de silicio se representa por un c'rculo, La %orma en que los huecos contribu)en a la corriente, se detalla seguidamente 5uando un electr n puede vencer la %uer$a que le mantiene ligado al n-cleo ) por tanto abandona su posici n, aparece un hueco, ) le resulta relativamente %#cil al electr n del #tomo vecino de/ar su lugar para llenar este hueco. Este electr n que de/a su sitio para llenar un hueco, de/a a su ve$ otro hueco en su posici n inicial, *e esta manera el hueco contribu)e a la corriente lo mismo que el electr n, con una tra)ectoria de sentido opuesto a la de (ste. Semiconductor: 6aterial s lido o l'quido capa$ de conducir la electricidad me/or que un aislante, pero peor que un metal. La conductividad el(ctrica, que es la capacidad de conducir la corriente el(ctrica cuando se aplica una di%erencia de potencial, es una de las propiedades %'sicas m#s importantes. 5iertos metales, como el cobre, la plata ) el aluminio son e,celentes conductores. Por otro lado, ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son mu) malos conductores. . temperaturas mu) ba/as, los semiconductores puros se comportan como aislantes. !ometidos a altas temperaturas, me$clados con impure$as o en presencia de lu$, la conductividad de los semiconductores puede aumentar de %orma espectacular ) llegar a alcan$ar niveles cercanos a los de los metales. Las propiedades de los semiconductores se estudian en la %'sica del estado s lido. Electrones de conduccin y huecos: Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos qu'micos ) compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc ) el telururo de plomo. El incremento de la conductividad provocado por los cambios de temperatura, la lu$ o las impure$as se debe al aumento del n-mero de electrones conductores que transportan la corriente el(ctrica. En un semiconductor caracter'stico o puro como el silicio, los electrones de valencia (o electrones e,teriores) de un #tomo est#n empare/ados ) son compartidos por otros #tomos para %ormar un enlace covalente que mantiene al cristal unido. Estos electrones de valencia no est#n libres para transportar corriente el(ctrica. Para producir electrones de conducci n, se utili$a la lu$ o la temperatura, que e,cita los electrones de valencia ) provoca su liberaci n de los enlaces, de manera que pueden transmitir la corriente. Las de%iciencias o huecos que quedan contribu)en al %lu/o de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva).

7ste es el origen %'sico del incremento de la conductividad el(ctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.

Dopar8 &tro m(todo para obtener electrones para el transporte de electricidad consiste en a9adir impure$as al semiconductor o doparlo. La di%erencia del n-mero de electrones de valencia entre el material dopante (tanto si acepta como si con%iere electrones) ) el material receptor hace que cre$ca el n-mero de electrones de conducci n negativos (tipo n) o positivos (tipo p). Este concepto se ilustra en el diagrama ad/unto, que muestra un cristal de silicio dopado. 5ada #tomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia (representados mediante puntos). !e requieren dos para %ormar el enlace covalente. En el silicio tipo n, un #tomo como el del % s%oro (P), con cinco electrones de valencia, reempla$a al silicio ) proporciona electrones adicionales. En el silicio tipo p, los #tomos de tres electrones de valencia como el aluminio (.l) provocan una de%iciencia de electrones o huecos que se comportan como electrones positivos. Los electrones o los huecos pueden conducir la electricidad.

5uando ciertas capas de semiconductores tipo p ) tipo n son ad)acentes, %orman un diodo de semiconductor, ) la regi n de contacto se llama uni n pn. Un diodo es un dispositivo de dos terminales que tiene una gran resistencia al paso de la corriente el(ctrica en una direcci n ) una ba/a resistencia en la otra. Las propiedades de conductividad de la uni n pn dependen de la direcci n del volta/e, que puede a su ve$ utili$arse para controlar la naturale$a el(ctrica del dispositivo. .lgunas series de estas uniones se usan para hacer transistores ) otros dispositivos semiconductores como c(lulas solares, l#seres de uni n pn ) recti%icadores. Los dispositivos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la ingenier'a el(ctrica. Los -ltimos avances de la ingenier'a han producido peque9os chips semiconductores que contienen cientos de miles de transistores. Estos chips han hecho posible un enorme grado de miniaturi$aci n en los dispositivos electr nicos. La aplicaci n m#s e%iciente de este tipo de chips es la %abricaci n de circuitos de semiconductores de metal 3 ,ido complementario o 56&!, que est#n %ormados por pare/as de transistores de canal p ) n controladas por un solo circuito. .dem#s, se est#n %abricando dispositivos e,tremadamente peque9os utili$ando la t(cnica epita,ial de ha$ molecular.